JPH10294318A - 電子部品 - Google Patents

電子部品

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JPH10294318A
JPH10294318A JP9101740A JP10174097A JPH10294318A JP H10294318 A JPH10294318 A JP H10294318A JP 9101740 A JP9101740 A JP 9101740A JP 10174097 A JP10174097 A JP 10174097A JP H10294318 A JPH10294318 A JP H10294318A
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solder
metal layer
solder bump
diffusion preventing
electrode
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JP9101740A
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Inventor
Takashi Togasaki
隆 栂嵜
Kazuki Tateyama
和樹 舘山
Kazuto Higuchi
和人 樋口
Ayako Takagi
亜矢子 高木
Hiroshi Yamada
浩 山田
Takeshi Miyagi
武史 宮城
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/01—Manufacture or treatment
    • H10W72/012—Manufacture or treatment of bump connectors, dummy bumps or thermal bumps
    • H10W72/01251—Changing the shapes of bumps
    • H10W72/01255—Changing the shapes of bumps by using masks

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  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 接続ピッチを微細化しても、電気的短絡を起
こすことなく、その電気検査が容易な接続用半田突起電
極構造を有する電子部品を得る。 【構成】 半田突起電極を形成するための半田拡散防止
金属層表面を、絶縁保護膜開口部より面積が小さく、少
なくともその中央部領域に設けられた半田と濡れる領域
と、半田と濡れないそれ以外の領域とから構成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、回路基板に、フェ
ースダウン方式で搭載される電子部品に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、半導体チップ等の電子部品を
回路配線基板上に高密度に実装可能であり、かつ多数の
入出力電極を有する電子部品を用いても、実装外形が大
型化することなく回路配線基板上に実装可能である方法
として、電子部品と回路配線基板の例えば半田突起電極
からなる接続電極とを向かい合わせて配置し、半田突起
電極を用いてこれらを接続するいわゆるフェースダウン
実装方式が効果的とされている。
【０００３】なかでも、半田突起電極を用いたフェース
ダウン実装方式は、例えば「Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏ
ｎｉｃ Ｐａｃｋａｇｉｎｇ Ｈａｎｄｂｏｏｋ （Ｖ
ａｎＮｏｓｔｒａｎｄ Ｒｅｉｎｈｏｌｄ， １９８
９）」に記載されているように、半田突起電極のリフロ
ー接続時のセルフアライメント効果により、搭載位置ず
れ許容範囲が広く、半田突起電極の塑性変形による応力
緩和効果により、高信頼性化が可能であるという長所が
あるため、フェースダウン実装方式の主流になってい
る。
【０００４】半田突起電極を用いたフェースダウン実装
方式では、リフロー接続時の半田の表面張力により、リ
フロー接続後の半田突起電極の形状は中央部が膨らんだ
樽状の形状になる。この方式では、リフロー接続時に、
隣接する半田突起電極同士が接触して電気的に短絡する
ことを防ぐために、隣接する半田突起電極同士の間隔に
余裕が必要である。このため、半田突起電極同士の間隔
を十分に確保するには、電子部品上の半田突起電極底面
の径を、半田突起電極のピッチの４０％以下にする必要
があった。さらに、電極パッド材料が半田突起電極中に
拡散して信頼性が低下することを防ぐ目的と、半田突起
電極と電極パッドの濡れ性を確保する目的とから、電極
パッドと半田突起電極の間に半田に濡れる材料からなる
拡散防止金属層を形成する必要があった。
【０００５】一方、通常、電子部品は良品検査・特性評
価のため電極パッド上に電極プローブを接触させて電気
検査を行う必要がある。電気検査に必要な電極パッド寸
法は電極プローブ先端径に電極プローブと電極パッドの
位置合わせ誤差を加算したものである。従って、電極プ
ローブによる電気検査を行うために、ピッチが微細な電
極パッドについては、隣接する電極パッドの間隔を小さ
くし、電極パッド寸法を可能な限り大きくする方法が用
いられている。例えば微細ピッチのワイヤボンディング
用電極パッドでは、電極パッドピッチ１００μｍに対し
て、電極パッド寸法が９０μｍ程度である。
【０００６】ところが、半田突起電極を用いたフェース
ダウン実装方式では、電極パッドの開口部の全面が半田
に濡れる材料からなる拡散防止金属層で覆われているこ
とから、電極パッドの開口部寸法は、半田突起電極の底
面の寸法より小さくなる。このため、接続ピッチに対し
て電極パッド寸法が小さく設定される。電極パッド寸法
が小さく設定されると、接続ピッチを微細化した場合
に、電極プローブによる電気検査が困難となる。このよ
うに、電極パッドの開口部寸法が半田突起電極の底面の
寸法より小さいことは、接続ピッチの微細化の障害とな
るという問題を生じていた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】以上に述べたように、
半田突起電極を用いたフェースダウン実装方式では、隣
接する半田突起電極同士の電気的短絡を防ぐために半田
突起電極底面の径を半田突起電極のピッチの４０％以下
にする必要がある。しかしながら、接続ピッチの微細化
に伴い、開口部が微細になると、電極プローブによる電
気検査が不可能となるため、接続ピッチの微細化を妨げ
ているという問題があった。
【０００８】本発明は、上記事情に鑑みてなされたもの
で、接続ピッチの微細化を行なっても電気的短絡を起こ
すことなく、かつ半田突起電極接合構造の電気検査が容
易であるフェースダウン実装のための電子部品を提供す
ることを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、第１に、基
板、該基板上に設けられた電極パッド、該電極パッド上
に設けられ、開口部を有する絶縁保護膜、該絶縁保護膜
と該開口部の電極パッド上に設けられた半田拡散防止金
属層、及び該半田拡散防止金属層上に設けられた半田突
起電極を具備する電子部品において、前記半田拡散防止
金属層は、前記半田突起電極と濡れる領域と前記半田突
起電極と濡れない領域とからなり、かつ少なくとも前記
開口部領域の中央部は前記半田突起電極と濡れる領域か
らなることを特徴とする電子部品を提供する。
【００１０】本発明は、第２に、基板、該基板上に設け
られた電極パッド、及び該電極パッド上に設けられ、開
口部を有する絶縁保護膜、該絶縁保護膜と該開口部の電
極パッド上に設けられた半田拡散防止金属層、及び該半
田拡散防止金属層上に設けられた半田突起電極を具備す
る電子部品において、前記半田拡散防止金属層は、前記
半田突起電極と濡れる領域と、前記半田突起電極と濡れ
ない領域とからなり、かつ前記半田突起電極の底面積
は、前記開口部の面積よりも小さいことを特徴とする電
子部品を提供する。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明は、電子回路を有する電子
部品に関するもので、特に電子部品基板上に設けられる
電極パッド、半田拡散防止金属層及び接続用の半田突起
電極に特徴を有する。本発明の電子部品は、以下の２つ
の観点にわけられる。
【００１２】本発明の第１の観点によれば、基板上の電
極パッドに設けられ、開口部を有する絶縁保護膜、絶縁
保護膜と開口部の電極パッド上に設けられた半田拡散防
止金属層、及び該半田拡散防止金属層上に設けられた半
田突起電極を具備する電子部品において、半田拡散防止
金属層は、半田突起電極と濡れる領域と半田突起電極と
濡れない領域とからなり、かつ少なくとも開口部領域の
中央部は半田突起電極と濡れる領域からなる電子部品が
得られる。
【００１３】また、第２の観点によれば、基板上の電極
パッドに設けられ、開口部を有する絶縁保護膜、絶縁保
護膜と開口部の電極パッド上に設けられた半田拡散防止
金属層、及び該半田拡散防止金属層上に設けられた半田
突起電極を具備する電子部品において、半田拡散防止金
属層は、半田突起電極と濡れる領域と、半田突起電極と
濡れない領域とからなり、かつ半田突起電極の底面積
は、開口部の面積よりも小さいことを特徴とする電子部
品が得られる。
【００１４】本発明の第１の観点にかかる電子部品で
は、半田拡散防止金属層表面領域が、少なくともその中
央部領域に設けられた半田と濡れる領域と、それ以外の
領域に設けられた半田と濡れないとから構成されてい
る。このことにより、リフロー後の半田突起電極の径が
半田拡散防止金属層の半田と濡れる領域と同等となる。
このようにして、半田突起電極の径を絶縁保護膜開口部
より小さくすることが可能となる。
【００１５】また、本発明の第２の観点にかかる電子部
品では、半田突起電極の底面の寸法が絶縁保護膜開口部
より寸法が小さく形成されている。第１及び第２の観点
にかかる電子部品によれば、形成される半田突起電極同
士の間隔が十分に確保されて、リフロー接続時に隣接す
る半田突起電極同士が接触して電気的に短絡することを
防ぐことが出来る。また、電気的に短絡しにくいことか
ら、この電子部品では、半田突起電極ピッチが微細な場
合でも、電極パッドの寸法を十分に大きく設定すること
ができる。このため、半田突起電極形成前の工程、およ
び半田突起電極リフロー直前の工程に於いて電極プロー
ブによる電気検査を容易に行うことが出来る。このよう
に本発明によれば、従来困難であった半田突起電極の微
細化と電極パッド寸法の最大化とを両立させることがで
きる。
【００１６】また、本発明の第１の好ましい態様によれ
ば、基板上に所定のピッチで配列された複数の電極パッ
ドを有し、各電極パッド上に開口部を有する絶縁保護
膜、絶縁保護膜と開口部の電極パッド上に半田拡散防止
金属層、及び半田拡散防止金属層上に半田突起電極がそ
れぞれ設けられ、半田拡散防止金属層は、絶縁保護膜と
開口部の電極パッド上に設けられた半田突起電極と濡れ
ない第１の半田拡散防止金属層と、第１の半田拡散防止
金属層のうち、その中央部を含み、かつ少なくとも半田
突起電極と隣接する領域を除く領域上に形成された半田
突起電極と濡れる第２の半田拡散防止金属層とからなる
電子部品が提供される。
【００１７】また、本発明の第２の好ましい態様によれ
ば、基板上に所定のピッチで配列された複数の電極パッ
ドを有し、各電極パッド上に開口部を有する絶縁保護
膜、絶縁保護膜と開口部の電極パッド上に半田拡散防止
金属層、及び半田拡散防止金属層上に半田突起電極がそ
れぞれ設けられ、半田拡散防止金属層は、半田突起電極
と濡れる領域と半田突起電極と濡れない領域とからな
り、かつ絶縁保護膜と開口部の電極パッド上に設けら
れ、半田突起電極と濡れる第２の半田拡散防止金属層
と、第２の半田拡散防止金属層のうち、その中央部を除
き、かつ少なくとも半田突起電極と隣接する領域上に形
成された半田突起電極と濡れない第１の半田拡散防止金
属層とからなる電子部品が提供される。
【００１８】以下、図面を参照し、本発明を具体的に説
明する。本発明の電子部品の半田突起電極構造の一例を
表す概略断面図を図１に示す。図示するように、この電
子部品はシリコン半導体からなる電子部品１１を有す
る。電子部品１１上には、例えば厚さ６００ｎｍ、８０
μｍ径の正八角形状のアルミニウムからなる電極パッド
１３が設けられており、電極パッド１３上に、例えば７
２μｍ径の正八角形状の開口部１８を有する例えば厚さ
１２００ｎｍの窒化シリコンからなる絶縁保護膜１２が
形成されている。さらに、開口部１８の電極パッド１３
及び絶縁保護膜１２の表面に沿ってこれらを完全に覆う
ように、例えば厚み８０ｎｍ、３５μｍ径の正八角形状
のチタンからなる第１の半田拡散防止金属層１４が形成
されており、その上に厚み８００ｎｍ、３５μｍ径の正
八角形状のニッケルからなる第２の半田拡散防止金属層
１５が形成されている。第２の半田拡散防止金属層１５
上には錫と鉛の重量比が６３対３７であり、高さが４０
μｍで最大直径が５０μｍである半田突起電極１７が形
成されている。第１の半田拡散防止金属層であるチタン
は溶融状態の半田と濡れず、第２の半田拡散防止金属層
であるニッケルは半田に濡れる性質があることから、半
田突起電極は、第２の半田拡散防止金属層上にのみ形成
される。半田突起電極のピッチは９０μｍである。
【００１９】図２には、本発明の電子部品の半田突起電
極形成前の様子を上から見た図を示す。図示するよう
に、本発明の電子部品では、半田拡散防止金属層が形成
された領域は、第１の半田拡散防止金属層１４と第２の
半田拡散防止金属層１５とにより、半田に濡れない領域
と、半田に濡れる領域とにわかれている。
【００２０】図１に示すような構造を有する電子部品１
１は、１ＧＨｚから６ＧＨｚで動作する高周波部品であ
り、電気特性のばらつきが機能上無視できないことか
ら、製作工程中や完成時の電気特性の検査が不可欠であ
る。
【００２１】図３は、本発明の電子部品の半田拡散防止
金属層形成前の状態を表す概略断面図を示す。また、図
示するように、この電子部品では、開口部の径が７２μ
ｍと大きいことから容易にプロービング検査を行うこと
が出来る。また、半田突起電極リフロー後は、図１に示
すように隣接する半田突起電極の間隔が半田突起電極ピ
ッチの約半分と大きいことから、基板との接続工程にお
いても隣接する半田突起電極同士が短絡することがな
い。
【００２２】比較として、図４に、半田拡散防止金属層
全体が半田に濡れやすくなっている電子部品の一例を表
す概略断面図を示す。この比較例では、開口部３９の電
極パッド３３及び絶縁保護膜３２の表面に沿って、これ
らを完全に覆うように、半田に濡れやすい半田拡散防止
金属層３０を形成した後、図１と同ピッチで半田突起電
極３７を形成した電子部品の例を示す。この場合、半田
拡散防止金属層２０全体が半田に濡れやすくなっている
ので、半田突起電極３７の底面の径が、開口部３９の径
より大きくなる。このため、図１と同ピッチで半田突起
電極３７を形成するには、開口部１９の径を２５μｍま
で小さくしなければならない。図５に、図４の半田拡散
防止金属層形成前の状態を表す概略断面図を示す。図５
に示すように、開口部３９が小さいと、プロービング電
気検査は非常に困難である。
【００２３】次に、本発明の電子部品の半田突起電極構
造の一例を形成する工程について、図６ないし図１３を
用いて説明する。図６は電極パッド１３及び開口１８を
有する絶縁膜保護膜１２を有するシリコン半導体からな
る電子部品１１を示す。この状態で電極パッド１３に電
極プローブを接触させて電気検査を行なう。
【００２４】その後、図７に示すように、厚み８０ｎｍ
のチタンからなる第１の半田拡散防止金属層１４と厚み
８００ｎｍのニッケルからなる第２の半田拡散防止金属
層１５をマグネトロンスパッタリング法により連続成膜
する。
【００２５】次いで、めっき用レジスト２１を塗布して
半田突起電極を形成する部分にレジスト開口部２２を形
成する。レジスト開口部形成後の構造を図８に示す。め
っきレジストはポジ型の感光性レジストを用い、レジス
ト厚さは４０μｍ、レジスト開口部２２は３５μｍ径の
正八角形である。
【００２６】次に、図９に示すように、錫と鉛の重量比
が６３対３７である半田層２３を電気めっきによりレジ
スト開口部２２に形成する。通電用電極としては第１お
よび第２の半田拡散防止金属層１４，１５を用いる。メ
ッキ厚みは３５μｍである。
【００２７】次いで、レジスト剥離液を用いてメッキ用
レジストを除去し、図１０に示すように、半田層２３を
マスクとして第２の半田拡散防止金属層１５の露出部を
専用のエッチング液を用いてエッチング除去する。
【００２８】これにより、図１１に示すように、に第２
の半田拡散防止金属層１５は、半田層２３下部にのみ残
る。その後、図１２に示すように、半田層２３を覆うよ
うにエッチング用レジスト２５を形成し、これをマスク
にして第１の半田拡散防止金属層の露出部をエッチング
によりパターニングする。エッチング用レジスト２５は
ポジ型の感光性レジストを用い、レジスト厚さは４０μ
ｍである。パターニング後の第１の半田拡散防止金属層
１４は開口部１８を完全に覆うような構造とする。
【００２９】次に、エッチング用レジストを除去し、図
１３に示すように、半田層２３を窒素雰囲気中で２４０
℃に加熱してリフローすることにより、半田突起電極１
７を形成する。
【００３０】以上の工程により図１に示す電子部品の半
田突起電極構造の第１の実施例を実現することができ
る。次に、本発明の電子部品の半田突起電極構造の他の
例を表す概略断面図を図１４に示す。図示するように、
この電子部品は、シリコン半導体からなる電子部品１１
を有する。電子部品１１上には、例えば厚さ６００ｎ
ｍ、８０μｍ径の正八角形状のアルミニウムからなる電
極パッド１３と、例えば７２μｍ径の正八角形状の開口
部１８を有する厚さ１２００ｎｍの窒化シリコンからな
る絶縁保護膜１２が形成されている。さらに、開口部１
８を有する例えば電極パッド１３及び絶縁保護膜１２の
表面に沿ってこれらを完全に覆うように、厚さ６０ｎｍ
のチタンからなる接着金属層４６及び厚さ８００ｎｍ、
８０μｍ径の正八角形状のニッケルからなる第２の半田
拡散防止金属層４５が、順に形成されている。第２の半
田拡散防止金属層４５上には錫と鉛の重量比が６３対３
７であり、高さが４０μｍで最大直径が５０μｍの半田
突起電極４７が形成されている。半田突起電極４７の底
面部の径は３５μｍの正八角形状であり、開口部１８よ
り小さい。第２の半田拡散防止金属層４５上の半田突起
電極の底面部以外の部分には、厚み６０ｎｍの半田と濡
れないチタンからなる第１の半田拡散防止金属層４４が
形成されている。第１の半田拡散防止金属層４４は半田
と濡れず、第２の半田拡散防止金属層４５は半田に濡れ
ることから、半田突起電極４７は第２の半田拡散防止金
属層４５上の第１の半田拡散防止金属層４４が形成され
ていない部分にのみ形成される。半田突起電極のピッチ
は９０μｍである。
【００３１】この半田突起電極構造も、図１に示す例と
同様に、開口部１８の径が７２μｍと大きいことから、
半田突起電極形成前の工程において、容易にプロービン
グ検査を行うことが出来る。また、半田突起電極リフロ
ー後は隣接する半田突起電極の間隔が半田突起電極ピッ
チの約半分であり、十分に大きいことから、基板との接
続工程においても隣接する半田突起電極同士が短絡する
こともない。
【００３２】次に、本発明の電子部品の半田突起電極構
造の他の例を形成する工程について、図１５ないし図１
９を用いて説明する。図１５に示すように、シリコン半
導体からなる電子部品１１上に、チタンからなる接着金
属層４６とニッケルからなる第２の半田拡散防止金属層
４５とチタンからなる第１の半田拡散防止金属層４４を
マグネトロンスパッタリング法により連続成膜する。
【００３３】次いで、図１６に示すように、感光性レジ
ストを用いたフォトエッチングプロセスにより第１の半
田拡散防止金属層４４をエッチング液を用いてパターニ
ングする。
【００３４】その後、図１７に示すように、厚さが３０
μｍのめっき用レジスト層４１を用いて半田突起電極形
成部分にレジスト開口部を形成する。さらに、錫と鉛の
重量比が６３対３７である半田層５３を電気めっきによ
りレジスト開口部に形成する。このとき、通電用電極と
して第１の半田拡散防止金属層４４および接着金属層４
６を用いる。メッキ厚みは２５μｍである。
【００３５】次に、図１８に示すように、レジスト剥離
液を用いてメッキ用レジストを除去し、半田層と第１の
半田拡散防止金属層４４とをマスクとして第２の半田拡
散防止金属層４５および接着金属層４６の露出部をそれ
ぞれの専用のエッチング液を用いてエッチング除去して
パターニングする。
【００３６】最後に、図１９に示すように、半田層５３
を窒素雰囲気中で２４０℃に加熱してリフローすること
により半田突起電極４７を形成する。以上の工程により
図１４に示す電子部品の半田突起電極構造を実現するこ
とができる。
【００３７】なお上述の例では、半田拡散防止金属層領
域のうち、半田に濡れる領域がその中央部付近にあり、
半田に濡れない領域がその周辺部にある。しかしなが
ら、本発明では、このような構成に限定することなく、
所定のピッチで配列される半田突起電極構造において、
半田に濡れない領域は、少なくとも互いに隣接する領域
に設けられていることが好ましい。このことは、半田拡
散防止金属層領域のうち、他の半田突起電極に隣接しな
い領域には、半田に濡れる領域が設けられていても良い
ことを示す。
【００３８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の電子部品
の半田突起電極構造によれば、半田突起電極を微細化し
ても、隣接する半田突起電極同士の電気的短絡を起こす
ことがなく、微細ピッチの電極パッドに対しても、電極
プローブによる電気検査を容易に行うことが可能であ
り、半田突起電極を備えた電気部品を実現することがで
きる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の電子部品の半田突起電極構造の一例
を表す概略断面図
【図２】 本発明の電子部品の半田突起電極形成前の様
子を上から見た図
【図３】 図１の電子部品の半田拡散防止金属層形成前
の状態を表す概略断面図
【図４】 半田拡散防止金属層全体が半田に濡れやすく
なっている電子部品の一例を表す概略断面図
【図５】 図４の電子部品の半田拡散防止金属層形成前
の状態を表す概略断面図
【図６】 本発明の電子部品の半田突起電極構造の一例
を形成する工程を説明するための図
【図７】 本発明の電子部品の半田突起電極構造の一例
を形成する工程を説明するための図
【図８】 本発明の電子部品の半田突起電極構造の一例
を形成する工程を説明するための図
【図９】 本発明の電子部品の半田突起電極構造の一例
を形成する工程を説明するための図
【図１０】 本発明の電子部品の半田突起電極構造の一
例を形成する工程を説明するための図
【図１１】 本発明の電子部品の半田突起電極構造の一
例を形成する工程を説明するための図
【図１２】 本発明の電子部品の半田突起電極構造の一
例を形成する工程を説明するための図
【図１３】 本発明の電子部品の半田突起電極構造の一
例を形成する工程を説明するための図
【図１４】 本発明の電子部品の半田突起電極構造の他
の例を表す概略断面図
【図１５】 本発明の電子部品の半田突起電極構造の他
の例を形成する工程を説明するための図
【図１６】 本発明の電子部品の半田突起電極構造の他
の例を形成する工程を説明するための図
【図１７】 本発明の電子部品の半田突起電極構造の他
の例を形成する工程を説明するための図
【図１８】 本発明の電子部品の半田突起電極構造の他
の例を形成する工程を説明するための図
【図１９】 本発明の電子部品の半田突起電極構造の他
の例を形成する工程を説明するための図
【符号の説明】
１１…電子部品 １２…絶縁保護膜 １３，３９…電極パッド １４，４４…第１の半田拡散防止金属層 １５，４５…第２の半田拡散防止金属層 １７，３７，４７…半田突起電極 １８…開口部 ２１，４１…めっき用レジスト ２２…レジスト開口部 ２３，５３…半田層 ２５…エッチング用レジスト ３０…半田拡散防止金属層 ４６…接着金属層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高木 亜矢子 神奈川県横浜市磯子区新磯子町33番地 株 式会社東芝生産技術研究所内 (72)発明者 山田 浩 神奈川県横浜市磯子区新磯子町33番地 株 式会社東芝生産技術研究所内 (72)発明者 宮城 武史 神奈川県横浜市磯子区新磯子町33番地 株 式会社東芝生産技術研究所内

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基板、該基板上に設けられた電極パッ
    ド、該電極パッド上に設けられ、開口部を有する絶縁保
    護膜、該絶縁保護膜と該開口部の電極パッド上に設けら
    れた半田拡散防止金属層、及び該半田拡散防止金属層上
    に設けられた半田突起電極を具備する電子部品におい
    て、前記半田拡散防止金属層は、前記半田突起電極と濡
    れる領域と前記半田突起電極と濡れない領域とからな
    り、かつ少なくとも前記開口部領域の中央部は前記半田
    突起電極と濡れる領域からなることを特徴とする電子部
    品。
  2. 【請求項２】 基板、該基板上に設けられた電極パッ
    ド、及び該電極パッド上に設けられ、開口部を有する絶
    縁保護膜、該絶縁保護膜と該開口部の電極パッド上に設
    けられた半田拡散防止金属層、及び該半田拡散防止金属
    層上に設けられた半田突起電極を具備する電子部品にお
    いて、前記半田拡散防止金属層は、前記半田突起電極と
    濡れる領域と、前記半田突起電極と濡れない領域とから
    なり、かつ前記半田突起電極の底面積は、前記開口部の
    面積よりも小さいことを特徴とする電子部品。
  3. 【請求項３】 前記半田突起電極は、所定のピッチで配
    列され、前記半田拡散防止金属層は、前記絶縁保護膜と
    前記開口部の電極パッド上に設けられた半田突起電極と
    濡れない第１の半田拡散防止金属層と、該第１の半田拡
    散防止金属層のうち、前記開口領域の中央部に形成され
    た前記半田突起電極と濡れる第２の半田拡散防止金属層
    とからなることを特徴とする請求項１に記載の電子部
    品。
  4. 【請求項４】 前記半田突起電極は、所定のピッチで配
    列され、前記半田拡散防止金属層は、前記絶縁保護膜と
    前記開口部の電極パッド上に設けられた半田突起電極と
    濡れる第２の半田拡散防止金属層と、該第２の半田拡散
    防止金属層のうち、前記開口部領域の中央部を除いて形
    成された前記半田突起電極と濡れない第１の半田拡散防
    止金属層とからなることを特徴とする請求項１に記載の
    電子部品。
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