JPH10273341A - セラミックリブの形成方法 - Google Patents
セラミックリブの形成方法Info
- Publication number
- JPH10273341A JPH10273341A JP7597797A JP7597797A JPH10273341A JP H10273341 A JPH10273341 A JP H10273341A JP 7597797 A JP7597797 A JP 7597797A JP 7597797 A JP7597797 A JP 7597797A JP H10273341 A JPH10273341 A JP H10273341A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ceramic
- glass substrate
- rib
- conductive film
- powder
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/006—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with materials of composite character
- C03C17/008—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with materials of composite character comprising a mixture of materials covered by two or more of the groups C03C17/02, C03C17/06, C03C17/22 and C03C17/28
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】少ない工程で材料の無駄なく、簡便にかつ精度
良くセラミックリブを形成できる。 【解決手段】先ずガラス基板１１上のリブ形成予定部に
Ａｇ系の厚膜ペースト１４を塗布して乾燥し、乾燥した
厚膜ペーストを焼成してガラス基板上のリブ形成予定部
にＡｇ系膜等からなる導電膜１２を形成する。次に導電
膜を形成したガラス基板とこの基板に対向する対向電極
をセラミック粉末が懸濁したスラリーに浸漬し、スラリ
ー中でガラス基板上の導電膜を陽極とし対向電極を陰極
として両電極に直流電圧を印加して導電膜上にセラミッ
ク粉末層を電着する。更にガラス基板を乾燥した後セラ
ミック粉末層を焼成してセラミックリブ１３を形成す
る。セラミック粉末はＳｉＯ2系ガラス粉末等であり、
セラミックリブはプラズマディスプレーパネルのガラス
基板上に放電セルを形成するための隔壁に好適である。
良くセラミックリブを形成できる。 【解決手段】先ずガラス基板１１上のリブ形成予定部に
Ａｇ系の厚膜ペースト１４を塗布して乾燥し、乾燥した
厚膜ペーストを焼成してガラス基板上のリブ形成予定部
にＡｇ系膜等からなる導電膜１２を形成する。次に導電
膜を形成したガラス基板とこの基板に対向する対向電極
をセラミック粉末が懸濁したスラリーに浸漬し、スラリ
ー中でガラス基板上の導電膜を陽極とし対向電極を陰極
として両電極に直流電圧を印加して導電膜上にセラミッ
ク粉末層を電着する。更にガラス基板を乾燥した後セラ
ミック粉末層を焼成してセラミックリブ１３を形成す
る。セラミック粉末はＳｉＯ2系ガラス粉末等であり、
セラミックリブはプラズマディスプレーパネルのガラス
基板上に放電セルを形成するための隔壁に好適である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマディスプ
レーパネル、液晶表示装置、蛍光表示装置、混成集積回
路装置等の製造工程におけるセラミックリブの形成方法
に関する。更に詳しくは発光体のセルの隔壁やバス電極
上に形成される絶縁保護層となるセラミックリブの形成
方法に関するものである。
レーパネル、液晶表示装置、蛍光表示装置、混成集積回
路装置等の製造工程におけるセラミックリブの形成方法
に関する。更に詳しくは発光体のセルの隔壁やバス電極
上に形成される絶縁保護層となるセラミックリブの形成
方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】プラズマディスプレーパネル（plasma d
isplay panel，以下、ＰＤＰという）を例に挙げると、
このＰＤＰは気体放電を利用した画像表示装置であっ
て、通常多数の微小な放電セルを縦横（マトリクス状）
に配列し、必要な部分のセルを放電発光させることによ
り、文字や図形が表示されるようになっている。このＰ
ＤＰは構造が簡単で大型化が容易であり、メモリ機能を
有し、またカラー化が可能であり、更にテレビなどで用
いられるブラウン管よりも遥かに大きくかつ奥行が小さ
く形成できるなどの様々な利点を有することから、近年
盛んに研究開発が進められている。
isplay panel，以下、ＰＤＰという）を例に挙げると、
このＰＤＰは気体放電を利用した画像表示装置であっ
て、通常多数の微小な放電セルを縦横（マトリクス状）
に配列し、必要な部分のセルを放電発光させることによ
り、文字や図形が表示されるようになっている。このＰ
ＤＰは構造が簡単で大型化が容易であり、メモリ機能を
有し、またカラー化が可能であり、更にテレビなどで用
いられるブラウン管よりも遥かに大きくかつ奥行が小さ
く形成できるなどの様々な利点を有することから、近年
盛んに研究開発が進められている。
【０００３】上記ＰＤＰは、電極構造の点で金属電極が
ガラス誘電体材料で覆われるＡＣ型と、放電空間に金属
電極が露出しているＤＣ型とに分類される。例えばＡＣ
型のＰＤＰは図２及び図３に示すように、ガラス基板１
上に所定の間隔をあけて形成されたセラミックリブ２を
介してガラスプレート３を被せることにより構成され
る。ガラスプレート３のガラス基板１への対向面にはＭ
ｇＯ（酸化マグネシウム）等の保護膜３ａにより被覆さ
れた表示電極３ｂ及び誘電体層３ｃが形成され、ガラス
基板１とガラスプレート３とセラミックリブ２にて区画
形成された微細空間４（図３、以下、放電セルという）
内にはアドレス電極４ａ及び蛍光体４ｂがそれぞれ形成
される。また放電セル４内には放電ガス（図示せず）が
注入される。
ガラス誘電体材料で覆われるＡＣ型と、放電空間に金属
電極が露出しているＤＣ型とに分類される。例えばＡＣ
型のＰＤＰは図２及び図３に示すように、ガラス基板１
上に所定の間隔をあけて形成されたセラミックリブ２を
介してガラスプレート３を被せることにより構成され
る。ガラスプレート３のガラス基板１への対向面にはＭ
ｇＯ（酸化マグネシウム）等の保護膜３ａにより被覆さ
れた表示電極３ｂ及び誘電体層３ｃが形成され、ガラス
基板１とガラスプレート３とセラミックリブ２にて区画
形成された微細空間４（図３、以下、放電セルという）
内にはアドレス電極４ａ及び蛍光体４ｂがそれぞれ形成
される。また放電セル４内には放電ガス（図示せず）が
注入される。
【０００４】このように構成されたＰＤＰでは、表示電
極３ｂとアドレス電極４ａとの間に電圧を印加してセラ
ミックリブ２間に形成された放電セル４内の蛍光体４ｂ
を選択的に放電発光させることにより、文字や図形を表
示することができる。ここで、ＰＤＰの表示特性上、選
択的放電発光を確実に行うことができる独立性の優れた
放電セル４を形成するために、比較的高さの高いセラミ
ックリブ２を精度良く形成することが極めて重要とな
る。このため、セラミックリブ２の形成方法として、ガ
ラス基板１上にアドレス電極４ａを所定のパターンで形
成した後、セラミックス又はガラスからなる無機ペース
トをスクリーン印刷法により付着させて焼成することに
より、約７０μｍの幅で１００〜１５０μｍの高さにリ
ブ２を形成する第１の方法が知られている。
極３ｂとアドレス電極４ａとの間に電圧を印加してセラ
ミックリブ２間に形成された放電セル４内の蛍光体４ｂ
を選択的に放電発光させることにより、文字や図形を表
示することができる。ここで、ＰＤＰの表示特性上、選
択的放電発光を確実に行うことができる独立性の優れた
放電セル４を形成するために、比較的高さの高いセラミ
ックリブ２を精度良く形成することが極めて重要とな
る。このため、セラミックリブ２の形成方法として、ガ
ラス基板１上にアドレス電極４ａを所定のパターンで形
成した後、セラミックス又はガラスからなる無機ペース
トをスクリーン印刷法により付着させて焼成することに
より、約７０μｍの幅で１００〜１５０μｍの高さにリ
ブ２を形成する第１の方法が知られている。
【０００５】一方、セラミックリブの第２の形成方法と
して、サンドブラスト法が知られている。この方法で
は、図４に示すようにガラス基板１の全面にガラス粉末
を含むセラミックペーストを厚膜法で塗布し、乾燥する
ことにより、或はガラス粉末を含むセラミックグリーン
テープを積層することにより、１５０〜２００μｍ厚の
パターン形成層６を形成した後、このパターン形成層６
を感光性フィルム７で被覆し、更にこのフィルム７上を
マスク８で覆って、露光、現像を行うことにより所定の
パターンのレジスト層９を形成する。次いでこのレジス
ト層９の上方からサンドブラスト処理を施してセル４と
なる部分を取除いてセラミックグリーンリブ６ａを形成
した後、剥離剤等を用いてレジスト層９を除去して、所
望のリブ２を得ている。
して、サンドブラスト法が知られている。この方法で
は、図４に示すようにガラス基板１の全面にガラス粉末
を含むセラミックペーストを厚膜法で塗布し、乾燥する
ことにより、或はガラス粉末を含むセラミックグリーン
テープを積層することにより、１５０〜２００μｍ厚の
パターン形成層６を形成した後、このパターン形成層６
を感光性フィルム７で被覆し、更にこのフィルム７上を
マスク８で覆って、露光、現像を行うことにより所定の
パターンのレジスト層９を形成する。次いでこのレジス
ト層９の上方からサンドブラスト処理を施してセル４と
なる部分を取除いてセラミックグリーンリブ６ａを形成
した後、剥離剤等を用いてレジスト層９を除去して、所
望のリブ２を得ている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来の第
１のセラミックリブの形成方法では、リブの厚さｔが１
００μｍ程度と比較的狭くかつ印刷後にペーストがだれ
易いため、厚膜の一回塗りの高さは焼成上がりで１０〜
２０μｍ程度に小さく抑えなければならない。この結
果、この方法では、１５０〜２００μｍのリブを作るた
めに、厚膜を１０〜２０回もの多くの回数重ね塗りする
必要があり、その上重ね塗りした後のリブの高さ（≒
ｈ）をリブの厚さ（≒ｔ）で除したｈ／ｔが１．５〜２
程度と大きいために、厚膜印刷時に十分に位置合わせを
しても精度良くリブを形成しにくい欠点があった。また
上記従来の第２のセラミックリブの形成方法では、レジ
スト層の形成のために感光性フィルムの被覆、露光、現
像等の複雑な工程を必要とし、またサンドブラスト処理
でパターン形成層の大部分を取除くため、パターン形成
層の材料を多く必要とする不具合があった。本発明の目
的は、少ない工程で材料の無駄なく、簡便にかつ精度良
くセラミックリブを形成し得る方法を提供することにあ
る。
１のセラミックリブの形成方法では、リブの厚さｔが１
００μｍ程度と比較的狭くかつ印刷後にペーストがだれ
易いため、厚膜の一回塗りの高さは焼成上がりで１０〜
２０μｍ程度に小さく抑えなければならない。この結
果、この方法では、１５０〜２００μｍのリブを作るた
めに、厚膜を１０〜２０回もの多くの回数重ね塗りする
必要があり、その上重ね塗りした後のリブの高さ（≒
ｈ）をリブの厚さ（≒ｔ）で除したｈ／ｔが１．５〜２
程度と大きいために、厚膜印刷時に十分に位置合わせを
しても精度良くリブを形成しにくい欠点があった。また
上記従来の第２のセラミックリブの形成方法では、レジ
スト層の形成のために感光性フィルムの被覆、露光、現
像等の複雑な工程を必要とし、またサンドブラスト処理
でパターン形成層の大部分を取除くため、パターン形成
層の材料を多く必要とする不具合があった。本発明の目
的は、少ない工程で材料の無駄なく、簡便にかつ精度良
くセラミックリブを形成し得る方法を提供することにあ
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１に係る発明は、
図１に示すように、ガラス基板１１上のリブ形成予定部
にＡｇ系、Ａｕ系、Ｎｉ系、Ａｌ系又はＲｕＯ2系の厚
膜ペースト１４を塗布し乾燥する工程と、乾燥した厚膜
ペースト１４を焼成してガラス基板１１上のリブ形成予
定部にＡｇ系膜、Ａｕ系膜、Ｎｉ系膜、Ａｌ系膜又はＲ
ｕＯ2系膜からなる導電膜１２を形成する工程と、この
導電膜１２を形成したガラス基板１１とこの基板１１に
対向する対向電極とをセラミック粉末が懸濁したスラリ
ーに浸漬する工程と、スラリー中でガラス基板１１上の
導電膜１２を陽極とし対向電極を陰極として両電極に直
流電圧を印加して導電膜１２上にセラミック粉末層を電
着する工程と、ガラス基板１１を乾燥した後セラミック
粉末層を焼成してセラミックリブ１３を形成する工程と
を含むセラミックリブの形成方法である。この請求項１
に記載されたセラミックリブの形成方法では、厚膜ペー
スト１４をガラス基板１１上に塗布、乾燥及び焼成して
導電膜１２を形成し、この導電膜１２上に電着法により
形成されたセラミック粉末層を乾燥及び焼成するという
少ない工程で、また材料の無駄が殆どなく、簡便にかつ
精度良くセラミックリブ１３を形成できる。
図１に示すように、ガラス基板１１上のリブ形成予定部
にＡｇ系、Ａｕ系、Ｎｉ系、Ａｌ系又はＲｕＯ2系の厚
膜ペースト１４を塗布し乾燥する工程と、乾燥した厚膜
ペースト１４を焼成してガラス基板１１上のリブ形成予
定部にＡｇ系膜、Ａｕ系膜、Ｎｉ系膜、Ａｌ系膜又はＲ
ｕＯ2系膜からなる導電膜１２を形成する工程と、この
導電膜１２を形成したガラス基板１１とこの基板１１に
対向する対向電極とをセラミック粉末が懸濁したスラリ
ーに浸漬する工程と、スラリー中でガラス基板１１上の
導電膜１２を陽極とし対向電極を陰極として両電極に直
流電圧を印加して導電膜１２上にセラミック粉末層を電
着する工程と、ガラス基板１１を乾燥した後セラミック
粉末層を焼成してセラミックリブ１３を形成する工程と
を含むセラミックリブの形成方法である。この請求項１
に記載されたセラミックリブの形成方法では、厚膜ペー
スト１４をガラス基板１１上に塗布、乾燥及び焼成して
導電膜１２を形成し、この導電膜１２上に電着法により
形成されたセラミック粉末層を乾燥及び焼成するという
少ない工程で、また材料の無駄が殆どなく、簡便にかつ
精度良くセラミックリブ１３を形成できる。
【０００８】請求項２に係る発明は、請求項１に係る発
明であって、更にセラミック粉末がＳｉＯ2系ガラス粉
末、Ｂ2Ｏ3系ガラス粉末又はＰ2Ｏ5系ガラス系粉末であ
ることを特徴とする。この請求項２に１記載されたセラ
ミックリブの形成方法では、導電膜とセラミックリブと
の接着強度が向上する。
明であって、更にセラミック粉末がＳｉＯ2系ガラス粉
末、Ｂ2Ｏ3系ガラス粉末又はＰ2Ｏ5系ガラス系粉末であ
ることを特徴とする。この請求項２に１記載されたセラ
ミックリブの形成方法では、導電膜とセラミックリブと
の接着強度が向上する。
【０００９】請求項３に係る発明は、請求項１又は２に
係る発明であって、更にセラミックリブがＰＤＰのガラ
ス基板上に放電セルを形成するための隔壁であることを
特徴とする。この請求項３に記載されたセラミックリブ
の形成方法では、ＰＤＰの隔壁となるセラミックリブを
簡便にかつ精度良く形成できるので、ＰＤＰの品質を向
上できるとともにＰＤＰの製造コストを低減できる。
係る発明であって、更にセラミックリブがＰＤＰのガラ
ス基板上に放電セルを形成するための隔壁であることを
特徴とする。この請求項３に記載されたセラミックリブ
の形成方法では、ＰＤＰの隔壁となるセラミックリブを
簡便にかつ精度良く形成できるので、ＰＤＰの品質を向
上できるとともにＰＤＰの製造コストを低減できる。
【００１０】
【発明の実施の形態】次に本発明の実施の形態を図面に
基づいて詳しく説明する。図１（ｂ）に示すように、ガ
ラス基板１１上のリブ形成予定部に導電膜１２が形成さ
れ、この導電膜１２上にセラミックリブ１３が形成され
る。このセラミックリブ１３はこの実施の形態では、Ｐ
ＤＰのガラス基板上に放電セルを形成するための隔壁で
ある。また導電膜１２を形成する金属としてはＡｇ若し
くはＡｇ合金、Ａｕ若しくはＡｕ金合金、Ｎｉ若しくは
Ｎｉ合金、又はＡｌ若しくはＡｌ合金等が用いられ、導
電膜１２を形成する酸化物としてはＲｕＯ2等が用いら
れる。導電膜１２の厚さは０．１μｍ〜２０μｍの範囲
内にあることが好ましく、５μｍ〜１０μｍの範囲にあ
ることが更に好ましい。導電膜１２の厚さを０．１μｍ
〜２０μｍの範囲に限定したのは、０．１μｍ未満では
ガラス粉末を均一に付着させ難くなる不具合があり、２
０μｍを越えると基板との密着性が低下するという不具
合があるからである。
基づいて詳しく説明する。図１（ｂ）に示すように、ガ
ラス基板１１上のリブ形成予定部に導電膜１２が形成さ
れ、この導電膜１２上にセラミックリブ１３が形成され
る。このセラミックリブ１３はこの実施の形態では、Ｐ
ＤＰのガラス基板上に放電セルを形成するための隔壁で
ある。また導電膜１２を形成する金属としてはＡｇ若し
くはＡｇ合金、Ａｕ若しくはＡｕ金合金、Ｎｉ若しくは
Ｎｉ合金、又はＡｌ若しくはＡｌ合金等が用いられ、導
電膜１２を形成する酸化物としてはＲｕＯ2等が用いら
れる。導電膜１２の厚さは０．１μｍ〜２０μｍの範囲
内にあることが好ましく、５μｍ〜１０μｍの範囲にあ
ることが更に好ましい。導電膜１２の厚さを０．１μｍ
〜２０μｍの範囲に限定したのは、０．１μｍ未満では
ガラス粉末を均一に付着させ難くなる不具合があり、２
０μｍを越えると基板との密着性が低下するという不具
合があるからである。
【００１１】セラミックリブ１３を形成するセラミック
粉末としては、軟化温度が５００℃以下、更に好ましく
は４５０〜４９０℃の範囲内にある、ＳｉＯ2系、Ｂ2Ｏ
3系、Ｐ2Ｏ5系等のガラス粉末を用いることが好まし
い。これらのガラス粉末の好適なガラス組成の例として
は、ＰｂＯを６０〜９０重量％、ＳｉＯ2を１０〜３０
重量％、Ｂ2Ｏ3を５〜３０重量％含むものが挙げられ
る。このガラス粉末の平均粒径は１．０〜５．０μｍの
範囲内にあることが好ましく、２．５〜３．０μｍの範
囲内にあることが更にが好ましい。なお、この実施の形
態では、セラミックリブをＰＤＰのガラス基板上に放電
セルを形成するための隔壁としたが、セラミックリブは
液晶表示装置、蛍光表示装置、混成集積回路装置等の発
光体のセルの隔壁やバス電極上の絶縁保護層であっても
よい。
粉末としては、軟化温度が５００℃以下、更に好ましく
は４５０〜４９０℃の範囲内にある、ＳｉＯ2系、Ｂ2Ｏ
3系、Ｐ2Ｏ5系等のガラス粉末を用いることが好まし
い。これらのガラス粉末の好適なガラス組成の例として
は、ＰｂＯを６０〜９０重量％、ＳｉＯ2を１０〜３０
重量％、Ｂ2Ｏ3を５〜３０重量％含むものが挙げられ
る。このガラス粉末の平均粒径は１．０〜５．０μｍの
範囲内にあることが好ましく、２．５〜３．０μｍの範
囲内にあることが更にが好ましい。なお、この実施の形
態では、セラミックリブをＰＤＰのガラス基板上に放電
セルを形成するための隔壁としたが、セラミックリブは
液晶表示装置、蛍光表示装置、混成集積回路装置等の発
光体のセルの隔壁やバス電極上の絶縁保護層であっても
よい。
【００１２】このように構成されたセラミックリブ１３
の形成方法を図１に基づいて説明する。図１（ａ）に示
すように、先ずガラス基板１１上のリブ形成予定部にＡ
ｇ系、Ａｕ系、Ｎｉ系、Ａｌ系又はＲｕＯ2系の厚膜ペ
ースト１４をスクリーン印刷法により塗布した後、乾燥
する。上記厚膜ペースト１４は０．１〜５．０μｍの粒
径のＡｇ若しくはＡｇ合金、Ａｕ若しくはＡｕ合金、Ｎ
ｉ若しくはＮｉ合金、Ａｌ若しくはＡｌ合金、又はＲｕ
Ｏ2の金属又は酸化物粉末に、５〜２０重量％のＳｉＯ2
系やＢ2Ｏ3系等のガラス粉末を添加し、これらを有機バ
インダ及び有機溶剤の溶液に均一に分散することにより
作製される。次いで上記乾燥した厚膜ペースト１４を大
気雰囲気中で５００〜６００℃に５〜３０分間保持して
焼成し、ガラス基板上のリブ形成予定部に導電膜１２
（図１（ｂ））を形成する。
の形成方法を図１に基づいて説明する。図１（ａ）に示
すように、先ずガラス基板１１上のリブ形成予定部にＡ
ｇ系、Ａｕ系、Ｎｉ系、Ａｌ系又はＲｕＯ2系の厚膜ペ
ースト１４をスクリーン印刷法により塗布した後、乾燥
する。上記厚膜ペースト１４は０．１〜５．０μｍの粒
径のＡｇ若しくはＡｇ合金、Ａｕ若しくはＡｕ合金、Ｎ
ｉ若しくはＮｉ合金、Ａｌ若しくはＡｌ合金、又はＲｕ
Ｏ2の金属又は酸化物粉末に、５〜２０重量％のＳｉＯ2
系やＢ2Ｏ3系等のガラス粉末を添加し、これらを有機バ
インダ及び有機溶剤の溶液に均一に分散することにより
作製される。次いで上記乾燥した厚膜ペースト１４を大
気雰囲気中で５００〜６００℃に５〜３０分間保持して
焼成し、ガラス基板上のリブ形成予定部に導電膜１２
（図１（ｂ））を形成する。
【００１３】次に導電膜１２を形成したガラス基板１１
とこの基板１１に対向する対向電極（図示せず）とをセ
ラミック粉末が懸濁したスラリーに浸漬し、このスラリ
ー中でガラス基板上の導電膜を陽極とし対向電極を陰極
として両電極に直流電圧を印加して導電膜上にセラミッ
ク粉末層（図示せず）を電着する。上記スラリーとし
て、イソプロピルアルコールに水を２〜４体積％添加し
た混合媒体に、ガラス粉末を分散させたスラリーを用い
ることが好ましい。また電着性を向上させるために上記
スラリーに０．１〜０．５体積％の酸を添加することが
好ましく、ガラス粉末のスラリーの濃度は０．０２〜
０．２０重量％の範囲内にあることが好ましい。対向電
極としては、Ａｌ、Ｃｕ、Ｎｉ等が好ましいが、Ａｌが
最も適している。導電膜と対向電極との間に印加する直
流電圧は３００〜８００Ｖの範囲に設定することが好ま
しく、４００〜７００Ｖの範囲に設定することが更に好
ましい。上記セラミック粉末層が所望の高さに形成され
た後は、ガラス基板１１を取出し、乾燥させた後、大気
雰囲気中でセラミック粉末層中のガラス粉末を４５０〜
６００℃で焼成してセラミックリブ１３を形成する。
とこの基板１１に対向する対向電極（図示せず）とをセ
ラミック粉末が懸濁したスラリーに浸漬し、このスラリ
ー中でガラス基板上の導電膜を陽極とし対向電極を陰極
として両電極に直流電圧を印加して導電膜上にセラミッ
ク粉末層（図示せず）を電着する。上記スラリーとし
て、イソプロピルアルコールに水を２〜４体積％添加し
た混合媒体に、ガラス粉末を分散させたスラリーを用い
ることが好ましい。また電着性を向上させるために上記
スラリーに０．１〜０．５体積％の酸を添加することが
好ましく、ガラス粉末のスラリーの濃度は０．０２〜
０．２０重量％の範囲内にあることが好ましい。対向電
極としては、Ａｌ、Ｃｕ、Ｎｉ等が好ましいが、Ａｌが
最も適している。導電膜と対向電極との間に印加する直
流電圧は３００〜８００Ｖの範囲に設定することが好ま
しく、４００〜７００Ｖの範囲に設定することが更に好
ましい。上記セラミック粉末層が所望の高さに形成され
た後は、ガラス基板１１を取出し、乾燥させた後、大気
雰囲気中でセラミック粉末層中のガラス粉末を４５０〜
６００℃で焼成してセラミックリブ１３を形成する。
【００１４】
【実施例】次に本発明の実施例を図面に基づいて詳しく
説明する。 ＜実施例１＞図１に示すように、先ず５０ｍｍ×７５ｍ
ｍのガラス基板（ソーダライムガラス）１１を用意し
た。次いで粒径が２．０μｍのＡｇ粉末に、１５重量％
のＳｉＯ2系ガラス粉末を添加し、これらをエチルセル
ロース及びα−テレピネオールの溶液に均一に分散する
ことにより厚膜ペースト１４を作製した。上記ガラス基
板１１上に上記厚膜ペースト１４をスクリーン印刷法に
より幅が１００μｍとなるように塗布し乾燥した後、厚
膜ペースト１４を大気雰囲気中で５５０℃に１０分間保
持して焼成して、ガラス基板上にＡｇの導電膜１３を形
成した。
説明する。 ＜実施例１＞図１に示すように、先ず５０ｍｍ×７５ｍ
ｍのガラス基板（ソーダライムガラス）１１を用意し
た。次いで粒径が２．０μｍのＡｇ粉末に、１５重量％
のＳｉＯ2系ガラス粉末を添加し、これらをエチルセル
ロース及びα−テレピネオールの溶液に均一に分散する
ことにより厚膜ペースト１４を作製した。上記ガラス基
板１１上に上記厚膜ペースト１４をスクリーン印刷法に
より幅が１００μｍとなるように塗布し乾燥した後、厚
膜ペースト１４を大気雰囲気中で５５０℃に１０分間保
持して焼成して、ガラス基板上にＡｇの導電膜１３を形
成した。
【００１５】一方、３０体積％のイソプロピルアルコー
ルと、７０体積％の酢酸エチルと、０．１体積％の酢酸
とを含む混合媒体を用意した。この媒体中に、平均粒径
が３．０μｍであり、ＰｂＯが７０重量％，ＳｉＯ2が
１０重量％，Ｂ2Ｏ3が２０重量％のガラス組成を有する
ＳｉＯ2系ガラス粉末を０．２ｇ（０．０４重量％）添
加し、超音波をかけてガラス粉末を混合媒体に均一に分
散させてスラリーを調製した。
ルと、７０体積％の酢酸エチルと、０．１体積％の酢酸
とを含む混合媒体を用意した。この媒体中に、平均粒径
が３．０μｍであり、ＰｂＯが７０重量％，ＳｉＯ2が
１０重量％，Ｂ2Ｏ3が２０重量％のガラス組成を有する
ＳｉＯ2系ガラス粉末を０．２ｇ（０．０４重量％）添
加し、超音波をかけてガラス粉末を混合媒体に均一に分
散させてスラリーを調製した。
【００１６】このスラリー中に、上記ガラス基板と、６
０ｍｍ×８０ｍｍのＡｌ板よりなる対向電極とを、ガラ
ス基板１１の導電膜１２が形成された面と対向電極とが
対面するように配置して浸漬し、導電膜１２を陽極とし
かつ対向電極を陰極として導電膜１２及び対向電極間に
６００Ｖの直流電圧を印加し、導電膜１２上にガラス粉
末のセラミック粉末層を形成した。電着終了後はガラス
基板１１及びセラミック粉末層を十分に乾燥させて焼成
することにより、セラミックリブ１３を形成した。
０ｍｍ×８０ｍｍのＡｌ板よりなる対向電極とを、ガラ
ス基板１１の導電膜１２が形成された面と対向電極とが
対面するように配置して浸漬し、導電膜１２を陽極とし
かつ対向電極を陰極として導電膜１２及び対向電極間に
６００Ｖの直流電圧を印加し、導電膜１２上にガラス粉
末のセラミック粉末層を形成した。電着終了後はガラス
基板１１及びセラミック粉末層を十分に乾燥させて焼成
することにより、セラミックリブ１３を形成した。
【００１７】＜実施例２＞粒径が２．０μｍのＡｕ粉末
に、１０重量％のＳｉＯ2系ガラス粉末を添加し、これ
らをエチルセルロース及びα−テレピネオールの溶液に
均一に分散することにより厚膜ペーストを作製し、ガラ
ス基板上に塗布して乾燥した上記厚膜ペーストを大気雰
囲気中で５６０℃に１０分間保持して焼成したことを除
いて、上記実施例１と同一の方法でガラス基板上にセラ
ミックリブを形成した。
に、１０重量％のＳｉＯ2系ガラス粉末を添加し、これ
らをエチルセルロース及びα−テレピネオールの溶液に
均一に分散することにより厚膜ペーストを作製し、ガラ
ス基板上に塗布して乾燥した上記厚膜ペーストを大気雰
囲気中で５６０℃に１０分間保持して焼成したことを除
いて、上記実施例１と同一の方法でガラス基板上にセラ
ミックリブを形成した。
【００１８】＜実施例３＞粒径が２．５μｍのＮｉ粉末
に、１５重量％のＢ2Ｏ3系ガラス粉末を添加し、これら
をエチルセルロース及びα−テレピネオールの溶液に均
一に分散することにより厚膜ペーストを作製し、ガラス
基板上に塗布して乾燥した上記厚膜ペーストを大気雰囲
気中で５５０℃に１０分間保持して焼成したことを除い
て、上記実施例１と同一の方法でガラス基板上にセラミ
ックリブを形成した。
に、１５重量％のＢ2Ｏ3系ガラス粉末を添加し、これら
をエチルセルロース及びα−テレピネオールの溶液に均
一に分散することにより厚膜ペーストを作製し、ガラス
基板上に塗布して乾燥した上記厚膜ペーストを大気雰囲
気中で５５０℃に１０分間保持して焼成したことを除い
て、上記実施例１と同一の方法でガラス基板上にセラミ
ックリブを形成した。
【００１９】＜実施例４＞粒径が１．５μｍのＡｌ粉末
に、１０重量％のＳｉＯ2系ガラス粉末を添加し、これ
らをエチルセルロース及びα−テレピネオールの溶液に
均一に分散することにより厚膜ペーストを作製し、ガラ
ス基板上に塗布して乾燥した上記厚膜ペーストを大気雰
囲気中で５６０℃に１０分間保持して焼成したことを除
いて、上記実施例１と同一の方法でガラス基板上にセラ
ミックリブを形成した。
に、１０重量％のＳｉＯ2系ガラス粉末を添加し、これ
らをエチルセルロース及びα−テレピネオールの溶液に
均一に分散することにより厚膜ペーストを作製し、ガラ
ス基板上に塗布して乾燥した上記厚膜ペーストを大気雰
囲気中で５６０℃に１０分間保持して焼成したことを除
いて、上記実施例１と同一の方法でガラス基板上にセラ
ミックリブを形成した。
【００２０】＜実施例５＞粒径が３．０μｍのＲｕＯ2
粉末に、２０重量％のＳｉＯ2系ガラス粉末を添加し、
これらをエチルセルロース及びα−テレピネオールの溶
液に均一に分散することにより厚膜ペーストを作製し、
ガラス基板上に塗布して乾燥した上記厚膜ペーストを大
気雰囲気中で５６０℃に１０分間保持して焼成したこと
を除いて、上記実施例１と同一の方法でガラス基板上に
セラミックリブを形成した。
粉末に、２０重量％のＳｉＯ2系ガラス粉末を添加し、
これらをエチルセルロース及びα−テレピネオールの溶
液に均一に分散することにより厚膜ペーストを作製し、
ガラス基板上に塗布して乾燥した上記厚膜ペーストを大
気雰囲気中で５６０℃に１０分間保持して焼成したこと
を除いて、上記実施例１と同一の方法でガラス基板上に
セラミックリブを形成した。
【００２１】＜比較試験及び評価＞実施例１〜５の電着
工程における導電膜及び対向電極間への直流電圧の印加
時間を、スラリーが目視により透明になるまでの時間と
し、その時間を測定した。また実施例１〜５の焼成後の
ガラス基板上のセラミックリブの幅の誤差と、高さ及び
高さのむらをそれぞれ測定した。
工程における導電膜及び対向電極間への直流電圧の印加
時間を、スラリーが目視により透明になるまでの時間と
し、その時間を測定した。また実施例１〜５の焼成後の
ガラス基板上のセラミックリブの幅の誤差と、高さ及び
高さのむらをそれぞれ測定した。
【００２２】
【表１】
【００２３】表１から明らかなように、実施例１〜５の
電着工程における導電膜及び対向電極間への直流電圧の
印加時間は２０〜３０分と比較的短く、このような短時
間で高さが１４７〜１５５μｍのセラミックリブを形成
できることが判った。またセラミックリブの幅の誤差及
び高さもそれぞれ−５〜＋５μｍ及び±２〜±３μｍと
小さく、精度良くセラミックリブを形成できることが判
った。
電着工程における導電膜及び対向電極間への直流電圧の
印加時間は２０〜３０分と比較的短く、このような短時
間で高さが１４７〜１５５μｍのセラミックリブを形成
できることが判った。またセラミックリブの幅の誤差及
び高さもそれぞれ−５〜＋５μｍ及び±２〜±３μｍと
小さく、精度良くセラミックリブを形成できることが判
った。
【００２４】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、ガ
ラス基板上のリブ形成予定部にＡｇ系等の厚膜ペースト
を塗布して乾燥し、この厚膜ペーストを焼成してガラス
基板上のリブ形成予定部にＡｇ系膜等からなる導電膜を
形成し、このガラス基板及び対向電極をセラミック粉末
が懸濁したスラリーに浸漬し、スラリー中でガラス基板
上の導電膜を陽極とし対向電極を陰極として両電極に直
流電圧を印加して導電膜上にセラミック粉末層を電着
し、更にガラス基板を乾燥した後セラミック粉末層を焼
成してセラミックリブを形成したので、１５０〜２００
μｍと高いリブを作るのに厚膜を１０〜２０回もの多く
の回数重ね塗りする必要がある従来の第１のセラミック
リブの形成方法と比較して、本発明のセラミックリブの
形成方法では、簡便にかつ精度良くセラミックリブを形
成できる。
ラス基板上のリブ形成予定部にＡｇ系等の厚膜ペースト
を塗布して乾燥し、この厚膜ペーストを焼成してガラス
基板上のリブ形成予定部にＡｇ系膜等からなる導電膜を
形成し、このガラス基板及び対向電極をセラミック粉末
が懸濁したスラリーに浸漬し、スラリー中でガラス基板
上の導電膜を陽極とし対向電極を陰極として両電極に直
流電圧を印加して導電膜上にセラミック粉末層を電着
し、更にガラス基板を乾燥した後セラミック粉末層を焼
成してセラミックリブを形成したので、１５０〜２００
μｍと高いリブを作るのに厚膜を１０〜２０回もの多く
の回数重ね塗りする必要がある従来の第１のセラミック
リブの形成方法と比較して、本発明のセラミックリブの
形成方法では、簡便にかつ精度良くセラミックリブを形
成できる。
【００２５】またレジスト層の形成のために感光性フィ
ルムの被覆、露光、現像等の複雑な工程を必要とし、ま
たパターン形成層の材料を多く必要とする不具合のあっ
た従来の第２のセラミックリブの形成方法と比較して、
本発明のセラミックリブの形成方法では、少ない工程で
材料の無駄なく、簡便にかつ精度良くセラミックリブを
形成できる。またセラミック粉末としてＳｉＯ2系ガラ
ス粉末、Ｂ2Ｏ3系ガラス粉末又はＰ2Ｏ5系ガラス系粉末
を用いれば、導電膜とセラミックリブとの接着強度を向
上できる。更にセラミックリブをＰＤＰのガラス基板上
に放電セルを形成するための隔壁として用いれば、ＰＤ
Ｐの隔壁となるセラミックリブを簡便にかつ精度良く形
成できるので、ＰＤＰの品質を向上できるとともにＰＤ
Ｐの製造コストを低減できる。
ルムの被覆、露光、現像等の複雑な工程を必要とし、ま
たパターン形成層の材料を多く必要とする不具合のあっ
た従来の第２のセラミックリブの形成方法と比較して、
本発明のセラミックリブの形成方法では、少ない工程で
材料の無駄なく、簡便にかつ精度良くセラミックリブを
形成できる。またセラミック粉末としてＳｉＯ2系ガラ
ス粉末、Ｂ2Ｏ3系ガラス粉末又はＰ2Ｏ5系ガラス系粉末
を用いれば、導電膜とセラミックリブとの接着強度を向
上できる。更にセラミックリブをＰＤＰのガラス基板上
に放電セルを形成するための隔壁として用いれば、ＰＤ
Ｐの隔壁となるセラミックリブを簡便にかつ精度良く形
成できるので、ＰＤＰの品質を向上できるとともにＰＤ
Ｐの製造コストを低減できる。
【図１】本発明一実施形態のセラミックリブの形成を工
程順に示す断面図。
程順に示す断面図。
【図２】従来のセラミックリブを含むプラズマディスプ
レーパネルの分解斜視図。
レーパネルの分解斜視図。
【図３】図２のＡ部拡大図。
【図４】従来のセラミックリブの形成を工程順に示す断
面図。
面図。
１１ ガラス基板 １２ 導電膜 １３ セラミックリブ １４ 厚膜ペースト
Claims (3)
- 【請求項１】 ガラス基板(11)上のリブ形成予定部にＡ
ｇ系、Ａｕ系、Ｎｉ系、Ａｌ系又はＲｕＯ2系の厚膜ペ
ースト(14)を塗布し乾燥する工程と、 前記乾燥した厚膜ペースト(14)を焼成して前記ガラス基
板(11)上のリブ形成予定部にＡｇ系膜、Ａｕ系膜、Ｎｉ
系膜、Ａｌ系膜又はＲｕＯ2系膜からなる導電膜(12)を
形成する工程と、 前記導電膜(12)を形成したガラス基板(11)とこの基板(1
1)に対向する対向電極とをセラミック粉末が懸濁したス
ラリーに浸漬する工程と、 前記スラリー中で前記ガラス基板(11)上の導電膜(12)を
陽極とし前記対向電極を陰極として両電極に直流電圧を
印加して前記導電膜(12)上にセラミック粉末層を電着す
る工程と、 前記ガラス基板(11)を乾燥した後前記セラミック粉末層
を焼成してセラミックリブ(13)を形成する工程とを含む
セラミックリブの形成方法。 - 【請求項２】 セラミック粉末がＳｉＯ2系ガラス粉
末、Ｂ2Ｏ3系ガラス粉末又はＰ2Ｏ5系ガラス系粉末であ
る請求項１記載のセラミックリブの形成方法。 - 【請求項３】 セラミックリブがプラズマディスプレー
パネルのガラス基板上に放電セルを形成するための隔壁
である請求項１又は２記載のセラミックリブの形成方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7597797A JPH10273341A (ja) | 1997-03-27 | 1997-03-27 | セラミックリブの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7597797A JPH10273341A (ja) | 1997-03-27 | 1997-03-27 | セラミックリブの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10273341A true JPH10273341A (ja) | 1998-10-13 |
Family
ID=13591829
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7597797A Withdrawn JPH10273341A (ja) | 1997-03-27 | 1997-03-27 | セラミックリブの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10273341A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1315004C (zh) * | 2002-09-10 | 2007-05-09 | 希毕克斯影像有限公司 | 一种改良的电致变色或电沉积显示器及其制造方法 |
| JP2010015992A (ja) * | 2008-07-07 | 2010-01-21 | Samsung Sdi Co Ltd | アルミニウムを含むプラズマディスプレイ・パネルの電極用ペースト、該ペーストを利用してプラズマディスプレイ・パネルの電極を形成する方法、及び該方法によって形成したプラズマディスプレイ・パネルの電極 |
| US8436537B2 (en) | 2008-07-07 | 2013-05-07 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Substrate structure for plasma display panel, method of manufacturing the substrate structure, and plasma display panel including the substrate structure |
-
1997
- 1997-03-27 JP JP7597797A patent/JPH10273341A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1315004C (zh) * | 2002-09-10 | 2007-05-09 | 希毕克斯影像有限公司 | 一种改良的电致变色或电沉积显示器及其制造方法 |
| JP2010015992A (ja) * | 2008-07-07 | 2010-01-21 | Samsung Sdi Co Ltd | アルミニウムを含むプラズマディスプレイ・パネルの電極用ペースト、該ペーストを利用してプラズマディスプレイ・パネルの電極を形成する方法、及び該方法によって形成したプラズマディスプレイ・パネルの電極 |
| US8329066B2 (en) | 2008-07-07 | 2012-12-11 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Paste containing aluminum for preparing PDP electrode, method of preparing the PDP electrode using the paste and PDP electrode prepared using the method |
| US8436537B2 (en) | 2008-07-07 | 2013-05-07 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Substrate structure for plasma display panel, method of manufacturing the substrate structure, and plasma display panel including the substrate structure |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101145486B (zh) | 电极形成组成物和利用该组成物制造的等离子体显示面板 | |
| JP4240577B2 (ja) | 誘電体ペーストおよびそれを用いたディスプレイ基板の製造方法 | |
| JPH10273341A (ja) | セラミックリブの形成方法 | |
| JP2000113809A (ja) | プラズマディスプレイパネルのブラックマトリックス製造方法 | |
| JP4419212B2 (ja) | プラズマディスプレイ用部材の製造方法 | |
| JPH10302646A (ja) | プラズマディスプレイパネル用基板及びその製造方法 | |
| JP2004182589A (ja) | ペーストおよびそれを用いたディスプレイパネル用部材の製造方法 | |
| JP3674261B2 (ja) | プラズマディスプレイ | |
| JP2525280B2 (ja) | 隔壁中の有孔金属板を電極としたプラズマディスプレイパネル | |
| JP3506720B2 (ja) | 気体放電表示装置 | |
| JPH10321134A (ja) | プラズマディスプレーパネルの製造方法 | |
| JP2000011898A (ja) | プラズマディスプレイパネル | |
| JP2000323046A (ja) | プラズマディスプレイ部材およびその製造方法 | |
| JPH10340679A (ja) | ガラス系蛍光体からなる隔壁構造及びその隔壁の形成方法 | |
| JP2003242895A (ja) | プラズマディスプレイ部材およびプラズマディスプレイならびにその製造方法 | |
| JPH03145030A (ja) | ガス放電型表示パネルの製造方法 | |
| Kim et al. | 32.2: Development of PDP Rear Panel by Etching Technology | |
| JP4320887B2 (ja) | プラズマディスプレイパネル用部材およびプラズマディスプレイパネルならびにその製造方法 | |
| JPH09171769A (ja) | プラズマディスプレーパネルの隔壁形成方法 | |
| JP2007161556A (ja) | ペースト組成物、無機膜およびこれを用いたプラズマディスプレイパネル用隔壁部材 | |
| JP2000011897A (ja) | プラズマディスプレイの製造方法 | |
| JP4329155B2 (ja) | 基板の再生方法およびプラズマディスプレイ用背面板の製造方法 | |
| JP2001060434A (ja) | プラズマディスプレイパネルの背面板用放電電極の形成方法 | |
| JP3309017B2 (ja) | 気体放電表示パネルの製造方法 | |
| JPH1110069A (ja) | 厚膜形成方法、隔壁形成方法及び隔壁形成用スラリー |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20040601 |