JPH10245223A - 酸化物超電導体及びその製造方法 - Google Patents
酸化物超電導体及びその製造方法Info
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Abstract
123系超電導体において、臨界温度が90K以上で、
かつ、臨界電流の大きな超電導体およびその製造方法を
提供する。 【解決手段】 La,Nd,Sm等の希土類元素中の少
なくとも一つの元素を含む123系超電導体を溶融状態
から凝固させる際に、RE4-2xBa2+2xCu2-xO10-y
(REはLa,Ndの少なくとも一つの元素を含み、0
<x≦0.25,0<y<0.5の範囲にあるものであ
る)を出発原料の一つとして用いると、生成雰囲気の酸
素分圧が0.1気圧以上の範囲でも臨界温度が90Kを
超える超電導体が合成できる。しかも、内部に123組
成からごくわずかに組成のずれた相が分散し、有効なピ
ン止め点として作用するため、臨界電流の高い超電導体
が得られる。
Description
流の高い酸化物超電導体及びその製造方法に関し、特
に、磁気浮上や磁気シールド、超電導バルクマグネット
などに適用して有効な技術に関するものである。
体の発見によって、全世界的に超電導応用が検討されて
いる。なかでも、Y-Ba-Cu-Oを代表とする123
系材料では、MPMGなどの溶融法の開発によって、1
23超電導マトリックス中に微細なY2BaCuO5(2
11)相を分散させることにより、大きな臨界電流を達
成することに成功している。このような超電導体は、磁
場との相互作用で大きな電磁力を発生することができ、
この力を利用したベアリング、フライホイール、搬送装
置などへの応用研究が盛んとなってきている。例え
ば、”Melt ProcessedHigh Temperature Superconducto
rs”,ed.M.Murakami(World Scientific,1993)等に提案
されている。
い磁場をシールドしたり、逆に強磁場を捕捉して永久磁
石として機能することも明らかとなっている。このよう
な多様な応用を考える際には、できるだけ結晶粒の大き
な材料の作製と、超電導接合による大型化や、精密加工
による複雑な形状への対応が必要となってくる。
料であるので、結晶方位の制御も重要である。さらに
は、より臨界電流の大きな材料が作製できれば、発生す
る電磁力を向上させることも可能となる。
として、種結晶と温度勾配の組み合せが一般的に行われ
ている。この際、種結晶としては、例えば、Y123系
の成長には、それよりも融点の高いLa,Nd,Sm1
23超電導体が用いられる。
3やLa123超電導体を作製し、それよりも融点の低
いY123の融点近傍に加熱することで、Nd123板
の間にY123相を挟んで、Ndは固相のまま、Y12
3を溶融させて接合することも考えられる。前述した用
途には、良質なNd123,La123超電導体を合成
することが必要である。
行われている焼結法や溶融法で、これら超電導体を製造
すると、希土類元素のイオン半径が大きいため、Baサ
イトと容易に置換し、臨界温度が大きく低下してしまう
という問題があった。例えば、H.Uwe et al.:Physica
C vol.153-155(1988)P.930-931に関連技術が記載されて
いる。
体の溶融プロセスにおける生成雰囲気の酸素分圧を0.
00001気圧以上0.1気圧以下の範囲で行うと、臨
界温度が90Kを超える酸化物超電導体を得られること
が明らかになっている。例えば、特開平7−18767
1号公報に記載されている。
囲気ガスを用いるなどして、雰囲気の酸素分圧を制御し
なければならず、プロセスが繁雑になるという問題があ
った。
気として低酸素分圧を用いるため、結晶成長速度が遅く
なり、大型の超電導体が得にくいという問題があった。
r,Dr)系超電導体において、第2相(211相)を
微細分散させることにより、高い臨界電流が達成されて
いるが、RE123(RE:La,Nd,Sm,Gd,
Eu)系超電導体では、第2相RE422(RE:L
a,Nd)またはRE211(RE:Sm,Gd,E
u)の微細化が困難なため、低磁場での臨界電流密度は
Y系に比べて低くなり、かつ、機械的強度が低下すると
いう問題があった。
m,Gd,Eu)系超電導体では、0.1気圧以下の酸
素分圧下で作製しても、第2相RE422(RE:L
a,Nd)またはRE211(RE:Sm,Gd,E
u)の添加量が多くなると、超電導特性が劣化するとい
う問題があった。
されたものであり、本発明の目的は、RE123(R
E:La,Nd,Sm,Gd,Eu)系酸化物超電導体
の合成において、雰囲気の酸素分圧が0.1気圧以上の
条件下で作製し、臨界温度が90Kを超える酸化物超電
導体を得ることが可能な技術を提供することにある。
磁場においても臨界電流の大きな超電導体の合成が可能
な技術を提供することにある。
磁場においても臨界電流が大きく、かつ、機械的強度が
高い超電導体の合成が可能な技術を提供することにあ
る。
規な特徴は、本願明細書の記述及び図面によって明らか
になるであろう。
に、本発明は、下記の構成もしくは方法を特徴とする。
Nd,Sm,Gd,Eu等の希土類元素のうち少なくと
も一つの元素を含むものである)の組成からなる酸化物
超電導体において、RE:Ba:Cuの比が1:2:3
でOの比が6.8乃至7.2からなる組成物を母相とし、
RE:Ba:Cuの比が1+d:2−d:3(−0.1
<d<0.5)でOの比が6.8乃至7.2の分散相及び
RE4-2xBa2+2xCu2 -xO10-y(REはLa,Ndの
少なくとも一つの元素を含み、0<x≦0.25,0<
y<0.5の範囲にあるものである)相が50%以下で
零%より多く(含有率>0)含有されていることを特徴
とする。
において、臨界温度が90Kを超えることを特徴とす
る。
において、分散相が1%以上30%以下含有しているこ
とを特徴とする。
において、分散相の大きさが5μm以下で零より大きい
(>0)ことを特徴とする。
る、RE-Ba-Cu-O(REはLa,Nd,Sm,G
d,Eu等の希土類元素のうち少なくとも一つの元素を
含むものである)の組成からなる酸化物超電導体の溶融
プロセスにおいて、溶融状態から超電導相を凝固生成さ
せる際に、生成雰囲気の酸素分圧を0.1気圧以上の範
囲で行うことを特徴とする。
の製造方法において、RE4-2xBa2+2xCu2-xO10-y
(REはLa,Ndの少なくとも一つの元素を含み、0
<x≦0.25,0<y<0.5の範囲にあるものであ
る)を前駆体の一部として用いることを特徴とする。
の製造方法において、溶融状態の温度が1000℃乃至
1500℃であることを特徴とする。
の製造方法において、溶融状態から凝固させる速度が1
0℃/時間以下であることを特徴とする。
の製造方法において、溶融状態から凝固させる際に、5
℃/cm以上の温度勾配下で結晶成長させることを特徴
とする。
る、RE-Ba-Cu-O(REはLa,Nd,Sm,G
d,Eu等の希土類元素のうち少なくとも一つの元素を
含むものである)の組成からなる酸化物超電導体の溶融
プロセスにおいて、溶融状態から超電導相を凝固生成さ
せる際に、生成雰囲気の酸素分圧を0.00001気圧
以上0.1気圧以下の範囲で行い、かつ、RE4-2xBa
2+2xCu2-xO10-y(REはLa,Ndの少なくとも一
つの元素を含み、0.1≦x≦0.25,0<y<0.5
の範囲にあるものである)を出発原料の一つとして用い
ることを特徴とする。
電導体を作製するための前駆体の一部にRE4-2xBa
2+2xCu2-xO10-y(REはLa,Ndの少なくとも一
つの元素を含み、0<x≦0.25,0<y<0.5の範
囲にあるものである)を用いることによって、RE12
3相が溶融状態から生成する際のRE(REはLa,N
d,Sm,Gd,Eu等の希土類元素のうち少なくとも
一つの元素を含むものである)とBaの相互置換をでき
るだけ抑え、雰囲気の酸素分圧の制御を行うことなしに
良質な123結晶を得ることである。
-BaO-CuO三元状態図である。本発明は、図1に示
すように、123相から右上方へ延びる線に沿った固溶
域が存在している。この固溶域は、空気中では123相
からずれたRE1+xBa2-xCu3Oy(x>0,6.0<
y<7.2)相が安定となるためである。ただし、この
固溶域は、REの種類によって異なる。イオン半径の大
きいREは、この固溶域が存在し、空気中で処理した場
合、臨界温度は大きく低下することを示している。
ると、前記図1に示す三元状態図の近傍に安定領域が移
動することを説明するための図であり、図2の下部に図
示すように、母相は123相となり、組成のわずかにず
れたRE1+xBa2-xCu3Oy(0<x<0.5,6.0<
y<7.2)分散相が母相内に分布することを示してい
る。
Nd,Sm,Gd,Eu等の希土類元素のうち少なくと
も一つの元素を含むものである)結晶を成長させると、
図1に示したように、REとBaに固溶域が存在し、相
互置換するため、臨界温度が大きく低下してしまう。
とBaが固溶したRE1+xBa2-xCu3Oy(x>0,
6.0<y<7.2)の方が安定となるためである。これ
を解決するために、焼結法などでは、いったん窒素雰囲
気中で超電導体を形成したのち、酸化することで比較的
良好な臨界温度が達成されている(例えば、T.Wada et a
l.:J.Am.Ceram.Soc.,vol.72.(1989)p.2000-2003参
照)。
気の酸素分圧を0.00001気圧以上0.1気圧以下の
範囲で行うと、REとBaの相互置換が抑制され、RE
123相が安定になり、臨界温度が90Kを超える酸化
物電導体が得られることが明らかになっている(特開平
7−187671号公報参照)。
0.1気圧以上の条件では、簡単には良好な超電導体は
得られないことがわかっている。これは、酸素分圧が高
くなるに従って、RE123相とそのREとBaが置換
した相であるRE1+dBa2-dCu3Opの凝固温度の差が
少なくなるため、溶融状態(RE422相またはRE2
11相と液相)からRE123相を結晶生成させる際
に、比較的置換が進んだ特性の悪い相RE1+dBa2-dC
u3Opも生成され、良好な超電導特性を示すRE123
相を選択的に生成することが難しいことによる。
ための前駆体の一部に422相のREとBaの置換相で
あるRE4-2xBa2+2xCu2-xO10-y(REはLaとN
dの少なくとも一つの元素を含み、0<x≦0.25,
0<y<0.5の範囲にあるものである)を用いて、溶
融状態(RE422相またはRE211相と液相)から
RE123相を凝固生成する際に、図1のAで示した線
に近い条件で反応が行われるようにして、酸素分圧が
0.1気圧以上でも良好な超電導特性を示すRE123
相を選択的に生成することに成功した。
Cuの比が1:2:3からわずかにずれたRE1+xBa
2-xCu3Oy(x>0,6.0<y<7.2)相も同時に
生成し、それが、母相中に分散し、非常に効果的なピン
止め点として作用することが明らかとなった。
が一定ならば、微細なほど効果的であり、その下限は、
相の結晶の大きさ約1nmとなる。また、5μm以上と
なるとピン止め効果が小さくなり、その実質的効果は失
われる。また、分散相の含有量が30%を超えること
は、前記の固溶域が広がることに相当し、超電導体の臨
界温度そのものが90Kよりも低下してしまう。
と、そのピン止め効果が小さくなり、実質的効果が失わ
れる。
ン止め点として作用する。これは、図2に示したよう
に、123相近傍に母相が位置するものの、高温で結晶
が成長するため、ある程度統計的な分布がRE:Baに
生じ分散するためと考えられる。これら分散相領域は、
臨界温度や臨界磁場などの特性が母相とわずかに異な
り、強い磁場下では超電導が破れて常伝導に転移する
が、組成のずれの程度によって常伝導化する磁場が異な
るため、低磁場から高磁場までピン止め点として作用で
きることになる。この結果、従来、報告されている材料
と比較してはるかに高い不可逆磁場が得られている。こ
の磁場は、超電導体が利用できる上限であり、実用上、
非常に重要である。
利用して結晶成長を行う、いわゆる溶融法すべてに適用
できるものである。よって、溶融状態の温度としては、
1000℃乃至1300℃となる。この下限は、溶融の
開始温度であり、上限は、RE422の分解温度によっ
て決定される。ただし、イオン半径の大きなRE123
系材料の凝固においては、1200℃以下の範囲が好ま
しい。これは、1200℃以上では、支持材料との反応
が激しく、試料が汚染されるうえ、初期組成からのずれ
が大きくなるからである。
(h)以下が必要となる。これは、10℃/時間(h)
を超えた速度では、超電導体の安定的な成長が困難であ
るためである。また、凝固速度は遅いほど超電導体の成
長には有利であるが、現有の制御設備では、0.1℃/
時間(h)が設定できる下限である。
でも良質な超電導体の製造は可能であるが、大型で結晶
方位のそろった試料を得るためには、5℃/cm以上の
温度勾配下で結晶成長させる必要がある。この勾配は大
きいほど結晶成長には有利となるが、現有設備で大型の
結晶成長が可能な電気炉では、100℃/cmが上限と
なる。
/または211相が母相内に分布させることができる
が、このような組織を持った場合でも、前記のピン止め
効果は得られる。ただし、これらの相が50%近傍を越
えて含有させると超電導特性が劣下する。したがって、
これらの相が50%以下で零%より多く(含有率>0)
含有されていることが好ましい。
ラック抑制効果があるうえ、相を微細化すれば、MPM
G法で作製したY-Ba-Cu-O系材料の場合のよう
に、この相によるピン止め効果を相乗させることが可能
である。
希土類元素の123系酸化物超電導体の合成において、
Baとの置換の際に、核生成成長の段階での相互置換を
抑制するので、臨界温度が90Kを超える酸化物超電導
体を提供することができる。
散相が母相内に微細分散し、広い酸化物超電導体でピン
止め点として作用するので、高磁場においても臨界電流
の大きな酸化物超電導体の合成を可能にすることができ
る。
とにより、超電導相に分散するRE211相及び/また
はRE422相を微細化することができるので、低磁場
においても臨界電流の大きな酸化物超電導体の合成を可
能にすることができる。
例)を詳細に説明する。
物超電導体及びその製造方法を説明する。
は、NdBa2Cu3Oxに対して、Nd3.8Ba2.2Cu
1.9Oyを20mol%添加した組成になるように混合す
る。これを1軸プレス及び静水圧プレスにてペレット形
成する。これら試料を1120℃で30分間加熱した
後、1080℃まで8分で冷却し、その後1010℃ま
で1℃/時間(h)の速度で冷却する。この際、試料は
空気中で熱処理を行った。その後、300℃で200時
間、1気圧の酸素中で熱処理した。
示す。従来の方法で作製したものは、臨界温度が低いう
え、転移幅も広くなっている。これに対し、本発明の試
料では、94K以上の臨界温度を有し、転移幅も非常に
狭く、良質な超電導体であることがわかる。
型磁束計で臨界電流を測定すると、図4に示したような
いわゆるピーク効果が観測され、しかも、高磁場側まで
高臨界電流が得られる。これは、高い磁場下で作用する
ピン止め点の存在を示唆するものである。この種のピン
止め点として、Y-Ba-Cu-O系材料では酸素欠損が
報告されているが、その場合は、わずかな酸素アニール
条件で大きな変化を示す。ところが、本実施例1の試料
においては、このような変化は認められない。これは、
そのピン止めが酸素欠損によらないことを示唆してい
る。
から数種類の試料片を切り出して、元素分析を行った結
果、RE:Ba:Cuの比は、ほぼ1:2:3であり、
Oは6.8から7.2の間に分布していることが分かっ
た。
りにNd3.6Ba2.4Cu1.8OyあるいはNd3.5Ba2.5
Cu1.75Oyを用いても同様の効果が得られる。
加量を10mol%から40mol%まで変えても同様の効果
が得られる。
加量を40mol%まで添加することにより、超電導体の
機械的強度が従来のものより30%向上した。そして、
前記Nd3.8Ba2.2Cu1.9Oyの添加量を10mol%か
ら40mol%まで添加した場合において、0.5wt%の
白金粉末を添加すると、RE4-2xBa2+2xCu2-xO10
-y相が超電導相内に微細に分散し、これによって低磁場
の臨界電流密度が向上した。
れば、RE-Ba-Cu-O酸化物超電導体を溶融状態か
ら凝固させる際に、RE4-2xBa2+2xCu2-xO
10-y(REはLa,Ndの少なくとも一つの元素を含
み、0<x≦0.25,0<y<0.5の範囲にあるも
の)を出発原料の一つとして用いると、雰囲気の酸素分
圧を制御することなしに、臨界温度及び臨界電流の高い
酸化物超電導体を得ることができる。
10-y(REはLaとNdの少なくとも一つの元素を含
み、0<x≦0.25,0<y<0.5の範囲にあるも
の)を出発原料の一つとして用いると、RE4-2xBa
2+2xCu2-xO10-yを40mol%まで添加することができ
るため、超電導体の機械的強度を向上することができ
る。
10-y(REはLaとNdの少なくとも一つの元素を含
み、0<x≦0.25,0<y<0.5の範囲にあるも
の)を出発原料の一つとして用いると、白金等を添加す
ることによりRE4-2xBa2+2xCu2-xO10-yが微細化
するため、低磁場における臨界電流密度を向上すること
ができる。
物超電導体の製造方法を説明する。
は、以下に示す2種類の組み合せを出発原料として用
い、NdBa2Cu3Oxに対して、Nd3.7Ba2.3Cu
1.85Oyを10mol%から40mol%まで添加した組成に
なるように混合する。これを1軸プレス及び静水圧プレ
スにてペレット形成する。これら試料を酸素分圧が0.
001気圧の雰囲気中で1060℃で30分間加熱した
後、1020℃まで8分で冷却し、その後950℃まで
1℃/時間(h)の速度で冷却する。その後、300℃
で200時間、1気圧の酸素中で熱処理を行った。
の磁化の温度依存性を示し、図6に従来の方法で作製し
た試料の磁化の温度依存性を示す。従来の方法で作製し
たものは、図6に示すように、Nd4Ba2Cu2Oyの添
加が多くなるに従い、臨界温度が低下し、転移幅も広く
なっている。
料では、Nd3.7Ba2.3Cu1.85Oyの添加量にかかわ
らず、94K以上の臨界温度が得られており、また、転
移幅も狭く非常に良質な超電導体であることが図5から
わかる。
代りにNd3.6Ba2.4Cu1.8OyあるいはNd3.5Ba
2.5Cu1.75Oyを用いても同様の効果が得られる。
添加量を10mol%から40mol%まで変えても同様の効
果が得られる。
添加量を40mol%まで添加することにより、超電導体
の機械的強度が従来のものより30%向上した。そし
て、前記Nd3.7Ba2.3Cu1.85Oyの添加量を10mol
%から40mol%まで添加したものにおいて、0.5wt
%の白金粉末を添加すると、RE4-2xBa2+2xCu2-x
O10-y相が超電導相内に微細に分散し、これによって低
磁場の臨界電流密度が向上した。
れば、RE-Ba-Cu-O酸化物超電導体(REはL
a,Nd,Sm,Gd,Eu等の希土類元素のうち少な
くとも一つの元素を含むものである)を溶融状態から凝
固させる際に、雰囲気の酸素分圧を0.00001気圧
以上0.1気圧以下に制御し、かつ、RE4-2xBa2+2x
Cu2-xO10-y(REはLaとNdの少なくとも一つの
元素を含み、0.1≦x≦0.25,0<y<0.5の範
囲にあるものである)を出発原料の一つとして用いる
と、臨界温度及び臨界電流の高い酸化物超電導体を得る
ことができる。
(REはLa,Nd,Sm,Gd,Eu等の希土類元素
のうち少なくとも一つの元素を含むものである)を溶融
状態から凝固させる際に、雰囲気の酸素分圧を0.00
001気圧以上0.1気圧以下に制御し、かつ、RE
4-2xBa2+2xCu2-xO10-y(REはLa,Ndの少な
くとも一つの元素を含み、0.1≦x≦0.25,0<
y<0.5の範囲にあるものである)を出発原料の一つ
として用いると、RE4-2xBa2+2xCu2-xO10-yを4
0mol%まで添加することができるため、超電導体の機
械的強度を向上することができる。
(REはLa,Nd,Sm,Gd,Eu等の希土類元素
のうち少なくとも一つの元素を含むものである)を溶融
状態から凝固させる際に、雰囲気の酸素分圧を0.00
001気圧以上0.1気圧以下に制御し、かつ、RE
4-2xBa2+2xCu2-xO10-y(REはLa,Ndの少な
くとも一つの元素を含み、0.1≦x≦0.25,0<
y<0.5の範囲にあるものである)を出発原料の一つ
として用いると、白金等を添加することによりRE4- 2x
Ba2+2xCu2-xO10-yが微細化するため、低磁場にお
ける臨界電流密度を向上することができる。
き具体的に説明したが、本発明は、前記実施形態に限定
されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲におい
て種々変更し得ることはいうまでもない。
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以
下のとおりである。
一部にRE4-2xBa2+2xCu2-xO1 0-y相(REはL
a,Ndの少なくとも一つの元素を含み、0<x≦0.
25,0<y<0.5の範囲にあるものである)を用い
ることによって、123相が溶融状態から生成する際の
RE(REはLa,Nd,Sm,Gd,Eu等の希土類
元素のうち少なくとも一つの元素を含むものである)と
Baの相互置換をできるだけ抑え、雰囲気の酸素分圧の
制御を行うことなしに、94K以上の臨界温度が得ら
れ、かつ、転移幅も狭く非常に良質な超電導体が得られ
る。
まで添加することにより、超電導体の機械的強度が従来
のものより向上することができる。そして、さらに、
0.5wt%の白金粉末を添加することにより、低磁場
の臨界電流密度を向上することができる。
(REはLa,Nd,Sm,Gd,Eu等の希土類元素
のうち少なくとも一つの元素を含むものである)を溶融
状態から凝固させる際に、雰囲気の酸素分圧を0.00
001気圧以上0.1気圧以下に制御し、かつ、RE
4-2xBa2+2xCu2-xO10-y(REはLa,Ndの少な
くとも一つの元素を含み、0.1≦x≦0.25,0<
y<0.5の範囲にあるものである)を出発原料の一つ
として用いると、臨界温度及び臨界電流の高い酸化物超
電導体を得ることができる。
(REはLa,Nd,Sm,Gd,Eu等の希土類元素
のうち少なくとも一つの元素を含むものである)を溶融
状態から凝固させる際に、雰囲気の酸素分圧を0.00
001気圧以上0.1気圧以下に制御し、かつ、RE
4-2xBa2+2xCu2-xO10-y(REはLaとNdの少な
くとも一つの元素を含み、0.1≦x≦0.25,0<
y<0.5の範囲にあるもの)を出発原料の一つとして
用いると、RE4-2xBa2+2xCu2-xO10-yを40mol%
まで添加することができるため、超電導体の機械的強度
を向上することができる。
(REはLa,Nd,Sm,Gd,Eu等の希土類元素
のうち少なくとも一つの元素を含むものである)を溶融
状態から凝固させる際に、雰囲気の酸素分圧を0.00
001気圧以上0.1気圧以下に制御し、かつ、RE
4-2xBa2+2xCu2-xO10-y(REはLaとNdの少な
くとも一つの元素を含み、0.1≦x≦0.25,0<
y<0.5の範囲にあるもの)を出発原料の一つとして
用いると、白金等を添加することによりRE4-2xBa2+
2xCu2-xO10-yが微細化するため、低磁場における臨
界電流密度を向上することができる。
2O3-BaO-CuO三元状態図である。
と、三元状態図の近傍に安定領域が移動することを説明
するための図である。
で作製された試料(黒丸)の磁化の温度依存性を示す図
である。
された試料(黒丸)の臨界電流の磁場依存性を示す図で
ある。
を示す図である。
を示す図である。
Claims (10)
- 【請求項1】 RE-Ba-Cu-O(REはLa,N
d,Sm,Gd,Eu等の希土類元素のうち少なくとも
一つの元素を含むものである)の組成からなる酸化物超
電導体において、RE:Ba:Cuの比が1:2:3で
Oの比が6.8乃至7.2からなる組成物を母相とし、R
E:Ba:Cuの比が1+d:2−d:3(−0.1<
d<0.5)でOの比が6.8乃至7.2の分散相及びR
E4-2xBa2+2xCu2-xO10-y(REはLa,Ndの少
なくとも一つの元素を含み、0<x≦0.25,0<y
<0.5の範囲にあるものである)相が50%以下で零
%より多く(含有率>0)含有されていることを特徴と
する酸化物超電導体。 - 【請求項2】 請求項1に記載の酸化物超電導体におい
て、臨界温度が90Kを超えることを特徴とする酸化物
超電導体。 - 【請求項3】 請求項1に記載の酸化物超電導体におい
て、分散相が1%以上30%以下含有していることを特
徴とする酸化物超電導体。 - 【請求項4】 請求項1に記載の酸化物超電導体におい
て、分散相の大きさが5μm以下で零より大きい(>
0)ことを特徴とする酸化物超電導体。 - 【請求項5】 RE-Ba-Cu-O(REはLa,N
d,Sm,Gd,Eu等の希土類元素のうち少なくとも
一つの元素を含むものである)の組成からなる酸化物超
電導体の溶融プロセスにおいて、溶融状態から超電導相
を凝固生成させる際に、生成雰囲気の酸素分圧を0.1
気圧以上の範囲で行うことを特徴とする酸化物超電導体
の製造方法。 - 【請求項6】 請求項5に記載の酸化物超電導体の製造
方法において、RE4-2xBa2+2xCu2-xO10-y(RE
はLa,Ndの少なくとも一つの元素を含み、0<x≦
0.25,0<y<0.5の範囲にあるものである)を前
駆体の一部として用いることを特徴とする酸化物超電導
体の製造方法。 - 【請求項7】 請求項5に記載の酸化物超電導体の製造
方法において、溶融状態の温度が1000℃乃至130
0℃であることを特徴とする酸化物超電導体の製造方
法。 - 【請求項8】 請求項5に記載の酸化物超電導体の製造
方法において、溶融状態から凝固させる速度が10℃/
時間以下であることを特徴とする酸化物超電導体の製造
方法。 - 【請求項9】 請求項5に記載の酸化物超電導体の製造
方法において、溶融状態から凝固させる際に、5℃/c
m以上の温度勾配下で結晶成長させることを特徴とする
酸化物超電導体の製造方法。 - 【請求項10】 RE-Ba-Cu-O(REはLa,N
d,Sm,Gd,Eu等の希土類元素のうち少なくとも
一つの元素を含むものである)の組成からなる酸化物超
電導体の溶融プロセスにおいて、溶融状態から超電導相
を凝固生成させる際に、生成雰囲気の酸素分圧を0.0
0001気圧以上0.1気圧以下の範囲で行い、かつ、
RE4-2xBa2+2xCu2-xO10-y(REはLa,Ndの
少なくとも一つの元素を含み、0.1≦x≦0.25,0
<y<0.5の範囲にあるものである)を前駆体の一部
として用いることを特徴とする酸化物超電導体の製造方
法。
Priority Applications (2)
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|---|---|---|---|
| JP9046607A JPH10245223A (ja) | 1997-02-28 | 1997-02-28 | 酸化物超電導体及びその製造方法 |
| US09/032,027 US5968878A (en) | 1997-02-28 | 1998-02-27 | Oxide superconductor and method of producing same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9046607A JPH10245223A (ja) | 1997-02-28 | 1997-02-28 | 酸化物超電導体及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10245223A true JPH10245223A (ja) | 1998-09-14 |
Family
ID=12752000
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9046607A Pending JPH10245223A (ja) | 1997-02-28 | 1997-02-28 | 酸化物超電導体及びその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5968878A (ja) |
| JP (1) | JPH10245223A (ja) |
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| JP4174332B2 (ja) * | 2003-01-23 | 2008-10-29 | 財団法人国際超電導産業技術研究センター | 酸化物超電導体の製造方法及び酸化物超電導体とその前駆体支持用基材 |
| KR100529602B1 (ko) * | 2003-07-18 | 2005-11-17 | 한국산업기술대학교 | 희토류원소계 초전도 산화물을 이용하는 유기금속증착용 전구용액 제조방법 및 유기금속증착법에 의한 박막형 초전도체 제조방법 |
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| JP3155333B2 (ja) * | 1992-03-27 | 2001-04-09 | 財団法人国際超電導産業技術研究センター | 臨界電流密度の高い酸化物超電導体の製造方法 |
| EP0660423B1 (en) * | 1993-12-27 | 2000-02-23 | International Superconductivity Technology Center | Superconductor and method of producing same |
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1997
- 1997-02-28 JP JP9046607A patent/JPH10245223A/ja active Pending
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1998
- 1998-02-27 US US09/032,027 patent/US5968878A/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5968878A (en) | 1999-10-19 |
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