JPH1031050A - 偏向コイルアセンブリ耐圧試験器 - Google Patents
偏向コイルアセンブリ耐圧試験器Info
- Publication number
- JPH1031050A JPH1031050A JP8186204A JP18620496A JPH1031050A JP H1031050 A JPH1031050 A JP H1031050A JP 8186204 A JP8186204 A JP 8186204A JP 18620496 A JP18620496 A JP 18620496A JP H1031050 A JPH1031050 A JP H1031050A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- deflection coil
- coil assembly
- horizontal deflection
- voltage
- withstand voltage
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- Testing Of Short-Circuits, Discontinuities, Leakage, Or Incorrect Line Connections (AREA)
- Testing Relating To Insulation (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 完成品の偏向コイルアセンブリをそのまま試
験できる耐圧試験器を提供する。 【解決手段】 発振回路1から出力された出力信号Vi
は、ドライブ回路2でスイッチング制御信号V1〜V3
となり、スイッチング用トランジスタ3a〜3cのベー
スに入力される。スイッチング用トランジスタ3a〜3
cがオフすると、水平偏向コイル11と共振用コンデン
サ4a〜4cとの共振回路により正のパルス電圧Voが
水平偏向コイルアセンブリ10に印加される。ダンパー
ダイオード5a〜5cがあるため、負の電圧は水平偏向
コイルアセンブリ10に印加されない。水平偏向コイル
11がレアショートしていると、共振回路のQ値が下が
るから、+B電流が大きくなり、メータリレー7の接点
が閉じ、異常を報知する。 【効果】 ダイオードを含むリンギング補正回路を一体
化した完成品の水平偏向コイルアセンブリをそのまま試
験できる。実際の使用時の性能を正しく表した試験結果
が得られる。
験できる耐圧試験器を提供する。 【解決手段】 発振回路1から出力された出力信号Vi
は、ドライブ回路2でスイッチング制御信号V1〜V3
となり、スイッチング用トランジスタ3a〜3cのベー
スに入力される。スイッチング用トランジスタ3a〜3
cがオフすると、水平偏向コイル11と共振用コンデン
サ4a〜4cとの共振回路により正のパルス電圧Voが
水平偏向コイルアセンブリ10に印加される。ダンパー
ダイオード5a〜5cがあるため、負の電圧は水平偏向
コイルアセンブリ10に印加されない。水平偏向コイル
11がレアショートしていると、共振回路のQ値が下が
るから、+B電流が大きくなり、メータリレー7の接点
が閉じ、異常を報知する。 【効果】 ダイオードを含むリンギング補正回路を一体
化した完成品の水平偏向コイルアセンブリをそのまま試
験できる。実際の使用時の性能を正しく表した試験結果
が得られる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、偏向コイルアセン
ブリ耐圧試験器に関し、さらに詳しくは、実際の使用状
態に近い状態で完成品の偏向コイルアセンブリの耐圧試
験を行うことが出来る偏向コイルアセンブリ耐圧試験器
に関する。
ブリ耐圧試験器に関し、さらに詳しくは、実際の使用状
態に近い状態で完成品の偏向コイルアセンブリの耐圧試
験を行うことが出来る偏向コイルアセンブリ耐圧試験器
に関する。
【0002】
【従来の技術】図3は、公知のコイル耐圧試験器の一例
を示す構成図である。このコイル耐圧試験器500は、
発振部51と,ドライブ段52と,出力増幅部53と,
出力共振部54とを具備して構成されている。試験対象
コイル61(例えば偏向コイル)は、前記コイル耐圧試
験器500の出力端子P1とアース端子P2の間に接続
される。そして、前記出力端子P1から図4に示すごと
き正弦波電圧Vsを前記試験対象コイル61に印加す
る。
を示す構成図である。このコイル耐圧試験器500は、
発振部51と,ドライブ段52と,出力増幅部53と,
出力共振部54とを具備して構成されている。試験対象
コイル61(例えば偏向コイル)は、前記コイル耐圧試
験器500の出力端子P1とアース端子P2の間に接続
される。そして、前記出力端子P1から図4に示すごと
き正弦波電圧Vsを前記試験対象コイル61に印加す
る。
【0003】前記試験対象コイル61の層間にレアショ
ート等の絶縁不良がある場合、前記試験対象コイルのQ
(Quality factor )値が小さくなり、前記試験対象コ
イル61の端子間電圧が上昇しなくなる。従って、これ
により前記試験対象コイル61の絶縁不良を検出でき
る。
ート等の絶縁不良がある場合、前記試験対象コイルのQ
(Quality factor )値が小さくなり、前記試験対象コ
イル61の端子間電圧が上昇しなくなる。従って、これ
により前記試験対象コイル61の絶縁不良を検出でき
る。
【0004】なお、上記のような共振式のコイル耐圧試
験器に関連して、特公平6−19417号公報には、P
LL回路を利用して直列共振回路を自動同調する技術が
開示されている。また、試験対象コイルへの印加電圧を
当該試験対象コイルのインダクタンスに応じて決定され
た電圧となるよう自動調整する技術が開示されている。
験器に関連して、特公平6−19417号公報には、P
LL回路を利用して直列共振回路を自動同調する技術が
開示されている。また、試験対象コイルへの印加電圧を
当該試験対象コイルのインダクタンスに応じて決定され
た電圧となるよう自動調整する技術が開示されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】上記従来のコイル耐圧
試験器500では、極性が正負に振れる正弦波電圧Vs
を試験対象に印加するため、コイルのような無極性のも
のは試験できたが、ダイオードを含む回路のような極性
のあるものは試験できない問題点があった。具体的に
は、単体の水平偏向コイル(図1の11)なら試験でき
たが、リンギング補正回路(図1の12)を一体化した
完成品の水平偏向コイルアセンブリ(図1の10)は試
験できない問題点があった(リンギング補正回路のダイ
オードなどが焼損する場合があった)。また、水平偏向
コイルアセンブリには、使用時には水平周期のパルス電
圧が印加されるが、正弦波電圧Vsはこれと異なるた
め、試験結果が実際の使用時の性能を表しているのか否
か疑問のある問題点があった。そこで、本発明の目的
は、完成品の偏向コイルアセンブリの耐圧試験を実際の
使用状態に近い状態で行うことが出来る偏向コイルアセ
ンブリ耐圧試験器を提供することにある。
試験器500では、極性が正負に振れる正弦波電圧Vs
を試験対象に印加するため、コイルのような無極性のも
のは試験できたが、ダイオードを含む回路のような極性
のあるものは試験できない問題点があった。具体的に
は、単体の水平偏向コイル(図1の11)なら試験でき
たが、リンギング補正回路(図1の12)を一体化した
完成品の水平偏向コイルアセンブリ(図1の10)は試
験できない問題点があった(リンギング補正回路のダイ
オードなどが焼損する場合があった)。また、水平偏向
コイルアセンブリには、使用時には水平周期のパルス電
圧が印加されるが、正弦波電圧Vsはこれと異なるた
め、試験結果が実際の使用時の性能を表しているのか否
か疑問のある問題点があった。そこで、本発明の目的
は、完成品の偏向コイルアセンブリの耐圧試験を実際の
使用状態に近い状態で行うことが出来る偏向コイルアセ
ンブリ耐圧試験器を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は、試験対象の偏
向コイルアセンブリが接続される+B端子と出力端子と
を有する偏向コイルアセンブリ耐圧試験器であって、+
B端子にチョークコイルを介して直流電圧+Bを供給す
る+B電圧供給手段と、+B端子を交流的にアースする
接地用コンデンサと、スイッチング制御信号を入力され
且つ出力端子とアース間をスイッチングするスイッチン
グ素子と、前記スイッチング素子に並列に接続され且つ
前記スイッチング素子のオフ時に偏向コイルアセンブリ
のインダクタンスと共振を生じる共振用コンデンサと、
その共振用コンデンサに並列に接続されたダンパーダイ
オードと、偏向コイルアセンブリへ流れる+B電流を検
出する+B電流検出手段とを具備し、前記+B電流の変
化に基づいて偏向コイルアセンブリの耐圧試験の結果を
判定可能としたことを特徴とする偏向コイルアセンブリ
耐圧試験器を提供する。上記構成において、スイッチン
グ素子のスイッチング周波数は、試験対象の偏向コイル
を使用する周波数に一致させることが好ましい。
向コイルアセンブリが接続される+B端子と出力端子と
を有する偏向コイルアセンブリ耐圧試験器であって、+
B端子にチョークコイルを介して直流電圧+Bを供給す
る+B電圧供給手段と、+B端子を交流的にアースする
接地用コンデンサと、スイッチング制御信号を入力され
且つ出力端子とアース間をスイッチングするスイッチン
グ素子と、前記スイッチング素子に並列に接続され且つ
前記スイッチング素子のオフ時に偏向コイルアセンブリ
のインダクタンスと共振を生じる共振用コンデンサと、
その共振用コンデンサに並列に接続されたダンパーダイ
オードと、偏向コイルアセンブリへ流れる+B電流を検
出する+B電流検出手段とを具備し、前記+B電流の変
化に基づいて偏向コイルアセンブリの耐圧試験の結果を
判定可能としたことを特徴とする偏向コイルアセンブリ
耐圧試験器を提供する。上記構成において、スイッチン
グ素子のスイッチング周波数は、試験対象の偏向コイル
を使用する周波数に一致させることが好ましい。
【0007】上記第1の観点による偏向コイルアセンブ
リ耐圧試験器では、まず、スイッチング素子がオンの期
間に、+B電圧供給手段から偏向コイルアセンブリのイ
ンダクタンスにエネルギーが蓄積される。次に、スイッ
チング素子がオフの期間に、偏向コイルアセンブリのイ
ンダクタンスから共振用コンデンサへエネルギーが移
り、共振用コンデンサの端子電圧が急上昇し、次いで共
振用コンデンサから偏向コイルアセンブリのインダクタ
ンスへエネルギーが戻り、共振用コンデンサの端子電圧
が下降し、0を過ぎると、前と逆方向に偏向コイルアセ
ンブリのインダクタンスから共振用コンデンサへエネル
ギーが移ろうとするが、この方向には共振用コンデンサ
がダンパーダイオードで短絡されているから、共振用コ
ンデンサの端子電圧は0のままとなる。これが繰り返さ
れ、結果的に、正のパルス電圧が試験対象の偏向コイル
アセンブリに印加されることとなる。試験対象の偏向コ
イルアセンブリにレアショート等の絶縁不良があると、
偏向コイルアセンブリのインダクタンスと共振用コンデ
ンサによる共振回路のQ値が下がり、正常時よりも大き
な+B電流が流れる。したがって、+B電流の増大から
絶縁不良を検出できる。そして、+B端子と出力端子の
間には正のパルス電圧だけが掛かるため、リンギング補
正回路を一体化した完成品の水平偏向コイルアセンブリ
をそのまま試験できるようになる。また、実際の使用時
のパルス電圧に近いパルス電圧が水平偏向コイルアセン
ブリに印加されため、試験結果が実際の使用時の性能を
正しく表すようになる。
リ耐圧試験器では、まず、スイッチング素子がオンの期
間に、+B電圧供給手段から偏向コイルアセンブリのイ
ンダクタンスにエネルギーが蓄積される。次に、スイッ
チング素子がオフの期間に、偏向コイルアセンブリのイ
ンダクタンスから共振用コンデンサへエネルギーが移
り、共振用コンデンサの端子電圧が急上昇し、次いで共
振用コンデンサから偏向コイルアセンブリのインダクタ
ンスへエネルギーが戻り、共振用コンデンサの端子電圧
が下降し、0を過ぎると、前と逆方向に偏向コイルアセ
ンブリのインダクタンスから共振用コンデンサへエネル
ギーが移ろうとするが、この方向には共振用コンデンサ
がダンパーダイオードで短絡されているから、共振用コ
ンデンサの端子電圧は0のままとなる。これが繰り返さ
れ、結果的に、正のパルス電圧が試験対象の偏向コイル
アセンブリに印加されることとなる。試験対象の偏向コ
イルアセンブリにレアショート等の絶縁不良があると、
偏向コイルアセンブリのインダクタンスと共振用コンデ
ンサによる共振回路のQ値が下がり、正常時よりも大き
な+B電流が流れる。したがって、+B電流の増大から
絶縁不良を検出できる。そして、+B端子と出力端子の
間には正のパルス電圧だけが掛かるため、リンギング補
正回路を一体化した完成品の水平偏向コイルアセンブリ
をそのまま試験できるようになる。また、実際の使用時
のパルス電圧に近いパルス電圧が水平偏向コイルアセン
ブリに印加されため、試験結果が実際の使用時の性能を
正しく表すようになる。
【0008】
【発明の実施の形態】以下、図に示す実施形態により本
発明をさらに詳細に説明する。なお、これにより本発明
が限定されるものではない。
発明をさらに詳細に説明する。なお、これにより本発明
が限定されるものではない。
【0009】図1は、本発明の一実施形態にかかる偏向
コイルアセンブリ耐圧試験器の構成図である。この偏向
コイルアセンブリ耐圧試験器100は、発振回路1と,
その発振回路1の出力信号に基づくスイッチング制御信
号を出力するドライブ回路2と,前記スイッチング制御
信号を入力され且つ出力端子P1とアース間をスイッチ
ングするスイッチング用トランジスタ3a〜3cと、そ
のスイッチング素子に並列に接続された共振用コンデン
サ4a〜4cと、その共振用コンデンサに並列に接続さ
れたダンパーダイオード5a〜5cと、+B端子P2に
チョークコイル8を介して直流電圧+Bを供給する+B
電源回路6と、+B電流を検出するメータリレー7と、
+B端子P2を交流的にアースする接地用コンデンサ9
とを具備して構成されている。なお、前記+B電源回路
6は、請求項1に記載の「+B電圧供給手段」に相当す
る。また、前記メータリレー7は、請求項1に記載の
「+B電流検出手段」に相当する。試験対象の偏向コイ
ルアセンブリ10は、偏向コイルアセンブリ耐圧試験器
100の出力端子P1と+B端子P2の間に接続され
る。水平偏向コイルアセンブリ10は、水平偏向コイル
11と,リンギング補正回路12と,漏洩磁界防止コイ
ル13とを一体化したものである。
コイルアセンブリ耐圧試験器の構成図である。この偏向
コイルアセンブリ耐圧試験器100は、発振回路1と,
その発振回路1の出力信号に基づくスイッチング制御信
号を出力するドライブ回路2と,前記スイッチング制御
信号を入力され且つ出力端子P1とアース間をスイッチ
ングするスイッチング用トランジスタ3a〜3cと、そ
のスイッチング素子に並列に接続された共振用コンデン
サ4a〜4cと、その共振用コンデンサに並列に接続さ
れたダンパーダイオード5a〜5cと、+B端子P2に
チョークコイル8を介して直流電圧+Bを供給する+B
電源回路6と、+B電流を検出するメータリレー7と、
+B端子P2を交流的にアースする接地用コンデンサ9
とを具備して構成されている。なお、前記+B電源回路
6は、請求項1に記載の「+B電圧供給手段」に相当す
る。また、前記メータリレー7は、請求項1に記載の
「+B電流検出手段」に相当する。試験対象の偏向コイ
ルアセンブリ10は、偏向コイルアセンブリ耐圧試験器
100の出力端子P1と+B端子P2の間に接続され
る。水平偏向コイルアセンブリ10は、水平偏向コイル
11と,リンギング補正回路12と,漏洩磁界防止コイ
ル13とを一体化したものである。
【0010】前記スイッチング用トランジスタ3a〜3
c(例えば耐圧0.5kV程度)を3段シリーズに接続
する理由は、前記出力端子P1とアース間に発生する高
電圧(例えば1.5kV程度)に耐えられるようにする
ためである。
c(例えば耐圧0.5kV程度)を3段シリーズに接続
する理由は、前記出力端子P1とアース間に発生する高
電圧(例えば1.5kV程度)に耐えられるようにする
ためである。
【0011】次に、図2を参照して、この偏向コイルア
センブリ耐圧試験器100の動作について説明する。図
2の(a)に示すように、発振回路1は、矩形波の出力
信号Viを出力する。この出力信号Viの周波数は、水
平偏向コイルアセンブリ10が動作する水平偏向周波数
(例えば、15.75kHz,31.50kHz,4
7.25kHz,63.00kHz)と一致させること
が好ましい。図2の(b)に示すように、ドライブ回路
2は、前記出力信号Viに基づいてスイッチング制御信
号V1〜V3を生成し、それぞれをスイッチング用トラ
ンジスタ3a〜3cのベースに入力する。
センブリ耐圧試験器100の動作について説明する。図
2の(a)に示すように、発振回路1は、矩形波の出力
信号Viを出力する。この出力信号Viの周波数は、水
平偏向コイルアセンブリ10が動作する水平偏向周波数
(例えば、15.75kHz,31.50kHz,4
7.25kHz,63.00kHz)と一致させること
が好ましい。図2の(b)に示すように、ドライブ回路
2は、前記出力信号Viに基づいてスイッチング制御信
号V1〜V3を生成し、それぞれをスイッチング用トラ
ンジスタ3a〜3cのベースに入力する。
【0012】図2の(c)に示すように、スイッチング
用トランジスタ3a〜3cがオンした時刻t1からコレ
クタ電流icが流れる。また、図2の(f)に示すよう
に、水平偏向コイル11にコイル電流iLが流れる。水
平偏向コイル11のインダクタンスのため、コレクタ電
流ic,コイル電流iLは直線的に増加する。
用トランジスタ3a〜3cがオンした時刻t1からコレ
クタ電流icが流れる。また、図2の(f)に示すよう
に、水平偏向コイル11にコイル電流iLが流れる。水
平偏向コイル11のインダクタンスのため、コレクタ電
流ic,コイル電流iLは直線的に増加する。
【0013】時刻t2でスイッチング用トランジスタ3
a〜3cがオフになると、図2の(c)に示すようにコ
レクタ電流icが0となる。しかし、水平偏向コイル1
1のインダクタンスのためコイル電流iLが流れ続け、
図2の(e)に示すように共振用コンデンサ4a〜4c
にコンデンサ電流irが流れる。そして、図2の(g)
に示すように、出力端子P1の電圧Voは上昇する。こ
の電圧Voは、共振用コンデンサ4a〜4cの容量が小
さいため、高圧になる。電圧Voが上昇するにつれて、
図2の(e)に示すようにコンデンサ電流irは減少す
る。
a〜3cがオフになると、図2の(c)に示すようにコ
レクタ電流icが0となる。しかし、水平偏向コイル1
1のインダクタンスのためコイル電流iLが流れ続け、
図2の(e)に示すように共振用コンデンサ4a〜4c
にコンデンサ電流irが流れる。そして、図2の(g)
に示すように、出力端子P1の電圧Voは上昇する。こ
の電圧Voは、共振用コンデンサ4a〜4cの容量が小
さいため、高圧になる。電圧Voが上昇するにつれて、
図2の(e)に示すようにコンデンサ電流irは減少す
る。
【0014】時刻t3で図2の(g)に示すように電圧
Voはピークとなり、図2の(e)に示すようにコンデ
ンサ電流irは0となる。すると、共振コンデンサ4a
〜4cから水平偏向コイル11のインダクタンスへ放電
が始り、図2の(g)に示すように電圧Voは下降し、
図2の(e)に示すようにコンデンサ電流irは逆方向
に増加する。従って、図2の(f)に示すようにコイル
電流iLも逆方向に増加する。
Voはピークとなり、図2の(e)に示すようにコンデ
ンサ電流irは0となる。すると、共振コンデンサ4a
〜4cから水平偏向コイル11のインダクタンスへ放電
が始り、図2の(g)に示すように電圧Voは下降し、
図2の(e)に示すようにコンデンサ電流irは逆方向
に増加する。従って、図2の(f)に示すようにコイル
電流iLも逆方向に増加する。
【0015】時刻t4で図2の(g)に示すように電圧
Voが0になっても、水平偏向コイル11のインダクタ
ンスのためコイル電流iLが流れ続け、共振用コンデン
サ4a〜4cを逆方向に充電しようとする。ところが、
ダンパーダイオード5aがあるため、図2の(d)に示
すようにダイオード電流idが流れ、共振用コンデンサ
4a〜4cは逆方向には充電されない。従って、図2の
(e)に示すように電圧Voは0のままとなる。ダイオ
ード電流idが流れることにより水平偏向コイル11の
インダクタンスに蓄積されたエネルギーが失われてしま
うため、図2の(d)に示すようにダイオード電流id
は減少し、図2の(f)に示すようにコイル電流iLも
減少する。時刻t5になると、スイッチング用トランジ
スタ3a〜3cが再びオンし、上記時刻t1からの動作
が新たに反復される。
Voが0になっても、水平偏向コイル11のインダクタ
ンスのためコイル電流iLが流れ続け、共振用コンデン
サ4a〜4cを逆方向に充電しようとする。ところが、
ダンパーダイオード5aがあるため、図2の(d)に示
すようにダイオード電流idが流れ、共振用コンデンサ
4a〜4cは逆方向には充電されない。従って、図2の
(e)に示すように電圧Voは0のままとなる。ダイオ
ード電流idが流れることにより水平偏向コイル11の
インダクタンスに蓄積されたエネルギーが失われてしま
うため、図2の(d)に示すようにダイオード電流id
は減少し、図2の(f)に示すようにコイル電流iLも
減少する。時刻t5になると、スイッチング用トランジ
スタ3a〜3cが再びオンし、上記時刻t1からの動作
が新たに反復される。
【0016】+B電源回路6は、電圧Voのピーク値が
試験電圧となるように、供給する+B電圧を制御する。
以上により、出力端子P1には、正のパルス電圧Voが
生じることとなり、これが試験対象の水平偏向コイルア
センブリ10に加わることとなる。
試験電圧となるように、供給する+B電圧を制御する。
以上により、出力端子P1には、正のパルス電圧Voが
生じることとなり、これが試験対象の水平偏向コイルア
センブリ10に加わることとなる。
【0017】さて、水平偏向コイル11の層間にレアシ
ョート等の絶縁不良がある場合には、水平偏向コイル1
1と共振用コンデンサ4a〜4cとで構成される共振回
路のQ値が下がる。すると、絶縁が良好な場合よりも+
B電流が大きくなる。これにより、メータリレー7の接
点が閉じ、絶縁不良を検査者に報知する。
ョート等の絶縁不良がある場合には、水平偏向コイル1
1と共振用コンデンサ4a〜4cとで構成される共振回
路のQ値が下がる。すると、絶縁が良好な場合よりも+
B電流が大きくなる。これにより、メータリレー7の接
点が閉じ、絶縁不良を検査者に報知する。
【0018】以上の偏向コイルアセンブリ耐圧試験器1
00によれば、リンギング補正回路10を一体化した完
成品の水平偏向コイルアセンブリ10を耐圧試験できる
ようになる。また、実際の使用時のパルス電圧に近いパ
ルス電圧が水平偏向コイルアセンブリ10に印加された
め、試験結果が実際の使用時の性能を正しく表すように
なる。
00によれば、リンギング補正回路10を一体化した完
成品の水平偏向コイルアセンブリ10を耐圧試験できる
ようになる。また、実際の使用時のパルス電圧に近いパ
ルス電圧が水平偏向コイルアセンブリ10に印加された
め、試験結果が実際の使用時の性能を正しく表すように
なる。
【0019】
【発明の効果】本発明の偏向コイルアセンブリ耐圧試験
器によれば、負の電圧を印加しないから、ダイオードを
含むリンギング補正回路を一体化した完成品の水平偏向
コイルアセンブリをそのまま試験できるようになる。ま
た、実際の使用時に水平偏向コイルアセンブリに印加さ
れるパルス電圧に近い正のパルス電圧を印加するため、
実際の使用時の性能を正しく表した試験結果が得られる
ようになる。
器によれば、負の電圧を印加しないから、ダイオードを
含むリンギング補正回路を一体化した完成品の水平偏向
コイルアセンブリをそのまま試験できるようになる。ま
た、実際の使用時に水平偏向コイルアセンブリに印加さ
れるパルス電圧に近い正のパルス電圧を印加するため、
実際の使用時の性能を正しく表した試験結果が得られる
ようになる。
【図1】本発明の一実施形態にかかる偏向コイルアセン
ブリ耐圧試験器を示す構成図である。
ブリ耐圧試験器を示す構成図である。
【図2】図1の偏向コイルアセンブリ耐圧試験器の各部
の電圧および電流を示す波形図である。
の電圧および電流を示す波形図である。
【図3】従来のコイル耐圧試験器の一例を示す構成図で
ある。
ある。
【図4】図3のコイル耐圧試験器が出力する正弦波電圧
の説明図である。
の説明図である。
100 偏向コイルアセンブリ耐圧試験器 1 発振回路 2 ドライブ回路 3a〜3c スイッチング用トランジスタ 4a〜4c 共振用コンデンサ 5a〜5c ダンパーダイオード 6 +B電源回路 7 メータリレー 8 チョークコイル 9 接地用コンデンサ 10 水平偏向コイルアセンブリ 11 水平偏向コイル 12 リンギング補正回路 13 漏洩磁界防止コイル
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 飯島 修 長野県上田市大字大屋300番地 東京特殊 電線株式会社上田工場内
Claims (1)
- 【請求項1】 試験対象の偏向コイルアセンブリが接続
される+B端子と出力端子とを有する偏向コイルアセン
ブリ耐圧試験器であって、+B端子にチョークコイルを
介して直流電圧+Bを供給する+B電圧供給手段と、+
B端子を交流的にアースする接地用コンデンサと、スイ
ッチング制御信号を入力され且つ出力端子とアース間を
スイッチングするスイッチング素子と、そのスイッチン
グ素子に並列に接続され且つ前記スイッチング素子のオ
フ時に偏向コイルアセンブリのインダクタンスと共振を
生じる共振用コンデンサと、その共振用コンデンサに並
列に接続されたダンパーダイオードと、偏向コイルアセ
ンブリへ流れる+B電流を検出する+B電流検出手段と
を具備し、前記+B電流の変化に基づいて偏向コイルア
センブリの耐圧試験の結果を判定可能としたことを特徴
とする偏向コイルアセンブリ耐圧試験器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18620496A JP3200809B2 (ja) | 1996-07-16 | 1996-07-16 | 偏向コイルアセンブリ耐圧試験器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18620496A JP3200809B2 (ja) | 1996-07-16 | 1996-07-16 | 偏向コイルアセンブリ耐圧試験器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1031050A true JPH1031050A (ja) | 1998-02-03 |
| JP3200809B2 JP3200809B2 (ja) | 2001-08-20 |
Family
ID=16184204
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18620496A Expired - Fee Related JP3200809B2 (ja) | 1996-07-16 | 1996-07-16 | 偏向コイルアセンブリ耐圧試験器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3200809B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104142459A (zh) * | 2013-05-09 | 2014-11-12 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 半导体检测电路及检测方法 |
| CN104459501A (zh) * | 2014-12-25 | 2015-03-25 | 中国西电电气股份有限公司 | 一种避雷器工频试验装置及试验方法 |
| CN108761288A (zh) * | 2018-05-30 | 2018-11-06 | 南宁市高照电器有限责任公司 | 一种低压耐压测试台及其测试方法 |
| CN113406490A (zh) * | 2021-07-22 | 2021-09-17 | 上海电科智能装备科技有限公司 | 一种直流线圈开关电器带电耐压测试装置 |
-
1996
- 1996-07-16 JP JP18620496A patent/JP3200809B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104142459A (zh) * | 2013-05-09 | 2014-11-12 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 半导体检测电路及检测方法 |
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| CN108761288A (zh) * | 2018-05-30 | 2018-11-06 | 南宁市高照电器有限责任公司 | 一种低压耐压测试台及其测试方法 |
| CN108761288B (zh) * | 2018-05-30 | 2023-10-27 | 南宁市高照电器有限责任公司 | 一种低压耐压测试台及其测试方法 |
| CN113406490A (zh) * | 2021-07-22 | 2021-09-17 | 上海电科智能装备科技有限公司 | 一种直流线圈开关电器带电耐压测试装置 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3200809B2 (ja) | 2001-08-20 |
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