JPH11260985A - リードフレーム，樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

リードフレーム，樹脂封止型半導体装置及びその製造方法

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JPH11260985A JP10060811A JP6081198A JPH11260985A JP H11260985 A JPH11260985 A JP H11260985A JP 10060811 A JP10060811 A JP 10060811A JP 6081198 A JP6081198 A JP 6081198A JP H11260985 A JPH11260985 A JP H11260985A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 ダイパッドが封止樹脂の裏面から露出した樹
脂封止型半導体装置の特性を改善する。 【解決手段】 信号接続用リード１２とダイパッド１３
と吊りリードとからなるリードフレームを備えている。
そして、ダイパッド１３上に半導体チップ１５が接着剤
により接合されており、半導体チップ１５の電極パッド
と信号接続用リード１２とは、金属細線１６により互い
に電気的に接続されている。そして、これらの部材は封
止樹脂１７内に封止されている。ダイパッド１３の裏面
側にハーフエッチ等が施され、凸部１３ａとその周囲の
フランジ部１３ｂとが形成されている。封止樹脂１７が
フランジ部１３ｂの下方に薄く存在しているので、ダイ
パッドの下面を封止樹脂１７から突出させながら、ダイ
パッド１３に対する封止樹脂の保持力を高め、耐湿性を
向上させることができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体チップ及び
半導体チップに接続される信号接続用リードを封止樹脂
により封止した樹脂封止型半導体装置その製造方法、及
び樹脂封止型半導体装置の製造に適したリードフレーム
に係り、特に薄型化したものの改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器の小型化に対応するため
に、電子機器に搭載される半導体部品を高密度に実装す
ることが要求され、それにともなって、半導体部品の小
型、薄型化が進んでいる。
【０００３】以下、従来の樹脂封止型半導体装置につい
て説明する。
【０００４】図２０は、従来の樹脂封止型半導体装置の
断面図である。図２０に示すように、従来の樹脂封止型
半導体装置は、裏面側に外部電極を有するタイプの樹脂
封止型半導体装置である。
【０００５】従来の樹脂封止型半導体装置は、インナー
リード１０１と、ダイパッド１０２と、そのダイパッド
１０２を支持する吊りリード（図示せず）とからなるリ
ードフレームとを備えている。そして、ダイパッド１０
２上に半導体チップ１０４が接着剤により接合されてお
り、半導体チップ１０４の電極パッド（図示せず）とイ
ンナーリード１０１とは、金属細線１０５により電気的
に接続されている。そして、ダイパッド１０２，半導体
チップ１０４，インナーリード１０１の一部，吊りリー
ド及び金属細線１０５は封止樹脂１０６により封止され
ている。この構造では、インナーリード１０１の裏面側
には封止樹脂１０６は存在せず、インナーリード１０１
の裏面側は露出されており、この露出面を含むインナー
リード１０１の下部が外部電極１０７となっている。な
お、封止樹脂１０６との密着性を確保するために、イン
ナーリード１０１やダイパッド１０２の側面を表裏の面
に対して直交するのではなく、上方に向かって拡大する
ようにテーパ状にしている。
【０００６】このような樹脂封止型半導体装置において
は、封止樹脂１０６の裏面とダイパッド１０２の裏面と
は共通の面上にある。すなわち、リードフレームの裏面
側は実質的に封止されていないので、薄型の樹脂封止型
半導体装置が実現する。
【０００７】図２０に示す構造を有する樹脂封止型半導
体装置の製造工程においては、まず、インナーリード１
０１、ダイパッド１０２を有するリードフレームを用意
し、機械的又は化学的加工を行なって、リードフレーム
の側面をテーパ状にする。次に、用意したリードフレー
ムのダイパッド１０２の上に半導体チップ１０４を接着
剤により接合した後、半導体チップ１０４とインナーリ
ード１０１とを金属細線１０５により電気的に接続す
る。金属細線１０５には、アルミニウム細線、金（Ａ
ｕ）線などが適宜用いられる。次に、ダイパッド１０
２，半導体チップ１０４，インナーリード１０１，吊り
リード及び金属細線１０５を封止樹脂１０６により封止
する。この場合、半導体チップ１０４が接合されたリー
ドフレームが封止金型内に収納されて、トランスファー
モールドされるが、特にリードフレームの裏面が封止金
型の上金型又は下金型に接触した状態で、樹脂封止が行
なわれる。最後に、樹脂封止後に封止樹脂１０６から外
方に突出しているアウターリードを切断して、樹脂封止
型半導体装置が完成する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の樹脂封止型半導体装置においては、薄型化は実現す
るものの、以下のような問題があった。
【０００９】第１に、ダイパッドの上面及び側面には封
止樹脂が存在するものの、ダイパッドの裏面側には、封
止樹脂が存在しない。そのために、ダイパッド及び半導
体チップに対する封止樹脂の保持力が低下して、信頼性
が悪化するという問題があった。
【００１０】第２に、封止樹脂の応力および実装後の応
力により半導体チップが悪影響を受けたり、封止樹脂に
クラックが発生するという問題もあった。特に、ダイパ
ッドと封止樹脂との間に湿気が侵入した場合には、両者
間の密着性の低下やクラックの発生が顕著になる。これ
によって、さらに信頼性が悪化するという問題があっ
た。
【００１１】第３に、一般的に、樹脂封止型半導体装置
を実装基板上に搭載する際には、はんだの張力を利用し
てセルフアライメントによって実装基板上の樹脂封止型
半導体装置の搭載位置を正確に定めることができるが、
セルフアライメントが安定するのに要する時間を早める
ことによる作業時間の短縮や搭載位置の精度には改善の
余地がある。
【００１２】第４に、実装基板とダイパッドとの接合に
おいて、ダイパッドの裏面上に封止樹脂の一部がはみ出
していわゆる樹脂バリが介在すると、放熱パッド等との
接触が不十分となり、放熱特性などの所望の特性を十分
発揮できないおそれがある。一方、この樹脂バリはウォ
ータージェットなどの利用によって除去できるが、かか
る処理は煩雑な手間を要し、しかも、ウォータージェッ
ト工程によってニッケル，パラジウム，金のメッキ層が
剥がれ、また不純物が付着することから、樹脂封止工程
後に樹脂封止から露出している部分にメッキを施すこと
が必要となり、作業能率の低下，信頼性の悪化を招くお
それもあった。
【００１３】本発明は、以上の諸点に鑑みなされたもの
であって、以下のような目的を有する。
【００１４】本発明の第１の目的は、ダイパッドの下面
を封止樹脂から露出させた場合におけるダイパッドに対
する封止樹脂の保持力を高める手段を講ずることによ
り、ダイパッドの剥がれを抑制しうる樹脂封止型半導体
装置及びその製造に適したリードフレームを提供するこ
とにある。
【００１５】本発明の第２の目的は、ダイパッドと封止
樹脂との間から水分や湿気が侵入することによる封止樹
脂のクラックを抑制しうる樹脂封止型半導体装置及びそ
の製造に適したリードフレームを提供することにある。
【００１６】本発明の第３の目的は、ダイパッドの下面
を封止樹脂から露出させた構造を利用して実装基板上に
おけるセルアライメント機能の高い樹脂封止型半導体装
置及びその製造方法を提供することにある。
【００１７】本発明の第４の目的は、ダイパッドの下面
を封止樹脂から露出させた場合における樹脂バリの発生
を防止する手段を講ずることにより、放熱特性のよい樹
脂封止型半導体装置，その製造方法及びその製造に適し
たリードフレームを提供することにある。
【００１８】さらに、本発明の第５の目的は、ダイパッ
ドと放熱パッドとの間にはんだボールを介在させる必要
のない樹脂封止型半導体装置及びその製造方法を提供す
ることにある。
【００１９】
【課題を解決するための手段】上記各目的を達成するた
めに、本発明では、第１〜第４のリードフレームに関す
る手段と、第１〜第５の樹脂封止型半導体装置に関する
手段と、第１〜第４の樹脂封止型半導体装置の製造方法
に関する手段とを講じている。
【００２０】本発明の第１のリードフレームは、請求項
１に記載されているように、半導体チップを搭載する領
域を囲む外枠と、上記外枠によって囲まれる領域内に形
成されたダイパッドと、上記ダイパッドを上記外枠に接
続させて支持する支持部と、上記外枠に接続される信号
接続用リードとを備え、上記ダイパッドの下面側には、
下方に突出した凸部と該凸部を取り囲むフランジ部とが
形成されている。
【００２１】これにより、このリードフレームに半導体
チップを搭載して樹脂封止を行なう際に、ダイパッドの
凸部の下面を封止樹脂から露出させても、ダイパッドの
フランジ部の下方に封止樹脂を存在させることが可能と
なり、ダイパッドに対する封止樹脂の保持力の高い樹脂
封止型半導体装置が得られる。すなわち、上記第１の目
的を達成することができる。また、封止樹脂とダイパッ
ドとの密着性が増大することになり、封止樹脂とダイパ
ッドとの境界からの水分や湿気の侵入が抑制される。よ
って、耐湿性の向上という第２の目的をも達成すること
ができる。
【００２２】本発明の第２のリードフレームは、請求項
２に記載されているように、半導体チップを搭載する領
域を囲む外枠と、上記外枠によって囲まれる領域内に形
成されたダイパッドと、上記ダイパッドを上記外枠に接
続させて支持する支持部と、上記外枠に接続される信号
接続用リードとを備え、上記ダイパッドには、穴が設け
られている。
【００２３】これにより、このリードフレームに半導体
チップを搭載して樹脂封止を行なう際に、穴内にも封止
樹脂が存在することになる結果、ダイパッドに対する封
止樹脂の保持力が向上する。よって、上記第１及び第２
の目的を達成することができる。
【００２４】請求項３に記載されているように、第２の
リードフレームにおいて、上記ダイパッドの穴は、下方
で広くなった段付形状を有することが好ましい。
【００２５】これにより、ダイパッドに対する封止樹脂
の保持力向上効果と耐湿性向上効果とが顕著に得られる
ことになる。
【００２６】本発明の第３のリードフレームは、請求項
４に記載されているように、半導体チップを搭載する領
域を囲む外枠と、上記外枠によって囲まれる領域内に設
けられたダイパッドと、上記ダイパッドを上記外枠に接
続させて支持する吊りリードと、上記外枠に接続される
信号接続用リードとを備え、上記ダイパッドは、上記外
枠よりも下方に位置している。
【００２７】これにより、このリードフレームに半導体
チップを搭載して樹脂封止を行なう際に、外枠に加わる
封止金型の型締め力がダイパッドに効率よく印加される
ことになるので、例えば、封止テープをリードフレーム
の下面に密着させて樹脂封止を行なう際には封止テープ
にダイパッドが食い込む作用が得られ、ダイパッドを封
止樹脂の裏面よりも下方に突出させるのに適したリード
フレームとなる。すなわち、スタンドオフ高さが確保さ
れることで、ダイパッドと実装基板との接合部にはんだ
ボール等を介在させる必要がなくなり、上記第５の目的
を達成することができる。
【００２８】請求項５に記載されているように、上記第
３のリードフレームにおいて、上記吊りリードの一部が
バネとして機能できるように曲げられていることが好ま
しい。
【００２９】これにより、吊りリードの変形が曲げ部で
吸収されるので、押圧力によるダイパッドの変形を抑制
することができる。
【００３０】本発明の第４のリードフレームは、請求項
６に記載されているように、半導体チップを搭載する領
域を囲む外枠と、上記外枠によって囲まれる領域内に形
成されたダイパッドと、上記ダイパッドを上記外枠に接
続させて支持するための吊りリードと、上記外枠に接続
される信号接続用リードとを備え、上記ダイパッドは、
上記外枠よりも下方に位置しているとともに、上記吊り
リードは、上記信号接続用リードとダイパッドとの間に
設けられている。
【００３１】これにより、このリードフレームに半導体
チップを搭載して樹脂封止を行なう際に、外枠に加わる
封止金型の型締め力がダイパッドにさらに効率よく印加
されることになるので、第３のリードフレームと同じ作
用効果が得られる。
【００３２】請求項７に記載されているように、第４の
リードフレームにおいて、上記吊りリードは、一部がバ
ネとして機能できるように曲げられていることが好まし
い。
【００３３】請求項８に記載されているように、第４の
リードフレームにおいて、上記吊りリードの曲げられて
いる部分のうち最下方にある一部が薄くなっていること
が好ましい。
【００３４】これにより、このリードフレームに半導体
チップを搭載して樹脂封止を行なった後に、吊りリード
につながっている信号接続用リードをカットすることが
容易になる。
【００３５】本発明の第１の樹脂封止型半導体装置は、
請求項９に記載されているように、電極パッドを有する
半導体チップと、上記半導体チップを支持するダイパッ
ドと、信号接続用のリードと、上記半導体チップの電極
パッドと上記信号接続用リードとを電気的に接続する接
続部材と、上記ダイパッド，上記半導体チップ，信号接
続用リード及び接続部材を封止する封止樹脂とを備え、
上記ダイパッドの下面側には、下方に突出した凸部と該
凸部を取り囲むフランジ部とが設けられており、上記ダ
イパッドの凸部のうち少なくとも下部は上記封止樹脂か
ら露出している一方、上記ダイパッドのフランジ部が封
止樹脂内に埋め込まれている。
【００３６】これにより、ダイパッドのフランジ部の下
方に封止樹脂が存在する構造となるので、ダイパッドに
対する封止樹脂の保持力が向上し、上記第１の目的を達
成することができる。また、上述のように、樹脂封止型
半導体装置の裏面から水分や湿気が侵入するのを抑制す
る作用効果が得られることにより、第２の目的をも達成
することができる。
【００３７】本発明の第２の樹脂封止型半導体装置は、
請求項１０に記載されているように、電極パッドを有す
る半導体チップと、上記半導体チップを支持するダイパ
ッドと、信号接続用のリードと、上記半導体チップの電
極パッドと上記信号接続用リードとを電気的に接続する
接続部材と、上記ダイパッド，上記半導体チップ，信号
接続用リード及び接続部材を封止する封止樹脂とを備
え、上記ダイパッドの下部の少なくとも一部は上記封止
樹脂から露出しており、かつ上記ダイパッドには穴が設
けられている。
【００３８】これにより、ダイパッドの穴内に封止樹脂
が存在することにより、ダイパッドに対する封止樹脂の
保持力が向上し、上記第１及び第２の目的を達成するこ
とができる。
【００３９】請求項１１に記載されているように、上記
第２の樹脂封止型半導体装置において、上記ダイパッド
の穴は、下方で広くなった段付形状を有することが好ま
しい。
【００４０】これにより、ダイパッドに対する封止樹脂
の保持力向上効果と耐湿性向上効果とが顕著に得られる
ことになる。
【００４１】請求項１２に記載されているように、上記
第２の樹脂封止型半導体装置において、上記ダイパッド
の下部の少なくとも一部が上記封止樹脂から突出してい
ることが好ましい。
【００４２】これにより、樹脂封止型半導体装置の樹脂
封止の際に、ダイパッドの下面に封止テープを密着させ
封止テープにダイパッドを食い込ませることによって得
られる構造となる。したがって、ダイパッドの下面にお
いて穴の外側に封止樹脂がはみ出すことのない構造とな
り、ダイパッドの下面上に樹脂バリのない放熱特性等の
良好な樹脂封止型半導体装置を得ることができる。
【００４３】本発明の第３の樹脂封止型半導体装置は、
請求項１３に記載されているように、電極パッドを有す
る半導体チップと、上記半導体チップを支持するダイパ
ッドと、信号接続用リードと、上記半導体チップの電極
パッドと上記信号接続用リードとを電気的に接続する接
続部材と、上記ダイパッド，上記半導体チップ，信号接
続用リード及び接続部材を封止する封止樹脂とを備え、
上記ダイパッドの下部における少なくとも一部と上記信
号接続用リードの下部における少なくとも一部とは上記
封止樹脂から露出しており、上記ダイパッドの露出して
いる部分の下面と、上記信号接続用リードの露出してい
る部分の下面とは互いに高さ位置が異なっている。
【００４４】これにより、樹脂封止型半導体装置を実装
基板上に搭載する際に、ダイパッド−実装基板間と、信
号接続用リード−実装基板間とでは間隙が異なることに
なるので、その間に介在するはんだなどの張力が異な
り、アライメント性が向上する。したがって、セルフア
ライメントに要する時間の短縮と位置精度の向上とが可
能になる。
【００４５】請求項１４に記載されているように、上記
第３の樹脂封止型半導体装置において、上記ダイパッド
の露出している部分の下面は、上記信号接続用リードの
露出している部分の下面よりも下方に位置していること
が好ましい。
【００４６】請求項１５に記載されているように、上記
第３の樹脂封止型半導体装置において、 上記ダイパッ
ドの露出している部分の下面と、上記信号接続用リード
の露出している部分の下面との高さの差は、１０〜１５
０μｍであることが好ましい。
【００４７】請求項１６に記載されているように、上記
第３の樹脂封止型半導体装置において、上記ダイパッド
の下部の少なくとも一部及び上記信号接続用リードの下
部の少なくとも一部は、いずれも上記封止樹脂から突出
していることが好ましい。
【００４８】本発明の第４の樹脂封止型半導体装置は、
請求項１７に記載されているように、電極パッドを有す
る半導体チップと、上記半導体チップを支持するダイパ
ッドと、上記ダイパッドを支持するための吊りリード
と、信号接続用リードと、上記半導体チップの電極パッ
ドと上記信号接続用リードとを電気的に接続する接続部
材と、上記ダイパッド，上記半導体チップ，信号接続用
リード及び接続部材を封止する封止樹脂とを備え、上記
ダイパッドの下部の少なくとも一部と上記信号接続用リ
ードの下部の少なくとも一部とは上記封止樹脂から露出
しており、上記吊りリードは、上記ダイパッドのコーナ
ー部から封止樹脂の側面まで延びており、一部がバネと
して機能できるように曲げられている。
【００４９】これにより、外枠よりもダイパッドを下方
に位置させたリードフレームを用いて樹脂封止を行なう
際に、外枠に加わる封止金型の型締め力をダイパッドに
印加しながら吊りリードの変形を曲げ部で吸収できる構
造となる。したがって、例えば、封止テープをリードフ
レームの下面に密着させて樹脂封止を行なう際には封止
テープにダイパッドが食い込むことになり、ダイパッド
が封止樹脂の裏面よりも下方に突出した構造が確実に得
られるとともに、ダイパッドの変形が抑制される。これ
により、樹脂封止型半導体装置の形状を良好に維持しな
がら上記第５の目的を達成することができる。
【００５０】請求項１８に記載されているように、上記
第４の樹脂封止型半導体装置において、上記ダイパッド
の露出している部分の下面は、上記信号接続用リードの
露出している部分の下面よりも下方に位置していること
が好ましい。
【００５１】本発明の第５の樹脂封止型半導体装置は、
請求項１９に記載されているように、電極パッドを有す
る半導体チップと、上記半導体チップを支持するダイパ
ッドと、上記ダイパッドを支持するための吊りリード
と、信号接続用リードと、上記半導体チップの電極パッ
ドと上記信号接続用リードとを電気的に接続する接続部
材と、上記ダイパッド，上記半導体チップ，信号接続用
リード及び接続部材を封止する封止樹脂とを備え、上記
ダイパッドの下部の少なくとも一部と上記信号接続用リ
ードの下部の少なくとも一部とは上記封止樹脂から露出
しており、上記吊りリードは、上記ダイパッドと信号接
続用リードとの間に介設されている。
【００５２】これにより、この樹脂封止型半導体装置を
製造する工程での樹脂封止を行なう際に、外枠に加わる
封止金型の型締め力がダイパッドにより確実に印加され
ることになるので、第４の樹脂封止型半導体装置と同じ
作用効果が得られる。
【００５３】請求項２０に記載されているように、第５
の樹脂封止型半導体装置において、上記吊りリードは、
一部がバネとして機能できるように曲げられていること
が好ましい。
【００５４】請求項２１に記載されているように、第５
の樹脂封止型半導体装置において、上記吊りリードの一
部が切断されていることが好ましい。
【００５５】これにより、半導体チップの種類の如何を
問わず、吊りリードにつながっていた信号接続用リード
を信号接続のために使用することが可能になる。
【００５６】請求項２２に記載されているように、第５
の樹脂封止型半導体装置において、上記吊りリードの切
断部の周辺の厚みは、吊りリードの他の部分よりも薄い
ことが好ましい。
【００５７】これにより、吊りリードを切断することが
容易となる。
【００５８】請求項２３に記載されているように、上記
第５の樹脂封止型半導体装置において、上記ダイパッド
の露出している部分の下面は、上記信号接続用リードの
露出している部分の下面よりも下方に位置していること
が好ましい。
【００５９】請求項２４に記載されているように、第１
〜第５の樹脂封止型半導体装置において、上記信号接続
用リードの少なくとも一部には、溝部が形成されている
ことが好ましい。
【００６０】これにより、信号接続用リードの下面を封
止樹脂から露出させても、信号接続用リードに対する封
止樹脂の保持力が向上する。
【００６１】本発明の第１の樹脂封止型半導体装置の製
造方法は、請求項２５に記載されているように、半導体
チップを搭載する領域を囲む外枠と、上記半導体チップ
を支持するためのダイパッドと、上記ダイパッドを上記
外枠に接続するための吊りリードと、上記外枠に接続さ
れる信号接続用リードとを有し、かつ上記ダイパッドが
上記信号接続用リードよりも下方に位置しているリード
フレームを用意する第１の工程と、上記ダイパッドの上
に、電極パッドを有する半導体チップを搭載する第２の
工程と、上記半導体チップの電極パッドと上記信号接続
用リードとを金属細線を介して電気的に接続する第３の
工程と、上記リードフレームのダイパッドの下面の少な
くとも一部と信号接続用リードの下面の少なくとも一部
とに封止テープを密着させながら、封止テープを封止金
型に装着する第４の工程と、上記ダイパッド，半導体チ
ップ，信号接続用リード及び金属細線を封止樹脂により
封止する第５の工程と、上記封止テープを除去する第６
の工程とを備え、上記ダイパッドの下面の少なくとも一
部と上記信号接続用リードの下面の少なくとも一部とが
上記封止樹脂の裏面から露出しているとともに、上記ダ
イパッドの露出している部分の下面が上記信号接続用リ
ードの露出している部分の下面よりも下方に位置してい
る樹脂封止体を得る方法である。
【００６２】この方法により、樹脂封止型半導体装置を
実装基板上に搭載する際に、ダイパッドの下方における
はんだ等の大きな張力が樹脂封止型半導体装置のセルフ
アライメントの位置や時間を支配する。したがって、実
装時間の短縮と実装位置の精度の向上と実装性の向上と
を図ることができる。すなわち、上記第３の目的を達成
することができる。
【００６３】本発明の第２の樹脂封止型半導体装置の製
造方法は、請求項２６に記載されているように、半導体
チップを搭載する領域を囲む外枠と、上記半導体チップ
を支持するためのダイパッドと、上記外枠に接続される
信号接続用リードと、上記ダイパッドと信号接続用リー
ドとの間に介設された吊りリードとを有するリードフレ
ームを用意する第１の工程と、上記ダイパッドの上に、
電極パッドを有する半導体チップを搭載する第２の工程
と、上記半導体チップの電極パッドと上記信号接続用リ
ードとを金属細線を介して電気的に接続する第３の工程
と、上記リードフレームのダイパッドの下面の少なくと
も一部と信号接続用リードの下面の少なくとも一部とに
封止テープを密着させながら、封止テープを封止金型に
装着する第４の工程と、上記ダイパッド，半導体チッ
プ，信号接続用リード及び金属細線を封止樹脂により封
止する第５の工程と、上記吊りリードの一部を切断する
第６の工程と、上記封止テープを除去する第７の工程と
を備え、上記ダイパッドの下面の少なくとも一部と上記
信号接続用リードの下面の少なくとも一部とが上記封止
樹脂の裏面から露出している樹脂封止体を得る方法であ
る。
【００６４】この方法により、第５の工程において、リ
ードフレームの外枠に加えられる型締め力を吊りリード
を介してダイパッドに効率よく伝えることができるの
で、封止樹脂からダイパッドが突出した構造を確実に得
ることができる。しかも、第６の工程において、吊りリ
ードにつながっていた信号接続用リードがダイパッドか
ら切り離されるので、搭載される半導体チップの種類の
如何を問わず、当該信号接続用リードを信号接続のため
に使用することが可能となる。すなわち、上記５の目的
を達成することができる。
【００６５】請求項２７に記載されているように、第１
又は第２の樹脂封止型半導体装置の製造方法において、
上記第１の工程では、表面に金属メッキ層が形成された
リードフレームを用意することが好ましい。
【００６６】この方法により、樹脂封止後に封止樹脂か
ら露出している部分のみにメッキを施す方法に比べて、
メッキ処理の作業が簡単になるとともに、封止樹脂内の
リードフレームにもメッキが施されていることで樹脂封
止型半導体装置の信頼性も向上する。
【００６７】請求項２８に記載されているように、第１
又は第２の樹脂封止型半導体装置の製造方法において、
上記第４の工程では、上記ダイパッドの下面の少なくと
も一部と上記信号接続用リードの下面の少なくとも一部
との上記封止樹脂の裏面からの突出量が所望の値になる
ように、所定厚みの封止テープを用いることが好まし
い。
【００６８】この方法により、ダイパッドの封止樹脂か
らの突出量を所望の値に調整することが可能となる。
【００６９】請求項２９に記載されているように、第１
又は第２の樹脂封止型半導体装置の製造方法において、
上記封止金型のうち上記ダイパッド及び信号接続用リー
ドの突出させる部分に対向する領域に逃げ溝を形成して
おき、上記第５の工程では、上記ダイパッドの下面の少
なくとも一部と上記信号接続用リードの下面の少なくと
も一部とを上記逃げ溝に逃した状態で樹脂封止を行なう
ことにより、上記封止樹脂の裏面からの突出量を調整す
ることができる。
【００７０】本発明の第３の樹脂封止型半導体装置の製
造方法は、請求項３０に記載されているように、吸引孔
を有する封止金型と、半導体チップと、半導体チップの
周辺部材とを用意する第１の工程と、上記周辺部材と封
止金型との間に上記周辺部材の表面の一部に密着する封
止テープを装着する第２の工程と、上記封止テープのう
ち上記周辺部材に密着している部分の一部に穴を形成す
る第３の工程と、上記封止金型の吸引孔から上記穴を介
して上記周辺部材の一部を吸引する第４の工程と、上記
封止テープを装着した状態で上記半導体チップ及び上記
周辺部材の少なくとも上記表面の一部を除く部分を封止
樹脂内に封止する第５の工程と、上記第３の工程の後に
上記封止テープを除去する第６の工程とを備え、上記第
４の工程の終了後には、上記周辺部材の少なくとも上記
表面の一部が上記封止樹脂から突出して露出している方
法である。
【００７１】この方法により、第４の工程において、封
止金型の吸引孔からの吸引作用によって周辺部材の一部
が封止テープに食い込むので、樹脂封止工程の終了後に
は周辺部材の一部が確実に封止樹脂から突出している樹
脂封止型半導体装置が得られる。すなわち、上記第５の
目的を達成することができる。
【００７２】請求項３１に記載されているように、第３
の樹脂封止型半導体装置の製造方法において、上記第１
の工程では、半導体チップの周辺部材として、ダイパッ
ドを有するリードフレームを用意し、上記第２の工程に
おける周辺部材の表面の一部を、上記リードフレームの
ダイパッドとすることができる。
【００７３】本発明の第４の樹脂封止型半導体装置の製
造方法は、請求項３２に記載されているように、封止金
型と半導体チップと半導体チップの周辺部材とを用意す
る第１の工程と、上記周辺部材と封止金型との間に上記
周辺部材の表面の一部に密着する厚みが１０〜１５０μ
ｍの封止テープを装着する第２の工程と、上記封止テー
プを装着した状態で上記半導体チップ及び上記周辺部材
の少なくとも上記表面の一部を除く部分を封止樹脂内に
封止する第３の工程と、上記第３の工程の後に上記封止
テープを除去する第４の工程とを備え、上記第４の工程
の終了後には、上記周辺部材の少なくとも上記表面の一
部が上記封止樹脂から突出して露出している方法であ
る。
【００７４】この方法により、樹脂封止工程の終了後に
は周辺部材の一部が封止樹脂から突出している樹脂封止
型半導体装置が得られるので、上記第５の目的を達成す
ることができる。
【００７５】
【発明の実施の形態】本発明の樹脂封止型半導体装置
は、ダイパッドの下面を封止樹脂の裏面から露出させた
共通の構成を有しており、以下、その中の各種の実施形
態について説明する。
【００７６】（第１の実施形態）図１は、第１の実施形
態に係る樹脂封止型半導体装置の断面図である。ただ
し、図１においては封止樹脂１７を透明体として扱い、
吊りリードの図示は省略している。
【００７７】図１に示すように、本実施形態の樹脂封止
型半導体装置は、信号接続用リード１２と、半導体チッ
プを支持するためのダイパッド１３と、そのダイパッド
１３を支持するための吊りリードとからなるリードフレ
ームを備えている。そして、ダイパッド１３上に半導体
チップ１５が接着剤により接合されており、半導体チッ
プ１５の電極パッド（図示せず）と信号接続用リード１
２とは、金属細線１６により互いに電気的に接続されて
いる。そして、信号接続用リード１２，ダイパッド１
３，吊りリード，半導体チップ１５及び金属細線１６
は、封止樹脂１７内に封止されている。
【００７８】ここで、本実施形態の特徴は、ダイパッド
１３の裏面側がハーフエッチ等により中央部で凸部１３
ａになりその周囲にフランジ部１３ｂが存在するように
段付形状になっていて、この凸部１３ａのうち下部のみ
が封止樹脂の裏面から突出している点である。そのた
め、封止樹脂１７により封止された状態では、封止樹脂
１７がダイパッド１３の凸部１３ａの周囲のフランジ部
１３ｂの下方に薄く存在している。
【００７９】また、信号接続用リード１２の下面側には
封止樹脂１７は存在せず、信号接続用リード１２の下面
が露出されており、この信号接続用リード１２の下面が
実装基板との接続面となる。すなわち、信号接続用リー
ド１２の下部が外部電極１８となっている。
【００８０】そして、ダイパッド１３の露出している凸
部１３ａ及び外部電極１８には本来的に樹脂封止工程に
おける樹脂のはみ出し部分である樹脂バリが存在せず、
かつダイパッド１３の凸部１３ａ及び外部電極１８は封
止樹脂１７の裏面よりも下方に少し突出している。この
ような樹脂バリの存在しないかつ下方に突出したダイパ
ッド１３の凸部１３ａ及び外部電極１８の構造は、後述
する製造方法によって容易に実現できる。
【００８１】本実施形態の樹脂封止型半導体装置による
と、ダイパッド１３の裏面側が中央部で凸部１３ａとな
る段付形状となっており、この凸部１３ａの下部のみが
封止樹脂から露出しているので、封止樹脂１７がダイパ
ッド１３のフランジ部１３ｂの下方にも薄く存在してい
る。したがって、ダイパッド１３に対する封止樹脂１７
の保持力が増大し、樹脂封止型半導体装置としての信頼
性が向上する。
【００８２】また、保持力が増大することで、封止樹脂
１７とダイパッド１３との密着性が向上するので、両者
の境界からの水分や湿気の侵入を阻むことができ、耐湿
性が向上する。したがって、樹脂封止型半導体装置の信
頼性がさらに向上する。
【００８３】しかも、ダイパッド１３の露出している凸
部１３ａの下面には樹脂バリが存在していないので、凸
部１３ａと実装基板との接合の信頼性や、放熱特性が向
上する。
【００８４】なお、本実施形態では、信号接続用リード
１２の側方には外部電極端子となるアウターリードが存
在せず、インナーリードに相当する信号接続用リード１
２の下部が外部電極１８となっているので、半導体装置
の小型化を図ることができる。しかも、信号接続用リー
ド１２の下面つまり外部電極１８の下面には樹脂バリが
存在していないので、実装基板の電極との接合の信頼性
が向上する。また、外部電極１８が封止樹脂１７の面よ
り突出して形成されているため、実装基板に樹脂封止型
半導体装置を実装する際の外部電極と実装基板の電極と
の接合において、外部電極１８のスタンドオフ高さが予
め確保されていることになる。したがって、外部電極１
８をそのまま外部端子として用いることができ、実装基
板への実装のために外部電極１８にはんだボールを付設
する必要はなく、製造工数、製造コスト的に有利とな
る。
【００８５】次に、本実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法について、図面を参照しながら説明する。図
２〜図６は、本実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造
工程を示す断面図である。
【００８６】まず、図２に示す工程で、信号接続用リー
ド１２と、半導体チップを支持するためのダイパッド１
３とが設けられているリードフレーム２０を用意する。
図中、ダイパッド１３は吊りリードによって支持されて
いるが、吊りリードはこの断面には現れないために図示
されていない。また、信号接続用リード１２の外方はリ
ードフレーム２０の外枠に接続されているが、外枠は信
号接続用リードと連続しているために、この段面では境
界が現れていない。ここで、ダイパッド１３の裏面側
は、中央部をマスクしたハーフエッチにより、中央部が
凸部１３ａとなり、その周囲にフランジ部１３ｂが存在
する段付形状に形成されている。さらに、用意するリー
ドフレーム２０は、樹脂封止の際、封止樹脂の流出を止
めるタイバーを設けていないリードフレームである。
【００８７】また、本実施形態におけるリードフレーム
２０は、銅（Ｃｕ）素材のフレームに対して、下地メッ
キとしてニッケル（Ｎｉ）層が、その上にパラジウム
（Ｐｄ）層が、最上層に薄膜の金（Ａｕ）層がそれぞれ
メッキされた３層の金属メッキ済みのリードフレームで
ある。ただし、銅（Ｃｕ）素材以外にも４２アロイ材等
の素材を使用でき、また、ニッケル（Ｎｉ），パラジウ
ム（Ｐｄ），金（Ａｕ）以外の貴金属メッキが施されて
いてもよく、さらに、かならずしも３層メッキでなくて
もよい。
【００８８】次に、図３に示す工程で、用意したリード
フレームのダイパッド上に半導体チップ１５を載置し
て、接着剤により両者を互いに接合する。この工程は、
いわゆるダイボンド工程である。なお、半導体チップを
支持する部材としてはリードフレームに限定されるもの
ではなく、他の半導体チップを支持できる部材、例えば
ＴＡＢテープ、基板を用いてもよい。
【００８９】そして、図４に示す工程で、ダイパッド１
３上に接合した半導体チップ１５と信号接続用リード１
２とを金属細線１６により電気的に接合する。この工程
は、いわゆるワイヤーボンド工程である。金属細線とし
ては、アルミニウム細線、金（Ａｕ）線などを適宜選択
して用いることができる。また、半導体チップ１５と信
号接続用リード１２との電気的な接続は、金属細線１６
を介してでなくバンプなどを介して行なってもよい。
【００９０】次に、図５に示す工程で、リードフレーム
のダイパッド１３上に半導体チップ１５が接合された状
態で、ダイパッド１３の凸部の下面及び信号接続用リー
ド１２の裏面に封止テープ２１を貼り付ける。
【００９１】この封止テープ２１は、特にダイパッド１
３の凸部１３ａの下面側及び信号接続用リード１２の裏
面側に樹脂封止時に封止樹脂が回り込まないようにする
マスク的な役割を果たさせるためのものであり、この封
止テープ２１の存在によって、ダイパッド１３の凸部１
３ａの下面や、信号接続用リード１２の裏面に樹脂バリ
が形成されるのを防止することができる。この封止テー
プ２１は、ポリエチレンテレフタレート，ポリイミド，
ポリカーボネートなどを主成分とする樹脂をベースとし
たテープであり、樹脂封止後は容易に剥がすことがで
き、また樹脂封止時における高温環境に耐性があるもの
であればよい。本実施形態では、ポリエチレンテレフタ
レートを主成分としたテープを用い、厚みは５０［μ
ｍ］とした。
【００９２】次に、図６に示す工程で、半導体チップ１
５が接合され、封止テープ２１が貼り付けられたリード
フレームを金型内に収納し、金型内に封止樹脂１７を流
し込んで樹脂封止を行う。あるいは、金型内に封止テー
プ２１を貼り付けることも可能である。この際、ダイパ
ッド１３の凸部１３ａの下面側及び信号接続用リード１
２の裏面側に封止樹脂１７が回り込まないように、金型
でリードフレームの信号接続用リード１２の先端側（外
枠）を下方に押圧して、樹脂封止する。
【００９３】最後に、ダイパッド１３の凸部１３ａの下
面及び信号接続用リード１２の裏面に貼付した封止テー
プ２１をピールオフにより除去する。これにより、ダイ
パッド１３の裏面側においては凸部１３ａの下部のみが
封止樹脂の裏面よりも下方に突出した構造が得られ、封
止樹脂１７の裏面より突出した外部電極１８が形成され
る。そして、信号接続用リード１２の先端側を、信号接
続用リード１２の先端面と封止樹脂１７の側面とがほぼ
同一面になるように切り離すことにより、図１に示すよ
うな樹脂封止型半導体装置が完成される。
【００９４】本実施形態の製造方法によると、ダイパッ
ド１３の凸部１３ａの一部のみが封止樹脂１７の裏面か
ら突出し、かつ、凸部１３ａの周辺のフランジ部１３ｂ
の下方に封止樹脂１７が存在している樹脂封止型半導体
装置を容易に製造することができる。
【００９５】しかも、本実施形態の製造方法によると、
樹脂封止工程の前に予めダイパッド１３の凸部１３ａの
下面及び信号接続用リード１２の裏面に封止テープ２１
を貼付しているので、封止樹脂１７が回り込むことがな
く、ダイパッド１３の凸部１３ａや、外部電極となる信
号接続用リード１２の裏面には樹脂バリの発生はない。
したがって、信号接続用リードの下面を露出させる従来
の樹脂封止型半導体装置の製造方法のごとく、ダイパッ
ド１３の凸部１３ａの下面や外部電極１８上に形成され
た樹脂バリをウォータージェットなどによって除去する
必要はない。すなわち、この樹脂バリを除去するための
面倒な工程の削除によって、樹脂封止型半導体装置の量
産工程における工程の簡略化が可能となる。また、従
来、ウォータージェットなどによる樹脂バリ除去工程に
おいて生じるおそれのあったリードフレームのニッケル
（Ｎｉ），パラジウム（Ｐｄ），金（Ａｕ）などの金属
メッキ層の剥がれや不純物の付着は解消できる。そのた
め、樹脂封止工程前における各金属層のプリメッキが可
能となる。
【００９６】なお、ウォータージェットによる樹脂バリ
除去工程を削除できるかわりに、封止テープを貼付する
工程が新たに必要となるが、封止テープ２１を貼付する
工程の方が、ウォータージェット工程よりもコスト的に
安価であり、また工程管理も容易であるため、確実に工
程の簡略化が図れる。なによりも、従来必要であったウ
ォータージェット工程では、リードフレームの金属メッ
キが剥がれる、不純物が付着するという品質上のトラブ
ルが発生するが、本実施形態の方法では、封止テープの
貼付により、ウォータージェットが不要となって、メッ
キ剥がれをなくすことができる点は大きな工程上の利点
となる。また、封止テープの貼付状態などによって樹脂
バリが発生することがあるとしても、極めて薄い樹脂バ
リであるので、低い水圧でウォータージェット処理して
樹脂バリを除去でき、メッキ剥がれを防止できることか
ら金属層のプリメッキ工程は可能である。
【００９７】なお、図６に示すように、樹脂封止工程に
おいては、封止金型の熱によって封止テープ２１が軟化
するとともに熱収縮するので、ダイパッド１３の凸部１
３ａ及び信号接続用リード１２が封止テープ２１に大き
く食い込み、ダイパッド１３の凸部１３ａと封止樹脂１
７の裏面との間、信号接続用リード１２の裏面と封止樹
脂１７の裏面との間には、それぞれ段差が形成される。
したがって、ダイパッド１３の凸部１３ａ及び信号接続
用リード１２は封止樹脂１７の裏面から突出した構造と
なり、ダイパッド１３の凸部１３ａのスタンドオフ高さ
や、信号接続用リード１２の下部である外部電極１８の
突出量（スタンドオフ高さ）を確保できる。例えば、本
実施形態では、封止テープ２１の厚みを５０μｍとして
いるので、突出量を例えば２０μｍ程度にできる。この
ように、封止テープ２１の厚みの調整によって外部電極
１８の封止樹脂からの突出量を適正量に維持できる。こ
のことは、外部電極１８のスタンドオフ高さを封止テー
プ２１の厚みの設定のみでコントロールでき、別途スタ
ンドオフ高さ量をコントロールのための手段または工程
を設けなくてもよいこと意味し、量産工程における工程
管理のコスト上、極めて有利な点である。この封止テー
プ２１の厚みは、１０〜１５０μｍ程度であることが好
ましい。
【００９８】なお、用いる封止テープ２１については、
所望する突出量により、所定の硬度，厚みおよび熱によ
る軟化特性を有する材質を選択することができる。
【００９９】ただし、上記第１の実施形態において、封
止テープ２１に加える圧力の調整によって、ダイパッド
１３の凸部や外部電極１８のスタンドオフ高さを調整し
てもよく、例えば、スタンドオフ高さをほぼ「０」にす
ることも可能である。その場合、ダイパッド１３の裏面
側における凸部１３ａの周辺のフランジ部１３ｂの下方
に厚く封止樹脂１７が存在するので、ダイパッド１３に
対する封止樹脂１７の保持力がより向上する利点があ
る。
【０１００】（第２の実施形態）次に、第２の実施形態
について説明する。本実施形態における樹脂封止型半導
体装置の基本的な構造は、上記第１の実施形態における
図１に示す構造と同じであるが、ダイパッドの形状のみ
が異なる。そこで、本実施形態においては、ダイパッド
の形状のみについて説明し、他の部分についての説明は
省略する。
【０１０１】−第１の具体例− 図７（ａ）は本実施形態の第１の具体例に係るダイパッ
ド１３の平面図、図７（ｂ）は図７（ａ）に示すVIIb−
VIIb線における断面図である。図７（ａ），（ｂ）に示
すように、本具体例に係るダイパッド１３には、４つの
コーナー部にそれぞれ小円状の貫通孔３０ａが形成され
ている。ただし、この貫通孔３０ａは、半導体チップ１
５の搭載領域の外方に形成されている。また、ダイパッ
ド１３の裏面側には凸部が形成されてないが、凸部を形
成しておいてもよい。
【０１０２】本実施形態の第１の具体例に係る樹脂封止
型半導体装置によると、ダイパッド１３に貫通孔３０ａ
が形成されているので、貫通孔３０ａ内に封止樹脂が入
り込むことにより、ダイパッド１３に対する封止樹脂１
７の保持力が大幅に向上する。また、その結果、ダイパ
ッド１３と封止樹脂１７との密着性が増大するので、両
者の境界部からの水分や湿気等の侵入を阻むことがで
き、耐湿性の向上を図ることができるのである。
【０１０３】ここで、樹脂封止型半導体装置の製造工程
において、上記第１の実施形態のごとく封止テープをダ
イパッド１３の下面に密着させて樹脂封止を行なうこと
で、貫通孔から樹脂が漏れることがない。すなわち、従
来のような樹脂封止方法では、封止樹脂から露出してい
るダイパッドに貫通孔を設けると、貫通孔から封止樹脂
がダイパッドの裏面側に漏れる。しかも、ダイパッドに
は封止金型の押圧力が加わらないことから、信号接続用
リードの裏面側に比べて封止樹脂の漏れる量が多く、製
品価値がなくなるおそれがあった。そのため、ダイパッ
ドを封止樹脂内に埋め込む場合はともかくダイパッドの
裏面を封止樹脂から露出させるタイプの樹脂封止型半導
体装置においては、ダイパッドに貫通孔を設ける構造は
採用しがたいという不具合があった。それに対し、本実
施形態では、封止テープをダイパッドの裏面に密着させ
て樹脂封止を行なう方法を採用したことで、不具合を招
くことなく、ダイパッド１３に貫通孔３０ａを設けて封
止樹脂の保持力を高めることができるのである。
【０１０４】なお、図８の変形例に示すように、小円状
ではなく長穴状の貫通孔３０ｂを設けてもよい。この場
合には、貫通孔３０ｂの横断面積がより大きくなるの
で、ダイパッド１３に対する封止樹脂１７の保持力がさ
らに向上する。
【０１０５】なお、半導体チップ１５は、ダイパッド１
３からはみ出す程度に大きなサイズを有していもよい。
【０１０６】また、貫通孔でないブラインドホールを形
成しても封止樹脂１７の保持力増大効果を得ることがで
きる。
【０１０７】−第２の具体例− 図９（ａ）は本実施形態の第２の具体例に係るダイパッ
ド１３の平面図、図９（ｂ）は図９（ａ）に示すIXb-IX
b 線における断面図である。図９（ａ），（ｂ）に示す
ように、本具体例に係るダイパッド１３には、４つのコ
ーナー部にそれぞれ下方側が広い段付の貫通孔３０ｃが
形成されている。この貫通孔３０ｃは、半導体チップ１
５の搭載領域の外方に形成されている。また、ダイパッ
ド１３の裏面側にはハーフエッチ等により凸部が形成さ
れている点は、上記第１の実施形態におけるダイパッド
１３の構造と同じであるが、貫通孔３０ｃは凸部に設け
られている。
【０１０８】本実施形態の第２の具体例に係る樹脂封止
型半導体装置によると、ダイパッド１３に下方側が広い
段付の貫通孔３０ｃが形成されているので、ダイパッド
１３に対する封止樹脂１７の保持力が大幅に向上する。
【０１０９】なお、図１０の変形例に示すように、小円
状ではなく長穴状の貫通孔３０ｄを設けてもよい。この
場合には、貫通孔３０ｄの横断面積がより大きくなるの
で、ダイパッド１３に対する封止樹脂１７の保持力がさ
らに向上する。特に、長穴状の貫通孔３０ｄの場合、細
く長い形状にすることで、貫通孔３０ｄよりも内側にお
けるダイパッド１３の面積を広く確保できるので、搭載
する半導体チップの大きさの制限を緩和することができ
る。言い換えると、同じ大きさの半導体チップに対する
樹脂封止型半導体装置のサイズを小さくすることができ
る。
【０１１０】なお、貫通孔３０ｃ又は３０ｄは、必ずし
も半導体チップ１５の搭載領域の外方に設けられている
必要はないが、その場合には、ダイパッド１３の裏面側
から封止樹脂１７が回り込める部分、つまり、凸部の周
辺領域に貫通孔３０ｃ又は３０ｄを設けておくことが好
ましい。
【０１１１】また、ダイパッド上に半導体チップをバン
プを介してフリップチップ接続する構造とする場合に
は、半導体チップとダイパッドとの間に間隙を作ること
で、貫通孔の位置がどこにあっても必ず封止樹脂が回り
込む。したがって、貫通孔の位置には原則として制限は
ない。
【０１１２】また、図９，図１０に示す半導体チップ１
５は、貫通孔３０ｃ，３０ｄよりも外方にはみ出す大き
さを有していてもよい。
【０１１３】（第３の実施形態）図１１（ａ）は、第３
の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の平面図であ
り、図１１（ｂ）は、図１１（ａ）に示すXIb-XIb 線に
おける断面図である。ただし、図１１（ａ）においては
封止樹脂１７を透明体として扱い、半導体チップ１５は
破線で示す輪郭を有するものとしており、金属細線１６
の図示は省略している。
【０１１４】図１１（ａ）及び（ｂ）に示すように、本
実施形態の樹脂封止型半導体装置は、信号接続用リード
１２と、半導体チップを支持するためのダイパッド１３
と、そのダイパッド１３を支持するための吊りリード１
４とよりなるリードフレームを備えている。そして、ダ
イパッド１３上に半導体チップ１５が接着剤により接合
されており、半導体チップ１５の電極パッド（図示せ
ず）と信号接続用リード１２とは、金属細線１６により
互いに電気的に接続されている。そして、信号接続用リ
ード１２，ダイパッド１３，吊りリード１４，半導体チ
ップ１５及び金属細線１６は、封止樹脂１７内に封止さ
れている。また、信号接続用リード１２の裏面側におけ
る内方側領域はハーフエッチされている。逆に言うと、
信号接続用リード１２のハーフエッチされていない領域
が凸部となっている。
【０１１５】ここで、本実施形態に係る樹脂封止型半導
体装置の特徴部分について説明する。ダイパッド１３
は、信号接続用リード１２に対して下方に位置するよう
に、吊りリード１４のディプレス部１９によりダウンセ
ットされている。また、ダイパッド１３の裏面側及び信
号接続用リード１２の凸部の下面側には封止樹脂１７は
存在していない。つまり、ダイパッド１３の裏面が露出
されて放熱面となり、信号接続用リード１２の凸部の下
面が露出されており、信号接続用リード１２の凸部にお
ける下面を含む下部が外部電極１８となっている。この
構造は、上記第１の実施形態で説明したように、ダイパ
ッド１３及び信号接続用リード１２の下面に封止テープ
を密着させて樹脂封止を行なうことにより、容易に実現
できる。そして、ダイパッド１３の裏面及び外部電極１
８には本来的に樹脂封止工程における樹脂のはみ出し部
分である樹脂バリが存在せず、かつダイパッド１３及び
外部電極１８は封止樹脂１７の裏面よりも下方に少し突
出している。このような樹脂バリの存在しないかつ下方
に突出したダイパッド１３及び外部電極１８の構造は、
上記第１の実施形態で説明したように、ダイパッド１３
及び信号接続用リード１２の下面に封止テープを密着さ
せて樹脂封止を行なうことにより、容易に実現できる。
【０１１６】本実施形態の樹脂封止型半導体装置による
と、ダイパッド１３が信号接続用リード１２（外部電極
１８）に対して下方に位置するようにダウンセットされ
ているので、以下のような効果を発揮することができ
る。
【０１１７】図１２は、本実施形態に係る樹脂封止型半
導体装置を実装基板４０上に搭載した状態を示す断面図
である。同図に示すように、実装基板４０上の電極４
１，放熱用パッド４２と、樹脂封止型半導体装置の外部
電極１８，ダイパッド１３とをそれぞれ位置合わせして
はんだ付けを行なう。その際、外部電極１８−電極４１
間に介在するはんだ４３ａと、ダイパッド１３−放熱用
パッド４２間に介在するはんだ４３ｂとは厚みが異なる
ために、外部電極１８−電極４１間に作用する張力と、
ダイパッド１３−放熱用パッド４２間に作用する張力と
が互いに異なる。このように、樹脂封止型半導体装置の
中心部と周辺部とではんだの張力が異なる結果、実装基
板４０に対する樹脂封止型半導体装置のセルフアライメ
ント性が向上し、より迅速にかつ正確な位置に樹脂封止
型半導体装置を実装できる。
【０１１８】また、樹脂封止型半導体装置の中央部にお
いて、面積の広いダイパッド１３が実装基板４０の放熱
用パッド４２上に強力に接合されることで、接続後に外
部電極１８−電極４１間に種々の応力が作用する。した
がって、下面が露出することで抜け落ちやすくなる信号
接続用リード１２の接続の安定化も図ることができ、全
体として信頼性が向上する。
【０１１９】なお、本実施形態では、ダイパッド１３の
下面が外部電極１８の下面よりも低くなるようにしてい
るが、高低関係が逆であってもセルフアライメント性の
向上を図ることはできる。ただし、ダイパッド１３の下
面の方が低い場合には、ダイパッド１３−放熱用パッド
４２間の間隙が小さくなるので、この広い部分の張力が
大きくなる結果、上述の効果がより顕著に得られる。
【０１２０】（第４の実施形態）次に、第４の実施形態
について説明する。本実施形態では、上記第１の実施形
態のごとく、リードフレームの下方に封止テープを敷い
て樹脂封止を行なう際の、ダイパッド１３の変形を抑制
するための具体例について説明する。
【０１２１】−第１の具体例− 図１３（ａ）は本実施形態の第１の具体例に係るリード
フレームの平面図であり、図１３（ｂ）は図１３（ａ）
に示すXIIIb-XIIIb 線に示す断面におけるリードフレー
ムの断面図である。図１３（ａ），（ｂ）に示すよう
に、ダイパッド１３の４つのコーナーから延びて、外枠
４６に接続される吊りリード１４が設けられており、こ
の吊りリード１４にバネとして機能するコ字状の曲げ部
４５が設けられている。また、外枠４６の下面よりもダ
イパッド１３の下面が低くなっており、両者間には所定
の高低差が存在している。
【０１２２】このように、ダイパッド１３の下面位置を
外枠４６の下面位置よりも低くしておくことにより、樹
脂封止工程でリードフレームの下面に封止テープを密着
させたときに、封止テープに対してダイパッド１３から
も押圧力を作用させることができる。すなわち、ダイパ
ッド１３の上方はダイキャビティとなっているので、封
止金型の上金型と下金型との間に加えられる型締め力は
そのままではダイパッド１３にはあまり作用しない。し
たがって、ダイパッド１３が封止テープに食い込んで封
止テープの裏面からダイパッド１３の下部を突出させる
という第１の実施形態で説明した作用が小さくなるおそ
れがある。それに対し、本具体例の場合には、外枠４６
の下面よりもダイパッド１３の下面が低くなっているの
で、外枠４６に封止金型の型締め力が加わると、吊りリ
ード１４を介して押圧力がダイパッド１３に加わり、ダ
イパッド１３が封止テープに食い込むことで、ダイパッ
ド１３の封止樹脂１７からの突出量を大きく確保できる
ことになる。そして、リードフレームの吊りリード１４
に曲げ部４５を設けておくことにより、吊りリード１４
の変形が曲げ部４５において吸収されるので、ダイパッ
ド１３の変形を抑制することができる。
【０１２３】なお、図１３（ｂ）に示す形状では、全体
に傾斜があることでダイパッド１３がコ字状の曲げ部４
５よりも低くなっているが、コ字状の曲げ部４５の両側
で段差を設けることにより、ダイパッド１３を低くする
ことも可能である。
【０１２４】−第２の具体例− 図１４（ａ）は本実施形態の第２の具体例に係るリード
フレームの平面図であり、図１４（ｂ）は図１４（ａ）
のXIVb−XIVb線における断面図である。
【０１２５】図１４（ａ），（ｂ）に示すように、本具
体例のリードフレームにおいては、外枠４６につながる
信号接続用リード１２とダイパッド１３との間に吊りリ
ード４７が介設されている。すなわち、吊りリード４７
及び信号接続用リード１２を介して、外枠４６によりダ
イパッド１３を支持するように構成されている。そし
て、この吊りリード４７には、バネ作用を持たせるため
のコ字状の曲げ部４８が設けられている。ただし、本実
施形態では、信号接続用リード１２の裏面の一部はハー
フエッチが施されており、ハーフエッチされていない部
分が凸部となっている。また、信号接続用リード１２の
表側には信号接続用リード１２が延びる方向に直交する
２つの溝が形成されている。
【０１２６】図１５（ａ），（ｂ）は、このリードフレ
ームを用いた樹脂封止型半導体装置の製造工程の一部を
示す断面図である。
【０１２７】まず、図１５（ａ）に示すように、ダイパ
ッド１３の上に半導体チップ１５を搭載し、半導体チッ
プ１５の電極パッドと信号接続用リード１２の２つの溝
に挟まれる領域とを金属細線１６により接続する。そし
て、リードフレームのダイパッド１３に封止テープ２１
を密着させる。
【０１２８】次に、図１５（ｂ）に示すように、封止金
型５０の上金型５０ａと下金型５０ｂとの間にリードフ
レーム及び半導体チップ１５を載置し、上金型５０ａ−
下金型５０ｂ間の型締め力がリードフレームの外枠４６
に加わる。そして、この型締め力によって外枠４６が押
圧されると、外枠４６よりも下方に位置しているダイパ
ッド１３に、信号接続用リード１２及び吊りリード４８
を経て押圧力が伝えられる。したがって、ダイパッド１
３が封止テープ２１に食い込むとともに、信号接続用リ
ード１２の凸部と外枠４６も封止テープ２１に食い込
む。この状態で封止金型５０のダイキャビティ内に封止
樹脂１７を流し込んで、ダイパッド１３や信号接続用リ
ード１２などを封止樹脂１７内に埋め込む。
【０１２９】なお、本具体例では、封止金型において
も、外枠４６（及び信号接続用リード１２）に対応する
部位よりもダイパッド１３に対応する部位が少し低く設
けられている。したがって、樹脂封止後には、ダイパッ
ド１３と外枠４６（信号接続用リード１２）との高低差
はかなり小さくなるものの、ダイパッド１３の下面の方
が下方に位置している。
【０１３０】その後、樹脂封止工程の終了後に、樹脂封
止体から封止テープ２１を剥がし、さらに、外枠４６と
信号接続用リード１２との接続部を切断することで外枠
４６を除去すると、ダイパッド１３と信号接続用リード
１２の凸部（外部電極）とが封止樹脂から露出した樹脂
封止型半導体装置が得られる。
【０１３１】本具体例によると、吊りリード４７を信号
接続用リード１２とダイパッド１３の辺部との間に設け
たので、第１の具体例に比べ、外枠４６に加えられる型
締め力をより効果的にダイパッド１３に伝えることがで
き、よって、ダイパッド１３の下面が封止樹脂から露出
した構造をより確実に実現することができる。
【０１３２】また、形成された樹脂封止型半導体装置に
おいて、ダイパッド１３の下面が信号接続用リード１２
の下面よりも下方に位置しているので、上述のようなセ
ルフアライメント性の向上効果も得られる。
【０１３３】−第３の具体例−上記第２の具体例のよう
に、信号接続用リード１２とダイパッド１３の辺部との
間に吊りリード４７を設けた場合、半導体チップ１５内
に搭載される素子の種類によっては（例えばバイポーラ
トランジスタなど）、吊りリード４７に接続されている
信号接続用リード１２を信号伝達用に使用すると不具合
が生じることがある。そこで、本実施形態では、このよ
うな不具合を回避するための工夫について説明する。
【０１３４】図１６は、本具体例における樹脂封止型半
導体装置の樹脂封止工程におけるリードフレームの一部
を示す図である。本具体例では、吊りリード４７の一部
を封止樹脂から露出させる。つまり、封止金型内で吊り
リード４７の曲げ部４８の立ち上がり部４９が封止テー
プ２１に食い込むような形状にリードフレームを形成し
ておく。そして、樹脂封止工程の終了後に、図１６の点
線に示すごとくこの立ち上がり部４９をレーザー等によ
って切断する。このように吊りリード４７の一部を切断
することで、吊りリード４７につながっている信号接続
用リード１２と、ダイパッド１３との間が電気的に非導
通状態となるので、当該信号接続用リード１２を信号伝
達用に使用しても何ら不具合が生じない。一方、封止樹
脂によって封止された後なので、吊りリード４７の役割
は既に果たしており、このように切断されても何ら不具
合は生じない。また、樹脂封止工程の後も吊りリード４
７にバネ機能が残ったまま放置すると、封止樹脂内に残
留応力が存在することで、信頼性が低下するおそれもあ
るが、そのような不具合を確実に回避することができ
る。
【０１３５】なお、樹脂封止工程の終了後に、封止テー
プ２１をつけたままで封止テープ２１の上から吊りリー
ド４７の立ち上がり部４９を切断してもよい。その場
合、切断部の周囲が封止テープ２１によって覆われてい
るので、レーザーによる溶融物が周囲に飛散しても、封
止テープ２１を剥がすことによって飛散物を樹脂封止型
半導体装置から容易に除去できるという利点がある。
【０１３６】−第４の具体例−上記第３の具体例のよう
に吊りリード４７の一部を切断する場合、切断に手間取
ることも考えられる。そこで、本具体例では、吊りリー
ドの切断を容易にするための工夫について説明する。
【０１３７】図１７は、第４の具体例に係るリードフレ
ームの一部を示す断面図である。同図に示すように、本
具体例における吊りリード４７の曲げ部４８の立ち上が
り部４９において、表側に切り込みが設けられている。
【０１３８】本具体例では、吊りリード４７の立ち上が
り部４９に切り込みが設けられていることによって、樹
脂封止工程の終了後に立ち上がり部４９をレーザー等で
切断する作業を容易かつ迅速に行なうことができる。
【０１３９】以上の各具体例で説明したように、本実施
形態における各具体例の製造工程によって得られる樹脂
封止型半導体装置は、図１に示す樹脂封止型半導体装置
と同様に、ダイパッド１３及び信号接続用リード１２が
部分的に封止樹脂から露出している。特に、本実施形態
の各具体例では、外枠とダイパッドとの間に高低差を設
けたので、外枠に加えられる型締め力が吊りリードを介
してダイパッドに確実に伝えられ、封止テープにダイパ
ッドを食い込ませることができ、ダイパッドの下部が封
止樹脂から露出した構造を確実に得ることができる。
【０１４０】また、本実施形態の各具体例に関する各図
に示すように、第３の実施形態のようにダイパッドの下
面を信号接続用リードの下面よりも下方に位置させたい
場合にも、本実施形態の吊りリードの構造を採用するこ
とで、著効を発揮することができる。
【０１４１】なお、本実施形態においても、ダイパッド
１３に図１に示すような凸部を形成し、この凸部のみを
封止樹脂から露出させる構造を採用することができる。
その方がダイパッド１３に対する封止樹脂１７の保持力
を高くすることができる点で、より好ましいといえる。
【０１４２】（第５の実施形態）本実施形態では、ダイ
パッドの封止樹脂からの突出量を調整するための樹脂封
止方法について説明する。
【０１４３】図１８は、本実施形態に係る樹脂封止型半
導体装置の製造工程における樹脂封止工程を示す断面図
である。同図に示すように、上金型５０ａと下金型５０
ｂとからなる封止金型を用い、ダイパッド１３上に半導
体チップ１５を搭載し、半導体チップの電極パッドと信
号接続用リード１２とを金属細線１６で接続したものを
封止金型の下金型５０ｂに装着し、リードフレームの下
面に封止テープ２１を密着させた状態で樹脂封止を行な
う。
【０１４４】ここで、本実施形態の製造方法の特徴は、
下金型５０ｂにおいて、リードフレームの信号接続用リ
ード１２（及び外枠４６）に対向する領域には凹状の第
１の逃げ部５２が、ダイパッド１３に対向する領域には
凹状の第２の逃げ部５３がそれぞれ設けられている点で
ある。
【０１４５】このように封止金型に逃げ部５２，５３を
設けておくことにより、封止テープ２１を逃げ部５２，
５３の方に逃すことで、信号接続用リード１２及びダイ
パッド１３の封止テープ２１への食い込み量が小さくな
る。その結果、封止金型の型締め力だけでなく逃げ部５
２，５３の深さによって、突出させようとする部分の突
出量を所望の値に調整することでき、樹脂バリの発生量
も最小化することができる。
【０１４６】（第６の実施形態）本実施形態では、ダイ
パッドの封止樹脂からの突出量を大きく確保するための
樹脂封止方法について説明する。
【０１４７】図１９は、本実施形態に係る樹脂封止型半
導体装置の製造工程における樹脂封止工程を示す断面図
である。同図に示すように、上金型５０ａと下金型５０
ｂとからなる封止金型を用い、ダイパッド１３上に半導
体チップ１５を搭載し、半導体チップの電極パッドと信
号接続用リード１２とを金属細線１６で接続したものを
封止金型の下金型５０ｂに装着し、リードフレームの下
面に封止テープ２１を密着させた状態で樹脂封止を行な
う。
【０１４８】ここで、本実施形態の製造方法の特徴は、
封止テープ２１におけるダイパッド１３の下方に位置す
る部分には貫通孔２５が形成され、下金型５０ｂのダイ
パッド１３に対向する領域には吸引孔５４がそれぞれ設
けられている点である。この封止テープ２１の貫通孔２
５は下金型５０ｂの吸引孔５４よりも大きく、吸引孔５
４が確実に貫通孔２５の位置になるように制御しやすく
なっている。そして、吸引孔５４は、真空引き装置に連
通されていて、真空引き装置の吸引作用によってダイパ
ッド１３を吸引孔５４の側に付勢し、封止テープ２１へ
の食い込み量を大きくするように構成されている。
【０１４９】本実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造
方法によると、封止テープ２１に貫通孔２５を、封止金
型に吸引孔５４をそれぞれ設けておくことにより、ダイ
パッド１３の封止テープ２１への食い込み量が大きくな
る。その結果、面積が大きく、かつ封止金型の型締め力
の伝わりにくいダイパッド１３を封止樹脂から大きく突
出させることが可能になる。
【０１５０】ただし、ダイパッドだけでなく、封止樹脂
から確実に突出させたい部品がある場合にも本実施形態
の方法を適用することができる。
【０１５１】（その他の実施形態）上記各実施形態で
は、半導体チップの電極パッドと信号接続用リードとを
金属細線によって接続するようにしているが、本発明の
接続部材は金属細線に限定されるものではない。すなわ
ち、実施形態によっては、半導体チップを基板上にバン
プを介してフリップチップ実装してなるものを封止樹脂
内に封止するようにした樹脂封止型半導体装置であって
もよい。
【０１５２】なお、金型に真空引き用の穴を設け、封止
テープ２１を真空引きしながら樹脂封止を行なうことに
より、封止テープのシワの発生を抑制し、封止樹脂の裏
面の平坦化を図ることもできる。
【０１５３】
【発明の効果】本発明の第１のリードフレームによる
と、ダイパッドの下面側に、下方に突出した凸部と該凸
部を取り囲むフランジ部とを設けたので、樹脂封止を行
なう際に、ダイパッドの凸部の下面を封止樹脂から露出
させながらダイパッドのフランジ部の下方に封止樹脂を
存在させることが可能となり、樹脂封止型半導体装置に
おけるダイパッドに対する封止樹脂の保持力の向上と、
水分等の侵入の抑制による信頼性の向上とを図ることが
できる。
【０１５４】本発明の第２のリードフレームによると、
ダイパッドに貫通孔を設けたので、樹脂封止を行なう際
に貫通孔内にも封止樹脂を存在させることにより、ダイ
パッドに対する封止樹脂の保持力の向上と耐湿性の向上
とを図ることができる。
【０１５５】本発明の第３のリードフレームによると、
外枠よりもダイパッドを下方に位置させるとともに吊り
リードをダイパッドと外枠との間に介設したので、樹脂
封止を行なう際に、外枠に加わる封止金型の型締め力を
ダイパッドに確実に印加することができ、封止テープに
ダイパッドが食い込むことによるダイパッドの突出量を
確保することができる。
【０１５６】本発明の第４のリードフレームによると、
外枠よりもダイパッドを下方に位置させるとともに吊り
リードを信号接続用リードとダイパッドとの間に設ける
構造としたので、樹脂封止を行なう際に、外枠に加わる
封止金型の型締め力をダイパッドにさらに確実に伝える
ことができ、よって、第３のリードフレームの効果を顕
著に発揮することができる。
【０１５７】本発明の第１の樹脂封止型半導体装置によ
ると、上記第１のリードフレームを用いて半導体チップ
をリードフレーム上に搭載したものを用い、ダイパッド
の下面を露出させて封止樹脂内に埋設しているので、ダ
イパッドに対する封止樹脂の保持力の増大と耐湿性の向
上とを図ることができる。
【０１５８】本発明の第２の樹脂封止型半導体装置によ
ると、ダイパッドの下面を封止樹脂から露出させるとと
もに、ダイパッドに貫通孔を設けているので、ダイパッ
ドに対する封止樹脂の保持力の増大と耐湿性の向上とを
図ることができる。
【０１５９】本発明の第３の樹脂封止型半導体装置によ
ると、ダイパッドの一部と信号接続用リードの一部とは
封止樹脂から露出させるとともに、ダイパッドの下面と
信号接続用リードの下面との高さ位置を互いに異ならせ
たので、半導体装置の実装基板上への搭載時におけるセ
ルフアライメントに要する時間の短縮と位置精度の向上
と実装性の向上とを図ることができる。
【０１６０】本発明の第４の樹脂封止型半導体装置によ
ると、ダイパッドの一部と信号接続用リードの一部とを
封止樹脂から露出させるとともに、吊りリードの一部を
バネとして機能できる構造としたので、樹脂封止を行な
う際に外枠に加わる封止金型の型締め力をダイパッドに
確実に印加しながら吊りリードの変形を吸収することが
でき、ダイパッド等のスタンドオフ高さを確保すること
ができる。
【０１６１】本発明の第５の樹脂封止型半導体装置によ
るとは、ダイパッドの一部と信号接続用リードの一部と
を封止樹脂から露出させるとともに、吊りリードをダイ
パッドと信号接続用リードとの間に介設する構造とした
ので、樹脂封止を行なう際に外枠に加わる封止金型の型
締め力をダイパッドに確実に印加することができ、上記
第４の樹脂封止型半導体装置の効果を顕著に発揮するこ
とができる。
【０１６２】本発明の第１の樹脂封止型半導体装置の製
造方法によると、ダイパッドの一部と信号接続用リード
の一部とを封止樹脂から露出させるとともに、ダイパッ
ドの下面が信号接続用リードの下面よりも下方に位置さ
せるようにしたので、実装基板上に搭載する際における
セルフアライメント機能の高い樹脂封止型半導体装置を
形成することができる。
【０１６３】本発明の第２の樹脂封止型半導体装置の製
造方法によると、ダイパッドの一部と信号接続用リード
の一部とを封止樹脂から露出させるとともに、吊りリー
ドをダイパッドと信号接続用リードとの間に介設してお
き、吊りリードの一部を切断するようにしたので、いず
れの信号接続用リードを信号接続のために使用すること
が可能な樹脂封止型半導体装置を形成することができ
る。
【０１６４】本発明の第３の樹脂封止型半導体装置の製
造方法によると、吸引孔を有する封止金型と吸引孔の位
置に貫通孔を有する封止テープとを用い、吸引孔及び貫
通孔から突出させたい部分を吸引しながら樹脂封止を行
なうようにしたので、所望の部分が封止樹脂から十分突
出した樹脂封止型半導体装置を形成することができる。
【０１６５】本発明の第４の樹脂封止型半導体装置の製
造方法によると、封止樹脂から露出させたい部位に厚み
が１０〜１５０μｍの封止テープを用いて樹脂封止を行
なうようにしたので、所望の部分が封止樹脂から突出し
た樹脂封止型半導体装置を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る樹脂封止型半導
体装置の封止樹脂を透過して示す断面図である。
【図２】第１の実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造
工程におけるリードフレームを用意する工程を示す断面
図である。
【図３】第１の実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造
工程におけるダイパッド上に半導体チップを接合する工
程を示す断面図である。
【図４】第１の実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造
工程における金属細線を形成する工程を示す断面図であ
る。
【図５】第１の実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造
工程における封止テープをリードフレームの下に敷く工
程を示す断面図である。
【図６】第１の実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造
工程における樹脂封止工程を示す断面図である。
【図７】本発明の第２の実施形態の第１の具体例に係る
リードフレームの平面図及び断面図である。
【図８】本発明の第２の実施形態の第１の具体例の変形
例に係るリードフレームの平面図である。
【図９】本発明の第２の実施形態の第２の具体例に係る
リードフレームの平面図及び断面図である。
【図１０】本発明の第２の実施形態の第２の具体例の変
形例に係るリードフレームの平面図である。
【図１１】本発明の第３の実施形態に係る樹脂封止型半
導体装置の平面図及び断面図である。
【図１２】第３の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置
を実装基板上に搭載した状態を示す断面図である。
【図１３】本発明の第４の実施形態の第１の具体例に係
るリードフレームの平面図及び断面図である。
【図１４】本発明の第４の実施形態の第２の具体例に係
るリードフレームの平面図及び断面図である。
【図１５】本発明の第４の実施形態の第２の具体例に係
るリードフレームを用いた樹脂封止型半導体装置の製造
工程の一部を示す断面図である。
【図１６】本発明の第４の実施形態の第３の具体例にお
ける樹脂封止型半導体装置の樹脂封止工程におけるリー
ドフレームの一部を示す図である。
【図１７】本発明の第４の実施形態の第４の具体例にお
ける樹脂封止型半導体装置の樹脂封止工程におけるリー
ドフレームの一部を示す図である。
【図１８】本発明の第５の実施形態に係る樹脂封止型半
導体装置の製造工程における樹脂封止工程を示す断面図
である。
【図１９】本発明の第６の実施形態に係る樹脂封止型半
導体装置の製造工程における樹脂封止工程を示す断面図
である。
【図２０】従来の裏面側に外部電極を有するタイプの樹
脂封止型半導体装置の断面図である。
【符号の説明】
１２ 信号接続用リード １３ ダイパッド １４ 吊りリード １５ 半導体チップ １６ 金属細線 １７ 封止樹脂 １８ 外部電極 ２１ 封止テープ ２５ 貫通孔 ３０ 貫通孔 ４０ 実装基板 ４１ 電極 ４２ 放熱パッド ４３ はんだ ４５ 曲げ部 ４６ 外枠 ４７ 吊りリード ４８ 曲げ部 ４９ 立ち上がり部 ５０ａ 上金型 ５０ｂ 下金型 ５２ 第１逃げ部 ５３ 第２逃げ部 ５４ 吸引孔

Claims (32)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体チップを搭載する領域を囲む外枠
    と、 上記外枠によって囲まれる領域内に形成されたダイパッ
    ドと、 上記ダイパッドを上記外枠に接続させて支持する支持部
    と、 上記外枠に接続される信号接続用リードとを備え、 上記ダイパッドの下面側には、下方に突出した凸部と該
    凸部を取り囲むフランジ部とが形成されていることを特
    徴とするリードフレーム。
  2. 【請求項２】 半導体チップを搭載する領域を囲む外枠
    と、 上記外枠によって囲まれる領域内に形成されたダイパッ
    ドと、 上記ダイパッドを上記外枠に接続させて支持する支持部
    と、 上記外枠に接続される信号接続用リードとを備え、 上記ダイパッドには、穴が設けられていることを特徴と
    するリードフレーム。
  3. 【請求項３】 請求項２記載のリードフレームにおい
    て、 上記ダイパッドの穴は、下方で広くなった段付形状を有
    することを特徴とするリードフレーム。
  4. 【請求項４】 半導体チップを搭載する領域を囲む外枠
    と、 上記外枠によって囲まれる領域内に設けられたダイパッ
    ドと、 上記ダイパッドを上記外枠に接続させて支持する吊りリ
    ードと、 上記外枠に接続される信号接続用リードとを備え、 上記ダイパッドは、上記外枠よりも下方に位置している
    ことを特徴とするリードフレーム。
  5. 【請求項５】 請求項４記載のリードフレームにおい
    て、 上記吊りリードの一部がバネとして機能できるように曲
    げられていることを特徴とするリードフレーム。
  6. 【請求項６】 半導体チップを搭載する領域を囲む外枠
    と、 上記外枠によって囲まれる領域内に形成されたダイパッ
    ドと、 上記ダイパッドを上記外枠に接続させて支持するための
    吊りリードと、 上記外枠に接続される信号接続用リードとを備え、 上記ダイパッドは、上記外枠よりも下方に位置している
    とともに、 上記吊りリードは、上記信号接続用リードとダイパッド
    との間に設けられていることを特徴とするリードフレー
    ム。
  7. 【請求項７】 請求項６記載のリードフレームにおい
    て、 上記吊りリードは、一部がバネとして機能できるように
    曲げられていることを特徴とするリードフレーム。
  8. 【請求項８】 請求項７記載のリードフレームにおい
    て、 上記吊りリードの曲げられている部分のうち最下方にあ
    る一部が薄くなっていることを特徴とするリードフレー
    ム。
  9. 【請求項９】 電極パッドを有する半導体チップと、 上記半導体チップを支持するダイパッドと、 信号接続用リードと、 上記半導体チップの電極パッドと上記信号接続用リード
    とを電気的に接続する接続部材と、 上記ダイパッド，上記半導体チップ，信号接続用リード
    及び接続部材を封止する封止樹脂とを備え、 上記ダイパッドの下面側には、下方に突出した凸部と該
    凸部を取り囲むフランジ部とが設けられており、 上記ダイパッドの凸部のうち少なくとも下部は上記封止
    樹脂から露出している一方、上記ダイパッドのフランジ
    部が封止樹脂内に埋め込まれていることを特徴とする樹
    脂封止型半導体装置。
  10. 【請求項１０】 電極パッドを有する半導体チップと、 上記半導体チップを支持するダイパッドと、 信号接続用リードと、 上記半導体チップの電極パッドと上記信号接続用リード
    とを電気的に接続する接続部材と、 上記ダイパッド，上記半導体チップ，信号接続用リード
    及び接続部材を封止する封止樹脂とを備え、 上記ダイパッドの下部の少なくとも一部は上記封止樹脂
    から露出しており、かつ上記ダイパッドには穴が設けら
    れていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
  11. 【請求項１１】 請求項１０記載の樹脂封止型半導体装
    置において、 上記ダイパッドの穴は、下方で広くなった段付形状を有
    することを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
  12. 【請求項１２】 請求項１０又は１１記載の樹脂封止型
    半導体装置において、上記ダイパッドの下部の少なくと
    も一部は、上記封止樹脂から突出していることを特徴と
    する樹脂封止型半導体装置。
  13. 【請求項１３】 電極パッドを有する半導体チップと、 上記半導体チップを支持するダイパッドと、 信号接続用リードと、 上記半導体チップの電極パッドと上記リードとを電気的
    に接続する接続部材と、上記ダイパッド，上記半導体チ
    ップ，信号接続用リード及び接続部材を封止する封止樹
    脂とを備え、 上記ダイパッドの下部の少なくとも一部と上記信号接続
    用リードの下部の少なくとも一部とは上記封止樹脂から
    露出しており、 上記ダイパッドの露出している部分の下面と、上記信号
    接続用リードの露出している部分の下面とは互いに高さ
    位置が異なることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
  14. 【請求項１４】 請求項１３記載の樹脂封止型半導体装
    置において、 上記ダイパッドの露出している部分の下面は、上記信号
    接続用リードの露出している部分の下面よりも下方に位
    置していることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
  15. 【請求項１５】 請求項１３又は１４記載の樹脂封止型
    半導体装置において、 上記ダイパッドの露出している部分の下面と、上記信号
    接続用リードの露出している部分の下面との高さの差
    は、１０〜１５０μｍであることを特徴とする樹脂封止
    型半導体装置。
  16. 【請求項１６】 請求項１３−１５のうちいずれか１つ
    に記載の樹脂封止型半導体装置において、上記ダイパッ
    ドの下部の少なくとも一部及び上記信号接続用リードの
    下部の少なくとも一部は、いずれも上記封止樹脂から突
    出していることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
  17. 【請求項１７】 電極パッドを有する半導体チップと、 上記半導体チップを支持するダイパッドと、 上記ダイパッドを支持するための吊りリードと、 信号接続用リードと、 上記半導体チップの電極パッドと上記信号接続用リード
    とを電気的に接続する接続部材と、 上記ダイパッド，上記半導体チップ，信号接続用リード
    及び接続部材を封止する封止樹脂とを備え、 上記ダイパッドの下部の少なくとも一部と上記信号接続
    用リードの下部の少なくとも一部とは上記封止樹脂から
    露出しており、 上記吊りリードは、上記ダイパッドのコーナー部から封
    止樹脂の側面まで延びており、一部がバネとして機能で
    きるように曲げられていることを特徴とする樹脂封止型
    半導体装置。
  18. 【請求項１８】 請求項１７記載の樹脂封止型半導体装
    置において、 上記ダイパッドの露出している部分の下面は、上記信号
    接続用リードの露出している部分の下面よりも下方に位
    置していることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
  19. 【請求項１９】 電極パッドを有する半導体チップと、 上記半導体チップを支持するダイパッドと、 上記ダイパッドを支持するための吊りリードと、 信号接続用リードと、 上記半導体チップの電極パッドと上記信号接続用リード
    とを電気的に接続する接続部材と、 上記ダイパッド，上記半導体チップ，信号接続用リード
    及び接続部材を封止する封止樹脂とを備え、 上記ダイパッドの下部の少なくとも一部と上記信号接続
    用リードの下部の少なくとも一部とは上記封止樹脂から
    露出しており、 上記吊りリードは、上記ダイパッドと信号接続用リード
    との間に介設されていることを特徴とする樹脂封止型半
    導体装置。
  20. 【請求項２０】 請求項１９記載の樹脂封止型半導体装
    置において、 上記吊りリードは、一部がバネとして機能できるように
    曲げられていることを特徴とする樹脂封止型半導体装
    置。
  21. 【請求項２１】 請求項２０記載の樹脂封止型半導体装
    置において、 上記吊りリードの一部が切断されていることを特徴とす
    る樹脂封止型半導体装置。
  22. 【請求項２２】 請求項２１記載の樹脂封止型半導体装
    置において、 上記吊りリードの切断部の周辺の厚みは、吊りリードの
    他の部分よりも薄いことを特徴とする樹脂封止型半導体
    装置。
  23. 【請求項２３】 請求項１９〜２２のうちいずれか１つ
    に記載の樹脂封止型半導体装置において、 上記ダイパッドの露出している部分の下面は、上記信号
    接続用リードの露出している部分の下面よりも下方に位
    置していることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
  24. 【請求項２４】 請求項９〜２３のうちいずれか１つに
    記載の樹脂封止型半導体装置において、 上記信号接続用リードの少なくとも一部には、溝部が形
    成されていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
  25. 【請求項２５】 半導体チップを搭載する領域を囲む外
    枠と、上記半導体チップを支持するためのダイパッド
    と、上記ダイパッドを上記外枠に接続するための吊りリ
    ードと、上記外枠に接続される信号接続用リードとを有
    し、かつ上記ダイパッドが上記信号接続用リードよりも
    下方に位置しているリードフレームを用意する第１の工
    程と、 上記ダイパッドの上に、電極パッドを有する半導体チッ
    プを搭載する第２の工程と、 上記半導体チップの電極パッドと上記信号接続用リード
    とを金属細線を介して電気的に接続する第３の工程と、 上記リードフレームのダイパッドの下面の少なくとも一
    部と信号接続用リードの下面の少なくとも一部とに封止
    テープを密着させながら、封止テープを封止金型に装着
    する第４の工程と、 上記ダイパッド，半導体チップ，信号接続用リード及び
    金属細線を封止樹脂により封止する第５の工程と、 上記封止テープを除去する第６の工程とを備え、 上記ダイパッドの下面の少なくとも一部と上記信号接続
    用リードの下面の少なくとも一部とが上記封止樹脂の裏
    面から露出しているとともに、上記ダイパッドの露出し
    ている部分の下面が上記信号接続用リードの露出してい
    る部分の下面よりも下方に位置している樹脂封止体を得
    ることを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
  26. 【請求項２６】 半導体チップを搭載する領域を囲む外
    枠と、上記半導体チップを支持するためのダイパッド
    と、上記外枠に接続される信号接続用リードと、上記ダ
    イパッドと信号接続用リードとの間に介設された吊りリ
    ードとを有するリードフレームを用意する第１の工程
    と、 上記ダイパッドの上に、電極パッドを有する半導体チッ
    プを搭載する第２の工程と、 上記半導体チップの電極パッドと上記信号接続用リード
    とを金属細線を介して電気的に接続する第３の工程と、 上記リードフレームのダイパッドの下面の少なくとも一
    部と信号接続用リードの下面の少なくとも一部とに封止
    テープを密着させながら、封止テープを封止金型に装着
    する第４の工程と、 上記ダイパッド，半導体チップ，信号接続用リード及び
    金属細線を封止樹脂により封止する第５の工程と、 上記吊りリードの一部を切断する第６の工程と、 上記封止テープを除去する第７の工程とを備え、 上記ダイパッドの下面の少なくとも一部と上記信号接続
    用リードの下面の少なくとも一部とが上記封止樹脂の裏
    面から露出している樹脂封止体を得ることを特徴とする
    樹脂封止型半導体装置の製造方法。
  27. 【請求項２７】 請求項２５又は２６記載の樹脂封止型
    半導体装置の製造方法において、 上記第１の工程では、表面に金属メッキ層が形成された
    リードフレームを用意することを特徴とする樹脂封止型
    半導体装置の製造方法。
  28. 【請求項２８】 請求項２５又は２６記載の樹脂封止型
    半導体装置の製造方法において、 上記第４の工程では、上記ダイパッドの下面の少なくと
    も一部と上記信号接続用リードの下面の少なくとも一部
    との上記封止樹脂の裏面からの突出量が所望の値になる
    ように、所定厚みの封止テープを用いることを特徴とす
    る樹脂封止型半導体装置の製造方法。
  29. 【請求項２９】 請求項２５又は２６記載の樹脂封止型
    半導体装置の製造方法において、 上記封止金型のうち上記ダイパッド及び信号接続用リー
    ドの突出させる部分に対向する領域に逃げ溝を形成して
    おき、 上記第５の工程では、上記ダイパッドの下面の少なくと
    も一部と上記信号接続用リードの下面の少なくとも一部
    とを上記逃げ溝に逃した状態で樹脂封止を行なうことに
    より、上記封止樹脂の裏面からの突出量を調整すること
    を特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
  30. 【請求項３０】 吸引孔を有する封止金型と、半導体チ
    ップと、半導体チップの周辺部材とを用意する第１の工
    程と、 上記周辺部材と封止金型との間に上記周辺部材の表面の
    一部に密着する封止テープを装着する第２の工程と、 上記封止テープのうち上記周辺部材に密着している部分
    の一部に穴を形成する第３の工程と、 上記封止金型の吸引孔から上記穴を介して上記周辺部材
    の一部を吸引する第４の工程と、 上記封止テープを装着した状態で上記半導体チップ及び
    上記周辺部材の少なくとも上記表面の一部を除く部分を
    封止樹脂内に封止する第５の工程と、 上記第３の工程の後に上記封止テープを除去する第６の
    工程とを備え、 上記第４の工程の終了後には、上記周辺部材の少なくと
    も上記表面の一部が上記封止樹脂から突出して露出して
    いることを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方
    法。
  31. 【請求項３１】 請求項３０記載の樹脂封止型半導体装
    置の製造方法において、 上記第１の工程では、半導体チップの周辺部材として、
    ダイパッドを有するリードフレームを用意し、 上記第２の工程における周辺部材の表面の一部は、上記
    リードフレームのダイパッドであることを特徴とする樹
    脂封止型半導体装置の製造方法。
  32. 【請求項３２】 封止金型と半導体チップと半導体チッ
    プの周辺部材とを用意する第１の工程と、 上記周辺部材と封止金型との間に上記周辺部材の表面の
    一部に密着する厚みが１０〜１５０μｍの封止テープを
    装着する第２の工程と、 上記封止テープを装着した状態で上記半導体チップ及び
    上記周辺部材の少なくとも上記表面の一部を除く部分を
    封止樹脂内に封止する第３の工程と、 上記第３の工程の後に上記封止テープを除去する第４の
    工程とを備え、 上記第４の工程の終了後には、上記周辺部材の少なくと
    も上記表面の一部が上記封止樹脂から突出して露出して
    いることを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方
    法。
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