JPH10245223A - 酸化物超電導体及びその製造方法 - Google Patents

酸化物超電導体及びその製造方法

Info

Publication number
JPH10245223A
JPH10245223A JP9046607A JP4660797A JPH10245223A JP H10245223 A JPH10245223 A JP H10245223A JP 9046607 A JP9046607 A JP 9046607A JP 4660797 A JP4660797 A JP 4660797A JP H10245223 A JPH10245223 A JP H10245223A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
oxide superconductor
phase
superconductor
partial pressure
producing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP9046607A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroki Koshiro
宏樹 小城
Sonin Ryu
相任 劉
Masahito Murakami
雅人 村上
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
KOKUSAI CHODENDO SANGYO GIJUTSU KENKYU CENTER
Railway Technical Research Institute
EIDP Inc
Original Assignee
KOKUSAI CHODENDO SANGYO GIJUTSU KENKYU CENTER
Railway Technical Research Institute
EI Du Pont de Nemours and Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by KOKUSAI CHODENDO SANGYO GIJUTSU KENKYU CENTER, Railway Technical Research Institute, EI Du Pont de Nemours and Co filed Critical KOKUSAI CHODENDO SANGYO GIJUTSU KENKYU CENTER
Priority to JP9046607A priority Critical patent/JPH10245223A/ja
Priority to US09/032,027 priority patent/US5968878A/en
Publication of JPH10245223A publication Critical patent/JPH10245223A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/45Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on copper oxide or solid solutions thereof with other oxides
    • C04B35/4504Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on copper oxide or solid solutions thereof with other oxides containing rare earth oxides
    • C04B35/4508Type 1-2-3
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/653Processes involving a melting step
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N60/00Superconducting devices
    • H10N60/80Constructional details
    • H10N60/85Superconducting active materials
    • H10N60/855Ceramic superconductors
    • H10N60/857Ceramic superconductors comprising copper oxide
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S505/00Superconductor technology: apparatus, material, process
    • Y10S505/725Process of making or treating high tc, above 30 k, superconducting shaped material, article, or device
    • Y10S505/729Growing single crystal, e.g. epitaxy, bulk

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
  • Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は、イオン半径の大きな希土類元素の
123系超電導体において、臨界温度が90K以上で、
かつ、臨界電流の大きな超電導体およびその製造方法を
提供する。 【解決手段】 La,Nd,Sm等の希土類元素中の少
なくとも一つの元素を含む123系超電導体を溶融状態
から凝固させる際に、RE4-2xBa2+2xCu2-x10-y
(REはLa,Ndの少なくとも一つの元素を含み、0
<x≦0.25,0<y<0.5の範囲にあるものであ
る)を出発原料の一つとして用いると、生成雰囲気の酸
素分圧が0.1気圧以上の範囲でも臨界温度が90Kを
超える超電導体が合成できる。しかも、内部に123組
成からごくわずかに組成のずれた相が分散し、有効なピ
ン止め点として作用するため、臨界電流の高い超電導体
が得られる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、臨界温度、臨界電
流の高い酸化物超電導体及びその製造方法に関し、特
に、磁気浮上や磁気シールド、超電導バルクマグネット
などに適用して有効な技術に関するものである。
【0002】
【従来の技術】臨界温度が液体窒素温度を超える超電導
体の発見によって、全世界的に超電導応用が検討されて
いる。なかでも、Y-Ba-Cu-Oを代表とする123
系材料では、MPMGなどの溶融法の開発によって、1
23超電導マトリックス中に微細なY2BaCuO5(2
11)相を分散させることにより、大きな臨界電流を達
成することに成功している。このような超電導体は、磁
場との相互作用で大きな電磁力を発生することができ、
この力を利用したベアリング、フライホイール、搬送装
置などへの応用研究が盛んとなってきている。例え
ば、”Melt ProcessedHigh Temperature Superconducto
rs”,ed.M.Murakami(World Scientific,1993)等に提案
されている。
【0003】また、臨界電流の大きな超電導体では、強
い磁場をシールドしたり、逆に強磁場を捕捉して永久磁
石として機能することも明らかとなっている。このよう
な多様な応用を考える際には、できるだけ結晶粒の大き
な材料の作製と、超電導接合による大型化や、精密加工
による複雑な形状への対応が必要となってくる。
【0004】また、酸化物超電導体は異方性の大きな材
料であるので、結晶方位の制御も重要である。さらに
は、より臨界電流の大きな材料が作製できれば、発生す
る電磁力を向上させることも可能となる。
【0005】現在、結晶方位制御及び結晶大型化の手法
として、種結晶と温度勾配の組み合せが一般的に行われ
ている。この際、種結晶としては、例えば、Y123系
の成長には、それよりも融点の高いLa,Nd,Sm1
23超電導体が用いられる。
【0006】一方、超電導接合を考える場合、Nd12
3やLa123超電導体を作製し、それよりも融点の低
いY123の融点近傍に加熱することで、Nd123板
の間にY123相を挟んで、Ndは固相のまま、Y12
3を溶融させて接合することも考えられる。前述した用
途には、良質なNd123,La123超電導体を合成
することが必要である。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、一般に
行われている焼結法や溶融法で、これら超電導体を製造
すると、希土類元素のイオン半径が大きいため、Baサ
イトと容易に置換し、臨界温度が大きく低下してしまう
という問題があった。例えば、H.Uwe et al.:Physica
C vol.153-155(1988)P.930-931に関連技術が記載されて
いる。
【0008】前記問題を解決するために、酸化物超電導
体の溶融プロセスにおける生成雰囲気の酸素分圧を0.
00001気圧以上0.1気圧以下の範囲で行うと、臨
界温度が90Kを超える酸化物超電導体を得られること
が明らかになっている。例えば、特開平7−18767
1号公報に記載されている。
【0009】しかしながら、前記従来法では、特殊な雰
囲気ガスを用いるなどして、雰囲気の酸素分圧を制御し
なければならず、プロセスが繁雑になるという問題があ
った。
【0010】また、前記従来法では、プロセス中の雰囲
気として低酸素分圧を用いるため、結晶成長速度が遅く
なり、大型の超電導体が得にくいという問題があった。
【0011】また、RE123(RE:Y,Ho,E
r,Dr)系超電導体において、第2相(211相)を
微細分散させることにより、高い臨界電流が達成されて
いるが、RE123(RE:La,Nd,Sm,Gd,
Eu)系超電導体では、第2相RE422(RE:L
a,Nd)またはRE211(RE:Sm,Gd,E
u)の微細化が困難なため、低磁場での臨界電流密度は
Y系に比べて低くなり、かつ、機械的強度が低下すると
いう問題があった。
【0012】また、RE123(RE:La,Nd,S
m,Gd,Eu)系超電導体では、0.1気圧以下の酸
素分圧下で作製しても、第2相RE422(RE:L
a,Nd)またはRE211(RE:Sm,Gd,E
u)の添加量が多くなると、超電導特性が劣化するとい
う問題があった。
【0013】本発明は、前記問題点を解決するためにな
されたものであり、本発明の目的は、RE123(R
E:La,Nd,Sm,Gd,Eu)系酸化物超電導体
の合成において、雰囲気の酸素分圧が0.1気圧以上の
条件下で作製し、臨界温度が90Kを超える酸化物超電
導体を得ることが可能な技術を提供することにある。
【0014】本発明の他の目的は、高磁場のみならず低
磁場においても臨界電流の大きな超電導体の合成が可能
な技術を提供することにある。
【0015】本発明の他の目的は、高磁場のみならず低
磁場においても臨界電流が大きく、かつ、機械的強度が
高い超電導体の合成が可能な技術を提供することにあ
る。
【0016】本発明の前記ならびにその他の目的及び新
規な特徴は、本願明細書の記述及び図面によって明らか
になるであろう。
【0017】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明は、下記の構成もしくは方法を特徴とする。
【0018】(1)RE-Ba-Cu-O(REはLa,
Nd,Sm,Gd,Eu等の希土類元素のうち少なくと
も一つの元素を含むものである)の組成からなる酸化物
超電導体において、RE:Ba:Cuの比が1:2:3
でOの比が6.8乃至7.2からなる組成物を母相とし、
RE:Ba:Cuの比が1+d:2−d:3(−0.1
<d<0.5)でOの比が6.8乃至7.2の分散相及び
RE4-2xBa2+2xCu2 -x10-y(REはLa,Ndの
少なくとも一つの元素を含み、0<x≦0.25,0<
y<0.5の範囲にあるものである)相が50%以下で
零%より多く(含有率>0)含有されていることを特徴
とする。
【0019】(2)前記(1)に記載の酸化物超電導体
において、臨界温度が90Kを超えることを特徴とす
る。
【0020】(3)前記(1)に記載の酸化物超電導体
において、分散相が1%以上30%以下含有しているこ
とを特徴とする。
【0021】(4)前記(1)に記載の酸化物超電導体
において、分散相の大きさが5μm以下で零より大きい
(>0)ことを特徴とする。
【0022】(5)酸化物超電導体の製造方法におけ
る、RE-Ba-Cu-O(REはLa,Nd,Sm,G
d,Eu等の希土類元素のうち少なくとも一つの元素を
含むものである)の組成からなる酸化物超電導体の溶融
プロセスにおいて、溶融状態から超電導相を凝固生成さ
せる際に、生成雰囲気の酸素分圧を0.1気圧以上の範
囲で行うことを特徴とする。
【0023】(6)前記(5)に記載の酸化物超電導体
の製造方法において、RE4-2xBa2+2xCu2-x10-y
(REはLa,Ndの少なくとも一つの元素を含み、0
<x≦0.25,0<y<0.5の範囲にあるものであ
る)を前駆体の一部として用いることを特徴とする。
【0024】(7)前記(5)に記載の酸化物超電導体
の製造方法において、溶融状態の温度が1000℃乃至
1500℃であることを特徴とする。
【0025】(8)前記(5)に記載の酸化物超電導体
の製造方法において、溶融状態から凝固させる速度が1
0℃/時間以下であることを特徴とする。
【0026】(9)前記(5)に記載の酸化物超電導体
の製造方法において、溶融状態から凝固させる際に、5
℃/cm以上の温度勾配下で結晶成長させることを特徴
とする。
【0027】(10)酸化物超電導体の製造方法におけ
る、RE-Ba-Cu-O(REはLa,Nd,Sm,G
d,Eu等の希土類元素のうち少なくとも一つの元素を
含むものである)の組成からなる酸化物超電導体の溶融
プロセスにおいて、溶融状態から超電導相を凝固生成さ
せる際に、生成雰囲気の酸素分圧を0.00001気圧
以上0.1気圧以下の範囲で行い、かつ、RE4-2xBa
2+2xCu2-x10-y(REはLa,Ndの少なくとも一
つの元素を含み、0.1≦x≦0.25,0<y<0.5
の範囲にあるものである)を出発原料の一つとして用い
ることを特徴とする。
【0028】すなわち、本発明の主要な技術思想は、超
電導体を作製するための前駆体の一部にRE4-2xBa
2+2xCu2-x10-y(REはLa,Ndの少なくとも一
つの元素を含み、0<x≦0.25,0<y<0.5の範
囲にあるものである)を用いることによって、RE12
3相が溶融状態から生成する際のRE(REはLa,N
d,Sm,Gd,Eu等の希土類元素のうち少なくとも
一つの元素を含むものである)とBaの相互置換をでき
るだけ抑え、雰囲気の酸素分圧の制御を行うことなしに
良質な123結晶を得ることである。
【0029】図1はイオン半径の大きいREのRE23
-BaO-CuO三元状態図である。本発明は、図1に示
すように、123相から右上方へ延びる線に沿った固溶
域が存在している。この固溶域は、空気中では123相
からずれたRE1+xBa2-xCu3y(x>0,6.0<
y<7.2)相が安定となるためである。ただし、この
固溶域は、REの種類によって異なる。イオン半径の大
きいREは、この固溶域が存在し、空気中で処理した場
合、臨界温度は大きく低下することを示している。
【0030】図2は、酸素雰囲気を適当な範囲に制御す
ると、前記図1に示す三元状態図の近傍に安定領域が移
動することを説明するための図であり、図2の下部に図
示すように、母相は123相となり、組成のわずかにず
れたRE1+xBa2-xCu3y(0<x<0.5,6.0<
y<7.2)分散相が母相内に分布することを示してい
る。
【0031】通常の空気中でRE123(REはLa,
Nd,Sm,Gd,Eu等の希土類元素のうち少なくと
も一つの元素を含むものである)結晶を成長させると、
図1に示したように、REとBaに固溶域が存在し、相
互置換するため、臨界温度が大きく低下してしまう。
【0032】これは、空気などの酸素分圧下では、RE
とBaが固溶したRE1+xBa2-xCu3y(x>0,
6.0<y<7.2)の方が安定となるためである。これ
を解決するために、焼結法などでは、いったん窒素雰囲
気中で超電導体を形成したのち、酸化することで比較的
良好な臨界温度が達成されている(例えば、T.Wada et a
l.:J.Am.Ceram.Soc.,vol.72.(1989)p.2000-2003参
照)。
【0033】123相の溶融プロセスにおける生成雰囲
気の酸素分圧を0.00001気圧以上0.1気圧以下の
範囲で行うと、REとBaの相互置換が抑制され、RE
123相が安定になり、臨界温度が90Kを超える酸化
物電導体が得られることが明らかになっている(特開平
7−187671号公報参照)。
【0034】しかしながら、前述の雰囲気の酸素分圧が
0.1気圧以上の条件では、簡単には良好な超電導体は
得られないことがわかっている。これは、酸素分圧が高
くなるに従って、RE123相とそのREとBaが置換
した相であるRE1+dBa2-dCu3pの凝固温度の差が
少なくなるため、溶融状態(RE422相またはRE2
11相と液相)からRE123相を結晶生成させる際
に、比較的置換が進んだ特性の悪い相RE1+dBa2-d
3pも生成され、良好な超電導特性を示すRE123
相を選択的に生成することが難しいことによる。
【0035】そこで、本発明者は、超電導体を作製する
ための前駆体の一部に422相のREとBaの置換相で
あるRE4-2xBa2+2xCu2-x10-y(REはLaとN
dの少なくとも一つの元素を含み、0<x≦0.25,
0<y<0.5の範囲にあるものである)を用いて、溶
融状態(RE422相またはRE211相と液相)から
RE123相を凝固生成する際に、図1のAで示した線
に近い条件で反応が行われるようにして、酸素分圧が
0.1気圧以上でも良好な超電導特性を示すRE123
相を選択的に生成することに成功した。
【0036】さらに、この過程において、RE:Ba:
Cuの比が1:2:3からわずかにずれたRE1+xBa
2-xCu3y(x>0,6.0<y<7.2)相も同時に
生成し、それが、母相中に分散し、非常に効果的なピン
止め点として作用することが明らかとなった。
【0037】ただし、分散相の大きさは、含有される量
が一定ならば、微細なほど効果的であり、その下限は、
相の結晶の大きさ約1nmとなる。また、5μm以上と
なるとピン止め効果が小さくなり、その実質的効果は失
われる。また、分散相の含有量が30%を超えること
は、前記の固溶域が広がることに相当し、超電導体の臨
界温度そのものが90Kよりも低下してしまう。
【0038】一方、分散相の含有量が1%よりも低い
と、そのピン止め効果が小さくなり、実質的効果が失わ
れる。
【0039】しかも、この分散相は、広い磁場範囲でピ
ン止め点として作用する。これは、図2に示したよう
に、123相近傍に母相が位置するものの、高温で結晶
が成長するため、ある程度統計的な分布がRE:Baに
生じ分散するためと考えられる。これら分散相領域は、
臨界温度や臨界磁場などの特性が母相とわずかに異な
り、強い磁場下では超電導が破れて常伝導に転移する
が、組成のずれの程度によって常伝導化する磁場が異な
るため、低磁場から高磁場までピン止め点として作用で
きることになる。この結果、従来、報告されている材料
と比較してはるかに高い不可逆磁場が得られている。こ
の磁場は、超電導体が利用できる上限であり、実用上、
非常に重要である。
【0040】また、本発明は、溶融状態から包晶反応を
利用して結晶成長を行う、いわゆる溶融法すべてに適用
できるものである。よって、溶融状態の温度としては、
1000℃乃至1300℃となる。この下限は、溶融の
開始温度であり、上限は、RE422の分解温度によっ
て決定される。ただし、イオン半径の大きなRE123
系材料の凝固においては、1200℃以下の範囲が好ま
しい。これは、1200℃以上では、支持材料との反応
が激しく、試料が汚染されるうえ、初期組成からのずれ
が大きくなるからである。
【0041】また、凝固速度としては、10℃/時間
(h)以下が必要となる。これは、10℃/時間(h)
を超えた速度では、超電導体の安定的な成長が困難であ
るためである。また、凝固速度は遅いほど超電導体の成
長には有利であるが、現有の制御設備では、0.1℃/
時間(h)が設定できる下限である。
【0042】さらに、凝固時に温度勾配を用いない場合
でも良質な超電導体の製造は可能であるが、大型で結晶
方位のそろった試料を得るためには、5℃/cm以上の
温度勾配下で結晶成長させる必要がある。この勾配は大
きいほど結晶成長には有利となるが、現有設備で大型の
結晶成長が可能な電気炉では、100℃/cmが上限と
なる。
【0043】溶融法においては、いわゆる422相及び
/または211相が母相内に分布させることができる
が、このような組織を持った場合でも、前記のピン止め
効果は得られる。ただし、これらの相が50%近傍を越
えて含有させると超電導特性が劣下する。したがって、
これらの相が50%以下で零%より多く(含有率>0)
含有されていることが好ましい。
【0044】また、422相及び/または211相はク
ラック抑制効果があるうえ、相を微細化すれば、MPM
G法で作製したY-Ba-Cu-O系材料の場合のよう
に、この相によるピン止め効果を相乗させることが可能
である。
【0045】前述の手段によれば、イオン半径の大きい
希土類元素の123系酸化物超電導体の合成において、
Baとの置換の際に、核生成成長の段階での相互置換を
抑制するので、臨界温度が90Kを超える酸化物超電導
体を提供することができる。
【0046】また、REとBaがわずかに置換された分
散相が母相内に微細分散し、広い酸化物超電導体でピン
止め点として作用するので、高磁場においても臨界電流
の大きな酸化物超電導体の合成を可能にすることができ
る。
【0047】また、微量のPt,CeO2を添加するこ
とにより、超電導相に分散するRE211相及び/また
はRE422相を微細化することができるので、低磁場
においても臨界電流の大きな酸化物超電導体の合成を可
能にすることができる。
【0048】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態(実施
例)を詳細に説明する。
【0049】(実施形態1)本発明の実施形態1の酸化
物超電導体及びその製造方法を説明する。
【0050】本実施形態1の酸化物超電導体の製造方法
は、NdBa2Cu3xに対して、Nd3.8Ba2.2Cu
1.9yを20mol%添加した組成になるように混合す
る。これを1軸プレス及び静水圧プレスにてペレット形
成する。これら試料を1120℃で30分間加熱した
後、1080℃まで8分で冷却し、その後1010℃ま
で1℃/時間(h)の速度で冷却する。この際、試料は
空気中で熱処理を行った。その後、300℃で200時
間、1気圧の酸素中で熱処理した。
【0051】図3に得られた試料の磁化の温度依存性を
示す。従来の方法で作製したものは、臨界温度が低いう
え、転移幅も広くなっている。これに対し、本発明の試
料では、94K以上の臨界温度を有し、転移幅も非常に
狭く、良質な超電導体であることがわかる。
【0052】また、この超電導体の臨界電流を試料振動
型磁束計で臨界電流を測定すると、図4に示したような
いわゆるピーク効果が観測され、しかも、高磁場側まで
高臨界電流が得られる。これは、高い磁場下で作用する
ピン止め点の存在を示唆するものである。この種のピン
止め点として、Y-Ba-Cu-O系材料では酸素欠損が
報告されているが、その場合は、わずかな酸素アニール
条件で大きな変化を示す。ところが、本実施例1の試料
においては、このような変化は認められない。これは、
そのピン止めが酸素欠損によらないことを示唆してい
る。
【0053】また、90K以上の臨界温度を有する試料
から数種類の試料片を切り出して、元素分析を行った結
果、RE:Ba:Cuの比は、ほぼ1:2:3であり、
Oは6.8から7.2の間に分布していることが分かっ
た。
【0054】また、前記Nd3.8Ba2.2Cu1.9yの代
りにNd3.6Ba2.4Cu1.8yあるいはNd3.5Ba2.5
Cu1.75yを用いても同様の効果が得られる。
【0055】また、前記Nd3.8Ba2.2Cu1.9yの添
加量を10mol%から40mol%まで変えても同様の効果
が得られる。
【0056】また、前記Nd3.8Ba2.2Cu1.9yの添
加量を40mol%まで添加することにより、超電導体の
機械的強度が従来のものより30%向上した。そして、
前記Nd3.8Ba2.2Cu1.9yの添加量を10mol%か
ら40mol%まで添加した場合において、0.5wt%の
白金粉末を添加すると、RE4-2xBa2+2xCu2-x10
-y相が超電導相内に微細に分散し、これによって低磁場
の臨界電流密度が向上した。
【0057】以上説明したように、前記実施形態1によ
れば、RE-Ba-Cu-O酸化物超電導体を溶融状態か
ら凝固させる際に、RE4-2xBa2+2xCu2-x
10-y(REはLa,Ndの少なくとも一つの元素を含
み、0<x≦0.25,0<y<0.5の範囲にあるも
の)を出発原料の一つとして用いると、雰囲気の酸素分
圧を制御することなしに、臨界温度及び臨界電流の高い
酸化物超電導体を得ることができる。
【0058】また、RE4-2xBa2+2xCu2-x
10-y(REはLaとNdの少なくとも一つの元素を含
み、0<x≦0.25,0<y<0.5の範囲にあるも
の)を出発原料の一つとして用いると、RE4-2xBa
2+2xCu2-x10-yを40mol%まで添加することができ
るため、超電導体の機械的強度を向上することができ
る。
【0059】また、RE4-2xBa2+2xCu2-x
10-y(REはLaとNdの少なくとも一つの元素を含
み、0<x≦0.25,0<y<0.5の範囲にあるも
の)を出発原料の一つとして用いると、白金等を添加す
ることによりRE4-2xBa2+2xCu2-x10-yが微細化
するため、低磁場における臨界電流密度を向上すること
ができる。
【0060】(実施形態2)本発明の実施形態2の酸化
物超電導体の製造方法を説明する。
【0061】本実施形態2の酸化物超電導体の製造方法
は、以下に示す2種類の組み合せを出発原料として用
い、NdBa2Cu3xに対して、Nd3.7Ba2.3Cu
1.85yを10mol%から40mol%まで添加した組成に
なるように混合する。これを1軸プレス及び静水圧プレ
スにてペレット形成する。これら試料を酸素分圧が0.
001気圧の雰囲気中で1060℃で30分間加熱した
後、1020℃まで8分で冷却し、その後950℃まで
1℃/時間(h)の速度で冷却する。その後、300℃
で200時間、1気圧の酸素中で熱処理を行った。
【0062】図5に本実施形態2の方法で作製した試料
の磁化の温度依存性を示し、図6に従来の方法で作製し
た試料の磁化の温度依存性を示す。従来の方法で作製し
たものは、図6に示すように、Nd4Ba2Cu2yの添
加が多くなるに従い、臨界温度が低下し、転移幅も広く
なっている。
【0063】これに対し、本発明の実施形態2による試
料では、Nd3.7Ba2.3Cu1.85yの添加量にかかわ
らず、94K以上の臨界温度が得られており、また、転
移幅も狭く非常に良質な超電導体であることが図5から
わかる。
【0064】また、前記Nd3.7Ba2.3Cu1.85y
代りにNd3.6Ba2.4Cu1.8yあるいはNd3.5Ba
2.5Cu1.75yを用いても同様の効果が得られる。
【0065】また、前記Nd3.7Ba2.3Cu1.85y
添加量を10mol%から40mol%まで変えても同様の効
果が得られる。
【0066】また、前記Nd3.7Ba2.3Cu1.85y
添加量を40mol%まで添加することにより、超電導体
の機械的強度が従来のものより30%向上した。そし
て、前記Nd3.7Ba2.3Cu1.85yの添加量を10mol
%から40mol%まで添加したものにおいて、0.5wt
%の白金粉末を添加すると、RE4-2xBa2+2xCu2-x
10-y相が超電導相内に微細に分散し、これによって低
磁場の臨界電流密度が向上した。
【0067】以上説明したように、前記実施形態2によ
れば、RE-Ba-Cu-O酸化物超電導体(REはL
a,Nd,Sm,Gd,Eu等の希土類元素のうち少な
くとも一つの元素を含むものである)を溶融状態から凝
固させる際に、雰囲気の酸素分圧を0.00001気圧
以上0.1気圧以下に制御し、かつ、RE4-2xBa2+2x
Cu2-x10-y(REはLaとNdの少なくとも一つの
元素を含み、0.1≦x≦0.25,0<y<0.5の範
囲にあるものである)を出発原料の一つとして用いる
と、臨界温度及び臨界電流の高い酸化物超電導体を得る
ことができる。
【0068】また、RE-Ba-Cu-O酸化物超電導体
(REはLa,Nd,Sm,Gd,Eu等の希土類元素
のうち少なくとも一つの元素を含むものである)を溶融
状態から凝固させる際に、雰囲気の酸素分圧を0.00
001気圧以上0.1気圧以下に制御し、かつ、RE
4-2xBa2+2xCu2-x10-y(REはLa,Ndの少な
くとも一つの元素を含み、0.1≦x≦0.25,0<
y<0.5の範囲にあるものである)を出発原料の一つ
として用いると、RE4-2xBa2+2xCu2-x10-yを4
0mol%まで添加することができるため、超電導体の機
械的強度を向上することができる。
【0069】また、RE-Ba-Cu-O酸化物超電導体
(REはLa,Nd,Sm,Gd,Eu等の希土類元素
のうち少なくとも一つの元素を含むものである)を溶融
状態から凝固させる際に、雰囲気の酸素分圧を0.00
001気圧以上0.1気圧以下に制御し、かつ、RE
4-2xBa2+2xCu2-x10-y(REはLa,Ndの少な
くとも一つの元素を含み、0.1≦x≦0.25,0<
y<0.5の範囲にあるものである)を出発原料の一つ
として用いると、白金等を添加することによりRE4- 2x
Ba2+2xCu2-x10-yが微細化するため、低磁場にお
ける臨界電流密度を向上することができる。
【0070】以上、本発明を実施形態(実施例)に基づ
き具体的に説明したが、本発明は、前記実施形態に限定
されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲におい
て種々変更し得ることはいうまでもない。
【0071】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以
下のとおりである。
【0072】(1)超電導体を作製するための前駆体の
一部にRE4-2xBa2+2xCu2-x1 0-y相(REはL
a,Ndの少なくとも一つの元素を含み、0<x≦0.
25,0<y<0.5の範囲にあるものである)を用い
ることによって、123相が溶融状態から生成する際の
RE(REはLa,Nd,Sm,Gd,Eu等の希土類
元素のうち少なくとも一つの元素を含むものである)と
Baの相互置換をできるだけ抑え、雰囲気の酸素分圧の
制御を行うことなしに、94K以上の臨界温度が得ら
れ、かつ、転移幅も狭く非常に良質な超電導体が得られ
る。
【0073】(2)前記422相の添加量を40mol%
まで添加することにより、超電導体の機械的強度が従来
のものより向上することができる。そして、さらに、
0.5wt%の白金粉末を添加することにより、低磁場
の臨界電流密度を向上することができる。
【0074】(3)RE-Ba-Cu-O酸化物超電導体
(REはLa,Nd,Sm,Gd,Eu等の希土類元素
のうち少なくとも一つの元素を含むものである)を溶融
状態から凝固させる際に、雰囲気の酸素分圧を0.00
001気圧以上0.1気圧以下に制御し、かつ、RE
4-2xBa2+2xCu2-x10-y(REはLa,Ndの少な
くとも一つの元素を含み、0.1≦x≦0.25,0<
y<0.5の範囲にあるものである)を出発原料の一つ
として用いると、臨界温度及び臨界電流の高い酸化物超
電導体を得ることができる。
【0075】(4)RE-Ba-Cu-O酸化物超電導体
(REはLa,Nd,Sm,Gd,Eu等の希土類元素
のうち少なくとも一つの元素を含むものである)を溶融
状態から凝固させる際に、雰囲気の酸素分圧を0.00
001気圧以上0.1気圧以下に制御し、かつ、RE
4-2xBa2+2xCu2-x10-y(REはLaとNdの少な
くとも一つの元素を含み、0.1≦x≦0.25,0<
y<0.5の範囲にあるもの)を出発原料の一つとして
用いると、RE4-2xBa2+2xCu2-x10-yを40mol%
まで添加することができるため、超電導体の機械的強度
を向上することができる。
【0076】(5)RE-Ba-Cu-O酸化物超電導体
(REはLa,Nd,Sm,Gd,Eu等の希土類元素
のうち少なくとも一つの元素を含むものである)を溶融
状態から凝固させる際に、雰囲気の酸素分圧を0.00
001気圧以上0.1気圧以下に制御し、かつ、RE
4-2xBa2+2xCu2-x10-y(REはLaとNdの少な
くとも一つの元素を含み、0.1≦x≦0.25,0<
y<0.5の範囲にあるもの)を出発原料の一つとして
用いると、白金等を添加することによりRE4-2xBa2+
2xCu2-x10-yが微細化するため、低磁場における臨
界電流密度を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の試料のイオン半径の大きいREのRE
23-BaO-CuO三元状態図である。
【図2】本発明の酸素雰囲気を適当な範囲に制御する
と、三元状態図の近傍に安定領域が移動することを説明
するための図である。
【図3】本発明の実施形態1の試料(白丸)及び従来法
で作製された試料(黒丸)の磁化の温度依存性を示す図
である。
【図4】本実施形態1の試料(白丸)及び従来法で作製
された試料(黒丸)の臨界電流の磁場依存性を示す図で
ある。
【図5】本発明の実施形態2の試料の磁化の温度依存性
を示す図である。
【図6】従来の方法で作製した試料の磁化の温度依存性
を示す図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI H01B 13/00 565 C04B 35/60 B (71)出願人 000173784 財団法人鉄道総合技術研究所 東京都国分寺市光町2丁目8番地38 (72)発明者 小城 宏樹 東京都江東区東雲一丁目14番3 財団法人 国際超電導産業技術研究センター 超電 導工学研究所内 (72)発明者 劉 相任 東京都江東区東雲一丁目14番3 財団法人 国際超電導産業技術研究センター 超電 導工学研究所内 (72)発明者 村上 雅人 東京都江東区東雲一丁目14番3 財団法人 国際超電導産業技術研究センター 超電 導工学研究所内

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 RE-Ba-Cu-O(REはLa,N
    d,Sm,Gd,Eu等の希土類元素のうち少なくとも
    一つの元素を含むものである)の組成からなる酸化物超
    電導体において、RE:Ba:Cuの比が1:2:3で
    Oの比が6.8乃至7.2からなる組成物を母相とし、R
    E:Ba:Cuの比が1+d:2−d:3(−0.1<
    d<0.5)でOの比が6.8乃至7.2の分散相及びR
    4-2xBa2+2xCu2-x10-y(REはLa,Ndの少
    なくとも一つの元素を含み、0<x≦0.25,0<y
    <0.5の範囲にあるものである)相が50%以下で零
    %より多く(含有率>0)含有されていることを特徴と
    する酸化物超電導体。
  2. 【請求項2】 請求項1に記載の酸化物超電導体におい
    て、臨界温度が90Kを超えることを特徴とする酸化物
    超電導体。
  3. 【請求項3】 請求項1に記載の酸化物超電導体におい
    て、分散相が1%以上30%以下含有していることを特
    徴とする酸化物超電導体。
  4. 【請求項4】 請求項1に記載の酸化物超電導体におい
    て、分散相の大きさが5μm以下で零より大きい(>
    0)ことを特徴とする酸化物超電導体。
  5. 【請求項5】 RE-Ba-Cu-O(REはLa,N
    d,Sm,Gd,Eu等の希土類元素のうち少なくとも
    一つの元素を含むものである)の組成からなる酸化物超
    電導体の溶融プロセスにおいて、溶融状態から超電導相
    を凝固生成させる際に、生成雰囲気の酸素分圧を0.1
    気圧以上の範囲で行うことを特徴とする酸化物超電導体
    の製造方法。
  6. 【請求項6】 請求項5に記載の酸化物超電導体の製造
    方法において、RE4-2xBa2+2xCu2-x10-y(RE
    はLa,Ndの少なくとも一つの元素を含み、0<x≦
    0.25,0<y<0.5の範囲にあるものである)を前
    駆体の一部として用いることを特徴とする酸化物超電導
    体の製造方法。
  7. 【請求項7】 請求項5に記載の酸化物超電導体の製造
    方法において、溶融状態の温度が1000℃乃至130
    0℃であることを特徴とする酸化物超電導体の製造方
    法。
  8. 【請求項8】 請求項5に記載の酸化物超電導体の製造
    方法において、溶融状態から凝固させる速度が10℃/
    時間以下であることを特徴とする酸化物超電導体の製造
    方法。
  9. 【請求項9】 請求項5に記載の酸化物超電導体の製造
    方法において、溶融状態から凝固させる際に、5℃/c
    m以上の温度勾配下で結晶成長させることを特徴とする
    酸化物超電導体の製造方法。
  10. 【請求項10】 RE-Ba-Cu-O(REはLa,N
    d,Sm,Gd,Eu等の希土類元素のうち少なくとも
    一つの元素を含むものである)の組成からなる酸化物超
    電導体の溶融プロセスにおいて、溶融状態から超電導相
    を凝固生成させる際に、生成雰囲気の酸素分圧を0.0
    0001気圧以上0.1気圧以下の範囲で行い、かつ、
    RE4-2xBa2+2xCu2-x10-y(REはLa,Ndの
    少なくとも一つの元素を含み、0.1≦x≦0.25,0
    <y<0.5の範囲にあるものである)を前駆体の一部
    として用いることを特徴とする酸化物超電導体の製造方
    法。
JP9046607A 1997-02-28 1997-02-28 酸化物超電導体及びその製造方法 Pending JPH10245223A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9046607A JPH10245223A (ja) 1997-02-28 1997-02-28 酸化物超電導体及びその製造方法
US09/032,027 US5968878A (en) 1997-02-28 1998-02-27 Oxide superconductor and method of producing same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9046607A JPH10245223A (ja) 1997-02-28 1997-02-28 酸化物超電導体及びその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH10245223A true JPH10245223A (ja) 1998-09-14

Family

ID=12752000

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP9046607A Pending JPH10245223A (ja) 1997-02-28 1997-02-28 酸化物超電導体及びその製造方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US5968878A (ja)
JP (1) JPH10245223A (ja)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3767841B2 (ja) * 1998-07-01 2006-04-19 財団法人国際超電導産業技術研究センター 臨界電流密度の高い酸化物超電導体
JP4109363B2 (ja) * 1998-11-30 2008-07-02 新日本製鐵株式会社 酸化物超電導材料およびその製造方法
JP4174332B2 (ja) * 2003-01-23 2008-10-29 財団法人国際超電導産業技術研究センター 酸化物超電導体の製造方法及び酸化物超電導体とその前駆体支持用基材
KR100529602B1 (ko) * 2003-07-18 2005-11-17 한국산업기술대학교 희토류원소계 초전도 산화물을 이용하는 유기금속증착용 전구용액 제조방법 및 유기금속증착법에 의한 박막형 초전도체 제조방법

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5084436A (en) * 1989-01-31 1992-01-28 Asahi Glass Company Ltd. Oriented superconductor containing a dispersed non-superconducting phase
JP3115696B2 (ja) * 1992-03-27 2000-12-11 財団法人国際超電導産業技術研究センター 磁気浮上力の大きい酸化物超電導体の製造方法
JP3155333B2 (ja) * 1992-03-27 2001-04-09 財団法人国際超電導産業技術研究センター 臨界電流密度の高い酸化物超電導体の製造方法
EP0660423B1 (en) * 1993-12-27 2000-02-23 International Superconductivity Technology Center Superconductor and method of producing same

Also Published As

Publication number Publication date
US5968878A (en) 1999-10-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Morita et al. Processing and properties of QMG materials
EP0374263B1 (en) Oxide superconductive material and process for its production
US5525584A (en) Superconductor and method of producing same
US5278137A (en) YBa2 Cu3 O7-y type oxide superconductive material containing dispersed Y2 BaCuO5 phase and having high critical current density
JPH04224111A (ja) 希土類系酸化物超電導体及びその製造方法
US5430010A (en) Process for preparing oxide superconductor
JPH10245223A (ja) 酸化物超電導体及びその製造方法
JP3767841B2 (ja) 臨界電流密度の高い酸化物超電導体
JP2828396B2 (ja) 酸化物超電導体及びその製造方法
JP4794145B2 (ja) RE−Ba−Cu−O酸化物超電導体の作製方法
JP3330962B2 (ja) 酸化物超電導体の製造方法
JPH07187671A (ja) 酸化物超電導体及びその製造方法
JP3115696B2 (ja) 磁気浮上力の大きい酸化物超電導体の製造方法
US5736489A (en) Method of producing melt-processed polycrystalline YBa2 Cu3 O.sub.
JP3159764B2 (ja) 希土類系超電導体の製造方法
JPH0751463B2 (ja) 酸化物超電導体の製造方法
JP2854758B2 (ja) 磁気浮上力の大きい酸化物超電導体
JP3115695B2 (ja) 磁気浮上力の大きい酸化物超電導体の製造方法
JPH10265221A (ja) 酸化物超電導体の製造方法
JP3312380B2 (ja) セラミックス超伝導体の製造方法
JP2914799B2 (ja) 酸化物超電導バルク材の製造方法
JP3213955B2 (ja) セラミックス超伝導体の製造方法
JP2004203727A (ja) 臨界電流密度の高い酸化物超電導体
JP2000169145A (ja) 酸化物超電導材料およびその製造方法
JPH0421505A (ja) セラミックス超電導体およびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20040227

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20050719

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20050719

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20061228

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070410

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20070828