JPH10279799A - 熱硬化性樹脂組成物 - Google Patents
熱硬化性樹脂組成物Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 低温短時間にて接着可能で、耐熱性を有し低
吸湿でパッケージクラック等を生じにくい電子部品の固
着処理用の熱硬化性樹脂組成物を得る。 【解決手段】 有機溶媒に可溶なポリカルボジイミド及
び有機溶媒に可溶なシリコン変性ポリイミドを配合して
なる熱硬化性樹脂組成物を提供する。
吸湿でパッケージクラック等を生じにくい電子部品の固
着処理用の熱硬化性樹脂組成物を得る。 【解決手段】 有機溶媒に可溶なポリカルボジイミド及
び有機溶媒に可溶なシリコン変性ポリイミドを配合して
なる熱硬化性樹脂組成物を提供する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は新規な熱硬化性樹脂組成
物に関する。本発明の樹脂組成物は、半導体チップなど
電気、電子部品の固着処理用接着剤として用いられる。
物に関する。本発明の樹脂組成物は、半導体チップなど
電気、電子部品の固着処理用接着剤として用いられる。
【0002】
【従来の技術】従来、半導体チップや基板、リードフレ
ームなど電気、電子部品の固着処理用接着剤として、ペ
ースト状の接着剤や、耐熱性基材に接着剤を塗工したも
のが知られている。これら接着剤にはエポキシ樹脂系、
アクリル樹脂系、ゴム−フェノール樹脂系などの熱硬化
性樹脂が用いられているが、加熱硬化に高温長時間を要
し接着作業性が低い。また、加熱硬化時に多量の揮発性
成分が発生してリードの汚染を生じ、吸湿性が高く、半
田リフロー時にクラックを生じるなど、種々の問題点を
有している。このように、従来の接着剤は、電気・電子
部品固着処理用の接着剤に必要な高度の信頼性を有して
いるとはいいがたく、これまで充分に満足なものは得ら
れていない。
ームなど電気、電子部品の固着処理用接着剤として、ペ
ースト状の接着剤や、耐熱性基材に接着剤を塗工したも
のが知られている。これら接着剤にはエポキシ樹脂系、
アクリル樹脂系、ゴム−フェノール樹脂系などの熱硬化
性樹脂が用いられているが、加熱硬化に高温長時間を要
し接着作業性が低い。また、加熱硬化時に多量の揮発性
成分が発生してリードの汚染を生じ、吸湿性が高く、半
田リフロー時にクラックを生じるなど、種々の問題点を
有している。このように、従来の接着剤は、電気・電子
部品固着処理用の接着剤に必要な高度の信頼性を有して
いるとはいいがたく、これまで充分に満足なものは得ら
れていない。
【0003】また、熱可塑性ポリイミド樹脂を用いたホ
ットメルト型のフィルム接着剤は短時間で被着体に熱接
着することが可能であり、接着後の加熱硬化も不必要で
ある。しかしながら、ガラス転移温度が高く、加工に非
常な高温を要し、被着体に熱損傷を与える恐れが大き
い。
ットメルト型のフィルム接着剤は短時間で被着体に熱接
着することが可能であり、接着後の加熱硬化も不必要で
ある。しかしながら、ガラス転移温度が高く、加工に非
常な高温を要し、被着体に熱損傷を与える恐れが大き
い。
【0004】一方、低温加工性を付与するためガラス転
移温度の低い接着剤を用いた場合は耐熱性が低く信頼性
が著しく低下するといった問題がある。例えば、ポリカ
ルボジイミドはガラス転移温度が低く、優れた接着性、
低温加工性を有するが、信頼性に乏しく、高温、高圧下
に数十時間投入した場合には接着性を失ってしまう。こ
のようなポリカルボジイミドの欠点を解決するため、そ
の分子中にシロキサン骨格を導入し、信頼性を向上させ
ることが考えられるが、そのモノマー原料となりうるシ
ロキサン変性ジイソシアネートは、現在市販されている
ものの殆どが脂肪族であり、カルボジイミドとする際の
反応性に問題がある。また、シロキサン変性芳香族ジイ
ソシアネートは一般に合成が困難でかつ不安定であり、
使用に耐えないものである。したがってポリカルボジイ
ミド単体よりはむしろその他のポリマーとのブレンドに
より耐湿性の改善をすることが要求される。
移温度の低い接着剤を用いた場合は耐熱性が低く信頼性
が著しく低下するといった問題がある。例えば、ポリカ
ルボジイミドはガラス転移温度が低く、優れた接着性、
低温加工性を有するが、信頼性に乏しく、高温、高圧下
に数十時間投入した場合には接着性を失ってしまう。こ
のようなポリカルボジイミドの欠点を解決するため、そ
の分子中にシロキサン骨格を導入し、信頼性を向上させ
ることが考えられるが、そのモノマー原料となりうるシ
ロキサン変性ジイソシアネートは、現在市販されている
ものの殆どが脂肪族であり、カルボジイミドとする際の
反応性に問題がある。また、シロキサン変性芳香族ジイ
ソシアネートは一般に合成が困難でかつ不安定であり、
使用に耐えないものである。したがってポリカルボジイ
ミド単体よりはむしろその他のポリマーとのブレンドに
より耐湿性の改善をすることが要求される。
【0005】そこでポリカルボジイミドにブレンドする
ことにより物性の向上の可能性があるものとして、例え
ばビスアリル置換ナジイミドがあるが、これは特開平7
−286140号公報、特開平7−258353号公
報、特開平7−330872号公報にあるように、耐熱
性に優れた熱硬化性コーティング材やビスマレイミド、
エポキシ樹脂等とのブレンドによる樹脂組成物が提案さ
れているが、接着剤とした場合の接着性や可撓性の点で
満足な結果が得られていない。
ことにより物性の向上の可能性があるものとして、例え
ばビスアリル置換ナジイミドがあるが、これは特開平7
−286140号公報、特開平7−258353号公
報、特開平7−330872号公報にあるように、耐熱
性に優れた熱硬化性コーティング材やビスマレイミド、
エポキシ樹脂等とのブレンドによる樹脂組成物が提案さ
れているが、接着剤とした場合の接着性や可撓性の点で
満足な結果が得られていない。
【0006】また特開昭62−1714号公報、特開平
5−239427号公報、特開平5−320611号公
報にあるように、ポリカルボジイミド樹脂にエポキシ樹
脂をブレンドした接着剤樹脂組成物も提案されている
が、エポキシ樹脂の保存安定性や吸湿性に問題があり、
満足な結果が得られていない。
5−239427号公報、特開平5−320611号公
報にあるように、ポリカルボジイミド樹脂にエポキシ樹
脂をブレンドした接着剤樹脂組成物も提案されている
が、エポキシ樹脂の保存安定性や吸湿性に問題があり、
満足な結果が得られていない。
【0007】一方、ポリイミドは一般に耐熱性に優れて
いるが、多くの場合、有機溶媒に不溶性であり、ポリカ
ルボジイミドとの相溶性がない。またポリイミドと他の
ポリマーとの相溶性を向上させるため通常はその前駆体
であるポリアミド酸の溶液として取り扱われることが多
いが、混合する相手のポリマーがポリカルボジイミドで
ある場合には、ポリアミド酸のカルボキシル基と相互に
反応してしまい、溶液安定性が著しく悪くなるという問
題がある。
いるが、多くの場合、有機溶媒に不溶性であり、ポリカ
ルボジイミドとの相溶性がない。またポリイミドと他の
ポリマーとの相溶性を向上させるため通常はその前駆体
であるポリアミド酸の溶液として取り扱われることが多
いが、混合する相手のポリマーがポリカルボジイミドで
ある場合には、ポリアミド酸のカルボキシル基と相互に
反応してしまい、溶液安定性が著しく悪くなるという問
題がある。
【0008】
【発明の目的及び概要】本発明者らは、低温短時間にて
接着可能で、耐熱性が高く低吸湿でパッケージクラック
等を生じにくい樹脂組成物を得るべく鋭意検討した。そ
の結果、可溶性のポリカルボジイミド樹脂に対して、可
溶性のポリイミドを配合することが好ましいとの知見を
得て本発明を完成した。
接着可能で、耐熱性が高く低吸湿でパッケージクラック
等を生じにくい樹脂組成物を得るべく鋭意検討した。そ
の結果、可溶性のポリカルボジイミド樹脂に対して、可
溶性のポリイミドを配合することが好ましいとの知見を
得て本発明を完成した。
【0009】すなわち、本発明は、有機溶媒に可溶なポ
リカルボジイミドと、有機溶媒に可溶なポリイミドとを
含んでなる樹脂組成物を提供するものである。
リカルボジイミドと、有機溶媒に可溶なポリイミドとを
含んでなる樹脂組成物を提供するものである。
【0010】本発明の樹脂組成物に用いられる好ましい
ポリカルボジイミドは下式(1):
ポリカルボジイミドは下式(1):
【化4】 (式中、Xは水素又はフッ素原子、lは2〜400の整
数を意味する。)を有する。また、好ましいポリイミド
は、下式(2)及び下式(3):
数を意味する。)を有する。また、好ましいポリイミド
は、下式(2)及び下式(3):
【0011】
【化5】 (式中、RSiはシリコーンジアミン残基、R10はジアミ
ン残基、R20は酸二無水物残基であり、m+nは6〜2
00の整数である。)で表される繰り返し構造単位と共
に、下式(4):
ン残基、R20は酸二無水物残基であり、m+nは6〜2
00の整数である。)で表される繰り返し構造単位と共
に、下式(4):
【0012】
【化6】 (式中、Xは水素又はフッ素原子を意味する。)を含む
ジアミン及び/又は酸二無水物構造単位を含有する。さ
らに、本発明はこれら熱硬化性樹脂組成物を単独で、あ
るいは支持体上にシート状にした接着シートを提供する
ものである。
ジアミン及び/又は酸二無水物構造単位を含有する。さ
らに、本発明はこれら熱硬化性樹脂組成物を単独で、あ
るいは支持体上にシート状にした接着シートを提供する
ものである。
【0013】
(I)ポリカルボジイミド 本発明の樹脂組成物の第1成分は、有機溶媒に可溶なポ
リカルボジイミドである。かかるポリカルボジイミドの
好ましいものとしては、典型的には下式(1)で表される
ものが挙げられる。
リカルボジイミドである。かかるポリカルボジイミドの
好ましいものとしては、典型的には下式(1)で表される
ものが挙げられる。
【0014】
【化7】 (式中、Xは水素又はフッ素、lは2〜400、好まし
くは7〜200の整数である。) lがこの範囲より小さいとフィルムなどに成形したとき
の信頼性が乏しく、一方、これより大きいと溶液の保存
安定性が悪く使用に耐えない場合がある。
くは7〜200の整数である。) lがこの範囲より小さいとフィルムなどに成形したとき
の信頼性が乏しく、一方、これより大きいと溶液の保存
安定性が悪く使用に耐えない場合がある。
【0015】このポリカルボジイミドを製造するには、
対応するジイソシアネートをリン系触媒の存在下、公知
の方法で重合することにより得られる。
対応するジイソシアネートをリン系触媒の存在下、公知
の方法で重合することにより得られる。
【0016】なお、このジイソシアネートもまた従来公
知の方法により製造することができる。例えば、その前
駆体として、対応するジアミン、即ち2,2−ビス(4−
アミノフェノキシフェニル)プロパン(BAPP)または
2,2−ビス(4−アミノフェノキシフェニル)ヘキサフ
ルオロプロパン(BAPF)などを用い、これをホスゲン
やジフェニルカーボネート、トリメチルクロロシランな
どを用いてイソシアネート化することができる。また、
別法としては、対応するジカルボン酸をイソシアネート
の前駆体として用い、これをクルチウス分解によってイ
ソシアネート化してもよい。
知の方法により製造することができる。例えば、その前
駆体として、対応するジアミン、即ち2,2−ビス(4−
アミノフェノキシフェニル)プロパン(BAPP)または
2,2−ビス(4−アミノフェノキシフェニル)ヘキサフ
ルオロプロパン(BAPF)などを用い、これをホスゲン
やジフェニルカーボネート、トリメチルクロロシランな
どを用いてイソシアネート化することができる。また、
別法としては、対応するジカルボン酸をイソシアネート
の前駆体として用い、これをクルチウス分解によってイ
ソシアネート化してもよい。
【0017】ジイソシアネートを重合してポリカルボジ
イミドを製造するには、単一のジイソシアネートを用い
てもよく、また、その性質を損なわない範囲で60モル
%以下の他のジイソシアネートを併用して共重合を行っ
てもよい。共重合に用いることのできるジイソシアネー
トとしては、芳香族ジイソシアネートがいずれも挙げら
れる。たとえば1,3−または1,4−ビス(4−イソシ
アナートフェノキシ)ベンゼン、2,4−または2,6−
トリレンジイソシアナート、4,4'−ジイソシアナート
−2,2'−ジメチルまたはビス(トリフルオロメチル)ビ
フェニル、ジイソシアナートジフェニルメタン、1−メ
トキシフェニル−2,4−ジイソシアナート、3,3'−
ジメトキシ−4,4'−ジフェニルメタンジイソシアナー
ト、4,4'−ジフェニルエーテルジイソシアナート、
3,3'−ジメチル−4,4'−ジフェニルエーテルジイソ
シアナート、o−トリレンジイソシアナート等があげら
れるが、これらに限定されない。
イミドを製造するには、単一のジイソシアネートを用い
てもよく、また、その性質を損なわない範囲で60モル
%以下の他のジイソシアネートを併用して共重合を行っ
てもよい。共重合に用いることのできるジイソシアネー
トとしては、芳香族ジイソシアネートがいずれも挙げら
れる。たとえば1,3−または1,4−ビス(4−イソシ
アナートフェノキシ)ベンゼン、2,4−または2,6−
トリレンジイソシアナート、4,4'−ジイソシアナート
−2,2'−ジメチルまたはビス(トリフルオロメチル)ビ
フェニル、ジイソシアナートジフェニルメタン、1−メ
トキシフェニル−2,4−ジイソシアナート、3,3'−
ジメトキシ−4,4'−ジフェニルメタンジイソシアナー
ト、4,4'−ジフェニルエーテルジイソシアナート、
3,3'−ジメチル−4,4'−ジフェニルエーテルジイソ
シアナート、o−トリレンジイソシアナート等があげら
れるが、これらに限定されない。
【0018】ジイソシアネートの重合に用いられる触媒
としては、公知のリン系触媒がいずれも用いられてよ
い。例えば、1−フェニル−2−ホスホレン−1−オキ
シド、3−メチル−2−ホスホレン−1−オキシド、1
−エチル−2−ホスホレン−1−オキシド、3−メチル
−1−フェニル−2−ホスホレン−1−オキシド、また
はこれらの3−ホスホレン異性体などのホスホレンオキ
シドがいずれも使用できる。これらの使用量は一般にジ
イソシアネートに対して0.1〜20 mol%、好ましく
は0.3〜10mol%、最適には0.5〜5.0mol%であ
る。触媒の使用量が少なすぎると反応途中で失活し、重
合が停止する場合がある。多すぎると反応の制御が困難
になる場合がある。
としては、公知のリン系触媒がいずれも用いられてよ
い。例えば、1−フェニル−2−ホスホレン−1−オキ
シド、3−メチル−2−ホスホレン−1−オキシド、1
−エチル−2−ホスホレン−1−オキシド、3−メチル
−1−フェニル−2−ホスホレン−1−オキシド、また
はこれらの3−ホスホレン異性体などのホスホレンオキ
シドがいずれも使用できる。これらの使用量は一般にジ
イソシアネートに対して0.1〜20 mol%、好ましく
は0.3〜10mol%、最適には0.5〜5.0mol%であ
る。触媒の使用量が少なすぎると反応途中で失活し、重
合が停止する場合がある。多すぎると反応の制御が困難
になる場合がある。
【0019】重合における反応温度は一般に−50〜2
00℃、好ましくは−10℃〜150℃、さらに好まし
くは20〜120℃であり、用いるジイソシアネートの
種類と溶媒の組み合わせにより適宜変更することができ
る。反応温度が低すぎると反応が全く進行しない場合が
ある。逆に反応温度を上げすぎたり長く加熱し過ぎたり
すると、好ましくない副反応が起こったり生成物が分解
する場合があるので、IRなどで反応をトレースしなが
ら低温から徐々に温度を上昇させて進めるのがよい。
00℃、好ましくは−10℃〜150℃、さらに好まし
くは20〜120℃であり、用いるジイソシアネートの
種類と溶媒の組み合わせにより適宜変更することができ
る。反応温度が低すぎると反応が全く進行しない場合が
ある。逆に反応温度を上げすぎたり長く加熱し過ぎたり
すると、好ましくない副反応が起こったり生成物が分解
する場合があるので、IRなどで反応をトレースしなが
ら低温から徐々に温度を上昇させて進めるのがよい。
【0020】また、反応溶媒はジイソシアネートを溶解
または懸濁するものであればよく、例えばテトラヒドロ
フラン、ジオキサン、ジエチルエーテルなどのエーテル
系化合物、ジクロロメタン、クロロホルム、ジクロロエ
タン、テトラクロロエタンなどのハロゲン化炭化水素、
アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケト
ン、シクロヘキサノンなどのケトン系溶媒、トルエン、
キシレン、ベンゼンなどの芳香族炭化水素などが挙げら
れる。これらの溶媒は単独で用いてもよく、混合して用
いてもよい。また、場合によっては反応途中でその一部
ないし全部を置換することにより反応温度を変更するこ
ともできる。
または懸濁するものであればよく、例えばテトラヒドロ
フラン、ジオキサン、ジエチルエーテルなどのエーテル
系化合物、ジクロロメタン、クロロホルム、ジクロロエ
タン、テトラクロロエタンなどのハロゲン化炭化水素、
アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケト
ン、シクロヘキサノンなどのケトン系溶媒、トルエン、
キシレン、ベンゼンなどの芳香族炭化水素などが挙げら
れる。これらの溶媒は単独で用いてもよく、混合して用
いてもよい。また、場合によっては反応途中でその一部
ないし全部を置換することにより反応温度を変更するこ
ともできる。
【0021】反応混合物中のジイソシアネート濃度は1
〜50%、好ましくは5〜40%、最適には10〜30
%である。一方、上記濃度が低すぎると反応に時間を要
し、実用的でない。濃度が高すぎると副反応を招いた
り、反応の進行を制御できなくなる恐れがあり好ましく
ない。
〜50%、好ましくは5〜40%、最適には10〜30
%である。一方、上記濃度が低すぎると反応に時間を要
し、実用的でない。濃度が高すぎると副反応を招いた
り、反応の進行を制御できなくなる恐れがあり好ましく
ない。
【0022】(II)ポリイミド 本発明の樹脂組成物の第2成分であるポリイミドは有機
溶媒に可溶なポリイミドである。このポリイミドとして
は、前記式(2)中、RSiで表されるシロキサン構造単位
と共に、式(4)で表されるヘキサフルオロイソプロピ
リデン構造又はイソプロピリデン構造を含むポリイミド
であるのが好ましい。すなわち、好ましいポリイミドと
しては、(a)下式(2)及び下式(3):
溶媒に可溶なポリイミドである。このポリイミドとして
は、前記式(2)中、RSiで表されるシロキサン構造単位
と共に、式(4)で表されるヘキサフルオロイソプロピ
リデン構造又はイソプロピリデン構造を含むポリイミド
であるのが好ましい。すなわち、好ましいポリイミドと
しては、(a)下式(2)及び下式(3):
【0023】
【化8】 (式中、RSiはシリコーンジアミン残基、R10はジアミ
ン残基、R20は酸二無水物残基であり、m+nは6〜2
00の整数である。)で表される繰り返し構造単位を有
し、(b)ジアミン構造単位中におけるシリコーン変性
ジアミン構造単位の含有率が10〜100%であり、か
つ(c)シリコーン変性ジアミン構造単位を除くジアミ
ン構造単位と、酸二無水物構造単位との合計量aに対す
る、下式(4):
ン残基、R20は酸二無水物残基であり、m+nは6〜2
00の整数である。)で表される繰り返し構造単位を有
し、(b)ジアミン構造単位中におけるシリコーン変性
ジアミン構造単位の含有率が10〜100%であり、か
つ(c)シリコーン変性ジアミン構造単位を除くジアミ
ン構造単位と、酸二無水物構造単位との合計量aに対す
る、下式(4):
【0024】
【化9】 (式中、Xは水素又はフッ素原子を意味する。)で表さ
れるヘキサフルオロイソプロピリデン構造又はイソプロ
ピリデン構造を含むジアミン構造単位と、酸二無水物構
造単位の合計量bの割合b/aが10〜100%である
ポリイミドが挙げられる。このような構造を有するポリ
イミドは、ポリカルボジイミドとの相溶性が良好で、得
られた樹脂組成物はチップとの接着性が高い。なお、m
+nの値が前記の範囲より小さいと樹脂の信頼性が低下
する場合があり、一方、大きいと相溶性に乏しくなる場
合がある。
れるヘキサフルオロイソプロピリデン構造又はイソプロ
ピリデン構造を含むジアミン構造単位と、酸二無水物構
造単位の合計量bの割合b/aが10〜100%である
ポリイミドが挙げられる。このような構造を有するポリ
イミドは、ポリカルボジイミドとの相溶性が良好で、得
られた樹脂組成物はチップとの接着性が高い。なお、m
+nの値が前記の範囲より小さいと樹脂の信頼性が低下
する場合があり、一方、大きいと相溶性に乏しくなる場
合がある。
【0025】次に本発明の可溶性ポリイミド主鎖中の必
須構造である(i)式(2)のシロキサン構造を有するシ
リコーン変性ジアミン、及び(ii)式(4)の構造単位
(イソプロピリデン構造又はヘキサフルオロイソプロピ
リデン構造)を導入するために必要なモノマーについて
述べる。
須構造である(i)式(2)のシロキサン構造を有するシ
リコーン変性ジアミン、及び(ii)式(4)の構造単位
(イソプロピリデン構造又はヘキサフルオロイソプロピ
リデン構造)を導入するために必要なモノマーについて
述べる。
【0026】(i)シリコーン変性ジアミン ポリイミド中にシロキサン構造(Rsi:シリコーンジア
ミン残基)を導入するために用いられるシリコーン変性
ジアミンとしては下式(5):
ミン残基)を導入するために用いられるシリコーン変性
ジアミンとしては下式(5):
【化10】 にて表されるジアミノポリシロキサンが好ましい。ここ
でR1およびR2は2価の炭化水素残基、R3〜R6は炭素
数1〜6の炭化水素残基、好ましくはメチル基またはエ
チル基であり、kは1〜20の整数、好ましくは1〜6
の整数である。好ましいR1およびR2としては、メチレ
ン鎖からなるアルキレン基や芳香族2価基であるアリー
レン基であり、さらに好ましくはR1とR2が同一の基で
ある。具体的なジアミノポリシロキサン化合物としては
下記のジアミン例示される。
でR1およびR2は2価の炭化水素残基、R3〜R6は炭素
数1〜6の炭化水素残基、好ましくはメチル基またはエ
チル基であり、kは1〜20の整数、好ましくは1〜6
の整数である。好ましいR1およびR2としては、メチレ
ン鎖からなるアルキレン基や芳香族2価基であるアリー
レン基であり、さらに好ましくはR1とR2が同一の基で
ある。具体的なジアミノポリシロキサン化合物としては
下記のジアミン例示される。
【0027】
【化11】
【0028】これらのシリコーン変性ジアミン類は単独
で用いてもよく、また2種以上を併用して使用してもよ
い。また、ジアミン構造単位中におけるこれらシリコー
ン変性ジアミン構造単位の含有率は10〜100モル
%、好ましくは20〜80モル%の範囲である。シリコ
ーン変性ジアミン単位の含有率がこれより少ないと相溶
性や接着性の向上が充分でなく、一方、多いと経済的に
不利である。
で用いてもよく、また2種以上を併用して使用してもよ
い。また、ジアミン構造単位中におけるこれらシリコー
ン変性ジアミン構造単位の含有率は10〜100モル
%、好ましくは20〜80モル%の範囲である。シリコ
ーン変性ジアミン単位の含有率がこれより少ないと相溶
性や接着性の向上が充分でなく、一方、多いと経済的に
不利である。
【0029】(ii)式(4)の構造単位を導入するモノマ
ー 次に、前記式(4)で示されるイソプロピリデン構造単
位、又はヘキサフルオロイソプロピリデン構造単位を導
入するモノマーについて説明する。これらの構造単位を
導入するモノマーとしては、下記のようなシリコーン変
性ジアミン以外のジアミン、又はカルボン酸二無水物が
挙げられる。
ー 次に、前記式(4)で示されるイソプロピリデン構造単
位、又はヘキサフルオロイソプロピリデン構造単位を導
入するモノマーについて説明する。これらの構造単位を
導入するモノマーとしては、下記のようなシリコーン変
性ジアミン以外のジアミン、又はカルボン酸二無水物が
挙げられる。
【0030】(ii−a)シリコーン変性ジアミン以外のジ
アミン(R10:ジアミン残基を導入) ジアミンとしては、2,2−ビス[4−(3−アミノフェ
ノキシ)フェニル]プロパン、2,2−ビス[4−(4−ア
ミノフェノキシ)フェニル]プロパン、2,2−ビス[4−
(3−アミノフェノキシ)フェニル]ヘキサフルオロプロ
パン、2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニ
ル]ヘキサフルオロプロパンなどが挙げられる。
アミン(R10:ジアミン残基を導入) ジアミンとしては、2,2−ビス[4−(3−アミノフェ
ノキシ)フェニル]プロパン、2,2−ビス[4−(4−ア
ミノフェノキシ)フェニル]プロパン、2,2−ビス[4−
(3−アミノフェノキシ)フェニル]ヘキサフルオロプロ
パン、2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニ
ル]ヘキサフルオロプロパンなどが挙げられる。
【0031】(ii−b)カルボン酸二無水物(R20:酸二
無水物残基を導入) また、テトラカルボン酸二無水物としては、2,2−ビ
ス(2,3−または3,4−ジカルボキシフェニル)プロパ
ン二無水物、2,2−ビス(2,3−または3,4−ジカル
ボキシフェニル)ヘキサフルオルプロパン二無水物など
が挙げられる。
無水物残基を導入) また、テトラカルボン酸二無水物としては、2,2−ビ
ス(2,3−または3,4−ジカルボキシフェニル)プロパ
ン二無水物、2,2−ビス(2,3−または3,4−ジカル
ボキシフェニル)ヘキサフルオルプロパン二無水物など
が挙げられる。
【0032】これらの式(4)で表される構造単位を有す
る前記ジアミン構造単位及びカルボン酸二無水物構造単
位の合計量bは、シリコーン変性ジアミン以外のジアミ
ン構造単位と、酸二無水物構造単位との合計量aに対し
て、10〜100モル%、より好ましくは30〜100
モル%である。かかる割合b/aが10%未満であると
ポリカルボジイミドと相溶しない場合がある。
る前記ジアミン構造単位及びカルボン酸二無水物構造単
位の合計量bは、シリコーン変性ジアミン以外のジアミ
ン構造単位と、酸二無水物構造単位との合計量aに対し
て、10〜100モル%、より好ましくは30〜100
モル%である。かかる割合b/aが10%未満であると
ポリカルボジイミドと相溶しない場合がある。
【0033】(iii)他のジアミン成分(前記以外のR
10を導入) 前記のジアミン成分と併用することのできる他のジアミ
ン成分としては、芳香族ジアミンであればいずれでも用
いられてよく、具体的にはp−又はm−フェニレンジア
ミン、4,4'−、3,4'−、2,4'−又は3,3'−ジア
ミノジフェニルエーテル、4,4'−、3,4'−又は3,
3'−ジアミノジフェニルスルホン、4,4'−、3,4'
−又は3,3'−ジアミノジフェニルスルフィド、4,4'
−、3,4'−又は3,3'−ジアミノベンゾフェノン、
4,4'−、3,4'−又は3,3'−ジアミノジフェニルプ
ロパン、4,4'−、3,4'−又は3,3'−ジアミノジフ
ェニルヘキサフルオロプロパン、ビス[4−(3−又は4
−ジアミノフェノキシ)フェニル]メタン1,3−ビス(3
−アミノフェノキシ)ベンゼン、4,4'−ビス(4−アミ
ノフェノキシ)ビフェニル、ビス[4−(3−又は4−ア
ミノフェノキシ)フェニル]スルホン、ビス[4−(3−又は
4−アミノフェノキシ)フェニル]エーテルなどから1種
或いは2種以上を選んで用いることができる。
10を導入) 前記のジアミン成分と併用することのできる他のジアミ
ン成分としては、芳香族ジアミンであればいずれでも用
いられてよく、具体的にはp−又はm−フェニレンジア
ミン、4,4'−、3,4'−、2,4'−又は3,3'−ジア
ミノジフェニルエーテル、4,4'−、3,4'−又は3,
3'−ジアミノジフェニルスルホン、4,4'−、3,4'
−又は3,3'−ジアミノジフェニルスルフィド、4,4'
−、3,4'−又は3,3'−ジアミノベンゾフェノン、
4,4'−、3,4'−又は3,3'−ジアミノジフェニルプ
ロパン、4,4'−、3,4'−又は3,3'−ジアミノジフ
ェニルヘキサフルオロプロパン、ビス[4−(3−又は4
−ジアミノフェノキシ)フェニル]メタン1,3−ビス(3
−アミノフェノキシ)ベンゼン、4,4'−ビス(4−アミ
ノフェノキシ)ビフェニル、ビス[4−(3−又は4−ア
ミノフェノキシ)フェニル]スルホン、ビス[4−(3−又は
4−アミノフェノキシ)フェニル]エーテルなどから1種
或いは2種以上を選んで用いることができる。
【0034】(iv)他の酸無水物(前記以外のR20を導
入) 前記式(4)で表される構造単位を有するテトラカルボン
酸二無水物以外のテトラカルボン酸二無水物であって、
前記のジアミン成分との反応に用いることのできるカル
ボン酸二無水物としては、ピロメリット酸二無水物、
2,2',3,3'−または3,3',4,4'−ビフェニルテト
ラカルボン酸二無水物、オキシジフタル酸二無水物、
2,2',3,3'−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無
水物、3,3',4,4'−ベンゾフェノンテトラカルボン
酸二無水物、2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニ
ル)スルホン二無水物、ビス(2,3−又は3,4−ジカル
ボキシフェニル)メタン二無水物、2,3,6,7−ナフタ
レンテトラカルボン酸二無水物、1,4,5,8−ナフタ
レンテトラカルボン酸二無水物、ビス(2,3−又は3,
4−ジカルボキシフェニル)ジフルオロメタン二無水
物、1,3−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)−1,
1,3,3−テトラメチルジシロキサン二無水物およびこ
れらの誘導体などから1種或いは2種以上を選んで用い
ることができる。
入) 前記式(4)で表される構造単位を有するテトラカルボン
酸二無水物以外のテトラカルボン酸二無水物であって、
前記のジアミン成分との反応に用いることのできるカル
ボン酸二無水物としては、ピロメリット酸二無水物、
2,2',3,3'−または3,3',4,4'−ビフェニルテト
ラカルボン酸二無水物、オキシジフタル酸二無水物、
2,2',3,3'−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無
水物、3,3',4,4'−ベンゾフェノンテトラカルボン
酸二無水物、2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニ
ル)スルホン二無水物、ビス(2,3−又は3,4−ジカル
ボキシフェニル)メタン二無水物、2,3,6,7−ナフタ
レンテトラカルボン酸二無水物、1,4,5,8−ナフタ
レンテトラカルボン酸二無水物、ビス(2,3−又は3,
4−ジカルボキシフェニル)ジフルオロメタン二無水
物、1,3−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)−1,
1,3,3−テトラメチルジシロキサン二無水物およびこ
れらの誘導体などから1種或いは2種以上を選んで用い
ることができる。
【0035】(ポリイミドの製造法)有機溶媒に可溶な
ポリイミドは、それ自体は従来公知の方法により合成す
ることができる。すなわち、溶媒中で、前記ジアミン及
びこれと略等モルのテトラカルボン酸二無水物とを反応
させることによりポリイミド前駆体であるポリアミド酸
を製造し、更にこれを加熱、又は化学的にイミド化する
ことにより得られる。
ポリイミドは、それ自体は従来公知の方法により合成す
ることができる。すなわち、溶媒中で、前記ジアミン及
びこれと略等モルのテトラカルボン酸二無水物とを反応
させることによりポリイミド前駆体であるポリアミド酸
を製造し、更にこれを加熱、又は化学的にイミド化する
ことにより得られる。
【0036】化学的イミド化は、例えばポリアミド酸に
ジシクロヘキシルカルボジイミドや無水トリフルオロ酢
酸、塩化チオニル、三塩化リンなどの脱水縮合剤を加え
て、必要に応じて冷却し、撹拌しながら閉環反応させ、
ろ過後、ろ液を2−プロパノールなどの沈殿剤中へ投入
して反応生成物を沈殿させて、これらをろ別、洗浄、乾
燥させて目的とするポリイミド粉末を得る。
ジシクロヘキシルカルボジイミドや無水トリフルオロ酢
酸、塩化チオニル、三塩化リンなどの脱水縮合剤を加え
て、必要に応じて冷却し、撹拌しながら閉環反応させ、
ろ過後、ろ液を2−プロパノールなどの沈殿剤中へ投入
して反応生成物を沈殿させて、これらをろ別、洗浄、乾
燥させて目的とするポリイミド粉末を得る。
【0037】一方、加熱によるイミド化は、ポリアミド
酸の溶液を150℃以上の温度に昇温し、脱水閉環を行
うことにより行うことができる。この際、副生する水を
系外へ効率よく除去するために、キシレン、トルエンな
どの溶剤を共存させることもできる。また、トリエチル
アミン、イソキノリン、ピリジン等の有機塩基を用いて
イミド化速度を速くすることもできる。加熱イミド化に
より得たポリイミドはそのまま用いてもよいし、2−プ
ロパノールやメタノールに沈殿させて粉末状にしたもの
を、有機溶媒に再溶解させて用いることもできる。
酸の溶液を150℃以上の温度に昇温し、脱水閉環を行
うことにより行うことができる。この際、副生する水を
系外へ効率よく除去するために、キシレン、トルエンな
どの溶剤を共存させることもできる。また、トリエチル
アミン、イソキノリン、ピリジン等の有機塩基を用いて
イミド化速度を速くすることもできる。加熱イミド化に
より得たポリイミドはそのまま用いてもよいし、2−プ
ロパノールやメタノールに沈殿させて粉末状にしたもの
を、有機溶媒に再溶解させて用いることもできる。
【0038】なお、上記の重合反応に用いることのでき
る有機溶媒としては、N−メチル−2−ピロリドン、
N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジメチルホルム
アミド、1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノン、ジ
メチルスルフォキシド、ジメチルスルフィド、ジメチル
スルホン、ピリジン、テトラメチルウレア、ジグライ
ム、トリグライム、テトラヒドロフラン、ジオキサン、
シクロヘキサノンなどを単独もしくは2種類以上混合し
て使用することができる。
る有機溶媒としては、N−メチル−2−ピロリドン、
N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジメチルホルム
アミド、1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノン、ジ
メチルスルフォキシド、ジメチルスルフィド、ジメチル
スルホン、ピリジン、テトラメチルウレア、ジグライ
ム、トリグライム、テトラヒドロフラン、ジオキサン、
シクロヘキサノンなどを単独もしくは2種類以上混合し
て使用することができる。
【0039】また、本発明の可溶性ポリイミドは、必要
に応じて無水フタル酸およびその誘導体やアニリンおよ
びその誘導体を用いて末端封鎖されたものでもよい。
に応じて無水フタル酸およびその誘導体やアニリンおよ
びその誘導体を用いて末端封鎖されたものでもよい。
【0040】(組成物の調製)本発明のポリカルボジイ
ミドを主成分とする樹脂溶液は、可溶性ポリイミド粉末
をポリカルボジイミド溶液に添加して溶解することによ
り調製する方法と、予め、可溶性ポリイミド粉末を有機
溶剤に溶解し、可溶性ポリイミド溶液を調製したのち、
ポリカルボジイミド溶液と混合する方法のどちらを採用
してもよい。このとき用いられる有機溶剤は可溶性ポリ
イミドとポリカルボジイミドをともに溶解する有機溶剤
であればどんなものでもよく、具体的には、上記重合に
用いたものと同じものが用いられて良い。
ミドを主成分とする樹脂溶液は、可溶性ポリイミド粉末
をポリカルボジイミド溶液に添加して溶解することによ
り調製する方法と、予め、可溶性ポリイミド粉末を有機
溶剤に溶解し、可溶性ポリイミド溶液を調製したのち、
ポリカルボジイミド溶液と混合する方法のどちらを採用
してもよい。このとき用いられる有機溶剤は可溶性ポリ
イミドとポリカルボジイミドをともに溶解する有機溶剤
であればどんなものでもよく、具体的には、上記重合に
用いたものと同じものが用いられて良い。
【0041】本発明の樹脂組成物中の可溶性ポリイミド
の含量は、主成分であるポリカルボジイミドに対し0.
1〜50重量部、好ましくは1〜30重量部、最適には
2〜20重量部がよい。可溶性ポリイミド含量が少なす
ぎるとその特性を発揮できない。多すぎると逆に低Tg、
低吸湿などのポリカルボジイミドの特性を失うことにな
る。また、樹脂が相分離することもある。
の含量は、主成分であるポリカルボジイミドに対し0.
1〜50重量部、好ましくは1〜30重量部、最適には
2〜20重量部がよい。可溶性ポリイミド含量が少なす
ぎるとその特性を発揮できない。多すぎると逆に低Tg、
低吸湿などのポリカルボジイミドの特性を失うことにな
る。また、樹脂が相分離することもある。
【0042】本発明の耐熱性樹脂組成物には、その加工
性・耐熱性を損なわない範囲で微細な無機充填剤が配合
されていても良い。あるいはまた表面平滑性を出すため
の平滑剤、レベリング剤、脱泡剤などの各種添加剤を必
要に応じて添加することができる。
性・耐熱性を損なわない範囲で微細な無機充填剤が配合
されていても良い。あるいはまた表面平滑性を出すため
の平滑剤、レベリング剤、脱泡剤などの各種添加剤を必
要に応じて添加することができる。
【0043】(接着シート)本発明のポリカルボジイミ
ドを主成分とするワニスは、常法によりフィルムに成形
し、接着シートとすることができる。シート厚は1〜2
000μmが一般的であるが、これに限定されず接着目
的に応じて適宜決定することができる。またシートの形
状や大きさについても、リードフレームや半導体チップ
などの被着体に応じて適宜に決定することができる。
ドを主成分とするワニスは、常法によりフィルムに成形
し、接着シートとすることができる。シート厚は1〜2
000μmが一般的であるが、これに限定されず接着目
的に応じて適宜決定することができる。またシートの形
状や大きさについても、リードフレームや半導体チップ
などの被着体に応じて適宜に決定することができる。
【0044】接着シートの形成に際しては、導電性の付
与や伝熱性の向上、弾性率の調節、特に高弾性率化など
を目的に、例えばアルミニウム、銅、銀、金、ニッケ
ル、クロム、鉛、錫、亜鉛、パラジウム、半田などの金
属ないし合金、アルミナ、シリカ、マグネシア、窒化ケ
イ素のごときセラミック、その他カーボンなどからなる
種々の無機粉末を必要に応じ1種または2種以上配合す
ることもできる。
与や伝熱性の向上、弾性率の調節、特に高弾性率化など
を目的に、例えばアルミニウム、銅、銀、金、ニッケ
ル、クロム、鉛、錫、亜鉛、パラジウム、半田などの金
属ないし合金、アルミナ、シリカ、マグネシア、窒化ケ
イ素のごときセラミック、その他カーボンなどからなる
種々の無機粉末を必要に応じ1種または2種以上配合す
ることもできる。
【0045】フィルムの塗工温度は20〜300℃、好
ましくは50〜250℃、より好ましくは70〜200
℃である。塗工温度が20℃未満であると溶剤がフィル
ム中に残存することがある。また、塗工温度が300℃
を越えるとフィルムの熱硬化が進むことがある。
ましくは50〜250℃、より好ましくは70〜200
℃である。塗工温度が20℃未満であると溶剤がフィル
ム中に残存することがある。また、塗工温度が300℃
を越えるとフィルムの熱硬化が進むことがある。
【0046】また、これらのフィルムを支持体上に形成
することもできる。このような構成の接着シートを作製
するためには、支持体上にワニスを塗工してもよく、あ
らかじめ形成したフィルムをプレスなどによりラミネー
トしてもよい。
することもできる。このような構成の接着シートを作製
するためには、支持体上にワニスを塗工してもよく、あ
らかじめ形成したフィルムをプレスなどによりラミネー
トしてもよい。
【0047】支持体としては金属箔、絶縁性フィルムな
どを用いることができる。金属箔としてはアルミニウ
ム、銅、銀、金、ニッケル、インジウム、クロム、鉛、
錫、亜鉛、パラジウム等がいずれも用いることができ、
単独で用いてもよく、また複数の金属による合金を用い
てもよい。また、絶縁性フィルムとしてはポリイミド、
ポリエステル、ポリエチレンテレフタレートなど耐熱性
や耐薬品性を有するフィルムであればいかなるものであ
ってもよい。
どを用いることができる。金属箔としてはアルミニウ
ム、銅、銀、金、ニッケル、インジウム、クロム、鉛、
錫、亜鉛、パラジウム等がいずれも用いることができ、
単独で用いてもよく、また複数の金属による合金を用い
てもよい。また、絶縁性フィルムとしてはポリイミド、
ポリエステル、ポリエチレンテレフタレートなど耐熱性
や耐薬品性を有するフィルムであればいかなるものであ
ってもよい。
【0048】金属箔と絶縁性フィルムとは、それぞれ単
独であってもよく、またこれらを積層した金属箔/絶縁
性フィルムなどの構成を有する2層以上の積層基材であ
ってもよい。二層基材としては、例えば銅/ポリイミド
二層基材などが挙げられる。
独であってもよく、またこれらを積層した金属箔/絶縁
性フィルムなどの構成を有する2層以上の積層基材であ
ってもよい。二層基材としては、例えば銅/ポリイミド
二層基材などが挙げられる。
【0049】本発明のシート状接着剤は、加熱処理によ
り熱硬化して強固な接着力を発現すると共に、低吸湿性
の硬化物となる。加熱処理は、例えばヒーター、超音
波、紫外線などの適宜な方法で行ってよい。従って本発
明の接着シートは、種々の材料の接着処理に好ましく用
いることができ、特に固着処理の信頼性が要求され、こ
のために低吸湿性が必要な半導体チップやリードフレー
ムなどで代表される電気・電子部品の固着処理に好まし
く用いられる。
り熱硬化して強固な接着力を発現すると共に、低吸湿性
の硬化物となる。加熱処理は、例えばヒーター、超音
波、紫外線などの適宜な方法で行ってよい。従って本発
明の接着シートは、種々の材料の接着処理に好ましく用
いることができ、特に固着処理の信頼性が要求され、こ
のために低吸湿性が必要な半導体チップやリードフレー
ムなどで代表される電気・電子部品の固着処理に好まし
く用いられる。
【0050】本発明の接着シートは低吸湿性であるこ
と、可撓性に富み取り扱いやすいこと、半導体素子に対
して接着性がよいこと、保存安定性がよいことなどの点
で優れている。
と、可撓性に富み取り扱いやすいこと、半導体素子に対
して接着性がよいこと、保存安定性がよいことなどの点
で優れている。
【0051】本発明の樹脂組成物をワニスとし、このワ
ニスを金属箔の片面に塗布し乾燥した接着剤層付き金属
箔は、多層回路基板等の製造に特に有用である。
ニスを金属箔の片面に塗布し乾燥した接着剤層付き金属
箔は、多層回路基板等の製造に特に有用である。
【0052】
【実施例】つぎに、本発明の熱硬化性樹脂組成物につい
て、実施例及び比較例によりさらに具体的に説明する。
なお、得られた樹脂組成物の特性は下記の方法により測
定した。
て、実施例及び比較例によりさらに具体的に説明する。
なお、得られた樹脂組成物の特性は下記の方法により測
定した。
【0053】ガラス転移点(Tg) SEIKO SSC/560M(セイコー電子工業(株)製)を用い
て室温から10℃/分にて400℃まで昇温し測定し
た。
て室温から10℃/分にて400℃まで昇温し測定し
た。
【0054】接着性 樹脂ワニスをシリコンウェハー上にスピンコートした。
ついで、これを120℃・100%RHのプレッシャー
クッカー(TABAI PRESSURE COOKER TPC-411)中に放置し
た。熱処理前と熱処理後において、樹脂とシリコンウェ
ハー間の密着性を評価した。評価方法は、1mm角のマ
ス目100個中の剥離した数をn個としn/100で行
った(クロスカッティングテスト)。また、接着力は島津
オートグラフAGS−100Dを用いて180度ピール
強度を測定した。
ついで、これを120℃・100%RHのプレッシャー
クッカー(TABAI PRESSURE COOKER TPC-411)中に放置し
た。熱処理前と熱処理後において、樹脂とシリコンウェ
ハー間の密着性を評価した。評価方法は、1mm角のマ
ス目100個中の剥離した数をn個としn/100で行
った(クロスカッティングテスト)。また、接着力は島津
オートグラフAGS−100Dを用いて180度ピール
強度を測定した。
【0055】[合成例1] ポリイミド1の合成 冷却管、撹拌装置を備えた500mLのセパラブルフラ
スコに、2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フ
ェニル]ヘキサフルオロプロパン(BAPF)21.72
g(42mmol)、ビス(アミノプロピル)テトラメチルジシ
ロキサン(APDS)10.70g(42mmol)及びN−メ
チル−2−ピロリドン(NMP)186gを仕込んだ。
ここに、室温で撹拌しながらビス2,2−(3,4−ジカ
ルボキシフェニル)スルホン二無水物(DSDA)30.0
2g(84mmol)を投入した。室温で3時間撹拌した後、
さらに180℃にて4時間撹拌し、加熱イミド化を行っ
た。得られたワニスをメタノールで再沈殿し、濾過して
粉末を取り出した。これを150℃で1時間乾燥し、シ
クロヘキサノンに再溶解して30重量%のワニス(以
下、PI1という)を調製した。
スコに、2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フ
ェニル]ヘキサフルオロプロパン(BAPF)21.72
g(42mmol)、ビス(アミノプロピル)テトラメチルジシ
ロキサン(APDS)10.70g(42mmol)及びN−メ
チル−2−ピロリドン(NMP)186gを仕込んだ。
ここに、室温で撹拌しながらビス2,2−(3,4−ジカ
ルボキシフェニル)スルホン二無水物(DSDA)30.0
2g(84mmol)を投入した。室温で3時間撹拌した後、
さらに180℃にて4時間撹拌し、加熱イミド化を行っ
た。得られたワニスをメタノールで再沈殿し、濾過して
粉末を取り出した。これを150℃で1時間乾燥し、シ
クロヘキサノンに再溶解して30重量%のワニス(以
下、PI1という)を調製した。
【0056】[合成例2](ポリイミド2の合成) ジアミン成分としてビス[4−(3−アミノフェノキシ)
フェニル]スルホン(3−BAPS)とビス(アミノプロ
ピル)テトラメチルジシロキサン(APDS)、酸無水物
として2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)ヘキ
サフルオルプロパン二無水物を用いた以外は、合成例1
と同様にしてポリイミドのワニス(以下、PI2という)
を製造した。
フェニル]スルホン(3−BAPS)とビス(アミノプロ
ピル)テトラメチルジシロキサン(APDS)、酸無水物
として2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)ヘキ
サフルオルプロパン二無水物を用いた以外は、合成例1
と同様にしてポリイミドのワニス(以下、PI2という)
を製造した。
【0057】[合成例3] ポリカルボジイミドの合
成 滴下漏斗、冷却管及び撹拌装置を備えたセパラブルフラ
スコ(500mL)に2,2−ビス[4−(4−アミノフェ
ノキシ)フェニル]ヘキサフルオロプロパン(BAPF)
800g(1.54mol)、トリエチルアミン312g(3.
09mol)及びトルエン8Lを仕込んだ。加熱してBAP
Fを完全に溶解したのち、フェニルクロロホルメート1
83g(3.09mol)を滴下した。発熱をおさえるため氷
浴で冷却した後、一晩撹拌し、反応を完了させた。ここ
にトリエチルアミン281g(2.78mol)を仕込み、滴
下漏斗にトリメチルクロロシラン302g(2.78mol)
を入れ、室温で滴下した。滴下終了後、カルボジイミド
化触媒として3−メチル−1−フェニル−2−ホスホレ
ン−1−オキシド29.7g(0.154mol)を仕込み、
徐々に80℃まで温度を上昇させながら9時間撹拌し
た。反応終了をIRで確認した後室温まで冷却し、生成
した塩を濾過により取り除いた。こうして得られたワニ
スの溶媒をシクロヘキサノンに置換し、20重量%溶液
とした。このワニスを以下PCDとする。
成 滴下漏斗、冷却管及び撹拌装置を備えたセパラブルフラ
スコ(500mL)に2,2−ビス[4−(4−アミノフェ
ノキシ)フェニル]ヘキサフルオロプロパン(BAPF)
800g(1.54mol)、トリエチルアミン312g(3.
09mol)及びトルエン8Lを仕込んだ。加熱してBAP
Fを完全に溶解したのち、フェニルクロロホルメート1
83g(3.09mol)を滴下した。発熱をおさえるため氷
浴で冷却した後、一晩撹拌し、反応を完了させた。ここ
にトリエチルアミン281g(2.78mol)を仕込み、滴
下漏斗にトリメチルクロロシラン302g(2.78mol)
を入れ、室温で滴下した。滴下終了後、カルボジイミド
化触媒として3−メチル−1−フェニル−2−ホスホレ
ン−1−オキシド29.7g(0.154mol)を仕込み、
徐々に80℃まで温度を上昇させながら9時間撹拌し
た。反応終了をIRで確認した後室温まで冷却し、生成
した塩を濾過により取り除いた。こうして得られたワニ
スの溶媒をシクロヘキサノンに置換し、20重量%溶液
とした。このワニスを以下PCDとする。
【0058】[実施例1]前記のPI1とPCDを下記
の表1に示す固形分組成にて混合しワニスを調製した。
これらのワニスは相分離することなく相溶した。得られ
たワニスをシリコンウェハー上にスピンコートし、90
℃にて30分間乾燥後、250℃にて1時間熱処理を行
った。ついで、プレッシャークッカー(PCT)により耐
湿性試験を行った。表1にこれらのワニスの物性値と接
着性の評価結果(クロスカッティングテスト)を示す。
の表1に示す固形分組成にて混合しワニスを調製した。
これらのワニスは相分離することなく相溶した。得られ
たワニスをシリコンウェハー上にスピンコートし、90
℃にて30分間乾燥後、250℃にて1時間熱処理を行
った。ついで、プレッシャークッカー(PCT)により耐
湿性試験を行った。表1にこれらのワニスの物性値と接
着性の評価結果(クロスカッティングテスト)を示す。
【0059】
【表1】 ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━ ワニス組成 接 着 性 ────────── ───────────── ワニス PCD PI1 Tg(℃) 初期値 PCT処理後 No. (重量部) (重量部) (20hr後) ──────────────────────────────────── 1 100 0 150 0/100 100/100 2 100 2.5 155 0/100 13/100 3 100 5 159 0/100 0/100 ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
【0060】[実施例2]ポリイミドとして合成例2に
て得られたPI2を用い表2に示す組成にてPCDと混
合しワニスを調製した。これらのワニスは相分離するこ
となく相溶した。得られたワニスを各々実施例1と同様
にして処理し評価した。表2に結果を示す。表2にこれ
らのワニスの物性値とクロスカッティングテストの結果
を示す。
て得られたPI2を用い表2に示す組成にてPCDと混
合しワニスを調製した。これらのワニスは相分離するこ
となく相溶した。得られたワニスを各々実施例1と同様
にして処理し評価した。表2に結果を示す。表2にこれ
らのワニスの物性値とクロスカッティングテストの結果
を示す。
【0061】
【表2】 ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━ ワニス組成 接 着 性 ────────── ───────────── ワニス PCD PI2 Tg(℃) 初期値 PCT処理後 No. (重量部) (重量部) (20hr後) ──────────────────────────────────── 4 100 2.5 151 0/100 20/100 5 100 5 153 0/100 0/100 ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
【0062】[実施例3]実施例1にて調製したワニス
No.3を銅箔(35μm)上にキャストし、200℃で2
0分乾燥して接着シート(厚さ20μm)を作製した。こ
れを42アロイ板に貼り付け、350℃、50kg/c
m2の圧力で2秒間プレスして貼り合わせた。接着力を
測定したところ1400g/cmの接着力を示した。こ
れを80℃/90%RHの恒温恒湿機に168時間投入
した後の接着力は800g/cmであった。
No.3を銅箔(35μm)上にキャストし、200℃で2
0分乾燥して接着シート(厚さ20μm)を作製した。こ
れを42アロイ板に貼り付け、350℃、50kg/c
m2の圧力で2秒間プレスして貼り合わせた。接着力を
測定したところ1400g/cmの接着力を示した。こ
れを80℃/90%RHの恒温恒湿機に168時間投入
した後の接着力は800g/cmであった。
【0063】[実施例4]実施例2で調製したワニスN
o.5について実施例3と同様にして接着力を測定したと
ころ常態で1200g/cmの接着力を示した。これを80℃/
90%RHの恒温恒湿機に168時間投入した後の接着
力は750g/cmであった。
o.5について実施例3と同様にして接着力を測定したと
ころ常態で1200g/cmの接着力を示した。これを80℃/
90%RHの恒温恒湿機に168時間投入した後の接着
力は750g/cmであった。
【0064】[比較例1]実施例3で調製したワニスN
o.1について実施例3と同様にして接着力を測定したと
ころ常態で1400g/cmの接着力を示した。これを80℃/
90%RHの恒温恒湿機に168時間投入すると剥離し
た。
o.1について実施例3と同様にして接着力を測定したと
ころ常態で1400g/cmの接着力を示した。これを80℃/
90%RHの恒温恒湿機に168時間投入すると剥離し
た。
【0065】[比較例2]モノマーとして3,3'−ジア
ミノジフェニルスルホン、ビス(アミノプロピル)テトラ
メチルジシロキサン(APDS)及びオキシジフタル酸二
無水物(ODPA)を用いたほかは実施例1と同様にして
ポリイミドワニスを合成した。このポリイミドとPCD
は相溶性がなく、混合すると相分離した。
ミノジフェニルスルホン、ビス(アミノプロピル)テトラ
メチルジシロキサン(APDS)及びオキシジフタル酸二
無水物(ODPA)を用いたほかは実施例1と同様にして
ポリイミドワニスを合成した。このポリイミドとPCD
は相溶性がなく、混合すると相分離した。
【0066】[比較例3]ポリエーテルイミドワニス
(ゼネラルエレクトリック社製)とPCDを混合したが、
相溶性がなく相分離した。
(ゼネラルエレクトリック社製)とPCDを混合したが、
相溶性がなく相分離した。
【0067】
【発明の効果】本発明の樹脂組成物はガラス転移点が2
00℃以下であるため、低温加工性が向上する。また、
半導体素子などの被着体に対して接着性が良く、低吸湿
性で保存安定性に優れ、常温での長期保存が可能であ
る。
00℃以下であるため、低温加工性が向上する。また、
半導体素子などの被着体に対して接着性が良く、低吸湿
性で保存安定性に優れ、常温での長期保存が可能であ
る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI C09J 179/00 C09J 179/00 179/08 179/08 Z (72)発明者 堀田 裕治 大阪府茨木市下穂積1丁目1番2号 日東 電工株式会社内
Claims (5)
- 【請求項1】 有機溶媒に可溶なポリカルボジイミド
と、有機溶媒に可溶なポリイミドとを含んでなる熱硬化
性樹脂組成物。 - 【請求項2】 ポリカルボジイミドが下式(1): 【化1】 (式中、Xは水素又はフッ素原子、lは2〜400の整
数を意味する。)で表される請求項1の熱硬化性樹脂組
成物。 - 【請求項3】(i)ポリイミドが下式(2)及び下式
(3): 【化2】 (式中、RSiはシリコーンジアミン残基、R10はジアミ
ン残基、R20は酸二無水物残基であり、m+nは6〜2
00の整数である。)で表される繰り返し構造単位を有
し、 (ii)全ジアミン構造単位中におけるシリコーン変性ジ
アミン構造単位の含有率が10〜100%であり、かつ (iii)シリコーン変性ジアミン構造単位を除くジアミ
ン構造単位及び酸二無水物構造単位の合計量aに対す
る、下式(4): 【化3】 (式中、Xは水素又はフッ素原子を意味する。)を含む
ジアミン構造単位及び酸二無水物構造単位の合計量bの
割合b/aが10〜100%である請求項1の熱硬化性
樹脂組成物。 - 【請求項4】 請求項1〜3のいずれかの樹脂組成物を
製膜してなるフィルム。 - 【請求項5】 支持体の少なくとも一方の面に請求項1
〜3のいずれかの樹脂組成物からなる接着剤層を設けた
接着シート。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9102766A JPH10279799A (ja) | 1997-04-04 | 1997-04-04 | 熱硬化性樹脂組成物 |
| DE69821664T DE69821664T2 (de) | 1997-04-04 | 1998-04-01 | Wärmehärtbare Harzzusammensetzung |
| EP98105988A EP0869151B1 (en) | 1997-04-04 | 1998-04-01 | Thermosetting resin composition |
| US09/053,782 US6068932A (en) | 1997-04-04 | 1998-04-02 | Thermosetting resin composition |
| KR1019980011746A KR19980081051A (ko) | 1997-04-04 | 1998-04-03 | 열경화성 수지 조성물 |
| CN98108759A CN1113937C (zh) | 1997-04-04 | 1998-04-04 | 热固性树脂组合物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9102766A JPH10279799A (ja) | 1997-04-04 | 1997-04-04 | 熱硬化性樹脂組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10279799A true JPH10279799A (ja) | 1998-10-20 |
Family
ID=14336311
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9102766A Pending JPH10279799A (ja) | 1997-04-04 | 1997-04-04 | 熱硬化性樹脂組成物 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6068932A (ja) |
| EP (1) | EP0869151B1 (ja) |
| JP (1) | JPH10279799A (ja) |
| KR (1) | KR19980081051A (ja) |
| CN (1) | CN1113937C (ja) |
| DE (1) | DE69821664T2 (ja) |
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| JP2001207055A (ja) * | 2000-01-25 | 2001-07-31 | Nitto Denko Corp | カルボジイミド樹脂組成物 |
| JP2002279830A (ja) * | 2001-03-19 | 2002-09-27 | Nitto Denko Corp | 異方導電性フィルム |
| WO2019073891A1 (ja) * | 2017-10-10 | 2019-04-18 | 三井金属鉱業株式会社 | プリント配線板用樹脂組成物、樹脂付銅箔、銅張積層板、及びプリント配線板 |
| WO2019189542A1 (ja) * | 2018-03-29 | 2019-10-03 | 信越化学工業株式会社 | シリコーンゴム-シリコーン変性ポリイミド樹脂積層体 |
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| KR100687926B1 (ko) | 2005-06-13 | 2007-02-27 | 삼성전자주식회사 | 액정표시장치 |
| CN105906813A (zh) * | 2016-06-05 | 2016-08-31 | 吉林大学 | 一种规整嵌段共聚聚酰亚胺硅氧烷单层膜的制备方法 |
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| JP7342355B2 (ja) | 2018-12-17 | 2023-09-12 | 株式会社レゾナック | 樹脂組成物、及び半導体装置 |
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| JPS621714A (ja) * | 1985-06-28 | 1987-01-07 | Nisshinbo Ind Inc | 熱硬化性樹脂の製造方法 |
| JP3713283B2 (ja) * | 1992-02-28 | 2005-11-09 | 日清紡績株式会社 | 耐熱性接着剤組成物 |
| JPH05320611A (ja) * | 1992-05-18 | 1993-12-03 | Nisshinbo Ind Inc | フィルム状接着剤組成物 |
| WO1995002627A1 (en) * | 1993-07-15 | 1995-01-26 | The University Of Akron | Heat-resistant polyimide blends and laminates |
| US5576398A (en) * | 1995-07-07 | 1996-11-19 | Japan Synthetic Rubber Co., Ltd. | Thermosetting resin composition |
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-
1997
- 1997-04-04 JP JP9102766A patent/JPH10279799A/ja active Pending
-
1998
- 1998-04-01 DE DE69821664T patent/DE69821664T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1998-04-01 EP EP98105988A patent/EP0869151B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-04-02 US US09/053,782 patent/US6068932A/en not_active Expired - Fee Related
- 1998-04-03 KR KR1019980011746A patent/KR19980081051A/ko not_active Withdrawn
- 1998-04-04 CN CN98108759A patent/CN1113937C/zh not_active Expired - Fee Related
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| CN1197819A (zh) | 1998-11-04 |
| EP0869151B1 (en) | 2004-02-18 |
| EP0869151A3 (en) | 1998-11-18 |
| DE69821664T2 (de) | 2004-07-08 |
| DE69821664D1 (de) | 2004-03-25 |
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