JPH1027746A - 位置合わせ方法及び露光装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 マスクマークと基板マークを同時に高精度に
検出することのできる位置合わせ方法を提供する。 【解決手段】 マスク１０に形成されたマスクマークと
基板１４に形成された基板アライメントマークとを同時
に観察するアライメント系２５ａは、アライメント光３
８を直線偏光した照明光としてマスク及び基板に照射す
る第１の偏光手段３１ａと、撮像手段３７と、マスク及
び基板から戻ってくる光のうち照明光の偏光方向と直交
する方向の偏光成分のみを撮像手段に入射させる第２の
偏光手段３１ｂとを備える。マスク１０と基板１４の間
の光路中には４分の１波長板３２を配置する。マスクマ
ークは暗レベルの像となり、基板マークは明レベルの像
となるため、撮像信号を飽和させることなく両マークを
同時に検出できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体メモリや液
晶表示パネル等の製造に用いられる露光装置に関するも
のである。

【０００２】

【従来の技術】半導体素子、液晶表示素子、ＣＣＤ撮像
素子、薄膜磁気ヘッド等を製造するフォトリソグラフィ
工程では、フォトマスク又はレチクル（以下、マスクと
いう）に形成されたパターンをフォトレジスト等の感光
剤が塗布された半導体ウエハやガラスプレート等の感光
基板（以下、単に基板という）上に投影露光することが
行われる。この投影露光を行う露光装置としては、マス
ク上に形成されたパターンを基板上の所定のショット領
域に露光した後、基板を一定距離だけステッピングさせ
て、次のショット領域に再びマスクのパターンを露光す
ることを繰り返す、いわゆるステップ・アンド・リピー
ト方式の露光装置が多く使用されている。また、他の方
式の露光装置として、矩形状又は円弧状の照明領域に対
してマスク及び基板を相対的に同期して走査しながら、
基板上にマスクのパターンを露光する走査型の露光装置
も知られている。この走査型の露光装置には、ショット
内の露光を走査方式で行い、ショット間の移動はステッ
プ的に行うステップ・アンド・スキャン方式のものと、
基板の全面を一度の走査で露光するスリット・スキャン
方式のものがある。

【０００３】いずれの露光装置においても、マスクのパ
ターンを基板上に既に形成されているパターンの上に重
ね合わせて露光することが要求され、この重ね合わせの
精度を高めるためには、マスクと基板を高精度に位置合
わせ（アライメント）する必要がある。

【０００４】そのため、露光装置には、基板上に形成さ
れた基板アライメントマーク（以下、基板マークとい
う）とマスクに形成されたマスクアライメントマーク
（以下、マスクマークという）を光電的に検出してマス
クと基板の位置合わせを行うアライメント検出系が組み
込まれている。このアライメントの方式の一つにハロゲ
ンランプ等を光源とする波長帯域幅の広い光で照明して
撮像したアライメントマークの画像データを画像処理し
て計測するＦＩＡ（Field Image Alignment）方式のも
のがある。また、アライメント方式は、投影光学系を介
して基板の位置を計測するＴＴＬ（Through The Lens）
方式、投影光学系及びマスクを介してマスクと基板との
位置関係を計測するＴＴＭ（Through The Mask）方式及
び投影光学系を介することなく直接基板の位置を計測す
るオフ・アクシス方式に大別される。

【０００５】マスクと基板の相対位置を検出するアライ
メント方式として、基板に形成した基板マークとマスク
に形成したマスクマークをマスク上方に配設したアライ
メント検出系によって同時に計測するＴＴＭのＦＩＡ方
式がある。この方式では、基板マーク及びマスクマーク
を撮像手段で同時に撮像し、撮像されたマークを画像処
理して２つのマークの位置関係を求めることでマスクと
基板の相対位置を検出し、その相対位置が所定の関係と
なるようにアライメントを行う。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところで、従来のＴＴ
ＭのＦＩＡ方式のアライメント検出系には、撮像手段に
入射するマスクマークからの光強度と基板マークからの
光強度に大きな差があるという問題があった。すなわ
ち、仮に基板マークの反射率とマスクマークの反射率と
が同等であるとしても、基板マークからアライメント検
出系に入射する光量は、投影光学系を往復するためマス
クマークからの光量に比べて小さくなる。実際には、マ
スクマークはクロムエッチング等によって形成された明
瞭なマークであるのに対して、基板マークは透明なレジ
ストによって形成されていたり、現像等のプロセス処理
を経てマークのエッジ形状が鈍っていたり、またマーク
の下地、レジスト塗布の影響により状態が一様ではない
ため、基板マークからアライメント検出系に入射する光
量はマスクマークからの光量に比べて著しく小さいのが
普通である。

【０００７】そのため、マスクマークの検出に好適なよ
うにアライメント検出系を調整すると基板マークを検出
することができず、逆に基板マークの検出が可能なよう
にアライメント光の光量や撮像手段の検出感度を調節す
ると、撮像手段でマスクマークの信号が飽和してしま
う。いずれにしてもマスクマークと基板マークを同時に
高精度に検出することができないという不都合があっ
た。

【０００８】本発明は、このような従来技術の問題点に
鑑みてなされたもので、マスクマークと基板マークを同
時に高精度に検出することのできる位置合わせ方法を提
供することを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明では、アライメン
ト光として直線偏光を用い、その直線偏光と直交する直
線偏光によって像検出を行い、マスクマークを暗レベル
の像として観察することで前記目的を達成する。

【００１０】すなわち、本発明は、マスクに形成された
マスクアライメントマーク（マスクマーク）と基板に形
成された基板アライメントマーク（基板マーク）をアラ
イメント光によって同時に照明し、マスクマークの像と
基板マークの像の位置情報を用いてマスクと基板を位置
合わせする位置合わせ方法において、アライメント光と
して直線偏光を用い、アライメント光の偏光方向と直交
する直線偏光を用いてマスクアライメントマーク及び基
板アライメントマークの像を形成することを特徴とす
る。

【００１１】このとき、マスクマークから反射された光
は検出されず、暗レベルの像となる。一方、基板マーク
から戻ってくる光はエッジ散乱等によって偏光方向が回
転しているため、アライメント光の偏光方向と直交する
成分を有し、その成分の光によって基板マークからは明
レベルの像が形成される。なお、エッジ散乱等による偏
光角の回転に頼らずに、基板マークから戻ってくる光の
偏光方向をアライメント光の偏光方向と直交させて高輝
度の基板マーク像を形成するには、マスクと基板の間の
光路中に４分の１波長板を配置するのが有利である。

【００１２】以上の説明から明らかなように、別の観点
からすると本発明は、マスクに形成されたマスクアライ
メントマークと基板に形成された基板アライメントマー
クを同時に観察し、両者の位置関係を求めてマスクと基
板とを位置合わせする位置合わせ方法において、マスク
マークをバックグラウンドレベルに対して暗レベルの像
として観察し、基板マークをバックグラウンドレベルに
対して明レベルの像として観察することを特徴とするも
のである。

【００１３】また、本発明は、マスクに形成されたパタ
ーンを感光剤が塗布された基板上に投影する投影光学系
と、マスクの上方に配置され、マスクに形成されたマス
クマークと基板に形成された基板マークとを同時に観察
するアライメント系とを含む露光装置において、アライ
メント系は、光源と、光源からの光を直線偏光した照明
光としてマスク及び基板に照射する第１の偏光手段と、
撮像手段と、マスク及び基板から戻ってくる光のうち前
記照明光の偏光方向と直交する方向の偏光成分のみを撮
像手段に入射させる第２の偏光手段とを備えることを特
徴とする。

【００１４】この場合にも、基板マークを高輝度の像と
して観察するには、マスクと基板の間のアライメント系
の光路中に４分の１波長板を配置するのが有利である。
本発明によると、マスクマークの検出信号の明暗を反転
させ、マスクマークを暗レベルの信号として検出するた
め、信号強度が弱い基板マークに合わせてアライメント
光の光量調節や撮像手段の感度調整を行っても、マスク
マークの検出信号が飽和することがない。したがって、
マスクマークと基板マークを同時に高精度に検出するこ
とが可能となる。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を説明する。図１は、本発明の位置合わせ方法
を採用した露光装置の一例を示す概略図である。ここで
は、スリット・スキャン型の露光装置を例にとって説明
するが、本発明はスリット・アンド・スキャン型の露光
装置に限らず、ステップ・アンド・リピート型の露光装
置やステップ・アンド・スキャン型の露光装置等、マス
クマークと基板マークを同時に検出して両者の位置関係
からマスクと基板のアライメントを行う他の方式の露光
装置に対しても一般に適用できるものである。

【００１６】超高圧水銀ランプ等の光源１から射出した
光束は、楕円鏡２で反射された後にダイクロイックミラ
ー３に入射する。このダイクロイックミラー３は露光に
必要な波長の光束を反射し、その他の波長の光束を透過
する。ダイクロイックミラー３で反射された光束は、光
軸ＡＸ１に対して進退可能に配置されたシャッター４に
よって投影光学系側への入射を許容もしくは阻止され
る。シャッター４を開放することによって、光源１から
の光束は波長選択フィルター５に入射し、投影光学系１
２ａが転写を行うのに適した波長（通常は、ｇ，ｈ，ｉ
線のうち少なくとも１つの帯域）の光束となる。

【００１７】また、この光束の強度は光軸近傍が最も強
く、周辺に近づくに従って強度が低下するガウス分布を
なすため、少なくとも投影光学系１２ａの投影領域１３
ａ内で強度分布を均一にする必要がある。このため、フ
ライアイインテグレータ６とコンデンサーレンズ８によ
って光束の強度分布を均一化する。ミラー７は光学系を
コンパクトにするための折り曲げミラーである。均一な
強度分布とされた光束は、ミラー７で反射された後、視
野絞り９を介してマスク１０のパターン面上に照射され
る。視野絞り９はフォトレジスト等の感光剤を塗布した
ガラスプレート等の感光基板（以下、基板という）１４
上の投影領域１３ａを制限する開口を有する。

【００１８】光源１から視野絞り９までの構成を投影光
学系１２ａに対する照明光学系Ｌ１とし、この例では照
明光学系Ｌ１と同様の構成を有する照明光学系Ｌ２〜Ｌ
５を設けて、各照明光学系からの光束を投影光学系１２
ｂ〜１２ｅのそれぞれに供給する。複数の照明光学系Ｌ
１〜Ｌ５のそれぞれから射出された光束は、マスク１０
上の異なる部分領域（照明領域）１１ａ〜１１ｅをそれ
ぞれ照明する。マスク１０を透過した複数の光束は、各
照明光学系Ｌ１〜Ｌ５に対応する投影光学系１２ａ〜１
２ｅを介して基板１４上の異なる投影領域１３ａ〜１３
ｅにマスク１０の照明領域１１ａ〜１１ｅのパターン像
を結像する。投影光学系１２ａ〜１２ｅはいずれも正立
等倍実結像（正立正像）光学系である。図１において、
投影光学系１２ａ〜１２ｅの光軸方向をＺ方向とし、Ｚ
方向に垂直な方向でマスク１０及び基板１４の移動方向
をＸ方向とし、Ｚ方向とＸ方向に垂直な方向をＹ方向と
する。

【００１９】図２は、基板ステージ１５上に保持された
基板１４の上面図である。基板１４上の投影領域１３ａ
〜１３ｅは、図２に示すように、Ｙ方向に隣り合う領域
どうし（例えば、１３ａと１３ｂ、１３ｂと１３ｃ）が
Ｘ方向に所定量変位するように、且つ隣り合う領域の端
部どうしが破線で示すようにＹ方向に重複する（隣り合
う領域のＹ方向端部の位置が重複する）ように配置され
る。よって、上記複数の投影光学系１２ａ〜１２ｅも、
各投影領域１３ａ〜１３ｅの配置に対応してＸ方向に所
定量変位するとともにＹ方向に重複して配置されてい
る。また、複数の照明光学系Ｌ１〜Ｌ５は、マスク１０
上の照明領域１１ａ〜１１ｅが上記投影領域１３ａ〜１
３ｅと同様の配置となるように配置されている。したが
って、マスク１０と基板１４とを同期して、投影光学系
１２ａ〜１２ｅに対してＸ方向に走査することによっ
て、マスク上のパターン領域１０ａの全面を基板１４上
の露光領域１４ａに転写することができる。基板１４上
には露光領域１４ａの外側に基板アライメントマーク
（基板マーク）２４ａ〜２４ｆが設けられている。

【００２０】基板１４は基板ステージ１５に載置されて
おり、基板ステージ１５は一次元の走査露光を行うべく
走査方向（Ｘ方向）に長いストロークを持った駆動装置
１６を有している。さらに、走査方向については高分解
能及び高精度の位置測定装置（例えばレーザー干渉計）
１７を有する。また、マスク１０は不図示のマスクステ
ージにより支持され、このマスクステージも基板ステー
ジ１５と同様に、駆動装置とステージの走査方向の位置
を検出する位置測定装置とを有する。また、基板ステー
ジ１５上の基板１４を載置する範囲の外側の所定位置に
は、基板１４の表面（マスクのパターンの投影面）とほ
ぼ同一の平面内に、基準マーク２２ａ〜２２ｄが配置さ
れている。

【００２１】図３はマスク１０の上面図であり、マスク
１０のうち基板１４に転写される範囲（照明領域であ
り、パターンが描画されている領域）は１０ａによって
示される。マスク１０には、上記転写範囲１０ａの外側
に基板ステージ１５上の基準マーク２２ａ〜２２ｄに対
応したマスクアライメントマーク（マスクマーク）２１
ａ〜２１ｄ、及び基板１４の基板マークに対応したマス
クマーク２３ａ〜２３ｆが設けられている。マスクマー
ク２１ａ〜２１ｄ，２３ａ〜２３ｄは、クロム層によっ
て形成された遮光マークである。

【００２２】マスク１０の上方には、図１に示すよう
に、アライメント検出系２０ａ，２０ｂが配置され、こ
のアライメント検出系２０ａ，２０ｂによってマスク上
のマスクマーク２１ａ〜２１ｄ及び２３ａ〜２３ｆを検
出するとともに、投影光学系１２ａ〜１２ｅを介して基
板ステージ１５上に設けられた基準マーク２２ａ〜２２
ｄ及び基板１４上に形成された基板マーク２４ａ〜２４
ｆを検出する。即ち、アライメント検出系２０ａ，２０
ｂから射出されたアライメント光は、反射ミラー２５
ａ，２５ｂを介してマスク１０上に照射されるととも
に、複数配列した投影光学系のうちの両端部の投影光学
系１２ａ，１２ｅを介して基板１４上に照射される。マ
スク１０上に照射されたアライメント光の一部はクロム
層からなるマスクマークで反射され、反射ミラー２５
ａ，２５ｂを介してアライメント検出系２０ａ，２０ｂ
に入射する。残りのアライメント光は、マスク１０を透
過して基板１４上に形成された基板マーク２４ａ〜２４
ｆを照明する。基板マーク２４ａ〜２４ｆによって反射
又は散乱された光は、投影光学系１２ａ，１２ｅ及び反
射ミラー２５ａ，２５ｂを介してそれぞれのアライメン
ト検出系２０ａ，２０ｂに入射する。

【００２３】図４は、アライメント検出系の構成を図示
したものである。図４には、一方のアライメント検出系
２０ａについて示したが、他方のアライメント検出系２
０ｂも同様の構成を有する。アライメント系２０ａは、
照明レンズ３６、第１及び第２の偏光板３１ａ，３１
ｂ、ハーフミラー３５、第１及び第２の対物レンズ３４
ａ，３４ｂ、及びＣＣＤカメラ等の撮像手段３７を有す
る。ここで、基板１４の表面とマスク１０のパターン形
成面、及び撮像手段３７の撮像面は互いに共役な関係に
ある。また、第１の偏光板３１ａと第２の偏光板３１ｂ
の偏光方向は、図５に示したように互いに直交してい
る。

【００２４】アライメント光源からの光線３８は、照明
レンズ３６及び第１の偏光板３１ａを通って直線偏光と
された後、ハーフミラー３５で反射され、第１の対物レ
ンズ３４ａ及び反射ミラー２５ａを介してマスク１０上
のマスクマーク、例えばマスクマーク２３ａに照射され
る。マスクマーク２３ａで反射された光は、反射ミラー
２５ａで反射され、第１対物レンズ３４ａ及びハーフミ
ラー３５を透過して第２の偏光板３１ｂに入射する。こ
こで、第２の偏光板３１ｂの偏光方向は、第１の偏光板
３１ａの偏光方向、すなわちマスクマーク２３ａを照明
したアライメント光の偏光方向と直交しているため、マ
スクマーク２３ａで反射された光は第２の偏光板３１ｂ
を透過することができず、撮像手段３７に入射すること
ができない。

【００２５】マスク１０のマスクマーク２３ａ以外の領
域を透過した直線偏光のアライメント光は、４分の１波
長板３２を通って円偏光に変換されたのち投影光学系１
２ａを通って基板１４に設けられた基板マーク、例えば
基板マーク２４ａを照明する。基板マーク２４ａによっ
て散乱又は反射された光は、照明光の光路を逆に辿って
投影光学系１２ａを通り、４分の１波長板３２を通って
アライメント光の偏光方向に対して偏光方向が９０°回
転した直線偏光に変換された後、マスク１０の下面に形
成されたパターン面に結像される。その後、マスク１０
を透過し、反射ミラー２５ａで反射されて、アライメン
ト検出系２０ａに入射する。

【００２６】アライメント検出系２０ａに入射した基板
１４からの戻り光は、第１の対物レンズ３４ａ、ハーフ
ミラー３５を通り、第２の偏光板３１ｂに達する。この
基板１４からの戻り光は、偏光方向が第２の偏光板３１
ｂの偏光方向と一致するため第２の偏光板３１ｂを透過
し、第２の対物レンズ３４ｂを介して撮像手段３７の撮
像面に結像される。撮像手段３７の撮像面には、図６に
示すように、基板１４からの戻り光をバックグラウンド
４１として、暗レベルのマスクマーク像４２と明レベル
の基板マーク像４３が形成される。マスクマーク２３ａ
の像が暗レベルの像となるのは、マスクマーク２３ａで
反射された光は第２の偏光板３１ｂを透過することがで
きず、また、基板１４からの戻り光は、マスク１０にク
ロム層の遮光マークとして形成されたマスクマーク２３
ａを透過することができないからである。

【００２７】図７は、撮像手段３７の撮像面のＡ−Ａ線
上における光強度プロファイルを示したものである。マ
スクマーク像４２を横切る位置４２ａ，４２ｂには光が
入射しておらず、バックグラウンドレベル４１ａに対し
て暗レベルとなっている。一方、基準マーク像４３を横
切る部分４３ａでは光強度が強く、バックグラウンドレ
ベル４１ａに対して明レベルとなっている。マスクマー
クの像４２は、光が入射しないことによって形成された
暗レベルの像であるため、アライメント光３８の強度を
増大しても撮像手段３７の撮像面に形成されるマスクマ
ークの像４２の光強度は変化しない。これに対して、バ
ックグラウンドレベル４１ａ及び明レベルになっている
基板マークの像４３の光強度は、アライメント光３８の
強度を増大すると図７に仮想線４５，４６で示すように
増大する。

【００２８】このように、基板マークに合わせてアライ
メント光３８の光量を増大してもマスクマークの暗レベ
ルは変わらず、従来のようにマスクマークの撮像信号が
飽和することはない。したがって、基板マーク２４ａを
十分な感度で検出できるようにアライメント光３８の強
度を適当に設定することにより、マスクマークと基板マ
ークを同時に検出することが可能となる。光量の調節方
法としては、アライメント光源の光量を制御する方法
や、光源の光量は予め充分な光量に設定しておきＣＣＤ
カメラの電子シャッタを制御する方法等があるが、どち
らの方法に対しても本発明は有効である。

【００２９】また、ここで説明した例では、４分の１波
長板３２の挿入位置をマスク１０の下方で投影光学系１
２ａの上方の空間としているが、投影光学系１２ａの下
方で基板１４上方の空間や、投影光学系１２ａの内部に
設けてもよい。また、投影光学系１２ａに透過光線の偏
光方向を回転させる機能があれば、４分の１波長板を配
置しなくともよい。偏光方向を回転させる機能について
は、必ずしも４分の１波長板のように基板１４からの戻
り光の偏光方向と第２の偏光板３１ｂの偏光方向を完全
に一致させるものでなくともよい。第２の偏光板３１ｂ
の偏光方向と基板１４からの戻り光の間の偏光方向の不
一致による光量の損失はアライメント光の光量でカバー
できればよい。

【００３０】また、必ずしも偏光方向を光学的に回転さ
せる手段を設けないで、基板からの反射、散乱する時の
偏光角の乱れを利用することで明レベルの像を形成する
方法も考えられる。また、第１の偏光板３１ａ、第２の
偏光板３１ｂ及びハーフミラー３５は、偏光ビームスプ
リッタに置き換えることも可能である。

【００３１】

【発明の効果】本発明によると、マスクマークを暗レベ
ルの像とし、基板マークを明レベルの像とすることで、
撮像手段によってマスクマークと基板マークを同時に高
精度に検出することが可能となる。また、それによって
露光装置の位置合わせ精度を改善することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による露光装置の一例を示す概略図。

【図２】基板ステージ上に載置された基板の上面図。

【図３】マスクの上面図。

【図４】アライメント検出系の構成例を示す図。

【図５】第１の偏光板と第２の偏光板の偏光方向を示す
図。

【図６】撮像手段の撮像面に形成されたマスクマークの
像及び基板マークの像を説明する図。

【図７】撮像手段の撮像面における光強度プロファイル
を示す図。

【符号の説明】

１…光源、１０…マスク、１２ａ〜１２ｅ…投影光学
系、１４…基板、１５…基板ステージ、１６…駆動装
置、２０ａ，２０ｂ…アライメント検出系、２３ａ〜２
３ｆ…マスクマーク、２４ａ〜２４ｆ…基板マーク、２
５ａ，２５ｂ…反射ミラー、３１ａ…第１の偏光板、３
１ｂ…第２の偏光板、３２…４分の１波長板、３４ａ…
第１の対物レンズ、３４ｂ…第２の対物レンズ、３５…
ハーフミラー、３６…照明レンズ、３７…撮像手段、３
８…アライメント光、４１…バックグラウンド、４２…
マスクマーク像、４３…基板マーク像

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５２５Ｒ ５２５Ｔ

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 マスクに形成されたマスクアライメント
   マークと基板に形成された基板アライメントマークをア
   ライメント光によって同時に照明し、マスクアライメン
   トマークの像と基板アライメントマークの像の位置情報
   を用いて前記マスクと前記基板を位置合わせする位置合
   わせ方法において、 前記アライメント光として直線偏光を用い、前記アライ
   メント光の偏光方向と直交する直線偏光を用いて前記マ
   スクアライメントマーク及び基板アライメントマークの
   像を形成することを特徴とする位置合わせ方法。
2. 【請求項２】 前記マスクと前記基板の間の光路中に波
   長板を配置することを特徴とする請求項１記載の位置合
   わせ方法。
3. 【請求項３】 マスクに形成されたマスクアライメント
   マークと基板に形成された基板アライメントマークを同
   時に観察し、両者の位置関係を求めて前記マスクと前記
   基板とを位置合わせする位置合わせ方法において、 前記マスクアライメントマークをバックグラウンドレベ
   ルに対して暗レベルの像として観察し、前記基板アライ
   メントマークをバックグラウンドレベルに対して明レベ
   ルの像として観察することを特徴とする前記マスクと前
   記基板の位置合わせ方法。
4. 【請求項４】 マスクに形成されたパターンを感光剤が
   塗布された基板上に投影する投影光学系と、前記マスク
   の上方に配置され、前記マスクに形成されたマスクアラ
   イメントマークと前記基板に形成された基板アライメン
   トマークとを同時に観察するアライメント系とを含む露
   光装置において、 前記アライメント系は、光源と、前記光源からの光を直
   線偏光した照明光として前記マスク及び前記基板に照射
   する第１の偏光手段と、撮像手段と、前記マスク及び前
   記基板から戻ってくる光のうち前記照明光の偏光方向と
   直交する方向の偏光成分のみを前記撮像手段に入射させ
   る第２の偏光手段とを備えることを特徴とする露光装
   置。
5. 【請求項５】 前記マスクと前記基板の間の前記アライ
   メント系の光路中に波長板が配置されていることを特徴
   とする請求項４記載の露光装置。