JPH10259938A - 半導体装置生産用クリーンルーム - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 クリーンルーム内においてウエハ表面や生産
装置のケミカル汚染を防止し、かつケミカル汚染防止に
要するコストを低く抑える。 【解決手段】 半導体装置を生産するための生産空間２
の天井側に配置されたフィルタ６からエアーを吹き出す
とともに生産空間２の床３に形成された貫通孔（通気
部）３ａを介して床下４にエアーを戻し、このエアーを
外部から取り込んだフレッシュエアーと混合して再び生
産空間２内を循環させる半導体装置生産用クリーンルー
ム１であって、外部から取り込こんだフレッシュエアー
の一部を生産空間２内を循環するエアーと混合すること
なく天井側に送り込んでこの天井側から生産空間２内の
所定の領域に吹き出すフレッシュエアー供給手段２０を
備えている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置を生産
するための半導体装置生産用クリーンルームに関するも
のである。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置の微細化、集積化の高度な進
展に伴って清浄度が非常に高いクリーンルームが要求さ
れている。そして現在では、このような清浄な空間を作
り出すためのクリーンルーム方式として、特開平８−８
８１５５号公報にも開示されているような全面垂直層流
方式が広く採用されている。全面垂直層流方式のクリー
ンルームでは、図３に示すように、半導体装置を生産す
るための生産空間６１の天井側に例えばＨＥＰＡ（high
efficiency particulate air)フィルタ６２が設けられ
ている。そして生産空間６１の天井側からＨＥＰＡフィ
ルタ６２を介してエアーを吹き出すとともに生産空間６
１の床６３に形成された通気部６４を介して床下６５に
エアーを戻し、このエアーと外部から取り込んで外気処
理した外気（フレッシュエアー）とを空調機６６により
混合して再び天井側から吹き出すようになっている。す
なわち、ＨＥＰＡフィルタ６２に通して生産空間６１内
のエアーを循環させることにより、生産空間６１内の清
浄度を保つように構成されている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来のクリーンルームでは、ＨＥＰＡフィルタを設け
てエアーから塵埃粒子を除去しているもののケミカル汚
染物質を除去する対策が図られておらず、しかも生産空
間内にエアーを循環させる構成となっている。このた
め、生産空間内にケミカル汚染発生源、例えば半導体装
置を生産するための製造装置や作業者、部材等が存在す
ると、これらから発生したケミカル汚染物質が生産空間
全体に拡がり、ウエハ表面等を汚染して半導体装置の生
産に悪影響を与えるといった不具合が発生する。

【０００４】例えばフッ酸を用いて処理を行う製造装置
からフッ酸のガスが漏洩した場合、循環するエアーとと
もにこのフッ酸がＨＥＰＡフィルタを通過する。その
際、フッ酸がＨＥＰＡフィルタのろ材であるホウ素ガラ
ス繊維からホウ素の揮発を促進し、揮発したホウ素がウ
エハ表面に吸着する。このウエハ表面に吸着したホウ素
は、後にウエハ表面に形成される半導体装置の動作不良
を引き起こしてしまうのである。また作業者等から発生
するアンモニア等のアルカリ性ガスがレジストの解像の
障害となって微細パターン形成に悪影響を及ぼし、また
微細パターン形成に用いる露光装置のレンズを曇らせる
等の障害を発生させる。

【０００５】ケミカル汚染の対策としては、例えば生産
装置の天井側にＨＥＰＡフィルタとともに、ケミカル汚
染物質を吸着除去するケミカルフィルタを設けることが
考えられる。ところが、この場合には広い配置面積が必
要であるうえ、ケミカル汚染されたエアーを通過させる
ことからケミカルフィルタの寿命が短く、したがってイ
ニシャルコストおよびランニングコストが膨大になると
予想されるため、採用が難しいのが現状である。

【０００６】

【課題を解決するための手段】そこで、上記課題を解決
するためにこの発明は、半導体装置を生産するための生
産空間の天井側からエアーを吹き出すとともに生産空間
の床に形成された通気部を介して床下にエアーを戻し、
このエアーを外部から取り込んだフレッシュエアーと混
合して再び生産空間内を循環させる半導体装置生産用ク
リーンルームであって、外部から取り込こんだフレッシ
ュエアーの一部を生産空間内を循環するエアーと混合す
ることなく天井側に送り込んでこの天井側から生産空間
内の所定の領域に吹き出すフレッシュエアー供給手段を
備えていることを特徴とする。

【０００７】この発明では、フレッシュエアー供給手段
を備えていることから、所定の領域には生産空間内を循
環するエアーと混合されていないフレッシュエアーが供
給され、生産空間内を循環するエアーが供給されない。
このため、生産空間内の生産装置や作業者、その他の要
因から発生したケミカル汚染物質が、生産空間内を循環
するエアーとともに生産空間内に吹き出され生産空間全
体に拡がっても、またケミカル汚染物質を除去するため
の処理材を設けなくても所定の領域は局所的にケミカル
汚染されていない清浄度の高い領域となる。

【０００８】なおフレッシュエアー供給手段が、フレッ
シュエアーから汚染物質を取り除くための第１処理材を
備えている場合には、第１処理材を通過させるフレッシ
ュエアーが生産空間内を循環するエアーによってケミカ
ル汚染されていないため、第１処理材の寿命を長く保て
る。

【０００９】

【発明の実施の形態】以下、この発明に係る半導体装置
生産用クリーンルームの実施形態を図面に基づいて説明
する。図１は、この発明の半導体装置生産用クリーンル
ームの第１実施形態を示す概略構成図であり、クリーン
ルームの生産空間の図中ハッチングで示す領域（天井面
から床面までの領域）をケミカル汚染されていないゾー
ン（所定の領域）Ａとする場合を示している。

【００１０】図１に示すようにこの半導体装置生産用ク
リーンルーム（以下、単にクリーンルームと記す）１は
全面垂直層流方式を採用しており、クリーンルーム１の
生産空間２の天井裏５からフィルタ６を介してゾーンＡ
以外の生産空間２内にエアーを吹き出すとともに、生産
空間２の床３に形成された通気部を介して床下４にエア
ーを戻し、このエアーと外部から取り込んだフレッシュ
エアー（外気）とを空調機９により混合して天井裏５に
供給して、再び生産空間２内を循環させるようになって
いる。また、外部から取り込んだフレッシュエアーをそ
の循環させる生産空間２内のエアーと混合することなく
ゾーンＡに供給するフレッシュエアー供給手段２０を備
えている。

【００１１】ここでは、ゾーンＡに生産空間２の床３上
に半導体装置を生産するための製造装置、測定装置等か
らなる生産装置３０が設置されている。また上記フィル
タ６は、例えばＨＥＰＡフィルタ、ＵＬＰＡ（ultra lo
w penetration air)フィルタ等の塵埃除去フィルタで構
成されており、このフィルタ６によって天井面が形成さ
れている。さらに例えばフィルタ６上には送風機が取り
付けられており、ゾーンＡの直上に位置するフィルタ６
以外のフィルタ６は、送風機によって天井裏５に供給さ
れたエアーが通過するようになっている。また床３は、
その床面に床下４に通じる貫通孔（通気部）３ａが多数
形成されたものからなっている。

【００１２】また生産空間２の外部には、床下４の空間
に連続しかつ連通する空気調和部１０が設けられてお
り、空気調和部１０に空調機９が設置されている。この
空気調和部１０には、外部からフレッシュエアーを取り
込むとともにフレッシュエアー中の塵埃やイオン等を除
去しかつ温湿度を調整する等、いわゆる外気処理を行う
外気処理部７が第１通風路８を介して接続されている。
さらに生産空間２の外部には、空調機９から吹き出され
たエアーを天井裏５に送るための第２通風路１１が形成
されている。

【００１３】一方、フレッシュエアー供給手段２０は、
第１通風路８から分岐して天井裏５へと延び、さらにフ
ィルタ６側に延びてゾーンＡに向けて開口した第３通風
路２１と、第３通風路２１を仕切る状態で設けられた第
１処理材２２とを備えて構成されている。上記第３通風
路２１は、その開口内にゾーンＡの直上に位置するフィ
ルタ６が配置されるように設けられている。よって、ゾ
ーンＡの直上のフィルタ６は、フレッシュエアーの吹き
出し側の面以外がその他のフィルタ６から隔離されてい
る。またゾーンＡの直上のフィルタ６は、例えばフィル
タ６上に配置された送風機によって、第３通風路２１内
のフレッシュエアーが通過するようになっている。

【００１４】また第１処理材２２は、フレッシュエアー
の外気処理の程度により汚染種を除去するのに必要最低
限の処理材、例えばケミカル汚染物質を除去するケミカ
ルフィルタ、またはＨＥＰＡフィルタやＵＬＰＡフィル
タ等の塵埃粒子を除去するフィルタで構成されている。
あるいはケミカルフィルタおよび塵埃粒子を除去するフ
ィルタから構成されている。ケミカルフィルタとして
は、例えばイオン交換繊維や活性炭素繊維を用いて構成
されてエアー中のケミカル汚染物質を吸着除去するもの
が挙げられる。

【００１５】このフレッシュエアー供給手段２０では、
生産空間２のゾーンＡ内の圧力がそれ以外の領域に対し
て僅かに高い圧力となるようにフレッシュエアーの吹き
出し量が設定されている。また生産空間２のゾーンＡに
設置された生産装置３０の下部側には、ゾーンＡの生産
装置３０を通過したエアーを外部に排気するための排気
手段３１が接続されている。ここでは、排気手段３１は
例えば排気ダクトからなり、生産装置３０の下部側から
床下４を通って外部へと延びて形成されている。さらに
ゾーンＡには、フィルタ６から吹き出されたフレッシュ
エアーの流路に生産空間１２内を循環するエアーが流入
するのを防止するためのカーテン３２が、フィルタ６の
吹き出し側の面からゾーンＡの上部側を囲むように吊設
されている。このカーテン３２は、ケミカル汚染物質を
発生せずかつ発塵し難い材料、例えば塩化ビニール等で
形成されている。

【００１６】このように構成されたクリーンルーム１で
は、天井裏５に送られたエアーがゾーンＡの直上に位置
するフィルタ６以外のフィルタ６を通ることで清浄化さ
れてゾーンＡ以外の生産空間２に吹き出され、床面の貫
通孔３ａを通過して床下４に流出され、さらに空気調和
部９の空調機８へ流れる。そして外気処理部７にて外気
処理されたフレッシュエアーと混合されて第２通風路１
１から天井裏５に送られ、再び生産空間２内を循環す
る。

【００１７】一方、フレッシュエアー供給手段２０によ
って、外気処理部７で外気処理されたフレッシュエアー
の一部が第３通風路２１に流れ、第１処理材２２を介し
てゾーンＡの直上のフィルタ６へと送られる。この際、
フレッシュエアーは生産空間２内を循環するエアーと混
合されることなく直接フィルタ６へと送られ、フィルタ
６を介してゾーンＡに吹き出される。また第１処理材２
２を通過することでケミカル汚染物質や塵埃粒子が除去
されるとともに、フィルタ６を通過することでさらに塵
埃粒子が除去され、所望のレベルに清浄化されたフレッ
シュエアーがゾーンＡに供給される。したがって、ゾー
ンＡは、局所的にケミカル汚染されていない極めて清浄
度の高い領域となる。

【００１８】なお、ゾーンＡを通過したエアーは、床面
の貫通孔３ａを通過して床下４に流出され、生産空間２
を循環するエアーとして処理される。すなわち、床下４
に流出された後、生産空間２を循環するエアーとともに
空気調和部９の空調機８により外気処理されたフレッシ
ュエアーと混合されて第２通風路１１から天井裏１３に
送られる。またゾーンＡの生産装置３０を通過すること
により得られた特にケミカル汚染の程度の大きいエアー
は、排気手段３１により外部へ排気される。

【００１９】以上のように第１実施形態に係るクリーン
ルーム１によれば、生産空間２内のゾーンＡに、生産空
間２内を循環するエアーと混合されていないフレッシュ
エアーを供給できる。よって、生産空間２内の生産装置
３０や作業者、その他の要因から発生したケミカル汚染
物質が、生産空間２内を循環するエアーによって生産空
間２全体に拡がっても、ゾーンＡを局所的にケミカル汚
染されていない極めて清浄度の高い領域とすることがで
きる。またフィルタ６の吹き出し側の面からゾーンＡを
囲むようにカーテン２３が設けられているとともに、ゾ
ーンＡ内の圧力がそれ以外の領域に対して僅かに高い圧
力となるように設定されていることから、ゾーンＡへ生
産空間２内を循環するエアーが流入し難く、ゾーンＡに
おいて清浄度の高い雰囲気を維持することができる。

【００２０】またフレッシュエアーが通る第３通風路２
１に第１処理材２２を設けて第１処理材２２を通過させ
るため、第１処理材２２の選択によってゾーンＡの清浄
化レベルを所望のレベルに容易に設定することができ
る。さらに第１処理材２２を通過させるフレッシュエア
ーは、生産空間２内を循環するエアーと混合されていな
いため、第１処理材２２の寿命を長く保つことができ
る。またゾーンＡ内の生産装置３０を通過したフレッシ
ュエアーのケミカル汚染の程度がたとえ大きくても、排
気手段３１によって外部に排気され、生産空間２を循環
するエアーに取り込まれるのを防止できるので、生産空
間２内のケミカル汚染の拡大を防止することができる。

【００２１】したがって、このクリーンルーム１によれ
ば、ゾーンＡにおいてウエハ表面や生産装置３０のケミ
カル汚染を防止できるので、例えばレジストの解像の障
害や露光装置のレンズを曇らせる等の障害を防ぐことが
でき、またケミカル汚染に起因する半導体装置の動作不
良の発生を防止することができる。よって、このクリー
ンルーム１は高集積化されしかも信頼性が高い半導体装
置を歩留り良く生産するうえで非常に有効なものとな
る。また第１処理材２２の寿命を長く保つことができる
ので、フレッシュエアー供給手段２０の設置に伴うイニ
シャルコスト、ランニングコストを最低限に抑えること
ができ、ケミカル汚染防止に要するコストを低く抑える
ことができる。

【００２２】なお、第１実施形態では、生産装置３０の
下部側に排気手段３１を接続した場合について述べた
が、ゾーンＡの生産装置３０を通過したエアーがほとん
ど汚染されず、生産空間２内にケミカル汚染物質が漏洩
する可能性がほとんどない場合には、排気手段３１を設
けずに構成することも可能である。また第３通風路２１
に第１処理材２２を設けたが、フレッシュエアーに要求
される清浄度のレベルによっては第１処理材２２を不要
とすることもできる。この場合には、第１処理材２２の
設置等に伴うコストを削減できるので、ケミカル汚染防
止に要するコストをより低く抑えることができる。さら
にゾーンＡを一箇所のみ設定したが、複数箇所設定でき
るのはもちろんである。

【００２３】次に、この発明の第２実施形態を図２に示
す概略構成図を用いて説明する。なお、図において第１
実施例と同一の形成要素には同一の符号を付して説明を
省略する。この実施形態において前述した第１実施形態
と相違するところは、生産空間２のケミカル汚染のない
領域とするゾーンＡが生産装置３０内の必要箇所、例え
ば特にウエハ処理に係わる露光装置の光学系やウエハ処
理部等である点にある。

【００２４】すなわちこのクリーンルーム４０では、生
産空間２の床３上に半導体装置を生産するための製造装
置、測定装置等からなる生産装置３０が複数設置されて
いる。またフレッシュエアー供給手段５０は、第１通風
路８から分岐して生産空間２のフィルタ６の下部側へと
延びた第４通風路５１と、第４通風路５１を仕切る状態
で設けられた第１処理材２２とを備えて構成されてい
る。第３通風路２１は、ケミカル汚染のない領域を設定
する各生産装置３０の上部側にそれぞれ接続されてい
る。

【００２５】また第３通風路２１が接続された生産装置
３０の上部側には、フレッシュエアー供給手段５０から
吹き出されたフレッシュエアーの流量を制御するための
ダンパ３３が設けられている。さらに生産装置３０の上
部側には、フレッシュエアー供給手段５０より吹き出さ
れたフレッシュエアーからさらに汚染物質を除去するた
めの第２処理材３４が設けられている。第２処理材３４
は、生産装置３０に吹き出されるフレッシュエアーの清
浄度をさらに高めるためのもので、例えばＨＥＰＡフィ
ルタ等で構成されている。

【００２６】このフレッシュエアー供給手段５０では、
生産装置３０内が生産空間２の圧力に対して僅かに高い
圧力となるようにフレッシュエアーの吹き出し量が設定
されている。またケミカル汚染のない領域を設定する各
生産装置３０の下部側には、生産装置３０を通過したエ
アーを外部に排気するための排気ダクトからなる排気手
段３１が接続されている。

【００２７】このように構成されたクリーンルーム４０
では、天井裏５に送られたエアーがフィルタ６を通るこ
とで清浄化されて生産空間２に吹き出され、床面の貫通
孔３ａを通過して床下４に流出され、さらに空気調和部
９の空調機８へ流れる。そして外気処理部７にて外気処
理されたフレッシュエアーと混合されて第２通風路１１
から天井裏５に送られ、再び生産空間２内を循環する。

【００２８】一方、フレッシュエアー供給手段５０によ
って、外気処理部７で外気処理されたフレッシュエアー
の一部が第４通風路５１に流れ、生産空間２内を循環す
るエアーと混合されることなく生産装置３０内に送ら
れ、ダンパ３３および第２処理材３４を介して生産装置
３０内のゾーンＡに吹き出される。この際、第１処理材
２２を通過することでケミカル汚染物質や塵埃粒子が除
去されるとともに、第２処理材３４を通過することでさ
らに塵埃粒子等が除去され、ハイレベルに清浄化された
フレッシュエアーがゾーンＡに供給される。したがっ
て、ゾーンＡは、局所的にケミカル汚染されていない極
めて清浄度の高い領域となる。なお、生産装置３０内の
ゾーンＡを通過したエアーは排気手段３１により外部へ
排気される。

【００２９】以上のように第２実施形態に係るクリーン
ルーム４０によれば、生産装置３０内のゾーンＡに、生
産空間２内を循環するエアーと混合されていないフレッ
シュエアーを直接供給できる。よって、生産空間２内の
その他の生産装置３０や作業者、その他の要因から発生
したケミカル汚染物質が、生産空間２内を循環するエア
ーによって生産空間２全体に拡がっても、生産装置３０
内のゾーンＡを局所的にケミカル汚染されていない極め
て清浄度の高い領域とすることができる。

【００３０】またこのクリーンルーム４０では、外気処
理部７と生産装置３０の上部側とを接続するフレッシュ
エアー供給手段５０の第４通風路５１と第１処理材２２
とを設けるだけで済み、生産装置３０の設置位置をその
ままとした状態で生産装置３０の所定の領域であるゾー
ンＡにフレッシュエアーを供給することができる。この
ため設備が大掛かりにならず、既存のクリーンルームに
容易に適用することができる。しかも、生産装置３０の
特にケミカル汚染防止が要求される、ウエハ処理に係わ
るゾーンＡに直接フレッシュエアーを供給することがで
きるため、処理するウエハ表面や生産装置３０における
ゾーンＡのケミカル汚染を一層確実に防止することがで
きる。

【００３１】また第１実施形態と同様、フレッシュエア
ーが通る第４通風路５１に第１処理材２２を設けて第１
処理材２２を通過させるため、第１処理材２２の選択に
よってゾーンＡの清浄化レベルを所望のレベルに容易に
設定することができる。またこの実施形態では生産装置
３０の上部側にさらに第２処理材３４を設けているた
め、清浄度がよりハイレベルのゾーンＡを得ることがで
きる。また第１処理材２２、第２処理材３４を通過させ
るフレッシュエアーが、生産空間２内を循環するエアー
と混合されていないため、第１処理材２２、第２処理材
３４の寿命を長く保つことができる。

【００３２】また生産装置３０を通過したエアーのケミ
カル汚染の程度がたとえ大きくても、排気手段３１によ
って外部に排気され、生産空間２を循環するエアーに取
り込まれるのを防止できるので、生産空間２内のケミカ
ル汚染の拡大を防止することができる。さらに生産装置
３０の上部側にダンパ３３が設けられているため、生産
装置３０内の圧力を自在に制御することができるととも
に、ゾーンＡが複数設定されている場合に、各ゾーンＡ
に均一にフレッシュエアーを供給することができる。こ
の結果、いずれのゾーンＡも気流が安定したハイレベル
の清浄な領域とすることができる。

【００３３】したがって、このクリーンルーム４０によ
れば、ウエハ表面や生産装置のケミカル汚染を一層確実
に防止できるので、クリーンルーム４０を用いることに
より、高集積化されかつ信頼性の高い半導体装置を歩留
り良く製造することができる。また第１処理材２２や第
２処理材３４の寿命を長く保つことができ、設備が簡易
で済むため、ケミカル汚染を除去するためのイニシャル
コスト、ランニングコストをさらに低く抑えることがで
き、ケミカル汚染防止に要するコストをより低減するこ
とができる。

【００３４】なお、第２実施形態では、生産装置３０の
下部側に排気手段３１を接続したが、生産装置３０を通
過したエアーのケミカル汚染度が非常に低く、生産空間
２内にケミカル汚染物質が漏洩する可能性がほとんどな
い場合には、排気手段３１を設けずに構成することも可
能である。また第４通風路５１に第１処理材２２を設け
たが、フレッシュエアーに要求される清浄度のレベルに
よっては第１処理材２２を不要とすることもできる。同
様に、フレッシュエアーに要求される清浄度のレベルに
よっては生産装置３０の上部側に第２処理材３４を設け
なくてもよい。この場合には、ケミカル汚染防止に要す
るコストをより低く抑えることができる。

【００３５】

【発明の効果】以上説明したようにこの発明に係る半導
体装置生産用クリーンルームによれば、フレッシュエア
ー供給手段を備えていることから、生産空間内の生産装
置や作業者、その他の要因から発生したケミカル汚染物
質が生産空間全体に拡がっても、またケミカル汚染物質
を除去するための処理材を設けなくても生産空間内の所
定の領域を局所的にケミカル汚染されていない清浄度の
高い領域とすることができる。また所定の領域をより清
浄度の高い領域とするためにフレッシュエアー供給手段
が第１処理材を備えている場合にも、第１処理材を通過
させるフレッシュエアーが生産空間内を循環するエアー
によってケミカル汚染されていないため、第１処理材の
寿命を長く保つことができる。したがって、所定の領域
においてウエハ表面や生産装置のケミカル汚染を防止で
き、かつケミカル汚染防止に要するコストを低く抑える
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明に係る半導体装置生産用クリーンルー
ムの第１実施形態を示す概略構成図である。

【図２】この発明に係る半導体装置生産用クリーンルー
ムの第２実施形態を示す概略構成図である。

【図３】従来のクリーンルームの一例を示す概略構成図
である。

【符号の説明】

１、４０ クリーンルーム ２ 生産空間 ３ 床 ３ａ 貫通孔 ４ 床下 ６ フィルタ ２０、５０ フレッシュエアー供給手段 ２２ 第１処理材 ３０ 生産装置 ３１ 排気手段 ３２ カーテン ３３ ダンパ ３４ 第２処理材 Ａ ゾーン

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体装置を生産するための生産空間の
   天井側からエアーを吹き出すとともに該生産空間の床に
   形成された通気部を介して床下にエアーを戻し、このエ
   アーを外部から取り込んだフレッシュエアーと混合して
   再び前記生産空間内を循環させる半導体装置生産用クリ
   ーンルームであって、 外部から取り込こんだフレッシュエアーの一部を前記生
   産空間内を循環するエアーと混合することなく前記天井
   側に送り込んでこの天井側から生産空間内の所定の領域
   に吹き出すフレッシュエアー供給手段を備えていること
   を特徴とする半導体装置生産用クリーンルーム。
2. 【請求項２】 前記所定の領域の前記天井側には、前記
   フレッシュエアー供給手段から吹き出されたフレッシュ
   エアーの流路に前記生産空間内を循環するエアーが流入
   するのを防ぐためのカーテンが設けられていることを特
   徴とする請求項１記載の半導体装置生産用クリーンルー
   ム。
3. 【請求項３】 前記生産空間の所定の領域には、半導体
   装置を生産するための生産装置が設置され、 該生産装置の下部側には、前記所定の領域に吹き出され
   たフレッシュエアーを外部に排気するための排気手段が
   接続されていることを特徴とする請求項１または２記載
   の半導体装置生産用クリーンルーム。
4. 【請求項４】 前記フレッシュエアー供給手段は、フレ
   ッシュエアーから汚染物質を取り除くための第１処理材
   を備えていることを特徴とする請求項１、２または３記
   載の半導体装置生産用クリーンルーム。
5. 【請求項５】 前記生産空間の所定の領域は、前記生産
   装置内であることを特徴とする請求項３または４記載の
   半導体装置生産用クリーンルーム。
6. 【請求項６】 前記生産装置の上部側には、前記フレッ
   シュエアー供給手段から吹き出されたフレッシュエアー
   の流量を制御するためのダンパが設けられていることを
   特徴とする請求項３、４または５記載の半導体装置生産
   用クリーンルーム。
7. 【請求項７】 前記生産装置の上部側には、前記フレッ
   シュエアー供給手段より吹き出されたフレッシュエアー
   からさらに汚染物質を除去するための第２処理材が設け
   られていることを特徴とする請求項３〜６のいずれか１
   項に記載の半導体装置生産用クリーンルーム。