JPH10247701A - 半導体装置およびその製造に用いるリードフレーム - Google Patents
半導体装置およびその製造に用いるリードフレームInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ワイヤの支持板に対する接続強度向上および
接続の信頼性向上。 【解決手段】 支持板と、前記支持板の主面に接合材を
介して固定される半導体チップと、前記半導体チップを
被うように少なくとも前記支持板の主面側に設けられる
封止体と、前記封止体の内外に亘って延在する複数のリ
ードと、前記封止体内で前記リードおよび前記支持板と
前記半導体チップの電極とを電気的に接続する導電性の
ワイヤとを有する半導体装置であって、前記支持板の半
導体チップを固定する半導体チップ固定領域と、ワイヤ
を接続するワイヤ接続領域との間に前記接合材が流出し
て前記ワイヤ接続領域に浸入するのを停止させる浸入停
止手段が設けられている。前記支持板の主面には部分的
に窪みが設けられ、前記窪み底面が前記半導体チップ固
定領域を構成する。
接続の信頼性向上。 【解決手段】 支持板と、前記支持板の主面に接合材を
介して固定される半導体チップと、前記半導体チップを
被うように少なくとも前記支持板の主面側に設けられる
封止体と、前記封止体の内外に亘って延在する複数のリ
ードと、前記封止体内で前記リードおよび前記支持板と
前記半導体チップの電極とを電気的に接続する導電性の
ワイヤとを有する半導体装置であって、前記支持板の半
導体チップを固定する半導体チップ固定領域と、ワイヤ
を接続するワイヤ接続領域との間に前記接合材が流出し
て前記ワイヤ接続領域に浸入するのを停止させる浸入停
止手段が設けられている。前記支持板の主面には部分的
に窪みが設けられ、前記窪み底面が前記半導体チップ固
定領域を構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置およびそ
の製造に用いるリードフレームに関し、特に支持板の主
面に固定された半導体チップの電極と、前記支持板を導
電性のワイヤで接続する構造の半導体装置の製造技術に
適用して有効な技術に関する。
の製造に用いるリードフレームに関し、特に支持板の主
面に固定された半導体チップの電極と、前記支持板を導
電性のワイヤで接続する構造の半導体装置の製造技術に
適用して有効な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣ（集積回路装置）等の半導体装置に
おいて、半導体チップ等を封止する封止（パッケージ）
構造として樹脂（レジン）による封止構造が知られてい
る。
おいて、半導体チップ等を封止する封止（パッケージ）
構造として樹脂（レジン）による封止構造が知られてい
る。
【０００３】樹脂封止（レジンパッケージ）型半導体装
置は、リードフレームを使用して製造される。リードフ
レームは、薄い金属板をエッチングや精密プレスによっ
てパターニングすることによって形成される。
置は、リードフレームを使用して製造される。リードフ
レームは、薄い金属板をエッチングや精密プレスによっ
てパターニングすることによって形成される。
【０００４】リードフレームを使用して製造される半導
体装置は、その製造において、タブ等と呼称される支持
板の主面に接合材を介して半導体チップを固定するとと
もに、前記半導体チップの電極とリードを導電性のワイ
ヤで接続する。
体装置は、その製造において、タブ等と呼称される支持
板の主面に接合材を介して半導体チップを固定するとと
もに、前記半導体チップの電極とリードを導電性のワイ
ヤで接続する。
【０００５】特開平5-144561号公報には、タブを支持す
るインナーリードと、半導体チップの電極をワイヤで接
続した半導体装置が開示されている。この文献には、半
導体ペレットをＡｕ膜,Ａｕ−Ｓｎ合金膜，Ｐｂ−Ｓｎ
合金膜等からなる接着層を用いてタブに固定することが
記載されている。
るインナーリードと、半導体チップの電極をワイヤで接
続した半導体装置が開示されている。この文献には、半
導体ペレットをＡｕ膜,Ａｕ−Ｓｎ合金膜，Ｐｂ−Ｓｎ
合金膜等からなる接着層を用いてタブに固定することが
記載されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ガリウム砒素（ＧａＡ
ｓ）基板を使用した半導体装置としてＭＥＳＦＥＴ（Me
tal Semiconductor Field Effect Transistor)が知られ
ている。
ｓ）基板を使用した半導体装置としてＭＥＳＦＥＴ（Me
tal Semiconductor Field Effect Transistor)が知られ
ている。
【０００７】本出願人においては、ＧａＡｓ−ＭＥＳＦ
ＥＴチップ（半導体チップ）を支持板の主面にＡｕ−Ｓ
ｎ半田を介して固定するとともに、半導体チップのソー
ス電極に一端を接続するワイヤの他端を前記支持板の半
導体チップ固定領域から外れた領域面に固定する構造を
採用している。
ＥＴチップ（半導体チップ）を支持板の主面にＡｕ−Ｓ
ｎ半田を介して固定するとともに、半導体チップのソー
ス電極に一端を接続するワイヤの他端を前記支持板の半
導体チップ固定領域から外れた領域面に固定する構造を
採用している。
【０００８】しかし、この構造では、接合材が半導体チ
ップ固定領域から外に流出し、ワイヤ接続領域面にまで
到達することがあり、半導体チップ固定後のワイヤボン
ディングにおいて、前記接合材上にワイヤが接続される
ため、ワイヤの接続強度が低下したり接続の信頼性が低
くなることが本発明者によってあきらかにされた。
ップ固定領域から外に流出し、ワイヤ接続領域面にまで
到達することがあり、半導体チップ固定後のワイヤボン
ディングにおいて、前記接合材上にワイヤが接続される
ため、ワイヤの接続強度が低下したり接続の信頼性が低
くなることが本発明者によってあきらかにされた。
【０００９】本発明の目的は、支持板に接続されるワイ
ヤの接続強度向上および接続の信頼性向上を図ることに
ある。
ヤの接続強度向上および接続の信頼性向上を図ることに
ある。
【００１０】本発明の前記ならびにそのほかの目的と新
規な特徴は、本明細書の記述および添付図面からあきら
かになるであろう。
規な特徴は、本明細書の記述および添付図面からあきら
かになるであろう。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
【００１２】（１）支持板と、前記支持板の主面に接合
材を介して固定される半導体チップと、前記半導体チッ
プを被うように少なくとも前記支持板の主面側に設けら
れる封止体と、前記封止体の内外に亘って延在する複数
のリードと、前記封止体内で前記リードおよび前記支持
板と前記半導体チップの電極とを電気的に接続する導電
性のワイヤとを有する半導体装置であって、前記支持板
の半導体チップを固定する半導体チップ固定領域と、ワ
イヤを接続するワイヤ接続領域との間に前記接合材が流
出して前記ワイヤ接続領域に浸入するのを停止させる浸
入停止手段が設けられている。前記支持板の主面には部
分的に窪みが設けられ、前記窪み底面が前記半導体チッ
プ固定領域を構成する。これによって前記ワイヤ接続領
域面が前記半導体チップ固定領域面よりも高くなってい
る。前記支持板から突出し先端が前記封止体の外に突出
する支持リードが設けられている。前記封止体は前記支
持板の主面側を被っている。
材を介して固定される半導体チップと、前記半導体チッ
プを被うように少なくとも前記支持板の主面側に設けら
れる封止体と、前記封止体の内外に亘って延在する複数
のリードと、前記封止体内で前記リードおよび前記支持
板と前記半導体チップの電極とを電気的に接続する導電
性のワイヤとを有する半導体装置であって、前記支持板
の半導体チップを固定する半導体チップ固定領域と、ワ
イヤを接続するワイヤ接続領域との間に前記接合材が流
出して前記ワイヤ接続領域に浸入するのを停止させる浸
入停止手段が設けられている。前記支持板の主面には部
分的に窪みが設けられ、前記窪み底面が前記半導体チッ
プ固定領域を構成する。これによって前記ワイヤ接続領
域面が前記半導体チップ固定領域面よりも高くなってい
る。前記支持板から突出し先端が前記封止体の外に突出
する支持リードが設けられている。前記封止体は前記支
持板の主面側を被っている。
【００１３】このような半導体装置の製造には、以下の
構造のリードフレームが使用される。支持板の主面に半
導体チップを固定する半導体チップ固定領域と、一つ以
上のワイヤを接続するワイヤ接続領域を有するリードフ
レームであって、前記半導体チップ固定領域とワイヤ接
続領域との間に前記接合材が流出して前記ワイヤ接続領
域に浸入するのを停止させる浸入停止手段が設けられて
いる。前記支持板の主面には部分的に窪みが設けられ、
前記窪み底面が前記半導体チップ固定領域を構成する。
これによって前記ワイヤ接続領域面が前記半導体チップ
固定領域面よりも高くなっている。
構造のリードフレームが使用される。支持板の主面に半
導体チップを固定する半導体チップ固定領域と、一つ以
上のワイヤを接続するワイヤ接続領域を有するリードフ
レームであって、前記半導体チップ固定領域とワイヤ接
続領域との間に前記接合材が流出して前記ワイヤ接続領
域に浸入するのを停止させる浸入停止手段が設けられて
いる。前記支持板の主面には部分的に窪みが設けられ、
前記窪み底面が前記半導体チップ固定領域を構成する。
これによって前記ワイヤ接続領域面が前記半導体チップ
固定領域面よりも高くなっている。
【００１４】（２）前記（１）の構成において、前記支
持板の主面には１以上の凸面が設けられ、前記凸面が前
記ワイヤ接続領域を構成している。すなわち、前記凸面
はワイヤ毎に対応して形成されている。
持板の主面には１以上の凸面が設けられ、前記凸面が前
記ワイヤ接続領域を構成している。すなわち、前記凸面
はワイヤ毎に対応して形成されている。
【００１５】（３）前記（１）の構成において、前記半
導体チップ固定領域と前記ワイヤ接続領域との間の前記
支持板の主面には連続または不連続な凸条が設けられて
いる。
導体チップ固定領域と前記ワイヤ接続領域との間の前記
支持板の主面には連続または不連続な凸条が設けられて
いる。
【００１６】（４）前記（１）の構成において、前記半
導体チップ固定領域と前記ワイヤ接続領域との間の前記
支持板の主面には連続または不連続な溝が設けられてい
る。前記不連続な溝は支持板を貫通している。
導体チップ固定領域と前記ワイヤ接続領域との間の前記
支持板の主面には連続または不連続な溝が設けられてい
る。前記不連続な溝は支持板を貫通している。
【００１７】（５）前記（１）の構成において、前記半
導体チップが固定される支持板は相互に電気的に独立す
る複数の支持分断片によって構成され、かつ前記各支持
分断片に前記ワイヤが接続されている。
導体チップが固定される支持板は相互に電気的に独立す
る複数の支持分断片によって構成され、かつ前記各支持
分断片に前記ワイヤが接続されている。
【００１８】前記（１）の手段によれば、半導体装置の
製造に用いるリードフレームにおいて、支持板には半導
体チップを固定する半導体チップ固定領域と、ワイヤを
接続するワイヤ接続領域との間に前記接合材が流出して
前記ワイヤ接続領域に浸入するのを停止させる浸入停止
手段が設けられていることから、半導体チップの固定
時、接合材が半導体チップ固定領域から外に向かって流
出しても、前記浸入停止手段によって遮られてワイヤ接
続領域に到達しないため、その後にワイヤ接続領域にワ
イヤを接続した場合、接合材上にワイヤが接続されるこ
となく直接支持板に接続される。したがって、ワイヤの
接続強度向上が図れるとともに、ワイヤの接続の信頼性
の向上が図れる。
製造に用いるリードフレームにおいて、支持板には半導
体チップを固定する半導体チップ固定領域と、ワイヤを
接続するワイヤ接続領域との間に前記接合材が流出して
前記ワイヤ接続領域に浸入するのを停止させる浸入停止
手段が設けられていることから、半導体チップの固定
時、接合材が半導体チップ固定領域から外に向かって流
出しても、前記浸入停止手段によって遮られてワイヤ接
続領域に到達しないため、その後にワイヤ接続領域にワ
イヤを接続した場合、接合材上にワイヤが接続されるこ
となく直接支持板に接続される。したがって、ワイヤの
接続強度向上が図れるとともに、ワイヤの接続の信頼性
の向上が図れる。
【００１９】前記（２）の手段によれば、前記ワイヤ接
続領域は各ワイヤに対応する凸面によってそれぞれ形成
されていることから、前記凸面よりも低い半導体チップ
固定領域面から流出してきた接合材は前記凸面上に到達
することがなく、凸面の側部を流れるため、前記手段
（１）の場合と同様に直接凸面にワイヤ接続が行え、ワ
イヤの接続強度向上が図れるとともに、ワイヤ接続の信
頼性の向上が図れる。
続領域は各ワイヤに対応する凸面によってそれぞれ形成
されていることから、前記凸面よりも低い半導体チップ
固定領域面から流出してきた接合材は前記凸面上に到達
することがなく、凸面の側部を流れるため、前記手段
（１）の場合と同様に直接凸面にワイヤ接続が行え、ワ
イヤの接続強度向上が図れるとともに、ワイヤ接続の信
頼性の向上が図れる。
【００２０】前記（３）の手段によれば、前記半導体チ
ップ固定領域と前記ワイヤ接続領域との間の前記支持板
の主面には、前記半導体チップ固定領域面から流出して
きた接合材の流出を阻止する連続または不連続な凸条が
設けられているため、ワイヤ接続領域面に接合材が付着
しない。したがって、前記手段（１）の場合と同様に直
接凸面にワイヤ接続が行え、ワイヤの接続強度向上が図
れるとともに、ワイヤ接続の信頼性の向上が図れる。
ップ固定領域と前記ワイヤ接続領域との間の前記支持板
の主面には、前記半導体チップ固定領域面から流出して
きた接合材の流出を阻止する連続または不連続な凸条が
設けられているため、ワイヤ接続領域面に接合材が付着
しない。したがって、前記手段（１）の場合と同様に直
接凸面にワイヤ接続が行え、ワイヤの接続強度向上が図
れるとともに、ワイヤ接続の信頼性の向上が図れる。
【００２１】前記（４）の手段によれば、前記半導体チ
ップ固定領域と前記ワイヤ接続領域との間の前記支持板
の主面には、前記半導体チップ固定領域面から流出して
きた接合材を溜めてその流れを停止させる連続または不
連続な溝が設けられているため、ワイヤ接続領域面に接
合材が付着しない。したがって、前記手段（１）の場合
と同様に直接凸面にワイヤ接続が行え、ワイヤの接続強
度向上が図れるとともに、ワイヤ接続の信頼性の向上が
図れる。
ップ固定領域と前記ワイヤ接続領域との間の前記支持板
の主面には、前記半導体チップ固定領域面から流出して
きた接合材を溜めてその流れを停止させる連続または不
連続な溝が設けられているため、ワイヤ接続領域面に接
合材が付着しない。したがって、前記手段（１）の場合
と同様に直接凸面にワイヤ接続が行え、ワイヤの接続強
度向上が図れるとともに、ワイヤ接続の信頼性の向上が
図れる。
【００２２】前記（５）の手段によれば、前記手段
（１）による効果に加えて、前記支持板は相互に電気的
に独立する複数の支持分断片によって構成されているこ
とから、複数箇所にグランドや電源電位を配置する半導
体チップを含む半導体装置の製造にも適する。
（１）による効果に加えて、前記支持板は相互に電気的
に独立する複数の支持分断片によって構成されているこ
とから、複数箇所にグランドや電源電位を配置する半導
体チップを含む半導体装置の製造にも適する。
【００２３】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明する。なお、発明の実施の形態を
説明するための全図において、同一機能を有するものは
同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
施の形態を詳細に説明する。なお、発明の実施の形態を
説明するための全図において、同一機能を有するものは
同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
【００２４】（実施形態１）図１乃至図５は本発明の一
実施形態（実施形態１）である半導体装置およびその製
造方法を示す図であり、図１は一部を除去した半導体装
置の斜視図、図２は半導体装置の断面図、図３は半導体
装置の製造に使用するリードフレームの平面図、図４は
リードフレームの支持板部分を示す斜視図、図５は半導
体チップを固定し、ワイヤボンディングを行ったリード
フレームを示す平面図である。
実施形態（実施形態１）である半導体装置およびその製
造方法を示す図であり、図１は一部を除去した半導体装
置の斜視図、図２は半導体装置の断面図、図３は半導体
装置の製造に使用するリードフレームの平面図、図４は
リードフレームの支持板部分を示す斜視図、図５は半導
体チップを固定し、ワイヤボンディングを行ったリード
フレームを示す平面図である。
【００２５】本実施形態１では、ＧａＡｓ−ＭＥＳＦＥ
Ｔに本発明を適用した例について説明する。本実施形態
１の半導体装置１は、図１および図２に示すように、外
観的には偏平な樹脂（レジン）からなる封止体（パッケ
ージ）２と、このパッケージ２の周面、４辺から突出す
るリード３とからなっている。パッケージ２の左側に突
出するリード３はドレイン（Ｄ）リード、パッケージ２
の右側に突出するリード３はゲート（Ｇ）リード、パッ
ケージ２の前面及び背面に突出するリード３はソース
（Ｓ）リードである。
Ｔに本発明を適用した例について説明する。本実施形態
１の半導体装置１は、図１および図２に示すように、外
観的には偏平な樹脂（レジン）からなる封止体（パッケ
ージ）２と、このパッケージ２の周面、４辺から突出す
るリード３とからなっている。パッケージ２の左側に突
出するリード３はドレイン（Ｄ）リード、パッケージ２
の右側に突出するリード３はゲート（Ｇ）リード、パッ
ケージ２の前面及び背面に突出するリード３はソース
（Ｓ）リードである。
【００２６】前記パッケージ２の内部には支持板４が位
置している。この支持板４はタブとも称され、一対の対
面する２辺の中央部分をそれぞれ支持リード（タブ吊り
リード）に支持されている。本実施形態１では、支持リ
ードは前記パッケージ２の外に突出してソースリードを
構成している。
置している。この支持板４はタブとも称され、一対の対
面する２辺の中央部分をそれぞれ支持リード（タブ吊り
リード）に支持されている。本実施形態１では、支持リ
ードは前記パッケージ２の外に突出してソースリードを
構成している。
【００２７】前記支持板４は、その主面（上面）に部分
的に窪み１０が設けられている。この窪み１０の底面に
は、図２にも示すように半導体チップ６が接合材５を介
して固定されている。前記接合材５は、たとえばＡｕ−
Ｓｎ半田となっている。前記窪み１０の底面の広さは、
図１の二点鎖線で示すように、半導体チップ６を固定す
る半導体チップ固定領域１１よりも広くなっている。
的に窪み１０が設けられている。この窪み１０の底面に
は、図２にも示すように半導体チップ６が接合材５を介
して固定されている。前記接合材５は、たとえばＡｕ−
Ｓｎ半田となっている。前記窪み１０の底面の広さは、
図１の二点鎖線で示すように、半導体チップ６を固定す
る半導体チップ固定領域１１よりも広くなっている。
【００２８】また、前記窪み１０は前記ドレインリード
側に片寄って形成されている。前記窪み１０の縁となる
ゲートリード寄りの支持板４の主面部分は幅が広くな
り、ワイヤ接続部１２を構成している。また、ワイヤ接
続部１２の一部は二点鎖線で示すようにワイヤ接続領域
１３を形成する。
側に片寄って形成されている。前記窪み１０の縁となる
ゲートリード寄りの支持板４の主面部分は幅が広くな
り、ワイヤ接続部１２を構成している。また、ワイヤ接
続部１２の一部は二点鎖線で示すようにワイヤ接続領域
１３を形成する。
【００２９】したがって、前記ワイヤ接続領域１３の面
は、前記半導体チップ固定領域１１の面よりも高くな
り、半導体チップ６を支持板４に固定する接合材５がワ
イヤ接続領域１３の面にはい上がることはない（図２参
照）。
は、前記半導体チップ固定領域１１の面よりも高くな
り、半導体チップ６を支持板４に固定する接合材５がワ
イヤ接続領域１３の面にはい上がることはない（図２参
照）。
【００３０】一方、前記ドレインリードおよびゲートリ
ードの先端部分は、前記支持板４の辺に沿うように幅が
広くなり、ワイヤ接続部７を形成している。
ードの先端部分は、前記支持板４の辺に沿うように幅が
広くなり、ワイヤ接続部７を形成している。
【００３１】また、半導体チップ６の上面の図示しない
電極と、前記パッケージ２内に延在するリード３の先端
および前記ワイヤ接続部１２は、導電性のワイヤ１４に
よって電気的に接続されている。
電極と、前記パッケージ２内に延在するリード３の先端
および前記ワイヤ接続部１２は、導電性のワイヤ１４に
よって電気的に接続されている。
【００３２】つぎに、本実施形態１の半導体装置の製造
方法について説明する。半導体装置１の製造において
は、図３に示すようなリードフレーム１５が用意され
る。
方法について説明する。半導体装置１の製造において
は、図３に示すようなリードフレーム１５が用意され
る。
【００３３】リードフレーム１５は、０．４ｍｍ程度の
厚さの鉄−ニッケル系合金板，銅板，銅合金板等をエッ
チングまたは精密プレスによってパターニングすること
によって形成される。リードフレーム１５は、平行に延
在する一対の外枠１６と、前記一対の外枠１６に直交し
かつ前記一対の外枠１６を一定間隔位置で連結する内枠
１７とからなっている。
厚さの鉄−ニッケル系合金板，銅板，銅合金板等をエッ
チングまたは精密プレスによってパターニングすること
によって形成される。リードフレーム１５は、平行に延
在する一対の外枠１６と、前記一対の外枠１６に直交し
かつ前記一対の外枠１６を一定間隔位置で連結する内枠
１７とからなっている。
【００３４】また、前記一対の外枠１６と隣接する２本
の内枠１７とによって形成される枠の中央には、矩形の
支持板（タブ）４が位置している。この支持板４は、前
記外枠１６の略中間部分から延在する支持リード（タブ
リード）２０に支持されている。前記支持板４の主面に
は、図４に示すように、前述のように左側に片寄って窪
み１０が設けられている。この窪み１０は、半導体チッ
プ６を固定する半導体チップ固定領域１１よりも大きく
なっている。前記窪み１０の右寄りの主面部分はワイヤ
を接続するためのワイヤ接続部１２を形成している。こ
のワイヤ接続部１２には、二点鎖線で示すようにワイヤ
接続領域１３が位置するようになっている。前記支持リ
ード２０は、ソースリードとなる。
の内枠１７とによって形成される枠の中央には、矩形の
支持板（タブ）４が位置している。この支持板４は、前
記外枠１６の略中間部分から延在する支持リード（タブ
リード）２０に支持されている。前記支持板４の主面に
は、図４に示すように、前述のように左側に片寄って窪
み１０が設けられている。この窪み１０は、半導体チッ
プ６を固定する半導体チップ固定領域１１よりも大きく
なっている。前記窪み１０の右寄りの主面部分はワイヤ
を接続するためのワイヤ接続部１２を形成している。こ
のワイヤ接続部１２には、二点鎖線で示すようにワイヤ
接続領域１３が位置するようになっている。前記支持リ
ード２０は、ソースリードとなる。
【００３５】前記窪み１０は、コイニングによって形成
され、たとえば、０．０２ｍｍの深さに形成される。
され、たとえば、０．０２ｍｍの深さに形成される。
【００３６】前記窪み１０、厳密には窪みの縁は、窪み
底の半導体チップ固定領域１１から接合材５がワイヤ接
続領域１３に流出するのを停止させる浸入停止手段を構
成する。
底の半導体チップ固定領域１１から接合材５がワイヤ接
続領域１３に流出するのを停止させる浸入停止手段を構
成する。
【００３７】また、前記内枠１７の内側中央部分からそ
れぞれリード３が延在している。このリード３の先端は
前記支持板４の周辺に近接するとともに、幅広となり、
ワイヤを接続するためのワイヤ接続部７を形成してい
る。
れぞれリード３が延在している。このリード３の先端は
前記支持板４の周辺に近接するとともに、幅広となり、
ワイヤを接続するためのワイヤ接続部７を形成してい
る。
【００３８】リードフレーム１５の外枠１６には、ガイ
ド孔２８ａ，２８ｂが設けられている。このガイド孔２
８，２９は、リードフレーム１５の移送や位置決め等の
ガイドとして利用される。なお、前記リードフレーム１
５は必要に応じて所望個所にメッキが施される。
ド孔２８ａ，２８ｂが設けられている。このガイド孔２
８，２９は、リードフレーム１５の移送や位置決め等の
ガイドとして利用される。なお、前記リードフレーム１
５は必要に応じて所望個所にメッキが施される。
【００３９】つぎに、図５に示すように、前記リードフ
レーム１５の支持板４の窪み１０底上に接合材５を介し
て半導体チップ６を固定する。たとえば、支持板４の窪
み１０底に接合材５として、０．０２ｍｍ程度の厚さの
Ａｕ−Ｓｎ半田からなる箔を取り付けるとともに、Ａｕ
−Ｓｎ半田箔上に半導体チップ６を載置し、前記Ａｕ−
Ｓｎ半田を一時的に溶かして半導体チップ６を支持板４
に固定する。Ａｕ−Ｓｎ半田箔の厚さは、０．０２ｍｍ
であることから、前記窪み１０の深さを０．０２ｍｍ程
度としておけば、溶けたＡｕ−Ｓｎ半田が窪み１０の縁
をはい上がってワイヤ接続部１２の表面に浸入すること
はない。
レーム１５の支持板４の窪み１０底上に接合材５を介し
て半導体チップ６を固定する。たとえば、支持板４の窪
み１０底に接合材５として、０．０２ｍｍ程度の厚さの
Ａｕ−Ｓｎ半田からなる箔を取り付けるとともに、Ａｕ
−Ｓｎ半田箔上に半導体チップ６を載置し、前記Ａｕ−
Ｓｎ半田を一時的に溶かして半導体チップ６を支持板４
に固定する。Ａｕ−Ｓｎ半田箔の厚さは、０．０２ｍｍ
であることから、前記窪み１０の深さを０．０２ｍｍ程
度としておけば、溶けたＡｕ−Ｓｎ半田が窪み１０の縁
をはい上がってワイヤ接続部１２の表面に浸入すること
はない。
【００４０】半導体チップ６は、たとえば、ＧａＡｓ−
ＭＥＳＦＥＴからなり、図示しないが、ソース電極，ド
レイン電極，ゲート電極の各ワイヤボンディング用の電
極（パッド）は、ドレイン電極，ゲート電極がそれぞれ
３個、ソース電極が２個となっている。ドレイン電極の
パッド列とゲート電極のパッド列は平行になる。また、
ソース電極のパッドはゲート電極のバッド間にそれぞれ
位置している。
ＭＥＳＦＥＴからなり、図示しないが、ソース電極，ド
レイン電極，ゲート電極の各ワイヤボンディング用の電
極（パッド）は、ドレイン電極，ゲート電極がそれぞれ
３個、ソース電極が２個となっている。ドレイン電極の
パッド列とゲート電極のパッド列は平行になる。また、
ソース電極のパッドはゲート電極のバッド間にそれぞれ
位置している。
【００４１】つぎに、図５に示すように、半導体チップ
６の図示しない電極と、リード３の先端のワイヤ接続部
７および支持板４のワイヤ接続部１２を導電性のワイヤ
１４で接続する。１例として、図５に示すように、ドレ
インリードおよびゲートリードは、それぞれ３本のワイ
ヤ１４が接続され、ソースリードに繋がる支持板４には
２本のワイヤ１４が接続される。
６の図示しない電極と、リード３の先端のワイヤ接続部
７および支持板４のワイヤ接続部１２を導電性のワイヤ
１４で接続する。１例として、図５に示すように、ドレ
インリードおよびゲートリードは、それぞれ３本のワイ
ヤ１４が接続され、ソースリードに繋がる支持板４には
２本のワイヤ１４が接続される。
【００４２】つぎに、図５の二点鎖線で示すように、ト
ランスファモールドによってパッケージ２が支持板４の
主面側を被うように形成される。したがって、支持板
４，リード３，支持リード２０の下面はパッケージ２か
ら露出するようになる。
ランスファモールドによってパッケージ２が支持板４の
主面側を被うように形成される。したがって、支持板
４，リード３，支持リード２０の下面はパッケージ２か
ら露出するようになる。
【００４３】ついで、不要リードフレーム部分は切断除
去される。すなわち、リード３および支持リード２０は
パッケージ２から所望距離隔てた位置で切断除去され、
図１および図２に示す半導体装置１が製造される。
去される。すなわち、リード３および支持リード２０は
パッケージ２から所望距離隔てた位置で切断除去され、
図１および図２に示す半導体装置１が製造される。
【００４４】本実施形態１の半導体装置１は、窪み１０
からなる浸入停止手段によって、支持板４の主面の半導
体チップ固定領域１１からワイヤ接続領域１３への接合
材５の流出を停止させることができるため、前記ワイヤ
接続領域１３に接続されたワイヤ１４の接続面に接合材
５が介在しなくなり、ワイヤの接続強度が向上する。ま
た、ワイヤの接続部分に接合材が介在しないことから、
ワイヤの剥離も起き難くなり信頼性が向上する。
からなる浸入停止手段によって、支持板４の主面の半導
体チップ固定領域１１からワイヤ接続領域１３への接合
材５の流出を停止させることができるため、前記ワイヤ
接続領域１３に接続されたワイヤ１４の接続面に接合材
５が介在しなくなり、ワイヤの接続強度が向上する。ま
た、ワイヤの接続部分に接合材が介在しないことから、
ワイヤの剥離も起き難くなり信頼性が向上する。
【００４５】本実施形態１のリードフレームは、半導体
チップ６を固定する支持板４の主面に窪み１０を設け、
半導体チップ固定領域１１とワイヤ接続領域１３との間
に、接合材５が半導体チップ固定領域１１からワイヤ接
続領域１３に流出しないように段差が設けられている。
したがって、このリードフレームを使用して半導体装置
を製造した場合、前記半導体チップ固定領域１１に接合
材５を介して半導体チップ６を固定した場合、溶けた接
合材５がワイヤ接続領域１３面に流出しなくなり、ワイ
ヤ接続領域１３に接続するワイヤ１４の接続強度が向上
する。この結果、製造された半導体装置の信頼性も高く
なる。
チップ６を固定する支持板４の主面に窪み１０を設け、
半導体チップ固定領域１１とワイヤ接続領域１３との間
に、接合材５が半導体チップ固定領域１１からワイヤ接
続領域１３に流出しないように段差が設けられている。
したがって、このリードフレームを使用して半導体装置
を製造した場合、前記半導体チップ固定領域１１に接合
材５を介して半導体チップ６を固定した場合、溶けた接
合材５がワイヤ接続領域１３面に流出しなくなり、ワイ
ヤ接続領域１３に接続するワイヤ１４の接続強度が向上
する。この結果、製造された半導体装置の信頼性も高く
なる。
【００４６】なお、半導体チップ６の両側の支持板４部
分にワイヤ１４を接続する場合は、前記窪み１０を支持
板４の中央に設け、窪み１０の両側の縁部分をワイヤ接
続部１２とすればよい。
分にワイヤ１４を接続する場合は、前記窪み１０を支持
板４の中央に設け、窪み１０の両側の縁部分をワイヤ接
続部１２とすればよい。
【００４７】（実施形態２）図６は本発明の他の実施形
態（実施形態２）のリードフレームの支持板部分を示す
斜視図である。本実施形態２では、浸入停止手段として
段差２４を支持板４に設けるものである。すなわち、コ
イニングによって段差２４を設け、支持板４の主面を高
い面２５と低い面２６とし、前記低い面２６に半導体チ
ップ固定領域１１を設け、前記高い面２５にワイヤ接続
領域１３を設ける構成になっている。前記段差２４は、
半導体チップ固定領域１１に半導体チップ６を接合材５
によって固定する際、溶けた接合材５が乗り越えない高
さが必要である。たとえば、接合材５として厚さ０．０
２ｍｍのＡｕ−Ｓｎ半田箔を使用する場合には、前記段
差２４は０．０２ｍｍ程度の高さとすれば、接合材５の
ワイヤ接続領域１３面への浸入を防止することができ
る。
態（実施形態２）のリードフレームの支持板部分を示す
斜視図である。本実施形態２では、浸入停止手段として
段差２４を支持板４に設けるものである。すなわち、コ
イニングによって段差２４を設け、支持板４の主面を高
い面２５と低い面２６とし、前記低い面２６に半導体チ
ップ固定領域１１を設け、前記高い面２５にワイヤ接続
領域１３を設ける構成になっている。前記段差２４は、
半導体チップ固定領域１１に半導体チップ６を接合材５
によって固定する際、溶けた接合材５が乗り越えない高
さが必要である。たとえば、接合材５として厚さ０．０
２ｍｍのＡｕ−Ｓｎ半田箔を使用する場合には、前記段
差２４は０．０２ｍｍ程度の高さとすれば、接合材５の
ワイヤ接続領域１３面への浸入を防止することができ
る。
【００４８】この結果、ワイヤ接続領域１３の面は、前
記半導体チップ固定領域１１の面よりも高くなっている
ことから、半導体チップ固定領域１１に接合材５によっ
て半導体チップ６を固定した場合、接合材５がワイヤ接
続領域１３に流出しなくなり、ワイヤ接続領域１３に確
実にワイヤ１４を接続することができる。
記半導体チップ固定領域１１の面よりも高くなっている
ことから、半導体チップ固定領域１１に接合材５によっ
て半導体チップ６を固定した場合、接合材５がワイヤ接
続領域１３に流出しなくなり、ワイヤ接続領域１３に確
実にワイヤ１４を接続することができる。
【００４９】なお、ワイヤ接続部１２を支持板４の両側
に設けてもよい。
に設けてもよい。
【００５０】（実施形態３）図７は本発明の他の実施形
態（実施形態３）のリードフレームの支持板部分を示す
斜視図である。本実施形態３では、浸入停止手段は、前
記実施形態１・２と同様に、ワイヤ接続領域１３面を半
導体チップ固定領域１１面よりも高くする構成である
が、各ワイヤ接続領域１３を各凸面２７にそれぞれ１つ
設ける構成になっている。この凸面２７もコイニングに
よって形成できる。
態（実施形態３）のリードフレームの支持板部分を示す
斜視図である。本実施形態３では、浸入停止手段は、前
記実施形態１・２と同様に、ワイヤ接続領域１３面を半
導体チップ固定領域１１面よりも高くする構成である
が、各ワイヤ接続領域１３を各凸面２７にそれぞれ１つ
設ける構成になっている。この凸面２７もコイニングに
よって形成できる。
【００５１】本実施形態３では、各ワイヤ接続領域１３
の面は凸面２７に設けられ、前記半導体チップ固定領域
１１の面よりも高くなっていることから、半導体チップ
固定領域１１に接合材５によって半導体チップ６を固定
した場合、接合材５がワイヤ接続領域１３に流出しなく
なり、ワイヤ接続領域１３に確実にワイヤ１４を接続す
ることができる。本実施形態３では、ワイヤ接続領域１
３に向かって流出する接合材５は、凸面２７の両側の低
い面上を流れすぎることになり、接合材５が盛り上がっ
て凸面２７上にはい上がるのを確実に防止できる。
の面は凸面２７に設けられ、前記半導体チップ固定領域
１１の面よりも高くなっていることから、半導体チップ
固定領域１１に接合材５によって半導体チップ６を固定
した場合、接合材５がワイヤ接続領域１３に流出しなく
なり、ワイヤ接続領域１３に確実にワイヤ１４を接続す
ることができる。本実施形態３では、ワイヤ接続領域１
３に向かって流出する接合材５は、凸面２７の両側の低
い面上を流れすぎることになり、接合材５が盛り上がっ
て凸面２７上にはい上がるのを確実に防止できる。
【００５２】なお、凸面２７を支持板４の両側に設けて
もよい。
もよい。
【００５３】（実施形態４）図８は本発明の他の実施形
態（実施形態４）のリードフレームの支持板部分を示す
斜視図である。本実施形態４は浸入停止手段として、支
持板４の主面に突条３０を設けた例である。本実施形態
４では、半導体チップ固定領域１１の面と、ワイヤ接続
領域１３の面は同一高さとなるが、半導体チップ固定領
域１１とワイヤ接続領域１３との間には１本の突条３０
（連続な突条）を設けた構成になっている。この突条３
０もコイニングによって形成できる。前記突条３０は、
半導体チップ固定領域１１に半導体チップ６を接合材５
によって固定する際、溶けた接合材５が乗り越えない高
さが必要である。たとえば、接合材５として厚さ０．０
２ｍｍのＡｕ−Ｓｎ半田箔を使用する場合には、前記突
条３０は０．０２ｍｍ程度の高さとすれば、接合材５の
ワイヤ接続領域１３面への浸入を防止することができ
る。
態（実施形態４）のリードフレームの支持板部分を示す
斜視図である。本実施形態４は浸入停止手段として、支
持板４の主面に突条３０を設けた例である。本実施形態
４では、半導体チップ固定領域１１の面と、ワイヤ接続
領域１３の面は同一高さとなるが、半導体チップ固定領
域１１とワイヤ接続領域１３との間には１本の突条３０
（連続な突条）を設けた構成になっている。この突条３
０もコイニングによって形成できる。前記突条３０は、
半導体チップ固定領域１１に半導体チップ６を接合材５
によって固定する際、溶けた接合材５が乗り越えない高
さが必要である。たとえば、接合材５として厚さ０．０
２ｍｍのＡｕ−Ｓｎ半田箔を使用する場合には、前記突
条３０は０．０２ｍｍ程度の高さとすれば、接合材５の
ワイヤ接続領域１３面への浸入を防止することができ
る。
【００５４】したがって、ワイヤ接続領域１３は接合材
５によって汚染されなくなり、ワイヤ接続領域１３に接
続されるワイヤ１４の接続強度が向上するとともに、ワ
イヤの接続の信頼性が高くなる。
５によって汚染されなくなり、ワイヤ接続領域１３に接
続されるワイヤ１４の接続強度が向上するとともに、ワ
イヤの接続の信頼性が高くなる。
【００５５】なお、突条３０を支持板４の両側に設け、
支持板４の両側にそれぞれワイヤ接続領域１３を設ける
ようにしてもよい。
支持板４の両側にそれぞれワイヤ接続領域１３を設ける
ようにしてもよい。
【００５６】また、前記突条３０を、断続的（不連続）
に設けてもよい。この場合、不連続な突条３０は、各ワ
イヤ接続領域１３の一辺に沿って設け、各突条３０によ
って対応するワイヤ接続領域１３への接合材５の流出を
停止させる。
に設けてもよい。この場合、不連続な突条３０は、各ワ
イヤ接続領域１３の一辺に沿って設け、各突条３０によ
って対応するワイヤ接続領域１３への接合材５の流出を
停止させる。
【００５７】また、半導体チップ固定領域１１とワイヤ
接続領域１３とを突条３０で区分けして接合材５のワイ
ヤ接続領域１３への流出を防止するために、前記突条３
０で半導体チップ固定領域１１を囲むようにしてもよ
い。
接続領域１３とを突条３０で区分けして接合材５のワイ
ヤ接続領域１３への流出を防止するために、前記突条３
０で半導体チップ固定領域１１を囲むようにしてもよ
い。
【００５８】（実施形態５）図９は本発明の他の実施形
態（実施形態５）のリードフレームの支持板部分を示す
斜視図である。本実施形態５では、平坦な支持板４の主
面に浸入停止手段として連続な溝３５を形成したもので
あり、半導体チップ固定領域１１から流出してきた接合
材５を前記溝３５内に落とし込み、ワイヤ接続領域１３
への流れを停止させる構成である。
態（実施形態５）のリードフレームの支持板部分を示す
斜視図である。本実施形態５では、平坦な支持板４の主
面に浸入停止手段として連続な溝３５を形成したもので
あり、半導体チップ固定領域１１から流出してきた接合
材５を前記溝３５内に落とし込み、ワイヤ接続領域１３
への流れを停止させる構成である。
【００５９】図９の場合は、支持板４の主面の半導体チ
ップ固定領域１１とワイヤ接続領域１３との間に１本の
溝３５（連続溝）を配置した構成になっている。前記溝
３５の容量は半導体チップ固定領域１１から流出してき
た接合材５を溜め込み、ワイヤ接続領域１３側への流出
が起きない程度とする。これによって、半導体チップ固
定領域１１に半導体チップ６を接合材５を介して固定し
た場合、ワイヤ接続領域１３は接合材５によって汚染さ
れないため、ワイヤ接続領域１３に接続されたワイヤ１
４は支持板４に確実に固定される。この結果、ワイヤの
接続強度向上が図れるとともに、ワイヤ接続の信頼性の
向上が図れる。
ップ固定領域１１とワイヤ接続領域１３との間に１本の
溝３５（連続溝）を配置した構成になっている。前記溝
３５の容量は半導体チップ固定領域１１から流出してき
た接合材５を溜め込み、ワイヤ接続領域１３側への流出
が起きない程度とする。これによって、半導体チップ固
定領域１１に半導体チップ６を接合材５を介して固定し
た場合、ワイヤ接続領域１３は接合材５によって汚染さ
れないため、ワイヤ接続領域１３に接続されたワイヤ１
４は支持板４に確実に固定される。この結果、ワイヤの
接続強度向上が図れるとともに、ワイヤ接続の信頼性の
向上が図れる。
【００６０】（実施形態６）図１０は本発明の他の実施
形態（実施形態６）のリードフレームの支持板部分を示
す斜視図である。本実施形態５では、平坦な支持板４の
主面に浸入停止手段として不連続な溝３６を形成したも
のであり、前記実施形態５と同様に、半導体チップ固定
領域１１から流出してきた接合材５を前記不連続な溝３
６内に落とし込み、ワイヤ接続領域１３への流れを停止
させる構成である。
形態（実施形態６）のリードフレームの支持板部分を示
す斜視図である。本実施形態５では、平坦な支持板４の
主面に浸入停止手段として不連続な溝３６を形成したも
のであり、前記実施形態５と同様に、半導体チップ固定
領域１１から流出してきた接合材５を前記不連続な溝３
６内に落とし込み、ワイヤ接続領域１３への流れを停止
させる構成である。
【００６１】図１０の場合は、支持板４の主面の半導体
チップ固定領域１１とワイヤ接続領域１３との間に不連
続な溝３６を配置した構成になっている。本実施形態６
の場合は、ワイヤ接続部１２に接合材５が進出しても、
ワイヤ接続領域１３が接合材５で汚染されなければよい
という思想であり、半導体チップ固定領域１１からワイ
ヤ接続領域１３に流出する接合材５部分を前記不連続な
溝３６内に落とし込ませ、ワイヤ接続領域１３を接合材
５で汚染させなくする。
チップ固定領域１１とワイヤ接続領域１３との間に不連
続な溝３６を配置した構成になっている。本実施形態６
の場合は、ワイヤ接続部１２に接合材５が進出しても、
ワイヤ接続領域１３が接合材５で汚染されなければよい
という思想であり、半導体チップ固定領域１１からワイ
ヤ接続領域１３に流出する接合材５部分を前記不連続な
溝３６内に落とし込ませ、ワイヤ接続領域１３を接合材
５で汚染させなくする。
【００６２】これによって、半導体チップ固定領域１１
に半導体チップ６を接合材５を介して固定した場合、ワ
イヤ接続領域１３は接合材５によって汚染されないた
め、ワイヤ接続領域１３に接続されたワイヤ１４は支持
板４に確実に固定される。この結果、ワイヤの接続強度
向上が図れるとともに、ワイヤ接続の信頼性の向上が図
れる。
に半導体チップ６を接合材５を介して固定した場合、ワ
イヤ接続領域１３は接合材５によって汚染されないた
め、ワイヤ接続領域１３に接続されたワイヤ１４は支持
板４に確実に固定される。この結果、ワイヤの接続強度
向上が図れるとともに、ワイヤ接続の信頼性の向上が図
れる。
【００６３】なお、不連続な溝３６を支持板４に設ける
場合、前記不連続な溝３６を貫通穴としてもよい。この
場合、パッケージ２を形成するレジンが深い不連続な溝
３６に入り込むことから、パッケージ２と支持板４との
密着性が高くなり、耐湿性が向上する。
場合、前記不連続な溝３６を貫通穴としてもよい。この
場合、パッケージ２を形成するレジンが深い不連続な溝
３６に入り込むことから、パッケージ２と支持板４との
密着性が高くなり、耐湿性が向上する。
【００６４】（実施形態７）図１１は本発明の他の実施
形態（実施形態７）である半導体装置を示す一部を除去
した平面図、図１２は本実施形態７の半導体装置を示す
断面図である。
形態（実施形態７）である半導体装置を示す一部を除去
した平面図、図１２は本実施形態７の半導体装置を示す
断面図である。
【００６５】本実施形態７はガルウィング型のＱＦＰ
（Quad Flat Package)構造の半導体装置に本発明を適用
した例である。すなわち、本実施形態７の半導体装置１
は、パッケージ２の４辺からそれぞれリード３を突出さ
せた構造となっている。そして、特徴的なことは、半導
体チップ６を支持する支持板４が分割構造となっている
ことである。すなわち、前記支持板４は、相互に電気的
に独立する複数の支持分断片４０によって構成されてい
る。各支持分断片４０は支持リード２０によって支持さ
れている。また、前記支持分断片４０には半導体チップ
固定領域１１とワイヤ接続領域１３との間に、浸入停止
手段が設けられている。
（Quad Flat Package)構造の半導体装置に本発明を適用
した例である。すなわち、本実施形態７の半導体装置１
は、パッケージ２の４辺からそれぞれリード３を突出さ
せた構造となっている。そして、特徴的なことは、半導
体チップ６を支持する支持板４が分割構造となっている
ことである。すなわち、前記支持板４は、相互に電気的
に独立する複数の支持分断片４０によって構成されてい
る。各支持分断片４０は支持リード２０によって支持さ
れている。また、前記支持分断片４０には半導体チップ
固定領域１１とワイヤ接続領域１３との間に、浸入停止
手段が設けられている。
【００６６】本実施形態７の場合は、浸入停止手段は図
１２に示すように、前記実施形態２と同様に高い面２５
と低い面２６とによる段差２４で構成され、低い面２６
に接合材５を介して半導体チップ６を固定する際の接合
材５のワイヤ接続領域１３への流出を停止させるように
なっている。
１２に示すように、前記実施形態２と同様に高い面２５
と低い面２６とによる段差２４で構成され、低い面２６
に接合材５を介して半導体チップ６を固定する際の接合
材５のワイヤ接続領域１３への流出を停止させるように
なっている。
【００６７】本実施形態７の場合、図１２に示すよう
に、接合材５は絶縁性のものを使用しているが、半導体
チップ６の裏面が電気的に独立し、表層部分の各回路部
分と絶縁的であるならば、前記各実施形態の場合と同様
にＡｕ−Ｓｎ半田等の導電性接合材を使用してもよい。
に、接合材５は絶縁性のものを使用しているが、半導体
チップ６の裏面が電気的に独立し、表層部分の各回路部
分と絶縁的であるならば、前記各実施形態の場合と同様
にＡｕ−Ｓｎ半田等の導電性接合材を使用してもよい。
【００６８】本実施形態７の半導体装置１、すなわちＩ
Ｃ（集積回路装置）においても、支持板４にワイヤ１４
を接続した場合、支持板４（支持分断片４０）のワイヤ
接続領域１３は接合材５で汚染されていないことから、
ワイヤ１４は確実に支持板４（支持分断片４０）に確実
に接続されることになり、ＩＣにおけるワイヤ接続の信
頼性が向上する。
Ｃ（集積回路装置）においても、支持板４にワイヤ１４
を接続した場合、支持板４（支持分断片４０）のワイヤ
接続領域１３は接合材５で汚染されていないことから、
ワイヤ１４は確実に支持板４（支持分断片４０）に確実
に接続されることになり、ＩＣにおけるワイヤ接続の信
頼性が向上する。
【００６９】図１１および図１２に示す半導体装置１
は、たとえば、各支持分断片４０は、２つのグランド
と、２電源電位を有する半導体装置である。
は、たとえば、各支持分断片４０は、２つのグランド
と、２電源電位を有する半導体装置である。
【００７０】本実施形態７においても、前記実施形態３
〜実施形態６の浸入停止手段を適用することができる。
〜実施形態６の浸入停止手段を適用することができる。
【００７１】なお、前記段差，突条，溝等は、パッケー
ジ２内に浸入した水分の半導体チップ６に至る距離をい
ずれも長くさせることになり、半導体装置１の耐湿性が
向上する。
ジ２内に浸入した水分の半導体チップ６に至る距離をい
ずれも長くさせることになり、半導体装置１の耐湿性が
向上する。
【００７２】以上本発明者によってなされた発明を実施
形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施形
態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範
囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施形
態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範
囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【００７３】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
【００７４】（１）主面に半導体チップ固定領域とワイ
ヤ接続領域を有する支持板において、前記半導体チップ
固定領域とワイヤ接続領域との間に浸入停止手段が設け
られていることから、前記半導体チップ固定領域に接合
材を介して半導体チップを固定する際、溶けた接合材は
前記浸入停止手段によって遮られるため、ワイヤ接続領
域に到達しなくなり、ワイヤ接続領域は接合材によって
汚染されなくなる。この結果、ワイヤ接続領域にワイヤ
を接続した場合、ワイヤ接続領域の表面は接合材が付着
していないことから、強固に接続され、ワイヤの接続強
度向上およびワイヤの接続信頼性が高くなる。
ヤ接続領域を有する支持板において、前記半導体チップ
固定領域とワイヤ接続領域との間に浸入停止手段が設け
られていることから、前記半導体チップ固定領域に接合
材を介して半導体チップを固定する際、溶けた接合材は
前記浸入停止手段によって遮られるため、ワイヤ接続領
域に到達しなくなり、ワイヤ接続領域は接合材によって
汚染されなくなる。この結果、ワイヤ接続領域にワイヤ
を接続した場合、ワイヤ接続領域の表面は接合材が付着
していないことから、強固に接続され、ワイヤの接続強
度向上およびワイヤの接続信頼性が高くなる。
【図１】本発明の一実施形態（実施形態１）である半導
体装置を示す一部を除去した斜視図である。
体装置を示す一部を除去した斜視図である。
【図２】本実施形態１の半導体装置を示す断面図であ
る。
る。
【図３】本実施形態１の半導体装置の製造に使用するリ
ードフレームを示す平面図である。
ードフレームを示す平面図である。
【図４】本実施形態１の半導体装置の製造に使用するリ
ードフレームの支持板部分を示す斜視図である。
ードフレームの支持板部分を示す斜視図である。
【図５】本実施形態１の半導体装置の製造において、半
導体チップを固定し、ワイヤボンディングを行ったリー
ドフレームを示す平面図である。
導体チップを固定し、ワイヤボンディングを行ったリー
ドフレームを示す平面図である。
【図６】本発明の他の実施形態（実施形態２）のリード
フレームの支持板部分を示す斜視図である。
フレームの支持板部分を示す斜視図である。
【図７】本発明の他の実施形態（実施形態３）のリード
フレームの支持板部分を示す斜視図である。
フレームの支持板部分を示す斜視図である。
【図８】本発明の他の実施形態（実施形態４）のリード
フレームの支持板部分を示す斜視図である。
フレームの支持板部分を示す斜視図である。
【図９】本発明の他の実施形態（実施形態５）のリード
フレームの支持板部分を示す斜視図である。
フレームの支持板部分を示す斜視図である。
【図１０】本発明の他の実施形態（実施形態６）のリー
ドフレームの支持板部分を示す斜視図である。
ドフレームの支持板部分を示す斜視図である。
【図１１】本発明の他の実施形態（実施形態７）である
半導体装置を示す一部を除去した平面図である。
半導体装置を示す一部を除去した平面図である。
【図１２】本実施形態７の半導体装置を示す断面図であ
る。
る。
１…半導体装置、２…パッケージ、３…リード、４…支
持板、５…接合材、６…半導体チップ、７…ワイヤ接続
部、１０…窪み、１１…半導体チップ固定領域、１２…
ワイヤ接続部、１３…ワイヤ接続領域、１４…ワイヤ、
１５…リードフレーム、１６…外枠、１７…内枠、２０
…支持リード、２５…高い面、２６…低い面、２７…凸
面、３０…突条、３５…溝、３６…不連続な溝、４０…
支持分断片。
持板、５…接合材、６…半導体チップ、７…ワイヤ接続
部、１０…窪み、１１…半導体チップ固定領域、１２…
ワイヤ接続部、１３…ワイヤ接続領域、１４…ワイヤ、
１５…リードフレーム、１６…外枠、１７…内枠、２０
…支持リード、２５…高い面、２６…低い面、２７…凸
面、３０…突条、３５…溝、３６…不連続な溝、４０…
支持分断片。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大岡 幹治 埼玉県戸田市新曽南３−17−35 株式会社 ジャパンエナジー内
Claims (14)
- 【請求項１】 支持板と、前記支持板の主面に接合材を
介して固定される半導体チップと、前記半導体チップを
被うように少なくとも前記支持板の主面側に設けられる
封止体と、前記封止体の内外に亘って延在する複数のリ
ードと、前記封止体内で前記リードおよび前記支持板と
前記半導体チップの電極とを電気的に接続する導電性の
ワイヤとを有する半導体装置であって、前記支持板の半
導体チップを固定する半導体チップ固定領域と、ワイヤ
を接続するワイヤ接続領域との間に前記接合材が流出し
て前記ワイヤ接続領域に浸入するのを停止させる浸入停
止手段が設けられていることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 前記ワイヤ接続領域面は前記半導体チッ
プ固定領域面よりも高くなっていることを特徴とする請
求項１記載の半導体装置。 - 【請求項３】 前記支持板の主面には部分的に窪みが設
けられ、前記窪み底面が前記半導体チップ固定領域を構
成することを特徴とする請求項２記載の半導体装置。 - 【請求項４】 前記支持板の主面には１以上の凸面が設
けられ、前記凸面が前記ワイヤ接続領域を構成すること
を特徴とする請求項２記載の半導体装置。 - 【請求項５】 前記半導体チップ固定領域と前記ワイヤ
接続領域との間の前記支持板の主面には連続または不連
続な凸条が設けられていることを特徴とする請求項１記
載の半導体装置。 - 【請求項６】 前記半導体チップ固定領域と前記ワイヤ
接続領域との間の前記支持板の主面には連続または不連
続な溝が設けられていることを特徴とする請求項１記載
の半導体装置。 - 【請求項７】 前記溝は支持板を貫通していることを特
徴とする請求項６記載の半導体装置。 - 【請求項８】 前記支持板から突出し先端が前記封止体
の外に突出する支持リードが設けられていることを特徴
とする請求項１乃至請求項７のいずれか１項記載の半導
体装置。 - 【請求項９】 前記封止体は前記支持板の主面側および
裏面側を被っていることを特徴とする請求項１乃至請求
項８のいずれか１項記載の半導体装置。 - 【請求項１０】 前記半導体チップが固定される支持板
は相互に電気的に独立する複数の支持分断片によって構
成され、かつ前記各支持分断片に前記ワイヤが接続され
ていることを特徴とする請求項１乃至請求項９のいずれ
か１項記載の半導体装置。 - 【請求項１１】 支持板の主面に半導体チップを固定す
る半導体チップ固定領域と、一つ以上のワイヤを接続す
るワイヤ接続領域を有するリードフレームであって、前
記半導体チップ固定領域とワイヤ接続領域との間に前記
接合材が流出して前記ワイヤ接続領域に浸入するのを停
止させる浸入停止手段が設けられていることを特徴とす
るリードフレーム。 - 【請求項１２】 前記ワイヤ接続領域面は前記半導体チ
ップ固定領域面よりも高くなっていることを特徴とする
請求項１１記載のリードフレーム。 - 【請求項１３】 前記半導体チップ固定領域と前記ワイ
ヤ接続領域との間の支持板の主面には連続または不連続
な凸条が設けられていることを特徴とする請求項１１記
載のリードフレーム。 - 【請求項１４】 前記半導体チップ固定領域と前記ワイ
ヤ接続領域との間の前記支持板の主面には連続または不
連続な溝が設けられていることを特徴とする請求項１１
記載のリードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9050677A JPH10247701A (ja) | 1997-03-05 | 1997-03-05 | 半導体装置およびその製造に用いるリードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9050677A JPH10247701A (ja) | 1997-03-05 | 1997-03-05 | 半導体装置およびその製造に用いるリードフレーム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10247701A true JPH10247701A (ja) | 1998-09-14 |
Family
ID=12865577
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9050677A Pending JPH10247701A (ja) | 1997-03-05 | 1997-03-05 | 半導体装置およびその製造に用いるリードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10247701A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006503427A (ja) * | 2002-10-09 | 2006-01-26 | ミクロナス ゲーエムベーハー | モノリシック集積回路用の支持装置 |
| JP2006294998A (ja) * | 2005-04-13 | 2006-10-26 | Rohm Co Ltd | 半導体装置及びリードフレーム |
| JP2006524904A (ja) * | 2003-02-10 | 2006-11-02 | スカイワークス ソリューションズ，インコーポレイテッド | インダクタンスが減少し、ダイ接着剤の流出が減少した半導体ダイパッケージ |
| JP2012104709A (ja) * | 2010-11-11 | 2012-05-31 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | リードフレーム及び半導体装置 |
| JP2012212897A (ja) * | 2000-12-28 | 2012-11-01 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置 |
| JP2013229358A (ja) * | 2012-04-24 | 2013-11-07 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| US8581396B2 (en) | 2000-12-28 | 2013-11-12 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device |
| WO2015174034A1 (ja) * | 2014-05-13 | 2015-11-19 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
| JPWO2022137996A1 (ja) * | 2020-12-24 | 2022-06-30 |
-
1997
- 1997-03-05 JP JP9050677A patent/JPH10247701A/ja active Pending
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8581396B2 (en) | 2000-12-28 | 2013-11-12 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device |
| US10490486B2 (en) | 2000-12-28 | 2019-11-26 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device |
| US10115658B2 (en) | 2000-12-28 | 2018-10-30 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device |
| US9496204B2 (en) | 2000-12-28 | 2016-11-15 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device |
| JP2012212897A (ja) * | 2000-12-28 | 2012-11-01 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置 |
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| US7638860B2 (en) | 2005-04-13 | 2009-12-29 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device and lead frame |
| WO2006112332A1 (ja) * | 2005-04-13 | 2006-10-26 | Rohm Co., Ltd. | 半導体装置及びリードフレーム |
| JP2006294998A (ja) * | 2005-04-13 | 2006-10-26 | Rohm Co Ltd | 半導体装置及びリードフレーム |
| JP2012104709A (ja) * | 2010-11-11 | 2012-05-31 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | リードフレーム及び半導体装置 |
| JP2013229358A (ja) * | 2012-04-24 | 2013-11-07 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| WO2015174034A1 (ja) * | 2014-05-13 | 2015-11-19 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
| JPWO2022137996A1 (ja) * | 2020-12-24 | 2022-06-30 |
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