JPH10296072A - 被処理基板のクランプ機構を備えた処理容器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ステージ上の被処理基板を、位置ずれを生じ
ないように保持することのできるクランプ機構を備えた
処理容器を提供すること。 【解決手段】 処理容器１内のステージ６０に載置され
た基板８の少なくとも一つの側端において前記基板をそ
の上側から押さえるクランプ機構６０を含む。クランプ
機構は、水平軸を支点として回動可能であって一端側に
前記基板の押さえ部を有するアーム７３と、該アームの
他端側に前記被処理基板をクランプするための付勢力を
付与するばね機構７４とを含む。前記アームの他端側に
前記ばね機構の付勢力より大きな回動力を与えて該アー
ムをアンクランプ状態にするアンクランプ機構８０を更
に有する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、気密状態に維持さ
れた処理容器内において被処理基板をステージ上に保持
して処理を行う処理装置に関し、特に被処理基板を加熱
しながらレーザ等による処理を行う処理装置用の処理容
器に関する。この種の処理容器は、特に、レーザアニー
リング装置のように、処理容器内の真空あるいは不活性
ガスの雰囲気中でアモルファスシリコンをポリシリコン
に変えるための熱処理を行う処理装置に適している。

【０００２】

【従来の技術】この種の処理装置に適用される被処理基
板の一例として、液晶表示装置用の液晶基板を製造する
場合、ガラス基板が用いられる。このガラス基板には、
多数の画素を構成するための表示部とこの表示部の上下
左右において各画素をドライブするためのドライバとが
形成される。ドライバを形成するために、最近、ガラス
基板のドライバに対応する領域にアモルファスシリコン
を塗布し、これを加熱してポリシリコンに変える方法が
採用されている。上記のような加熱処理を行うために、
レーザアニーリング装置が用いられており、以下、この
レーザアニーリング装置について説明する。

【０００３】レーザアニーリング装置によりレーザアニ
ールをおこなう際には、被処理基板をステージに載置し
て真空容器内に配置し、石英窓を通して被処理基板の処
理領域にレーザ光を照射する。真空容器内でステージを
一軸方向に移動させることにより、被処理基板の所望の
領域に順次レーザ光を照射することができる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ステージは、通常、真
空容器の外部まで導出された一軸方向の駆動軸により移
動可能にされている。なお、ガラス基板は、レーザ光を
照射する前にあらかじめ予熱されていることが好まし
く、このため真空容器内にはヒータが配設されている。
また、ガラス基板は、ステージに植設された複数のピン
上に載置されている。ガラス基板がその熱膨張を妨げる
ように保持されていると、膨張時の応力の逃げ場が無い
のでガラス基板が破損してしまう。このために、ガラス
基板はその自重による摩擦力のみで位置ずれを防ぐよう
にされている。

【０００５】一方、ステージは、レーザ光を被処理基板
の所望の領域に照射するために、精密に位置決めされる
必要がある。ところが、ステージの位置決め制御が高速
で行われると、その移動時の加速度によりガラス基板が
ずれてしまうので、ある一定値以上の加速度を越えるよ
うな位置決め制御は困難である。また、ガラス基板の位
置ずれは、振動によって生じる場合もある。

【０００６】いずれにしても、これまでのレーザアニー
リング装置は、ガラス基板の位置ずれを防ぐ手段を持た
ないために、高速での位置決め制御が不可能であり、振
動により位置ずれを生じやすいという問題点がある。

【０００７】本発明の課題は、ステージ上の被処理基板
を、位置ずれを生じないように保持することのできるク
ランプ機構を備えた処理容器を提供することにある。

【０００８】本発明の他の課題は、被処理基板に熱膨張
が生じたとしても、それを妨げること無く保持すること
のできるクランプ機構を備えた処理容器を提供すること
にある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明によれば、気密状
態を維持される処理容器と、前記処理容器内に配置さ
れ、被処理基板を載置するための複数のピンを植設した
ステージと、該ステージに載置された前記被処理基板の
少なくとも一つの側端において前記被処理基板をその上
側から押さえるクランプ機構と、該クランプ機構により
クランプされている前記被処理基板をクランプ状態から
解放するためのアンクランプ機構とを含み、該クランプ
機構は、水平軸を支点として回動可能であって一端側に
前記被処理基板の押さえ部を有するアームと、該アーム
の他端側に前記被処理基板をクランプするための付勢力
を付与するばね機構とを含み、前記アンクランプ機構
は、前記アームの他端側に前記ばね機構の付勢力より大
きな回動力を与えて該アームをアンクランプ状態にする
ことを特徴とする被処理基板のクランプ機構を備えた処
理容器が提供される。

【００１０】なお、前記ステージは、前記被処理基板の
下側に加熱用のヒータを備え、該ヒータに前記複数のピ
ンが植設されている。

【００１１】また、前記アンクランプ機構は、該処理容
器の外側からその上壁を貫通して設けられて前記アーム
の他端側に上方から回動力を与えるためのアンクランプ
ピンと、該アンクランプピンを上下方向に駆動するため
のシリンダ機構と、前記アンクランプピンにおける前記
処理容器の外側部分を気密状態に維持するためのベロー
ズ機構とを含む。

【００１２】更に、前記クランプ機構及び前記アンクラ
ンプ機構は、前記被処理基板の少なくとも一つの側端に
おいて２箇所に設けられ、前記ヒータにおける前記アー
ムの被処理基板の押さえ部に対応する箇所にも前記被処
理基板を載置するための前記ピンが設けられていること
が好ましい。

【００１３】

【発明の実施の形態】はじめに、本発明をレーザアニー
リング装置に適用する場合について、その装置の概略を
説明する。図４は、本発明が適用される処理装置のうち
処理容器の部分について概略平断面図を示し、図５は、
図４の線Ｂ−Ｂによる概略断面図を、図６は図４の線Ｃ
−Ｃによる概略断面図をそれぞれ示す。

【００１４】内部を真空排気可能な処理容器１の内部
に、直動機構を構成するための駆動用支軸２ａ及び２ｂ
が互いに平行に配置されている。駆動用支軸２ａ及び２
ｂの一端側は、処理容器１の側壁を貫通して外部まで導
出されている。処理容器１は真空排気され、場合によっ
てはその後に不活性ガスが導入される。

【００１５】駆動用支軸２ａ及び２ｂの一端部はそれぞ
れ、リニアガイド機構を備えたリニアモータ４ａ、４ｂ
に連結されて、これらのリニアモータ４ａ、４ｂにより
駆動用支軸２ａ及び２ｂの軸方向に駆動される。リニア
モータ４ａ、４ｂを駆動することにより、駆動用支軸２
ａ及び２ｂを、その軸方向に並進移動させることができ
る。

【００１６】駆動用支軸２ａ及び２ｂの各々の処理容器
１の外に導出された部分には、気密機構として真空ベロ
ーズ５ａ、５ｂが被せられている。真空ベローズ５ａ、
５ｂの一端はそれぞれ処理容器１の側壁に取り付けら
れ、他端はリニアモータ４ａ、４ｂに取り付けられてい
る。このような真空べローズ５ａ、５ｂにより、処理容
器１の気密性が保たれる。

【００１７】処理容器１内には保持台６が配置されてい
る。保持台６は、駆動用支軸２ａ及び２ｂの他端側に固
定され、いわゆる片持ち支持構造により支持されてい
る。保持台６の中央には開口６ａが設けられ、この開口
６ａの周囲の上面には複数のピン７が突出しており、ア
ニール処理されるガラス等の基板８が複数のピン７の上
に載置される。保持台６の移動する下部域にはヒータ９
ａが、処理容器１の天井内壁にはヒータ９ｂがそれぞれ
配置されている。これらのヒータ９ａ、９ｂにより基板
８が加熱される。なお、ヒータは処理容器１の天井内壁
にのみ設けられる場合もある。処理容器１の上面には石
英窓１−１が設けられており、石英窓１−１を通して処
理容器１内に光学系１０からのレーザ光が導入される。

【００１８】リニアモータ４ａ、４ｂを駆動して駆動用
支軸２ａ及び２ｂをその軸方向に並進移動させることに
より、処理容器１内で基板８を移動させることができ
る。保持台６を移動させるためのリニアモータ４ａ、４
ｂの駆動制御については詳しい説明を省略するが、リニ
アモータ４ａ、４ｂの側面にはそれぞれリニアエンコー
ダ１１ａ、１１ｂが設けられる。これらのリニアエンコ
ーダ１１ａ、１１ｂからの位置検出信号をリニアモータ
４ａ、４ｂの駆動制御系にフィードバックし、保持台６
の位置目標値に追随するような制御を行う。

【００１９】本例では、上記のような直動機構に加え
て、基板８を水平状態で回転させるための回転駆動機構
を備えている。この回転駆動機構は、保持台６の下側に
あって、一端側が保持台６に設けられた開口６ａを通し
て上下動かつ回転して基板８を上下動かつ回転させ、他
端側は処理容器１の底壁を貫通して外部まで導出された
回転駆動軸１２を含む。

【００２０】特に、本例では、この回転駆動軸１２を、
シリンダ１３により上下動可能な第１の軸１２−１と、
この第１の軸１２−１の周囲に配置されてモータ１４に
より回転駆動される筒状の第２の軸１２−２とで構成し
ている。すなわち、第１の軸１２−１は上下動のみ可能
であり、第２の軸１２−２は回転運動のみ可能である。
第１の軸１２−１の上端側には基板８を搭載するための
支持板１５が設けられており、この支持板１５と第２の
軸１２−２の上端との間には真空ベローズ１６が設けら
れている。支持板１５は、保持台６に設けられた開口６
ａより小さいサイズであり、第１の軸１２−１の上動と
共に保持台６の開口６ａを通して上動して基板８を保持
台６から離間させる。支持板１５はまた、第２の軸１２
−２が回転すると真空ベローズ１６と共に回転して基板
８を回転させる。真空ベローズ１６は、第１の軸１２−
１と第２の軸１２−２との間の摩擦により生ずる微小な
ごみが処理容器１内に流出することを抑制する。

【００２１】なお、モータ１４の回転力は、ここではス
ティールベルト１７を介して第２の軸１２−２に伝えら
れる。また、第２の軸１２−２と処理容器１の底壁との
間には、磁性流体による回転導入部材１８が設けられ
る。

【００２２】この回転駆動機構は、基板８の加工形態に
応じて基板８を所望の角度だけ回転させる。すなわち、
支持板１５は、通常は保持台６の下にある。基板８を回
転させる必要がある場合には、保持台６の開口６ａが支
持板１５の真上にある状態で行われる。はじめに、第１
の軸１２−１を上動させて基板８を保持台６から離し、
次に第２の軸１２−２を回転させて基板８を所望の角度
だけ回転させる。回転が終了したら第１の軸１２−１を
下動させて基板８を再び保持台６上に載置する。

【００２３】なお、この回転駆動機構による回転では、
原理的に数ミクロンオーダでの角度の位置決めは困難で
あり、微小な回転角度補正は直動機構における２つのリ
ニアモータ４ａ、４ｂの差動動作により行われる。すな
わち、２つのリニアモータ４ａ、４ｂによる変位に微小
な差を与えることにより、保持台６を微小角度回転させ
ることができる。

【００２４】このような装置では、基板８の移動方向に
対して直交する方向に長い断面形状を有するレーザ光を
照射しながら、基板８を移動させることにより、基板８
の表面の広い領域をアニールすることができる。特に、
基板８を加熱しておくことにより、レーザアニールの効
果を安定させることができる。

【００２５】本例による直動機構及び回転駆動機構で
は、処理容器１内に摺動部が無い。このため、摺動部に
おける摩擦に起因した微小なごみによる処理容器１内の
汚染を防止することができる。また、保持台６が加熱さ
れて熱歪が生じたとしても、リニアガイド機構はリニア
モータ４ａ、４ｂに備えられており、処理容器１の外に
あるので熱歪の影響を受けない。このため、保持台６を
加熱した状態でも安定して保持台６を移動させることが
できる。

【００２６】図１〜図３を参照して、本発明の好ましい
実施の形態による処理容器について説明する。本形態に
よる処理容器は、ステージ６０、クランプ機構７０及び
アンクランプ機構８０を除いて、図１〜図３に示された
処理容器とほぼ同じ構造であり、それゆえ直動機構や回
転駆動機構については図示説明を省略し、処理容器１に
ついても部分的に示している。簡単に言えば、図１〜図
３に示した例では、基板８自体を回転させるようにして
いるが、この形態では、前述した回転駆動機構によりス
テージ６０全体を回転させるようにしている。このた
め、ステージ６０は、駆動用支軸２ａ及び２ｂの他端側
に固定状態ではなく、移し替え可能に保持されている。

【００２７】ステージ６０は、図１〜図３において説明
した駆動用支軸２ａ及び２ｂの他端側に載せられる正方
形の箱状のトロリー６１と、このトロリー６１内に互い
に間隔をおいて設けられた複数の熱シールド板６２と、
トロリー６１の内壁の３箇所に設けられた支持部６１−
１にて支持されたヒータ６３と、基板８を載置するため
にヒータ６３の中央部及びコーナ寄りの位置に植設され
た５本のサポートピン６４とを有している。

【００２８】クランプ機構７０は、図３に詳しく示され
ているように、ベアリング機構７１を有する水平軸７２
を支点として回動可能であって一端側に基板８の押さえ
部７３−１を有するアーム７３と、このアーム７３の他
端側に基板８をクランプするための付勢力を付与するば
ね機構７４とを有する。

【００２９】アンクランプ機構８０は、アーム７３の他
端側における受け部７３−２に対してばね機構７４の付
勢力より大きな回動力を与えてアーム７３をアンクラン
プ状態にするためのものである。アンクランプ機構８０
は、処理容器１の外側からその上壁を貫通して設けられ
てアーム７３の他端の受け部７３−２に上方から回動力
を与えるためのアンクランプピン８１と、アンクランプ
ピン８１を上下方向に駆動するためのシリンダ機構８２
と、アンクランプピン８１における処理容器１の外側部
分を気密状態に維持するためのベローズ機構８３と、シ
リンダ機構８２の支持部８４とを有する。このベローズ
機構８３はまた、アンクランプピン８１の貫通している
処理容器１の上壁の孔からごみ等が侵入することを防止
する。

【００３０】本形態では、クランプ機構７０は、基板８
の一つの側端における２箇所に対向するようにトロリー
６１に設けられている。この場合、ヒータ６３における
アーム７３の押さえ部７３−１に対応する箇所にも基板
８を載置するためのサポートピン６５が設けられてい
る。また、クランプ機構７０とアンクランプ機構８０と
の位置関係は、ステージ６０があらかじめ定められた初
期位置にある時に、アーム７３の他端の受け部７３−２
の真上にアンクランプ機構８０のアンクランプピン８１
が位置するようにされる。この初期位置というのは、ス
テージ６０に対して基板８の移し替えを行う時の位置で
ある。

【００３１】本形態によるクランプ機構７０とアンクラ
ンプ機構８０との作用について説明する。後述する搬送
チャンバから搬送ロボットにより処理容器１内に基板８
を搬入する場合、前述したリニアモータの制御により、
ステージ６０は初期位置に置かれる。この時、アンクラ
ンプ機構８０のアンクランプピン８１が下動してアーム
７３の他端の受け部７３−２を押し下げ、押さえ部７３
−１を上方に回動させる。この状態で基板８が処理容器
１の側面から内部に搬入され、サポートピン６４、６５
上に置かれる。搬入が終了すると、アンクランプピン８
１は上動しアーム７３の受け部７３−２はばね機構７４
により上方に回動し、押さえ部７３−１は下方に回動し
て基板８の側端をサポートピン６５との間で保持する。

【００３２】次に、リニアモータの制御により、ステー
ジ６０の精密な位置決め制御が行われる。そして、ヒー
タ６３による加熱を行い、基板８を図２中、矢印方向に
移動させながら基板８に対するレーザアニーリング処理
が行われる。ヒータ６３による加熱は、前述した液晶表
示装置の製造工程の場合、４００℃程度まで昇温され
る。このレーザアニーリング処理中、必要に応じて前述
した回転駆動機構によりステージ６０全体が回転され
る。すなわち、回転駆動機構の支持板１５を上動させて
ステージ６０を駆動用支軸２ａ及び２ｂの他端側から浮
かせた状態で回転させる。レーザアニーリング処理が終
了したら、ステージ６０を回転させた場合には、回転前
の状態に戻してから、初期位置に戻す。その結果、受け
部７３−２の真上にアンクランプピン８１が位置するこ
とになる。続いて、アンクランプピン８１が下動してア
ーム７３の受け部７３−２を押し下げ、基板８をクラン
プ状態から解放する。この状態で処理済みの基板８が搬
送ロボットにより処理容器１の側面から外部に搬出され
る。搬出が終了すると、次の基板８が搬送ロボットによ
り処理容器１の側面から内部に搬入される。搬入が終了
すると、再びアンクランプピン８１は上動しアーム７３
の受け部７３−２はばね機構７４により上方に回動し、
押さえ部７３−１は下方に回動して基板８の側端をサポ
ートピン６５との間で保持する。

【００３３】このようなクランプ機構７０によれば、基
板８はその一側端のみで面に垂直な方向の力でクランプ
されており、ヒータ６３の加熱による基板８の熱膨張は
面に平行な延びでしかもこの延びは時間的に緩やかであ
るので、この延びが妨げられることは少ない。なお、こ
のクランプ力は、アーム７３の自重と、ばね機構７４の
付勢力とで決まり、ばね機構７４の付勢力を調整するこ
とで適切な値に設定できる。また、クランプ機構７０
は、高温下にさらされるので、ベアリング機構７１は総
セラミック製で、ばね機構７４はインコネル等の材料を
使用することが好ましい。更に、クランプ機構７０でク
ランプした状態でヒータ６３による加熱を行うようにし
ているが、ヒータ６３による加熱を行った後にクランプ
するようにしても良い。この場合、加熱による基板８の
伸びを考慮しなくて済む。

【００３４】ところで、本形態では、基板８が高温に予
熱されるような処理装置を想定しているので、クランプ
機構６０によるクランプを基板８の一側端のみについて
行うようにしている。しかし、常温状態の基板８に対し
てレーザ照射による処理を行う場合もあり、この場合に
は基板８の熱膨張はあまり問題にはならないので、クラ
ンプ機構６０を基板８の２側端以上に対応する箇所に設
けて保持を確実にするようにしても良い。

【００３５】また、図４〜図５で説明したように、本形
態においても、回転駆動機構により基板８のみを回転さ
せるようにしても良い。この場合、図４〜図５で説明し
たように、トロリー６１、熱シールド板６２、及びヒー
タ６３に、支持板１５の通過の可能な穴を設けるように
すれば良い。そして、ステージ６０は駆動用支軸２ａ、
２ｂの他端側に固定される。

【００３６】図７は、上記の処理容器を備えたレーザア
ニーリング装置全体の概略平面図を示す。レーザアニー
リング装置は、処理容器１に加えて、基板８の搬送チャ
ンバ２２、搬入チャンバ２３、搬出チャンバ２４を有し
ている。光学系１０は、ホモジナイザ４１、ＣＣＤカメ
ラ４２及びビデオモニタ４３を含んで構成される。

【００３７】処理容器１と搬送チャンバ２２はゲートバ
ルブ２５を介して結合されている。同様に、搬送チャン
バ２２と搬入チャンバ２３、搬送チャンバ２２と搬出チ
ャンバ２４は、それぞれゲートバルブ２６、２７を介し
て結合されている。処理容器１、搬入チャンバ２３及び
搬出チャンバ２４には、それぞれ真空ポンプ３１、３２
及び３３が設けられ、基板８の移し替えに際して各チャ
ンバの内部が真空排気される。搬送チャンバ２２内に
は、搬送用ロボット２８が収容されている。搬送用ロボ
ット２８は、処理容器１、搬入チャンバ２３及び搬出チ
ャンバ２４の相互間で処理済みの基板あるいは処理前の
基板を移送する。

【００３８】光学系１０においては、パルス発振したエ
キシマレーザ装置４４から出力されたレーザビームがア
ッテネータ４５を通ってホモジナイザ４１に入射する。
ホモジナイザ４１は、レーザビームの断面形状を細長い
形状にする。ホモジナイザ４１を通過したレーザビーム
は、レーザ光の断面形状に対応した細長い石英窓１−１
を透過して処理容器１内の基板を照射する。基板の表面
がホモジナイズ面に一致するように、ホモジナイザ４１
と基板との相対位置が調節されている。

【００３９】基板は、図１で説明した直動機構により石
英窓１−１の長軸方向に直交する向きに移動する。１シ
ョット分の照射領域の一部が前回のショットにおける照
射領域の一部と重なるような速さで基板を移動させるこ
とにより、基板表面の広い領域を照射することができ
る。基板表面はＣＣＤカメラ４２により撮影され、処理
中の基板表面をビデオモニタ４３で観察することができ
る。

【００４０】リニアモータ４ａ、４ｂ、シリンダ１３、
モータ１４、ゲートバルブ２５〜２７、搬送用ロボット
２８、ホモジナイザ４１、エキシマレーザ装置４４、及
びアンクランプ機構８０の動作は、制御装置４０によっ
て制御される。

【００４１】上記の例では、駆動源としてリニアモータ
を使用しているが、その他の直動駆動源、例えば回転モ
ータとボールねじの組み合わせが用いられる場合もあ
る。また、上記形態では、レーザアニール装置を例にし
て説明したが、図１〜図３に示された処理容器をその他
の装置に適用することも可能である。例えば、特殊な薬
品を使用する場合のように、外界と遮断する必要のある
環境下において被処理基板を保持することが必要な処理
容器の場合にも有効である。

【００４２】上記の実施の形態では、保持台６を駆動用
支軸２ａ、２ｂにより片持ち式に支持するようにしてい
るが、本発明はこのような形態に限らず、保持台を２本
の駆動用支軸で、いわゆるおみこしのように支持する形
態でも適用可能である。この構造について簡単に言え
ば、処理容器と、処理容器内に配置され、両端が処理容
器の壁を貫通して外部まで導出された２本の駆動用支軸
と、駆動用支軸が処理容器の壁を貫通する箇所におい
て、駆動用支軸がその軸方向に並進移動可能なように、
かつ処理容器の内部の気密性が保たれるように、内部と
外部とを隔離する気密機構と、駆動用支軸の一方の端部
に取り付けられ、該駆動用支軸が処理容器に対して軸方
向に並進移動可能なように駆動用支軸を支持するリニア
ガイド機構と、駆動用支軸の他方の端部に取り付けら
れ、駆動用支軸を処理容器に対して軸方向に並進移動さ
せる駆動機構と、処理容器の内において、駆動用支軸に
取り付けられ、処理対象物を保持する保持手段とを有す
る。このような装置は、本出願人により出願された特願
平８−３２３０４９号に示されている。但し、この装置
では、２本の駆動用支軸が共通の駆動機構により一体的
に駆動されるので、微小な回転角度補正が困難である。
これは、図４に示されるように、２本の駆動用支軸を別
々の駆動源、すなわちリニアモータで個別に駆動するこ
とで実現できる。しかし、図４に示されるようにせずと
も、図７に示したホモジナイザ４１により微小な回転角
度の補正を行うこともできる。

【００４３】本発明はまた、図５に示されるような回転
駆動機構を持たない処理容器にも適用可能であることは
言うまでの無い。

【００４４】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ステージ上の被処理基板を、位置ずれを生じないように
保持することができ、しかも、被処理基板に熱膨張が生
じたとしても、それを妨げること無く保持することがで
きる。このことにより、ステージの位置決め制御を高速
で行っても被処理基板の位置がずれるようなことは無
く、振動による位置ずれも防止される。その結果、ステ
ージの位置決め制御を高速でしかも精密に行うことがで
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の好ましい実施の形態による処理容器の
うちの主要部であるステージの平面図である。

【図２】図１の線Ａ−Ａによる断面図であり、図１に示
されないアンクランプ機構をも示している。

【図３】図１に示されたクランプ機構の構成を示す側面
図である。

【図４】本発明が適用されるレーザアニーリング装置の
うちの処理容器の概略構成を示す平面図である。

【図５】図４の線Ｂ−Ｂによる断面図である。

【図６】図４の線Ｃ−Ｃによる断面図である。

【図７】図１の処理容器をレーザアニーリング装置に適
用した場合の概略構成を示す平面図である。

【符号の説明】

１ 処理容器 ２ａ、２ｂ 駆動用支軸 ４ａ、４ｂ リニアモータ ５ａ、５ｂ、１６ 真空ベローズ ６ 保持台 ８ 基板 ９ａ、９ｂ、６３ ヒータ １０ 光学系 １１ａ、１１ｂ リニアエンコーダ １２ 回転駆動軸 ２２ 搬送チャンバ ２３ 搬入チャンバ ２４ 搬出チャンバ ２５〜２７ ゲートバルブ ２８ 搬送ロボット ３１〜３３ 真空ポンプ ４０ 制御装置 ４１ ホモジナイザ ４２ ＣＣＤカメラ ４３ ビデオモニタ ４４ エキシマレーザ装置 ４５ アッテネータ ６０ ステージ ６１ トロリー ６２ 熱シールド板 ６４、６５ サポートピン ７０ クランプ機構 ７１ ベアリング機構 ７３ アーム ７４ ばね機構 ８０ アンクランプ機構 ８１ アンクランプピン ８２ シリンダ機構 ８３ ベローズ機構

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 気密状態を維持される処理容器と、 前記処理容器内に配置され、被処理基板を載置するため
   の複数のピンを植設したステージと、 該ステージに載置された前記被処理基板の少なくとも一
   つの側端において前記被処理基板をその上側から押さえ
   るクランプ機構と、 該クランプ機構によりクランプされている前記被処理基
   板をクランプ状態から解放するためのアンクランプ機構
   とを含み、 該クランプ機構は、水平軸を支点として回動可能であっ
   て一端側に前記被処理基板の押さえ部を有するアーム
   と、 該アームの他端側に前記被処理基板をクランプするため
   の付勢力を付与するばね機構とを含み、 前記アンクランプ機構は、前記アームの他端側に前記ば
   ね機構の付勢力より大きな回動力を与えて該アームをア
   ンクランプ状態にすることを特徴とする被処理基板のク
   ランプ機構を備えた処理容器。
2. 【請求項２】 前記ステージは、前記被処理基板の下側
   に加熱用のヒータを備え、該ヒータに前記複数のピンが
   植設されていることを特徴とする請求項１記載の処理容
   器。
3. 【請求項３】 前記アンクランプ機構は、該処理容器の
   外側からその上壁を貫通して設けられて前記アームの他
   端側に上方から回動力を与えるためのアンクランプピン
   と、 該アンクランプピンを上下方向に駆動するためのシリン
   ダ機構と、 前記アンクランプピンにおける前記処理容器の外側部分
   を気密状態に維持するためのベローズ機構とを含むこと
   を特徴とする請求項２記載の処理容器。
4. 【請求項４】 前記クランプ機構及び前記アンクランプ
   機構は、前記被処理基板の少なくとも一つの側端におい
   て２箇所に設けられ、前記ヒータにおける前記アームの
   被処理基板の押さえ部に対応する箇所にも前記被処理基
   板を載置するための前記ピンが設けられていることを特
   徴とする請求項３記載の処理容器。