JPH10301070A - ファラデー回転角可変装置 - Google Patents
ファラデー回転角可変装置Info
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- JPH10301070A JPH10301070A JP9121678A JP12167897A JPH10301070A JP H10301070 A JPH10301070 A JP H10301070A JP 9121678 A JP9121678 A JP 9121678A JP 12167897 A JP12167897 A JP 12167897A JP H10301070 A JPH10301070 A JP H10301070A
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- faraday
- faraday rotation
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ファラデー回転角を可変でき、且つ1個の電
磁石で容易に制御でき、小型化できるようにする。 【解決手段】 保磁力の異なる複数種類の磁性ガーネッ
ト単結晶膜12a,12bを光軸方向に重ねるように配
列したファラデー素子10と、該ファラデー素子に光軸
方向の磁界を印加する単一の電磁石14とを具備し、該
電磁石による前記ファラデー素子への印加磁界を制御す
ることによりファラデー回転角の代数和を変えるように
構成する。電磁石による印加磁界の大小によって、1種
又は複数種類の磁性ガーネット単結晶膜の磁化方向を反
転し、それによってファラデー素子を構成している全て
の磁性ガーネット単結晶によるファラデー回転角の合計
を変えるようになっている。このファラデー回転角可変
装置は、光スイッチや光アッテネータにも使用可能であ
る。
磁石で容易に制御でき、小型化できるようにする。 【解決手段】 保磁力の異なる複数種類の磁性ガーネッ
ト単結晶膜12a,12bを光軸方向に重ねるように配
列したファラデー素子10と、該ファラデー素子に光軸
方向の磁界を印加する単一の電磁石14とを具備し、該
電磁石による前記ファラデー素子への印加磁界を制御す
ることによりファラデー回転角の代数和を変えるように
構成する。電磁石による印加磁界の大小によって、1種
又は複数種類の磁性ガーネット単結晶膜の磁化方向を反
転し、それによってファラデー素子を構成している全て
の磁性ガーネット単結晶によるファラデー回転角の合計
を変えるようになっている。このファラデー回転角可変
装置は、光スイッチや光アッテネータにも使用可能であ
る。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、保磁力の異なる2
種以上の磁性ガーネット単結晶膜を光軸方向に重ねるよ
うに配列したファラデー素子を使用し、電磁石により該
ファラデー素子への印加磁界を制御してファラデー回転
角の代数和を所望の角度に変化させるファラデー回転角
可変装置、及びそれを用いた光スイッチ、ステップ可変
光アッテネータに関するものである。
種以上の磁性ガーネット単結晶膜を光軸方向に重ねるよ
うに配列したファラデー素子を使用し、電磁石により該
ファラデー素子への印加磁界を制御してファラデー回転
角の代数和を所望の角度に変化させるファラデー回転角
可変装置、及びそれを用いた光スイッチ、ステップ可変
光アッテネータに関するものである。
【0002】
【従来の技術】光通信システムや光計測システムなどで
は、光の進行方向を空間的に切り換えるための光スイッ
チ、あるいは光の透過光量を調整するための光アッテネ
ータが必要である。
は、光の進行方向を空間的に切り換えるための光スイッ
チ、あるいは光の透過光量を調整するための光アッテネ
ータが必要である。
【0003】例えば、高いシステム信頼度が必要な光通
信システムでは、装置や伝送路の障害による通信不能を
回避するために、多重化してある装置や伝送路の切り換
えを光スイッチで行う。光スイッチの構造は種々提案さ
れているが、代表的な例は偏光方向を磁界で切り換える
ことでスイッチングを起こさせる方式である。
信システムでは、装置や伝送路の障害による通信不能を
回避するために、多重化してある装置や伝送路の切り換
えを光スイッチで行う。光スイッチの構造は種々提案さ
れているが、代表的な例は偏光方向を磁界で切り換える
ことでスイッチングを起こさせる方式である。
【0004】従来の光スイッチの一例を図8に示す。こ
れは45度ファラデー回転子70と1/2波長板74と
を、対称配置した第1の複合偏光プリズム76と第2の
複合偏光プリズム78との間に配置する構成である。こ
こで、ファラデー回転子70はファラデー素子(所定膜
厚の磁性ガーネット単結晶)71と電磁石72とを組み
合わせた構成であり、複合偏光プリズム76,78は平
行四辺形プリズムと直角三角形プリズムとを、間に偏光
分離膜79を介して接合した構成である。
れは45度ファラデー回転子70と1/2波長板74と
を、対称配置した第1の複合偏光プリズム76と第2の
複合偏光プリズム78との間に配置する構成である。こ
こで、ファラデー回転子70はファラデー素子(所定膜
厚の磁性ガーネット単結晶)71と電磁石72とを組み
合わせた構成であり、複合偏光プリズム76,78は平
行四辺形プリズムと直角三角形プリズムとを、間に偏光
分離膜79を介して接合した構成である。
【0005】ポートから入射した光は、第1の複合偏
光プリズム76によりP偏光とS偏光に分離する。各々
の偏光はファラデー回転子70により偏光方向が−45
度回転し、次に1/2波長板74によって+45度回転
するため、相殺されて偏光方向は変わらずポートに結
合する。電磁石72による印加磁界を反転させると、ポ
ートから入射した光は、ファラデー回転子70により
偏光方向が+45度回転し、1/2波長板74によって
更に+45度回転するため、偏光方向が合計90度回転
することになりポートに結合する。このようにして、
ポートからの入射光を、電磁石72による印加磁界の
制御によりポート又はポートのいずれかに送出する
ことができる。
光プリズム76によりP偏光とS偏光に分離する。各々
の偏光はファラデー回転子70により偏光方向が−45
度回転し、次に1/2波長板74によって+45度回転
するため、相殺されて偏光方向は変わらずポートに結
合する。電磁石72による印加磁界を反転させると、ポ
ートから入射した光は、ファラデー回転子70により
偏光方向が+45度回転し、1/2波長板74によって
更に+45度回転するため、偏光方向が合計90度回転
することになりポートに結合する。このようにして、
ポートからの入射光を、電磁石72による印加磁界の
制御によりポート又はポートのいずれかに送出する
ことができる。
【0006】次に従来の光アッテネータの一例を図9に
示し、それに用いるファラデー回転角可変装置の構造例
を模式的に図10に示す。それぞれコリメートレンズ8
6,87を有する入力ファイバ88と出力ファイバ89
との間に、楔形複屈折結晶(例えばルチルなど)からな
る偏光子80と、ファラデー回転角可変装置84と、楔
形複屈折結晶からなる検光子82を、この順序で光軸上
に配置した構成である(特開平6−51255公報参
照)。ここでファラデー回転角可変装置84は、ファラ
デー素子(磁性ガーネット単結晶)90と、それに90
度異なる二方向から磁界を印加する永久磁石91と電磁
石92との組み合わせからなる。磁性ガーネット単結晶
の磁気モーメントは、永久磁石91による一定磁界と電
磁石92による可変磁界とによる合成磁界の方向を向
き、それに応じてファラデー回転角が変化する。
示し、それに用いるファラデー回転角可変装置の構造例
を模式的に図10に示す。それぞれコリメートレンズ8
6,87を有する入力ファイバ88と出力ファイバ89
との間に、楔形複屈折結晶(例えばルチルなど)からな
る偏光子80と、ファラデー回転角可変装置84と、楔
形複屈折結晶からなる検光子82を、この順序で光軸上
に配置した構成である(特開平6−51255公報参
照)。ここでファラデー回転角可変装置84は、ファラ
デー素子(磁性ガーネット単結晶)90と、それに90
度異なる二方向から磁界を印加する永久磁石91と電磁
石92との組み合わせからなる。磁性ガーネット単結晶
の磁気モーメントは、永久磁石91による一定磁界と電
磁石92による可変磁界とによる合成磁界の方向を向
き、それに応じてファラデー回転角が変化する。
【0007】例えば、偏光子80と検光子82を構成す
る両複屈折結晶の光学軸が互いに平行となるように配置
した場合、次のように動作する。入力ファイバ88から
出射し第1のレンズ86で平行ビームとなった光は、偏
光子80により常光oと異常光eに分離する。常光oと
異常光eの偏光方向は互いに直交している。そして、各
々の光はファラデー回転角可変装置84を通過する際、
光軸に直角方向の磁気モーメントの大きさに依存して偏
光方向が回転し、それぞれ検光子82により常光o1 と
異常光e1 、常光o2 と異常光e2 に分離する。検光子
82から出射する常光o1 と異常光e2 は互いに平行
で、第2のレンズ87によって出力ファイバ89に結合
する(実線で示す)が、検光子82から出射する異常光
e1 と常光o2 は互いに平行ではなく広がるため、第2
のレンズ87を通っても出力ファイバ89には結合しな
い(破線で示す)。
る両複屈折結晶の光学軸が互いに平行となるように配置
した場合、次のように動作する。入力ファイバ88から
出射し第1のレンズ86で平行ビームとなった光は、偏
光子80により常光oと異常光eに分離する。常光oと
異常光eの偏光方向は互いに直交している。そして、各
々の光はファラデー回転角可変装置84を通過する際、
光軸に直角方向の磁気モーメントの大きさに依存して偏
光方向が回転し、それぞれ検光子82により常光o1 と
異常光e1 、常光o2 と異常光e2 に分離する。検光子
82から出射する常光o1 と異常光e2 は互いに平行
で、第2のレンズ87によって出力ファイバ89に結合
する(実線で示す)が、検光子82から出射する異常光
e1 と常光o2 は互いに平行ではなく広がるため、第2
のレンズ87を通っても出力ファイバ89には結合しな
い(破線で示す)。
【0008】電磁石92による印加磁界が0の時、ファ
ラデー回転角は90度(磁気モーメントが光軸と平行)
であり、偏光子80から出射した常光oは検光子82か
ら異常光e1 として出射し、偏光子80から出射した異
常光eは検光子82から常光o2 として出射するため、
第2のレンズ87を通っても出力ファイバ89には結合
しない。それに対して電磁石92による印加磁界が十分
大きいと、ファラデー回転角は0度に近づき、偏光子8
0から出射した常光oは殆どそのまま検光子82から常
光o1 として出射し、偏光子80から出射した異常光e
は殆どそのまま検光子82から異常光e2 として出射す
るため、両光は平行で全て第2のレンズ87によって出
力ファイバ89に結合する。このようにして電磁石92
による印加磁界の強さに応じて、磁気モーメントが回転
してファラデー回転角は0度から約90度までの範囲で
変化し、それに応じて、出力ファイバ89に結合する光
量が異なることになり、光アッテネータとして機能する
ことになる。
ラデー回転角は90度(磁気モーメントが光軸と平行)
であり、偏光子80から出射した常光oは検光子82か
ら異常光e1 として出射し、偏光子80から出射した異
常光eは検光子82から常光o2 として出射するため、
第2のレンズ87を通っても出力ファイバ89には結合
しない。それに対して電磁石92による印加磁界が十分
大きいと、ファラデー回転角は0度に近づき、偏光子8
0から出射した常光oは殆どそのまま検光子82から常
光o1 として出射し、偏光子80から出射した異常光e
は殆どそのまま検光子82から異常光e2 として出射す
るため、両光は平行で全て第2のレンズ87によって出
力ファイバ89に結合する。このようにして電磁石92
による印加磁界の強さに応じて、磁気モーメントが回転
してファラデー回転角は0度から約90度までの範囲で
変化し、それに応じて、出力ファイバ89に結合する光
量が異なることになり、光アッテネータとして機能する
ことになる。
【0009】なお偏光子80と検光子82の両複屈折結
晶の光学軸が互いに直交するように配置した場合は、上
記と反対に、ファラデー回転角が90度の場合に透過光
量が最大となり、0度の場合に透過光量が最小となる。
晶の光学軸が互いに直交するように配置した場合は、上
記と反対に、ファラデー回転角が90度の場合に透過光
量が最大となり、0度の場合に透過光量が最小となる。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】光スイッチの場合、1
/2波長板によって偏光方向を正確に45度回転させる
ためには、その光学軸を入射光に対して正確に22.5
度傾けて組み込む必要がある。1/2波長板は例えば水
晶板などからなり、電磁石の側面に貼り付けている。1
/2波長板は、結晶体を矩形板状辺に切断する時に外形
辺に対する光学軸の角度を規定しているが、電磁石の側
面に貼り付ける際に取り付け誤差が生じないように光軸
合わせの精度が要求され、組み立て作業が煩瑣となって
いる。
/2波長板によって偏光方向を正確に45度回転させる
ためには、その光学軸を入射光に対して正確に22.5
度傾けて組み込む必要がある。1/2波長板は例えば水
晶板などからなり、電磁石の側面に貼り付けている。1
/2波長板は、結晶体を矩形板状辺に切断する時に外形
辺に対する光学軸の角度を規定しているが、電磁石の側
面に貼り付ける際に取り付け誤差が生じないように光軸
合わせの精度が要求され、組み立て作業が煩瑣となって
いる。
【0011】光アッテネータの場合、ファラデー素子に
対して磁界を二方向から印加するため、少なくとも2個
の磁石を必要とし、構成や制御が複雑になり、大型化す
る。上記のように1個の磁石を永久磁石とすると、電磁
石により光の進行方向に直角に磁界を印加しても、磁気
モーメントは電磁石と永久磁石の磁界の合成した方向を
向くため、ファラデー回転角は0から90度までとはな
らない。光の進行方向と平行な成分は必ず残るからであ
る。両方の磁石を電磁石とすることで、この問題は解決
できるが、制御が複雑になる欠点が生じる。
対して磁界を二方向から印加するため、少なくとも2個
の磁石を必要とし、構成や制御が複雑になり、大型化す
る。上記のように1個の磁石を永久磁石とすると、電磁
石により光の進行方向に直角に磁界を印加しても、磁気
モーメントは電磁石と永久磁石の磁界の合成した方向を
向くため、ファラデー回転角は0から90度までとはな
らない。光の進行方向と平行な成分は必ず残るからであ
る。両方の磁石を電磁石とすることで、この問題は解決
できるが、制御が複雑になる欠点が生じる。
【0012】本発明の目的は、制御が容易で小型化でき
るファラデー回転角可変装置を提供することである。本
発明の他の目的は、煩瑣で精度が要求される1/2波長
板の光軸合わせが不要なため、製造し易い光スイッチを
提供することである。本発明の更に他の目的は、制御が
容易で小型化でき、温度や波長の変化に対する影響を受
け難く、ファラデー回転角差90度が得られるような光
アッテネータを提供することである。
るファラデー回転角可変装置を提供することである。本
発明の他の目的は、煩瑣で精度が要求される1/2波長
板の光軸合わせが不要なため、製造し易い光スイッチを
提供することである。本発明の更に他の目的は、制御が
容易で小型化でき、温度や波長の変化に対する影響を受
け難く、ファラデー回転角差90度が得られるような光
アッテネータを提供することである。
【0013】
【課題を解決するための手段】本発明は、保磁力の異な
る複数種類の磁性ガーネット単結晶膜を光軸方向に重ね
るように配列したファラデー素子と、該ファラデー素子
に光軸方向の磁界を印加する単一の電磁石とを具備し、
該電磁石による前記ファラデー素子への印加磁界を制御
することによりファラデー回転角の代数和を変えるよう
にしたファラデー回転角可変装置である。電磁石による
印加磁界の大小によって、1種又は複数種類の磁性ガー
ネット単結晶膜の磁化方向を反転し、それによってファ
ラデー素子を構成している全ての磁性ガーネット単結晶
によるファラデー回転角の合計を変えるようになってい
る。
る複数種類の磁性ガーネット単結晶膜を光軸方向に重ね
るように配列したファラデー素子と、該ファラデー素子
に光軸方向の磁界を印加する単一の電磁石とを具備し、
該電磁石による前記ファラデー素子への印加磁界を制御
することによりファラデー回転角の代数和を変えるよう
にしたファラデー回転角可変装置である。電磁石による
印加磁界の大小によって、1種又は複数種類の磁性ガー
ネット単結晶膜の磁化方向を反転し、それによってファ
ラデー素子を構成している全ての磁性ガーネット単結晶
によるファラデー回転角の合計を変えるようになってい
る。
【0014】各磁性ガーネット単結晶膜の厚さは、全て
同じファラデー回転角となるように設定してもよいし、
全く異なるファラデー回転角となるように組み合わせて
もよい。組成の異なる磁性ガーネット単結晶膜を組み合
わせてもよいし、同じ組成の磁性ガーネット単結晶膜を
用いてもよい。同じ組成、同じウエハでも、チップに切
断した状態では保磁力にある程度のばらつきが生じてい
るから、保磁力に応じて選別することで所望の組み合わ
せが実現可能である。またその後の熱処理などによって
も、保磁力を調整することが可能である。更に、これら
組み合わせる磁性ガーネット単結晶膜の枚数は任意であ
り、密着するように配列してもよいし、間隔をおいて配
列してもよい。このファラデー回転角可変装置は、光ス
イッチファラデー回転子やステップ可変型光アッテネー
タのファラデー回転角可変装置として利用できる。
同じファラデー回転角となるように設定してもよいし、
全く異なるファラデー回転角となるように組み合わせて
もよい。組成の異なる磁性ガーネット単結晶膜を組み合
わせてもよいし、同じ組成の磁性ガーネット単結晶膜を
用いてもよい。同じ組成、同じウエハでも、チップに切
断した状態では保磁力にある程度のばらつきが生じてい
るから、保磁力に応じて選別することで所望の組み合わ
せが実現可能である。またその後の熱処理などによって
も、保磁力を調整することが可能である。更に、これら
組み合わせる磁性ガーネット単結晶膜の枚数は任意であ
り、密着するように配列してもよいし、間隔をおいて配
列してもよい。このファラデー回転角可変装置は、光ス
イッチファラデー回転子やステップ可変型光アッテネー
タのファラデー回転角可変装置として利用できる。
【0015】
【発明の実施の形態】図1はファラデー回転角可変装置
の一例を示しており、ファラデー素子10として2種の
保磁力の異なる磁性ガーネット単結晶膜12a,12b
を使用する例である。2枚の磁性ガーネット単結晶膜1
2a,12bを光軸方向に重ねるように配列し、それら
の外側に、光軸方向の磁界を印加するための電磁石14
を配置する。図2に示すように、各磁性ガーネット単結
晶膜12a,12bの保磁力をHa ,Hb (但し、Ha
<Hb )とし、全て角形の磁気ヒステリシスを持つもの
する。各磁性ガーネット単結晶膜12a,12bの膜厚
は、磁気飽和時のファラデー回転角の絶対値が45度と
なる厚みに設定する。
の一例を示しており、ファラデー素子10として2種の
保磁力の異なる磁性ガーネット単結晶膜12a,12b
を使用する例である。2枚の磁性ガーネット単結晶膜1
2a,12bを光軸方向に重ねるように配列し、それら
の外側に、光軸方向の磁界を印加するための電磁石14
を配置する。図2に示すように、各磁性ガーネット単結
晶膜12a,12bの保磁力をHa ,Hb (但し、Ha
<Hb )とし、全て角形の磁気ヒステリシスを持つもの
する。各磁性ガーネット単結晶膜12a,12bの膜厚
は、磁気飽和時のファラデー回転角の絶対値が45度と
なる厚みに設定する。
【0016】この構造において、電磁石14でファラデ
ー素子10に外部磁界+H2 (但しH2 >Hb)を印加
した場合、両方の磁性ガーネット単結晶膜12a,12
bが+方向に磁化し、全体のファラデー回転角は+90
度となる。その状態から、外部磁界−H1 (但しHa<
H1 <Hb)を印加すると、磁性ガーネット単結晶膜1
2aのみの磁化が反転するためファラデー回転角の代数
和は0度となる。更にその状態から、外部磁界−H2 を
印加すると、磁性ガーネット単結晶膜12bの磁化も反
転するためファラデー回転角の代数和は−90度とな
る。
ー素子10に外部磁界+H2 (但しH2 >Hb)を印加
した場合、両方の磁性ガーネット単結晶膜12a,12
bが+方向に磁化し、全体のファラデー回転角は+90
度となる。その状態から、外部磁界−H1 (但しHa<
H1 <Hb)を印加すると、磁性ガーネット単結晶膜1
2aのみの磁化が反転するためファラデー回転角の代数
和は0度となる。更にその状態から、外部磁界−H2 を
印加すると、磁性ガーネット単結晶膜12bの磁化も反
転するためファラデー回転角の代数和は−90度とな
る。
【0017】この説明から明らかなように、保磁力の異
なる磁性ガーネット単結晶膜の厚みの選択と、それらの
組み合わせにより、電磁石による印加磁界を制御するこ
とで所望のファラデー回転角を実現することができる。
なる磁性ガーネット単結晶膜の厚みの選択と、それらの
組み合わせにより、電磁石による印加磁界を制御するこ
とで所望のファラデー回転角を実現することができる。
【0018】図3は光スイッチの一例である。これは対
称配置した第1の複合偏光プリズム20と第2の複合偏
光プリズム22との間にファラデー回転角可変装置24
を配置した構成である。ここでファラデー回転角可変装
置24は、図1に示した構成と同じであり、保磁力の異
なる2種類の磁性ガーネット単結晶膜12a,12bか
らなるファラデー素子10と電磁石14とを組み合わせ
た構成である。両複合偏光プリズムは同じ構造であり、
平行四辺形プリズム25と直角三角形プリズム26と
を、間に偏光分離膜27を介して接合した構成である。
称配置した第1の複合偏光プリズム20と第2の複合偏
光プリズム22との間にファラデー回転角可変装置24
を配置した構成である。ここでファラデー回転角可変装
置24は、図1に示した構成と同じであり、保磁力の異
なる2種類の磁性ガーネット単結晶膜12a,12bか
らなるファラデー素子10と電磁石14とを組み合わせ
た構成である。両複合偏光プリズムは同じ構造であり、
平行四辺形プリズム25と直角三角形プリズム26と
を、間に偏光分離膜27を介して接合した構成である。
【0019】はじめに図2の磁界(+H2 以上)をファ
ラデー素子10に印加し、両磁性ガーネット単結晶膜1
2a,12bを+方向に磁化しておく。この時、偏光方
向は両方の磁性ガーネット単結晶膜によって合計+90
度回転する。電磁石14により磁界(−H1 )を印加す
ると、一方の磁性ガーネット単結晶膜12aのみ磁化が
反転してその偏光方向のみ−45度回転するために、他
方の磁性ガーネット単結晶膜12bとの合計のファラデ
ー回転角は0度となる。次に、電磁石14により磁界
(+H1 )を印加すると、磁性ガーネット単結晶12a
の磁化が再度反転してファラデー回転角の代数和は+9
0度になる。このようにして、電磁石14によって磁界
を+H1 か−H1 のいずれかに制御することでファラデ
ー素子10のファラデー回転角の代数和は+90度と0
度に切り替わることになる。
ラデー素子10に印加し、両磁性ガーネット単結晶膜1
2a,12bを+方向に磁化しておく。この時、偏光方
向は両方の磁性ガーネット単結晶膜によって合計+90
度回転する。電磁石14により磁界(−H1 )を印加す
ると、一方の磁性ガーネット単結晶膜12aのみ磁化が
反転してその偏光方向のみ−45度回転するために、他
方の磁性ガーネット単結晶膜12bとの合計のファラデ
ー回転角は0度となる。次に、電磁石14により磁界
(+H1 )を印加すると、磁性ガーネット単結晶12a
の磁化が再度反転してファラデー回転角の代数和は+9
0度になる。このようにして、電磁石14によって磁界
を+H1 か−H1 のいずれかに制御することでファラデ
ー素子10のファラデー回転角の代数和は+90度と0
度に切り替わることになる。
【0020】電磁石14によってファラデー素子10の
合計のファラデー回転角が0度に制御されているものと
する。ポートから入射した光は、第1の複合偏光プリ
ズム20の偏光分離膜27でP偏光とS偏光に分離す
る。透過したP偏光は、ファラデー回転角可変装置24
で偏光方向は回転せずP偏光のままであり、第2の複合
偏光プリズム22の偏光分離膜27を透過する。他方、
第1の複合偏光プリズム20の偏光分離膜27で反射し
たS偏光も、ファラデー回転角可変装置24では偏光方
向が回転せずS偏光のままであり、第2の複合偏光プリ
ズム22の偏光分離膜27で反射する。このようにして
ポートからの入射光はポートに結合する(図3参
照)。次に、電磁石14を切り換えてファラデー素子2
4の合計ファラデー回転角を90度に制御する。ポート
から入射した光は、第1の複合偏光プリズム20の偏
光分離膜27でP偏光とS偏光に分離する。透過したP
偏光は、ファラデー回転角可変装置24で偏光方向が9
0度回転してS偏光となり、第2の複合偏光プリズム2
2の偏光分離膜27で反射する。他方、第1の複合偏光
プリズム20の偏光分離膜27で反射したS偏光は、フ
ァラデー回転角可変装置24で偏光方向が90度回転し
てP偏光となり、第2の複合偏光プリズム22の偏光分
離膜27を透過する。このようにしてポートからの入
射光はポートに結合する。従って、電磁石14による
印加磁界を制御することで、光路を切り換えることがで
きる。
合計のファラデー回転角が0度に制御されているものと
する。ポートから入射した光は、第1の複合偏光プリ
ズム20の偏光分離膜27でP偏光とS偏光に分離す
る。透過したP偏光は、ファラデー回転角可変装置24
で偏光方向は回転せずP偏光のままであり、第2の複合
偏光プリズム22の偏光分離膜27を透過する。他方、
第1の複合偏光プリズム20の偏光分離膜27で反射し
たS偏光も、ファラデー回転角可変装置24では偏光方
向が回転せずS偏光のままであり、第2の複合偏光プリ
ズム22の偏光分離膜27で反射する。このようにして
ポートからの入射光はポートに結合する(図3参
照)。次に、電磁石14を切り換えてファラデー素子2
4の合計ファラデー回転角を90度に制御する。ポート
から入射した光は、第1の複合偏光プリズム20の偏
光分離膜27でP偏光とS偏光に分離する。透過したP
偏光は、ファラデー回転角可変装置24で偏光方向が9
0度回転してS偏光となり、第2の複合偏光プリズム2
2の偏光分離膜27で反射する。他方、第1の複合偏光
プリズム20の偏光分離膜27で反射したS偏光は、フ
ァラデー回転角可変装置24で偏光方向が90度回転し
てP偏光となり、第2の複合偏光プリズム22の偏光分
離膜27を透過する。このようにしてポートからの入
射光はポートに結合する。従って、電磁石14による
印加磁界を制御することで、光路を切り換えることがで
きる。
【0021】上記の例では、複合偏光プリズムとして平
行四辺形プリズムと直角三角形プリズムとの間に偏光分
離膜を介在させたものを用いているが、直角三角形プリ
ズムに代えて平行四辺形プリズムを用い、それら2個の
平行四辺形プリズムの間に偏光分離膜を介在させたもの
でもよい。このような構成にすると、出射光ポート(ポ
ート及びポート)を同じ向きに取り出すことがで
き、装置を小型化できる利点が生じる。
行四辺形プリズムと直角三角形プリズムとの間に偏光分
離膜を介在させたものを用いているが、直角三角形プリ
ズムに代えて平行四辺形プリズムを用い、それら2個の
平行四辺形プリズムの間に偏光分離膜を介在させたもの
でもよい。このような構成にすると、出射光ポート(ポ
ート及びポート)を同じ向きに取り出すことがで
き、装置を小型化できる利点が生じる。
【0022】図4は光アッテネータの一例である。それ
ぞれ楔形複屈折結晶からなり対称配置した偏光子30と
検光子32との間に、ファラデー回転角可変装置34を
配置し、それらをそれぞれコリメートレンズ36,37
を有する入力ファイバ38と出力ファイバ39との間に
設置する。ここでファラデー回転角可変装置34は、保
磁力が異なり角形の磁化ヒステリシスを呈する多数種類
の磁性ガーネット単結晶膜を光軸方向に重ねるように組
み合わせたファラデー素子40と、該ファラデー素子4
0に光軸方向の磁界を印加する単一の電磁石44とから
なり、該電磁石44による前記ファラデー素子40への
印加磁界を制御することによりファラデー回転角の代数
和を変化させ透過光量を離散的に切り換える構成であ
る。偏光子30及び検光子32は、例えばルチルからな
る同一形状で、それらの光学軸は紙面に垂直な平面内に
あり、それぞれの斜面が平行で且つ外側に位置するよう
に配列している。
ぞれ楔形複屈折結晶からなり対称配置した偏光子30と
検光子32との間に、ファラデー回転角可変装置34を
配置し、それらをそれぞれコリメートレンズ36,37
を有する入力ファイバ38と出力ファイバ39との間に
設置する。ここでファラデー回転角可変装置34は、保
磁力が異なり角形の磁化ヒステリシスを呈する多数種類
の磁性ガーネット単結晶膜を光軸方向に重ねるように組
み合わせたファラデー素子40と、該ファラデー素子4
0に光軸方向の磁界を印加する単一の電磁石44とから
なり、該電磁石44による前記ファラデー素子40への
印加磁界を制御することによりファラデー回転角の代数
和を変化させ透過光量を離散的に切り換える構成であ
る。偏光子30及び検光子32は、例えばルチルからな
る同一形状で、それらの光学軸は紙面に垂直な平面内に
あり、それぞれの斜面が平行で且つ外側に位置するよう
に配列している。
【0023】各磁性ガーネット単結晶膜は、例えば磁化
飽和時のファラデー回転角がそれぞれ15度となる厚み
に設定されているものとする。十分大きな+方向の外部
磁界を印加したときには、全ての磁性ガーネット単結晶
膜が同じ方向に磁化され、合計のファラデー回転角は+
90度である。その後、小さな逆向きの(−方向の)磁
界を印加して、最も保磁力の小さな磁性ガーネット単結
晶膜の磁化方向を反転させると、ファラデー回転角の代
数和は+60度となる。このようにして、電磁石による
外部磁界の方向と強さを制御することによって、それぞ
れの磁性ガーネット単結晶膜の磁化方向を切り換え、フ
ァラデー回転角の代数和を−90度から+90度の範囲
で30度毎にステップ的に変えることが可能となる。
飽和時のファラデー回転角がそれぞれ15度となる厚み
に設定されているものとする。十分大きな+方向の外部
磁界を印加したときには、全ての磁性ガーネット単結晶
膜が同じ方向に磁化され、合計のファラデー回転角は+
90度である。その後、小さな逆向きの(−方向の)磁
界を印加して、最も保磁力の小さな磁性ガーネット単結
晶膜の磁化方向を反転させると、ファラデー回転角の代
数和は+60度となる。このようにして、電磁石による
外部磁界の方向と強さを制御することによって、それぞ
れの磁性ガーネット単結晶膜の磁化方向を切り換え、フ
ァラデー回転角の代数和を−90度から+90度の範囲
で30度毎にステップ的に変えることが可能となる。
【0024】例えば偏光子30と検光子32の両複屈折
結晶の光学軸の方向が平行の場合には次のように動作す
る。入力ファイバ38から出射し第1のレンズ36で平
行ビームとなった光は、偏光子30により常光oと異常
光eに分離する。常光oと異常光eの偏光方向は互いに
直交している。そして、各々の光はファラデー回転角可
変装置34を通過する際、ファラデー回転角に依存して
偏光方向が同じ角度だけ回転し、それぞれ検光子32に
よって常光o1 と異常光e1 、常光o2 と異常光e2 に
分離する。検光子32から出射する常光o1 と異常光e
2 は互いに平行であり、第2のレンズ37によって出力
ファイバ39に結合する(実線で示す)が、検光子32
から出射する異常光e1 と常光o2 は互いに平行ではな
く広がるため、第2のレンズ37を通っても出力ファイ
バ39には結合しない(破線で示す)。
結晶の光学軸の方向が平行の場合には次のように動作す
る。入力ファイバ38から出射し第1のレンズ36で平
行ビームとなった光は、偏光子30により常光oと異常
光eに分離する。常光oと異常光eの偏光方向は互いに
直交している。そして、各々の光はファラデー回転角可
変装置34を通過する際、ファラデー回転角に依存して
偏光方向が同じ角度だけ回転し、それぞれ検光子32に
よって常光o1 と異常光e1 、常光o2 と異常光e2 に
分離する。検光子32から出射する常光o1 と異常光e
2 は互いに平行であり、第2のレンズ37によって出力
ファイバ39に結合する(実線で示す)が、検光子32
から出射する異常光e1 と常光o2 は互いに平行ではな
く広がるため、第2のレンズ37を通っても出力ファイ
バ39には結合しない(破線で示す)。
【0025】電磁石44による印加磁界を制御してファ
ラデー回転角を0度にした場合、偏光子30から出射し
た常光oはそのまま検光子32から常光o1 として出射
し、偏光子30から出射した異常光eはそのまま検光子
32から異常光e2 として出射するため、両光は平行で
あり全て第2のレンズ37によって出力ファイバ39に
結合する。それに対して電磁石44による印加磁界を制
御して全体のファラデー回転角を90度にすると、偏光
子30から出射した常光oは全て検光子32から異常光
e1 として出射し、偏光子30から出射した異常光eは
全て検光子32から常光o2 として出射するため、第2
のレンズ37を通っても出力ファイバ39には結合しな
い。このようにして電磁石による印加磁界を制御してフ
ァラデー回転角を0度から約90度までの範囲で変化さ
せると、それに応じて、出力ファイバ39に結合する光
量が異なる、即ち減衰量が変わることになり、光アッテ
ネータとして機能することになる。
ラデー回転角を0度にした場合、偏光子30から出射し
た常光oはそのまま検光子32から常光o1 として出射
し、偏光子30から出射した異常光eはそのまま検光子
32から異常光e2 として出射するため、両光は平行で
あり全て第2のレンズ37によって出力ファイバ39に
結合する。それに対して電磁石44による印加磁界を制
御して全体のファラデー回転角を90度にすると、偏光
子30から出射した常光oは全て検光子32から異常光
e1 として出射し、偏光子30から出射した異常光eは
全て検光子32から常光o2 として出射するため、第2
のレンズ37を通っても出力ファイバ39には結合しな
い。このようにして電磁石による印加磁界を制御してフ
ァラデー回転角を0度から約90度までの範囲で変化さ
せると、それに応じて、出力ファイバ39に結合する光
量が異なる、即ち減衰量が変わることになり、光アッテ
ネータとして機能することになる。
【0026】なお偏光子30と検光子32の両複屈折結
晶の光学軸が互いに直交するように配置した場合は、上
記と反対に、ファラデー回転角の代数和が90度の場合
に透過光量が最大となり、0度の場合に透過光量が最小
となる。この例では偏光子及び検光子として楔形の複屈
折結晶を用いているが、平行平板状の複屈折結晶を用い
ることもできる。その場合、両方の平行平板状の複屈折
結晶は同じ厚みとし、光学軸は互いに直交し且つ各光学
軸は光路に対して傾けて設ける。
晶の光学軸が互いに直交するように配置した場合は、上
記と反対に、ファラデー回転角の代数和が90度の場合
に透過光量が最大となり、0度の場合に透過光量が最小
となる。この例では偏光子及び検光子として楔形の複屈
折結晶を用いているが、平行平板状の複屈折結晶を用い
ることもできる。その場合、両方の平行平板状の複屈折
結晶は同じ厚みとし、光学軸は互いに直交し且つ各光学
軸は光路に対して傾けて設ける。
【0027】
〔実施例1〕LPE法(液相エピタキシャル成長法)に
より2種の磁性ガーネット単結晶膜(これを結晶a及び
結晶bという)を作製した。なお成膜の際、フラックス
にはPbO−Bi2 O3 −B2 O3 を、また基板には直
径約25mmの(CaGd)3(MgZrGa)5 O
12(格子定数:12.496±0.003Å)を用い
た。成膜した両磁性ガーネット単結晶膜は、まず5×8
mmに切断し、次に研磨により基板を除去して所望の厚み
にし、その後2×7mmに切断した。得られた両磁性ガー
ネット単結晶膜の諸特性を以下に示し、ファラデー回転
角と磁界の関係を図5に示す。なお使用波長は1310
nmである。図5から分かるよう、これらの磁性ガーネッ
ト単結晶膜のファラデー回転角と磁界の関係は角型のヒ
ステリシスをもつ。 <結晶a> 膜組成:Tb0.7 Y0.7 Bi1.6 Fe4.0 Ga1.0 O12 育成温度:723℃ 保磁力:150Oe 形状:2mm×7mm×0.26mm <結晶b> 膜組成:Tb1.0 Y0.6 Bi1.4 Fe4.2 Ga0.8 O12 育成温度:735℃ 保磁力:300Oe 形状:2mm×7mm×0.29mm
より2種の磁性ガーネット単結晶膜(これを結晶a及び
結晶bという)を作製した。なお成膜の際、フラックス
にはPbO−Bi2 O3 −B2 O3 を、また基板には直
径約25mmの(CaGd)3(MgZrGa)5 O
12(格子定数:12.496±0.003Å)を用い
た。成膜した両磁性ガーネット単結晶膜は、まず5×8
mmに切断し、次に研磨により基板を除去して所望の厚み
にし、その後2×7mmに切断した。得られた両磁性ガー
ネット単結晶膜の諸特性を以下に示し、ファラデー回転
角と磁界の関係を図5に示す。なお使用波長は1310
nmである。図5から分かるよう、これらの磁性ガーネッ
ト単結晶膜のファラデー回転角と磁界の関係は角型のヒ
ステリシスをもつ。 <結晶a> 膜組成:Tb0.7 Y0.7 Bi1.6 Fe4.0 Ga1.0 O12 育成温度:723℃ 保磁力:150Oe 形状:2mm×7mm×0.26mm <結晶b> 膜組成:Tb1.0 Y0.6 Bi1.4 Fe4.2 Ga0.8 O12 育成温度:735℃ 保磁力:300Oe 形状:2mm×7mm×0.29mm
【0028】この2種の磁性ガーネット単結晶を用いて
図3に示すような光スイッチを組み立てた。はじめに+
400Oeの磁界を印加して両方の磁性ガーネット単結晶
膜を磁化飽和の状態としておいた。電磁石で−200Oe
の磁界を印加した時、ポートから入射した光はポート
に結合し、次に電磁石で+200Oeの磁界を印加した
時、ポートから入射した光はポートに結合し、光ス
イッチとして機能することが確認できた。
図3に示すような光スイッチを組み立てた。はじめに+
400Oeの磁界を印加して両方の磁性ガーネット単結晶
膜を磁化飽和の状態としておいた。電磁石で−200Oe
の磁界を印加した時、ポートから入射した光はポート
に結合し、次に電磁石で+200Oeの磁界を印加した
時、ポートから入射した光はポートに結合し、光ス
イッチとして機能することが確認できた。
【0029】〔実施例2〕実施例1の一方の磁性ガーネ
ット単結晶(結晶a)を、大気中、1000℃で2時間
熱処理したところ、保磁力が5Oeまで低下した(これを
結晶cという)。ファラデー回転角と磁界の関係を図6
に示す。使用波長は1310nmである。両磁性ガーネッ
ト単結晶膜(結晶b及び結晶c)を用いて光スイッチを
構成したところ、実施例1と同様、光スイッチとして機
能することが確認できた。
ット単結晶(結晶a)を、大気中、1000℃で2時間
熱処理したところ、保磁力が5Oeまで低下した(これを
結晶cという)。ファラデー回転角と磁界の関係を図6
に示す。使用波長は1310nmである。両磁性ガーネッ
ト単結晶膜(結晶b及び結晶c)を用いて光スイッチを
構成したところ、実施例1と同様、光スイッチとして機
能することが確認できた。
【0030】〔実施例3〕LPE法によって磁性ガーネ
ット単結晶膜を作製した。フラックスにはPbO−Bi
2 O3 −B2 O3 を、また基板には直径約25mmの(C
aGd)3 (MgZrGa)5 O12(格子定数:12.
496±0.003Å)を用いた。成膜した磁性ガーネ
ット単結晶膜は、まず3×3mmに切断し、次に研磨によ
り基板を除去して所望の厚みにし、大気中1000℃で
2時間熱処理した。更に、磁性ガーネット単結晶膜の両
面に、反射を防止するため、SiO2 単層膜(厚み22
00±200Å)を蒸着し、その後1×1mmに切断し
た。得られた多数のチップの中から、保磁力の異なる6
種の磁性ガーネット単結晶を選別した。それぞれのチッ
プの厚さは0.095mmである。一般に、1枚のウエハ
から切断したチップは、保磁力にある程度のばらつきが
あり、また熱処理などを施しても保磁力は変化する。各
磁性ガーネット単結晶膜(それらを結晶A,…,結晶F
という)のファラデー回転角と磁界の関係を図7に示
す。使用波長は1310nmである。この6個の磁性ガー
ネット単結晶膜を並べて用い、図4に示す光アッテネー
タを組み立てた。偏光子と検光子の両複屈折結晶の光学
軸のなす角度は直角とした。
ット単結晶膜を作製した。フラックスにはPbO−Bi
2 O3 −B2 O3 を、また基板には直径約25mmの(C
aGd)3 (MgZrGa)5 O12(格子定数:12.
496±0.003Å)を用いた。成膜した磁性ガーネ
ット単結晶膜は、まず3×3mmに切断し、次に研磨によ
り基板を除去して所望の厚みにし、大気中1000℃で
2時間熱処理した。更に、磁性ガーネット単結晶膜の両
面に、反射を防止するため、SiO2 単層膜(厚み22
00±200Å)を蒸着し、その後1×1mmに切断し
た。得られた多数のチップの中から、保磁力の異なる6
種の磁性ガーネット単結晶を選別した。それぞれのチッ
プの厚さは0.095mmである。一般に、1枚のウエハ
から切断したチップは、保磁力にある程度のばらつきが
あり、また熱処理などを施しても保磁力は変化する。各
磁性ガーネット単結晶膜(それらを結晶A,…,結晶F
という)のファラデー回転角と磁界の関係を図7に示
す。使用波長は1310nmである。この6個の磁性ガー
ネット単結晶膜を並べて用い、図4に示す光アッテネー
タを組み立てた。偏光子と検光子の両複屈折結晶の光学
軸のなす角度は直角とした。
【0031】電磁石により+方向に十分大きな磁界を印
加して全てのファラデー素子を光軸方向に磁化した後、
該電磁石による印加磁界を制御してファラデー回転角を
可変した。印加磁界とファラデー回転角及び減衰量の関
係を表1に示す。この構成によってステップ可変の光ア
ッテネータとして動作することが確認できた。なお、フ
ァラデー回転角が+90度又は−90度の時の減衰量1
dBは、磁性ガーネット単結晶膜の吸収損失や端面での
反射損失等によるものである。
加して全てのファラデー素子を光軸方向に磁化した後、
該電磁石による印加磁界を制御してファラデー回転角を
可変した。印加磁界とファラデー回転角及び減衰量の関
係を表1に示す。この構成によってステップ可変の光ア
ッテネータとして動作することが確認できた。なお、フ
ァラデー回転角が+90度又は−90度の時の減衰量1
dBは、磁性ガーネット単結晶膜の吸収損失や端面での
反射損失等によるものである。
【0032】
【表1】
【0033】〔実施例4〕上記実施例3と同じ組成、保
磁力の磁性ガーネット単結晶膜を用いて図4に示す光ア
ッテネータを組み立てた。但し、各磁性ガーネット単結
晶膜の厚みを変えて、ファラデー回転角がそれぞれ、 結晶A,F:40度 結晶B,E:3度 結晶C,D:2度 となるように調整した。
磁力の磁性ガーネット単結晶膜を用いて図4に示す光ア
ッテネータを組み立てた。但し、各磁性ガーネット単結
晶膜の厚みを変えて、ファラデー回転角がそれぞれ、 結晶A,F:40度 結晶B,E:3度 結晶C,D:2度 となるように調整した。
【0034】電磁石により+方向に十分大きな磁界を印
加して全てのファラデー素子を光軸方向に磁化した後、
該電磁石による印加磁界を制御してファラデー回転角を
可変した。印加磁界とファラデー回転角及び減衰量の関
係を表2に示す。この構成によってステップ可変の光ア
ッテネータとして動作することが確認できた。なお、フ
ァラデー回転角が+90度又は−90度の時の減衰量1
dBは、磁性ガーネット単結晶膜の吸収損失や端面での
反射損失等によるものである。
加して全てのファラデー素子を光軸方向に磁化した後、
該電磁石による印加磁界を制御してファラデー回転角を
可変した。印加磁界とファラデー回転角及び減衰量の関
係を表2に示す。この構成によってステップ可変の光ア
ッテネータとして動作することが確認できた。なお、フ
ァラデー回転角が+90度又は−90度の時の減衰量1
dBは、磁性ガーネット単結晶膜の吸収損失や端面での
反射損失等によるものである。
【0035】
【表2】
【0036】
【発明の効果】本発明は上記のように複数の保磁力の異
なる磁性ガーネット単結晶膜を重ね合わせた構成であ
り、光軸方向の磁界のみを印加するように構成したファ
ラデー回転角可変装置であるので、制御が容易で小型化
できる利点がある。特に光スイッチに組み込む場合、偏
光方向が0度と90度の切り換えるために従来用いてい
た1/2波長板が不要となり、煩瑣で精度が要求される
1/2波長板の光軸合わせが不要なため、製造し易くな
る。また光アッテネータとして応用した場合には、電磁
石が1個で済み、小型化するばかりでなく、制御が容易
で、偏光方向が0度の場合には温度や波長の変化に対す
る影響を受け難く、また偏光方向を90度回転させるこ
とができるため、ファラデー回転角差90度の光アッテ
ネータが得られる。
なる磁性ガーネット単結晶膜を重ね合わせた構成であ
り、光軸方向の磁界のみを印加するように構成したファ
ラデー回転角可変装置であるので、制御が容易で小型化
できる利点がある。特に光スイッチに組み込む場合、偏
光方向が0度と90度の切り換えるために従来用いてい
た1/2波長板が不要となり、煩瑣で精度が要求される
1/2波長板の光軸合わせが不要なため、製造し易くな
る。また光アッテネータとして応用した場合には、電磁
石が1個で済み、小型化するばかりでなく、制御が容易
で、偏光方向が0度の場合には温度や波長の変化に対す
る影響を受け難く、また偏光方向を90度回転させるこ
とができるため、ファラデー回転角差90度の光アッテ
ネータが得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係るファラデー回転角可変装置の一例
を示す説明図。
を示す説明図。
【図2】その動作説明図。
【図3】本発明に係る光スイッチの一例を示す説明図。
【図4】本発明に係る可変ステップ光アッテネータの一
例を示す説明図。
例を示す説明図。
【図5】光スイッチに用いるファラデー回転角可変装置
の磁界−ファラデー回転角特性の一実施例を示す説明
図。
の磁界−ファラデー回転角特性の一実施例を示す説明
図。
【図6】光スイッチに用いるファラデー回転角可変装置
の磁界−ファラデー回転角特性の他の実施例を示す説明
図。
の磁界−ファラデー回転角特性の他の実施例を示す説明
図。
【図7】光アッテネータに用いるファラデー回転角可変
装置の磁界−ファラデー回転角特性の一実施例を示す説
明図。
装置の磁界−ファラデー回転角特性の一実施例を示す説
明図。
【図8】従来の光スイッチの一例を示す説明図。
【図9】従来の光アッテネータの一例を示す説明図。
【図10】それに用いるファラデー回転角可変装置の一
例を示す説明図。
例を示す説明図。
10 ファラデー素子 12a,12b 磁性ガーネット単結晶膜 14 電磁石
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成9年8月19日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0001
【補正方法】変更
【補正内容】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、保磁力の異なる2
種以上の磁性ガーネット単結晶膜を光軸方向に重ねるよ
うに配列したファラデー素子を使用し、電磁石により該
ファラデー素子への印加磁界を制御してファラデー回転
角の代数和を所望の角度に変化させるファラデー回転角
可変装置、及びそれを用いた光スイッチ、ステップ可変
型光アッテネータに関するものである。
種以上の磁性ガーネット単結晶膜を光軸方向に重ねるよ
うに配列したファラデー素子を使用し、電磁石により該
ファラデー素子への印加磁界を制御してファラデー回転
角の代数和を所望の角度に変化させるファラデー回転角
可変装置、及びそれを用いた光スイッチ、ステップ可変
型光アッテネータに関するものである。
【手続補正2】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0007
【補正方法】変更
【補正内容】
【0007】例えば、偏光子80と検光子82を構成す
る両複屈折結晶の光学軸が互いに平行となるように配置
した場合、次のように動作する。入力ファイバ88から
出射し第1のレンズ86で平行ビームとなった光は、偏
光子80により常光oと異常光eに分離する。常光oと
異常光eの偏光方向は互いに直交している。そして、各
々の光はファラデー回転角可変装置84を通過する際、
光軸に平行方向の磁気モーメントの大きさに依存して偏
光方向が回転し、それぞれ検光子82により常光o1 と
異常光e1 、常光o2 と異常光e2 に分離する。検光子
82から出射する常光o1 と異常光e2 は互いに平行
で、第2のレンズ87によって出力ファイバ89に結合
する(実線で示す)が、検光子82から出射する異常光
e1 と常光o2 は互いに平行ではなく広がるため、第2
のレンズ87を通っても出力ファイバ89には結合しな
い(破線で示す)。
る両複屈折結晶の光学軸が互いに平行となるように配置
した場合、次のように動作する。入力ファイバ88から
出射し第1のレンズ86で平行ビームとなった光は、偏
光子80により常光oと異常光eに分離する。常光oと
異常光eの偏光方向は互いに直交している。そして、各
々の光はファラデー回転角可変装置84を通過する際、
光軸に平行方向の磁気モーメントの大きさに依存して偏
光方向が回転し、それぞれ検光子82により常光o1 と
異常光e1 、常光o2 と異常光e2 に分離する。検光子
82から出射する常光o1 と異常光e2 は互いに平行
で、第2のレンズ87によって出力ファイバ89に結合
する(実線で示す)が、検光子82から出射する異常光
e1 と常光o2 は互いに平行ではなく広がるため、第2
のレンズ87を通っても出力ファイバ89には結合しな
い(破線で示す)。
【手続補正3】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0008
【補正方法】変更
【補正内容】
【0008】電磁石92による印加磁界が0の時、ファ
ラデー回転角は90度(磁気モーメントが光軸と平行)
であり、偏光子80から出射した常光oは検光子82か
ら異常光e1 として出射し、偏光子80から出射した異
常光eは検光子82から常光o2 として出射するため、
第2のレンズ87を通っても出力ファイバ89には結合
しない。それに対して電磁石92による印加磁界が十分
大きいと、ファラデー回転角は0度に近づき、偏光子8
0から出射した常光oは殆どそのまま検光子82から常
光o1 として出射し、偏光子80から出射した異常光e
は殆どそのまま検光子82から異常光e2 として出射す
るため、両光は平行で全て第2のレンズ87によって出
力ファイバ89に結合する。このようにして電磁石92
による印加磁界の強さに応じて、磁気モーメントが回転
してファラデー回転角は90度から約0度までの範囲で
変化し、それに応じて、出力ファイバ89に結合する光
量が異なることになり、光アッテネータとして機能する
ことになる。
ラデー回転角は90度(磁気モーメントが光軸と平行)
であり、偏光子80から出射した常光oは検光子82か
ら異常光e1 として出射し、偏光子80から出射した異
常光eは検光子82から常光o2 として出射するため、
第2のレンズ87を通っても出力ファイバ89には結合
しない。それに対して電磁石92による印加磁界が十分
大きいと、ファラデー回転角は0度に近づき、偏光子8
0から出射した常光oは殆どそのまま検光子82から常
光o1 として出射し、偏光子80から出射した異常光e
は殆どそのまま検光子82から異常光e2 として出射す
るため、両光は平行で全て第2のレンズ87によって出
力ファイバ89に結合する。このようにして電磁石92
による印加磁界の強さに応じて、磁気モーメントが回転
してファラデー回転角は90度から約0度までの範囲で
変化し、それに応じて、出力ファイバ89に結合する光
量が異なることになり、光アッテネータとして機能する
ことになる。
【手続補正4】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0014
【補正方法】変更
【補正内容】
【0014】各磁性ガーネット単結晶膜の厚さは、全て
同じファラデー回転角となるように設定してもよいし、
全く異なるファラデー回転角となるように組み合わせて
もよい。組成の異なる磁性ガーネット単結晶膜を組み合
わせてもよいし、同じ組成の磁性ガーネット単結晶膜を
用いてもよい。同じ組成、同じウエハでも、チップに切
断した状態では保磁力にある程度のばらつきが生じてい
るから、保磁力に応じて選別することで所望の組み合わ
せが実現可能である。またその後の熱処理などによって
も、保磁力を調整することが可能である。更に、これら
組み合わせる磁性ガーネット単結晶膜の枚数は任意であ
り、密着するように配列してもよいし、間隔をおいて配
列してもよい。このファラデー回転角可変装置は、光ス
イッチやステップ可変型光アッテネータのファラデー回
転角可変装置として利用できる。
同じファラデー回転角となるように設定してもよいし、
全く異なるファラデー回転角となるように組み合わせて
もよい。組成の異なる磁性ガーネット単結晶膜を組み合
わせてもよいし、同じ組成の磁性ガーネット単結晶膜を
用いてもよい。同じ組成、同じウエハでも、チップに切
断した状態では保磁力にある程度のばらつきが生じてい
るから、保磁力に応じて選別することで所望の組み合わ
せが実現可能である。またその後の熱処理などによって
も、保磁力を調整することが可能である。更に、これら
組み合わせる磁性ガーネット単結晶膜の枚数は任意であ
り、密着するように配列してもよいし、間隔をおいて配
列してもよい。このファラデー回転角可変装置は、光ス
イッチやステップ可変型光アッテネータのファラデー回
転角可変装置として利用できる。
【手続補正5】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0015
【補正方法】変更
【補正内容】
【0015】
【発明の実施の形態】図1はファラデー回転角可変装置
の一例を示しており、ファラデー素子10として2種の
保磁力の異なる磁性ガーネット単結晶膜12a,12b
を使用する例である。2枚の磁性ガーネット単結晶膜1
2a,12bを光軸方向に重ねるように配列し、それら
の外側に、光軸方向の磁界を印加するための電磁石14
を配置する。図2に示すように、各磁性ガーネット単結
晶膜12a,12bの保磁力をHa ,Hb (但し、Ha
<Hb )とし、全て角形の磁気ヒステリシスを持つもの
とする。各磁性ガーネット単結晶膜12a,12bの膜
厚は、磁気飽和時のファラデー回転角の絶対値が45度
となる厚みに設定する。
の一例を示しており、ファラデー素子10として2種の
保磁力の異なる磁性ガーネット単結晶膜12a,12b
を使用する例である。2枚の磁性ガーネット単結晶膜1
2a,12bを光軸方向に重ねるように配列し、それら
の外側に、光軸方向の磁界を印加するための電磁石14
を配置する。図2に示すように、各磁性ガーネット単結
晶膜12a,12bの保磁力をHa ,Hb (但し、Ha
<Hb )とし、全て角形の磁気ヒステリシスを持つもの
とする。各磁性ガーネット単結晶膜12a,12bの膜
厚は、磁気飽和時のファラデー回転角の絶対値が45度
となる厚みに設定する。
【手続補正6】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0019
【補正方法】変更
【補正内容】
【0019】はじめに図2の磁界(+H2 以上)をファ
ラデー素子10に印加し、両磁性ガーネット単結晶膜1
2a,12bを+方向に磁化しておく。この時、偏光方
向は両方の磁性ガーネット単結晶膜によって合計+90
度回転する。電磁石14により磁界(−H1 )を印加す
ると、一方の磁性ガーネット単結晶膜12aのみ磁化が
反転してその偏光方向のみ−45度回転するために、他
方の磁性ガーネット単結晶膜12bとの合計のファラデ
ー回転角は0度となる。次に、電磁石14により磁界
(+H1 )を印加すると、磁性ガーネット単結晶膜12
aの磁化が再度反転してファラデー回転角の代数和は+
90度になる。このようにして、電磁石14によって磁
界を+H1 か−H1 のいずれかに制御することでファラ
デー素子10のファラデー回転角の代数和は+90度と
0度に切り替わることになる。
ラデー素子10に印加し、両磁性ガーネット単結晶膜1
2a,12bを+方向に磁化しておく。この時、偏光方
向は両方の磁性ガーネット単結晶膜によって合計+90
度回転する。電磁石14により磁界(−H1 )を印加す
ると、一方の磁性ガーネット単結晶膜12aのみ磁化が
反転してその偏光方向のみ−45度回転するために、他
方の磁性ガーネット単結晶膜12bとの合計のファラデ
ー回転角は0度となる。次に、電磁石14により磁界
(+H1 )を印加すると、磁性ガーネット単結晶膜12
aの磁化が再度反転してファラデー回転角の代数和は+
90度になる。このようにして、電磁石14によって磁
界を+H1 か−H1 のいずれかに制御することでファラ
デー素子10のファラデー回転角の代数和は+90度と
0度に切り替わることになる。
【手続補正7】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0020
【補正方法】変更
【補正内容】
【0020】電磁石14によってファラデー素子10の
合計のファラデー回転角が0度に制御されているものと
する。ポートから入射した光は、第1の複合偏光プリ
ズム20の偏光分離膜27でP偏光とS偏光に分離す
る。透過したP偏光は、ファラデー回転角可変装置24
で偏光方向は回転せずP偏光のままであり、第2の複合
偏光プリズム22の偏光分離膜27を透過する。他方、
第1の複合偏光プリズム20の偏光分離膜27で反射し
たS偏光も、ファラデー回転角可変装置24では偏光方
向が回転せずS偏光のままであり、第2の複合偏光プリ
ズム22の偏光分離膜27で反射する。このようにして
ポートからの入射光はポートに結合する(図3参
照)。次に、電磁石14を切り換えてファラデー素子1
0の合計ファラデー回転角を90度に制御する。ポート
から入射した光は、第1の複合偏光プリズム20の偏
光分離膜27でP偏光とS偏光に分離する。透過したP
偏光は、ファラデー回転角可変装置24で偏光方向が9
0度回転してS偏光となり、第2の複合偏光プリズム2
2の偏光分離膜27で反射する。他方、第1の複合偏光
プリズム20の偏光分離膜27で反射したS偏光は、フ
ァラデー回転角可変装置24で偏光方向が90度回転し
てP偏光となり、第2の複合偏光プリズム22の偏光分
離膜27を透過する。このようにしてポートからの入
射光はポートに結合する。従って、電磁石14による
印加磁界を制御することで、光路を切り換えることがで
きる。
合計のファラデー回転角が0度に制御されているものと
する。ポートから入射した光は、第1の複合偏光プリ
ズム20の偏光分離膜27でP偏光とS偏光に分離す
る。透過したP偏光は、ファラデー回転角可変装置24
で偏光方向は回転せずP偏光のままであり、第2の複合
偏光プリズム22の偏光分離膜27を透過する。他方、
第1の複合偏光プリズム20の偏光分離膜27で反射し
たS偏光も、ファラデー回転角可変装置24では偏光方
向が回転せずS偏光のままであり、第2の複合偏光プリ
ズム22の偏光分離膜27で反射する。このようにして
ポートからの入射光はポートに結合する(図3参
照)。次に、電磁石14を切り換えてファラデー素子1
0の合計ファラデー回転角を90度に制御する。ポート
から入射した光は、第1の複合偏光プリズム20の偏
光分離膜27でP偏光とS偏光に分離する。透過したP
偏光は、ファラデー回転角可変装置24で偏光方向が9
0度回転してS偏光となり、第2の複合偏光プリズム2
2の偏光分離膜27で反射する。他方、第1の複合偏光
プリズム20の偏光分離膜27で反射したS偏光は、フ
ァラデー回転角可変装置24で偏光方向が90度回転し
てP偏光となり、第2の複合偏光プリズム22の偏光分
離膜27を透過する。このようにしてポートからの入
射光はポートに結合する。従って、電磁石14による
印加磁界を制御することで、光路を切り換えることがで
きる。
【手続補正8】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図2
【補正方法】変更
【補正内容】
【図2】
【手続補正9】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図5
【補正方法】変更
【補正内容】
【図5】
【手続補正10】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図6
【補正方法】変更
【補正内容】
【図6】
【手続補正11】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図7
【補正方法】変更
【補正内容】
【図7】
Claims (4)
- 【請求項1】 保磁力の異なる複数種類の磁性ガーネッ
ト単結晶膜を光軸方向に重ねるように配列したファラデ
ー素子と、該ファラデー素子に光軸方向の磁界を印加す
る単一の電磁石とを具備し、該電磁石による前記ファラ
デー素子への印加磁界を制御することによりファラデー
回転角の代数和を変えることを特徴とするファラデー回
転角可変装置。 - 【請求項2】 それぞれ内部に偏光分離膜を備え対称配
置した第1及び第2の複合偏光プリズムの間に、保磁力
の異なる複数種類の磁性ガーネット単結晶膜を光軸方向
に重ねるように配列したファラデー素子と、該ファラデ
ー素子に光軸方向の磁界を印加する単一の電磁石とから
なるファラデー回転角可変装置を配置し、該電磁石によ
る前記ファラデー素子への印加磁界を制御することによ
りファラデー回転角の代数和を0度又は±90度のいず
れかに変えて光路を切り換えることを特徴とする光スイ
ッチ。 - 【請求項3】 ファラデー素子が、角形のヒステリシス
をもち保磁力が大きく飽和磁界印加時のファラデー回転
角が±45度の第1の磁性ガーネット単結晶膜と、それ
よりも小さな保磁力をもち飽和磁界印加時のファラデー
回転角が±45度の第2の磁性ガーネット単結晶膜とを
組み合わせ、電磁石で第2の磁性ガーネット単結晶膜の
ファラデー回転角を切り換える請求項2記載の光スイッ
チ。 - 【請求項4】 それぞれ楔形複屈折結晶からなり対称配
置した偏光子と検光子との間に、保磁力の異なる複数種
類の磁性ガーネット単結晶膜を光軸方向に重ねるように
配列したファラデー素子と、該ファラデー素子に光軸方
向の磁界を印加する単一の電磁石とからなるファラデー
回転角可変装置を配置し、該電磁石による前記ファラデ
ー素子への印加磁界を制御することによりファラデー回
転角の代数和を変化させ透過光量を離散的に変化させる
ことを特徴とするステップ可変型光アッテネータ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9121678A JPH10301070A (ja) | 1997-04-24 | 1997-04-24 | ファラデー回転角可変装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9121678A JPH10301070A (ja) | 1997-04-24 | 1997-04-24 | ファラデー回転角可変装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10301070A true JPH10301070A (ja) | 1998-11-13 |
Family
ID=14817179
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9121678A Pending JPH10301070A (ja) | 1997-04-24 | 1997-04-24 | ファラデー回転角可変装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10301070A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002014939A1 (en) * | 2000-08-11 | 2002-02-21 | Fdk Corporation | Farady rotation device and optical device comprising it |
| CN119620445A (zh) * | 2024-12-27 | 2025-03-14 | 苏州伽蓝致远电子科技股份有限公司 | 一种无损切换的磁光光开关以及波片夹角调节方法 |
-
1997
- 1997-04-24 JP JP9121678A patent/JPH10301070A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002014939A1 (en) * | 2000-08-11 | 2002-02-21 | Fdk Corporation | Farady rotation device and optical device comprising it |
| US6876480B2 (en) | 2000-08-11 | 2005-04-05 | Fdk Corporation | Farady rotation device and optical device comprising it |
| US7006273B2 (en) | 2000-08-11 | 2006-02-28 | Fdk Corporation | Faraday rotation device and optical device using same |
| CN119620445A (zh) * | 2024-12-27 | 2025-03-14 | 苏州伽蓝致远电子科技股份有限公司 | 一种无损切换的磁光光开关以及波片夹角调节方法 |
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