TW565629B - CVD chamber cleaning gas - Google Patents

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Mitsushi Itano
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Daikin Ind Ltd
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    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4405—Cleaning of reactor or parts inside the reactor by using reactive gases
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    • H10P50/20—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching
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    • H—ELECTRICITY
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    • H10P70/10—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
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Description

565629 A7 __ B7 五、發明説明（1 ) 技術領域 本發明係關於一種適於半導體製造用途的淸潔氣體° 習知技術 CF4、C2F6、C4F8(全氟環丁烷）、SF6等之全氟化合 物，係用做等離子CVD之淸潔氣體而大量用於半導體工程 者，此等淸潔氣體爲一種在大氣中之壽命長且穩定之化合 物，並具有高紅外線吸收率，所以其地球溫暖化係數遠較 二氧化碳氣體爲大，例如，CF4爲6300倍，C2F2爲 12500 倍，C4F8 爲 9100 倍，SF6 爲24900 倍，於是，低 地球溫暖化係數之替代氣體之開發，已成爲緊急課題θ 本發明之目的，係在於提供一種替代氣體，以便作爲 等離子CVD之淸潔氣體，適用於半導體之生產工程，而且 減低地球溫暖化作用。 發明之掲露 本發明係提供以下之淸潔氣體及淸潔方法者。 1 . 一種反應室淸潔氣體，係包含由下述式 CF3CF-CF2 , CFgCF —-CF2 ，及，CF3C=〇 X〇/ k 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 所成之群中選出的至少一種氣體。 2 · —種反應室淸潔方法，係使用從由下述式 CF3CF-CF2 , CFgCF ——CF2 ，及，CF3C= 0 \〆 k ________2 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 565629 A7 B7 五、發明説明（2 ) 所成之群中選出的至少一種氣體，淸潔半導體積體電路製 造裝置之等離子CVD反應室。 作爲反應室淸潔用之氣體者，可使用 CF3CF-CF2 , CFgCF ——CF2 ，及，CF3〇 〇 \〆 k 中之諸氣體，在這些氣體中可使用一種或組合二種以上之 氣體。本發明之反應室淸潔氣體可與He、Ne、Ar、H2、 N2、〇2等氣體並用。 作爲反應室之原料用者，可舉出不銹鋼、A1合金等之 公知材料。本發明之反應室淸潔氣體，不會使反應室所用 之材料蒙受損傷，可迅速除去附著於反應室之反應副生成 物。 由本發明之淸潔方法所除去之反應副生成物者，可舉 出S i、多晶s i、W、T i及它們的氧化物、氮化物、碳化 物。 就反應室之淸潔條件而言，可直接利用該使用全氟化 合物之習知淸潔條件。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明之三種反應室淸潔氣體，可作爲習用反應室淸 潔氣體CF4、C2F6、SF6之替代品使用而且十分實用。而 且，本發明之反應室淸潔氣體之地球溫暖化係數遠較C F 4、 C2F6'SF6 爲低。 具體言之，如果在公知之反應室淸潔條件下（壓力=0.1 Torr ;輸入高頻電力= 3 0 0 W ;氣體流量= 5 0cc/min)使用 ____3 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）
565629 A7 —_B7 五、發明説明（3 ) 本發明之CF3CF = CF2 30分鐘，可充份且迅速地除去該附 著於反應室之反應副生成物，而且可使反應室不受損傷， 充份實用地使用。 使用 〇 以替代CF3CF = CF2,也可同樣 充份且迅速地除去該附著於反應室之反應副生成物，而且 可使反應室不受損傷，並可在沒有實用上之障礙下使用。
使用 CF3C=0以替代CF3CF = CF2，亦可同樣充份且迅 I cf3 速地除去該附著於反應室之反應副生成物，而且可使反應 室不受損傷，並可在沒有實用上之障礙下使用。 如依本發明，不用地球溫暖化係數遠比二氧化碳氣體 爲大之CF4、C2F6、C4F8、SF6，也可進行良好之反應室 淸潔。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 修丄匕 年月曰 92年10月13日修正| 申請曰期 案 號 類 别 F Ά (以上各欄由本局填註）
雲蜃專利説明書 565629 經濟部智芡57是^吕(工消費合作社印製 發明 一、H«名稱 新型 中 文 CVD反應室清潔氣體 英 文 CVD chamber cleaning gas 姓 名 阪野充司 — 發明 一、創作 國 籍 曰本 住、居所 曰本大阪府攝津市西一津屋1番1號 姓 名 (名稱） 大新工業股份有限公司 國 籍 曰本 三、申請人 住、居所 (事務所） 曰本大阪府大阪市北區中崎西2 丁目4番12號梅田中心大樓 代表人 姓 名 井上禮之 訂 線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 裝

Claims (1)

  1. 565629
    六、申著淳利菜圍 1 · 一種CVD反應室清潔氣體，係包含由下述式 CF.CF=CF〇 , CF.CF ——CF9 ，及，CF, Ο CF3 所成之群中選出的至少一種氣體。 2 ·依據申請專利範圍第1項所述之CVD反應室清潔氣 體，其係包含cf3cf = cf2。 3 ·依據申請專利範圍第1項所述之CVD反應室清潔氣 體，其係包含由下述式 CFq CF cf2 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ο 所表示的六氟環氧丙烷。 4 ·依據申請專利範圍第1項所述之CVD反應室清潔氣 體，其係包含CF3COCF3。 5 ·依據申請專利範圍第1項〜第4項之任一項所述之 CVD反應室清潔氣體，其更包含由He、Ne、Αγ、H2、 N2、02所成的群中選出的至少一種氣體。 經濟部中央標準局員工消费合作社印裏 太纸乐尺度逍用中國國家標準（CNS〉A4说格（210X297公釐）
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