JPH0766207A - 表面実装型電子部品及びその製造方法並びに半田付け方法 - Google Patents
表面実装型電子部品及びその製造方法並びに半田付け方法Info
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- JPH0766207A JPH0766207A JP5209767A JP20976793A JPH0766207A JP H0766207 A JPH0766207 A JP H0766207A JP 5209767 A JP5209767 A JP 5209767A JP 20976793 A JP20976793 A JP 20976793A JP H0766207 A JPH0766207 A JP H0766207A
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- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
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- H—ELECTRICITY
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- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/721—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors
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- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 表面実装型電子部品を電気回路配線基板に確
実に表面実装すること。 【構成】 フリップチップ型ＩＣ４０の電極パッドＴの
表面上に半田バンプ２１を形成し、その断面形状を凹状
または台形状とした。このような半田バンプ２１は、電
極パッドＴの少なくとも中央部表面を絶縁樹脂膜３１で
被覆し、この絶縁樹脂３１で被覆されていない電極パッ
ドＴの表面上に半田３４を付着させることにより形成し
ている。 【効果】 この表面実装型電子部品の凹状または台形状
の半田バンプが基板の凸状の導電性ランドに座り易くな
るので、導電性ランド間にずり落ちることがなく、半田
付け不良を起こさない。
実に表面実装すること。 【構成】 フリップチップ型ＩＣ４０の電極パッドＴの
表面上に半田バンプ２１を形成し、その断面形状を凹状
または台形状とした。このような半田バンプ２１は、電
極パッドＴの少なくとも中央部表面を絶縁樹脂膜３１で
被覆し、この絶縁樹脂３１で被覆されていない電極パッ
ドＴの表面上に半田３４を付着させることにより形成し
ている。 【効果】 この表面実装型電子部品の凹状または台形状
の半田バンプが基板の凸状の導電性ランドに座り易くな
るので、導電性ランド間にずり落ちることがなく、半田
付け不良を起こさない。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、例えば、フリップチ
ップ型半導体集積回路装置（以下、単に「フリップチッ
プ型ＩＣ」と記す）、或いは小型スイッチや狭ピッチの
コネクターなどの表面実装型電子部品の電極に形成され
た半田バンプの構造及びその製造方法並びに半田付け方
法に関するものである。
ップ型半導体集積回路装置（以下、単に「フリップチッ
プ型ＩＣ」と記す）、或いは小型スイッチや狭ピッチの
コネクターなどの表面実装型電子部品の電極に形成され
た半田バンプの構造及びその製造方法並びに半田付け方
法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来技術の表面実装型電子部品、例え
ば、フリップチップ型ＩＣの電極の構造及びそのような
フリップチップ型ＩＣを電気回路配線基板（以下、単に
「基板」と記す）に表面実装した場合の様子を図７を用
いて説明する。図７は従来技術のフリップチップ型ＩＣ
の電極の構造及びそのフリップチップ型ＩＣを基板に表
面実装した場合の状態を示した側面図である。
ば、フリップチップ型ＩＣの電極の構造及びそのような
フリップチップ型ＩＣを電気回路配線基板（以下、単に
「基板」と記す）に表面実装した場合の様子を図７を用
いて説明する。図７は従来技術のフリップチップ型ＩＣ
の電極の構造及びそのフリップチップ型ＩＣを基板に表
面実装した場合の状態を示した側面図である。
【０００３】従来技術のこの種基板１は、ガラスエポキ
シ樹脂などの有機材やアルミナなどのセラミック材な
ど、電気絶縁材で形成されており、その表面にやや突出
して複数の導電性配線部とそれらの端部に形成された導
電性ランド２とで電気回路が構成されている。
シ樹脂などの有機材やアルミナなどのセラミック材な
ど、電気絶縁材で形成されており、その表面にやや突出
して複数の導電性配線部とそれらの端部に形成された導
電性ランド２とで電気回路が構成されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】所が、最近、フリップ
チップ型ＩＣなどの表面実装型電子部品は高密度集積
化、小型化されるようになり、それにつれ電極が多くな
り、そしてそれらの電極が狭ピッチ化されるようになっ
ている。また、このような表面実装型電子部品を実装す
る基板の前記導電性ランドも狭ピッチ化されるようにな
った。
チップ型ＩＣなどの表面実装型電子部品は高密度集積
化、小型化されるようになり、それにつれ電極が多くな
り、そしてそれらの電極が狭ピッチ化されるようになっ
ている。また、このような表面実装型電子部品を実装す
る基板の前記導電性ランドも狭ピッチ化されるようにな
った。
【０００５】狭ピッチ化されたフリップチップ型ＩＣ１
０を基板１に実装する場合は、導電性ランド２に被着し
た半田３の表面にフラックスを塗布し、その表面にフリ
ップチップ型ＩＣ１０を搭載するようにしているが、フ
ラックスの流動により、図７に示したように、そのフリ
ップチップ型ＩＣ１０の半田バンプ１１が導電性ランド
２間にずり落ちてしまい、実装不良を起こすことがしば
しば見受けられる。これらの原因は、前記フリップチッ
プ型ＩＣ１０の半田バンプ１１が凸状の構造をしてお
り、また前記導電性ランド２上の半田３も凸状の構造に
なっており、この凸状の半田３の上に前記凸状の半田バ
ンプ１１を載せ、接続させようとすることに起因するも
のであった。この発明は、このような実装不良を解決す
ることを課題とするものである。
０を基板１に実装する場合は、導電性ランド２に被着し
た半田３の表面にフラックスを塗布し、その表面にフリ
ップチップ型ＩＣ１０を搭載するようにしているが、フ
ラックスの流動により、図７に示したように、そのフリ
ップチップ型ＩＣ１０の半田バンプ１１が導電性ランド
２間にずり落ちてしまい、実装不良を起こすことがしば
しば見受けられる。これらの原因は、前記フリップチッ
プ型ＩＣ１０の半田バンプ１１が凸状の構造をしてお
り、また前記導電性ランド２上の半田３も凸状の構造に
なっており、この凸状の半田３の上に前記凸状の半田バ
ンプ１１を載せ、接続させようとすることに起因するも
のであった。この発明は、このような実装不良を解決す
ることを課題とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】それ故、この発明では、
表面実装型ＩＣの電極表面上に半田バンプを形成し、そ
の断面形状を凹状または台形状とした。そして、それら
半田バンプの凹部または台形部が、基板に形成された断
面が凸状の導電性ランドのその凸部に座るように配置、
合体し、その後、その合体状態で両者を加熱処理して、
前記表面実装型ＩＣをその基板に半田付けする方法を採
った。
表面実装型ＩＣの電極表面上に半田バンプを形成し、そ
の断面形状を凹状または台形状とした。そして、それら
半田バンプの凹部または台形部が、基板に形成された断
面が凸状の導電性ランドのその凸部に座るように配置、
合体し、その後、その合体状態で両者を加熱処理して、
前記表面実装型ＩＣをその基板に半田付けする方法を採
った。
【０００７】また、このような半田バンプは、表面実装
型電子部品の電極の少なくとも中央部表面を絶縁樹脂で
被覆し、この絶縁樹脂で被覆されていない電極の表面上
に半田を付着させることにより形成した。以上のような
表面実装型電子部品の半田バンプの構造及びその製造方
法並びに半田付け方法を採ることにより、前記課題を解
決した。
型電子部品の電極の少なくとも中央部表面を絶縁樹脂で
被覆し、この絶縁樹脂で被覆されていない電極の表面上
に半田を付着させることにより形成した。以上のような
表面実装型電子部品の半田バンプの構造及びその製造方
法並びに半田付け方法を採ることにより、前記課題を解
決した。
【０００８】
【作用】従って、この表面実装型電子部品の凹状または
台形状の半田バンプが基板の凸状の導電性ランドに座り
易くなるので、この表面実装型電子部品の半田バンプが
基板の導電性ランド間にずり落ちることがない。
台形状の半田バンプが基板の凸状の導電性ランドに座り
易くなるので、この表面実装型電子部品の半田バンプが
基板の導電性ランド間にずり落ちることがない。
【０００９】
【実施例】先ず、この発明の表面実装型電子部品の構造
及びその製造方法並びに半田付け方法の実施例を図１乃
至図６を用いて説明する。図１はこの発明の表面実装型
電子部品の半田バンプの構造の実施例を示していて、同
図Ａはその平面図、同図Ｂは同図ＡのＡーＡ線上の断面
側面図であり、図２はこの発明の表面実装型電子部品の
半田バンプのその他の実施例の構造を示した平面図であ
り、図３は図１に示したこの発明の表面実装型電子部品
の半田バンプの製造方法を説明するための工程図あり、
図４はこの発明の表面実装型電子部品を基板に表面実装
する半田付け方法を示していて、同図Ａは基板にこの発
明の表面実装型電子部品を載置した状態を示した断面側
面図であり、同図Ｂは表面実装型電子部品が基板に半田
付けされた状態を示した断面側面図あり、図５はこの発
明の表面実装型スイッチを示していて、同図Ａはその斜
視図、同図Ｂはその導電性端子の構造の平面図、同図Ｃ
は同図ＢのＡーＡ線上の断面側面図であり、そして図６
は図５に示した表面実装型スイッチを基板に表面実装す
る半田付け方法を示していて、同図Ａは基板にこの発明
の表面実装型スイッチを載置する状態を示した斜視図で
あり、同図Ｂは表面実装型スイッチが基板に半田付けさ
れた状態を示した断面側面図ある。なお、従来技術の表
面実装型電子部品などと同一の部分には同一の符号を付
して、それらの部分の説明を省略する。
及びその製造方法並びに半田付け方法の実施例を図１乃
至図６を用いて説明する。図１はこの発明の表面実装型
電子部品の半田バンプの構造の実施例を示していて、同
図Ａはその平面図、同図Ｂは同図ＡのＡーＡ線上の断面
側面図であり、図２はこの発明の表面実装型電子部品の
半田バンプのその他の実施例の構造を示した平面図であ
り、図３は図１に示したこの発明の表面実装型電子部品
の半田バンプの製造方法を説明するための工程図あり、
図４はこの発明の表面実装型電子部品を基板に表面実装
する半田付け方法を示していて、同図Ａは基板にこの発
明の表面実装型電子部品を載置した状態を示した断面側
面図であり、同図Ｂは表面実装型電子部品が基板に半田
付けされた状態を示した断面側面図あり、図５はこの発
明の表面実装型スイッチを示していて、同図Ａはその斜
視図、同図Ｂはその導電性端子の構造の平面図、同図Ｃ
は同図ＢのＡーＡ線上の断面側面図であり、そして図６
は図５に示した表面実装型スイッチを基板に表面実装す
る半田付け方法を示していて、同図Ａは基板にこの発明
の表面実装型スイッチを載置する状態を示した斜視図で
あり、同図Ｂは表面実装型スイッチが基板に半田付けさ
れた状態を示した断面側面図ある。なお、従来技術の表
面実装型電子部品などと同一の部分には同一の符号を付
して、それらの部分の説明を省略する。
【００１０】図１に示した実施例のこの発明の表面実装
型電子部品の半田バンプ２１は、その表面実装型電子部
品の電極パッドＴの表面に、その中央部２１Ａが凹状に
なるよう半田を環状に盛り上げた構造に形成されてい
る。
型電子部品の半田バンプ２１は、その表面実装型電子部
品の電極パッドＴの表面に、その中央部２１Ａが凹状に
なるよう半田を環状に盛り上げた構造に形成されてい
る。
【００１１】図２に、図１に示した実施例の半田バンプ
２１の構造と同一、またはほぼ同一の効果が得られる半
田バンプの構造を挙げた。同図Ａの半田バンプ２２は電
極パッドＴの表面の四隅で、半田２２ａを半球状に盛り
上げ、それら４個の半田２２ａの中央部２２Ａで窪みを
形成した実施例である。同図Ｂの半田バンプ２３は電極
パッドＴの表面の四隅で、半田２３ａを角錐状に盛り上
げ、それら４個の半田２３ａの中央部２３Ａで窪みを形
成した実施例である。 同図Ｃの半田バンプ２４は電極
パッドＴの表面の四辺に沿って、半田２４ａを盛り上
げ、それら四辺の半田２４ａの中央部２４Ａで窪みを形
成した実施例である。そして、同図Ｄの半田バンプ２５
は電極パッドＴの表面の二辺に沿って平行に、半田２５
ａを盛り上げ、それら二辺の半田２５ａが相対する中間
部２５Ａで窪みを形成した実施例である。
２１の構造と同一、またはほぼ同一の効果が得られる半
田バンプの構造を挙げた。同図Ａの半田バンプ２２は電
極パッドＴの表面の四隅で、半田２２ａを半球状に盛り
上げ、それら４個の半田２２ａの中央部２２Ａで窪みを
形成した実施例である。同図Ｂの半田バンプ２３は電極
パッドＴの表面の四隅で、半田２３ａを角錐状に盛り上
げ、それら４個の半田２３ａの中央部２３Ａで窪みを形
成した実施例である。 同図Ｃの半田バンプ２４は電極
パッドＴの表面の四辺に沿って、半田２４ａを盛り上
げ、それら四辺の半田２４ａの中央部２４Ａで窪みを形
成した実施例である。そして、同図Ｄの半田バンプ２５
は電極パッドＴの表面の二辺に沿って平行に、半田２５
ａを盛り上げ、それら二辺の半田２５ａが相対する中間
部２５Ａで窪みを形成した実施例である。
【００１２】次に、表面実装型電子部品としてフリップ
チップ型ＩＣを実施例として挙げ、その電極パッドに、
図１に示した環状の半田バンプ２１を形成する方法を図
３を用いて説明する。先ず、同図Ａの工程に示したよう
に、フリップチップ型ＩＣ１０の電極パッドＴは、例え
ば、一辺の長さＬａが１１０μｍの正方形のアルミで形
成されており、その電極パッドＴの表面を一辺１００μ
ｍの正方形の開口部を残すようにしてＳｉＯ2 の絶縁膜
３０で覆う。
チップ型ＩＣを実施例として挙げ、その電極パッドに、
図１に示した環状の半田バンプ２１を形成する方法を図
３を用いて説明する。先ず、同図Ａの工程に示したよう
に、フリップチップ型ＩＣ１０の電極パッドＴは、例え
ば、一辺の長さＬａが１１０μｍの正方形のアルミで形
成されており、その電極パッドＴの表面を一辺１００μ
ｍの正方形の開口部を残すようにしてＳｉＯ2 の絶縁膜
３０で覆う。
【００１３】次に、同図Ｂに示したように、感光性ポリ
イミドを用いて電極パッドＴ上を外径９０μｍφ、内径
３０μｍφの二重円の絶縁樹脂膜３１をパターニングす
る。次に、同図Ｃに示したように、スパッタ装置を用い
て、第１層Ｃｒ、第２層Ｎｉの薄膜３２をフリップチッ
プ型ＩＣ１０全体に成膜する。次に、同図Ｄに示したよ
うに、感光性レジストを用いたフォトリソグラフィー法
を用いて、フリップチップ型ＩＣ１０の電極パッドＴ付
近にＣｒ、Ｎｉの２層膜３２Ａをパターニングする。こ
の場合、電極パッドＴの中心にある絶縁樹脂膜３１の大
部分が露出するようにパターニングする。
イミドを用いて電極パッドＴ上を外径９０μｍφ、内径
３０μｍφの二重円の絶縁樹脂膜３１をパターニングす
る。次に、同図Ｃに示したように、スパッタ装置を用い
て、第１層Ｃｒ、第２層Ｎｉの薄膜３２をフリップチッ
プ型ＩＣ１０全体に成膜する。次に、同図Ｄに示したよ
うに、感光性レジストを用いたフォトリソグラフィー法
を用いて、フリップチップ型ＩＣ１０の電極パッドＴ付
近にＣｒ、Ｎｉの２層膜３２Ａをパターニングする。こ
の場合、電極パッドＴの中心にある絶縁樹脂膜３１の大
部分が露出するようにパターニングする。
【００１４】次に、同図Ｅに示したように、図Ｄの工程
でパターニングしたＣｒ、Ｎｉ膜３２Ａの大部分を露出
させるように厚膜感光性レジスト３３を用いたフォトリ
ソグラフィー法を用いてパターニングする。この場合、
Ｃｒ、Ｎｉ膜３２Ａが成膜されていない部分は、全て厚
膜感光レジスト３３で覆われている。この工程に続い
て、前記厚膜感光レジスト３３の全表面から真空蒸着装
置を用いて、同図Ｆに示したように、半田３４を成膜す
る。
でパターニングしたＣｒ、Ｎｉ膜３２Ａの大部分を露出
させるように厚膜感光性レジスト３３を用いたフォトリ
ソグラフィー法を用いてパターニングする。この場合、
Ｃｒ、Ｎｉ膜３２Ａが成膜されていない部分は、全て厚
膜感光レジスト３３で覆われている。この工程に続い
て、前記厚膜感光レジスト３３の全表面から真空蒸着装
置を用いて、同図Ｆに示したように、半田３４を成膜す
る。
【００１５】次に、同図Ｇに示したように、図Ｅの工程
で形成した厚膜感光レジスト３３を剥離液を用いて除去
する。この時、厚膜感光レジスト３３上に堆積した半田
３４も同時に除去される。そして、次の最終工程でオー
ブンを使用し、図Ｇの工程で作られた部品を加熱し、半
田３４を溶融する。
で形成した厚膜感光レジスト３３を剥離液を用いて除去
する。この時、厚膜感光レジスト３３上に堆積した半田
３４も同時に除去される。そして、次の最終工程でオー
ブンを使用し、図Ｇの工程で作られた部品を加熱し、半
田３４を溶融する。
【００１６】この場合、図Ｇの工程で形成された半田３
４の膜厚が少なければ、図Ｈに示したように、フリップ
チップ型ＩＣ１０の電極パッドＴの中心に設けられた絶
縁樹脂膜３１上に半田３４が堆積せず、半田バンプ２１
が凹状の形をしたこの発明のフリップチップ型ＩＣ４０
が得られ、また、図Ｇで形成された半田３４の膜厚が厚
ければ、図Ｉに示したように、半田バンプ２１Ａの表面
がほぼ平らな台状のこの発明のフリップチップ型ＩＣ４
０Ａを得ることができる。以上のような工程を経て、図
１に示したこの発明の半田バンプ２１をフリップチップ
型ＩＣ１０の各電極パッドＴ上に形成することができ
る。
４の膜厚が少なければ、図Ｈに示したように、フリップ
チップ型ＩＣ１０の電極パッドＴの中心に設けられた絶
縁樹脂膜３１上に半田３４が堆積せず、半田バンプ２１
が凹状の形をしたこの発明のフリップチップ型ＩＣ４０
が得られ、また、図Ｇで形成された半田３４の膜厚が厚
ければ、図Ｉに示したように、半田バンプ２１Ａの表面
がほぼ平らな台状のこの発明のフリップチップ型ＩＣ４
０Ａを得ることができる。以上のような工程を経て、図
１に示したこの発明の半田バンプ２１をフリップチップ
型ＩＣ１０の各電極パッドＴ上に形成することができ
る。
【００１７】次に、図４を用いて、この発明のフリップ
チップ型ＩＣ４０の基板１への表面実装方法を説明す
る。先ず、基板１に形成された導電性ランド２上に半田
３を被着し、その半田３の表面にフラックスを塗布した
後、その表面にフリップチップボンダー用いて、この発
明のフリップチップ型ＩＣ４０を載置する（図４Ａ）。
チップ型ＩＣ４０の基板１への表面実装方法を説明す
る。先ず、基板１に形成された導電性ランド２上に半田
３を被着し、その半田３の表面にフラックスを塗布した
後、その表面にフリップチップボンダー用いて、この発
明のフリップチップ型ＩＣ４０を載置する（図４Ａ）。
【００１８】この場合、図３Ｈのフリップチップ型ＩＣ
４０を導電性ランド２に載置した時は、その凹状の半田
バンプ２１が導電性ランド２上の凸状の半田３に座るよ
うに配置、合体することにより、フリップチップ型ＩＣ
４０が導電性ランド２からずれるのを防ぐことができる
（図４Ａ）。また、図Ｋのようなフリップチップ型ＩＣ
４０Ａを導電性ランド２の半田３上に載置した時は、そ
の台状の半田バンプ２１Ａが導電性ランド２上の凸状の
半田３に座るように配置、合体することにより、前記半
田バンプ２１程のずれ防止効果はないが、従来の凸状電
極と凸状の導電性ランドの接続と比較すれば遙にずれを
軽減するこができる。
４０を導電性ランド２に載置した時は、その凹状の半田
バンプ２１が導電性ランド２上の凸状の半田３に座るよ
うに配置、合体することにより、フリップチップ型ＩＣ
４０が導電性ランド２からずれるのを防ぐことができる
（図４Ａ）。また、図Ｋのようなフリップチップ型ＩＣ
４０Ａを導電性ランド２の半田３上に載置した時は、そ
の台状の半田バンプ２１Ａが導電性ランド２上の凸状の
半田３に座るように配置、合体することにより、前記半
田バンプ２１程のずれ防止効果はないが、従来の凸状電
極と凸状の導電性ランドの接続と比較すれば遙にずれを
軽減するこができる。
【００１９】最後に、オーブンを用い、この合体状態で
両者を加熱処理すると、図４Ｂに示したように、前記電
極パッドＴと導電性ランド２とを半田接合させることが
でき、フリップチップ型ＩＣ４０、４０Ａを基板１に半
田付けできる。
両者を加熱処理すると、図４Ｂに示したように、前記電
極パッドＴと導電性ランド２とを半田接合させることが
でき、フリップチップ型ＩＣ４０、４０Ａを基板１に半
田付けできる。
【００２０】次に、表面実装型電子部品の他の電子部品
として、表面実装型スイッチ（以下、単に「スイッチ」
と記す）を採り挙げ、図５及び図６を用いて、第２の実
施例を説明する。
として、表面実装型スイッチ（以下、単に「スイッチ」
と記す）を採り挙げ、図５及び図６を用いて、第２の実
施例を説明する。
【００２１】図５において、符号５０はこの発明のスイ
ッチを指しており、このスイッチ５０は２個の導電性端
子５１を備えている。これらの導電性端子５１には、同
図Ｂ、Ｃに示したように、中央部が窪んだ凹状の半田バ
ンプ５３が形成されている。この半田バンプ５３は電極
パッドＴの中央部にエポキシ樹脂やシリコーン樹脂など
の樹脂膜５２を薄く塗布し、その後、この電極パッドＴ
を半田にディップし、付着させることにより形成するこ
とができる。
ッチを指しており、このスイッチ５０は２個の導電性端
子５１を備えている。これらの導電性端子５１には、同
図Ｂ、Ｃに示したように、中央部が窪んだ凹状の半田バ
ンプ５３が形成されている。この半田バンプ５３は電極
パッドＴの中央部にエポキシ樹脂やシリコーン樹脂など
の樹脂膜５２を薄く塗布し、その後、この電極パッドＴ
を半田にディップし、付着させることにより形成するこ
とができる。
【００２２】このような構造のスイッチ５０は、前記の
第１の実施例のフリップチップ型ＩＣ４０と同様に、そ
の半田バンプ５３に凹部が形成されているので、基板１
に形成された導電性ランド２の半田３の凸部に座り良く
なり、ずれ難くなる。従って、この状態で仮止めされた
状態になり、この状態で基板１をリフローすることによ
りスイッチ５０の導電性端子５１と基板１に形成された
半田の導電性ランド２とが半田付けされ、接続すること
ができる（図６Ｂ）。なお、符号５４はスイッチ５０の
摘みを指す。
第１の実施例のフリップチップ型ＩＣ４０と同様に、そ
の半田バンプ５３に凹部が形成されているので、基板１
に形成された導電性ランド２の半田３の凸部に座り良く
なり、ずれ難くなる。従って、この状態で仮止めされた
状態になり、この状態で基板１をリフローすることによ
りスイッチ５０の導電性端子５１と基板１に形成された
半田の導電性ランド２とが半田付けされ、接続すること
ができる（図６Ｂ）。なお、符号５４はスイッチ５０の
摘みを指す。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように、この発明の表面実
装型電子部品を用いると、基板上に電子部品を表面実装
し、電子部品の電極と基板の導電性ランドを半田接続す
る作業を行なっても、半田バンプと導電性ランドとがず
れることなく接続することができ、半田付け不良を起こ
さない、信頼性の高い半田付けを行うことができる。
装型電子部品を用いると、基板上に電子部品を表面実装
し、電子部品の電極と基板の導電性ランドを半田接続す
る作業を行なっても、半田バンプと導電性ランドとがず
れることなく接続することができ、半田付け不良を起こ
さない、信頼性の高い半田付けを行うことができる。
【図１】 この発明の表面実装型電子部品の半田バンプ
の構造の実施例を示していて、同図Ａはその平面図、同
図Ｂは同図ＡのＡーＡ線上の断面側面図である。
の構造の実施例を示していて、同図Ａはその平面図、同
図Ｂは同図ＡのＡーＡ線上の断面側面図である。
【図２】 この発明の表面実装型電子部品の半田バンプ
のその他の実施例の構造を示した平面図である。
のその他の実施例の構造を示した平面図である。
【図３】 図１に示したこの発明の表面実装型電子部品
の半田バンプの製造方法を説明するための工程図であ
る。
の半田バンプの製造方法を説明するための工程図であ
る。
【図４】 この発明の表面実装型電子部品を基板に表面
実装する半田付け方法を示していて、同図Ａは基板にこ
の発明の表面実装型電子部品を載置した状態を示した断
面側面図であり、同図Ｂは表面実装型電子部品が基板に
半田付けされた状態を示した断面側面図である。
実装する半田付け方法を示していて、同図Ａは基板にこ
の発明の表面実装型電子部品を載置した状態を示した断
面側面図であり、同図Ｂは表面実装型電子部品が基板に
半田付けされた状態を示した断面側面図である。
【図５】 この発明の表面実装型スイッチを示してい
て、同図Ａはその斜視図、同図Ｂはその導電性端子の構
造の平面図、同図Ｃは同図ＢのＡーＡ線上の断面側面図
である。
て、同図Ａはその斜視図、同図Ｂはその導電性端子の構
造の平面図、同図Ｃは同図ＢのＡーＡ線上の断面側面図
である。
【図６】 図５に示した表面実装型スイッチを基板に表
面実装する半田付け方法を示していて、同図Ａは基板に
この発明の表面実装型スイッチを載置する状態を示した
斜視図であり、同図Ｂは表面実装型スイッチが基板に半
田付けされた状態を示した断面側面図である。
面実装する半田付け方法を示していて、同図Ａは基板に
この発明の表面実装型スイッチを載置する状態を示した
斜視図であり、同図Ｂは表面実装型スイッチが基板に半
田付けされた状態を示した断面側面図である。
【図７】 従来技術のフリップチップ型ＩＣの電極の構
造及びそのフリップチップ型ＩＣを基板に表面実装した
場合の状態を示した側面図である。
造及びそのフリップチップ型ＩＣを基板に表面実装した
場合の状態を示した側面図である。
Ｔ 電極パッド １ 電気回路配線基板（基板） ２ 導電性ランド ３ 半田 ２１ 断面凹状の半田バンプ ２１Ａ 断面台形状の半田バンプ ３１ 絶縁樹脂膜 ３４ 半田 ４０ 断面凹状の半田バンプを備えたフリップチップ
型ＩＣ ４０Ａ 断面台形状の半田バンプを備えたフリップチ
ップ型ＩＣ ５０ 表面実装型スイッチ ５１ 導電性端子 ５２ 樹脂膜 ５３ 断面凹状の半田バンプ
型ＩＣ ４０Ａ 断面台形状の半田バンプを備えたフリップチ
ップ型ＩＣ ５０ 表面実装型スイッチ ５１ 導電性端子 ５２ 樹脂膜 ５３ 断面凹状の半田バンプ
Claims (4)
- 【請求項１】 表面実装型電子部品の電極の表面上に、
断面が凹状または台形状の半田バンプを備えた表面実装
型電子部品。 - 【請求項２】 請求項１の表面実装型電子部品を、その
半田バンプの前記凹部または台形部が、電気回路配線基
板の電極に形成された断面が凸状の導電性ランドのその
凸部に座るように配置、合体し、その後、その合体状態
で両者を加熱処理して、前記表面実装型電子部品を電気
回路配線基板に半田付けすることを特徴とする表面実装
型電子部品の半田付け方法。 - 【請求項３】 表面実装型電子部品の電極の表面上に形
成された半田バンプの少なくとも中央部に樹脂が充填さ
れていることを特徴とする表面実装型電子部品。 - 【請求項４】 表面実装型電子部品の電極の少なくとも
中央部表面を絶縁樹脂で被覆し、この絶縁樹脂で被覆さ
れていない電極の表面上に半田を付着させて半田バンプ
を形成することを特徴とする表面実装型電子部品の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20976793A JP3263875B2 (ja) | 1993-08-24 | 1993-08-24 | 表面実装型電子部品の製造方法及び表面実装型電子部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20976793A JP3263875B2 (ja) | 1993-08-24 | 1993-08-24 | 表面実装型電子部品の製造方法及び表面実装型電子部品 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0766207A true JPH0766207A (ja) | 1995-03-10 |
| JP3263875B2 JP3263875B2 (ja) | 2002-03-11 |
Family
ID=16578284
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20976793A Expired - Fee Related JP3263875B2 (ja) | 1993-08-24 | 1993-08-24 | 表面実装型電子部品の製造方法及び表面実装型電子部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3263875B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SG81933A1 (en) * | 1997-07-25 | 2001-07-24 | Mcnc | Controlled-shaped solder reservoirs for increasing the volume of solder bumps, and structures formed thereby |
| US6329608B1 (en) | 1995-04-05 | 2001-12-11 | Unitive International Limited | Key-shaped solder bumps and under bump metallurgy |
| US6388203B1 (en) | 1995-04-04 | 2002-05-14 | Unitive International Limited | Controlled-shaped solder reservoirs for increasing the volume of solder bumps, and structures formed thereby |
| US7358174B2 (en) | 2004-04-13 | 2008-04-15 | Amkor Technology, Inc. | Methods of forming solder bumps on exposed metal pads |
| JP2008153296A (ja) * | 2006-12-14 | 2008-07-03 | Fujitsu Ltd | 接続構造体とその製造方法および半導体装置とその製造方法 |
| US7579692B2 (en) | 2000-09-04 | 2009-08-25 | Seiko Epson Corporation | Method for forming a bump, semiconductor device and method of fabricating same, semiconductor chip, circuit board, and electronic instrument |
| CN111128913A (zh) * | 2019-12-24 | 2020-05-08 | 中国航空工业集团公司北京长城航空测控技术研究所 | 一种芯片的倒装焊接封装结构及其方法 |
-
1993
- 1993-08-24 JP JP20976793A patent/JP3263875B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US6392163B1 (en) | 1995-04-04 | 2002-05-21 | Unitive International Limited | Controlled-shaped solder reservoirs for increasing the volume of solder bumps |
| US6329608B1 (en) | 1995-04-05 | 2001-12-11 | Unitive International Limited | Key-shaped solder bumps and under bump metallurgy |
| US6389691B1 (en) | 1995-04-05 | 2002-05-21 | Unitive International Limited | Methods for forming integrated redistribution routing conductors and solder bumps |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3263875B2 (ja) | 2002-03-11 |
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