JPH03217067A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
- Publication number
- JPH03217067A JPH03217067A JP1283390A JP1283390A JPH03217067A JP H03217067 A JPH03217067 A JP H03217067A JP 1283390 A JP1283390 A JP 1283390A JP 1283390 A JP1283390 A JP 1283390A JP H03217067 A JPH03217067 A JP H03217067A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip
- submount
- semiconductor laser
- solder
- laser device
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野１
本発明はレーザダイオード（以下ＬＤと略す）チップが
熱応力緩和材としてのサブマウントを介して組立てられ
て構成される半導体レーザ装置に関するものである。
熱応力緩和材としてのサブマウントを介して組立てられ
て構成される半導体レーザ装置に関するものである。
第３図は従来の半導体レーザ装置を示す断面正面図で、
ＬＤチップ（１）は熱応力緩和材としてのサブマウント
（２）を介して放熱ブロック（３）に組立てられ、放熱
ブロック（３》はモニタ用ＰＤチップ（４）が組込まれ
たステム（５）に組立てられている。
ＬＤチップ（１）は熱応力緩和材としてのサブマウント
（２）を介して放熱ブロック（３）に組立てられ、放熱
ブロック（３》はモニタ用ＰＤチップ（４）が組込まれ
たステム（５）に組立てられている。
ＬＤチップ（１）及びＰＤチップ（４）は金線（６）が
ポンデイングされ、リード線（７）に電気的に導通され
ている。ステム（５）にキャップ（８）が取付けられ、
ＬＤが構成される，第４図に示す如＜、ＬＤチップ（１
）は熱特性の向上を図るため、熱源であるＬＤチップ（
１）の活性層（９）がサブマウント（２）側になるよう
ジャンクションダウン（ Ｊｃ ｌｎｃｔｉｏｎ ｄｏ
ｕｒ＋ ）方式にて組立てられるっ サブマウント（２）の両面にＰｂＳ１：ｌ系の半田（１
０）が形成されており、ＬＤチップ（１）、サブマウン
ト（２）、放熱ブロック（３）が接着される。
ポンデイングされ、リード線（７）に電気的に導通され
ている。ステム（５）にキャップ（８）が取付けられ、
ＬＤが構成される，第４図に示す如＜、ＬＤチップ（１
）は熱特性の向上を図るため、熱源であるＬＤチップ（
１）の活性層（９）がサブマウント（２）側になるよう
ジャンクションダウン（ Ｊｃ ｌｎｃｔｉｏｎ ｄｏ
ｕｒ＋ ）方式にて組立てられるっ サブマウント（２）の両面にＰｂＳ１：ｌ系の半田（１
０）が形成されており、ＬＤチップ（１）、サブマウン
ト（２）、放熱ブロック（３）が接着される。
次に動作について説明する。
ＬＤチップ（１）はリード線（７） Ｋ ｔ圧を印加さ
れると、ＬＤチップ（１）に電流が流れレーザ発振が始
まり、ＬＤチップ（１）より２方向にレーザ光が第３図
に矢印で示す如く放射される。一方のレーザ光は光シス
テムの光源として用いられ、他方のレーザ光はモニタＰ
Ｄ（４）に入射して，ＬＤ光出力の制御に用いられるっ
モニタＰＤ（４）はレーザに対して図示の如く傾斜され
ており、レーザ光の入射光がＰＤ（４）で反射して再び
ＬＤチップ（１）へ入射する事のないように組立てられ
ている。
れると、ＬＤチップ（１）に電流が流れレーザ発振が始
まり、ＬＤチップ（１）より２方向にレーザ光が第３図
に矢印で示す如く放射される。一方のレーザ光は光シス
テムの光源として用いられ、他方のレーザ光はモニタＰ
Ｄ（４）に入射して，ＬＤ光出力の制御に用いられるっ
モニタＰＤ（４）はレーザに対して図示の如く傾斜され
ており、レーザ光の入射光がＰＤ（４）で反射して再び
ＬＤチップ（１）へ入射する事のないように組立てられ
ている。
［発明が解決しようとする課題］
従来の半導体レーザ装置は以上のように構成されていた
ので、活性層がサブマウントに近接して組立てられてお
り、ＬＤチップ裏面からの出射光はＰｂＳｎ系の半田表
面に反射してモニタＰＤ（４）に入射することとなり、
ＰｂＳｎ系半田の場合、良好な接着性が得られ、又、ソ
フト半田であるため、ＬＤチップへの組立ストレスを小
さくできる利点を有するが、表面状態の経時変化が生じ
やすく（ウイスカの発生、表面荒れによる反射率の変化
等による）モニタＰＤへの入射光量を一定としにくくレ
ーザ光の制御性に問題を生じやすかった。
ので、活性層がサブマウントに近接して組立てられてお
り、ＬＤチップ裏面からの出射光はＰｂＳｎ系の半田表
面に反射してモニタＰＤ（４）に入射することとなり、
ＰｂＳｎ系半田の場合、良好な接着性が得られ、又、ソ
フト半田であるため、ＬＤチップへの組立ストレスを小
さくできる利点を有するが、表面状態の経時変化が生じ
やすく（ウイスカの発生、表面荒れによる反射率の変化
等による）モニタＰＤへの入射光量を一定としにくくレ
ーザ光の制御性に問題を生じやすかった。
本発明は上記のような問題を解決するためになされたも
ので、ＰｂＳｎ系半田においてもモニタＰＤヘの入射光
量を一定になるようにしレーザ光の制御性を高める事を
目的とするっ 〔課題を解決するための手段〕 本発明に係る半導体レーザ装置は、サブマウントのＬＤ
チップが装着される側の表面にＰｈｏｎ系の半田がＬＤ
チップの面積より小さく形成され、半田のない領域は金
等の表面状態の経時変化のない金属で被うようにしたも
のである。
ので、ＰｂＳｎ系半田においてもモニタＰＤヘの入射光
量を一定になるようにしレーザ光の制御性を高める事を
目的とするっ 〔課題を解決するための手段〕 本発明に係る半導体レーザ装置は、サブマウントのＬＤ
チップが装着される側の表面にＰｈｏｎ系の半田がＬＤ
チップの面積より小さく形成され、半田のない領域は金
等の表面状態の経時変化のない金属で被うようにしたも
のである。
〔作用１
本発明における半導体レーザ装置は、ＬＤチップ裏面か
らの出射光がＰｂＳｎ系半田に入射し反射されることが
なく、金等の表面状態の安定な金属で反射されるため、
モニタＰＤへの入射光は一定となる。
らの出射光がＰｂＳｎ系半田に入射し反射されることが
なく、金等の表面状態の安定な金属で反射されるため、
モニタＰＤへの入射光は一定となる。
以下、本発明の一実施例を図について説明する，第１図
・第２図は本発明の実施例である半導体レーザ装置の平
面図および正面図である，図に示す如くサブマウント（
２）のＬＤチップ（１）が装着される側の面にはＬＤチ
ップ（１）の面積より小さ（ ＰｂＳｎ系半田（１０）
を形成して置き、ＰｂＳｎ系半田（１０）以外の表面を
金等の表面状態の安定な金属（１１）で被って置く。サ
ブマウント（２）の他方の面は全面ＰｈＳｒ′ｌ系半田
（１０）を形成する。
・第２図は本発明の実施例である半導体レーザ装置の平
面図および正面図である，図に示す如くサブマウント（
２）のＬＤチップ（１）が装着される側の面にはＬＤチ
ップ（１）の面積より小さ（ ＰｂＳｎ系半田（１０）
を形成して置き、ＰｂＳｎ系半田（１０）以外の表面を
金等の表面状態の安定な金属（１１）で被って置く。サ
ブマウント（２）の他方の面は全面ＰｈＳｒ′ｌ系半田
（１０）を形成する。
ＬＤチップ（１）、サブマウント（２）を放熱ブロック
（図示せず）上で位置合せし、ヒートアツプしてＰｂＳ
ｎ系半田（１０）により接着する。
（図示せず）上で位置合せし、ヒートアツプしてＰｂＳ
ｎ系半田（１０）により接着する。
次に動作について説明するわ
ＬＤチップ（１）よりの裏面出射光は第２図のようにサ
ブマウント（２）上の金等の表面状態の安定な金属（１
１）で反射され、モニタＰＤＬ図示せず）に入射するこ
ととなる。
ブマウント（２）上の金等の表面状態の安定な金属（１
１）で反射され、モニタＰＤＬ図示せず）に入射するこ
ととなる。
［発明の効果］
以上のように本発明によれば、サブマウントのＬＤチッ
プが接着される面のＰｂＳｎ系半田面積をＬＤチップ面
積より小さく形成され、ＰｂＳｎ系半田以外の表面は金
等の表面状態の安定な金属で被われているので、ＬＤチ
ップよりの裏面出射光は安定的に一定量モニタＰＤに入
射し、レーザ出射光の制御性向上を図ることができろう
プが接着される面のＰｂＳｎ系半田面積をＬＤチップ面
積より小さく形成され、ＰｂＳｎ系半田以外の表面は金
等の表面状態の安定な金属で被われているので、ＬＤチ
ップよりの裏面出射光は安定的に一定量モニタＰＤに入
射し、レーザ出射光の制御性向上を図ることができろう
第１図・第２図は本発明の一実施例である半導体レーザ
装置の平面図および正面図、第３図は従来の半導体レー
ザ装置の断面正面図、第４図は第３図のＬＤチップとサ
ブマウントの拡大正面図である。 図において、（１）はＬＤチップ、（２）はサブマウン
ト、（１０）はＰｈｏｎ系半田、（１１）は金などの金
属を示すク なお、図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。
装置の平面図および正面図、第３図は従来の半導体レー
ザ装置の断面正面図、第４図は第３図のＬＤチップとサ
ブマウントの拡大正面図である。 図において、（１）はＬＤチップ、（２）はサブマウン
ト、（１０）はＰｈｏｎ系半田、（１１）は金などの金
属を示すク なお、図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ＬＤチップが熱応力緩和材としてのサブマウントを介
して放熱ブロックに組立てられて構成される半導体レー
ザ装置において、 前記サブマウントのＬＤチップが接着される面にはＰｂ
Ｓｎ系半田が前記ＬＤチップ面積より小さく形成され、
ＰｂＳｎ系半田のない前記サブマウント表面は金等の表
面状態の安定な金属で被われていることを特徴とする半
導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1283390A JPH03217067A (ja) | 1990-01-22 | 1990-01-22 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1283390A JPH03217067A (ja) | 1990-01-22 | 1990-01-22 | 半導体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03217067A true JPH03217067A (ja) | 1991-09-24 |
Family
ID=11816377
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1283390A Pending JPH03217067A (ja) | 1990-01-22 | 1990-01-22 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03217067A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7889770B2 (en) | 2002-03-25 | 2011-02-15 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser device |
| US20170371110A1 (en) * | 2016-06-23 | 2017-12-28 | Futurewei Technologies, Inc. | Optical Transceiver With a Mirrored Submount and a Laser Diode for Laser-to-Fiber Coupling |
| WO2018193551A1 (ja) * | 2017-04-19 | 2018-10-25 | 三菱電機株式会社 | 光半導体装置及びその製造方法 |
-
1990
- 1990-01-22 JP JP1283390A patent/JPH03217067A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7889770B2 (en) | 2002-03-25 | 2011-02-15 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser device |
| US20170371110A1 (en) * | 2016-06-23 | 2017-12-28 | Futurewei Technologies, Inc. | Optical Transceiver With a Mirrored Submount and a Laser Diode for Laser-to-Fiber Coupling |
| WO2018193551A1 (ja) * | 2017-04-19 | 2018-10-25 | 三菱電機株式会社 | 光半導体装置及びその製造方法 |
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