JPH10261829A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
- Publication number
- JPH10261829A JPH10261829A JP6440397A JP6440397A JPH10261829A JP H10261829 A JPH10261829 A JP H10261829A JP 6440397 A JP6440397 A JP 6440397A JP 6440397 A JP6440397 A JP 6440397A JP H10261829 A JPH10261829 A JP H10261829A
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- JP
- Japan
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- photodiode
- bonding agent
- semiconductor laser
- insulating block
- bonding
- Prior art date
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- Pending
Links
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- 239000007767 bonding agent Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 abstract description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 12
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 8
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 絶縁ブロックに対しフォトダイオードを導電
接合剤を用いて接合する際、導電接合剤がフォトダイオ
ードの受光面に付着し、受光することがないように、絶
縁ブロックに対し適切にフォトダイオードを接合させる
ことができ、接合の作業性を向上させることを目的とす
る。 【解決手段】 半導体レーザチップ１を取り付けた半導
体基板２と、半導体レーザチップ１から射出される光ビ
ームを受光するモニタ用フォトダイオード４と、が導電
接合剤を用いて絶縁ブロック３の接合面に接合される半
導体レーザ装置において、絶縁ブロック３の接合面にお
ける導電接合剤が塗布される部分の一部に、導電接合剤
流入用の溝５を形成した。
接合剤を用いて接合する際、導電接合剤がフォトダイオ
ードの受光面に付着し、受光することがないように、絶
縁ブロックに対し適切にフォトダイオードを接合させる
ことができ、接合の作業性を向上させることを目的とす
る。 【解決手段】 半導体レーザチップ１を取り付けた半導
体基板２と、半導体レーザチップ１から射出される光ビ
ームを受光するモニタ用フォトダイオード４と、が導電
接合剤を用いて絶縁ブロック３の接合面に接合される半
導体レーザ装置において、絶縁ブロック３の接合面にお
ける導電接合剤が塗布される部分の一部に、導電接合剤
流入用の溝５を形成した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザ装置
に関するものであり、特に光記録媒体に対し光学的に情
報を記録あるいは再生する情報記録再生装置の光源に用
いられる半導体レーザ装置に関するものである。
に関するものであり、特に光記録媒体に対し光学的に情
報を記録あるいは再生する情報記録再生装置の光源に用
いられる半導体レーザ装置に関するものである。
【０００２】
【従来技術】図３は特開平６−１４０７２５号公報の半
導体レーザ装置を示す斜視図である。図３において、１
１は半導体レーザチップ、１２は金属ブロック、１３は
電気的絶縁のための絶縁ブロック、１４はレーザ出力を
モニタするためのフォトダイオード、１５は半導体レー
ザパッケージである金属ステムである。
導体レーザ装置を示す斜視図である。図３において、１
１は半導体レーザチップ、１２は金属ブロック、１３は
電気的絶縁のための絶縁ブロック、１４はレーザ出力を
モニタするためのフォトダイオード、１５は半導体レー
ザパッケージである金属ステムである。
【０００３】半導体レーザチップ１１は金属ブロック１
２に接着される。またフォトダイオード１４は絶縁ブロ
ック１３を介して金属ステム１５のほぼ中央に位置した
その表面がある角度を有する台座に取り付けられ、最終
的に金属ステム１５の中心に位置決めされる。金属ブロ
ック１２に取り付けられた半導体レーザチップ１１は、
金属ステム１５に対し、半導体レーザチップ１より放射
されるレーザ光が垂直になるように金属ブロック１２を
取り付ける。なお、金属ブロック３は台座の側面に押し
当てられ、半導体レーザチップ１の出射位置がフォトダ
イオード１４の中心、すなわち金属ステム１５の中心に
位置し、半導体レーザチップ１１から放射されるレーザ
光が金属ステム１５対して垂直になるように取り付けら
れる。
２に接着される。またフォトダイオード１４は絶縁ブロ
ック１３を介して金属ステム１５のほぼ中央に位置した
その表面がある角度を有する台座に取り付けられ、最終
的に金属ステム１５の中心に位置決めされる。金属ブロ
ック１２に取り付けられた半導体レーザチップ１１は、
金属ステム１５に対し、半導体レーザチップ１より放射
されるレーザ光が垂直になるように金属ブロック１２を
取り付ける。なお、金属ブロック３は台座の側面に押し
当てられ、半導体レーザチップ１の出射位置がフォトダ
イオード１４の中心、すなわち金属ステム１５の中心に
位置し、半導体レーザチップ１１から放射されるレーザ
光が金属ステム１５対して垂直になるように取り付けら
れる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このような半導体レー
ザ装置の組立時において、絶縁ブロック５に対しフォト
ダイオード４を導電接合剤（例えば半田など）を用いて
接合する際、導電接合剤の量が多すぎると導電接合剤が
盛り上がり、フォトダイオード４の上面すなわち受光面
に付着し、受光することができなくなるおそれがある。
また、製品の品質が安定せず、歩留まりを悪くするおそ
れがある。
ザ装置の組立時において、絶縁ブロック５に対しフォト
ダイオード４を導電接合剤（例えば半田など）を用いて
接合する際、導電接合剤の量が多すぎると導電接合剤が
盛り上がり、フォトダイオード４の上面すなわち受光面
に付着し、受光することができなくなるおそれがある。
また、製品の品質が安定せず、歩留まりを悪くするおそ
れがある。
【０００５】本発明は上記不具合を解決するものであ
り、絶縁ブロック５に対し適切にフォトダイオード４を
接合させることができ、接合の作業性を向上させること
を目的とする。
り、絶縁ブロック５に対し適切にフォトダイオード４を
接合させることができ、接合の作業性を向上させること
を目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために、半導体レーザチップを取り付けた半導体基
板と、前記半導体レーザチップから射出される光ビーム
を受光するモニタ用フォトダイオードと、が導電接合剤
を用いて絶縁ブロックの接合面に接合される半導体レー
ザ装置において、 前記絶縁ブロックの接合面における
前記導電接合剤が塗布される部分の一部に、前記導電接
合剤流入用の溝を形成した。
するために、半導体レーザチップを取り付けた半導体基
板と、前記半導体レーザチップから射出される光ビーム
を受光するモニタ用フォトダイオードと、が導電接合剤
を用いて絶縁ブロックの接合面に接合される半導体レー
ザ装置において、 前記絶縁ブロックの接合面における
前記導電接合剤が塗布される部分の一部に、前記導電接
合剤流入用の溝を形成した。
【０００７】導電接合剤流入用の溝を絶縁ブロックの接
合面上に形成することで、接合の際に塗布する導電接合
剤が多すぎた場合でも、溝に導電接合剤が流入すること
になるので、盛り上がったあげくフォトダイオードの受
光面上に付着するというおそれがなくなる。
合面上に形成することで、接合の際に塗布する導電接合
剤が多すぎた場合でも、溝に導電接合剤が流入すること
になるので、盛り上がったあげくフォトダイオードの受
光面上に付着するというおそれがなくなる。
【０００８】また、導電接合剤の塗布量を気にすること
なく、接合作業をすることができ作業性を向上できる。
なく、接合作業をすることができ作業性を向上できる。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
図１、図２を参照しながら説明する。図１、図２は本実
施形態の半導体レーザ装置の斜視図である。
図１、図２を参照しながら説明する。図１、図２は本実
施形態の半導体レーザ装置の斜視図である。
【００１０】半導体レーザチップ１は半導体基板２に取
り付けられている。当該半導体基板２は、凹型状の溝５
が形成された絶縁ブロック３の接合面上に半田によって
接合される。なお、半導体基板２における絶縁ブロック
３との接合面はその一部が溝５上に位置するよう接合さ
れる。
り付けられている。当該半導体基板２は、凹型状の溝５
が形成された絶縁ブロック３の接合面上に半田によって
接合される。なお、半導体基板２における絶縁ブロック
３との接合面はその一部が溝５上に位置するよう接合さ
れる。
【００１１】フォトダイオード４は絶縁ブロック３の接
合面上に半導体基板２に当接させて半田によって接合さ
れる。なお、フォトダイオード４における絶縁ブロック
３との接合面はその一部が溝５上に位置するよう接合さ
れる。
合面上に半導体基板２に当接させて半田によって接合さ
れる。なお、フォトダイオード４における絶縁ブロック
３との接合面はその一部が溝５上に位置するよう接合さ
れる。
【００１２】絶縁ブロック３は金属ステム６上に接合さ
れている。絶縁ブロック３の接合面上に形成された溝５
は、絶縁ブロック３の一端から他端まで一方向に沿って
形成されており、半導体基板２およびフォトダイオード
４を接合面上に接合するための半田が、十分に流入でき
る程度の容量を有する。
れている。絶縁ブロック３の接合面上に形成された溝５
は、絶縁ブロック３の一端から他端まで一方向に沿って
形成されており、半導体基板２およびフォトダイオード
４を接合面上に接合するための半田が、十分に流入でき
る程度の容量を有する。
【００１３】このように組立られた半導体レーザ装置
は、その半導体レーザチップ１から図１中上側に射出さ
れる第１光ビームと、図１中下側に射出される第２光ビ
ームとが生成され、第１光ビームは情報の記録や再生な
どに用いられ、第２光ビームはモニター用としてフォト
ダイオード４に入射される。
は、その半導体レーザチップ１から図１中上側に射出さ
れる第１光ビームと、図１中下側に射出される第２光ビ
ームとが生成され、第１光ビームは情報の記録や再生な
どに用いられ、第２光ビームはモニター用としてフォト
ダイオード４に入射される。
【００１４】このように半導体基板２およびフォトダイ
オード４が半田によって接合される絶縁ブロック３に溝
５を形成することによって、接合の際に、半田の量が多
すぎた場合には当該溝５に半田が流入することになり、
半田がフォトダイオード４の受光面上に付着するおそれ
がなくなる（図２参照）。したがって、接合の作業性が
向上するとともに製品の品質が安定し、歩留まりを向上
させることが可能となる。
オード４が半田によって接合される絶縁ブロック３に溝
５を形成することによって、接合の際に、半田の量が多
すぎた場合には当該溝５に半田が流入することになり、
半田がフォトダイオード４の受光面上に付着するおそれ
がなくなる（図２参照）。したがって、接合の作業性が
向上するとともに製品の品質が安定し、歩留まりを向上
させることが可能となる。
【００１５】なお、溝の断面形状は凹型状に限定されな
い。Ｖ型状でもよいし半円状でもよい。半田が良好に流
入できる形状であればどのような形状であってもよい。
また溝の数についても１本に限定されない。複数形成し
てもよい。半導体基板およびフォトダイオードを囲むよ
うに形成してもよい。
い。Ｖ型状でもよいし半円状でもよい。半田が良好に流
入できる形状であればどのような形状であってもよい。
また溝の数についても１本に限定されない。複数形成し
てもよい。半導体基板およびフォトダイオードを囲むよ
うに形成してもよい。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
導電接合剤を多く塗布した場合でも、溝内に多すぎた導
電接合剤が流入することになるので、フォトダイオード
の受光面上に付着するといったおそれがなくなる。ま
た、導電接合剤の塗布量を特に気にする必要がなくな
り、接合作業性を向上させることができる。
導電接合剤を多く塗布した場合でも、溝内に多すぎた導
電接合剤が流入することになるので、フォトダイオード
の受光面上に付着するといったおそれがなくなる。ま
た、導電接合剤の塗布量を特に気にする必要がなくな
り、接合作業性を向上させることができる。
【図１】 本発明の実施形態を示す斜視図である。
【図２】 本発明の実施形態の半田を塗布した状態を示
す斜視図である。
す斜視図である。
【図３】 従来の半導体レーザ装置を示す斜視図であ
る。
る。
１ 半導体レーザーチップ ２ 半導体基板 ３ 半導体ブロック ４ 受光素子 ５ 溝 ６ 金属ステム
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体レーザチップを取り付けた半導体
基板と、前記半導体レーザチップから射出される光ビー
ムを受光するモニタ用フォトダイオードと、が導電接合
剤を用いて絶縁ブロックの接合面に接合される半導体レ
ーザ装置において、 前記絶縁ブロックの接合面における前記導電接合剤が塗
布される部分の一部に、前記導電接合剤流入用の溝を形
成したことを特徴とする半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6440397A JPH10261829A (ja) | 1997-03-18 | 1997-03-18 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6440397A JPH10261829A (ja) | 1997-03-18 | 1997-03-18 | 半導体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10261829A true JPH10261829A (ja) | 1998-09-29 |
Family
ID=13257324
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6440397A Pending JPH10261829A (ja) | 1997-03-18 | 1997-03-18 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10261829A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100358196C (zh) * | 2002-11-12 | 2007-12-26 | 松下电器产业株式会社 | 激光器模块及其制造方法 |
-
1997
- 1997-03-18 JP JP6440397A patent/JPH10261829A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100358196C (zh) * | 2002-11-12 | 2007-12-26 | 松下电器产业株式会社 | 激光器模块及其制造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Effective date: 20040123 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20060817 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060822 |
|
| A521 | Written amendment |
Effective date: 20061018 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20061018 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20061212 |