JPH10286467A - 酸化触媒系、酸化方法および酸化物の製造方法 - Google Patents
酸化触媒系、酸化方法および酸化物の製造方法Info
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Abstract
し、高い転化率および選択率で基質に対応する酸化物を
得る。 【解決手段】 式(1)で表されるイミド化合物(N−
ヒドロキシフタルイミドなど)と、周期表3族〜12族
(特に周期表4族〜11族)から選択された元素を含む
助触媒とで構成され、かつ助触媒が複数の元素を含む化
合物(ただし、ヘテロポリ酸、周期表7族元素と8族元
素との組み合わせを除く)で構成されている酸化触媒系
の存在下、基質(シクロアルカン類,多環式炭化水素
類,メチル基を有する芳香族性化合物など)を酸素酸化
し、酸化物(ケトン類,アルコール類,カルボン酸な
ど)を得る。 【化1】 (式中、R1 及びR2 は、水素原子、ハロゲン原子など
の置換基を示し、R1 及びR2 は互いに結合して二重結
合、芳香族性又は非芳香族性の5〜12員環を形成して
もよい。XはO又はOHを示し、n=1〜3)
Description
るのに有用な複合酸化触媒系、この触媒系を用いた酸化
方法、および酸化物(ケトン類,アルコール類,アルデ
ヒド類,カルボン酸類)の製造方法に関する。
的な反応の1つであり、種々の酸化方法、特に硝酸を用
いて基質を酸化する方法が知られている。例えば、ナイ
ロン66の原料であるアジピン酸は、シクロヘキサノー
ル単独又はシクロヘキサノールとシクロヘキサノンとの
混合物(K/Aオイル)を硝酸で酸化する方法により製
造されている。また、メチル基が置換した芳香族化合物
(例えば、トルエン)を硝酸や重クロム酸で酸化する方
法により、カルボキシル基を有する芳香族化合物(例え
ば、安息香酸)が製造されている。しかし、これらの方
法では、いずれも硝酸酸化により生成するN2 Oおよび
NOx を処理するために、高価な排ガス処理施設が必要
となる。また、重クロム酸を用いる場合にも、クロム成
分の処理が必要となる。
は幅広い用途を有する化合物であり、このような化合物
の殆どは、対応するアルコール体から誘導されている。
特に高機能性材料を得るためには、2以上の複数の橋頭
位にヒドロキシル基が置換したポリオール体を用いるの
が有利である。しかし、化学的に安定な多環式炭化水素
類の橋頭位にヒドロキシル基を有効かつ効率よく導入す
ることはかなり困難である。例えば、橋架け環式炭化水
素類(例えば、アダマンタン又はその誘導体)を過剰量
の臭素(例えば、10倍モル以上)を用いて臭素化し、
生成した臭素化物を、化学量論量を越える過剰の硝酸銀
や硫酸銀で加水分解することにより、ヒドロキシル基を
導入している(Chem. Ber., 92 1629(1959), 93 226,11
61(1960): J. Org. Che., 26 2207(1961))。しかし、
この方法では、多量の臭素を必要とし、100℃程度で
長時間反応させているだけでなく、高価な銀試薬も多量
に消費する。特に2以上の橋頭位を逐次臭素化すること
が困難である。さらに、アダマンタントリオールは、ア
ダマンタンから直接生成させることができず、高度に逐
次臭素化した化合物を分離して加水分解する必要があ
る。そのため、アダマンタントリオールの収率は10〜
30%程度と極めて低い(Tetrahedron Letters, 19 18
41(1967); Just. LiebigsAnn. Chem., 717 60(196
8))。
特公昭42−16621号公報には、アダマンタンに対
して5倍モル以上のクロム酸を用い、濃酢酸溶液中で反
応させアダマンタンジオールを得ることが開示されてい
る。しかし、この方法でも、クロム成分の処理が必要と
なるだけでなく、アダマンタンジオールを生成させるこ
とはできるものの、反応条件を厳しくしてもトリオール
以上のポリオール体への酸化が進行しない。
法は、分子状酸素又は空気を酸化剤として直接利用する
触媒的な酸化法である。日本化学会第67春季年会 1
994年「講演予稿集II」第762頁には、バナドモリ
ブドリン酸塩とN−ヒドロキシフタルイミドとを用い
て、ベンジルアルコール,ベンズヒドロールなどのアル
コール類を空気酸化すると、アセトフェノン,ベンゾフ
ェノンなどのケトンが高い収率で生成することが報告さ
れている。特開平8−38909号公報には、イミド化
合物(N−ヒドロキシフタルイミドなど)と遷移金属化
合物とで構成された酸化触媒を用いて、シクロヘキサ
ン、アダマンタンなどの基質を酸素酸化することが開示
されている。このような触媒系は、基質の酸素酸化反応
において高い活性を示す。しかし、触媒の種類によって
は、転化率や選択率が低下する場合がある。また、触媒
活性が低下し、助触媒の使用量が多くなると、N−ヒド
ロキシフタルイミドなどのイミド化合物が短時間内に失
活し、酸化反応を長期間に亘り継続して行うことが困難
である。
は、酸化反応において触媒活性を向上させ、基質を有効
に酸化する上で有用な酸化触媒系、この触媒系を用いた
酸化方法および酸化物の製造方法を提供することにあ
る。本発明の他の目的は、イミド化合物の失活を抑制し
つつ高い活性を持続できる酸化触媒系、この触媒系を用
いた酸化方法および酸化物の製造方法を提供することに
ある。本発明のさらに他の目的は、高い転化率および選
択率で酸化物(ケトン類,アルコール類,アルデヒド
類,カルボン酸類)を得るのに有用な酸化触媒系、この
触媒系を用いた酸化方法および酸化物の製造方法を提供
することにある。
を達成するため鋭意検討の結果、複数の遷移金属化合物
を組み合わせて複合触媒系を構成すると、触媒活性や選
択率が向上するとともに、触媒種によっては安定化効果
が発現すること、イミド化合物に対して助触媒を特定の
割合で使用すると、イミド化合物の失活を抑制でき、高
い活性を持続できることを見いだし、本発明を完成し
た。すなわち、本発明の酸化触媒系は、下記式(1)
子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、シクロア
ルキル基、ヒドロキシル基、アルコキシ基、カルボキシ
ル基、アルコキシカルボニル基、アシル基を示し、R1
及びR2 は互いに結合して二重結合、または芳香族性又
は非芳香族性の環を形成してもよい。Xは酸素原子又は
ヒドロキシル基を示し、nは1〜3の整数を示す)で表
されるイミド化合物と、助触媒とで構成された酸化触媒
系であって、前記助触媒が、複数の遷移金属化合物で構
成されている。ただし、周期表5族元素又は周期表6族
元素でポリ酸を構成する場合、ポリ酸はイソポリ酸であ
る。また、周期表7族元素化合物および周期表8族元素
化合物の組み合わせで構成された触媒系は除かれる。こ
の酸化触媒系において、前記助触媒を構成する化合物
は、周期表3族元素,4族元素,5族元素,6族元素,
7族元素,8族元素,9族元素,10族元素,11族元
素,および12族元素のうち、(A)異なる族から選択
された複数の元素を含む単一化合物、もしくは異なる族
から選択された元素を含む複数の化合物、又は(B)同
じ族から選択された複数の異なる原子価を有する遷移金
属元素を含む単一化合物、もしくは同じ族から選択され
た異なる原子価を有する遷移金属元素を含む複数の化合
物である。
無機酸塩、ハロゲン化物、錯体、イソポリ酸などが含ま
れる。触媒の安定性を向上させるためには、前記助触媒
成分を選択したり、イミド化合物に対する助触媒の割合
を少量とするのが有利である。本発明の方法には、前記
酸化触媒系の存在下、基質と酸素とを接触させて酸化す
る方法、前記酸化触媒系の存在下、基質と酸素とを接触
させ、基質に対応するケトン類,アルコール類,アルデ
ヒド類又はカルボン酸類を製造する方法も含まれる。
とは、遊離のカルボキシル基を有する化合物に限らず、
反応条件により生成する塩,エステルや酸無水物などの
ように、実質的にカルボン酸と等価なカルボン酸誘導体
も含む意味に用いる。また、「非芳香族性環式化合物」
には、シクロアルカンやシクロアルケンなどの環式炭化
水素類、複素環化合物などの他、芳香族環との縮合環を
有する化合物などであってもよく、環を構成するメチレ
ン基を有する化合物は全て含まれる。なお、上記非芳香
族性環式化合物は芳香族性の置換基を有していてもよ
い。
「アダマンタン成分」と言う場合がある。なお、多環式
炭化水素類の橋頭位のメチリジン基は基「−HC<」、
隣接する環の接合位のメチリジン基は基「>CH−CH
<」で表すことができる。また、「二価の遷移金属化合
物」には、反応系中で生成する遷移金属化合物も含まれ
る。
て、置換基R1 及びR2 のうちハロゲン原子には、ヨウ
素、臭素、塩素およびフッ素原子が含まれる。アルキル
基には、例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロ
ピル、ブチル、イソブチル、sec−ブチル、t−ブチ
ル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、デシル
基などの炭素数1〜10程度の直鎖状又は分岐鎖状アル
キル基が含まれる。好ましいアルキル基としては、例え
ば、炭素数1〜6程度、特に炭素数1〜4程度の低級ア
ルキル基が挙げられる。
などが含まれ、シクロアルキル基には、シクロペンチ
ル、シクロヘキシル、シクロオクチル基などが含まれ
る。アルコキシ基には、例えば、メトキシ、エトキシ、
プロポキシ、イソプロポキシ、ブトキシ、イソブトキ
シ、t−ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ基
などの炭素数1〜10程度、好ましくは炭素数1〜6程
度、特に炭素数1〜4程度の低級アルコキシ基が含まれ
る。
トキシカルボニル、エトキシカルボニル、プロポキシカ
ルボニル、イソプロポキシカルボニル、ブトキシカルボ
ニル、イソブトキシカルボニル、t−ブトキシカルボニ
ル、ペンチルオキシカルボニル、ヘキシルオキシカルボ
ニル基などのアルコキシ部分の炭素数が1〜10程度の
アルコキシカルボニル基が含まれる。好ましいアルコキ
シカルボニル基にはアルコキシ部分の炭素数が1〜6程
度、特に1〜4程度の低級アルコキシカルボニル基が含
まれる。
セチル、プロピオニル、ブチリル、イソブチリル、バレ
リル、イソバレリル、ピバロイル基などの炭素数1〜6
程度のアシル基が例示できる。
っていてもよい。また、前記式(1)において、R1 お
よびR2 は互いに結合して、二重結合、または芳香族性
又は非芳香族性の環を形成してもよい。好ましい芳香族
性又は非芳香族性環は5〜12員環、特に6〜10員環
程度であり、複素環又は縮合複素環であってもよいが、
炭化水素環である場合が多い。このような環には、例え
ば、非芳香族性脂環族環(シクロヘキサン環などの置換
基を有していてもよいシクロアルカン環、シクロヘキセ
ン環などの置換基を有していてもよいシクロアルケン環
など)、非芳香族性橋かけ環(5−ノルボルネン環など
の置換基を有していてもよい橋かけ式炭化水素環な
ど)、ベンゼン環、ナフタレン環などの置換基を有して
いてもよい芳香族環が含まれる。前記環は、芳香族環で
構成される場合が多い。好ましいイミド化合物には、下
記式で表される化合物が含まれる。
アルキル基、ヒドロキシル基、アルコキシ基、カルボキ
シル基、アルコキシカルボニル基、アシル基、ニトロ
基、シアノ基、アミノ基、ハロゲン原子を示す。窒素原
子「N」と「X」との結合は単結合又は二重結合を示
す。R1 、R2 、Xおよびnは前記に同じ) 置換基R3 〜R6 において、アルキル基には、前記例示
のアルキル基と同様のアルキル基、特に炭素数1〜6程
度のアルキル基が含まれ、アルコキシ基には、前記と同
様のアルコキシ基、特に炭素数1〜4程度の低級アルコ
キシ基、アルコキシカルボニル基には、前記と同様のア
ルコキシカルボニル基、特にアルコキシ部分の炭素数が
1〜4程度の低級アルコキシカルボニル基が含まれる。
また、アシル基としては、前記と同様のアシル基、特に
炭素数1〜6程度のアシル基が例示され、ハロゲン原子
としては、フッ素、塩素、臭素原子が例示できる。置換
基R3 〜R6 は、通常、水素原子、炭素数1〜4程度の
低級アルキル基、カルボキシル基、ニトロ基、ハロゲン
原子である場合が多い。
ヒドロキシル基を示し、窒素原子「N」と「X」との結
合は単結合又は二重結合である。また、nは、通常、1
〜3程度、好ましくは1又は2である。式(1)で表さ
れる化合物は酸化反応において一種又は二種以上使用で
きる。
応する酸無水物には、例えば、無水コハク酸、無水マレ
イン酸などの飽和又は不飽和脂肪族ジカルボン酸無水
物、テトラヒドロ無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタ
ル酸(1,2−シクロヘキサンジカルボン酸無水物)、
1,2,3,4−シクロヘキサンテトラカルボン酸
1,2−無水物などの飽和又は不飽和非芳香族性環状多
価カルボン酸無水物(脂環族多価カルボン酸無水物)、
無水ヘット酸、無水ハイミック酸などの橋かけ環式多価
カルボン酸無水物(脂環族多価カルボン酸無水物)、無
水フタル酸、テトラブロモ無水フタル酸、テトラクロロ
無水フタル酸、無水ニトロフタル酸、無水トリメリット
酸、メチルシクロヘキセントリカルボン酸無水物、無水
ピロメリット酸、無水メリト酸、1,8;4,5−ナフ
タレンテトラカルボン酸二無水物などの芳香族多価カル
ボン酸無水物が含まれる。好ましいイミド化合物として
は、例えば、N−ヒドロキシコハク酸イミド、N−ヒド
ロキシマレイン酸イミド、N−ヒドロキシヘキサヒドロ
フタル酸イミド、N,N′−ジヒドロキシシクロヘキサ
ンテトラカルボン酸イミド、N−ヒドロキシフタル酸イ
ミド、N−ヒドロキシテトラブロモフタル酸イミド、N
−ヒドロキシテトラクロロフタル酸イミド、N−ヒドロ
キシヘット酸イミド、N−ヒドロキシハイミック酸イミ
ド、N−ヒドロキシトリメリット酸イミド、N,N′−
ジヒドロキシピロメリット酸イミド、N,N′−ジヒド
ロキシナフタレンテトラカルボン酸イミドなどが挙げら
れる。特に好ましい化合物は、脂環族多価カルボン酸無
水物、なかでも芳香族多価カルボン酸無水物から誘導さ
れるN−ヒドロキシイミド化合物、例えば、N−ヒドロ
キシフタル酸イミドなどが含まれる。
応、例えば、対応する酸無水物とヒドロキシルアミンN
H2 OHとを反応させて酸無水物基を開環した後、閉環
してイミド化することにより調製できる。
属化合物で構成された助触媒と組み合わせて酸化触媒系
を構成すると、高い活性が発現し、温和な条件であって
も、基質を高い効率で酸素酸化又は空気酸化することが
でき、転化率及び/又は選択率を向上できる。特に、触
媒活性の制御(例えば、活性の向上、選択率の向上、安
定性など)に有用である。そのため、本発明では、前記
イミド化合物と助触媒とで構成された触媒系の存在下、
基質を効率よく高い選択率で酸化し、基質に対応するケ
トン類,アルコール類,アルデヒド類やカルボン酸類を
生成させることができる。
属化合物で助触媒を構成する点にある。前記遷移金属元
素としては、例えば、周期表3族元素(例えば、スカン
ジウムSc、イットリウムYの外、ランタンLa、セリ
ウムCe、サマリウムSmなどのランタノイド元素、ア
クチニウムAcなどのアクチノイド元素)、4族元素
(チタンTi、ジルコニウムZr、ハフニウムHfな
ど)、5族元素(バナジウムV、ニオブNb、タンタル
Taなど)、6族元素(クロムCr、モリブデンMo、
タングステンWなど)、7族元素(マンガンMn、テク
ネチウムTc,レニウムReなど)、8族元素(鉄F
e、ルテニウムRu、オスミウムOsなど)、9族元素
(コバルトCo、ロジウムRh、イリジウムIrな
ど)、10族元素(ニッケルNi、パラジウムPd、白
金Ptなど)、11族元素(銅Cu、銀Ag、金Auな
ど)、12族元素(亜鉛Zn,カドミウムCdなど)な
どが挙げられる。好ましい助触媒を構成する遷移金属元
素には、例えば、周期表4族元素(Ti,Zrなど),
5族元素(Vなど),6族元素(Cr、Mo、Wな
ど),7族元素(Mn,Tc,Reなど),8族元素
(Fe、Ruなど),9族元素(Co、Rhなど)、1
0族元素(Niなど)、および11族元素(Cuなど)
が含まれる。助触媒を構成する化合物としては、通常、
Ti,Zr,V,Cr,Mo,W,Mn,Fe,Ru,
Co,Rh,NiおよびCuからなる群から選択された
元素を含む化合物が使用される。
れず、金属単体、水酸化物などであってもよいが、通
常、前記元素を含む金属酸化物(複酸化物または酸素酸
塩)、有機酸塩、無機酸塩、ハロゲン化物、前記金属元
素を含む配位化合物(錯体)やポリ酸(特にイソポリ
酸)又はその塩などである場合が多い。
元素を含むポリ酸であるとき、助触媒はイソポリ酸であ
り、周期表5族元素および周期表6族元素で構成された
ヘテロポリ酸(バナジウム−モリブデン系のヘテロポリ
酸であるバナドモリブデン酸)は除かれる。また、周期
表7族元素化合物および周期表8族元素化合物の組み合
わせで構成された触媒系も除かれる。
MnO(OH),Fe(OH)2 ,Fe(OH)3など
が含まれる。金属酸化物には、例えば、Sm2 O3 、T
iO2 、ZrO2 、V2 O3 、V2 O5 、CrO、Cr
2 O3 、MoO3 、MnO、Mn3 O4 ,Mn2 O3 ,
MnO2 ,Mn2 O7 ,FeO、Fe2 O3 、Fe3 O
4 、RuO2 、RuO4 、CoO、CoO2 、Co2 O
3 、RhO2 、Rh2 O3 、Cu2 O3 などが含まれ、
複酸化物または酸素酸塩としては、例えば、MnAl2
O4 ,MnTiO3 ,LaMnO3 ,K2 Mn2 O5 ,
CaO・xMnO2 (x=0.5,1,2,3,5),
マンガン酸塩[例えば、Na3 MnO 4 ,Ba3 [Mn
O4 ]2 などのマンガン(V)酸塩,K2 MnO4 ,N
a2 MnO4 ,BaMnO4 などのマンガン(VI)酸
塩、KMnO4 ,NaMnO4 ,LiMnO4 ,NH4
MnO4 ,CsMnO4 ,AgMnO4 ,Ca(MnO
4)2 ,Zn(MnO4 )2 ,Ba(MnO4 )2 ,M
g(MnO4 )2 ,Cd(MnO4 )2 などの過マンガ
ン酸塩]が含まれる。有機酸塩としては、例えば、酢酸
コバルト、酢酸マンガン、プロピオン酸コバルト、プロ
ピオン酸マンガン、ナフテン酸コバルト、ナフテン酸マ
ンガン、ステアリン酸コバルト、ステアリン酸マンガン
などのC2-20脂肪酸塩、チオシアン酸マンガンや対応す
るCe塩、Ti塩,Zr塩,V塩,Cr塩、Mo塩,F
e塩、Ru塩,Ni塩、Pd塩、Cu塩,Zn塩などが
例示され、無機酸塩としては、例えば、硝酸コバルト、
硝酸鉄、硝酸マンガン、硝酸ニッケル、硝酸銅などの硝
酸塩やこれらに対応する硫酸塩,リン酸塩および炭酸塩
(例えば、硫酸コバルト、硫酸鉄、硫酸マンガン、リン
酸コバルト、リン酸鉄、リン酸マンガン、炭酸鉄、炭酸
マンガン、過塩素酸鉄など)が挙げられる。また、ハロ
ゲン化物としては、例えば、SmCl3 、SmI2 、T
iCl2 、ZrCl2 、ZrOCl2 、VCl3 、VO
Cl2 、MnCl2 ,MnCl3 、FeCl2 、FeC
l3 、RuCl3 、CoCl2 、RhCl2 、RhCl
3 、NiCl2 、PdCl2 、PtCl2 、CuCl、
CuCl2 などの塩化物や、これらに対応するフッ化
物,臭化物やヨウ化物(例えば、MnF2 ,MnBr
2 ,MnF3 ,FeF2 、FeF 3 、FeBr2 、Fe
Br3 、FeI2 、CuBr、CuBr2 など)などの
ハロゲン化物、M1 MnCl3 ,M1 2MnCl4 ,M1 2
MnCl5 ,M1 2MnCl 6 (M1 は一価金属を示す)
などの複ハロゲン化物などが挙げられる。
ドロキソ)、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキ
シ基などのアルコキシ基、アセチル、プロピオニルなど
のアシル基、メトキシカルボニル(アセタト)、エトキ
シカルボニルなどのアルコキシカルボニル基、アセチル
アセトナト、シクロペンタジエニル基、塩素、臭素など
ハロゲン原子、CO、CN、酸素原子、H2 O(ア
コ)、ホスフィン(例えば、トリフェニルホスフィンな
どのトリアリールホスフィン)などのリン化合物、NH
3 (アンミン)、NO、NO2 (ニトロ)、NO3 (ニ
トラト)、エチレンジアミン、ジエチレントリアミン、
ピリジン、フェナントロリンなどの窒素含有化合物など
が挙げられる。錯体又は錯塩において、同種又は異種の
配位子は一種又は二種以上配位していてもよい。配位子
は、例えば、OH、アルコキシ基、アシル基、アルコキ
シカルボニル基、アセチルアセトナト、ハロゲン原子、
CO、CN、H2 O(アコ)、トリフェニルホスフィン
などのリン化合物や、NH3 、NO2 、NO3 を含めて
窒素含有化合物である場合が多い。
て錯体を構成することができ、例えば、アセチルアセト
ナト錯体(Ce,Sm,Ti,Zr,V,Cr,Mo,
Mn,Fe,Ru,Co,Ni,Cu,Znなどのアセ
チルアセトナト錯体や、チタニルアセチルアセトナト錯
体TiO(AA)2 、ジルコニルアセチルアセトナト錯
体ZrO(AA)2 、バナジルアセチルアセトナト錯体
VO(AA)2 など)、シアノ錯体(ヘキサシアノマン
ガン(I)酸塩,ヘキサシアノ鉄(II)酸塩など)、カ
ルボニル錯体やシクロペンタジエニル錯体(トリカルボ
ニルシクロペンタジエニルマンガン(I)、ビスシクロ
ペンダジエニルマンガン(II)、ビスシクロペンタジエ
ニル鉄(II)、Fe(CO)5 ,Fe2 (CO)9 ,F
e3 (CO)12など)、ニトロシル化合物(Fe(N
O)4 ,Fe(CO)2 (NO)2など)、チオシアナ
ト錯体(コバルトチオシアナト,マンガンチオシアナ
ト,鉄チオシアナトなど)、アセチル錯体(酢酸コバル
ト,酢酸マンガン,酢酸鉄,酢酸銅,酢酸ジルコニルZ
rO(OAc)2 、酢酸チタニルTiO(OAc)2 、
酢酸バナジルVO(OAc)2 など)などであってもよ
い。
族元素を含むヘテロポリ酸以外のポリ酸(イソポリ酸お
よびヘテロポリ酸)であり、例えば、V(バナジン
酸),Mo(モリブデン酸)およびW(タングステン
酸)の少なくとも一種である場合が多く、中心原子は特
に制限されず、例えば、Cu、Be、B、Al、Si、
Ge、Sn、Ti、Th、N、P、As、Sb、V、N
b、Ta、Cr、Mo、W、S、Se、Te、Mn、
I、Fe、Co、Ni、Rh、Os、Ir、Pt、Cu
などであってもよい。ポリ酸の具体例としては、例え
ば、イソポリ酸(バナジン酸,モリブデン酸,タングス
テン酸)、ヘテロポリ酸(コバルトモリブデン酸塩、コ
バルトタングステン酸塩、モリブデンタングステン酸
塩、マンガンモリブデン酸塩、マンガンタングステン酸
塩、マンガンモリブデンタングステン酸塩、マンガンバ
ナジウムモリブデン酸塩、マンガンバナドモリブドリン
酸塩など)が挙げられる。前記のように、本発明の酸化
触媒系を構成する助触媒において、好ましいポリ酸はイ
ソポリ酸である。
数の元素を含む単一化合物、もしくは異なる族から選択
された元素を含む複数の化合物、又は(B)同じ族から
選択された複数の異なる原子価を有する遷移金属元素を
含む単一化合物、もしくは同じ族から選択された異なる
原子価を有する遷移金属元素を含む複数の化合物で構成
されている。また、(A)の助触媒と(B)の助触媒と
を組合せて用いてもよい。助触媒(A)、(B)はとも
に複数の化合物で構成する場合が多く、周期表3族元素
〜周期表12族元素又はその化合物を適当に組み合わせ
て構成できる。
を含む助触媒 助触媒が異なる族から選択された複数の元素を含む場
合、好ましい複数の元素又は化合物の組み合わせは、例
えば、次の通りである。
又はその化合物と、周期表4族元素(Ti,Zrな
ど),5族元素(Vなど),6族元素(Cr,Moな
ど),7族元素(Mnなど),8族元素(Fe,Ruな
ど),9族元素(Coなど),10族元素(Niな
ど),11族元素(Cuなど),および12族元素(Z
nなど)から選択された少なくとも1つの元素又はその
化合物との組み合わせ (b)周期4族元素又はその化合物と、周期表5族元
素,6族元素,7族元素,8族元素,9族元素,10族
元素,11族元素,および12族元素から選択された少
なくとも1つの元素又はその化合物との組み合わせ (c)周期表5族元素又はその化合物と、周期表6族元
素,7族元素,8族元素,9族元素,10族元素,11
族元素,および12族元素から選択された少なくとも1
つの元素又はその化合物との組み合わせ (d)周期表6族元素又はその化合物と、周期表7族元
素,8族元素,9族元素,10族元素,11族元素,お
よび12族元素から選択された少なくとも1つの元素又
はその化合物との組み合わせ (e)周期表7族元素又はその化合物と、周期表9族元
素,10族元素,11族元素,および12族元素から選
択された少なくとも1つの元素又はその化合物との組み
合わせ (f)周期表8族元素又はその化合物と、周期表9族元
素,10族元素,11族元素,および12族元素から選
択された少なくとも1つの元素又はその化合物との組み
合わせ (g)周期表9族元素又はその化合物と、周期表10族
元素,11族元素,および12族元素から選択された少
なくとも1つの元素又はその化合物との組み合わせ (h)周期表10族元素又はその化合物と、周期表11
族元素,および12族元素から選択された少なくとも1
つの元素又はその化合物との組み合わせ (i)周期表11族元素又はその化合物と、周期表12
族元素又はその化合物との組み合わせ 好ましい元素又は化合物の組合わせには、前記(b)〜
(h)、特に前記(c)〜(g)の組合わせが含まれる。
は、次の通りである。 (c1)周期表5族元素(Vなど)又はその化合物と、周
期表6族元素,7族元素,8族元素,9族元素、10族
元素および11族元素から選択された少なくとも1つの
元素又はその化合物との組み合わせ (e1)周期表7族元素(Mnなど)又はその化合物と、
周期表9族元素、10族元素および11族元素から選択
された少なくとも1つの元素又はその化合物との組み合
わせ (f1)周期表8族元素(Feなど)又はその化合物と、
周期表9族元素、10族元素および11族元素から選択
された少なくとも1つの元素又はその化合物との組み合
わせ (g1)周期表9族元素(Co)又はその化合物、周期表
10族元素および11族元素から選択された少なくとも
1つの元素又はその化合物との組み合わせ 前記助触媒は、さらに、周期表1族元素(カリウム,ナ
トリウム,リチウムなど)、周期表2族元素(マグネシ
ウム,カルシウム,ストロンチウム,バリウムなど)、
周期表13族元素(ホウ素B、アルミニウムAlなど)
を含んでいてもよい。例えば、助触媒は、周期表2族元
素を含む化合物を含んでいてもよく、ホウ素化合物を含
んでいてもよい。ホウ素化合物としては、例えば、水素
化ホウ素(例えば、ボラン、ジボラン、テトラボラン、
ペンタボラン、デカボランなど)、ホウ酸(オルトホウ
酸、メタホウ酸、四ホウ酸など)、ホウ酸塩(例えば、
ホウ酸ニッケル、ホウ酸マグネシウム、ホウ酸マンガン
など)、B2 O3 などのホウ素酸化物、ボラザン、ボラ
ゼン、ボラジン、ホウ素アミド、ホウ素イミドなどの窒
素化合物、BF3 、BCl3 、テトラフルオロホウ酸塩
などのハロゲン化物、ホウ酸エステル(例えば、ホウ酸
メチル、ホウ酸フェニルなど)などが挙げられる。好ま
しいホウ素化合物には、水素化ホウ素、オルトホウ酸な
どのホウ酸又はその塩など、特にホウ酸が含まれる。
ては、例えば、次のような特徴的な機能が発現する。 1.助触媒を構成する遷移金属化合物において元素の原
子価は特に制限されず、2〜6価程度であってもよい
が、二価の遷移金属化合物(例えば、二価のコバルトな
どの周期表8族元素、二価のマンガンなどの周期表7族
元素など)を助触媒成分として用いると、酸化活性を向
上できる。例えば、三価の遷移金属化合物に代えて、二
価の遷移金属化合物を助触媒成分とする触媒系では、酸
化反応生成物を短時間にしかも高い選択率および収率で
誘導できる。また、二価の遷移金属化合物を用いると、
低温(例えば、10〜60℃)、特に室温(15〜30
℃程度)であっても、基質(例えば、メチル基が置換し
た芳香族性化合物など)を定量的に酸化でき、対応する
酸化物(例えば、カルボン酸など)を生成できる。
6族(Cr,Moなど)、および7族元素(Mnなど)
のうち少なくとも1つの元素を含む化合物を助触媒成分
として用いると、反応条件が厳しくても、イミド化合物
の失活を抑制でき、触媒系を安定化できる。
5族元素(Vなど),6族元素(Cr,Moなど),7
族元素(Mnなど),8族元素(Feなど)、および9
族元素(Coなど)を含む化合物を助触媒成分として用
いると、酸化活性が大きく向上し、基質を有効に酸化で
きる。例えば、周期表5族元素(Vなど),周期表7族
元素(Mnなど)や周期表9族元素(Coなど)を含む
化合物を助触媒成分とする触媒系は、活性が高い。特に
周期表5族元素(Vなど)を含む化合物を助触媒成分と
して使用すると、基質の複数の部位[多環式炭化水素類
(アダマンタンなど)の橋頭位や接合位など]を効率よ
く酸化でき、複数のヒドロキシル基が導入された生成物
(例えば、アダマンタンポリオールなど)を得ることが
できる。
助触媒を用いて酸化触媒系を構成すると、酸化反応にお
いて選択率を大きく向上できるとともに、イミド化合物
の失活を抑制でき工業的に有利である。
族元素とを共に含む助触媒を用いると、非芳香族性環式
化合物から、ジカルボン酸の生成を抑えてケトンやアル
コールを高い選択率で得ることができる。この場合、3
価の原子価を有する元素と、2価又は5価の原子価を有
する元素とを組合せて用いると高い効果がある。
を有する複数の元素を含む助触媒 助触媒が、同じ族から選択された異なる原子価を有する
複数の元素を含む場合、その複数の元素は、同じ族に属
し原子価が異なっているかぎり同一の元素であってもよ
く、異なる元素であってもよい。好ましい元素は周期表
9族元素(Co,Rhなど)である。助触媒を構成する
元素の組合せは、1価元素〜6価元素の間の適当な組合
せであってもよいが、好ましい組合せは、2価元素〜4
価元素の間の組合せ(例えば、2価元素と3価元素との
組合せ)である。本助触媒を用いると、酸化触媒能が向
上するだけでなく、シクロアルカンなどの非芳香族性環
式化合物を基質とした場合には、ジカルボン酸の生成を
抑え、ケトンやアルコールを効率よく生成させることが
できる。
触媒において、各元素又は化合物の割合は特に制限され
ず、広い範囲、例えば、助触媒全体(100モル%)の
0.1〜99.9モル%、好ましくは1〜99モル%、
特に5〜95モル%程度の範囲から選択できる。例え
ば、助触媒が、主たる第1の助触媒と、他の助触媒とで
構成されている場合、主たる第1の助触媒1モルに対す
る他の助触媒の割合は、それぞれ、例えば、0.01〜
5モル(例えば、0.01〜2.5モル)、好ましくは
0.02〜1モル、さらに好ましくは0.03〜0.8
モル程度である場合が多い。
く、不均一系であってもよい。また、前記酸化触媒系
は、担体に触媒成分が担持された固体触媒であってもよ
い。担体としては、活性炭、ゼオライト、シリカ、シリ
カ−アルミナ、ベントナイトなどの多孔質担体を用いる
場合が多い。固体触媒における触媒成分の担持量は、担
体100重量部に対して、式(1)で表されるイミド化
合物0.1〜50重量部、好ましくは0.5〜30重量
部、さらに好ましくは1〜20重量部程度である。ま
た、助触媒の担持量は、担体100重量部に対して、
0.1〜30重量部、好ましくは0.5〜25重量部、
さらに好ましくは1〜20重量部程度である。
助触媒全体の割合は、反応速度、選択率を損わない範囲
で選択でき、例えば、イミド化合物1モルに対して、助
触媒0.001〜10モル、好ましくは0.005〜5
モル、さらに好ましくは0.01〜3モル程度であり、
0.01〜5モル(特に0.001〜1モル)程度であ
る場合が多い。
ミド化合物の活性が低下し、高い酸化活性を長期間に亘
り維持できない場合がある。そのため、酸化触媒系の高
い活性を維持するためには、助触媒全体の割合は、イミ
ド化合物に対して、有効量以上であって10モル%以下
(例えば、0.1〜10モル%、好ましくは0.5〜8
モル%、さらに好ましくは1〜7モル%程度)であるの
が有利である。酸化触媒系は、通常、前記イミド化合物
と、このイミド化合物に対して助触媒全体1〜8モル%
程度で構成するのが有利である。
ール類,アルデヒド類やアルコール類の製造方法)にお
いて、前記式(1)で表されるイミド化合物の使用量
は、広い範囲で選択でき、例えば、基質1モルに対して
0.001〜1モル(0.01〜100モル%)、好ま
しくは0.001〜0.5モル(0.1〜50モル
%)、さらに好ましくは0.01〜0.30モル程度で
あり、0.01〜0.25モル程度である場合が多い。
また、助触媒(共酸化剤)の使用量も、イミド化合物の
使用量に応じて、反応性および選択率を低下させない範
囲で適当に選択でき、例えば、基質1モルに対して0.
0001モル(0.1モル%)〜0.7モル(70モル
%)、好ましくは0.0001〜0.5モル、さらに好
ましくは0.001〜0.3モル程度であり、0.00
05〜0.1モル(例えば、0.005〜0.1モル)
程度である場合が多い。 [基質]前記イミド化合物と、異なる族から選択された
複数の元素を含む助触媒とで構成される前記酸化触媒系
(以下、酸化触媒系(A)と言う)、又は前記イミド化
合物と、同じ族から選択された複数の異なる原子価を有
する元素を含む助触媒とで構成される前記酸化触媒系
(以下、酸化触媒系(B)と言う)を用いると、種々の
基質を高い転化率および選択率で有効に酸化でき、基質
に対応するケトン類,アルコール類,アルデヒド類,カ
ルボン酸類などを生成させることができる。また、非芳
香族性環式化合物を基質とした場合には、酸化触媒系
(B)を用いることにより、ジカルボン酸などの生成を
抑えて、メチレン基にヒドロキシル基やオキソ基が導入
された化合物を選択的に生成させることができる。
飽和又は不飽和化合物、例えば、炭化水素類(脂肪族炭
化水素類、脂環族炭化水素類、芳香族炭化水素類)、複
素環式化合物、アルコール類、エーテル類、エステル
類、ケトン類、アルデヒド類、アミン類などが使用でき
る。これらの基質は、種類に応じて、種々の置換基、例
えば、ハロゲン原子(ヨウ素、臭素、塩素およびフッ素
原子)、アルキル基(例えば、メチル、エチル、プロピ
ル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、sec−ブチ
ル、t−ブチル、ヘキシル基などの炭素数1〜6程度の
直鎖状又は分岐鎖状アルキル基、特に炭素数1〜4程度
の低級アルキル基)、オキソ基、ヒドロキシル基、アル
コキシ基(例えば、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、
イソプロポキシ、ブトキシ、イソブトキシ、t−ブトキ
シ、ヘキシルオキシ基などの炭素数1〜6程度、特に炭
素数1〜4程度の低級アルコキシ基)、ヒドロキシアル
キル基(例えば、ヒドロキシメチル、2−ヒドロキシエ
チル基などのヒドロキシC1-4 アルキル基など)、カル
ボキシル基、アルコキシカルボニル基(例えば、メトキ
シカルボニル、エトキシカルボニル、プロポキシカルボ
ニル、イソプロポキシカルボニル、ブトキシカルボニ
ル、イソブトキシカルボニル、t−ブトキシカルボニ
ル、ヘキシルオキシカルボニル基などのアルコキシ部分
の炭素数が1〜6程度、特に1〜4程度の低級アルコキ
シカルボニル基)、アシル基(例えば、ホルミル、アセ
チル、プロピオニル、ブチリル、イソブチリル、バレリ
ル、イソバレリル、ピバロイル基などの炭素数1〜6程
度のアシル基)、アミノ基、置換アミノ基、シアノ基、
ニトロ基などが置換していてもよい。
業的に有用な化合物が含まれる。
ン環を有する化合物、例えば、シクロプロパン、シクロ
ブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプ
タン、シクロオクタン、シクロノナン、シクロデカン、
シクロウンデカン、シクロドデカン、シクロトリデカ
ン、シクロテトラデカン、シクロペンタデカン、シクロ
ヘキサデカン、シクロオクタデカン、シクロノナデカ
ン、シクロエイコサン、シクロドコサン、シクロテトラ
コサン、シクロトリアコンタンなどが例示できる。
は、例えば、ヒドロキシル基を有するシクロアルカン
(シクロヘキサノール、シクロオクタノール、シクロデ
カノール、シクロウンデカノール、シクロドデカノー
ル、シクロテトラデカノール、シクロエイコサノールな
ど)、オキソ基を有するシクロアルカン(シクロペンタ
ノン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、ジ
メチルシクロヘキサノン、シクロヘキサジオン、シクロ
ペンタノン、シクロオクタノン、シクロオクタジオン、
シクロノナノン、シクロデカノン、シクロウンデカノ
ン、シクロドデカノン、シクロテトラデカノン、シクロ
オクタデカノン、シクロエイコサノン)、アルキル基を
有するシクロアルカン(メチルシクロヘキサン,1,2
−ジメチルシクロヘキサン,イソプロピルシクロヘキサ
ン,メチルシクロオクタンなど)などが含まれる。
環、特に6〜25員環、なかでも6〜20員環(例え
ば、6〜16員環)の化合物が含まれる。また、本発明
の方法では、8員環以上(例えば、8〜30員環)、好
ましくは8〜25員環、特に工業的に有用な8〜20員
環(例えば、8〜16員環)の化合物であっても有効に
酸化できる。
触媒系(A)の存在下、酸素酸化すると、常圧の空気又
は酸素雰囲気下であっても、高い転化率および選択率
で、主に、対応するジカルボン酸又はシクロアルカノン
が生成し、前記酸化触媒系(B)の存在下、酸素酸化す
ると、ジカルボン酸の生成を抑えて、シクロアルカノン
やシクロアルカノールが選択的に生成する。例えば、シ
クロヘキサンを酸化すると、酸化触媒系(A)を用いた
場合には、高い転化率および選択率でアジピン酸を効率
よく生成でき、酸化触媒系(B)を用いた場合には、シ
クロヘキサノンやシクロヘキサノールが高い転化率およ
び選択率で生成する。また、酸化触媒系(A)であって
も、助触媒が、2価又は3価の周期表9族元素と、3価
〜5価の周期表5族又は6族元素とを共に含む場合に
は、シクロアルカノンやシクロアルカノールを高い選択
率で得ることができる。
員以上の大環状シクロアルカン類(例えば、10〜30
員のシクロアルカン類)であっても、高い効率で酸化で
き、ケトン体(特にモノケトン体)やジカルボン酸を高
い収率で得ることができる。そのため、ポリエステル、
ポリアミドや可塑剤などの原料となる炭素数8以上の長
鎖ジカルボン酸やその前駆体となるモノケトン化合物を
製造する上で極めて有用である。
触媒系(A)を構成するのに特に有効な助触媒は、少な
くとも周期表7族元素(Mnなど)および周期表9族元
素(Co)を含む二元系助触媒であり、さらに周期表8
族元素(Feなど)や周期表11族元素(Cuなど)を
含む多元系助触媒であっても高い活性を示す。
を有する化合物、例えば、環状オレフィン(例えば、シ
クロプロペン、シクロブテン、シクロペンテン、シクロ
ヘキセン、1−メチル−1−シクロヘキセン、イソホロ
ン、シクロヘプテン、シクロオクテン、シクロノネン、
シクロデセン、シクロデカエン、シクロドデカエンな
ど)、シクロアルカジエン類(例えば、シクロペンタジ
エン、1,3−シクロヘキサジエン、1,4−シクロヘ
キサジエンなどのシクロヘキサジエン類、1,3−シク
ロヘプタジエンなどのシクロヘプタジエン類、1,5−
シクロオクタジエンなどのシクロオクタジエン類、シク
ロデカジエン、シクロドデカジエンなど)、シクロアル
カトリエン類(例えば、シクロオクタトリエンなど)、
シクロアルカテトラエン類(例えば、シクロオクタテト
ラエンなど)などが挙げられる。好ましいシクロアルケ
ン類には、3〜30員環(例えば、3〜20員環)、好
ましくは3〜16員環、特に3〜12員環(例えば、5
〜10員環)を有する化合物が含まれる。
は、例えば、C1-4アルキル基、ヒドロキシル基、ヒド
ロキシアルキル基、カルボキシル基を有するシクロアル
ケン(例えば、シクロヘキセンカルボン酸、シクロヘキ
センジカルボン酸、シクロヘキサジエンカルボン酸、シ
クロヘキサジエンジカルボン酸、シクロゲラニウム酸、
シクロゲラニオール、シクロシトラール、シクロゲラニ
オレンなど)、オキソ基を有するシクロアルケノン(例
えば、シクロヘキセノン、シクロオクテノンなど)など
が含まれる。
てシクロアルケン類を酸素酸化すると、対応するシクロ
アルケン類の酸化物(例えば、ケトン類、アルコール
類、アルデヒド類やカルボン酸類)、特にシクロアルケ
ノン類やシクロアルケノール類を高い転化率および選択
率で生成させることができる。
含む多環式炭化水素類 前記多環式炭化水素類には、少くとも1つのメチリジン
基(すなわち、メチン炭素−水素結合−CH<)を有す
る橋架け環式炭化水素類(例えば、架橋環式炭化水素、
テルペン類など)および縮合多環式炭化水素類が含まれ
る。メチリジン基を有する環は、通常、非芳香族性環で
あり、不飽和二重結合を有する橋架け環又は縮合環であ
ってもよい。オルソ(ortho)縮合又はオルソアンドペ
リ(orthoand peri)縮合している縮合多環式炭化水素
類は、メチリジン基を有する非芳香族性環を有する限
り、芳香族性環が縮合していてもよい。多環式炭化水素
類において、2以上のメチリジン基が橋頭位及び/又は
接合位に存在する場合が多い。なお、橋架け環式炭化水
素類においても、隣接する環が互いに共有する2つのメ
チリジン基で結合する縮合多環式炭化水素類を構成する
場合がある。このような化合物においては、橋頭位およ
び接合位のうち少くともいずれか一方の部位のメチリジ
ン基を酸化し、第3級炭素原子にヒドロキシル基を導入
してもよい。ヒドロキシル基の導入部位は基質の種類に
応じて選択できる。また、オキソ基は前記橋頭位および
接合位に隣接する部位(第2級炭素原子)に導入される
場合が多い。
水素類としては、例えば、2環式炭化水素(例えば、ツ
ジャン、カラン、ピナン、ボルナン(カンファン)、ボ
ルニレン、ノルボルネン、ノルボルナン、ビシクロ
[3.2.1]オクタン、ビシクロ[4.3.2]ウン
デカンなど)、3環式炭化水素(例えば、トリシクロ
[4.3.1.12,5]ウンデカン、ホモブレダン(す
なわちトリシクロ[5.2.1.03,8]デカン)、ア
ダマンタン、エキソトリシクロ[5.2.1.02,6]
デカン、エンドトリシクロ[5.2.1.02,6]デカ
ン、トリシクロ[4.3.1.12,5]ウンデカン、エ
ンドトリシクロ[5.2.2.02,6]ウンデカンな
ど)、4環式炭化水素(例えば、テトラシクロ[4.
4.0.12,5.17,10]ドデカンなど)などの他、ジ
シクロヘキサジエン、ジシクロペンタジエンなどのジエ
ンの二量体、これらの二量体の水素添加物(例えば、ジ
シクロヘキサン、ジシクロヘキセン、ジシクロペンタ
ン、ジシクロペンテンなど)およびこれらの誘導体が挙
げられる。架橋環式炭化水素類としては、環を構成する
炭素数が7〜16程度(特に炭素数6〜14程度)の2
環式ないし4環式炭化水素、例えば、2以上の複数の橋
頭位又は接合位に炭素−水素結合を有する化合物、特
に、ピナン、ボルナン、ボルニレン、ノルボルネン、ノ
ルボルナンなどの2環式炭化水素、トリシクロ[4.
3.1.12,5]ウンデカン、ホモブレダン、アダマン
タンなどの3環式炭化水素を用いる場合が多い。橋頭位
の第3級炭素原子にヒドロキシル基が導入可能な架橋環
式炭化水素類には、例えば、ノルボルネン、トリシクロ
[4.3.1.1 2,5]ウンデカン、ホモブレダン、ア
ダマンタンやこれらの誘導体などが含まれる。接合位の
第3級炭素原子にヒドロキシル基が導入可能な架橋環式
炭化水素類には、例えば、エキソトリシクロ[5.2.
1.02,6]デカン、エンドトリシクロ[5.2.1.
02,6]デカン、トリシクロ[4.3.1.12,5]ウン
デカン、エンドトリシクロ[5.2.2.02,6]ウン
デカン、テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]
ドデカンなどが含まれる。
ペン(リモネン、テルピノレン、テルピネン、フェラン
ドレン、メンテンなど)、二環式モノテルペン(カロ
ン、ピネン、ピナン、カンファー(ショウノウ)、カン
フェン、ボルネン、ツヨン、フェンコン)、単環式セス
キテルペン(ビサボレン、ジンギベレン)、二環式セス
キテルペン(カジネン、サンタレン、セリネン、サント
ニン、カリオフィレンなど)、三環式セスキテルペン
(コパエン、サンタレン、ロンギフォレンなど)、ジテ
ルペン(ビタミンAなど)、トリテルペン(アムブレイ
ン、アミリン、ルペオールなど)、テトラテルペン(カ
ロチン,ルテインなどのカロチノイド)、ポリテルペ
ン、これらの誘導体が含まれる。
5ないし8員環が縮合した縮合多環式芳香族炭化水素類
の水素添加により生成する種々の化合物、例えば、デカ
リン、パーヒドロアセナフチレン、パーヒドロアントラ
セン、パーヒドロフェナントレン、パーヒドロフェナレ
ン、ヘキサヒドロインダンなどが挙げられる。縮合多環
式炭化水素類では5又は6員環が縮合している場合が多
い。また、縮合多環式炭化水素類では、接合位のメチリ
ジン基が酸化される場合が多い。
架橋環式炭化水素類の誘導体としては、例えば、ハロゲ
ン原子を有する誘導体(例えば、2−クロロノルボルナ
ン、1−クロロアダマンタン、1,3−ジクロロアダマ
ンタンなど)、アルキル基を有する誘導体(2,2−ジ
メチルノルボルナン、2,7,7−トリメチル−2−ノ
ルボルネン、1−メチルアダマンタン、1−エチルアダ
マンタン、1−n−フロピルアダマンタン、1−イソプ
ロピルアダマンタン、1−n−ブチルアダマンタン、1
−s−ブチルアダマンタン、1−t−ブチルアダマンタ
ン、1−ペンチルアダマンタン、1−ヘキシルアダマン
タン、1−シクロヘキシルアダマンタン、1,3−ジメ
チルアダマンタン、1−メチル−3−エチルアダマンタ
ン、1,3−ジシクロヘキシルアダマンタン、1,3,
5−トリメチルアダマンタン、1−エチル−3,5−ジ
メチルアダマンタン、ヘミアダマンタンなどの炭素数1
〜6程度のアルキル基を有する化合物)、ヒドロキシル
基を有する誘導体(例えば、カンフェニロール、ボルネ
オール、イソボルネオール、1−アダマンタノール、
1,3−アダマンタンジオール、1,3,5−アダマン
タントリオール、1−メチル−3−アダマンタノール、
1−メチル−3,5−アダマンタンジオール、1−エチ
ル−3−アダマンタノール、1−エチル−3,5−アダ
マンタンジオール、1,3−ジメチル−5−アダマンタ
ノール、1−メチル−3−エチル−5−アダマンタノー
ル、1−プロピル−3−アダマンタノール、1−プロピ
ル−3,5−アダマンタンジオールなど)、アルコキシ
基(1−メトキシアダマンタン、1,3−ジメトキシア
ダマンタン、1−エトキシアダマンタン、1,3−ジエ
トキシアダマンタンなど)、オキソ基を有する誘導体
(カンファーキノン,カンフェニロン、2−アダマンタ
ノン、メチルアダマンタノン、ジメチルアダマンタノン
など)、アシル基を有する誘導体(ホルミルノルボルネ
ン、ホルミルアダマンタンなど)、カルボキシル基を有
する誘導体(カンファン酸,カンフェニル酸など)、ア
ルキルオキシカルボニル基を有する誘導体(メトキシカ
ルボニルカンファン,エトキシカルボニルカンフェニル
など)、アミノ基を有する誘導体(ボルニルアミンな
ど)、ビニル基を有する誘導体(ビニルノルボルネンな
ど)などが挙げられる。
状テルペンアルコール(メントール、カルボメントー
ル、テルピネオール、テルピネオール、カルベオー
ル)、環状テルペンアルデヒド(メントン、カルボメン
トン、フェランドラール、ペリラルデヒドなど)、環状
テルペンケトン(ヨノン、イロン、メントン、カルボメ
ントン、ツヨンなど)、環状テルペンオキシド(シネオ
ール、ピノール、アスカリドールなど)、環状テルペン
カルボン酸(カンフェン酸、ショウノウ酸、アビエチン
酸、ネオアビエチン酸、レボピマル酸、デキストロピマ
ール酸など)などが例示できる。
例えば、アルキル基を有する誘導体(メチルデカリン、
エチルデカリン、n−プロピルデカリン、イソプロピル
デカリン、n−ブチルデカリン、s−ブチルデカリン、
t−ブチルデカリン、シクロヘキシルデカリン、ジメチ
ルデカリン、メチルエチルデカリン、トリメチルデカリ
ン、エチルジメチルデカリン、テトラメチルデカリン、
これらに対応するヘキサヒドロインダン類など)、ヒド
ロキシル基を有する誘導体(例えば、デカロール)、オ
キソ基を有する誘導体(例えば、デカロン)、カルボキ
シル基を有する誘導体(例えば、デカリンカルボン酸な
ど)、アミノ基を有する誘導体(デカリルアミン)など
が例示できる。
ると、環の構成単位としてメチリジン基を含む多環式炭
化水素類を効率よく酸素酸化でき、多環式炭化水素類の
酸化物(ケトン類、アルコール類、アルデヒド類、カル
ボン酸類)、特にケトン類やアルコール類を高い選択率
で生成させることができる。特に、本発明の方法では、
多環式炭化水素類(例えば、複数の橋頭位又は接合位に
メチリジン基を有する2環ないし4環の多環式炭化水素
類)と酸素とを接触させ、橋頭位又は接合位にヒドロキ
シル基が導入されたヒドロキシル基含有多環式炭化水素
類を高い選択率および収率で得ることができる。特に、
二価の遷移金属化合物を助触媒とする触媒系、周期
表4族元素(Ti,Zrなど)、5族元素(Vなど)、
6族元素(Cr,Moなど)、7族元素(Mnなど)お
よび9族元素(Coなど)から選ばれた元素を含有する
化合物を助触媒とする触媒系を利用すると、多環式炭化
水素類の転化率を高め、ヒドロキシル基含有多環式炭化
水素類を高い選択率および収率で得ることができる。
る場合、本発明では、直接的又は間接的に複数の橋頭位
にヒドロキシル基を導入し、アダマンタンポリオールを
生成させることもできる。複数の橋頭位にヒドロキシル
基が導入されたアダマンタンポリオールは、(1)前記
酸化触媒系(A)又は(B)の存在下、アダマンタンお
よびその誘導体から選択されたアダマンタン成分と酸素
とを接触させる方法、(2)前記酸化触媒系(A)又は
(B)の存在下、アダマンタンモノオールおよびアダマ
ンタンジオールのうち少くともいずれか一方の成分を含
むアダマンタン成分と酸素とを接触させ、さらに高度に
ヒドロキシル化されたアダマンタンポリオールを生成さ
せる方法により製造できる。前記(2)の方法におい
て、アダマンタンポリオールを製造する場合、アダマン
タンのアルコール体が少くとも共存する系でアダマンタ
ン成分を反応させればよく、アダマンタンモノオール又
はアダマンタンジオールの含有量は特に制限されず、ア
ダマンタン成分全体に対して5モル%以上(例えば、1
0〜100モル%)、好ましくは20〜100モル%、
さらに好ましくは30〜100モル%程度である。
て、アダマンタンポリオールの単離精製に大きな障害と
なるケトン体の生成を大きく抑制しつつ、アダマンタン
ポリオールの収率を顕著に高めることができる。例え
ば、助触媒の少なくとも一成分として二価の遷移金属化
合物(例えば、二価のコバルト化合物)を用いてアダマ
ンタン成分を酸化すると、温和な条件であっても、アダ
マンタンジオールなどのポリオールを高い選択率および
収率で得ることができ、ケトン体の副生が殆どない。さ
らに、周期表4族元素、5族元素、6族元素、7族元
素、8族元素、および9族元素から選択された元素を含
有する化合物を助触媒の一成分として用いると、温和な
条件であっても、アダマンタン成分から、アダマンタン
ジオールなどのポリオール、特にアダマンタントリオー
ルやアダマンタンテトラオールを高い選択率および収率
で得ることができる。特に、助触媒は、周期表5族元
素、6族元素、7族元素、8族元素、および9族元素か
ら選択された元素を含む複数の化合物で構成する場合が
多い。中でも、少なくとも周期表5族元素(Vなど)を
含む化合物を助触媒の一成分として利用すると、アダマ
ンタン成分からアダマンタンテトラオールを直接的に高
い選択率および収率で得ることができる。
メチレン基を有する芳香族性化合物 前記芳香族性化合物は、少くとも1つのメチル基又はメ
チレン基が芳香族性環に置換した芳香族性化合物であれ
ばよく、芳香族性環は、芳香族炭化水素環、芳香族性複
素環のいずれであってもよい。なお、芳香族性化合物
が、ビフェニル、ターフェニル、ビナフタレン、ビピリ
ジンなどの芳香族素環が結合した環集合化合物である場
合、少くとも1つの芳香族性環にメチル基又はメチレン
基が置換していればよい。また、芳香族性縮合複素環に
おいて、メチル基又はメチレン基は複素環に結合してい
てもよく、炭化水素環に結合していてもよい。好ましい
化合物にはベンジル位にメチル基又はメチレン基を有す
る化合物が含まれる。
ゼン環、縮合環式炭化水素環(例えば、ナフタレン、ア
ントラセン、フェナントレン、トリフェニレン、ピレ
ン、クリセン、ナフタセン、ベンズアントラセンなどの
2〜8個のベンゼン環がオルソortho縮合またはオルソ
アンドペリortho and peri縮合した縮合環)が挙げられ
る。芳香族性複素環には、例えば、ヘテロ原子として酸
素原子を含む複素環(例えば、フラン、オキサゾール、
イソオキサゾールなどの5員環、ピランなどの6員環、
ベンゾフラン、イソベンゾフラン、ジベンゾフラン、キ
サントン、キサンテン、クロマン、イソクロマン、クロ
メンなどの縮合環)、ヘテロ原子として硫黄原子を含む
複素環(例えば、チオフェン、チアゾール、イソチアゾ
ール、チアジアゾール、ベンゾチオフェンなど)、ヘテ
ロ原子として窒素原子を含む複素環(例えば、ピロー
ル、ピラゾール、イミダゾール、トリアゾールなどの5
員環、ピリジン、ピリダジン、ピリミジン、ピラジンな
どの6員環、インドール、インドレン、イソインドー
ル、インダゾール、インドリン、イソインドリン、キノ
リン、イソキノリン、キノリンキノリン、キノキサリ
ン、キナゾリン、フタラジン、プリン、カルバゾール、
アクリジン、ナフトキノリン、フェナントロジン、フェ
ナントロリン、ナフチリジン、ベンゾキノリン、フェノ
キサジン、フタロシアニン、アントラシアニンなどの縮
合環)などが含まれる。工業的に有用な芳香族性化合物
は、芳香族炭化水素環、6員複素環や縮合複素環、好ま
しくは炭素数6〜14の芳香族炭化水素環、特に炭素数
6〜10の芳香族炭化水素環(中でもベンゼン環又はナ
フタレン環)を有する場合が多い。
ル基又はメチレン基を効率よく酸化できるので、メチル
基又はメチレン基の置換数は特に制限されず、芳香族性
環の種類や大きさに応じて広い範囲(例えば、1〜1
0、好ましくは1〜8程度)から選択できる。 (d1)メチル基が置換した芳香族性化合物 メチル基が置換した芳香族性化合物としては、例えば、
1〜6個程度のメチル基が置換した芳香族炭化水素類
(トルエン、o−,m−,p−キシレン、1,2,3−
トリメチルベンゼン、1,2,4−トリメチルベンゼ
ン、1,3,5−トリメチルベンゼン(メシチレン)、
1,2,3,4−テトラメチルベンゼン、1,2,3,
5−テトラメチルベンゼン、1,2,4,5−テトラメ
チルベンゼン(デュレン)、1,2,3,4,5,6−
ヘキサメチルベンゼン、1−メチルナフタレン、2−メ
チルナフタレン、1,5−ジメチルナフタレン、2,5
−ジメチルナフタレン、メチルアントラセン,ジメチル
アントラセン,トリメチルアントラセン,4,4′−ジ
メチルビフェニルなど)、1〜6個程度のメチル基が置
換した複素環化合物(例えば、2−メチルフラン、3−
メチルフラン、2−メチルピラン、3−メチルピラン、
4−メチルピラン、3,4−ジメチルピラン、4−メチ
ルクロメン、6−メチルクロマン、2−メチルピリジ
ン、3−メチルピリジン、4−メチルピリジンなどのピ
コリン、2,3−ジメチルピリジン、2,4−ジメチル
ピリジン、2,5−ジメチルピリジン、3,5−ジメチ
ルピリジンなどのルチジン、2,3,4−トリメチルピ
リジン、2,3,5−トリメチルピリジン、2,3,6
−トリメチルピリジン、2,4,6−トリメチルピリジ
ンなどのコリジン、4−メチルインドール、5−メチル
インドール、7−メチルインドール、メチルキノリンな
ど)が例示できる。好ましい芳香族性化合物において、
メチル基の置換数は、分子中1〜4個(例えば、1又は
2個)程度である場合が多い。特に1〜4個程度のメチ
ル基が置換したC6-10芳香族炭化水素や5員又は6員複
素環を含む複素環化合物(中でも、メチル基が置換した
ベンゼン誘導体)には、カルボン酸を製造する上で工業
的に有用な化合物が多い。
を有する化合物 芳香族性環の隣接部位にメチレン基を有する化合物に
は、炭素数2以上のアルキル基又は置換アルキル基が置
換した芳香族性化合物、および環状メチレン基を有する
芳香族性化合物が含まれる。前記アルキル基又は置換ア
ルキル基を有する芳香族性化合物としては、例えば、ア
ルキル基を有する芳香族炭化水素類(エチルベンゼン,
プロピルベンゼン,クメン,ブチルベンゼン,イソブチ
ルベンゼン,1,4−ジエチルベンゼン、1−エチル−
4−ペンチルベンゼンなどのC2-6 アルキル基を有する
芳香族炭化水素類、ジベンジル,ジフェニルメタン,ト
リフェニルメタン,1−ベンジルナフタレンなどの置換
アルキル基を有する芳香族炭化水素類など),アルキル
基を有する複素環化合物(エチルピリジン,イソプロピ
ルピリジン,ブチルピリジンなど)などが例示できる。
環状メチレン基を有する芳香族性化合物としては、5〜
8員環が縮合した縮合多環式芳香族炭化水素類(ジヒド
ロナフタレン,インデン,インダン,テトラリン,フル
オレン,フェナレン,α−テトラロン,β−テトラロ
ン,インダノンなど)などが例示できる。
する部位にメチル基とともにメチレン基を有していても
よい。このような化合物としては、例えば、少なくとも
1つのメチル基と少なくとも1つのC2-10アルキル基を
有するアルキル置換炭化水素(例えば、1−メチル−2
−エチルベンゼン、1−メチル−3−エチルベンゼン、
1−メチル−4−エチルベンゼン、1−メチル−3−イ
ソプロピルベンゼン、1−メチル−4−イソプロピルベ
ンゼン(シメン)、1−メチル−4−プロピルベンゼ
ン、1−メチル−4−ブチルベンゼン、1−メチル−4
−t−ブチルベンゼン、1,2−ジメチル−3−エチル
ベンゼン、1,2−ジメチル−4−エチルベンゼン、
1,3−ジメチル−5−エチルベンゼン、1,3−ジメ
チル−4−エチルベンゼン、1,3−ジメチル−2−エ
チルベンゼン、1,4−ジメチル−2−エチルベンゼ
ン、1−メチル−2−エチルナフタリンなどのメチル基
とC2-6アルキル基を有するアルキル置換炭化水素)、
アルキル置換複素環化合物(例えば、2−エチル−4−
メチルピリジン、3−エチル−4−メチルピリジン、4
−エチル−2−メチルピリジンなど)、少なくとも1つ
のメチル基と環状メチレン基を有する炭化水素(3−メ
チルインデンなど)などが例示できる。
基とともに他の置換基を有していてもよい。このような
芳香族性化合物としては、カルボキシル基置換炭化水素
(例えば、4−メチル安息香酸、1,2−ジメチルベン
ゼン−4−カルボン酸など)、ハロゲン含有炭化水素
(例えば、4−クロロ−1−メチルベンゼン、3,4,
5,6−テトラクロロ−1,2−ジメチルベンゼン、
3,4,5,6−テトラブロモ−1,2−ジメチルベン
ゼンなど)、ヒドロキシル基含有炭化水素(例えば、o
−,m−,p−クレゾールなどのクレゾール類、2,3
−キシレノール、チモールなど)、ヒドロキシル基が保
護された芳香族炭化水素[例えは、アルコキシ基含有炭
化水素(2−メトキシ−1−メチルベンゼン、3−メト
キシ−1−メチルベンゼン、4−メトキシ−1−メチル
ベンゼン、4−エトキシ−1−メチルベンゼン、4−イ
ソプロポキシ−1−メチルベンゼンなど)、アシルオキ
シ基置換炭化水素(2−アセチルオキシ−1−メチルベ
ンゼン、3−アセチルオキシ−1−メチルベンゼン、4
−アセチルオキシ−1−メチルベンゼン、4−プロピオ
ニルオキシ−1−メチルベンゼン、4−ブチリルオキシ
−1−メチルベンゼンなど)など]、置換基を有してい
るもよいアミノ基含有炭化水素(4−アミノ−1−メチ
ルベンゼン、4−ジメチルアミノ−1−メチルベンゼン
など)などの芳香族炭化水素類、ハロゲン含有ピリジン
誘導体(例えば、2−クロロ−4−メチルピリジンな
ど)などの複素環化合物類が例示できる。
下、このような芳香族性化合物を酸素との接触により酸
化すると、メチル基又は芳香族性環に隣接するメチレン
基を極めて高い効率で酸化でき、メチル基含有芳香族性
化合物からはアルデヒド類、特にカルボキシル基含有芳
香族性化合物を高い選択率および収率で得ることがで
き、メチレン基を有する芳香族性化合物からはケトン類
を高い選択率および収率で得ることができる。特に、温
和な条件下で反応しても、短時間内に反応が円滑に進行
し、カルボキシル基を有する芳香族性化合物又はケトン
類が高い選択率および収率で得られる。さらに、複数の
メチル基を有する芳香族性化合物を酸化する場合、2以
上のカルボキシル基を有するポリカルボン酸を得ること
も容易である。そのため、本発明の方法は、少くとも1
つのメチル基又はメチレン基を有する芳香族性化合物と
酸素とを接触させ、カルボキシル基を有する芳香族性化
合物又はケトン類を生成させるのに有用である。本発明
の好ましい方法には、メチル基が置換したベンゼン誘導
体(例えば、トルエン、キシレンなど)を酸素と接触さ
せ、工業的に有用な化合物であるカルボキシル基を有す
るベンゼン誘導体(例えば、安息香酸、フタル酸、イソ
フタル酸、テレフタル酸など)を生成させる方法、C
2-6 アルキル基が置換した芳香族炭化水素類(例えば、
エチルベンゼンなど)を酸素と接触させ、工業的に有用
な化合物であるカルボニル基を有するベンゼン誘導体
(例えば、アセトフェノンなど)を生成させる方法が含
まれる。
な条件下、高い転化率および選択率で酸化し、モノカル
ボン酸、ポリカルボン酸などのカルボキシル基含有化合
物やケトン類を得る上で有用である。特に、安息香酸な
どの芳香族モノカルボン酸や、ポリエステル、ポリアミ
ドなどの原料となる芳香族ポリカルボン酸(特に芳香族
ジカルボン酸)を製造する上で極めて有用である。
価のコバルト化合物やマンガン化合物など)を助触媒の
一成分として用いると、低温(例えば、10〜60
℃)、特に室温(15〜30℃)程度の温和な条件下で
あっても、ポリカルボン酸やケトン類の選択率および収
率を向上できる。特に周期表7族元素(Mnなど)を含
む化合物と周期表9族元素(Coなど)を含む化合物と
を組合わせると有利である。さらに、周期表11族元素
(Cuなど)を含む化合物との組み合わせにより、選択
率を向上できるとともに、触媒系を安定化できる。
ル又はα,β−不飽和カルボン酸又はその誘導体などが
含まれる。なお、「共役化合物」とは、二重結合と単結
合とが交互に位置する化合物(例えば、ブタジエンな
ど)に限らず、不飽和結合(二重結合および三重結合)
が単結合を介して又は介することなく交互に位置する化
合物(例えば、共役ポリエンなど)も含む意味に用い
る。そのため、不飽和ジオールが「共役ジエン類」に対
応する酸化物である限り、単一の二重結合のみならず、
複数の二重結合や三重結合を有する不飽和ジオールも
「アルケンジオール」と総称する。また、「アクリル
酸、メタクリル酸又はそれらの誘導体」を「(メタ)ア
クリル酸又はその誘導体」と総称する場合がある。
(1,3−ブタジエン)、イソプレン(2−メチル−
1,3−ブタジエン)などの共役二重結合を有する化合
物、二重結合と三重結合とを有する化合物(ビニルアセ
チレン、ジビニルアセチレンなど)およびこれらの誘導
体などが含まれる。共役ジエン類の誘導体には、例え
ば、2−クロロブタジエン、2,3−ジクロロブタジエ
ンなどのハロゲン原子(ヨウ素、臭素、塩素およびフッ
素原子)を有する化合物、2−エチルブタジエン、2,
3−ジメチルブタジエンなどのアルキル基(例えば、メ
チル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソ
ブチル、sec−ブチル、t−ブチルなどの炭素数1〜
4程度の低級アルキル基)を有する化合物、ブタジエン
−1−カルボン酸などのカルボキシル基を有する化合物
などが例示できる。好ましい共役ジエン類は、ブタジエ
ンおよびイソプレンである。
酸素酸化により、共役ジエン類からアルケンジオールが
生成する。生成するアルケンジオールは、共役ジエン類
に対応するジオールである限り、ヒドロキシル基の置換
位置は特に制限されない。例えば、ブタジエンの酸化に
より生成するブテンジオールは、2−ブテン−1,4−
ジオール、1−ブテン−3,4−ジオールなどであって
もよく、ブテンジオールはシス体又はトランス体のいず
れであってもよい。
(メタ)アクリロニトリルなどが含まれる。α,β−不
飽和カルボン酸又はその誘導体として、例えば、(メ
タ)アクリル酸;(メタ)アクリル酸メチル、(メタ)
アクリル酸エチル、(メタ)アクリル酸イソプロピル、
(メタ)アクリル酸n−ブチル、(メタ)アクリル酸イ
ソブチル、(メタ)アクリル酸ヘキシル、(メタ)アク
リル酸2−エチルヘキシル、(メタ)アクリル酸ラウリ
ルなどの(メタ)アクリル酸アルキルエステル;(メ
タ)アクリル酸−2−ヒドロキシエチル、(メタ)アク
リル酸−2−ヒドロキシプロピルなどのヒドロキシルア
ルキル(メタ)アクリレート;(メタ)アクリル酸グリ
シジル;ジメチルアミノエチル(メタ)アクリレート、
ジエチルアミノエチル(メタ)アクリレート;(メタ)
アクリルアミド、N−メチル(メタ)アクリルアミド、
N−メチロール(メタ)アクリルアミドなどの(メタ)
アクリルアミド誘導体などが挙げられる。
−不飽和カルボン酸又はその誘導体を、前記酸化触媒系
(A)又は(B)の存在下、酸素と接触させると、α,
β−不飽和結合部位が選択的に酸化され、高い転化率及
び選択率で、ジオール類、アルデヒド又はその誘導体が
生成する。また、反応溶媒として、プロトン性溶媒(酢
酸、プロピオン酸などの有機酸、メタノール、エタノー
ル、n−プロパノール、イソプロパノール、n−ブタノ
ール、t−ブタノールなどのアルコール類など)を用い
ると、アセタール又はアシルオキシ化合物などのジオー
ル誘導体が生成する場合がある。例えば、反応溶媒とし
て、アルコール(メタノールなど)を用い、アクリロニ
トリルを酸化させると、1,1−ジアルコキシプロピオ
ニトリル(1,1−ジメトキシプロピオニトリルなど)
が生成する場合がある。また、アルコール(メタノール
など)溶媒中、アクリル酸メチルを酸化させると、1,
1−ジアルコキシプロピオン酸メチル(1,1−ジメト
キシプロピオン酸メチルなど)が生成する場合がある。
素環化合物(f1)、メチン炭素原子(メチリジン基)を
有する鎖状炭化水素類(f2)、不飽和結合の隣接部位に
メチレン基を有する化合物(f3)、カルボニル基の隣接
部位にメチレン基を有する化合物(f4)などが例示でき
る。
原子,硫黄原子から選ばれたヘテロ原子を有する5又は
6員環化合物、又はヘテロ原子を有する5又は6員環が
芳香族性環に縮合した縮合複素環化合物、例えば、ジヒ
ドロフラン,テトラヒドロフラン,ピラン,ジヒドロピ
ラン,テトラヒドロピラン,ピペリジン,ピペラジン,
ピロリジン,キサンテンなどが含まれる。これらの基質
を前記酸化触媒系(A)又は(B)により酸化すると、
メチレン基にオキソ基やヒドロキシル基を効率よく導入
できる。
有する鎖状炭化水素類 メチン炭素原子を有する鎖状炭化水素類には、第3級炭
素原子を有する鎖状炭化水素類、例えば、イソブタン,
イソペンタン,イソヘキサン,3−メチルペンタン,
2,3−ジメチルブタン,2−メチルヘキサン,3−メ
チルヘキサン,2,3−ジメチルペンタン,2,4−ジ
メチルペンタン,2,3,4−トリメチルペンタン,3
−エチルペンタン,2,3−ジメチルヘキサン,2,4
−ジメチルヘキサン,3,4−ジメチルヘキサン,2,
5−ジメチルヘキサン,2−プロピルヘキサン,2−メ
チルヘプタン,4−メチルヘプタン,2−エチルヘプタ
ン,3−エチルヘプタン,2,6−ジメチルヘプタン,
2−メチルオクタン,3−メタルオクタン,2,7−ジ
メチルオクタン,2−メチルノナンなどの炭素数4〜1
0程度の脂肪族炭化水素類などが例示できる。これらの
基質を前記酸化触媒系(A)又は(B)の存在下、酸素
酸化すると、メチン炭素原子に水酸基が置換した化合物
が効率よく生成する。 (f3)不飽和結合の隣接部位にメチレン基を有する化合
物 化合物(f3)には、二重結合及び/又は三重結合を有す
る炭素数3〜12程度の鎖状不飽和炭化水素類、例え
ば、プロピレン,1−ブテン,2−ブテン,ブタジエ
ン,1−ペンテン,2−ペンテン,イソプレン,1−ヘ
キセン,2−ヘキセン,1,5−ヘキサジエン,2,3
−ジメチル−2−ブテン,3−ヘキセン,1−ヘプテ
ン,2−ヘプテン,1,6−ヘプタジエン,1−オクテ
ン,2−オクテン,3−オクテン,1,7−オクタジエ
ン,2,6−オクタジエン,2−メチル−2−ブテン,
1−ノネン,2−ノネン,デカエン,デカジエン,ドデ
カエン,ドデカジエン,ドデカトリエン,ウンデカエ
ン,ウンデカジエン,ウンデカトリエンなどが含まれ
る。前記酸化触媒系(A)又は(B)を用い、これらの
基質を酸化すると、対応する酸化物(ケトン類、アルコ
ール類、アルデヒド類、カルボン酸類など)が高い収率
で得られる。
基を有する化合物 カルボニル基の隣接部位に(活性)メチレン基を有する
化合物には、アルデヒド類,ケトン類,カルボン酸又は
その誘導体などが含まれる。アルデヒド類には、脂肪族
アルデヒド類(アセトアルデヒド,プロピオンアルデヒ
ド,ブチルアルデヒド,イソブチルアルデヒド,ペンチ
ルアルデヒド,ヘキシルアルデヒド,ヘプチルアルデヒ
ド,オクチルアルデヒド,ノニルアルデヒド,デシルア
ルデヒドなどのC2-12アルキルモノアルデヒド、マロン
アルデヒド,スクシンアルデヒド、アジピンアルデヒ
ド,セバシンアルデヒドなどの脂肪族ポリアルデヒドな
ど)、芳香族アルデヒド類(ベンズアルデヒド,アニス
アルデヒドなど)、脂環族アルデヒド(ホルミルシクロ
ヘキサン,シクロネラールなど)、複素環アルデヒド
(ニコチンアルデヒド,フルフラールなど)などが含ま
れる。
トン,メチルエチルケトン,メチルイソプロピルケト
ン,メチルイソブチルケトン,メチル−t−ブチルケト
ン,2−ペンタノン,3−ペンタノン,2−ヘキサノ
ン,3−ヘキサノン,2−ヘプタノン,3−ヘプタノ
ン,4−ヘプタノン,2−オクタノン,3−オクタノ
ン,4−オクタノン,2−ノナノン,2−デカノンな
ど)、芳香族ケトン類(アセトフェノン,プロピオフェ
ノンなど)などが例示できる。カルボン酸又はその誘導
体には、例えば、脂肪族ジカルボン酸又はその誘導体
(マロン酸又はそのエステル、コハク酸又はそのエステ
ル,グルタル酸又はそのエステルなど)などが例示でき
る。
下、これらのカルボニル化合物を酸素酸化すると、対応
する酸化物(ケトン類、アルコール類、アルデヒド類、
カルボン酸類など)が効率よく生成する。
は、活性酸素であってもよいが、分子状酸素を利用する
のが経済的に有利である。分子状酸素は特に制限され
ず、純粋な酸素を用いてもよく、窒素、ヘリウム、アル
ゴン、二酸化炭素などの不活性ガスで希釈した酸素を使
用してもよい。操作性及び安全性のみならず経済性など
の点から、空気を使用するのが好ましい。酸素の使用量
は、基質の種類に応じて選択でき、通常、基質1モルに
対して、0.5モル以上(例えば、1モル以上)、好ま
しくは1〜100モル、さらに好ましくは2〜50モル
程度である。基質に対して過剰モルの酸素を使用する場
合が多く、特に空気や酸素などの分子状酸素を含有する
雰囲気下で反応させるのが有利である。
な有機溶媒中で行なわれる。有機溶媒としては、プロト
ン性溶媒及び非プロトン性溶媒のいずれをも用いること
ができる。プロトン性溶媒としては、例えば、ギ酸、酢
酸、プロピオン酸などの有機カルボン酸、t−ブタノー
ル、t−アミルアルコールなどのアルコール類などが挙
げられる。非プロトン性溶媒は、非極性溶媒から極性溶
媒まで用いることができ、例えば、非プロトン性非極性
溶媒(ヘキサン、オクタンなどの脂肪族炭化水素、ベン
ゼンなどの芳香族炭化水素、クロロホルム、ジクロロメ
タン、ジクロロエタン、四塩化炭素、クロロベンゼンな
どのハロゲン化炭化水素など)、非プロトン性極性溶媒
(ニトロベンゼン、ニトロメタン、ニトロエタンなどの
ニトロ化合物、酢酸エチル、酢酸ブチルなどのエステル
類、ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、ジイソプロ
ピルエーテル、ジオキサンなどのエーテル類、アセトニ
トリル、プロピオニトリル、ベンゾニトリルなどのニト
リル類、ホルムアミド、アセトアミド、ジメチルホルム
アミド(DMF)、ジメチルアセトアミドなどのアミド
類など)が挙げられる。これらの溶媒は、1種又は2種
以上を混合して使用できる。なお、過剰量の基質を用い
ることにより、基質を反応溶媒として利用してもよい。
溶媒としては、酢酸などの有機カルボン酸、アセトニト
リル,ベンゾニトリルなどのニトリル類を用いる場合が
多い。
化反応を円滑に行なうことができ、高い選択率および収
率で目的化合物を得ることができる。このプロトン酸
は、前記のように溶媒として用いてもよい。プロトン酸
としては、有機酸(ギ酸、酢酸、プロピオン酸などの有
機カルボン酸、シュウ酸、クエン酸、酒石酸などのオキ
シカルボン酸、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸な
どのアルキルスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、p−ト
ルエンスルホン酸などのアリールスルホン酸など)、無
機酸(例えば、塩酸、硫酸、硝酸、リン酸など)が含ま
れる。
酸化触媒系(B)の共存下)、シクロアルカンなどの非
芳香族性環式化合物を酸化すると、ジカルボン酸の生成
を抑えることができ、ケトン類やアルコール類を高い選
択率で生成させることができる。
ても酸化反応が円滑に進行するという特色がある。反応
温度は、基質や触媒系の種類などに応じて適当に選択で
き、例えば、0〜300℃、好ましくは30〜250
℃、さらに好ましくは50〜200℃程度であり、通
常、70〜150℃程度で反応する場合が多い。なお、
前記のように、酸化触媒系の種類によっては、室温など
の比較的低温でも酸化反応を円滑に進行させることがで
きる。反応は、常圧または加圧下で行なうことができ、
加圧下で反応させる場合には、通常、1〜100atm
(例えば、1.5〜80atm)、好ましくは2〜70
atm、さらに好ましくは5〜50atm程度である場
合が多い。反応時間は、反応温度及び圧力に応じて、例
えば、30分〜48時間、好ましくは1〜36時間、さ
らに好ましくは2〜24時間程度の範囲から適当に選択
できる。反応は、分子状酸素の存在下又は分子状酸素の
流通下、回分式、半回分式、連続式などの慣用の方法に
より行なうことができる。反応終了後、反応生成物は、
慣用の方法、例えば、濾過、濃縮、蒸留、抽出、晶析、
再結晶、カラムクロマトグラフィーなどの分離手段や、
これらを組合せた分離手段により、容易に分離精製でき
る。
数の元素又は化合物で構成された助触媒とを組合わせて
酸化触媒系を構成しているので、排ガス処理を特に必要
とせず、酸素酸化又は空気酸化において触媒活性を向上
させ、基質を有効に酸化できる。また、イミド化合物の
失活を抑制しつつ高い活性を持続できる。そのため、基
質を空気酸化又は酸素酸化して、基質に対応するケトン
類,アルコール類,アルデヒド類やカルボン酸類を高い
転化率および選択率で得ることができる。
に説明するが、本発明はこれらの実施例により何ら限定
されるものではない。 実施例1 シクロヘキサン10ミリモル、N−ヒドロキシフタルイ
ミド 1ミリモル、三元系助触媒[マンガンアセチルア
セトナートMn(AA)2 0.01ミリモル、鉄アセチ
ルアセトナートFe(AA)3 0.1ミリモル、コバル
トアセチルアセトナートCo(AA)2 0.01ミリモ
ル]、酢酸25mlの混合物を、酸素雰囲気下、100
℃で6時間攪拌した。反応液中の生成物をガスクロマト
グラフィー分析により調べたところ、シクロヘキサンの
転化率89%でアジピン酸(収率70%)が得られた。
セトナートMn(AA)2 0.01ミリモル、鉄アセチ
ルアセトナートFe(AA)3 0.04ミリモル、コバ
ルトアセチルアセトナートCo(AA)2 0.01ミリ
モルの三元系助触媒を用いる以外、実施例1と同様にし
て反応させたところ、シクロヘキサンの転化率77%で
アジピン酸(収率56%)およびシクロヘキサノン(収
率6%)が得られた。
セトナートMn(AA)2 0.002ミリモル、鉄アセ
チルアセトナートFe(AA)3 0.02ミリモル、コ
バルトアセチルアセトナートCo(AA)2 0.002
ミリモルの三元系助触媒を用いる以外、実施例1と同様
にして反応させたところ、シクロヘキサンの転化率50
%でアジピン酸(収率34%)およびシクロヘキサノン
(収率7%)が得られた。
セトナートMn(AA)2 0.01ミリモル、塩化ルテ
ニウムRuCl3 0.1ミリモル、コバルトアセチルア
セトナートCo(AA)2 0.01ミリモルの三元系助
触媒を用いる以外、実施例1と同様にして反応させたと
ころ、シクロヘキサンの転化率90%でアジピン酸(収
率76%)およびシクロヘキサノン(収率2%)が得ら
れた。
セトナートMn(AA)2 0.01ミリモル、塩化銅C
uCl2 0.1ミリモル、コバルトアセチルアセトナー
トCo(AA)2 0.01ミリモルの三元系助触媒を用
いる以外、実施例1と同様にして反応させたところ、シ
クロヘキサンの転化率62%でアジピン酸(収率52
%)およびシクロヘキサノン(収率4%)が得られた。
ド 1ミリモル、二元系助触媒[コバルトアセチルアセ
トナートCo(AA)3 0.1ミリ、鉄アセチルアセト
ナートFe(AA)3 0.4ミリモル]、酢酸25ml
の混合物を、酸素雰囲気下、75℃で6時間攪拌した。
反応液中の生成物をガスクロマトグラフィー分析により
調べたところ、アダマンタンの転化率99%で1−アダ
マンタノール(収率39%)、1,3−アダマンタンジ
オール(収率49%)、アダマンタノン(収率6%)が
得られた。
ルトアセチルアセトナートCo(AA)3 0.1ミリ、
酢酸銅Cu(OAc)2 0.4ミリモル]を用いる以
外、実施例6と同様にして反応させたところ、アダマン
タンの転化率93%で1−アダマンタノール(収率67
%)、1,3−アダマンタンジオール(収率18%)、
アダマンタノン(収率6%)が得られた。
ジウムアセチルアセトナートV(AA)3 0.03ミ
リ、臭化銅CuBr 0.02ミリモル]を用いる以
外、実施例6と同様にして反応させたところ、アダマン
タンの転化率82%で1−アダマンタノール(収率74
%)、アダマンタノン(収率6%)が得られ、アルコー
ルおよびケトンの総量の選択率は98%であった。
ジウムアセチルアセトナートV(AA)3 0.03ミ
リ、銅アセチルアセトナートCu(AA)2 0.02ミ
リモル]を用いる以外、実施例6と同様にして反応させ
たところ、アダマンタンの転化率93%で1−アダマン
タノール(収率84%)、アダマンタノン(収率7%)
が得られ、アルコールおよびケトンの総量の選択率は9
8%であった。
ド 1ミリモル、二元系助触媒[バナジウムアセチルア
セトナートV(AA)3 0.03ミリ、マンガンアセチ
ルアセトナートMn(AA)3 0.02ミリモル]、酢
酸25mlの混合物を、酸素雰囲気下、75℃で6時間
攪拌した。反応液中の生成物をガスクロマトグラフィー
分析により調べたところ、アダマンタンの転化率100
%で1−アダマンタノール(収率37%)、1,3−ア
ダマンタンジオール(収率35%)、1,3,5−アダ
マンタントリオール(収率5%)、1,3,5,7−ア
ダマンタンテトラオール(収率4%)が得られた。
ド 1ミリモル、二元系助触媒[バナジウムアセチルア
セトナートV(AA)3 0.03ミリ、モリブデン酸H
2 MoO4 0.02ミリモル]、酢酸25mlの混合物
を、酸素雰囲気下、75℃で6時間攪拌した。反応液中
の生成物をガスクロマトグラフィー分析により調べたと
ころ、アダマンタンの転化率97%で1−アダマンタノ
ール(収率18%)、1,3−アダマンタンジオール
(収率36%)、1,3,5−アダマンタントリオール
(収率7%)、1,3,5,7−アダマンタンテトラオ
ール(収率7%)が得られた。
ド 1ミリモル、二元系助触媒[バナジウムアセチルア
セトナートV(AA)3 0.03ミリ、モリブデン酸H
2 MoO4 0.02ミリモル]、酢酸25mlの混合物
を、酸素雰囲気下、75℃で3時間攪拌した。反応液中
の生成物を液体クロマトグラフィー分析により調べたと
ころ、アダマンタンの転化率89%で1−アダマンタノ
ール(収率53%)、1,3−アダマンタンジオール
(収率23%)、1,3,5−アダマンタントリオール
(収率1%)、1,3,5,7−アダマンタンテトラオ
ール(収率9%)が得られ、N−ヒドロキシフタルイミ
ドの59%が残存していた。 実施例13 実施例6の二元系助触媒に代えて、二元系助触媒[バナ
ジウムアセチルアセトナートV(AA)3 0.03ミ
リ、ニッケルアセチルアセトナートNi(AA) 2 0.
02ミリモル]を用いる以外、実施例6と同様にして反
応させたところ、アダマンタンの転化率100%で1−
アダマンタノール(収率74%)、アダマンタノン(収
率6%)が得られ、アルコールおよびケトンの総量の選
択率は80%であった。
1ミリモル、二元系助触媒[バナジウムアセチルアセ
トナートV(AA)3 0.03ミリ、銅アセチルアセト
ナートCu(AA)2 0.02ミリモル]、酢酸25m
lの混合物を、酸素雰囲気下、90℃で8時間攪拌し
た。反応液中の生成物をガスクロマトグラフィー分析に
より調べたところ、フルオレンの転化率36%でフルオ
レノール(収率5%)、フルオレノン(収率30%)が
得られアルコールおよびケトンの総量の選択率は97%
であった。
1ミリモル、二元系助触媒[酢酸銅Cu(OAc)
2 0.04ミリモル、コバルトアセチルアセトナートC
o(AA)2 0.005ミリモル]、アセトニトリル2
5mlの混合物を、酸素雰囲気下、70℃で3時間攪拌
した。反応液中の生成物をガスクロマトグラフィー分析
により調べたところ、デュレンの転化率69%で2,
4,5−トリメチルベンズアルデヒド(収率28%)、
2,4,5−トリメチル安息香酸(収率32%)が得ら
れた。
酸銅Cu(OAc)20.04ミリモル、マンガンアセ
チルアセトナートMn(AA)2 0.005ミリモル]
を用いる以外、実施例15と同様にして反応させたとこ
ろ、デュレンの転化率92%で2,4,5−トリメチル
ベンズアルデヒド(収率18%)、2,4,5−トリメ
チル安息香酸(収率66%)が得られた。
バルトアセチルアセトナートCo(AA)2 0.04ミ
リモル、マンガンアセチルアセトナートMn(AA)2
0.005ミリモル]を用いるとともに、アセトニトリ
ルに代えて酢酸25mlを用いる以外、実施例15と同
様にして反応させたところ、デュレンの転化率93%で
2,4,5−トリメチルベンズアルデヒド(収率20
%)、2,4,5−トリメチル安息香酸(収率58%)
が得られた。
1ミリモル、二元系助触媒[コバルトアセチルアセト
ナートCo(AA)2 0.04ミリモル、マンガンアセ
チルアセトナートMn(AA)2 0.005ミリモ
ル]、酢酸25mlの混合物を、酸素雰囲気下、70℃
で3時間攪拌した。反応液中の生成物をガスクロマトグ
ラフィー分析により調べたところ、メシチレンの転化率
60%で3,5−ジメチルベンズアルデヒド(収率17
%)、3,5−ジメチル安息香酸(収率17%)が得ら
れた。
て反応させたところ、メシチレンの転化率91%で3,
5−ジメチルベンズアルデヒド(収率14%)、3,5
−ジメチル安息香酸(収率71%)が得られた。
−ヒドロキシフタルイミド 0.5ミリモルを用いると
ともに、実施例18の二元系助触媒に代えて、二元系助
触媒[コバルトアセチルアセトナートCo(AA)
2 0.04ミリモル、マンガンアセチルアセトナートM
n(AA)2 0.01ミリモル]を用いる以外、実施例
18と同様にして反応させたところ、メシチレンの転化
率71%で3,5−ジメチルベンズアルデヒド(収率2
2%)、3,5−ジメチル安息香酸(収率37%)が得
られた。
1ミリモル、二元系助触媒[銅アセチルアセトナート
Cu(AA)2 0.04ミリモル、コバルトアセチルア
セトナートCo(AA)2 0.005ミリモル]、アセ
トニトリル25mlの混合物を、酸素雰囲気下、70℃
で3時間攪拌した。反応液中の生成物をガスクロマトグ
ラフィー分析により調べたところ、メシチレンの転化率
73%で3,5−ジメチルベンズアルデヒド(収率19
%)、3,5−ジメチル安息香酸(収率52%)が得ら
れた。
酸銅Cu(OAc)20.04ミリモル、マンガンアセ
チルアセトナートMn(AA)2 0.005ミリモル]
を用いる以外、実施例21と同様にして反応させたとこ
ろ、メシチレンの転化率67%で3,5−ジメチルベン
ズアルデヒド(収率23%)、3,5−ジメチル安息香
酸(収率34%)が得られた。
酸銅Cu(OAc)20.04ミリモル、コバルトアセ
チルアセトナートCo(AA)2 0.005ミリモル、
マンガンアセチルアセトナートMn(AA)2 0.01
ミリモル]を用いる以外、実施例21と同様にして反応
させたところ、メシチレンの転化率81%で3,5−ジ
メチルベンズアルデヒド(収率16%)、3,5−ジメ
チル安息香酸(収率62%)が得られた。
酸銅Cu(OAc)20.04ミリモル、コバルトアセ
チルアセトナートCo(AA)2 0.005ミリモル、
マンガンアセチルアセトナートMn(AA)2 0.00
5ミリモル]を用いる以外、実施例21と同様にして反
応させたところ、メシチレンの転化率67%で3,5−
ジメチルベンズアルデヒド(収率22%)、3,5−ジ
メチル安息香酸(収率37%)が得られた。
1ミリモル、二元系助触媒[コバルトアセチルアセト
ナートCo(AA)2 0.04ミリモル、マンガンアセ
チルアセトナートMn(AA)2 0.005ミリモ
ル]、酢酸25mlの混合物を、酸素雰囲気下、70℃
で3時間攪拌した。反応液中の生成物をガスクロマトグ
ラフィー分析により調べたところ、メシチレンの転化率
91%で3,5−ジメチルベンズアルデヒド(収率14
%)、3,5−ジメチル安息香酸(収率71%)が得ら
れた。
反応させたところ、メシチレンの転化率91%で3,5
−ジメチルベンズアルデヒド(収率13%)、3,5−
ジメチル安息香酸(収率68%)が得られた。
イミド 1ミリモル、酢酸コバルトCo(OAc)2
0.01ミリモル、コバルトアセチルアセトナートCo
(AA)3 0.05ミリモル、ベンゾニトリル20m
lの混合物を、酸素雰囲気下、75℃で16時間攪拌し
た。反応液中の生成物をガスクロマトグラフィー分析に
より調べたところ、シクロヘキサンの転化率12%で、
シクロヘキサノン(収率10%)、シクロヘキサノール
(収率1%)が得られた。アジピン酸は検出されず、消
費されたシクロヘキサンに対するK/Aオイルの選択率
は93%であった。
27と同様に反応させたところ、シクロヘキサンの転化
率24%で、シクロヘキサノン(収率19%)、シクロ
ヘキサノール(収率0.8%)、アジピン酸(収率2
%)が得られた。消費されたシクロヘキサンに対するK
/Aオイルの選択率は83%、アジピン酸の選択率は8
%であった。
チルアセトナートCo(AA)3 の使用量を0.1ミリ
モルとする以外、実施例27と同様に反応させたとこ
ろ、シクロヘキサンの転化率33%で、シクロヘキサノ
ン(収率22%)、シクロヘキサノール(収率0.8
%)、アジピン酸(収率3%)が得られた。消費された
シクロヘキサンに対するK/Aオイルの選択率は70
%、アジピン酸の選択率は9%であった。
Co(OAc)2 の使用量を0.05ミリモルとし、コ
バルトアセチルアセトナートCo(AA)3 の使用量を
0.1ミリモルとする以外、実施例27と同様に反応さ
せたところ、シクロヘキサンの転化率32%で、シクロ
ヘキサノン(収率23%)、シクロヘキサノール(収率
0.7%)、アジピン酸(収率2.9%)が得られた。
消費されたシクロヘキサンに対するK/Aオイルの選択
率は74%、アジピン酸の選択率は9%であった。
mlとする以外、実施例27と同様に反応させたとこ
ろ、K/Aオイルが総収率13%で得られた。消費され
たシクロヘキサンに対するK/Aオイルの選択率は85
%であった。
mlとする以外、実施例27と同様に反応させたとこ
ろ、K/Aオイルが総収率20%で得られた。消費され
たシクロヘキサンに対するK/Aオイルの選択率は54
%であった。
を0.1ミリモルとする以外、実施例27と同様に反応
させたところ、K/Aオイルが総収率12%で得られ
た。消費されたシクロヘキサンに対するK/Aオイルの
選択率は90%であった。
ルアセトナートCo(AA)3 の使用量を0.1ミリモ
ルとする以外、実施例27と同様に反応させたところ、
K/Aオイルが総収率23%で得られた。消費されたシ
クロヘキサンに対するK/Aオイルの選択率は58%で
あった。
イミド 0.5ミリモル、酢酸コバルトCo(OAc)
2 0.01ミリモル、コバルトアセチルアセトナート
Co(AA)3 0.1ミリモル、ベンゾニトリル10
mlの混合物を、酸素雰囲気下、75℃で16時間攪拌
した。反応液中の生成物をガスクロマトグラフィー分析
により調べたところ、シクロヘキサンの転化率24%
で、シクロヘキサノン(収率16%)、シクロヘキサノ
ール(収率0.7%)、アジピン酸(収率3.2%)が
得られた。消費されたシクロヘキサンに対するK/Aオ
イルの選択率は70%であった。
5と同様に反応させたところ、シクロヘキサンの転化率
25%で、シクロヘキサノン(収率20%)、シクロヘ
キサノール(収率0.8%)、アジピン酸(収率3%)
が得られた。消費されたシクロヘキサンに対するK/A
オイルの選択率は84%であった。
ルアセトナートCo(AA)3 の使用量を0.05ミリ
モルとする以外、実施例35と同様に反応させたとこ
ろ、シクロヘキサンの転化率25%で、シクロヘキサノ
ン(収率19%)、シクロヘキサノール(収率0.9
%)、アジピン酸(収率2.8%)が得られた。消費さ
れたシクロヘキサンに対するK/Aオイルの選択率は8
0%であった。
イミド 1ミリモル、酢酸コバルトCo(OAc)2
0.02ミリモル、コバルトアセチルアセトナートCo
(AA)3 0.1ミリモル、ベンゾニトリル10ml
の混合物を、酸素雰囲気下、75℃で16時間攪拌し
た。反応液中の生成物をガスクロマトグラフィー分析に
より調べたところ、シクロヘキサンの転化率25%で、
シクロヘキサノン(収率19%)、シクロヘキサノール
(収率0.9%)、アジピン酸(収率2.5%)が得ら
れた。消費されたシクロヘキサンに対するK/Aオイル
の選択率は80%であった。
施例38と同様に反応させたところ、シクロヘキサンの
転化率24%で、シクロヘキサノン(収率17%)、シ
クロヘキサノール(収率1%)、アジピン酸(収率3.
2%)が得られた。消費されたシクロヘキサンに対する
K/Aオイルの選択率は75%であった。
施例38と同様に反応させたところ、シクロヘキサンの
転化率21%で、シクロヘキサノン(収率14%)、シ
クロヘキサノール(収率1%)、アジピン酸(収率2.
7%)が得られた。消費されたシクロヘキサンに対する
K/Aオイルの選択率は71%であった。
イミド 1ミリモル、酢酸コバルトCo(OAc)2
0.01ミリモル、コバルトアセチルアセトナートCo
(AA)3 0.1ミリモル、アセトニトリル10ml
の混合物を、酸素雰囲気下、75℃で16時間攪拌し
た。反応液中の生成物をガスクロマトグラフィー分析に
より調べたところ、シクロヘキサンの転化率34%で、
シクロヘキサノン(収率24%)、シクロヘキサノール
(収率0.6%)、アジピン酸(収率3.9%)が得ら
れた。消費されたシクロヘキサンに対するK/Aオイル
の選択率は72%、アジピン酸の選択率は11%であっ
た。
イミド 1ミリモル、酢酸コバルトCo(OAc)2
0.01ミリモル、クロムアセチルアセトナートCr
(AA)3 0.1ミリモル、ベンゾニトリル10ml
の混合物を、酸素雰囲気下、75℃で16時間攪拌し
た。反応液中の生成物をガスクロマトグラフィー分析に
より調べたところ、シクロヘキサンの転化率33%で、
シクロヘキサノン(収率10%)、シクロヘキサノール
(収率0.8%)、アジピン酸(痕跡量)が得られた。
イミド 1ミリモル、酢酸ロジウム[Rh(OAc)
2 ]2 0.01ミリモル、コバルトアセチルアセトナ
ートCo(AA)3 0.1ミリモル、ベンゾニトリル
10mlの混合物を、酸素雰囲気下、75℃で16時間
攪拌した。反応液中の生成物をガスクロマトグラフィー
分析により調べたところ、シクロヘキサンの転化率16
%で、シクロヘキサノン(収率11%)、シクロヘキサ
ノール(収率0.9%)、アジピン酸(痕跡量)が得ら
れた。
イミド 1ミリモル、バナジルアセチルアセトナートV
O(AA)3 0.01ミリモル、コバルトアセチルア
セトナートCo(AA)3 0.1ミリモル、ベンゾニ
トリル10mlの混合物を、酸素雰囲気下、75℃で1
6時間攪拌した。反応液中の生成物をガスクロマトグラ
フィー分析により調べたところ、シクロヘキサンの転化
率35%で、シクロヘキサノン(収率21%)、シクロ
ヘキサノール(収率0.6%)アジピン酸(収率4.5
%)が得られた。消費されたシクロヘキサンに対するK
/Aオイルの選択率は62%、アジピン酸の選択率は1
3%であった。
イミド 1ミリモル、酢酸コバルトCo(OAc)2
0.05ミリモル、ベンゾニトリル20mlの混合物
を、酸素雰囲気下、75℃で16時間攪拌した。反応液
中の生成物をガスクロマトグラフィー分析により調べた
ところ、シクロヘキサンの転化率6.3%で、シクロヘ
キサノン(収率5.2%)、シクロヘキサノール(収率
0.6%)が得られた。アジピン酸は検出されなかっ
た。
イミド 1ミリモル、コバルトアセチルアセトナートC
o(AA)3 0.05ミリモル、ベンゾニトリル20
mlの混合物を、酸素雰囲気下、75℃で16時間攪拌
した。反応液中の生成物をガスクロマトグラフィー分析
により調べたところ、シクロヘキサンの転化率5%以下
で、シクロヘキサノン(収率2.4%)、シクロヘキサ
ノール(収率1%)が得られた。アジピン酸は検出され
なかった。
Claims (10)
- 【請求項1】 下記式(1) 【化1】 (式中、R1 及びR2 は、同一又は異なって、水素原
子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、シクロア
ルキル基、ヒドロキシル基、アルコキシ基、カルボキシ
ル基、アルコキシカルボニル基、アシル基を示し、R1
及びR2 は互いに結合して二重結合、または芳香族性又
は非芳香族性の環を形成してもよい。Xは酸素原子又は
ヒドロキシル基を示し、nは1〜3の整数を示す)で表
されるイミド化合物と、助触媒とで構成された酸化触媒
系であって、前記助触媒が、複数の遷移金属化合物(た
だし、助触媒が周期表5族元素又は周期表6族元素でポ
リ酸を構成する場合、ポリ酸はイソポリ酸であり、周期
表7族元素化合物および周期表8族元素化合物の組合わ
せで構成された触媒系を除く)で構成されている酸化触
媒系。 - 【請求項2】 助触媒が、周期表4族元素,5族元素,
6族元素,7族元素,8族元素,9族元素、10族元素
および11族元素のうち異なる族から選択された複数の
元素を含む単一化合物又は異なる族から選択された元素
を含む複数の化合物で構成されている請求項1記載の酸
化触媒系。 - 【請求項3】 助触媒が、同じ族から選択された複数の
異なる原子価を有する元素を含む単一化合物又は同じ族
から選択された異なる原子価を有する元素を含む複数の
化合物で構成されている請求項1記載の酸化触媒系。 - 【請求項4】 化合物を構成する元素の原子価が2〜4
価である請求項3記載の酸化触媒系。 - 【請求項5】 助触媒が、酸化物、有機酸塩、無機酸
塩、ハロゲン化物、錯体およびイソポリ酸から選択され
た複数の化合物で構成されている請求項1記載の酸化触
媒系。 - 【請求項6】 助触媒が下記の元素又は化合物の組み合
わせで構成されている請求項1記載の酸化触媒系。 (b)周期表4族元素又はその化合物と、周期表5族元
素,6族元素,7族元素,8族元素,9族元素、10族
元素および11族元素から選択された少なくとも1つの
元素又はその化合物との組み合わせ (c)周期表5族元素又はその化合物と、周期表6族元
素,7族元素,8族元素,9族元素、10族元素および
11族元素から選択された少なくとも1つの元素又はそ
の化合物との組み合わせ (d)周期表6族元素又はその化合物と、周期表7族元
素,8族元素,9族元素、10族元素および11族元素
から選択された少なくとも1つの元素又はその化合物と
の組み合わせ (e)周期表7族元素又はその化合物と、周期表9族元
素、10族元素および11族元素から選択された少なく
とも1つの元素又はその化合物との組み合わせ (f)周期表8族元素又はその化合物と、周期表9族元
素、10族元素および11族元素から選択された少なく
とも1つの元素又はその化合物との組み合わせ (g)周期表9族元素又はその化合物と、周期表10族
元素および11族元素から選択された少なくとも1つの
元素又はその化合物との組み合わせ (h)周期表10族元素又はその化合物と周期表11族
元素又はその化合物との組み合わせ (i)異なる原子価を有する周期表9族元素又はその化
合物の間の組合せ - 【請求項7】 助触媒が、Ti,Zr,V,Cr,M
o,W,Mn,Fe,Ru,Co,Rh,NiおよびC
uからなる群から選択された複数の元素を含む請求項1
記載の酸化触媒系。 - 【請求項8】 イミド化合物に対する助触媒の割合が、
有効量以上であって10モル%以下である請求項1記載
の酸化触媒系。 - 【請求項9】 請求項1記載の酸化触媒系の存在下、基
質と酸素とを接触させて酸化する方法。 - 【請求項10】 請求項1記載の酸化触媒系の存在下、
基質と酸素とを接触させ、基質に対応するケトン類,ア
ルコール類,アルデヒド類又はカルボン酸類を製造する
方法。
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