JPH10308518A - 半導体加工部品の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】シリコン基板の厚みに影響されずに配線を行う
ことができ、小型かつ低コストの半導体加工部品の製造
方法を提供する。 【解決手段】シリコン基板２の表面に複数個の機能部
３、４のうち、少なくとも回路機能部４を形成する工程
と、シリコン基板２の表面に絶縁膜１５を形成し、メタ
ル膜を絶縁膜上に形成する工程と、シリコン基板２の裏
面側からシリコン基板２を、絶縁膜１５に達するまで選
択的にエッチングして、絶縁膜１５とメタル膜によりエ
アブリッジされた複数個の機能部３、４に分離する工程
と、複数個の機能部３、４を支持基板１に接合する工程
と、メタル膜をエッチングして、複数個の機能部３、４
の所定電極間を接続するメタル配線１４ａを形成する工
程と、複数個の機能部のうち、未加工の機能部３を形成
する工程と、よりなる半導体加工部品の製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、エアブリッジ配線
構造を有する角速度センサなどの半導体加工部品の製造
方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、自動車のナビゲーションシステ
ム、ロボットの姿勢制御装置、カメラの手振れ防止装置
などに使用される角速度センサなどの半導体加工部品
は、シリコンの微細加工技術を用いて製造される。そし
て、この製造方法は、例えば、シリコン基板に回路機能
部とセンサ機能部とを作り込み、回路機能部とセンサ機
能部とのシリコン基板を電気的に絶縁するために、シリ
コン基板を前記機能部毎の２つのシリコン島に分離した
後、一つのシリコン島の回路機能部ともう一つのシリコ
ン島のセンサ機能部との信号回路の配線を行っていた。
特に、この配線構造の態様につき、従来の半導体加工部
品の製造方法について図面を参照して説明する。

【０００３】図１１に示す半導体加工部品の製造方法
は、偏平なシリコン基板２１とガラス基板２２とを陽極
接合する。ついで、シリコンの面方位によりエッチング
速度が変わることを利用した異方性エッチングにより、
シリコン基板２１にガラス基板２２に達するＶ字状のリ
セス２３を表面から形成して、シリコン基板２１をセン
サ機能部側のシリコン島２１ａと回路機能部側のシリコ
ン島２１ｂとに分離する。その後、リセス２３を含むセ
ンサ機能部側のシリコン島２１ａと回路機能部側のシリ
コン島２１ｂの表面に絶縁膜２４を形成し、この絶縁膜
２４の上にセンサ機能部側のシリコン島２１ａと回路機
能部側のシリコン島２１ｂとの所定電極間を接続するメ
タル配線２５を形成していた。

【０００４】また、図１２に示す半導体加工部品の製造
方法は、偏平なシリコン基板２６とガラス基板２２とを
陽極接合する。ついで、ガラス基板２２に達するまで、
シリコン基板２６のトレンチエッチングを行い、シリコ
ン基板２６をセンサ機能部側のシリコン島２６ａと回路
機能部側のシリコン島２６ｂとに分離する。そして、ト
レンチ溝に埋め込み技術を用いて埋め込み層２７を形成
して平坦化した後、その上に絶縁膜２８を形成し、この
絶縁膜２８の上にセンサ機能部側のシリコン島２６ａと
回路機能部側のシリコン島２６ｂとの所定電極間を接続
するメタル配線２９を形成していた。

【０００５】さらに、図１３に示す半導体加工部品の製
造方法は、偏平なシリコン基板３０とガラス基板２２と
を陽極接合する。ついで、シリコン基板３０を垂直エッ
チングによりセンサ機能部側のシリコン島３０ａと回路
機能部側のシリコン島３０ｂとに分離する。その後、絶
縁膜３１を介してセンサ機能部側のシリコン島３０ａと
回路機能部側のシリコン島３０ｂとに形成された所定の
パッド３２ａ、３２ｂ間をワイヤ３３により接続してい
た。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図１１
に示す従来の半導体加工部品の製造方法は、シリコン基
板２１の厚みが数十μｍと薄い場合には問題ないが、シ
リコン基板２１の厚みが厚くなると、Ｖ字形のリセス２
３のメタル配線２５の段切れが生じ、信頼性に問題があ
った。

【０００７】また、図１２に示す従来の半導体加工部品
の製造方法は、図１１に示す従来の製造方法と同様に、
シリコン基板２６の厚みが数十μｍと薄い場合には問題
ないが、シリコン基板２６の厚みが厚くなると、トレン
チ溝への埋め込み層２７が形成しにくくなり、また、ト
レンチ溝の平坦化も困難になっていた。

【０００８】また、図１３に示す従来の半導体加工部品
の製造方法は、シリコン基板３０の厚みには影響されな
いが、ワイヤボンディング用のパッド３２ａ、３２ｂが
必要になって半導体加工部品の面積が大きくなってい
た。更に、ワイヤ３３を半導体加工部品毎に結線する必
要があり、コストが高くなっていた。

【０００９】そこで、本発明は、シリコン基板の厚みに
影響されずに配線を行うことができ、しかも小型かつ低
コストの半導体加工部品の製造方法を提供することを目
的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、シリコン基板の一つの主面に少なくとも回路機能部
とセンサ機能部の電極を形成する工程と、前記回路機能
部を含む前記シリコン基板の一つの主面に絶縁膜を形成
し、前記回路機能部の電極と前記センサ機能部の電極に
接続するメタル膜を前記絶縁膜上に形成する工程と、前
記シリコン基板の他の主面側から該シリコン基板を、前
記絶縁層に達するまで選択的にエッチングして、前記絶
縁膜とメタル膜により結合された複数個のシリコン島で
あって、前記回路機能部の形成された一つのシリコン島
と前記センサ機能部の形成されるもう一つのシリコン島
とに分離する工程と、前記複数個のシリコン島を支持基
板に接合する工程と、前記メタル膜をエッチングして、
前記回路機能部の電極と前記センサ機能部の電極とを接
続するメタル配線を形成する工程と、前記絶縁膜をエッ
チングし、かつ、センサ機能部をフォトエッチングによ
り形成する工程と、前記シリコンの不要部をエッチング
して除去する工程と、よりなるものである。

【００１１】この発明は、シリコン基板の表面に回路機
能部とセンサ機能部の電極を形成し、この回路機能部の
電極とセンサ機能部の電極間を絶縁膜上に形成したメタ
ル膜により接続する。その後、シリコン基板を裏面から
エッチングして、回路機能部の形成されたシリコン島と
センサ機能部の形成されるシリコン島とに分離帯により
分離する。これらのシリコン島は、シリコン自体は分離
帯により電気的に分離されているが、この分離帯を跨ぐ
絶縁膜とメタル配線とにより結合されている。ついで、
これらのシリコン島を支持基板に接合する。ついで、前
記メタル膜をエッチングして、前記回路機能部の電極と
前記センサ機能部の電極とを接続するメタル配線を形成
する。ついで、角速度センサ、加速度センサなどの可動
電極部および固定電極部からなるセンサ機能部をフォト
エッチングにより形成する。そして、不要な絶縁膜およ
びシリコンの不要部をエッチングして除去する。

【００１２】請求項２に記載の発明は、シリコン基板の
一つの主面に少なくとも回路機能部とセンサ機能部の電
極を形成する工程と、前記回路機能部を含む前記シリコ
ン基板の一つの主面に絶縁膜を形成し、前記回路機能部
の電極と前記センサ機能部の電極とを接続するメタル配
線を前記絶縁膜上に形成する工程と、前記シリコン基板
の他の主面側から該シリコン基板を、前記絶縁膜に達す
るまで選択的にエッチングして、前記絶縁膜とメタル配
線により結合された複数個のシリコン島であって、前記
回路機能部の形成された一つのシリコン島と前記センサ
機能部の形成されるもう一つのシリコン島とに分離する
工程と、前記複数個のシリコン島を支持基板に接合する
工程と、前記センサ機能部をフォトエッチングにより形
成する工程と、前記シリコンの不要部をエッチングして
除去する工程と、よりなるものである。

【００１３】この発明は、請求項１に記載の発明が、初
段工程において形成されたメタル膜を、後段工程におい
てエッチングしてメタル配線に加工しているのに対し、
初段工程においてメタル配線を直接形成しているところ
が、請求項１の記載の発明と相違し、その他の工程につ
いては、請求項１に記載の発明と同様である。請求項３
に記載の発明は、シリコン基板の一つの主面に少なくと
も回路機能部と該回路機能部の電極から絶縁膜上をセン
サ機能部の領域まで伸びるポリシリコン配線を形成する
工程と、前記シリコン基板の他の主面側から該シリコン
基板を、前記絶縁膜に達するまで選択的にエッチングし
て、前記絶縁膜とポリシリコン配線により結合された複
数個のシリコン島であって、前記回路機能部の形成され
た一つのシリコン島と前記センサ機能部の形成されるも
う一つのシリコン島とに分離する工程と、前記複数個の
シリコン島を支持基板に接合する工程と、前記センサ機
能部の電極と前記ポリシリコン配線とをメタル配線によ
り接続する工程と、前記センサ機能部をフォトエッチン
グにより形成する工程と、前記シリコンの不要部をエッ
チングして除去する工程と、よりなるものである。

【００１４】この発明は、一般に、ゲート電極などに使
用されるポリシリコンを回路機能部とセンサ機能部を接
続する配線に利用したところが、請求項１、２に記載の
発明と相違し、その他は請求項１、２に記載の発明と同
様である。このポリシリコン配線は、アルミニュウムな
どのメタル配線に比べて強度が大きくなる。

【００１５】上記請求項１〜３に記載の発明において、
回路機能部とセンサ機能部とをシリコン島に分離して電
気的に絶縁するのはつぎの理由による。即ち、回路機能
部のシリコン基板には電源電圧を印加し、センサ機能部
のシリコン基板には電源電圧以外の電圧を印加して動作
させる関係上、シリコン島によりシリコン基板を分離し
ないと、回路機能部とセンサ機能部とは同じ電源電圧と
なって、例えば、角速度センサの出力を検出できなくな
るからである。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下に、図面を参照して、本発明
の半導体加工部品の製造方法の一実施例の製造に係る角
速度センサ装置の概略の構造について説明する。

【００１７】図６に示す角速度センサ装置１０のＸ−Ｘ
線断面構造が図５に示され、Ｙ−Ｙ線断面構造が図８に
示され、Ｚ−Ｚ線断面構造が図９に示される。

【００１８】図５および図６において、角速度センサ装
置１０は、パイレックスガラスなどの支持基板１の上に
設けられたシリコン基板２を加工して形成されたセンサ
機能部３と回路機能部４とよりなる。これらのセンサ機
能部３と回路機能部４とを形成したシリコン基板２は、
図５、図６および図８に示すように、幅が数十μｍの分
離帯２ｂにより分離されている。この分離帯２ｂは後述
するように、シリコン基板２をエッチングすることによ
り形成される。

【００１９】つぎに、センサ機能部３の領域に形成され
ている角速度センサ３ａについて図７を参照して説明す
る。振動体５は、その４つの角部に結合するＬ字型の支
持梁６ａを介してアンカー電極７に振動可能に支持され
ている。この振動体５の長手方向の両端面には、可動電
極８ａ、８ｂが端面と直角方向でかつ均等間隔にそれぞ
れ複数個形成されている。また、振動体５の短手方向の
両側面にも、可動電極９ａ、９ｂが側面と直角方向でか
つ均等間隔にそれぞれ複数個形成されている。振動体５
の長手方向には、可動電極８ａ、８ｂとそれぞれ間隙を
介して噛み合う櫛形の駆動電極１１、１２が形成されて
いる。また、振動体５の短手方向には、可動電極９ａ、
９ｂとそれぞれ間隙を介して噛み合う櫛形の検出電極１
３、１４が形成されている。

【００２０】また、点集合部分で示す振動体５、支持梁
６ａ、可動電極８ａ、８ｂ、９ａ、９ｂは、それらの下
部および近傍に間隙が支持基板１との間に形成され自由
振動可能になっている。

【００２１】図５および図６に示すように、角速度セン
サ３ａの駆動電極１１、１２は、絶縁膜１５の上に形成
されたメタル配線１１ａ、１２ａを介して、回路機能部
４に形成された駆動信号発振回路の出力電極１１ｂ、１
２ｂにそれぞれ接続される。また、角速度センサ３ａの
検出電極１３、１４は絶縁膜１５の上に形成されたメタ
ル配線１３ａ、１４ａを介して、回路機能部４に形成さ
れた容量・電圧変換回路のＦＥＴのゲート電極１３ｂ、
１４ｂにそれぞれ接続される。

【００２２】この場合、絶縁膜１５とその上に形成され
たメタル配線パターン１１ａ、１２ａ、１３ａ、１４ａ
とは、センサ機能部３と回路機能部４との間に形成され
た分離帯２ｂを跨ぐことになる。つぎに、角速度センサ
装置１０の動作について説明する。回路機能部４の駆動
信号発振回路の出力電極１１ｂ、１２ｂから、メタル配
線１１ａ、１２ａを介し、１０ｋＨｚの発振周波数で同
極性の１８０゜位相の異なる正弦波の交流電圧を、駆動
電極１１、１２とアンカー電極７（グランド）との間に
印加する。

【００２３】すると、振動体５は、その長手方向に振動
するようになる。このように振動体５が振動していると
きに、角速度センサ３ａが紙面に垂直な中心軸５ａの回
りに回転すると、振動体５はコリオリ力によりその短手
方向に振動するようになる。そして、検出電極１３、１
４と振動体５の可動電極９ａ、９ｂとの間に形成される
静電容量が、一方は増加し他方は減少するようになる。
この静電容量の変化量が、検出電極１３、１４からメタ
ル配線１３ａ、１４ａを介して容量・電圧変換回路の入
力電極（ＦＥＴのゲート電極）１３ｂ、１４ｂにそれぞ
れ入力される。そして、一対の検出電極１３、１４の出
力信号の変換電圧の差をとり、これを増幅して角速度を
検出する。

【００２４】つぎに、図６に示す角速度センサ装置１０
の製造方法について図１〜図５を参照して説明する。こ
れらの図１〜図５は、図６のＸ−Ｘ線断面によるもので
ある。

【００２５】図１において、厚みが５０〜３００μｍの
一方のシリコン基板２の裏面側に、シリコン基板２の表
面と天面との厚みが１０〜２０μｍで、前述の角速度セ
ンサの自由振動空間の領域を与える広さを有する凹部２
ａを形成する。ついで、他方のシリコン基板２の表面側
に、半導体回路形成技術を用いて、回路機能部４を構成
する駆動信号発振回路の出力電極１１ｂ、１２ｂと容量
・電圧変換回路の入力電極１３ｂ、１４ｂとを形成す
る。これらの回路は、ＦＥＴを主たる素子とする能動素
子および受動素子により形成されている。

【００２６】つぎに、回路機能部４を含むシリコン基板
２の表面の全面に酸化シリコンなどの絶縁膜１５を減圧
ＣＶＤ（化学気相成長）などにより形成する。そして、
フォトリソグラフィおよびＢＨＦ（バファフッ酸）を用
いたエッチングにより、絶縁膜１５をエッチングして、
回路機能部４の入出力電極と、シリコン基板２の一方の
表面に形成される駆動電極１１、１２の予定領域１
１’、１２’と、検出電極１３、１４の予定領域１
３’、１４’と、にそれぞれ窓を開ける。

【００２７】ついで、前記窓に位置するゲート電極Ｇお
よび前記予定領域１１’〜１４’に接続するアルミニュ
ウムなどのメタル膜ｍ１を絶縁膜１５の全面にスパッタ
リングなどにより形成する。

【００２８】図２において、シリコン基板２の裏面にレ
ジストマスクを形成し、６フッ化硫黄（ＳＦ₆ ）を用い
たＲＩＥ（Reactive Ion Etching）により、シリコン基
板２をその裏面から絶縁膜１５に達するまで選択的にエ
ッチングして、幅が数十μｍの分離帯２ｂを形成する。
そして、この分離帯２ｂにより、シリコン基板２を分離
して、センサ機能部３の形成されるシリコン島３’と回
路機能部４の形成されたシリコン島４’とに分離する。
しかし、これらのシリコン島３’とシリコン島４’と
は、それらのシリコン基板２が分離帯２ｂにより分離は
されているが、この分離帯２ｂを跨ぐ絶縁膜１５および
メタル膜ｍ１により接続されている。

【００２９】ここに、シリコン島３’とシリコン島４’
とは、ウエハに多数個形成されて、分離帯２ｂ以外はウ
エハに結合しているので、シリコン島３’とシリコン島
４’を結合している絶縁膜１５およびメタル膜ｍ１が折
れることはない。

【００３０】図３において、シリコン島３’とシリコン
島４’とを、パイレックスガラスなどの支持基板１に陽
極接合技術を用いて接合する。

【００３１】図４において、レジストマスクを用い、メ
タル膜ｍ１をエッチングして、図６に示すメタル配線１
１ａ、１２ａ、１３ａ、１４ａを形成する。

【００３２】図５において、メタル配線１１ａ、１２
ａ、１３ａ、１４ａを含む絶縁膜１５の上に、図７に示
す角速度センサの平面形状にレジストマスクを形成し、
このレジストマスクを用いて絶縁膜１５をＢＨＦ（バフ
ァフッ酸）のエッチング液でエッチングする。ついで、
同じレジストマスクを用いて、６フッ化硫黄（ＳＦ₆ ）
を用いたＲＩＥ（Reactive Ion Etching）により、シリ
コン基板２を表面から支持基板１に達するまで選択的に
エッチングして不要部を除去し、例えば、図９に示すよ
うに、シリコン基板２を垂直加工して、図６に示す平面
形状の角速度センサ装置１０を製造する。

【００３３】上記実施例においては、メタル配線１１
ａ、１２ａ、１３ａ、１４ａは、図４に示す後段の工程
においてメタル膜ｍ１をエッチングして形成したが、図
２に示す前段の工程においてメタル膜ｍ１をエッチング
して形成してもよい。この場合、分離帯２ｂをエアブリ
ッジしている絶縁膜１５とメタル配線１１ａ、１２ａ、
１３ａ、１４ａの２重構造が折れる懸念があるが、前述
のように、量産においてはウエハ・レベルで生産され、
後工程において半導体加工部品のチップに切断されるの
で、問題はない。

【００３４】また、図６に示すメタル配線１１ａ、１２
ａ、１３ａ、１４ａについて、図１０に示すように、回
路機能部４の入出力電極１１ｂ、１２ｂ、１３ｂ、１４
ｂから分離帯２ｂを跨いでセンサ機能部３の領域まで、
ポリシリコン配線１１１、１２１、１３１、１４１を、
ＬＰＣＶＤ（減圧化学成長）、フォトエッチングなどに
より、前段工程で形成し、その後シリコン基板２の分離
を行い、後段工程において、センサ機能部３の電極とこ
れらのポリシリコン配線１１１、１２１、１３１、１４
１とをアルミニュムなどのメタル配線１１２、１２２、
１３２、１４２で接続してもよい。

【００３５】ポリシリコン配線を用いることにより、回
路機能部４のＦＥＴなどのポリシリコン電極を形成する
工程において、このポリシリコン電極と同時にポリシリ
コン配線を形成できる効果がある。また、ポリシリコン
配線は、アルミニゥムなどのメタル配線より強度が大き
いという利点もある。

【００３６】

【発明の効果】請求項１から請求項３に記載の本発明
は、シリコン基板の表面に絶縁膜とメタル膜、メタル配
線またはポリシリコン配線とを形成した後に、該絶縁膜
とメタル膜、メタル配線またはポリシリコン配線とはそ
のままにして、シリコン基板のみを裏面からエッチング
して機能部毎のシリコン島に分離し、シリコン島間の電
気的絶縁を図る。しかる後、複数個のシリコン島を支持
基板に結合して加工構造体としての強度を持たせる。

【００３７】したがって、本発明は、シリコン基板の分
離前にメタル膜、メタル配線またはポリシリコン配線を
設けるので、シリコン基板の厚みに関係なくメタル配線
またはポリシリコン配線が形成できることになる。従
来、シリコン基板が厚くなるとボンディングワイヤを用
いていたが、本発明においては、厚いシリコン基板を使
用しても、ボンディングワイヤを採用することなく、メ
タル配線またはポリシリコン配線を使用できることにな
る。

【００３８】また、本発明は、ボンディングワイヤを使
用しないため、半導体加工部品の面積が小さくなり、コ
ストを低減できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の半導体加工部品の製造方法の一実施
例としての角速度センサ装置の製造方法を示すもので、
シリコン基板の表面に回路機能部、絶縁膜、メタル膜な
どを形成する工程図

【図２】 同じく、シリコン基板の裏面側から、シリコ
ン基板をエッチングして機能部毎に分離する工程図

【図３】 同じく、複数個の機能部を支持基板に結合す
る工程図

【図４】 同じく、メタル膜をエッチングしてメタル配
線を形成する工程図

【図５】 同じく、複数個の機能部のうち、未加工の機
能部を形成する工程図

【図６】 本実施例により製造された角速度センサ装置
の平面図

【図７】 図６に示す角速度センサの拡大平面図

【図８】 図６のＹ−Ｙ線断面図

【図９】 図６のＺ−Ｚ線断面図

【図１０】 本発明の他の実施例を示す図

【図１１】 従来の半導体加工部品の製造方法を説明す
る形態図

【図１２】 同じく、他の従来の半導体加工部品の製造
方法を説明する形態図

【図１３】 同じく、更に他の従来の半導体加工部品の
製造方法を説明する形態図

【符号の説明】

１ 支持基板 ２ シリコン基板 ２ａ 凹部 ２ｂ 分離帯 ３ センサ機能部 ３’、４’ シリコン島 ３ａ 角速度センサ ４ 回路機能部 ５ 振動体 ６ａ 支持梁 ７ アンカー電極 ８ａ、８ｂ、９ａ、９ｂ 可動電極 １０ 角速度センサ装置 １１、１２ 駆動電極 １１’〜１４’ 予定領域 １１ａ〜１４ａ メタル配線 １１ｂ、１２ｂ 駆動信号発振回路の出力
電極 １３、１４ 検出電極 １３ｂ、１４ｂ 容量・電圧変換回路の入
力電極 １１１、１２１、１３１、１４１ ポリシリコン配線 １１２、１２２、１３２、１４２ メタル配線

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 シリコン基板の一つの主面に少なくとも
   回路機能部とセンサ機能部の電極を形成する工程と、 前記回路機能部を含む前記シリコン基板の一つの主面に
   絶縁膜を形成し、前記回路機能部の電極と前記センサ機
   能部の電極に接続するメタル膜を前記絶縁膜上に形成す
   る工程と、 前記シリコン基板の他の主面側から該シリコン基板を、
   前記絶縁層に達するまで選択的にエッチングして、前記
   絶縁膜とメタル膜により結合された複数個のシリコン島
   であって、前記回路機能部の形成された一つのシリコン
   島と前記センサ機能部の形成されるもう一つのシリコン
   島とに分離する工程と、 前記複数個のシリコン島を支持基板に接合する工程と、 前記メタル膜をエッチングして、前記回路機能部の電極
   と前記センサ機能部の電極とを接続するメタル配線を形
   成する工程と、 前記絶縁膜をエッチングし、かつ、センサ機能部をフォ
   トエッチングにより形成する工程と、 前記シリコンの不要部をエッチングして除去する工程
   と、よりなる半導体加工部品の製造方法。
2. 【請求項２】 シリコン基板の一つの主面に少なくとも
   回路機能部とセンサ機能部の電極を形成する工程と、 前記回路機能部を含む前記シリコン基板の一つの主面に
   絶縁膜を形成し、前記回路機能部の電極と前記センサ機
   能部の電極とを接続するメタル配線を前記絶縁膜上に形
   成する工程と、 前記シリコン基板の他の主面側から該シリコン基板を、
   前記絶縁膜に達するまで選択的にエッチングして、前記
   絶縁膜とメタル配線により結合された複数個のシリコン
   島であって、前記回路機能部の形成された一つのシリコ
   ン島と前記センサ機能部の形成されるもう一つのシリコ
   ン島とに分離する工程と、 前記複数個のシリコン島を支持基板に接合する工程と、 前記センサ機能部をフォトエッチングにより形成する工
   程と、 前記シリコンの不要部をエッチングして除去する工程
   と、よりなる半導体加工部品の製造方法。
3. 【請求項３】 シリコン基板の一つの主面に少なくとも
   回路機能部と該回路機能部の電極から絶縁膜上をセンサ
   機能部の領域まで伸びるポリシリコン配線を形成する工
   程と、 前記シリコン基板の他の主面側から該シリコン基板を、
   前記絶縁膜に達するまで選択的にエッチングして、前記
   絶縁膜とポリシリコン配線により結合された複数個のシ
   リコン島であって、前記回路機能部の形成された一つの
   シリコン島と前記センサ機能部の形成されるもう一つの
   シリコン島とに分離する工程と、 前記複数個のシリコン島を支持基板に接合する工程と、 前記センサ機能部の電極と前記ポリシリコン配線とをメ
   タル配線により接続する工程と、 前記センサ機能部をフォトエッチングにより形成する工
   程と、 前記シリコンの不要部をエッチングして除去する工程
   と、よりなる半導体加工部品の製造方法。