JPH10261612A

JPH10261612A - ウエット処理方法及び処理装置並びに回転洗浄方法及び回転洗浄装置

Info

Publication number: JPH10261612A
Application number: JP6401997A
Authority: JP
Inventors: Kenichi Mimori; 健一三森; Yasuhiko Kasama; 泰彦笠間; Giretsu Go; 義烈呉; Tadahiro Omi; 忠弘大見; Takayuki Imaoka; 孝之今岡
Original assignee: FURONTETSUKU KK; Frontec Inc; Organo Corp; Japan Organo Co Ltd
Current assignee: FURONTETSUKU KK; Frontec Inc; Organo Corp
Priority date: 1997-03-18
Filing date: 1997-03-18
Publication date: 1998-09-29

Abstract

(57)【要約】【課題】従来より高い清浄度が達成可能なウエット処
理方法及び処理装置並びに回転洗浄方法及び回転洗浄装
置を提供すること。【解決手段】オゾン水による洗浄工程、電解イオン水
によるブラシ洗浄工程、電解イオン水による高圧ジェッ
ト洗浄工程、電解イオン水に３０ｋＨｚ以上の超音波を
照射して行う超音波洗浄工程、電解イオン水による洗浄
工程、の少なくとも一つの工程を有する洗浄工程と、乾
燥工程、とを有することを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、液晶表示
装置用ガラス基板や半導体基板のような極めて清浄な表
面を得ることが求められる分野において、従来よりも清
浄度の高い表面を得ることが可能なウエット処理方法及
び処理装置並びに回転洗浄方法及び回転洗浄装置に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】従来、液晶表示装置用ガラス基板のウエ
ット処理は、例えば以下の技術を用いて行われている。

【０００３】すなわち、有機溶媒、水溶性界面活性剤溶
液、超純水および紫外線でオゾン等を組み合わせ用い、
主に、基板表面に付着している有機物、微粒子を除去す
る工程により行われる。

【０００４】例えば、浸漬処理式では次の手順で洗浄が
行われる。（１）界面活性剤／超音波洗浄１／５分（２）界面活性剤／超音波洗浄２／５分（３）超純水／超音波洗浄１／５分（４）超純水／超音波洗浄２／５分（５）超純水／浸漬洗浄／５分（６）乾燥／ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）ベーパ
ー乾燥

【０００５】また、枚葉式では次の手順で洗浄が行われ
る。（１）界面活性剤／ブラシスクラブ／０．５分（２）超純水すすぎ／０．５分（３）超純水高圧ジェット／０．５分（４）超純水／超音波シャワー洗浄／０．５分（５）紫外線オゾン洗浄／０．５分（６）乾燥／スピン乾燥／０．５分

【０００６】しかし、現在のような高集積化が進む半導
体の分野ではより清浄度の高い洗浄技術が求められてい
る。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、従来よりも
より高清浄な洗浄が可能なウエット処理方法及び処理装
置並びに回転洗浄方法及び回転洗浄装置を提供すること
を目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明のウエット処理方
法は、オゾン水による洗浄工程、電解イオン水によるブ
ラシ洗浄工程、電解イオン水による高圧ジェット洗浄工
程、電解イオン水に３０ｋＨｚ以上の超音波を照射して
行う超音波洗浄工程、電解イオン水による洗浄工程、の
少なくとも一つの工程を有する洗浄工程と、乾燥工程
と、を有することを特徴とする。

【０００９】本発明のウエット処理装置は、オゾン水を
供給するためのオゾン水用ノズルと、超純水を供給する
ための超純水用ノズルと、電解イオン水を供給するため
の電解イオン水供給用ノズルと、被処理物をブラッシン
グするためのブラシと、を少なくとも有する第１の槽
と、被処理物に電解イオン水を高圧噴射するための電解
イオン水高圧ジェットノズルと、超純水を被処理物に供
給するための超純水用ノズルと、を少なくとも有する第
２の槽と、電解イオン水を導入するための手段と、該電
解イオン水に３０ｋＨｚ以上の超音波を照射するための
手段と、を少なくとも有する第３の槽と、電解イオン水
を導入し、３０ｋＨｚ以上の超音波を照射可能なノズル
を少なくとも有する第４の槽と、被処理物の乾燥を行う
ための第５の槽と、を少なくとも有することを特徴とす
る。

【００１０】なお、第１から第５の槽は単独あるいは別
の機能を有する槽と兼用した槽であってもよい。

【００１１】本発明の回転洗浄方法は、被処理物を回転
させるとともに、３０ｋＨｚ以上の超音波が付与された
洗浄水を該被処理物に噴射あるいは連続的に滴下するこ
とにより該被処理物の洗浄を行うことを特徴とする。

【００１２】本発明の回転洗浄装置は、被処理物の洗浄
を行うための槽と、該槽内において該被処理物を回転可
能に保持するための保持手段と、該被処理物に洗浄液を
噴射あるいは連続的に滴下するためのノズルと、該洗浄
液に超音波を付与するための超音波発振子と、を有する
ことを特徴とする。

【００１３】以上の各構成とすることにより、従来より
も高清浄な洗浄が可能となる。

【００１４】なお、超純水又は電解イオン水に３０ｋＨ
ｚ以上の超音波を照射してブラシを洗浄するための手段
を設けるとブラシからの汚染がなく、より高清浄な洗浄
が達成される。

【００１５】また、槽の少なくとも一つの槽に各槽内で
の洗浄処理後に、純水又は電解イオン水によるリンスを
行うことができる構成とするとリンスを十分行うことが
でき、洗浄液による汚染のない洗浄を行うことができ
る。

【００１６】槽の少なくとも一つの槽内において、被処
理物を保持するための手段は回動可能であるため、非常
に清浄な洗浄を行うことができる。

【００１７】被処理物を１００ｒｐｍ以上の回転数で回
転させるとともに、３０ｋＨｚ以上の超音波が付与され
た洗浄水を被処理物に噴射あるいは連続的に滴下すると
従来技術に比べ粒子残留率を著しく低減することができ
る。

【００１８】洗浄水として電解イオン水を用いると、従
来技術に比べ粒子残留率をさらに一層低減することがで
きるとともに残留率のバラツキを極めて小さくすること
ができる。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を図面
に基づき説明する。図２にウエット処理装置の実施態様
例をしめす。

【００２０】本例では、オゾン水を供給するためのオゾ
ン水用ノズル１１６，１２１と、超純水を供給するため
の超純水用ノズル１１７，１２０と、電解イオン水を供
給するための電解イオン水供給用ノズル１２２〜１２５
と、被処理物をブラシングするブラシ１０２，１０３と
を有する第１の槽５０６（１０１）と、被処理物に電気
分解イオンを高圧噴射するための電解イオン水高圧ジェ
ットノズル２１０，２１１と、超純水を被処理物１１５
に供給するための超純水用ノズル２０６，２０９とを少
なくとも有する第２の槽５０４（２０４）と、電解イオ
ン水を導入するための手段と、該電解イオン水に３０ｋ
Ｈｚ以上の超音波を照射するための手段である超音波発
振子３０３，３０４とを少なくとも有する第３の槽５０
５（３０９）と、電解イオン水を導入するためのノズル
４１５を有する被処理物１１５の乾燥を行うための第４
の槽４０２と、を少なくとも有している。

【００２１】実施の形態に示すウエット処理装置は、第
１槽５０３、第２槽５０４、第３槽５０４、第４槽５０
６を有しており、オゾン水を供給するためのオゾン水用
ノズル１１６，１２１はオゾン水導出配管１０８を介し
てにオゾン水製造装置５０９に接続されている。

【００２２】また、超純水を供給するための超純水用ノ
ズル１１７，１２０は超純水導出配管１０９を介して、
超純水供給源（図示せず）に接続されている。

【００２３】また、電解イオン水を供給するための電解
イオン水供給用ノズル１２２〜１２５は電解イオン水導
出配管を介して、電解イオン水製造装置５０８に接続さ
れている。

【００２４】さらに、本例では上下に一対のブラシ１０
２，１０３が設けてある。このブラシ１０２，１０３は
被処理物１１５の表面及び裏面をブラッシングする。

【００２５】そして、上記ノズルの一端は、被処理物１
１５の面に超純水あるいはオゾン水が供給され得る位置
に配置されている。

【００２６】なお、本例では、界面活性剤を供給するた
めのノズル１１８，１１９を単独で設けてある。この界
面活性剤を供給するためのノズル１１８，１１９を設け
ず、オゾン水あるいは超純水に添加することにより界面
活性剤を供給してもよい。

【００２７】また、本例では、上側のブラシ１０２を洗
浄するための上ブラシ超音波洗浄槽１０４と下側のブラ
シ１０３を洗浄するための下ブラシ超音波洗浄槽１０５
を設けてある。上ブラシ超音波洗浄槽１０４と下ブラシ
超音波洗浄槽１０５にはそれぞれ、超音波発振子１０
６，１０７が設けられている。

【００２８】なお、この超音波発振子は、３０ｋＨｚ以
上の発振が可能である。３０ｋＨｚ以上の超音波を付与
することによりブラシ１０２，１０３の洗浄を行うこと
ができる。特に、７５０ｋＨｚ〜５ＭＨｚの発振がより
効率的なブラシ洗浄にとって好ましい。ブラシ１０２，
１０３の洗浄が必要なときは、上ブラシ超音波洗浄槽１
０４、下ブラシ超音波膏洗浄槽１０５内に適宜の処理水
（例えば、オゾン水、電解イオン水、超純水）を配管１
１３，１１４を介して供給し、ブラシ１０２，１０３を
上ブラシ超音波洗浄槽１０４、下ブラシ超音波洗浄槽１
０５内に移動させ（移動させるための手段は特に図示は
していないが適宜の手段によればよい）、超音波を与え
つつ洗浄を行えばよい。

【００２９】なお、第１の槽１０１の内面は、鉄酸化物
のないクロム酸化物からなる不動態膜が表面に形成され
たステンレス鋼により形成することが好ましい。

【００３０】また、被処理物が回動可能な構成とするこ
とが好ましい。被処理物を回転し、かつ、表面（裏面）
に洗浄液を供給すればより一層清浄度の高い洗浄が可能
となる。

【００３１】第１の槽１０１は主に、オゾン水による洗
浄、電解イオン水（カソード水、アノード水）によるブ
ラシ洗浄を行うための槽である。これらの洗浄を行うこ
とにより、有機物、大きさが１μｍ以下のパーティクル
や１０μｍ以上の大きさのパーティクル、金属の除去が
可能となる。

【００３２】なお、ブラシは、被洗浄物表面を傷つけ
ず、また、汚染源とならないものであればよく、例えば
ナイロン製のものが用いることができる。

【００３３】第２の槽では、被処理物に電解イオン水を
高圧噴射するための電解イオン水高圧ジェットノズル２
１０，２１１が電解イオン水高圧ジェット導出配管２０
１に接続されている。

【００３４】第２の槽２０４は、主に、電解イオン水を
高圧噴射するための槽であり、これにより、１０μｍ以
下１μｍ以上のパーティクルの除去が可能となる。

【００３５】なお、噴射圧力としては、５ｋｇｗ／ｃｍ
²〜１００ｋｇｗ／ｃｍ²が被処理物にダメージを与える
ことなく洗浄効果をより一屑高める上から好ましい。

【００３６】本例では、さらに、超純水を導入するため
のノズル２０６，２０９と、他の電解イオン水を導入す
るための電解イオン水導入ノズル２０７，２０８を設け
てある。これらのノズルから導入される超純水あるいは
電解イオン水はリンスのために使用することができる。

【００３７】なお、ノズル２１０，２１１は、クロム酸
化物を主成分とする不動態膜が表面に形成されたステン
レス鋼により構成することがノズルからのパーティクル
の発生を防止でき、また、耐食性の点からも好ましい。

【００３８】一方、超純水導入ノズル２０６，２０９、
電解イオン水導入ノズル２０７，２０８には、白金を用
いることが、純水の帯電防止の点から好ましい。

【００３９】第３の槽３０９は、主に、電解イオン水を
用いて超音波洗浄を行うための槽である。電解イオン水
を用いて超音波洗浄を行うことにより、サブミクロンの
パーティクルの除去が行われる。

【００４０】図４に示す本実施例では、第３の槽３０９
の内部にさらに石英製超音波洗浄槽３０１が設けられて
あり、その中には電解イオン水３０６が電解イオン水導
出配管３０７を介して供給されている。この超音波洗浄
槽３０１は、超音波伝達用液体３０５を介して超音波槽
３０２内に収納されている。３０３，３０４は超音波発
振子であり、本例では、被処理物に対し水平方向に超音
波が付与される。超音波発振子３０３からの超音波は、
超音波伝達用液体３０５を介して超音波洗浄槽３０１内
の電解イオン水３０６内に浸潰された被処理物１１５に
伝達される。

【００４１】第４槽４０２は、主に、電解イオン水によ
る仕上げ洗浄（主に金属の除去、パーティクルの除去）
及び乾燥を行うための槽である。４０３は超音波発振子
である。４０１，４１２は上記の仕上げ洗浄を行うため
の洗浄水（電解イオン水）の供給管である。４０４は超
音波が印加された処理水を導出するための超音波処理水
導出部である。この超音波処理水導出部４０４の長さａ
は被処理物（基板）の対角線の長さより大きくすること
が好ましい。これにより、被処理物が回転したときであ
っても常に噴射水が基板全体にかかるようにすることが
でき、パーティクルの再付着等を防止することができ
る。

【００４２】電解イオン水による洗浄により、金属、有
機物、酸化膜の除去が行われる。

【００４３】また、乾燥は、表面に酸化膜が形成される
ことを防止するため、不活性ガスを被処理物の表面に吹
き付けながら行うことが好ましい。本例でも不活性ガス
を導入するためのガス導入口４０５を設けてある。この
ガスは水分等の不純物濃度が数ｐｐｂ以下のガスを用い
ることが好ましい。経済的観点からは窒素ガスが好まし
い。

【００４４】なお、乾燥速度を速めるために、ガスをヒ
ータ４０６で加熱することが好ましい。

【００４５】また、電解イオン水による洗浄工程と乾燥
工程との間に超純水によるリンスを超音波を付与しなが
ら行うことが清浄度を高める観点から好ましい。

【００４６】なお、各槽において、被処理物をスピン回
転させながら洗浄を行うと、洗浄液が面を均一に覆うと
ともに、被洗浄面には絶えず新しい洗浄液が供給され、
しかも汚染物質は遠心力により面上から持ち去られるた
め、非常に清浄な洗浄を行うことができる。従って、各
槽において、被処理物を回動可能な構成とすることが好
ましい。

【００４７】本発明において、電解イオン水による超音
波洗浄工程における超音波の周波数は、３０ｋＨｚ以上
である。

【００４８】なお、１ＭＨｚ〜５ＭＨｚが１μｍ以下の
小粒径粒子の除去のためには特に好ましい。また３０ｋ
Ｈｚ〜１ＭＨｚが１μｍ以上の比較的大粒径粒子の除去
のためには特に好ましい。

【００４９】また、固体表面に付着する金属は微小の微
粒子として付着する場合が多いため１ＭＨｚ〜５ＭＨｚ
が金属微粒子除去の除去のためには好ましい。

【００５０】また、固体表面に付着するレジストあるい
は吸着有機物等の有機物を除去するためには３０ｋＨｚ
〜１ＭＨｚが好ましい。

【００５１】なお、洗浄プロセスにおいて周波数を変化
させながら、例えば、３０ｋＨｚから５ＭＨｚに徐々に
周波数を上げながら（あるいは５ＭＨｚから３０ｋＨｚ
に徐々に周波数を下げながら）洗浄を行うことが好まし
い。

【００５２】図６に回転洗浄装置の実施の形態を示す。
この回転洗浄装置６００は、図３に示す第２の槽２０４
とほぼ同じであり、図６に示す回転洗浄装置６００は、
被処理物１１５の洗浄を行うための槽６０４と、槽６０
４内において被処理物１１５を回転可能に保持するため
の保持手段２６０と、被処理物１１５に洗浄液を噴射あ
るいは連続的に滴下するためのノズル２８０と、洗浄液
に超音波を付与するための超音波発振子２７０と、を有
する。

【００５３】ノズル２８０は、洗浄水導入管６０１を介
して洗浄水源２９０に接続されている洗浄水としては、
超純水、電解イオン水を用いればよい。

【００５４】従来、被処理物を回転させつつ、被処理物
１１５に超純水を噴射あるいは連続的に滴下する洗浄技
術が知られている。

【００５５】しかるに、本発明者は、被処理物を、単に
回転させて洗浄を行う場合、あるいは回転させずに単に
超音波を付与した超純水で洗浄を行う場合に比べ、被処
理物を回転させつつ、かつ、超音波を付与した洗浄水で
洗浄を行えばそれぞれの単独の効果の総和以上の極めて
優れた洗浄効果が達成されることを見いだした。

【００５６】つまり、（１）超音波を照射した洗浄水を
滴下あるいは噴射しながら、（２）被洗浄物を回転させ
ると、（１）と（２）との相乗効果として（１）と
（２）とのそれぞれで得られる効果の総和以上の効果が
得られることを見いだしたのである。これは、超音波に
より被処理物から離れた粒子は、高速（１００ｒｐｍ以
上）回転により速やかに系外に押し出されてしまうため
と考えられる。

【００５７】なお、回転洗浄の場合には、大型基板であ
っても回転により自重によるたわみが解消され、超音波
を照射した洗浄水は基板に均一にあたり高清浄の洗浄が
実現できる。

【００５８】なお、１００ｒｐｍ以下の回転数では、上
記相乗効果は生じない。その理由は明らかではない。回
転数としては、３００ｒｐｍ〜２０００ｒｐｍがより好
ましく、３００ｒｐｍ〜１５００ｒｐｍがさらに好まし
い。上限としては、３０００ｒｍが好ましい。３０００
ｒｐｍを超えると乾燥速度が速くなり十分な洗浄を行う
ことができなくなることがある。

【００５９】回転洗浄においても、洗浄水に付与する超
音波の周波数は、３０ｋＨｚ以上である。

【００６０】なお、１ＭＨｚ〜３ＭＨｚが１μｍ以下の
小粒径粒子の除去のためには特に好ましい。また３０ｋ
Ｈｚ〜１ＭＨｚが１μｍ以上の比較的大粒径粒子の除去
のためには特に好ましい。

【００６１】また、固体表面に付着する金属は微小の微
粒子として付着する場合が多いため１ＭＨｚ〜３ＭＨｚ
が金属微粒子除去の除去のためには好ましい。

【００６２】また、固体表面に付着するレジストあるい
は吸着有機物等の有機物を除去するためには３０ｋＨｚ
〜１ＭＨｚが好ましい。

【００６３】なお、洗浄プロセスにおいて周波数を変化
させながら、例えば、３０ｋＨｚから３ＭＨｚに徐々に
周波数を上げながら（あるいは３ＭＨｚから３０ｋＨｚ
に徐々に周波数を下げながら）洗浄を行うことが好まし
い。

【００６４】

【実施例】

（実施例１）図１、より詳細には図２〜図６に示すウエ
ット処理装置を用いて液晶表示基板の洗浄を行った。手
順は次の通りである。

【００６５】第１槽オゾン水による洗浄オゾン濃度：５ｐｐｍ洗浄時間：３０ｓｅｃ純水リンス５ｓｅｃこの処理により有機物、金属が除去されていた。

【００６６】電解イオン水によるブラシ洗浄電解イオン水カソード水ｐＨ：８酸化還元電位：−５００ｍＶ洗浄時間：２０ｓｅｃ

【００６７】ブラシは専用の超音波洗浄槽により洗浄し
て使用した。超音波洗浄は７５０ｋＨｚ以上のメガヘル
ツ帯を使用し、μｍからサブμｍのパーティクルをブラ
シから十分に除去しておき、大きさが１μｍ以下のパー
ティクルから比較的大きなパーティクルを除去した。

【００６８】大きなパーティクルは処理水の効果により
（すなわち、ｐＨコントロール及び酸化還元電位コント
ロールにより、パーティクルの極性をブラシ材の極性と
同じ極性とすることができるため）ブラシヘの再付着は
起こらなかった。

【００６９】この処理により０．５μｍ以上のパーティ
クルや１０μｍ以上のパーティクルも非常に良好に除去
された。

【００７０】第２槽電解イオン水による高圧ジェット洗浄電解イオン水カソード水ｐＨ：８酸化還元電位：−５００ｍＶ洗浄時間：５０ｓｅｃ純水リンス：１０ｓｅｃ

【００７１】この処理により１０μｍ以下０．５μｍ以
上のパーティクルは非常に良好に除去された。

【００７２】静電気は電解イオン水により帯電除去を実
施した。パーティクルの再付着は処理水効果により実施
した。

【００７３】第３の槽電解イオン水による超音波洗浄電解イオン水カソード水ｐＨ：８酸化還元電位：−５００ｍＶ洗浄時間：５０ｓｅｃ超音波周波数５０ｋＨｚこの処理によりサブミクロンのパーティクルが除去され
た。

【００７４】第４槽電解イオン水による洗浄電解イオン水アノード水ＨＦ添加ｐＨ：３酸化遠元電位：１０００ｍＶ超音波リンスリンス時間：２０ｓｅｃ超音波：９５０ｋＨｚスピン乾燥：窒素ブロー（中心部）この処理により金属、有機物、酸化膜が除去された。

【００７５】以上の洗浄処理終了後Ａｌ₂Ｏ₃粒子（１μ
ｍ）について清浄度を調べた。

【００７６】

【表１】

【００７７】本発明の実施例においては、従来技術より
もはるかに残留粒子数は減少していることがわかる。

【００７８】（実施例２）本実施例では、図５に示す回
転洗浄装置を用いた洗浄効果を示す。

【００７９】１μｍ径のアルミナ粒子を、２０，０００
ケ／ｍｌの濃度となるように超純水中に懸濁させてアル
ミナ懸濁液を作製した。このアルミナ懸濁液中にガラス
基板を１０分間浸漬した。

【００８０】ガラス基板をアルミナ懸濁液から取り出し
てからガラス基板を超純水液が収納された槽中に浸漬す
るとともに超純水を槽からオーバーフローさせてガラス
基板の洗浄を行った。超純水洗浄後、スピンドライ乾燥
を行った。このようにしてアルミナに汚染された試料を
複数個作製した。

【００８１】これらの試料につき、表２に示す条件の各
種の洗浄を行い、粒子残存率及びそのバラツキを調べ
た。なお、表２に示す洗浄は洗浄水（超純水、電解イオ
ン水）をガラス基板表面に滴下することにより行った。
その結果を表２及び図７に併せて示す。

【００８２】

【表２】＊：電解水はカソード水

【００８３】

【発明の効果】本発明によれば従来よりも高清浄な洗浄
が可能になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例に係るウエット処理装置の装置構成を示
す概念図である。

【図２】実施例に係るウエット処理装置の第１の槽を示
す正面概念図である。

【図３】実施例に係るウエット処理装置の第２の槽を示
す正面概念図である。

【図４】実施例に係るウエット処理装置の第３の槽を示
す正面概念図である。

【図５】実施例に係るウエット処理装置の第４の槽を示
す正面概念図である。

【図６】実施例に係る回転洗浄装置を示す正面概念図で
ある。

【図７】洗浄結果を示すグラフである。

【符号の説明】

１０１第１槽、１０２上ブラシ、１０３下ブラシ、１０４上ブラシ超音波洗浄槽、１０５下ブラシ超音波洗浄槽、１０６，１０７超音波発振子、１０８オゾン水導出配管、１０９超純水導出配管、１１０界面活性剤導出配管、１１１電解イオン水・アノード水導出配管、１１２電解イオン水・カソード水導出配管、１１３，１１４ブラシ洗浄槽超純水導入配管、１１５被処理物（ガラス基板）・スピン回転機構付
き、１１６オゾン水用ノズル、１１７超純水用ノズル、１２０超純水用ノズル、１２１オゾン水用ノズル、１２２〜１２５電解イオン水用ノズル２０１電解イオン水高圧ジェット導出配管、２０２超純水導出配管、２０３電解イオン水導出配管、２０４第２槽、２０６，２０７，２０８，２０９処理水、静電気除去
用配管、２１０，２１１高圧ジェットノズル、２６０被処理物保持手段、２７０超音波発振子、２８０ノズル、２９０洗浄液源、３０１超音波洗浄槽、３０２超音波槽、３０３，３０４超音波発振子、３０５超音波伝達用液体、３０６処理水（電解イオン水、カソード水、アノード
水、超純水）、３０７電解イオン水導出配管、３０８超純水導出配管、３０９第３槽、３１０排水配管、３１１被処理物上下機構、３１３超音波伝達用液体導出配管、４０１洗浄水の供給管、４０２第４槽、４０３超音波発振子、４０４超音波印加処理水導出部、４０５ウルトラクリーンＮ₂、４０６Ｎ₂温度コントロール用ヒーター、４０７被処理物回転乾燥機構ホルダー部、４０８被処理物回転乾燥機構軸部、４１０超純水導出配管、４１１電解イオン水、アノード水、４１２〜４１６処理水、静電気帯電防止用配管、４１７オゾン水導出配警、５０１ウエット処理装置本体、５０２ローダー、５０３第１槽、５０４第２槽、５０５第３槽、５０６第４槽、５０７アンローダー、５０８電解イオン水製造装置、５０９オゾン水製造装置、５１０電解イオン供給配管、５１１，５１３ウエット処理装置からの戻り用配管、５１２オゾン水供給配管、６００回転洗浄装置、６０１洗浄水導入管、６０４槽。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者三森健一宮城県仙台市泉区明通三丁目31番地株式会社フロンテック内 (72)発明者笠間泰彦宮城県仙台市泉区明通三丁目31番地株式会社フロンテック内 (72)発明者呉義烈宮城県仙台市泉区明通三丁目31番地株式会社フロンテック内 (72)発明者大見忠弘宮城県仙台市青葉区米ケ袋２−17−301 (72)発明者今岡孝之埼玉県戸田市川岸１丁目４番９号オルガノ株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】オゾン水による洗浄工程、電解イオン水によるブラシ洗浄工程、電解イオン水による高圧ジェット洗浄工程、電解イオン水に３０ｋＨｚ以上の超音波を照射して行う
超音波洗浄工程、電解イオン水による洗浄工程、の少なくとも一つの工程
を有する洗浄工程と、乾燥工程、とを有することを特徴とするウエット処理方
法。
【請求項２】オゾン水を供給するためのオゾン水用ノ
ズルと、超純水を供給するための超純水用ノズルと、電解イオン水を供給するための電解イオン水供給用ノズ
ルと、被処理物をブラッシングするためのブラシと、を少なく
とも有する第１の槽と、被処理物に電解イオン水を高圧噴射するための電解イオ
ン水高圧ジェットノズルと、超純水を被処理物に供給す
るための超純水用ノズルと、を少なくとも有する第２の
槽と、電解イオン水を導入するための手段と、該電解イオン水
に３０ｋＨｚ以上の超音波を照射するための手段と、を
少なくとも有する第３の槽と、電解イオン水を導入し、３０ｋＨｚ以上の超音波を照射
可能なノズルを少なくとも有する第４の槽と、被処理物の乾燥を行うための第５の槽と、を少なくとも
有することを特徴とするウエット処理装置。
【請求項３】前記ブラシを、純水又は電解イオン水に
３０ｋＨｚ以上の超音波を照射して洗浄するための手段
を設けたことを特徴とする請求項２に記載のウエット処
理装置。
【請求項４】前記第１乃至第４の槽の少なくとも一つ
の槽に各槽内での洗浄処理後に、純水又は電解イオン水
によるリンスを行うことができる構成となっていること
を特徴とする請求項２又は３に記載のウエット処理装
置。
【請求項５】前記第１乃至第４の槽の少なくとも一つ
の槽内において、被処理物を保持するための手段は回動
可能であることを特徴とする請求項２乃至４のいずれか
１項記載のウエット処理装置。
【請求項６】被処理物を１００ｒｐｍ以上の回転数で
回転させるとともに、３０ｋＨｚ以上の超音波が付与さ
れた洗浄水を該被処理物に噴射あるいは連続的に滴下す
ることにより該被処理物の洗浄を行うことを特徴とする
回転洗浄方法。
【請求項７】前記洗浄水は電解イオン水であることを
特徴とする請求項６記載の回転洗浄方法。
【請求項８】被処理物の洗浄を行うための槽と、該槽
内において該被処理物を回転可能に保持するための保持
手段と、該被処理物に洗浄液を噴射あるいは連続的に滴
下するためのノズルと、該洗浄液に超音波を付与するた
めの超音波発振子と、を有することを特徴とする回転洗
浄装置。