JPH10274790A - 光学装置及びその製造方法 - Google Patents
光学装置及びその製造方法Info
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- JPH10274790A JPH10274790A JP10009458A JP945898A JPH10274790A JP H10274790 A JPH10274790 A JP H10274790A JP 10009458 A JP10009458 A JP 10009458A JP 945898 A JP945898 A JP 945898A JP H10274790 A JPH10274790 A JP H10274790A
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 銀塩溶液からITO透明電極上への銀の析出
を利用して光の透過率を制御する光学フィルターの対極
の材料コストを低減するとともに、銀塩溶液を汚して素
子の透明度を低下させ、また、電極間の短絡の原因にも
なる不活性な銀粒子が対極上に析出することを防止す
る。 【解決手段】 ITO作用電極2a〜2e、3a〜3e
の対極17a、17bを、銀又はカーボンの導電性粒子
をバインダー中に分散させた導電性ペースト、若しく
は、銀又はカーボンの導電性粒子を焼結した焼結体で構
成することにより、対極17a、17bを、電界集中が
起こる角の尖った部分の無い形状に形成することができ
る。
を利用して光の透過率を制御する光学フィルターの対極
の材料コストを低減するとともに、銀塩溶液を汚して素
子の透明度を低下させ、また、電極間の短絡の原因にも
なる不活性な銀粒子が対極上に析出することを防止す
る。 【解決手段】 ITO作用電極2a〜2e、3a〜3e
の対極17a、17bを、銀又はカーボンの導電性粒子
をバインダー中に分散させた導電性ペースト、若しく
は、銀又はカーボンの導電性粒子を焼結した焼結体で構
成することにより、対極17a、17bを、電界集中が
起こる角の尖った部分の無い形状に形成することができ
る。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は光学装置及びその製
造方法に関し、例えば、数字若しくは文字表示又はX−
Yマトリックス表示等を行うためのエレクトロクロミッ
ク表示装置に置き換わる金属の析出/溶解を用いた反射
型の表示装置や、可視光域(波長λ=400〜700n
m)において光透過率の制御が可能な光学フィルターに
適用して特に好適なものである。
造方法に関し、例えば、数字若しくは文字表示又はX−
Yマトリックス表示等を行うためのエレクトロクロミッ
ク表示装置に置き換わる金属の析出/溶解を用いた反射
型の表示装置や、可視光域(波長λ=400〜700n
m)において光透過率の制御が可能な光学フィルターに
適用して特に好適なものである。
【0002】
【従来の技術】従来ディジタル時計等に採用されている
エレクトロクロミック表示素子(以下、「ECD」と称
する。)は、非発光型の表示装置であって、反射光や透
過光による表示であるために、長時間の観察によっても
疲労感が少ないという利点を有するとともに、駆動電圧
が比較的低く、消費電力が少ない等の利点を有する。例
えば、特開昭59−24879号公報に開示されている
ように、液体型ECDとして可逆的に着色/消色状態を
形成する有機分子系のビオロゲン分子誘導体をEC材料
に用いるものが知られている。しかしながら、ビオロゲ
ン分子誘導体等のECDは、応答速度や遮蔽度の点で問
題が有った。
エレクトロクロミック表示素子(以下、「ECD」と称
する。)は、非発光型の表示装置であって、反射光や透
過光による表示であるために、長時間の観察によっても
疲労感が少ないという利点を有するとともに、駆動電圧
が比較的低く、消費電力が少ない等の利点を有する。例
えば、特開昭59−24879号公報に開示されている
ように、液体型ECDとして可逆的に着色/消色状態を
形成する有機分子系のビオロゲン分子誘導体をEC材料
に用いるものが知られている。しかしながら、ビオロゲ
ン分子誘導体等のECDは、応答速度や遮蔽度の点で問
題が有った。
【0003】そこで、ECDに置き換えて、金属塩の析
出/溶解を利用した反射型の調光素子が着目され、銀の
析出/溶解を用いた電気化学的調光素子の開発が行われ
てきた。
出/溶解を利用した反射型の調光素子が着目され、銀の
析出/溶解を用いた電気化学的調光素子の開発が行われ
てきた。
【0004】図13及び図14に、この従来の電気化学
的調光素子のセル構造を示す。
的調光素子のセル構造を示す。
【0005】図13(a)及び図14に示すように、一
対の透明ガラス基板24、25が一定の間隔を置いて表
示窓として配置されている。図13(a)に示すよう
に、各基板24、25の内面にはITO(Indium tin o
xide:酸化インジウムに錫をドープして得られたもの)
からなる作用電極22、23が対向して設けられ、この
対向する作用電極22、23間に銀塩溶液21が配され
ている。26は、基板24、25間の全周にスペーサー
を兼ねて設けられた銀板からなる対極である。
対の透明ガラス基板24、25が一定の間隔を置いて表
示窓として配置されている。図13(a)に示すよう
に、各基板24、25の内面にはITO(Indium tin o
xide:酸化インジウムに錫をドープして得られたもの)
からなる作用電極22、23が対向して設けられ、この
対向する作用電極22、23間に銀塩溶液21が配され
ている。26は、基板24、25間の全周にスペーサー
を兼ねて設けられた銀板からなる対極である。
【0006】銀塩溶液21は、例えば、臭化銀をジメチ
ルスルホキシド(DMSO)に溶解させたもので、図示
の如く、対極26を陽極、作用電極22、23を陰極と
して、それらの間に所定時間だけ直流の駆動電圧を印加
すると、銀塩に Ag+ +e- →Ag なる酸化還元反応が陰極側において生じ、このAg析出
物により陰極側の作用電極22、23が透明→着色状態
に移行する。図13(b)は、この時の作用を示す原理
図である。
ルスルホキシド(DMSO)に溶解させたもので、図示
の如く、対極26を陽極、作用電極22、23を陰極と
して、それらの間に所定時間だけ直流の駆動電圧を印加
すると、銀塩に Ag+ +e- →Ag なる酸化還元反応が陰極側において生じ、このAg析出
物により陰極側の作用電極22、23が透明→着色状態
に移行する。図13(b)は、この時の作用を示す原理
図である。
【0007】このように、作用電極22、23上にAg
を析出させることにより、表示窓からはそのAg析出物
による特定の色(例えば、反射光)が観察される。この
着色によるフィルター作用、即ち、可視光の透過率(又
は着色の濃淡)は電圧の大きさ若しくはその印加時間と
ともに変化し、従って、それらを制御することによっ
て、このセルを透過率可変表示素子又は光学フィルター
として機能させることができる。
を析出させることにより、表示窓からはそのAg析出物
による特定の色(例えば、反射光)が観察される。この
着色によるフィルター作用、即ち、可視光の透過率(又
は着色の濃淡)は電圧の大きさ若しくはその印加時間と
ともに変化し、従って、それらを制御することによっ
て、このセルを透過率可変表示素子又は光学フィルター
として機能させることができる。
【0008】一方、この着色状態の時、対極26と作用
電極22、23との間に上述とは逆の方向に直流電圧を
印加すると、その上にAgが析出している作用電極2
2、23が今度は陽極側となり、そこで Ag→Ag+ +e- なる反応が起こって、作用電極22、23上に析出して
いたAgが銀塩溶液21中に溶解する。これにより、着
色状態だった作用電極22、23が着色→透明状態に復
元する。
電極22、23との間に上述とは逆の方向に直流電圧を
印加すると、その上にAgが析出している作用電極2
2、23が今度は陽極側となり、そこで Ag→Ag+ +e- なる反応が起こって、作用電極22、23上に析出して
いたAgが銀塩溶液21中に溶解する。これにより、着
色状態だった作用電極22、23が着色→透明状態に復
元する。
【0009】図15及び図16に、従来の別の電気化学
的調光素子を示す。
的調光素子を示す。
【0010】この例では、図15の断面図に示すよう
に、セルを構成する一対の透明ガラス基板4、5が一定
の間隔を置いて配置され、各基板4、5の内面に、各一
対のITOからなる作用電極2a、2b、2c、2d、
2e及び3a、3b、3c、3d、3eが夫々互いに対
向して設けられている。これらの作用電極2a〜2e及
び3a〜3eの外周部には、銀板からなる対極7a、7
bが設けられている。基板4と5は、スペーサー6によ
り所定間隔に保持され、その間に銀塩溶液1が封入され
ている。
に、セルを構成する一対の透明ガラス基板4、5が一定
の間隔を置いて配置され、各基板4、5の内面に、各一
対のITOからなる作用電極2a、2b、2c、2d、
2e及び3a、3b、3c、3d、3eが夫々互いに対
向して設けられている。これらの作用電極2a〜2e及
び3a〜3eの外周部には、銀板からなる対極7a、7
bが設けられている。基板4と5は、スペーサー6によ
り所定間隔に保持され、その間に銀塩溶液1が封入され
ている。
【0011】図16の平面図に示すように、作用電極2
a〜2e、3a〜3e及び対極7a、7bは同心円状の
パターンに形成されている。各電極2aと3a、2bと
3b、2cと3c、2dと3d、2eと3e、7aと7
bは、夫々、駆動電源8a、8b、8c、8d、8e、
8fにクロム細線等からなる配線9a、9b、9c、9
d、9e、9fにより接続されている。
a〜2e、3a〜3e及び対極7a、7bは同心円状の
パターンに形成されている。各電極2aと3a、2bと
3b、2cと3c、2dと3d、2eと3e、7aと7
bは、夫々、駆動電源8a、8b、8c、8d、8e、
8fにクロム細線等からなる配線9a、9b、9c、9
d、9e、9fにより接続されている。
【0012】この構成では、互いに対向する作用電極2
aと3a、2bと3b、2cと3c、2dと3d、2e
と3eに夫々所定の電位(V1 、V2 、V3 、V4 、V
5 とする。V6 は対極7a、7bにおける基準電位。)
を与えることにより、陰極である各電極上に銀塩溶液1
から銀を析出させ、着色することができる。この着色に
よるフィルター作用、即ち、可視光の透過率(又は着色
の濃淡)は電圧の大きさ又はその印加時間とともに変化
する。
aと3a、2bと3b、2cと3c、2dと3d、2e
と3eに夫々所定の電位(V1 、V2 、V3 、V4 、V
5 とする。V6 は対極7a、7bにおける基準電位。)
を与えることにより、陰極である各電極上に銀塩溶液1
から銀を析出させ、着色することができる。この着色に
よるフィルター作用、即ち、可視光の透過率(又は着色
の濃淡)は電圧の大きさ又はその印加時間とともに変化
する。
【0013】そこで、V1 =V2 =V3 =V4 =V5 と
すれば、セルの全域に亘って一様に着色することがで
き、且つ、電圧又はその印加時間に応じて濃度の程度を
一様に変化させることができる。また、例えば、|V1
|<|V2 |<|V3 |<|V4 |<|V5 |とすれ
ば、中心部から周辺へ行くに従い着色濃度が大となる
(換言すれば、透過率が小となる。)。逆に、|V1 |
>|V2 |>|V3 |>|V4 |>|V5 |とすれば、
中心部から周辺へ行くに従い透過率が大となる。この構
成は、テレビカメラ等のCCD(電荷結合素子)用の光
学絞りとして有用であり、CCDの集積度の向上に充分
に対応できる。
すれば、セルの全域に亘って一様に着色することがで
き、且つ、電圧又はその印加時間に応じて濃度の程度を
一様に変化させることができる。また、例えば、|V1
|<|V2 |<|V3 |<|V4 |<|V5 |とすれ
ば、中心部から周辺へ行くに従い着色濃度が大となる
(換言すれば、透過率が小となる。)。逆に、|V1 |
>|V2 |>|V3 |>|V4 |>|V5 |とすれば、
中心部から周辺へ行くに従い透過率が大となる。この構
成は、テレビカメラ等のCCD(電荷結合素子)用の光
学絞りとして有用であり、CCDの集積度の向上に充分
に対応できる。
【0014】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の電気化
学的調光素子では、対極26や7a、7bとして、無垢
の銀板等の金属板をそのまま用いていたため、コスト高
になるという問題が有った。また、素子の長寿命化に伴
い、対極上に析出した不活性化した銀粒子が銀塩溶液内
に浮遊して、素子内を汚し、素子透明時の透過率の低下
を引き起こしたり、電極間を短絡させる原因になるとい
う問題も有った。
学的調光素子では、対極26や7a、7bとして、無垢
の銀板等の金属板をそのまま用いていたため、コスト高
になるという問題が有った。また、素子の長寿命化に伴
い、対極上に析出した不活性化した銀粒子が銀塩溶液内
に浮遊して、素子内を汚し、素子透明時の透過率の低下
を引き起こしたり、電極間を短絡させる原因になるとい
う問題も有った。
【0015】例えば、図15及び図16に示す素子にお
いて、作用電極の消色時には、陰極である対極7a、7
b上に銀が析出するが、この時、図17に示すように
(図では、7bを例示する。)、電極の角の尖った部分
に電界の電気力線が集中するため、その部分では銀が粒
状に比較的大きく成長し、析出する。この粒状の銀A
は、他の部分の薄膜状の銀Bと違って、作用電極の着色
時にも容易に溶解せず、図示の如く、粒状の不活性な状
態のまま離脱して銀塩溶液1中に浮遊する。このような
不活性な銀粒子が銀塩溶液中で増加すると、作用電極消
色時の素子の透明度が低下し、また、それらの銀粒子は
電極間の短絡の原因にもなる。
いて、作用電極の消色時には、陰極である対極7a、7
b上に銀が析出するが、この時、図17に示すように
(図では、7bを例示する。)、電極の角の尖った部分
に電界の電気力線が集中するため、その部分では銀が粒
状に比較的大きく成長し、析出する。この粒状の銀A
は、他の部分の薄膜状の銀Bと違って、作用電極の着色
時にも容易に溶解せず、図示の如く、粒状の不活性な状
態のまま離脱して銀塩溶液1中に浮遊する。このような
不活性な銀粒子が銀塩溶液中で増加すると、作用電極消
色時の素子の透明度が低下し、また、それらの銀粒子は
電極間の短絡の原因にもなる。
【0016】そこで、本発明の目的は、例えば、銀の析
出/溶解反応を利用した電気化学的調光素子の対極を比
較的安価な材料で構成することができ、かつ、対極上に
不活性な銀粒子が形成され難い構成の電気化学的調光素
子等の光学装置とその製造方法を提供することである。
出/溶解反応を利用した電気化学的調光素子の対極を比
較的安価な材料で構成することができ、かつ、対極上に
不活性な銀粒子が形成され難い構成の電気化学的調光素
子等の光学装置とその製造方法を提供することである。
【0017】また、本発明の他の目的は、対極の電位を
安定化して安定した駆動が可能な光学装置とその製造方
法を提供することである。
安定化して安定した駆動が可能な光学装置とその製造方
法を提供することである。
【0018】
【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
本発明の第1の光学装置は、一対の電極と、前記一対の
電極に接してそれらの間に配された銀塩溶液とを有し、
前記一対の電極の一方の電極の少なくとも表面が、少な
くとも1種の導電性粒子と少なくとも1種のバインダー
とを含有している。
本発明の第1の光学装置は、一対の電極と、前記一対の
電極に接してそれらの間に配された銀塩溶液とを有し、
前記一対の電極の一方の電極の少なくとも表面が、少な
くとも1種の導電性粒子と少なくとも1種のバインダー
とを含有している。
【0019】本発明の第1の光学装置を製造するに際
し、少なくとも1種の導電性粒子と少なくとも1種のバ
インダーとを含有する混合物を印刷又は塗布して、前記
一対の電極の一方の電極の少なくとも表面を形成するこ
とが有利である。
し、少なくとも1種の導電性粒子と少なくとも1種のバ
インダーとを含有する混合物を印刷又は塗布して、前記
一対の電極の一方の電極の少なくとも表面を形成するこ
とが有利である。
【0020】また、本発明の第2の光学装置は、一対の
電極と、前記一対の電極に接してそれらの間に配された
銀塩溶液とを有し、前記一対の電極の一方の電極の少な
くとも表面が、少なくとも1種の導電性粒子を焼結して
構成されている。
電極と、前記一対の電極に接してそれらの間に配された
銀塩溶液とを有し、前記一対の電極の一方の電極の少な
くとも表面が、少なくとも1種の導電性粒子を焼結して
構成されている。
【0021】本発明によれば、例えば、銀の析出/溶解
反応を利用した電気化学的調光素子等の光学素子の対極
の少なくとも表面を、導電性粒子とバインダーの混合物
又は導電性粒子を焼結したもので構成しているので、対
極の全体を金属板等で構成する場合に比し、その材料コ
ストを低減することができる。
反応を利用した電気化学的調光素子等の光学素子の対極
の少なくとも表面を、導電性粒子とバインダーの混合物
又は導電性粒子を焼結したもので構成しているので、対
極の全体を金属板等で構成する場合に比し、その材料コ
ストを低減することができる。
【0022】また、対極を、実質的に角の無い形状に形
成することができるので、その対極上での局所的な電界
集中を緩和することができて、対極上に不活性な粒子状
の銀が析出することを抑制又は防止でき、この結果、そ
の不活性な銀粒子が銀塩溶液中に浮遊して、素子の透明
度を低下させたり、電極間を短絡させたりすることを防
止できる。
成することができるので、その対極上での局所的な電界
集中を緩和することができて、対極上に不活性な粒子状
の銀が析出することを抑制又は防止でき、この結果、そ
の不活性な銀粒子が銀塩溶液中に浮遊して、素子の透明
度を低下させたり、電極間を短絡させたりすることを防
止できる。
【0023】
【発明の実施の形態】本発明の上記した第1の光学装置
とその製造方法においては、前記導電性粒子が、銀及び
炭素材料からなる群より選ばれた少なくとも1種で構成
されていること、また前記バインダーが、天然ゴム系、
セルロース系、フェノール系、ウレタン系及びエポキシ
系からなる群より選ばれた少なくとも1種の樹脂材料で
構成されていることがよい。
とその製造方法においては、前記導電性粒子が、銀及び
炭素材料からなる群より選ばれた少なくとも1種で構成
されていること、また前記バインダーが、天然ゴム系、
セルロース系、フェノール系、ウレタン系及びエポキシ
系からなる群より選ばれた少なくとも1種の樹脂材料で
構成されていることがよい。
【0024】そして、前記一方の電極の少なくとも表面
が、銀粒子と銀以外の導電性粒子と前記バインダーとか
らなっているのがよいが、これらの混合物の印刷又は塗
布によって前記一方の電極の少なくとも表面を形成する
のがよい。
が、銀粒子と銀以外の導電性粒子と前記バインダーとか
らなっているのがよいが、これらの混合物の印刷又は塗
布によって前記一方の電極の少なくとも表面を形成する
のがよい。
【0025】この場合、前記銀粒子が、前記銀粒子以外
の導電性粒子と前記バインダーとからなる成分に対し、
0.01倍〜100倍の重量比で添加されていること
が、前記一方の電極の電位の安定化と混合物の調製のし
易さからみて望ましく、この添加量は更に0.05〜1
0倍とするのがよい(以下、同様)。
の導電性粒子と前記バインダーとからなる成分に対し、
0.01倍〜100倍の重量比で添加されていること
が、前記一方の電極の電位の安定化と混合物の調製のし
易さからみて望ましく、この添加量は更に0.05〜1
0倍とするのがよい(以下、同様)。
【0026】具体的には、前記銀粒子が、前記銀粒子以
外の導電性粒子と前記バインダーとからなるペーストの
固形分の0.01倍〜100倍(更には0.05〜10
倍)の重量比で添加される。
外の導電性粒子と前記バインダーとからなるペーストの
固形分の0.01倍〜100倍(更には0.05〜10
倍)の重量比で添加される。
【0027】即ち、本発明の光学装置では、導電性粒子
をバインダーに含有させたもので対極(一方の電極)を
構成することによって、コスト低減をはじめ、素子の透
過率の向上、電極間の短絡の防止を実現でき、また、素
子の駆動電圧に起因すると考えられる分光特性について
も、対極材料が替わることにより改善されるものと考え
られるが、導電性粒子をバインダーに含有させるか焼結
させて対極を形成しているため、駆動中に対極内に銀が
取り込まれて銀板と異なる電位を示したり、対極が化学
的に不安定な材料からなる(銀が析出し、対極の組成が
変わる)ために、駆動制御が困難になることがある。
をバインダーに含有させたもので対極(一方の電極)を
構成することによって、コスト低減をはじめ、素子の透
過率の向上、電極間の短絡の防止を実現でき、また、素
子の駆動電圧に起因すると考えられる分光特性について
も、対極材料が替わることにより改善されるものと考え
られるが、導電性粒子をバインダーに含有させるか焼結
させて対極を形成しているため、駆動中に対極内に銀が
取り込まれて銀板と異なる電位を示したり、対極が化学
的に不安定な材料からなる(銀が析出し、対極の組成が
変わる)ために、駆動制御が困難になることがある。
【0028】しかしながら、銀粒子を他の導電性粒子と
共にバインダーに加えること(又は後述のように、銀め
っき又は銀蒸着された導電性粒子をバインダーに加えた
り、或いは焼結すること)によって、前記一方の電極の
少なくとも表面を形成すれば(換言すれば、この電極へ
の銀添加によって)、電極の電位が安定化するのであ
る。
共にバインダーに加えること(又は後述のように、銀め
っき又は銀蒸着された導電性粒子をバインダーに加えた
り、或いは焼結すること)によって、前記一方の電極の
少なくとも表面を形成すれば(換言すれば、この電極へ
の銀添加によって)、電極の電位が安定化するのであ
る。
【0029】前記一方の電極の電位が銀電極の電位より
も50mV以上、正又は負に異なっている場合に、前記
銀粒子が前記導電性粒子と前記バインダーとからなるペ
ーストに添加されると、効果的である。前記一方の電極
が銀電極の電位よりも|50mV|以上異なっている
と、銀の析出、溶解が生じ難くなるため、上記した銀粒
子の添加(或いは、後述の銀めっき又は銀蒸着された導
電性粒子)の使用によって電極の電位を銀電極と同等若
しくは銀の析出、溶解を生じ易い電位にすることができ
る(以下、同様)。
も50mV以上、正又は負に異なっている場合に、前記
銀粒子が前記導電性粒子と前記バインダーとからなるペ
ーストに添加されると、効果的である。前記一方の電極
が銀電極の電位よりも|50mV|以上異なっている
と、銀の析出、溶解が生じ難くなるため、上記した銀粒
子の添加(或いは、後述の銀めっき又は銀蒸着された導
電性粒子)の使用によって電極の電位を銀電極と同等若
しくは銀の析出、溶解を生じ易い電位にすることができ
る(以下、同様)。
【0030】また、前記一方の電極の少なくとも表面
を、予め銀めっき又は銀蒸着された銀以外の導電性粒子
と前記バインダーとからなり、この混合物の印刷又は塗
布によって形成することができる。
を、予め銀めっき又は銀蒸着された銀以外の導電性粒子
と前記バインダーとからなり、この混合物の印刷又は塗
布によって形成することができる。
【0031】この場合も、前記銀めっき又は銀蒸着され
た銀を、前記銀以外の導電性粒子と前記バインダーとか
らなる成分に対し、0.01倍〜100倍(更には0.
05〜10倍)の重量比で添加するのが、上述した理由
から望ましい。
た銀を、前記銀以外の導電性粒子と前記バインダーとか
らなる成分に対し、0.01倍〜100倍(更には0.
05〜10倍)の重量比で添加するのが、上述した理由
から望ましい。
【0032】具体的には、前記銀めっき又は銀蒸着され
た銀を、前記銀以外の導電性粒子と前記バインダーとか
らなるペーストの固形分の0.01倍〜100倍(更に
は0.05〜10倍)の重量比で添加する。
た銀を、前記銀以外の導電性粒子と前記バインダーとか
らなるペーストの固形分の0.01倍〜100倍(更に
は0.05〜10倍)の重量比で添加する。
【0033】そして、前記一方の電極の少なくとも表面
を、予め銀めっき又は銀蒸着された銀以外の導電性材料
を粉砕後に前記バインダーと混合してなるペーストの印
刷又は塗布によって形成するのがよい。
を、予め銀めっき又は銀蒸着された銀以外の導電性材料
を粉砕後に前記バインダーと混合してなるペーストの印
刷又は塗布によって形成するのがよい。
【0034】前記一方の電極の電位が銀電極の電位より
も50mV以上、正又は負に異なっている場合に、銀め
っき又は銀蒸着された前記導電性粒子を前記バインダー
に添加するのがよい。
も50mV以上、正又は負に異なっている場合に、銀め
っき又は銀蒸着された前記導電性粒子を前記バインダー
に添加するのがよい。
【0035】本発明の上記した第2の光学装置において
は、前記導電性粒子が、銀及び炭素材料からなる群より
選ばれた少なくとも1種で構成されているのがよい。
は、前記導電性粒子が、銀及び炭素材料からなる群より
選ばれた少なくとも1種で構成されているのがよい。
【0036】例えば、前記一方の電極の少なくとも表面
が、銀粒子と銀以外の導電性粒子との焼結層からなって
いて、前記一方の電極の電位が銀電極の電位よりも50
mV以上、正又は負に異なっている場合に、前記焼結層
が形成されるのが、電極の電位安定化などの点で望まし
い。
が、銀粒子と銀以外の導電性粒子との焼結層からなって
いて、前記一方の電極の電位が銀電極の電位よりも50
mV以上、正又は負に異なっている場合に、前記焼結層
が形成されるのが、電極の電位安定化などの点で望まし
い。
【0037】また、前記一方の電極の少なくとも表面
が、予め銀めっき又は銀蒸着された銀以外の導電性粒子
の焼結層からなっていてよい。
が、予め銀めっき又は銀蒸着された銀以外の導電性粒子
の焼結層からなっていてよい。
【0038】この場合、前記一方の電極の少なくとも表
面が、予め銀めっき又は銀蒸着された銀以外の導電性材
料を粉砕後に予備成形し、更に焼結して形成されていて
よい。
面が、予め銀めっき又は銀蒸着された銀以外の導電性材
料を粉砕後に予備成形し、更に焼結して形成されていて
よい。
【0039】前記一方の電極の電位が銀電極の電位より
も50mV以上、正又は負に異なっている場合に、前記
導電性材料が粉砕及び予備成形後に焼結されるのがよ
い。
も50mV以上、正又は負に異なっている場合に、前記
導電性材料が粉砕及び予備成形後に焼結されるのがよ
い。
【0040】また、本発明の第1の光学装置及びその製
造方法、及び第2の光学装置においては、前記一方の電
極を、前記導電性粒子及び前記バインダーを含有する
か、或いは前記導電性粒子を焼結して構成された第1の
導電層と、この第1の導電層の下に設けられた第2の導
電層(集電体)とによって形成するのがよい。
造方法、及び第2の光学装置においては、前記一方の電
極を、前記導電性粒子及び前記バインダーを含有する
か、或いは前記導電性粒子を焼結して構成された第1の
導電層と、この第1の導電層の下に設けられた第2の導
電層(集電体)とによって形成するのがよい。
【0041】この場合、前記第2の導電層を金属箔又は
導電性薄膜で構成することができ、例えば、前記第2の
導電層を、前記一対の電極の他方の電極と同じ材料で構
成してよい。
導電性薄膜で構成することができ、例えば、前記第2の
導電層を、前記一対の電極の他方の電極と同じ材料で構
成してよい。
【0042】そして、前記一方の電極の端縁部に実質的
に角が存在しないようにすることが重要である。
に角が存在しないようにすることが重要である。
【0043】光学装置の構成としては、具体的には、互
いに対向して配された一対の透明又は半透明基板と、こ
れら一対の透明又は半透明基板の対向面に夫々設けられ
て互いに対向するように配された少なくとも一対の透明
又は半透明電極と、前記少なくとも一対の透明又は半透
明電極に接してそれらの間に配された前記銀塩溶液と、
前記銀塩溶液に接して配され、且つ、前記導電性粒子及
び前記バインダーを含有した、或いは前記導電性粒子を
焼結して構成された対極とを有する。
いに対向して配された一対の透明又は半透明基板と、こ
れら一対の透明又は半透明基板の対向面に夫々設けられ
て互いに対向するように配された少なくとも一対の透明
又は半透明電極と、前記少なくとも一対の透明又は半透
明電極に接してそれらの間に配された前記銀塩溶液と、
前記銀塩溶液に接して配され、且つ、前記導電性粒子及
び前記バインダーを含有した、或いは前記導電性粒子を
焼結して構成された対極とを有する。
【0044】この場合、前記透明又は半透明電極がイン
ジウム−錫酸化物で構成されていてよい。
ジウム−錫酸化物で構成されていてよい。
【0045】以下、本発明を好ましい実施の形態につい
て説明する。
て説明する。
【0046】<第1の実施の形態>まず、図1を参照し
て、図15及び図16で説明したと同様の光学フィルタ
ー(電気化学的調光素子)に本発明を適用した第1の実
施の形態を説明する。
て、図15及び図16で説明したと同様の光学フィルタ
ー(電気化学的調光素子)に本発明を適用した第1の実
施の形態を説明する。
【0047】この第1の実施の形態では、図示の如く、
セルを構成する一対の透明基板(例えば、ガラス基板)
4、5が一定の間隔を置いて配置され、各基板4、5の
内面(対向面)に、各一対の作用電極(例えば、ITO
電極)2a、2b、2c、2d、2e及び3a、3b、
3c、3d、3eが夫々互いに対向して設けられてい
る。基板4と5は、スペーサー6により所定間隔に保持
され、その間に銀塩溶液1が封入されている。
セルを構成する一対の透明基板(例えば、ガラス基板)
4、5が一定の間隔を置いて配置され、各基板4、5の
内面(対向面)に、各一対の作用電極(例えば、ITO
電極)2a、2b、2c、2d、2e及び3a、3b、
3c、3d、3eが夫々互いに対向して設けられてい
る。基板4と5は、スペーサー6により所定間隔に保持
され、その間に銀塩溶液1が封入されている。
【0048】この第1の実施の形態では、作用電極2a
〜2e及び3a〜3eの外周部に設ける対極17a、1
7bを、次のように構成している。即ち、導電性粒子と
バインダーを混合したペースト状の一種の導電性塗料を
基板4、5上に印刷又は塗布して、対極17a、17b
を構成している。なお、作用電極2a〜2e及び3a〜
3e並びに対極17a、17bの平面形状は、図16に
示したものと実質的に同一である。
〜2e及び3a〜3eの外周部に設ける対極17a、1
7bを、次のように構成している。即ち、導電性粒子と
バインダーを混合したペースト状の一種の導電性塗料を
基板4、5上に印刷又は塗布して、対極17a、17b
を構成している。なお、作用電極2a〜2e及び3a〜
3e並びに対極17a、17bの平面形状は、図16に
示したものと実質的に同一である。
【0049】この時、導電性粒子としては、銀やそれ以
外の銅、ニッケルなどの金属又は合金、若しくは、グラ
ファイト(黒鉛)、易黒鉛化炭素(ソフトカーボン)、
難黒鉛化炭素(ハードカーボン)、カーボンブラック、
活性炭等の炭素材料からなるものを、夫々単独、或い
は、混合して用いることができる。導電性粒子の粒径
は、数μm〜数10μmであるのが好ましく、粒径がこ
の範囲より小さ過ぎても大き過ぎても、導電性粒子をバ
インダー中に均一に分散させることが困難になり、この
結果、膜の電気抵抗が高くなり過ぎる虞が有る。
外の銅、ニッケルなどの金属又は合金、若しくは、グラ
ファイト(黒鉛)、易黒鉛化炭素(ソフトカーボン)、
難黒鉛化炭素(ハードカーボン)、カーボンブラック、
活性炭等の炭素材料からなるものを、夫々単独、或い
は、混合して用いることができる。導電性粒子の粒径
は、数μm〜数10μmであるのが好ましく、粒径がこ
の範囲より小さ過ぎても大き過ぎても、導電性粒子をバ
インダー中に均一に分散させることが困難になり、この
結果、膜の電気抵抗が高くなり過ぎる虞が有る。
【0050】ここで、易黒鉛化炭素(ソフトカーボン)
とは、2800〜3000℃程度で熱処理された時に黒
鉛化する炭素材料であり、難黒鉛化炭素(ハードカーボ
ン)とは、3000℃程度で熱処理されても黒鉛化しな
い炭素材料である。
とは、2800〜3000℃程度で熱処理された時に黒
鉛化する炭素材料であり、難黒鉛化炭素(ハードカーボ
ン)とは、3000℃程度で熱処理されても黒鉛化しな
い炭素材料である。
【0051】易黒鉛化炭素は、例えば、石炭やピッチ
を、窒素気流中、昇温速度毎分1〜20℃、到達温度9
00〜1300℃、到達温度での保持時間0〜5時間程
度の条件で焼成することにより生成される。ピッチは、
コールタール、エチレンボトム油、原油等の高温熱分解
で得られるタール類、アスファルト等より蒸留(真空蒸
留、常圧蒸留、スチーム蒸留等)、熱重縮合、抽出、化
学重縮合等の操作により得られるもの、或いは、木材乾
留時に生成するピッチ等である。
を、窒素気流中、昇温速度毎分1〜20℃、到達温度9
00〜1300℃、到達温度での保持時間0〜5時間程
度の条件で焼成することにより生成される。ピッチは、
コールタール、エチレンボトム油、原油等の高温熱分解
で得られるタール類、アスファルト等より蒸留(真空蒸
留、常圧蒸留、スチーム蒸留等)、熱重縮合、抽出、化
学重縮合等の操作により得られるもの、或いは、木材乾
留時に生成するピッチ等である。
【0052】また、易黒鉛化炭素は、ポリ塩化ビニル樹
脂、ポリビニルアセテート、ポリビニルブチラート、
3,5−ジメチルフェノール樹脂等の高分子化合物原料
を、窒素気流中、300〜700℃で炭化した後、上述
と同じ条件で焼成しても生成される。
脂、ポリビニルアセテート、ポリビニルブチラート、
3,5−ジメチルフェノール樹脂等の高分子化合物原料
を、窒素気流中、300〜700℃で炭化した後、上述
と同じ条件で焼成しても生成される。
【0053】更に、易黒鉛化炭素は、ナフタレン、フェ
ナントレン、アントラセン、トリフェニレン、ピレン、
ペリレン、ペンタフェン、ペンタセン等の縮合多環炭化
水素化合物及びその誘導体(例えば、それらのカルボン
酸、カルボン酸無水物、カルボン酸イミド等)、更に、
上記各化合物の混合物、アセナフチレン、インドール、
イソインドール、キノリン、イソキノリン、キノキサリ
ン、フタラジン、カルバゾール、アクリジン、フェナジ
ン、フェナントリジン等の縮合複素環化合物及びその誘
導体を、上述と同様に炭化及び焼成しても生成される。
ナントレン、アントラセン、トリフェニレン、ピレン、
ペリレン、ペンタフェン、ペンタセン等の縮合多環炭化
水素化合物及びその誘導体(例えば、それらのカルボン
酸、カルボン酸無水物、カルボン酸イミド等)、更に、
上記各化合物の混合物、アセナフチレン、インドール、
イソインドール、キノリン、イソキノリン、キノキサリ
ン、フタラジン、カルバゾール、アクリジン、フェナジ
ン、フェナントリジン等の縮合複素環化合物及びその誘
導体を、上述と同様に炭化及び焼成しても生成される。
【0054】一方、難黒鉛化炭素は、例えば、フルフリ
ルアルコール又はフルフラールのホモポリマーやコポリ
マーよりなるフラン樹脂を、上述の易黒鉛化炭素の場合
と同様の条件で炭化及び焼成して生成される。
ルアルコール又はフルフラールのホモポリマーやコポリ
マーよりなるフラン樹脂を、上述の易黒鉛化炭素の場合
と同様の条件で炭化及び焼成して生成される。
【0055】また、難黒鉛化炭素は、特定のH/C原子
比(例えば、0.6〜0.8)を有する石油ピッチに、
酸素を含む官能基を導入(いわゆる酸素架橋)した有機
材料からも生成される。例えば、難黒鉛化炭素材料は、
H/C原子比が0.6〜0.8のフェノール樹脂、アク
リル樹脂、ハロゲン化ビニル樹脂、ポリイミド樹脂、ポ
リアミドイミド樹脂、ポリアミド樹脂、共役系樹脂、セ
ルロース及びその誘導体等の有機高分子系化合物や、ナ
フタレン、フェナントレン、アントラセン、トリフェニ
レン、ピレン、ペリレン、ペンタフェン、ペンタセン等
の縮合多環炭化水素化合物及びその誘導体(例えば、そ
れらのカルボン酸、カルボン酸無水物、カルボン酸イミ
ド等)、更に、上記各化合物の混合物を主成分とする各
種ピッチ、アセナフチレン、インドール、イソインドー
ル、キノリン、イソキノリン、キノキサリン、フタラジ
ン、カルバゾール、アクリジン、フェナジン、フェナン
トリジン等の縮合複素環化合物及びその誘導体を、上述
と同様の条件で炭化及び焼成して生成される。
比(例えば、0.6〜0.8)を有する石油ピッチに、
酸素を含む官能基を導入(いわゆる酸素架橋)した有機
材料からも生成される。例えば、難黒鉛化炭素材料は、
H/C原子比が0.6〜0.8のフェノール樹脂、アク
リル樹脂、ハロゲン化ビニル樹脂、ポリイミド樹脂、ポ
リアミドイミド樹脂、ポリアミド樹脂、共役系樹脂、セ
ルロース及びその誘導体等の有機高分子系化合物や、ナ
フタレン、フェナントレン、アントラセン、トリフェニ
レン、ピレン、ペリレン、ペンタフェン、ペンタセン等
の縮合多環炭化水素化合物及びその誘導体(例えば、そ
れらのカルボン酸、カルボン酸無水物、カルボン酸イミ
ド等)、更に、上記各化合物の混合物を主成分とする各
種ピッチ、アセナフチレン、インドール、イソインドー
ル、キノリン、イソキノリン、キノキサリン、フタラジ
ン、カルバゾール、アクリジン、フェナジン、フェナン
トリジン等の縮合複素環化合物及びその誘導体を、上述
と同様の条件で炭化及び焼成して生成される。
【0056】なお、以上に説明した易黒鉛化炭素及び難
黒鉛化炭素の出発原料又は前駆体にリン化合物を添加し
た後、上述の炭化及び焼成を行っても良い。
黒鉛化炭素の出発原料又は前駆体にリン化合物を添加し
た後、上述の炭化及び焼成を行っても良い。
【0057】また、本発明の導電性粒子をグラファイト
(黒鉛)で構成する場合、天然黒鉛や、例えば、上述し
た易黒鉛化炭素を前駆体として、これを2000℃以上
の高温で熱処理した人造黒鉛を用いることができる。
(黒鉛)で構成する場合、天然黒鉛や、例えば、上述し
た易黒鉛化炭素を前駆体として、これを2000℃以上
の高温で熱処理した人造黒鉛を用いることができる。
【0058】下表に、グラファイト(黒鉛)、易黒鉛化
炭素(ソフトカーボン)、難黒鉛化炭素(ハードカーボ
ン)及び活性炭の特性を比較して示す。 ──────────────────────────────────── カーボン種 結晶性 密 度 空孔度 焼成温度 導電性 ──────────────────────────────────── グラファイト 高 い 大きい 小さい 高 い 高 い ソフトカーボン ↓ ↓ ↑ ↓ ↓ ハードカーボン ↓ ↓ ↑ ↓ ↓ 活性炭 低 い 小さい 大きい 低 い 低 い ────────────────────────────────────
炭素(ソフトカーボン)、難黒鉛化炭素(ハードカーボ
ン)及び活性炭の特性を比較して示す。 ──────────────────────────────────── カーボン種 結晶性 密 度 空孔度 焼成温度 導電性 ──────────────────────────────────── グラファイト 高 い 大きい 小さい 高 い 高 い ソフトカーボン ↓ ↓ ↑ ↓ ↓ ハードカーボン ↓ ↓ ↑ ↓ ↓ 活性炭 低 い 小さい 大きい 低 い 低 い ────────────────────────────────────
【0059】本発明において、上述した導電性粒子と混
合して用いるバインダーは、銀塩溶液1に耐性を有する
ものであれば良く、例えば、天然ゴム系、セルロース
系、フェノール系、ウレタン系又はエポキシ系の樹脂を
用いることができる。このバインダーと導電性粒子の混
合比は、重量比で、約80:20〜約99:1の範囲で
あるのが好ましく、約90:10〜約99:1の範囲で
あるのがより好ましい。この混合比が80:20より少
ないと、得られる膜の強度が弱くなり過ぎる虞が有り、
一方、混合比が99:1より多いと、相対的に導電性粒
子が少なくなり過ぎて、必要な導電性が得られなくなる
虞が有る。
合して用いるバインダーは、銀塩溶液1に耐性を有する
ものであれば良く、例えば、天然ゴム系、セルロース
系、フェノール系、ウレタン系又はエポキシ系の樹脂を
用いることができる。このバインダーと導電性粒子の混
合比は、重量比で、約80:20〜約99:1の範囲で
あるのが好ましく、約90:10〜約99:1の範囲で
あるのがより好ましい。この混合比が80:20より少
ないと、得られる膜の強度が弱くなり過ぎる虞が有り、
一方、混合比が99:1より多いと、相対的に導電性粒
子が少なくなり過ぎて、必要な導電性が得られなくなる
虞が有る。
【0060】このように、対極17a、17bを、導電
性粒子とバインダーの混合物で構成することにより、従
来のように銀板等の金属板で構成した場合に比し、材料
コストを低減することができる。
性粒子とバインダーの混合物で構成することにより、従
来のように銀板等の金属板で構成した場合に比し、材料
コストを低減することができる。
【0061】また、この第1の実施の形態のように、ペ
ースト状の材料を印刷又は塗布して対極17a、17b
を形成すると、例えば、対極17bの部分の拡大図であ
る図2(a)及び更にその拡大図である図2(b)に示
すように、材料の流動性及び表面張力によって端縁部の
角が丸められ、実質的に角の存在しない形状の対極17
a、17bが形成される。従って、図17で説明したよ
うな電界集中が緩和され、その結果、銀塩溶液1から析
出した銀が粒状に比較的大きく形成されることが防止さ
れる。即ち、この第1の実施の形態では、銀塩溶液1中
に浮遊して、作用電極消色時の素子の透明度を低下させ
たり、電極間を短絡させたりする原因となる不活性な銀
粒子が対極17a、17b上で形成されることが防止さ
れる。
ースト状の材料を印刷又は塗布して対極17a、17b
を形成すると、例えば、対極17bの部分の拡大図であ
る図2(a)及び更にその拡大図である図2(b)に示
すように、材料の流動性及び表面張力によって端縁部の
角が丸められ、実質的に角の存在しない形状の対極17
a、17bが形成される。従って、図17で説明したよ
うな電界集中が緩和され、その結果、銀塩溶液1から析
出した銀が粒状に比較的大きく形成されることが防止さ
れる。即ち、この第1の実施の形態では、銀塩溶液1中
に浮遊して、作用電極消色時の素子の透明度を低下させ
たり、電極間を短絡させたりする原因となる不活性な銀
粒子が対極17a、17b上で形成されることが防止さ
れる。
【0062】この第1の実施の形態において、銀塩溶液
1としては、臭化銀、塩化銀、ヨウ化銀等のハロゲン化
銀を水又は非水溶媒に溶解させた溶液を用いることがで
きる。この時、非水溶媒としては、ジメチルスルホキシ
ド(DMSO)、ジメチルホルムアミド(DMF)、ジ
エチルホルムアミド(DEF)、N,N−ジメチルアセ
トアミド(DMAA)、N−メチルプロピオン酸アミド
(MPA)、N−メチルピロリドン(MP)、プロピレ
ンカーボネート(PC)、アセトニトリル(AN)、2
−メトキシエタノール(MEOH)、2−エトキシエタ
ノール(EEOH)等を用いることができる。
1としては、臭化銀、塩化銀、ヨウ化銀等のハロゲン化
銀を水又は非水溶媒に溶解させた溶液を用いることがで
きる。この時、非水溶媒としては、ジメチルスルホキシ
ド(DMSO)、ジメチルホルムアミド(DMF)、ジ
エチルホルムアミド(DEF)、N,N−ジメチルアセ
トアミド(DMAA)、N−メチルプロピオン酸アミド
(MPA)、N−メチルピロリドン(MP)、プロピレ
ンカーボネート(PC)、アセトニトリル(AN)、2
−メトキシエタノール(MEOH)、2−エトキシエタ
ノール(EEOH)等を用いることができる。
【0063】また、銀塩溶液中のハロゲン化銀の濃度
は、0.03〜2.0 mol/lであるのが好ましく、
0.05〜2.0 mol/lであるのがより好ましい。
は、0.03〜2.0 mol/lであるのが好ましく、
0.05〜2.0 mol/lであるのがより好ましい。
【0064】また、銀塩溶液の導電性を上げるととも
に、ハロゲン化銀の溶解のために、臭素その他のハロゲ
ンを供給可能な支持塩(支持電界質)を添加するのが好
ましい。例えば、ハロゲン化ナトリウム、ハロゲン化カ
リウム、ハロゲン化カルシウム、ハロゲン化四級アンモ
ニウム塩等をこの目的に用い得る。このような支持塩
は、ハロゲン化銀の1/2〜5倍程度の濃度範囲で添加
されるのが好ましい。
に、ハロゲン化銀の溶解のために、臭素その他のハロゲ
ンを供給可能な支持塩(支持電界質)を添加するのが好
ましい。例えば、ハロゲン化ナトリウム、ハロゲン化カ
リウム、ハロゲン化カルシウム、ハロゲン化四級アンモ
ニウム塩等をこの目的に用い得る。このような支持塩
は、ハロゲン化銀の1/2〜5倍程度の濃度範囲で添加
されるのが好ましい。
【0065】また、銀を析出又は溶解させる作用電極で
ある、例えば、ITO電極を化学的又は物理的に修飾す
ることにより、ITO電極への銀の析出電位を下げ、銀
の析出を容易とし、ITO電極や溶液自身が電気的に受
ける損傷を軽減させることができる。
ある、例えば、ITO電極を化学的又は物理的に修飾す
ることにより、ITO電極への銀の析出電位を下げ、銀
の析出を容易とし、ITO電極や溶液自身が電気的に受
ける損傷を軽減させることができる。
【0066】この場合の化学的修飾法として、錫溶液及
びパラジウム溶液の二液処理法によるパラジウム等によ
ってITO電極の表面処理(化学めっき)を行うのが好
ましい。即ち、パラジウムによるITO電極の表面活性
化処理として、ITO単独基板上にパラジウム核を析出
させることでITO電極表面上の活性を高める。
びパラジウム溶液の二液処理法によるパラジウム等によ
ってITO電極の表面処理(化学めっき)を行うのが好
ましい。即ち、パラジウムによるITO電極の表面活性
化処理として、ITO単独基板上にパラジウム核を析出
させることでITO電極表面上の活性を高める。
【0067】この場合、錫溶液としては、塩化錫(Sn
Cl2 )0.10〜1.0gを濃度0.010〜0.1
0%で、1lのHClに溶解させたもの、パラジウム溶
液としては、塩化パラジウム(PdCl2 )0.10〜
1.0gを濃度0.010〜0.10%で、1lのHC
lに溶解させたものが使用可能である。
Cl2 )0.10〜1.0gを濃度0.010〜0.1
0%で、1lのHClに溶解させたもの、パラジウム溶
液としては、塩化パラジウム(PdCl2 )0.10〜
1.0gを濃度0.010〜0.10%で、1lのHC
lに溶解させたものが使用可能である。
【0068】また、物理的修飾法としては、銀より貴な
金属等をITO電極上へ蒸着する方法が採用可能であ
る。
金属等をITO電極上へ蒸着する方法が採用可能であ
る。
【0069】<第2の実施の形態>次に、本発明の第2
の実施の形態を説明するが、この第2の実施の形態にお
いて、素子構造は、図1及び図2に示した第1の実施の
形態と実質的に同じであるため、この第2の実施の形態
の説明も図1及び図2を参照して行う。
の実施の形態を説明するが、この第2の実施の形態にお
いて、素子構造は、図1及び図2に示した第1の実施の
形態と実質的に同じであるため、この第2の実施の形態
の説明も図1及び図2を参照して行う。
【0070】この第2の実施の形態では、対極17a、
17bを、導電性粒子を焼結して構成している。これ以
外の構成は、上述した第1の実施の形態と同じである。
17bを、導電性粒子を焼結して構成している。これ以
外の構成は、上述した第1の実施の形態と同じである。
【0071】導電性粒子としては、上述した第1の実施
の形態と同様、銀やそれ以外の金属又は合金、若しく
は、グラファイト(黒鉛)、易黒鉛化炭素(ソフトカー
ボン)、難黒鉛化炭素(ハードカーボン)、カーボンブ
ラック、活性炭等の炭素材料からなるものを、夫々単
独、或いは、混合して用いることができる。導電性粒子
の粒径は、数μm〜数10μmであるのが好ましく、粒
径がこの範囲より小さいと、必要な膜厚に対し使用する
導電性粒子の量が比較的多くなってコスト高になる虞が
有り、一方、粒径が上記の範囲より大きいと、焼結して
得られる膜中の空隙が大きくなり過ぎて、膜の機械的強
度が弱くなったり、電気抵抗が高くなり過ぎる虞が有
る。
の形態と同様、銀やそれ以外の金属又は合金、若しく
は、グラファイト(黒鉛)、易黒鉛化炭素(ソフトカー
ボン)、難黒鉛化炭素(ハードカーボン)、カーボンブ
ラック、活性炭等の炭素材料からなるものを、夫々単
独、或いは、混合して用いることができる。導電性粒子
の粒径は、数μm〜数10μmであるのが好ましく、粒
径がこの範囲より小さいと、必要な膜厚に対し使用する
導電性粒子の量が比較的多くなってコスト高になる虞が
有り、一方、粒径が上記の範囲より大きいと、焼結して
得られる膜中の空隙が大きくなり過ぎて、膜の機械的強
度が弱くなったり、電気抵抗が高くなり過ぎる虞が有
る。
【0072】この第2の実施の形態において、焼結によ
り充分な機械的強度が得られる場合には、特に、導電性
粒子にバインダーを混合する必要は無い。なお、バイン
ダーを混合した上で焼結しても勿論良い。その場合、バ
インダーとしては、第1の実施の形態で説明したものを
用いることができる。
り充分な機械的強度が得られる場合には、特に、導電性
粒子にバインダーを混合する必要は無い。なお、バイン
ダーを混合した上で焼結しても勿論良い。その場合、バ
インダーとしては、第1の実施の形態で説明したものを
用いることができる。
【0073】この第2の実施の形態では、金属や炭素材
料等の導電性粒子を予備成形後に焼結して対極17a、
17bを形成し、これを基板に接着等で固定しているの
で、緻密な金属板等で構成した場合に比し、材料の使用
量を減らすことができ、この結果、対極17a、17b
の材料コストを低減することができる。
料等の導電性粒子を予備成形後に焼結して対極17a、
17bを形成し、これを基板に接着等で固定しているの
で、緻密な金属板等で構成した場合に比し、材料の使用
量を減らすことができ、この結果、対極17a、17b
の材料コストを低減することができる。
【0074】また、粉体を焼結して得られる対極17
a、17bの形状は、その焼結前に予備成形で所定形状
の粉体層となし、これを焼結して得られるので、粉体層
の形状にほぼ等しくなる。従って、例えば、図2(a)
及び(b)に示すように、実質的に角の存在しない形状
の対極17a、17bが形成される。従って、図17で
説明したような電界集中が緩和され、その結果、銀塩溶
液1から析出した銀が粒状に比較的大きく形成されるこ
とが防止される。即ち、この第2の実施の形態でも、銀
塩溶液1中に浮遊して、作用電極消色時の素子の透明度
を低下させたり、電極間を短絡させたりする原因となる
不活性な銀粒子が対極17a、17b上で形成されるこ
とが防止される。
a、17bの形状は、その焼結前に予備成形で所定形状
の粉体層となし、これを焼結して得られるので、粉体層
の形状にほぼ等しくなる。従って、例えば、図2(a)
及び(b)に示すように、実質的に角の存在しない形状
の対極17a、17bが形成される。従って、図17で
説明したような電界集中が緩和され、その結果、銀塩溶
液1から析出した銀が粒状に比較的大きく形成されるこ
とが防止される。即ち、この第2の実施の形態でも、銀
塩溶液1中に浮遊して、作用電極消色時の素子の透明度
を低下させたり、電極間を短絡させたりする原因となる
不活性な銀粒子が対極17a、17b上で形成されるこ
とが防止される。
【0075】<第3の実施の形態>次に、図3を参照し
て、本発明の第3の実施の形態を説明する。この第3の
実施の形態において、上述した第1及び第2の実施の形
態に対応する部位には、上述した第1及び第2の実施の
形態と同一の符号を付す。
て、本発明の第3の実施の形態を説明する。この第3の
実施の形態において、上述した第1及び第2の実施の形
態に対応する部位には、上述した第1及び第2の実施の
形態と同一の符号を付す。
【0076】この第3の実施の形態では、図示の如く、
基板4、5(図では、5を例示する。)の上に、銀、
銅、ステンレススチール、ITO等の金属箔からなる下
地導電層18が接着等で設けられ、この下地導電層18
の上にペースト層19が設けられて、これらの下地導電
層18とペースト層19により、図1に示したと実質的
に同様の光学フィルターの対極17a、17b(図で
は、17bを例示する。)が形成されている。
基板4、5(図では、5を例示する。)の上に、銀、
銅、ステンレススチール、ITO等の金属箔からなる下
地導電層18が接着等で設けられ、この下地導電層18
の上にペースト層19が設けられて、これらの下地導電
層18とペースト層19により、図1に示したと実質的
に同様の光学フィルターの対極17a、17b(図で
は、17bを例示する。)が形成されている。
【0077】この第3の実施の形態では、ペースト層1
9が、上述した第1の実施の形態における対極17a、
17bの組成と同様の組成を有する。即ち、ペースト層
19は、銀等の金属材料や炭素材料からなる導電性粒子
とバインダーを混合した導電性ペーストにより構成され
ている。導電性粒子やバインダーの種類及び混合比等
は、上述した第1の実施の形態と実質的に同一で良い。
9が、上述した第1の実施の形態における対極17a、
17bの組成と同様の組成を有する。即ち、ペースト層
19は、銀等の金属材料や炭素材料からなる導電性粒子
とバインダーを混合した導電性ペーストにより構成され
ている。導電性粒子やバインダーの種類及び混合比等
は、上述した第1の実施の形態と実質的に同一で良い。
【0078】この第3の実施の形態において、これ以外
の構成は、上述した第1の実施の形態と同じである。従
って、その詳細な説明は省略する。
の構成は、上述した第1の実施の形態と同じである。従
って、その詳細な説明は省略する。
【0079】この第3の実施の形態では、対極17a、
17bの表面層を、導電性粒子とバインダーの混合物で
構成しているので、全体を金属板等で構成する場合に比
し、対極17a、17bの材料コストを低減することが
できる。
17bの表面層を、導電性粒子とバインダーの混合物で
構成しているので、全体を金属板等で構成する場合に比
し、対極17a、17bの材料コストを低減することが
できる。
【0080】また、対極17a、17bの表面層である
ペースト層19は、第1の実施の形態の図2で説明した
ように、実質的に角の存在しない形状に形成される。従
って、この第3の実施の形態においても、実質的に角の
存在しない形状の対極17a、17bが形成されて、図
17で説明したような電界集中が緩和され、その結果、
銀塩溶液1から析出した銀が粒状に比較的大きく形成さ
れることが防止される。即ち、この第3の実施の形態で
も、銀塩溶液1中に浮遊して、作用電極消色時の素子の
透明度を低下させたり、電極間を短絡させたりする原因
となる不活性な銀粒子が対極17a、17b上で形成さ
れることが防止される。
ペースト層19は、第1の実施の形態の図2で説明した
ように、実質的に角の存在しない形状に形成される。従
って、この第3の実施の形態においても、実質的に角の
存在しない形状の対極17a、17bが形成されて、図
17で説明したような電界集中が緩和され、その結果、
銀塩溶液1から析出した銀が粒状に比較的大きく形成さ
れることが防止される。即ち、この第3の実施の形態で
も、銀塩溶液1中に浮遊して、作用電極消色時の素子の
透明度を低下させたり、電極間を短絡させたりする原因
となる不活性な銀粒子が対極17a、17b上で形成さ
れることが防止される。
【0081】更に、この第3の実施の形態では、ペース
ト層19の下に、機械的強度が比較的高く且つ低抵抗の
下地導電層18を設けているので、上述した第1の実施
の形態の場合に比較して、対極17a、17b全体の機
械的強度が高く且つその電気抵抗が小さくなる。このよ
うに、対極17a、17bの電気抵抗を小さくすること
により、低電圧による駆動が可能となる。
ト層19の下に、機械的強度が比較的高く且つ低抵抗の
下地導電層18を設けているので、上述した第1の実施
の形態の場合に比較して、対極17a、17b全体の機
械的強度が高く且つその電気抵抗が小さくなる。このよ
うに、対極17a、17bの電気抵抗を小さくすること
により、低電圧による駆動が可能となる。
【0082】なお、この第3の実施の形態において、下
地導電層18として、作用電極と同じITOを用いるこ
ともできる。その場合には、下地導電層18を、作用電
極2a〜2e及び3a〜3e(図1参照)と同一の工程
で形成することができるので、簡便である。
地導電層18として、作用電極と同じITOを用いるこ
ともできる。その場合には、下地導電層18を、作用電
極2a〜2e及び3a〜3e(図1参照)と同一の工程
で形成することができるので、簡便である。
【0083】また、この第3の実施の形態を、上述した
第2の実施の形態と組み合わせた構成とすることも可能
である。即ち、ペースト層19の代わりに、対極17
a、17bの表面層を、導電性粒子を焼結した焼結層で
構成することができる。その場合にも、上述したと実質
的に同じ効果が得られる。
第2の実施の形態と組み合わせた構成とすることも可能
である。即ち、ペースト層19の代わりに、対極17
a、17bの表面層を、導電性粒子を焼結した焼結層で
構成することができる。その場合にも、上述したと実質
的に同じ効果が得られる。
【0084】<第4の実施の形態>次に、図4を参照し
て、本発明の第4の実施の形態を説明する。
て、本発明の第4の実施の形態を説明する。
【0085】図示の如く、この第4の実施の形態は、図
13及び図14で説明した電気化学的調光素子に本発明
を適用したものである。
13及び図14で説明した電気化学的調光素子に本発明
を適用したものである。
【0086】即ち、一対の透明基板(例えば、ガラス基
板)24、25が一定の間隔を置いて表示窓として配置
されている。各基板24、25の内面(対向面)には、
作用電極(例えば、ITO電極)22、23が設けら
れ、この対向する作用電極22、23間に銀塩溶液21
が配されている。
板)24、25が一定の間隔を置いて表示窓として配置
されている。各基板24、25の内面(対向面)には、
作用電極(例えば、ITO電極)22、23が設けら
れ、この対向する作用電極22、23間に銀塩溶液21
が配されている。
【0087】基板24、25間には、その全周に、例え
ば、ガラス板等からなるスペーサー28が配され、この
スペーサー28の内面に、上述した第1の実施の形態と
同様の導電性ペースト又は上述した第2の実施の形態と
同様の焼結層により構成された対極27が設けられてい
る(図4参照)。
ば、ガラス板等からなるスペーサー28が配され、この
スペーサー28の内面に、上述した第1の実施の形態と
同様の導電性ペースト又は上述した第2の実施の形態と
同様の焼結層により構成された対極27が設けられてい
る(図4参照)。
【0088】この第4の実施の形態では、スペーサー2
8の表面にのみ対極27を設けているので、従来のよう
にスペーサーの全体を対極として銀板等で構成する場合
に比し、その材料コストを大幅に低減することができ
る。
8の表面にのみ対極27を設けているので、従来のよう
にスペーサーの全体を対極として銀板等で構成する場合
に比し、その材料コストを大幅に低減することができ
る。
【0089】図5〜図10に、この第4の実施の形態に
従い導電性ペースト及びカーボン焼結層を夫々対極とし
た場合の光の波長とITO作用電極の透過率の関係を調
べた実験結果を示す。各図において、縦軸は透過率
〔%〕、横軸は光の波長〔nm〕である。
従い導電性ペースト及びカーボン焼結層を夫々対極とし
た場合の光の波長とITO作用電極の透過率の関係を調
べた実験結果を示す。各図において、縦軸は透過率
〔%〕、横軸は光の波長〔nm〕である。
【0090】銀塩としては臭化銀を用い、溶媒としてD
MSOを用いた。また、AgBr濃度は500mM/l
とし、支持塩としてヨウ素の四級アンモニウム塩(Tetr
a-n-butyl ammonium iodide)を500mM/l溶解さ
せ、電解液とした。作用電極としては、7mmφのIT
O透明電極を用いた。
MSOを用いた。また、AgBr濃度は500mM/l
とし、支持塩としてヨウ素の四級アンモニウム塩(Tetr
a-n-butyl ammonium iodide)を500mM/l溶解さ
せ、電解液とした。作用電極としては、7mmφのIT
O透明電極を用いた。
【0091】図5及び図6は、バインダー(エポキシ
系)と銀粒子の混合比(重量比)を約90:10として
作成した導電性ペーストを対極に用いた時の、作用電極
上の銀析出時及び作用電極からの銀溶解時の透過率の変
化を夫々示したものである。駆動方法は、定電位ステッ
プ法を用い、図5の銀析出時が、印加電圧−0.8Vの
計2秒間、図6の銀溶解時が、+1.0Vの計2秒間と
した。
系)と銀粒子の混合比(重量比)を約90:10として
作成した導電性ペーストを対極に用いた時の、作用電極
上の銀析出時及び作用電極からの銀溶解時の透過率の変
化を夫々示したものである。駆動方法は、定電位ステッ
プ法を用い、図5の銀析出時が、印加電圧−0.8Vの
計2秒間、図6の銀溶解時が、+1.0Vの計2秒間と
した。
【0092】これらの図5及び図6から、特に、作用電
極の着色時(図5の銀析出時)に、波長による透過率の
変化が少なく、従って、波長による透過率のむら(色む
ら等)の生じ難いことが分かる。また、作用電極の消色
時(図6の銀溶解時)に、比較的速く透過率が回復する
(消色する)ことが分かる。
極の着色時(図5の銀析出時)に、波長による透過率の
変化が少なく、従って、波長による透過率のむら(色む
ら等)の生じ難いことが分かる。また、作用電極の消色
時(図6の銀溶解時)に、比較的速く透過率が回復する
(消色する)ことが分かる。
【0093】図7及び図8は、バインダー(エポキシ
系)とカーボンブラック粒子の混合比(重量比)を約8
0:20として作成した導電性ペーストを対極に用いた
時の、作用電極上の銀析出時及び作用電極からの銀溶解
時の透過率の変化を夫々示したものである。駆動方法
は、定電位ステップ法を用い、図7の銀析出時が、印加
電圧−0.8Vの計2秒間、図8の銀溶解時が、+1.
0Vの計2秒間とした。
系)とカーボンブラック粒子の混合比(重量比)を約8
0:20として作成した導電性ペーストを対極に用いた
時の、作用電極上の銀析出時及び作用電極からの銀溶解
時の透過率の変化を夫々示したものである。駆動方法
は、定電位ステップ法を用い、図7の銀析出時が、印加
電圧−0.8Vの計2秒間、図8の銀溶解時が、+1.
0Vの計2秒間とした。
【0094】これらの図7及び図8から、図5及び図6
の銀ペーストを用いた場合に比し、作用電極の消色(図
8の銀溶解)速度は若干遅くなるものの、作用電極の着
色(図7の銀析出)速度が速くなる(従って、素子の動
作速度が速くなる)ことが分かる。なお、波長による透
過率の変化は、図5及び図6の銀ペーストを用いた場合
よりも若干悪くなるが、実用上は問題の無い範囲であ
る。
の銀ペーストを用いた場合に比し、作用電極の消色(図
8の銀溶解)速度は若干遅くなるものの、作用電極の着
色(図7の銀析出)速度が速くなる(従って、素子の動
作速度が速くなる)ことが分かる。なお、波長による透
過率の変化は、図5及び図6の銀ペーストを用いた場合
よりも若干悪くなるが、実用上は問題の無い範囲であ
る。
【0095】図9及び図10は、カーボン焼結層を対極
に用いた時の、作用電極上の銀析出時及び作用電極から
の銀溶解時の透過率の変化を夫々示したものである。駆
動方法は、定電位ステップ法を用い、図9の銀析出時
が、印加電圧−1.2Vの計2秒間、図10の銀溶解時
が、+0.5Vの計2秒間とした。
に用いた時の、作用電極上の銀析出時及び作用電極から
の銀溶解時の透過率の変化を夫々示したものである。駆
動方法は、定電位ステップ法を用い、図9の銀析出時
が、印加電圧−1.2Vの計2秒間、図10の銀溶解時
が、+0.5Vの計2秒間とした。
【0096】これらの図9及び図10から分かるよう
に、カーボン焼結層を用いた場合、波長による透過率の
変化は、図5〜図8の導電ペーストを用いた場合よりも
悪くなるが、これは、実用上問題の無い範囲である。
に、カーボン焼結層を用いた場合、波長による透過率の
変化は、図5〜図8の導電ペーストを用いた場合よりも
悪くなるが、これは、実用上問題の無い範囲である。
【0097】下表に、図5〜図10で説明した実験にお
いて、対極として、銀板(従来例)、銀ペースト、カー
ボンペースト及びカーボン焼結層を夫々用いた場合の2
万回駆動後の対極上での析出物の発生状況を示す。 ─────────────────────────── 対極種 対極上での析出物 ─────────────────────────── 銀板 発生 銀ペースト 僅かに発生 カーボンペースト 発生せず カーボン焼結層 発生せず ───────────────────────────
いて、対極として、銀板(従来例)、銀ペースト、カー
ボンペースト及びカーボン焼結層を夫々用いた場合の2
万回駆動後の対極上での析出物の発生状況を示す。 ─────────────────────────── 対極種 対極上での析出物 ─────────────────────────── 銀板 発生 銀ペースト 僅かに発生 カーボンペースト 発生せず カーボン焼結層 発生せず ───────────────────────────
【0098】この結果から分かるように、従来の銀板を
用いた場合には、特に、その角部において形成された銀
粒子(図15参照)が、作用電極の消色時にも溶解せ
ず、対極上に析出物として残る。これに対し、銀ペース
トを用いた場合には、その不活性な銀粒子の形成が抑制
されるため、対極上での析出物の発生は僅かである。更
に、カーボンペーストやカーボン焼結層を用いた場合に
は、不活性な銀粒子が殆ど形成されないため、対極上で
の析出物の発生は実質上殆ど無い。
用いた場合には、特に、その角部において形成された銀
粒子(図15参照)が、作用電極の消色時にも溶解せ
ず、対極上に析出物として残る。これに対し、銀ペース
トを用いた場合には、その不活性な銀粒子の形成が抑制
されるため、対極上での析出物の発生は僅かである。更
に、カーボンペーストやカーボン焼結層を用いた場合に
は、不活性な銀粒子が殆ど形成されないため、対極上で
の析出物の発生は実質上殆ど無い。
【0099】即ち、本発明に従い対極に導電性ペースト
や焼結層を用いることにより、対極上での不活性な銀粒
子の形成を抑制することができて、それらの不活性な銀
粒子による銀塩溶液の汚染を防止することができる。
や焼結層を用いることにより、対極上での不活性な銀粒
子の形成を抑制することができて、それらの不活性な銀
粒子による銀塩溶液の汚染を防止することができる。
【0100】<第5の実施の形態>次に、図11及び図
12を参照して、本発明の第5の実施の形態を説明す
る。
12を参照して、本発明の第5の実施の形態を説明す
る。
【0101】この第5の実施の形態は、上述した第4の
実施の形態で用いたと同様の電気化学的調光素子に本発
明を適用したものである。但し、対極27の材質以外は
同一構成であるので、共通部分の説明は省略する。
実施の形態で用いたと同様の電気化学的調光素子に本発
明を適用したものである。但し、対極27の材質以外は
同一構成であるので、共通部分の説明は省略する。
【0102】この第5の実施の形態では、対極として、
種々のバインダーに導電性粒子としてのカーボンを種々
の混合比で混合してなるペーストを塗布又は印刷したも
のと、この混合物(ペースト)に更に銀粒子を所定量添
加して塗布又は印刷したものとを使用した。ここで使用
するバインダー、導電性粒子(カーボン、銀粒子)は、
上述した第1の実施の形態で述べたものから選択され
た。
種々のバインダーに導電性粒子としてのカーボンを種々
の混合比で混合してなるペーストを塗布又は印刷したも
のと、この混合物(ペースト)に更に銀粒子を所定量添
加して塗布又は印刷したものとを使用した。ここで使用
するバインダー、導電性粒子(カーボン、銀粒子)は、
上述した第1の実施の形態で述べたものから選択され
た。
【0103】このように、種々のバインダー種、カーボ
ン混合比を変えて、或いは更に銀粒子を添加してなる対
極(但し、下地にITO膜を設けたもの)を用い、電解
液に浸漬した直後の電極間電位(初期電位V0 :Vv
s.Ag/Ag+ )について測定を行った。また、作用
電極をITO電極とし、図11(A)のように銀に対し
て還元側の−0.75Vから酸化側に+1.5Vまで、
掃引速度100mV/Sで駆動したとき、図1(B)に
ΔVで示される各電極の分極の度合い(分極電圧)を測
定し、評価を行った。その結果を下記の表1と図12に
示す。
ン混合比を変えて、或いは更に銀粒子を添加してなる対
極(但し、下地にITO膜を設けたもの)を用い、電解
液に浸漬した直後の電極間電位(初期電位V0 :Vv
s.Ag/Ag+ )について測定を行った。また、作用
電極をITO電極とし、図11(A)のように銀に対し
て還元側の−0.75Vから酸化側に+1.5Vまで、
掃引速度100mV/Sで駆動したとき、図1(B)に
ΔVで示される各電極の分極の度合い(分極電圧)を測
定し、評価を行った。その結果を下記の表1と図12に
示す。
【0104】
【0105】表1及び図12中に示した各バインダーの
横に記した数字は種々のバインダーに対するカーボン混
合比である(例えばウレタン1とは、重量比でウレタン
樹脂99:カーボン1である)。
横に記した数字は種々のバインダーに対するカーボン混
合比である(例えばウレタン1とは、重量比でウレタン
樹脂99:カーボン1である)。
【0106】これによれば、導電性粒子が炭素材料のみ
では、初期電位V0 が銀に比べて50mV以上、正に移
動していることが示され、種々の組成比にしても初期電
位V0 を銀の電位と同等に設計するのは困難であり、分
極電圧ΔVも大きくなることが分かる。
では、初期電位V0 が銀に比べて50mV以上、正に移
動していることが示され、種々の組成比にしても初期電
位V0 を銀の電位と同等に設計するのは困難であり、分
極電圧ΔVも大きくなることが分かる。
【0107】しかしながら、銀粉を天然ゴム2に重量比
で0.1倍(10%)添加すると、初期電位V0 を銀に
対して−30mVで設計でき、また分極電圧もかなり小
さくなることが分かる。但し、バインダーにカーボン、
更には銀粉10%添加の各サンプルでは、下地に用いた
ITOが+250〜+350mV vs.Ag/Ag+で
あるため、これをプラスした結果となっている。にもか
かわらず、天然ゴム2にAg粉10%添加の本発明に基
づくサンプルの初期電位は、Ag板の場合より−30m
Vとなっているにすぎない。
で0.1倍(10%)添加すると、初期電位V0 を銀に
対して−30mVで設計でき、また分極電圧もかなり小
さくなることが分かる。但し、バインダーにカーボン、
更には銀粉10%添加の各サンプルでは、下地に用いた
ITOが+250〜+350mV vs.Ag/Ag+で
あるため、これをプラスした結果となっている。にもか
かわらず、天然ゴム2にAg粉10%添加の本発明に基
づくサンプルの初期電位は、Ag板の場合より−30m
Vとなっているにすぎない。
【0108】ここで使用した天然ゴムは平均分子量が5
〜6万の範囲のもの、例えば55000のものである
が、これ以外にもカルボキシメチルセルロース(平均分
子量2〜3万、例えば22000)を含む他のバインダ
ーを用いても同様の効果が得られる。
〜6万の範囲のもの、例えば55000のものである
が、これ以外にもカルボキシメチルセルロース(平均分
子量2〜3万、例えば22000)を含む他のバインダ
ーを用いても同様の効果が得られる。
【0109】なお、銀を添加しない対極を用いて駆動し
た場合、対極上に銀が析出し、このために、駆動時に経
時的に対極の組成が変化し、電位のシフトが生じ易い。
そこで、予め上記のように銀添加を行うことにより、安
定なデバイス駆動を実現することができる。
た場合、対極上に銀が析出し、このために、駆動時に経
時的に対極の組成が変化し、電位のシフトが生じ易い。
そこで、予め上記のように銀添加を行うことにより、安
定なデバイス駆動を実現することができる。
【0110】また、上記の天然ゴム2+銀粉10%添加
の対極を用いた素子についても、対極上への析出物の発
生は僅かであり、更に図5及び図6で示したと同様の透
過率データが得られている。
の対極を用いた素子についても、対極上への析出物の発
生は僅かであり、更に図5及び図6で示したと同様の透
過率データが得られている。
【0111】以上、本発明を好ましい実施の形態に従い
説明したが、上述の実施の形態は、本発明の技術的思想
に基づき種々に変形が可能である。
説明したが、上述の実施の形態は、本発明の技術的思想
に基づき種々に変形が可能である。
【0112】例えば、上述した対極は、その全体が本発
明に基づいて塗布等で形成されるのがよいが、銀塩溶液
側の少なくとも表面を本発明に基づいて塗布等で形成し
てもよい(この場合、下地は上述した第3の実施の形態
のように通常の金属からなっていてよい)。また、図1
に示した電極パターンは、同心円状に限らず、ストライ
プ状、格子状等種々に変更が可能である。また、各分割
電極毎に異なるセルを設けることもできる。
明に基づいて塗布等で形成されるのがよいが、銀塩溶液
側の少なくとも表面を本発明に基づいて塗布等で形成し
てもよい(この場合、下地は上述した第3の実施の形態
のように通常の金属からなっていてよい)。また、図1
に示した電極パターンは、同心円状に限らず、ストライ
プ状、格子状等種々に変更が可能である。また、各分割
電極毎に異なるセルを設けることもできる。
【0113】また、本発明の光学装置は、公知の他のフ
ィルター材(例えば、有機系のエレクトロクロミック
材、液晶、エレクトロルミネッセンス材等)と組み合わ
せて用いることも可能である。
ィルター材(例えば、有機系のエレクトロクロミック
材、液晶、エレクトロルミネッセンス材等)と組み合わ
せて用いることも可能である。
【0114】更に、本発明の光学装置は、CCDの光学
絞りをはじめ、各種光学系、例えば、電子写真複写機や
光通信機器等の光量調節用としても広く適用が可能であ
る。更に、本発明の光学装置は、光学フィルター以外
に、キャラクターやイメージを表示する各種の画像表示
素子に適用することができる。
絞りをはじめ、各種光学系、例えば、電子写真複写機や
光通信機器等の光量調節用としても広く適用が可能であ
る。更に、本発明の光学装置は、光学フィルター以外
に、キャラクターやイメージを表示する各種の画像表示
素子に適用することができる。
【0115】
【発明の効果】本発明においては、銀の析出/溶解反応
を利用した電気化学的調光素子等の光学素子の一方の電
極の少なくとも表面を、導電性粒子とバインダーの混合
物又は導電性粒子を焼結したもので構成している。従っ
て、一方の電極の全体を金属板等で構成する場合に比
し、その材料コストを低減することができる。
を利用した電気化学的調光素子等の光学素子の一方の電
極の少なくとも表面を、導電性粒子とバインダーの混合
物又は導電性粒子を焼結したもので構成している。従っ
て、一方の電極の全体を金属板等で構成する場合に比
し、その材料コストを低減することができる。
【0116】また、一方の電極を、実質的に角の無い形
状に形成することができるので、その電極上での局所的
な電界集中を緩和することができて、電極上に不活性な
粒子状の銀が析出することを抑制又は防止でき、この結
果、その不活性な銀粒子が銀塩溶液中に浮遊して、素子
の透明度を低下させたり、電極間を短絡させたりするこ
とを防止できる。
状に形成することができるので、その電極上での局所的
な電界集中を緩和することができて、電極上に不活性な
粒子状の銀が析出することを抑制又は防止でき、この結
果、その不活性な銀粒子が銀塩溶液中に浮遊して、素子
の透明度を低下させたり、電極間を短絡させたりするこ
とを防止できる。
【図1】本発明の第1及び第2の実施の形態による光学
フィルターの構成を示す断面図である。
フィルターの構成を示す断面図である。
【図2】本発明の第1及び第2の実施の形態による光学
フィルターの対極の拡大断面図である。
フィルターの対極の拡大断面図である。
【図3】本発明の第3の実施の形態による光学フィルタ
ーの対極の拡大断面図である。
ーの対極の拡大断面図である。
【図4】本発明の第4及び第5の実施の形態による光学
フィルターの構成を示す断面図である。
フィルターの構成を示す断面図である。
【図5】対極に銀ペーストを用いた場合の銀析出時の光
の波長と透過率の関係を示すグラフである。
の波長と透過率の関係を示すグラフである。
【図6】対極に銀ペーストを用いた場合の銀溶解時の光
の波長と透過率の関係を示すグラフである。
の波長と透過率の関係を示すグラフである。
【図7】対極にカーボンペーストを用いた場合の銀析出
時の光の波長と透過率の関係を示すグラフである。
時の光の波長と透過率の関係を示すグラフである。
【図8】対極にカーボンペーストを用いた場合の銀溶解
時の光の波長と透過率の関係を示すグラフである。
時の光の波長と透過率の関係を示すグラフである。
【図9】対極にカーボン焼結層を用いた場合の銀析出時
の光の波長と透過率の関係を示すグラフである。
の光の波長と透過率の関係を示すグラフである。
【図10】対極にカーボン焼結層を用いた場合の銀溶解
時の光の波長と透過率の関係を示すグラフである。
時の光の波長と透過率の関係を示すグラフである。
【図11】駆動時の掃引電圧と分極電圧を示す波形図で
ある。
ある。
【図12】駆動時の初期電位V0 と電極電圧ΔVを各種
の対極毎に示すグラフである。
の対極毎に示すグラフである。
【図13】従来の電気化学的調光素子の構成及び動作原
理を示す断面図である。
理を示す断面図である。
【図14】図13に示した素子の外観斜視図である。
【図15】従来の別の電気化学的調光素子の構成を示す
断面図である。
断面図である。
【図16】図15に示した素子の概略平面図である。
【図17】従来の問題点を示す概念図である。
1、21…銀塩溶液、2a〜2e、3a〜3e、22、
23…作用電極(ITO電極)、4、5、23、24…
透明基板(ガラス基板)、6、28…スペーサー、7
a、7b、17a、17b、27…対極、18…下地導
電層、26…対極(スペーサー)
23…作用電極(ITO電極)、4、5、23、24…
透明基板(ガラス基板)、6、28…スペーサー、7
a、7b、17a、17b、27…対極、18…下地導
電層、26…対極(スペーサー)
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 井本 浩 東京都品川区北品川6丁目7番35号 ソニ ー株式会社内 (72)発明者 河端 大 東京都品川区北品川6丁目7番35号 ソニ ー株式会社内
Claims (49)
- 【請求項1】 一対の電極と、 前記一対の電極に接してそれらの間に配された銀塩溶液
とを有し、 前記一対の電極の一方の電極の少なくとも表面が、少な
くとも1種の導電性粒子と少なくとも1種のバインダー
とを含有している、光学装置。 - 【請求項2】 前記導電性粒子が、銀及び炭素材料から
なる群より選ばれた少なくとも1種で構成されている、
請求項1に記載の光学装置。 - 【請求項3】 前記バインダーが、天然ゴム系、セルロ
ース系、フェノール系、ウレタン系及びエポキシ系から
なる群より選ばれた少なくとも1種の樹脂材料で構成さ
れている、請求項1に記載の光学装置。 - 【請求項4】 前記一方の電極の少なくとも表面が、銀
粒子と銀以外の導電性粒子と前記バインダーとからなっ
ている、請求項1に記載の光学装置。 - 【請求項5】 前記銀粒子が、前記銀粒子以外の導電性
粒子と前記バインダーとからなる成分に対し、0.01
倍〜100倍の重量比で添加されている、請求項4に記
載の光学装置。 - 【請求項6】 前記銀粒子が、前記銀粒子以外の導電性
粒子と前記バインダーとからなるペーストの固形分の
0.01倍〜100倍の重量比で添加されている、請求
項5に記載の光学装置。 - 【請求項7】 前記一方の電極の電位が銀電極の電位よ
りも50mV以上、正又は負に異なっている場合に、前
記銀粒子が前記導電性粒子と前記バインダーとからなる
ペーストに添加される、請求項4に記載の光学装置。 - 【請求項8】 前記一方の電極の少なくとも表面が、予
め銀めっき又は銀蒸着された銀以外の導電性粒子と前記
バインダーとからなっている、請求項1に記載の光学装
置。 - 【請求項9】 前記銀めっき又は銀蒸着された銀が、前
記銀以外の導電性粒子と前記バインダーとからなる成分
に対し、0.01倍〜100倍の重量比で添加されてい
る、請求項8に記載の光学装置。 - 【請求項10】 前記銀めっき又は銀蒸着された銀が、
前記銀以外の導電性粒子と前記バインダーとからなるペ
ーストの固形分の0.01倍〜100倍の重量比で添加
されている、請求項9に記載の光学装置。 - 【請求項11】 前記一方の電極の少なくとも表面が、
予め銀めっき又は銀蒸着された銀以外の導電性材料を粉
砕後に前記バインダーと混合してなるペーストによって
形成されている、請求項8に記載の光学装置。 - 【請求項12】 前記一方の電極の電位が銀電極の電位
よりも50mV以上、正又は負に異なっている場合に、
前記導電性粒子が前記バインダーに添加される、請求項
8に記載の光学装置。 - 【請求項13】 前記一方の電極が、前記導電性粒子及
び前記バインダーを含有した第1の導電層と、この第1
の導電層の下に設けられた第2の導電層とを備えてい
る、請求項1に記載の光学装置。 - 【請求項14】 前記第2の導電層が金属箔又は導電性
薄膜で構成されている、請求項13に記載の光学装置。 - 【請求項15】 前記第2の導電層が、前記一対の電極
の他方の電極と同じ材料で構成されている、請求項13
に記載の光学装置。 - 【請求項16】 前記一方の電極の端縁部に実質的に角
が存在しない、請求項1に記載の光学装置。 - 【請求項17】 互いに対向して配された一対の透明又
は半透明基板と、これら一対の透明又は半透明基板の対
向面に夫々設けられて互いに対向するように配された少
なくとも一対の透明又は半透明電極と、前記少なくとも
一対の透明又は半透明電極に接してそれらの間に配され
た前記銀塩溶液と、前記銀塩溶液に接して配され、且
つ、前記導電性粒子及び前記バインダーを含有した対極
とを有する、請求項1に記載の光学装置。 - 【請求項18】 前記透明又は半透明電極がインジウム
−錫酸化物で構成されている、請求項17に記載の光学
装置。 - 【請求項19】 一対の電極と、 前記一対の電極に接してそれらの間に配された銀塩溶液
とを有する光学装置を製造するに際し、 少なくとも1種の導電性粒子と少なくとも1種のバイン
ダーとを含有する混合物を印刷又は塗布して、前記一対
の電極の一方の電極の少なくとも表面を形成する、光学
装置の製造方法。 - 【請求項20】 前記導電性粒子を、銀及び炭素材料か
らなる群より選ばれた少なくとも1種とする、請求項1
9に記載の光学装置の製造方法。 - 【請求項21】 前記バインダーを、天然ゴム系、セル
ロース系、フェノール系、ウレタン系及びエポキシ系か
らなる群より選ばれた少なくとも1種の樹脂材料とす
る、請求項19に記載の光学装置の製造方法。 - 【請求項22】 前記一方の電極の少なくとも表面を、
銀粒子と銀以外の導電性粒子と前記バインダーとからな
る前記混合物の印刷又は塗布によって形成する、請求項
19に記載の光学装置の製造方法。 - 【請求項23】 前記銀粒子を、前記銀粒子以外の導電
性粒子と前記バインダーとからなる成分に対し、0.0
1倍〜100倍の重量比で添加する、請求項22に記載
の光学装置の製造方法。 - 【請求項24】 前記銀粒子を、前記銀粒子以外の導電
性粒子と前記バインダーとからなるペーストの固形分の
0.01倍〜100倍の重量比で添加する、請求項23
に記載の光学装置の製造方法。 - 【請求項25】 前記一方の電極の電位が銀電極の電位
よりも50mV以上、正又は負に異なっている場合に、
前記銀粒子を前記導電性粒子と前記バインダーとからな
るペーストに添加する、請求項22に記載の光学装置の
製造方法。 - 【請求項26】 前記一方の電極の少なくとも表面を、
予め銀めっき又は銀蒸着された銀以外の導電性粒子と前
記バインダーとからなる前記混合物の印刷又は塗布によ
って形成する、請求項19に記載の光学装置の製造方
法。 - 【請求項27】 前記銀めっき又は銀蒸着された銀を、
前記銀以外の導電性粒子と前記バインダーとからなる成
分に対し、0.01倍〜100倍の重量比で添加する、
請求項26に記載の光学装置の製造方法。 - 【請求項28】 前記銀めっき又は銀蒸着された銀を、
前記銀以外の導電性粒子と前記バインダーとからなるペ
ーストの固形分の0.01倍〜100倍の重量比で添加
する、請求項27に記載の光学装置の製造方法。 - 【請求項29】 前記一方の電極の少なくとも表面を、
予め銀めっき又は銀蒸着された銀以外の導電性材料を粉
砕後に前記バインダーと混合してなるペーストの印刷又
は塗布によって形成する、請求項26に記載の光学装置
の製造方法。 - 【請求項30】 前記一方の電極の電位が銀電極の電位
よりも50mV以上、正又は負に異なっている場合に、
前記導電性粒子を前記バインダーに添加する、請求項2
6に記載の光学装置の製造方法。 - 【請求項31】 前記一方の電極を、前記導電性粒子及
び前記バインダーを含有した第1の導電層と、この第1
の導電層の下に設けられた第2の導電層とによって形成
する、請求項19に記載の光学装置の製造方法。 - 【請求項32】 前記第2の導電層を金属箔又は導電性
薄膜で構成する、請求項31に記載の光学装置の製造方
法。 - 【請求項33】 前記第2の導電層を、前記一対の電極
の他方の電極と同じ材料で構成する、請求項31に記載
の光学装置の製造方法。 - 【請求項34】 前記一方の電極の端縁部に実質的に角
が存在しないようにする、請求項19に記載の光学装置
の製造方法。 - 【請求項35】 互いに対向して配された一対の透明又
は半透明基板と、これら一対の透明又は半透明基板の対
向面に夫々設けられて互いに対向するように配された少
なくとも一対の透明又は半透明電極と、前記少なくとも
一対の透明又は半透明電極に接してそれらの間に配され
た前記銀塩溶液と、前記銀塩溶液に接して配され、且
つ、前記導電性粒子及び前記バインダーを含有した対極
とを有する光学装置を製造する、請求項19に記載の光
学装置の製造方法。 - 【請求項36】 前記透明又は半透明電極がインジウム
−錫酸化物で構成されている、請求項35に記載の光学
装置の製造方法。 - 【請求項37】 一対の電極と、 前記一対の電極に接してそれらの間に配された銀塩溶液
とを有し、 前記一対の電極の一方の電極の少なくとも表面が、少な
くとも1種の導電性粒子を焼結して構成されている、光
学装置。 - 【請求項38】 前記導電性粒子が、銀及び炭素材料か
らなる群より選ばれた少なくとも1種で構成されてい
る、請求項37に記載の光学装置。 - 【請求項39】 前記一方の電極の少なくとも表面が、
銀粒子と銀以外の導電性粒子との焼結層からなってい
る、請求項37に記載の光学装置。 - 【請求項40】 前記一方の電極の電位が銀電極の電位
よりも50mV以上、正又は負に異なっている場合に、
前記焼結層が形成される、請求項39に記載の光学装
置。 - 【請求項41】 前記一方の電極の少なくとも表面が、
予め銀めっき又は銀蒸着された銀以外の導電性粒子の焼
結層からなっている、請求項37に記載の光学装置。 - 【請求項42】 前記一方の電極の少なくとも表面が、
予め銀めっき又は銀蒸着された銀以外の導電性材料を粉
砕後に予備成形し、更に焼結して形成されている、請求
項41に記載の光学装置。 - 【請求項43】 前記一方の電極の電位が銀電極の電位
よりも50mV以上、正又は負に異なっている場合に、
前記導電性材料が粉砕及び予備成形後に焼結される、請
求項41に記載の光学装置。 - 【請求項44】 前記一方の電極が、前記導電性粒子を
焼結して構成された第1の導電層と、この第1の導電層
の下に設けられた第2の導電層とを備えている、請求項
37に記載の光学装置。 - 【請求項45】 前記第2の導電層が金属箔又は導電性
薄膜で構成されている、請求項44に記載の光学装置。 - 【請求項46】 前記第2の導電層が、前記一対の電極
の他方の電極と同じ材料で構成されている、請求項44
に記載の光学装置。 - 【請求項47】 前記一方の電極の端縁部に実質的に角
が存在しない、請求項37に記載の光学装置。 - 【請求項48】 互いに対向して配された一対の透明又
は半透明基板と、これら一対の透明又は半透明基板の対
向面に夫々設けられて互いに対向するように配された少
なくとも一対の透明又は半透明電極と、前記少なくとも
一対の透明又は半透明電極に接してそれらの間に配され
た前記銀塩溶液と、前記銀塩溶液に接して配され、且
つ、少なくとも表面が、前記導電性粒子を焼結して構成
された対極とを有する、請求項37に記載の光学装置。 - 【請求項49】 前記透明又は半透明電極がインジウム
−錫酸化物で構成されている、請求項48に記載の光学
装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10009458A JPH10274790A (ja) | 1997-01-31 | 1998-01-21 | 光学装置及びその製造方法 |
| KR1019980707781A KR20000064815A (ko) | 1997-01-31 | 1998-01-30 | 광학 장치 및 그 제조 방법 |
| US09/155,472 US6219173B1 (en) | 1997-01-31 | 1998-01-30 | Optical device and its manufacturing method |
| PCT/JP1998/000410 WO1998034153A1 (fr) | 1997-01-31 | 1998-01-30 | Dispositif optique et procede de fabrication |
| EP98901077A EP0897128A4 (en) | 1997-01-31 | 1998-01-30 | OPTICAL DEVICE AND THEIR PRODUCTION METHOD |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1847197 | 1997-01-31 | ||
| JP9-18471 | 1997-01-31 | ||
| JP10009458A JPH10274790A (ja) | 1997-01-31 | 1998-01-21 | 光学装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10274790A true JPH10274790A (ja) | 1998-10-13 |
Family
ID=26344195
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10009458A Pending JPH10274790A (ja) | 1997-01-31 | 1998-01-21 | 光学装置及びその製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6219173B1 (ja) |
| EP (1) | EP0897128A4 (ja) |
| JP (1) | JPH10274790A (ja) |
| KR (1) | KR20000064815A (ja) |
| WO (1) | WO1998034153A1 (ja) |
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