JPH10312916A - 多連形厚膜サーミスタ - Google Patents
多連形厚膜サーミスタInfo
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- JPH10312916A JPH10312916A JP9120608A JP12060897A JPH10312916A JP H10312916 A JPH10312916 A JP H10312916A JP 9120608 A JP9120608 A JP 9120608A JP 12060897 A JP12060897 A JP 12060897A JP H10312916 A JPH10312916 A JP H10312916A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 広い温度範囲（１００℃以上）にてΔＶ／Δ
Ｔ（感度）が一定となる多連形厚膜サーミスタを提供す
ることを目的とする。 【解決手段】 絶縁基板１の端面に端面電極２ａ，２
ｂ，２ｃを形成した後、端面電極２ａ，２ｂ間、端面電
極２ａ，２ｃ間の絶縁基板１上に端部が端面電極２ａ，
２ｂ，２ｃの一部を被覆するようにサーミスタ厚膜３
ａ，３ｂを形成したものである。
Ｔ（感度）が一定となる多連形厚膜サーミスタを提供す
ることを目的とする。 【解決手段】 絶縁基板１の端面に端面電極２ａ，２
ｂ，２ｃを形成した後、端面電極２ａ，２ｂ間、端面電
極２ａ，２ｃ間の絶縁基板１上に端部が端面電極２ａ，
２ｂ，２ｃの一部を被覆するようにサーミスタ厚膜３
ａ，３ｂを形成したものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、情報機器、通信機
器、家電機器、住設機器、自動車機器等の温度センサに
用いる多連形厚膜サーミスタに関するものである。
器、家電機器、住設機器、自動車機器等の温度センサに
用いる多連形厚膜サーミスタに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、情報機器、通信機器、家電機器、
住設機器、自動車機器等においてサーミスタにより、温
度特性を有する電子部品、又は電子部品周辺の温度検知
を行い、その温度特性を補償する要望が大きくなってき
ている。
住設機器、自動車機器等においてサーミスタにより、温
度特性を有する電子部品、又は電子部品周辺の温度検知
を行い、その温度特性を補償する要望が大きくなってき
ている。
【０００３】従来、サーミスタによる温度検知は、図１
３に示すような回路構成で行ってきた。図１３におい
て、１１はサーミスタ、１２はサーミスタ１１に直列接
続された固定抵抗器である。入力端子１３、アース端子
１５間に直流定電圧を印加すると、出力端子１４にサー
ミスタ１１の温度に応じた電圧が出現する構成となって
いた。なお、ここに用いたサーミスタ１１は図１４，１
５に示す厚膜サーミスタで、２１はアルミナからなる絶
縁基板、２２は厚膜サーミスタ層、２３ａ，２３ｂは端
面電極、２４はオーバーコートである。
３に示すような回路構成で行ってきた。図１３におい
て、１１はサーミスタ、１２はサーミスタ１１に直列接
続された固定抵抗器である。入力端子１３、アース端子
１５間に直流定電圧を印加すると、出力端子１４にサー
ミスタ１１の温度に応じた電圧が出現する構成となって
いた。なお、ここに用いたサーミスタ１１は図１４，１
５に示す厚膜サーミスタで、２１はアルミナからなる絶
縁基板、２２は厚膜サーミスタ層、２３ａ，２３ｂは端
面電極、２４はオーバーコートである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記構成によると、一
般的な機器の使用温度範囲−２０℃〜８０℃においても
図１２に示すように温度によりΔＶ／ΔＴ（感度）が異
なり、正確に温度検知を行うことが難しいという問題点
を有していた。
般的な機器の使用温度範囲−２０℃〜８０℃においても
図１２に示すように温度によりΔＶ／ΔＴ（感度）が異
なり、正確に温度検知を行うことが難しいという問題点
を有していた。
【０００５】そこで本発明は、広い温度範囲（１００℃
以上）にてΔＶ／ΔＴ（感度）が一定となる温度検知回
路を容易に構成できる多連形厚膜サーミスタを提供する
ことを目的とするものである。
以上）にてΔＶ／ΔＴ（感度）が一定となる温度検知回
路を容易に構成できる多連形厚膜サーミスタを提供する
ことを目的とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の多連形厚膜サーミスタは、絶縁基板と、この
絶縁基板上に形成した少なくとも二つのサーミスタ厚膜
と、前記絶縁基板端部に前記サーミスタ厚膜に電気的に
接続するように設けた少なくとも三つの外部電極とを備
えたものであり、複数のサーミスタ機能を有することに
より、上記目的を達成することができる。
に本発明の多連形厚膜サーミスタは、絶縁基板と、この
絶縁基板上に形成した少なくとも二つのサーミスタ厚膜
と、前記絶縁基板端部に前記サーミスタ厚膜に電気的に
接続するように設けた少なくとも三つの外部電極とを備
えたものであり、複数のサーミスタ機能を有することに
より、上記目的を達成することができる。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、絶縁基板と、この絶縁基板上に形成した少なくとも
二つのサーミスタ厚膜と、前記絶縁基板端部に前記サー
ミスタ厚膜に電気的に接続するように設けた少なくとも
三つの外部電極とを備えた多連形厚膜サーミスタであ
り、複数のサーミスタ機能を有することにより、広い温
度範囲にて良好な感度を一定に維持する温度検知回路を
容易に構成することができるものである。
は、絶縁基板と、この絶縁基板上に形成した少なくとも
二つのサーミスタ厚膜と、前記絶縁基板端部に前記サー
ミスタ厚膜に電気的に接続するように設けた少なくとも
三つの外部電極とを備えた多連形厚膜サーミスタであ
り、複数のサーミスタ機能を有することにより、広い温
度範囲にて良好な感度を一定に維持する温度検知回路を
容易に構成することができるものである。
【０００８】請求項２に記載発明は、サーミスタ厚膜の
抵抗値をそれぞれ異なるようにした請求項１に記載の多
連形厚膜サーミスタであり、広い温度範囲にて良好な感
度を一定に維持する温度検知回路を容易に構成すること
ができるものである。
抵抗値をそれぞれ異なるようにした請求項１に記載の多
連形厚膜サーミスタであり、広い温度範囲にて良好な感
度を一定に維持する温度検知回路を容易に構成すること
ができるものである。
【０００９】請求項３に記載の発明は、サーミスタ厚膜
の抵抗値を一方の抵抗値が他方の抵抗値の１．５倍以上
の抵抗値を有するようにした請求項２に記載の多連形厚
膜サーミスタであり、さらに広い温度範囲にて良好な感
度を一定に維持する温度検知回路を容易に構成すること
ができるものである。
の抵抗値を一方の抵抗値が他方の抵抗値の１．５倍以上
の抵抗値を有するようにした請求項２に記載の多連形厚
膜サーミスタであり、さらに広い温度範囲にて良好な感
度を一定に維持する温度検知回路を容易に構成すること
ができるものである。
【００１０】請求項４に記載の発明は、絶縁基板と、こ
の絶縁基板上に設けた少なくとも二つのサーミスタ厚膜
と、前記絶縁基板上に設けた少なくとも一つの固定抵抗
体厚膜と、前記絶縁基板端部に前記サーミスタ厚膜及び
前記固定抵抗体厚膜に電気的に接続するように設けた少
なくとも四個の外部電極とを備えた多連形厚膜サーミス
タであり、少ない部品で広い温度範囲にて良好な感度を
一定に維持する温度検知回路を容易に構成することがで
きるものである。
の絶縁基板上に設けた少なくとも二つのサーミスタ厚膜
と、前記絶縁基板上に設けた少なくとも一つの固定抵抗
体厚膜と、前記絶縁基板端部に前記サーミスタ厚膜及び
前記固定抵抗体厚膜に電気的に接続するように設けた少
なくとも四個の外部電極とを備えた多連形厚膜サーミス
タであり、少ない部品で広い温度範囲にて良好な感度を
一定に維持する温度検知回路を容易に構成することがで
きるものである。
【００１１】請求項５に記載の発明はサーミスタ厚膜の
抵抗値をそれぞれ異なるようにした請求項４に記載の多
連形厚膜サーミスタであり、少ない部品で広い温度範囲
にて良好な感度を一定に維持する温度検知回路を容易に
構成することができるものである。
抵抗値をそれぞれ異なるようにした請求項４に記載の多
連形厚膜サーミスタであり、少ない部品で広い温度範囲
にて良好な感度を一定に維持する温度検知回路を容易に
構成することができるものである。
【００１２】請求項６に記載の発明はサーミスタ厚膜の
抵抗値が一方の抵抗値が他方の抵抗値の１．５倍以上の
抵抗値を有する請求項５記載の多連形厚膜サーミスタ
で、少ない部品でさらに広い温度範囲にて良好な感度を
一定に維持する温度検知回路を容易に構成することがで
きるものである。
抵抗値が一方の抵抗値が他方の抵抗値の１．５倍以上の
抵抗値を有する請求項５記載の多連形厚膜サーミスタ
で、少ない部品でさらに広い温度範囲にて良好な感度を
一定に維持する温度検知回路を容易に構成することがで
きるものである。
【００１３】請求項７に記載の発明は絶縁基板と、この
絶縁基板上に設けた少なくとも二つのサーミスタ厚膜
と、前記絶縁基板上に設けた少なくとも一つの固定抵抗
体厚膜と、前記絶縁基板上に設けた少なくとも一つの中
継電極と、前記絶縁基板端部に前記サーミスタ厚膜及び
前記固定抵抗体厚膜に電気的に接続するように設けた少
なくとも二つの外部電極とを備え、前記中継電極は、前
記サーミスタ厚膜と前記固定抵抗体厚膜間、前記サーミ
スタ厚膜間、及び前記固定抵抗体厚膜間の内少なくとも
一つを電気的に接続するようにした多連形厚膜サーミス
タであり、少ない小型の部品で広い温度範囲にて良好な
感度を一定に維持する温度検知回路を容易に構成するこ
とができるものである。
絶縁基板上に設けた少なくとも二つのサーミスタ厚膜
と、前記絶縁基板上に設けた少なくとも一つの固定抵抗
体厚膜と、前記絶縁基板上に設けた少なくとも一つの中
継電極と、前記絶縁基板端部に前記サーミスタ厚膜及び
前記固定抵抗体厚膜に電気的に接続するように設けた少
なくとも二つの外部電極とを備え、前記中継電極は、前
記サーミスタ厚膜と前記固定抵抗体厚膜間、前記サーミ
スタ厚膜間、及び前記固定抵抗体厚膜間の内少なくとも
一つを電気的に接続するようにした多連形厚膜サーミス
タであり、少ない小型の部品で広い温度範囲にて良好な
感度を一定に維持する温度検知回路を容易に構成するこ
とができるものである。
【００１４】請求項８に記載の発明は、サーミスタ厚膜
の抵抗値はそれぞれ異なるようにした請求項７に記載の
多連形厚膜サーミスタであり、少ない小型の部品で広い
温度範囲にて良好な感度を一定に維持する温度検知回路
を容易に構成することができるものである。
の抵抗値はそれぞれ異なるようにした請求項７に記載の
多連形厚膜サーミスタであり、少ない小型の部品で広い
温度範囲にて良好な感度を一定に維持する温度検知回路
を容易に構成することができるものである。
【００１５】請求項９に記載の発明は、サーミスタ厚膜
の抵抗値は一方の抵抗値が他方の抵抗値の１．５倍以上
の抵抗値を有する請求項８に記載の多連形厚膜サーミス
タであり、少ない小型の部品で広い温度範囲にて良好な
感度を一定に維持する温度検知回路を容易に構成するこ
とができるものである。
の抵抗値は一方の抵抗値が他方の抵抗値の１．５倍以上
の抵抗値を有する請求項８に記載の多連形厚膜サーミス
タであり、少ない小型の部品で広い温度範囲にて良好な
感度を一定に維持する温度検知回路を容易に構成するこ
とができるものである。
【００１６】以下、本発明の実施の形態について図面を
用いて説明する。 （実施の形態１）図１は、本実施の形態における多連形
厚膜サーミスタの一部破断上面図、図２は同Ａ−Ｂ断面
図、図３は同Ｃ−Ｄ断面図であり、アルミナからなる絶
縁基板１の端面の所定の場所に端面電極２ａ，２ｂ，２
ｃをＡｇ等の導電性ペーストを塗布、焼き付けて形成し
た後、絶縁基板１上に端面電極２ａ，２ｂ間と端面電極
２ａ，２ｃ間に端部が端面電極２ａ，２ｂ，２ｃの一部
を被覆するように遷移金属酸化物からなるサーミスタ厚
膜３ａ，３ｂを印刷、焼成することにより形成したもの
である。端面電極２ａは二個のサーミスタ厚膜３ａ，３
ｂの共通端面電極になっており、端面電極２ａ，２ｂ
間、端面電極２ａ，２ｃ間で抵抗値の異なる二個のサー
ミスタ厚膜３ａ，３ｂを構成している。
用いて説明する。 （実施の形態１）図１は、本実施の形態における多連形
厚膜サーミスタの一部破断上面図、図２は同Ａ−Ｂ断面
図、図３は同Ｃ−Ｄ断面図であり、アルミナからなる絶
縁基板１の端面の所定の場所に端面電極２ａ，２ｂ，２
ｃをＡｇ等の導電性ペーストを塗布、焼き付けて形成し
た後、絶縁基板１上に端面電極２ａ，２ｂ間と端面電極
２ａ，２ｃ間に端部が端面電極２ａ，２ｂ，２ｃの一部
を被覆するように遷移金属酸化物からなるサーミスタ厚
膜３ａ，３ｂを印刷、焼成することにより形成したもの
である。端面電極２ａは二個のサーミスタ厚膜３ａ，３
ｂの共通端面電極になっており、端面電極２ａ，２ｂ
間、端面電極２ａ，２ｃ間で抵抗値の異なる二個のサー
ミスタ厚膜３ａ，３ｂを構成している。
【００１７】サーミスタ厚膜３ａ，３ｂの保護のため、
樹脂またはガラスからなるオーバーコート層４の形成、
端面電極２ａ，２ｂ，２ｃのはんだ付け性向上のため端
面電極２ａ，２ｂ，２ｃ上にニッケルめっき層５ａ，５
ｂ，５ｃ、はんだめっき層６ａ，６ｂ，６ｃを形成する
のが好ましい。
樹脂またはガラスからなるオーバーコート層４の形成、
端面電極２ａ，２ｂ，２ｃのはんだ付け性向上のため端
面電極２ａ，２ｂ，２ｃ上にニッケルめっき層５ａ，５
ｂ，５ｃ、はんだめっき層６ａ，６ｂ，６ｃを形成する
のが好ましい。
【００１８】（実施の形態２）図４は本実施の形態にお
ける多連形厚膜サーミスタの一部破断上面図、図５は同
Ａ−Ｂ断面図、図６は同Ｃ−Ｄ断面図であり、図１に示
すように二つのサーミスタ厚膜において共通の端面電極
２ａを設けず、端面電極２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄを４個
形成して端面電極２ａ，２ｂ間、端面電極２ｃ，２ｄ間
に抵抗値の異なる二個のサーミスタ厚膜３ａ，３ｂを形
成したものである。
ける多連形厚膜サーミスタの一部破断上面図、図５は同
Ａ−Ｂ断面図、図６は同Ｃ−Ｄ断面図であり、図１に示
すように二つのサーミスタ厚膜において共通の端面電極
２ａを設けず、端面電極２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄを４個
形成して端面電極２ａ，２ｂ間、端面電極２ｃ，２ｄ間
に抵抗値の異なる二個のサーミスタ厚膜３ａ，３ｂを形
成したものである。
【００１９】（実施の形態３）図７は本実施の形態にお
ける多連形厚膜サーミスタの一部破断上面図、図８は同
Ａ−Ｂ断面図、図９は同Ｃ−Ｄ断面図、図１０は同Ｅ−
Ｆ断面図である。
ける多連形厚膜サーミスタの一部破断上面図、図８は同
Ａ−Ｂ断面図、図９は同Ｃ−Ｄ断面図、図１０は同Ｅ−
Ｆ断面図である。
【００２０】まずアルミナからなる絶縁基板１の端面の
所定の場所に端面電極２ａ，２ｂ，２ｃ、絶縁基板１の
表面の所定の場所に中継電極２ｄをＡｇ等の導電性ペー
ストを塗布、焼き付けて形成した後、絶縁基板１上の端
面電極２ａ，２ｂ間、端面電極２ａと中継電極２ｄ間
に、端部が端面電極２ａ，２ｂと中継電極２ｄの一部を
被覆するように遷移金属酸化物を主原料とするサーミス
タ厚膜３ａ，３ｂを印刷、焼成することにより形成する
とともに、絶縁基板１上に端面電極２ａ，２ｃ間、端面
電極２ｂと中継電極２ｄ間に端部が端面電極２ａ，２
ｂ，２ｃと中継電極２ｄの一部を被覆するように酸化ル
テニュウムを主原料とする固定抵抗体厚膜７ａ，７ｂを
印刷、焼成することにより形成したものである。端面電
極２ａ，２ｂ間、端面電極２ａ、中継電極２ｄ間で抵抗
値の異なる二個のサーミスタを、端面電極２ａ，２ｃ
間、端面電極２ｂ、中継電極２ｄ間で二個の抵抗器を構
成している。
所定の場所に端面電極２ａ，２ｂ，２ｃ、絶縁基板１の
表面の所定の場所に中継電極２ｄをＡｇ等の導電性ペー
ストを塗布、焼き付けて形成した後、絶縁基板１上の端
面電極２ａ，２ｂ間、端面電極２ａと中継電極２ｄ間
に、端部が端面電極２ａ，２ｂと中継電極２ｄの一部を
被覆するように遷移金属酸化物を主原料とするサーミス
タ厚膜３ａ，３ｂを印刷、焼成することにより形成する
とともに、絶縁基板１上に端面電極２ａ，２ｃ間、端面
電極２ｂと中継電極２ｄ間に端部が端面電極２ａ，２
ｂ，２ｃと中継電極２ｄの一部を被覆するように酸化ル
テニュウムを主原料とする固定抵抗体厚膜７ａ，７ｂを
印刷、焼成することにより形成したものである。端面電
極２ａ，２ｂ間、端面電極２ａ、中継電極２ｄ間で抵抗
値の異なる二個のサーミスタを、端面電極２ａ，２ｃ
間、端面電極２ｂ、中継電極２ｄ間で二個の抵抗器を構
成している。
【００２１】サーミスタ厚膜３ａ，３ｂ、及び固定抵抗
体厚膜７ａ，７ｂの保護のため、樹脂またはガラスから
なるオーバーコート層４の形成、端面電極２ａ，２ｂ，
２ｃのはんだ付け性向上のため端面電極２ａ，２ｂ，２
ｃ上にニッケルめっき層５ａ，５ｂ，５ｃ、はんだめっ
き層６ａ，６ｂ，６ｃを形成するのが好ましい。
体厚膜７ａ，７ｂの保護のため、樹脂またはガラスから
なるオーバーコート層４の形成、端面電極２ａ，２ｂ，
２ｃのはんだ付け性向上のため端面電極２ａ，２ｂ，２
ｃ上にニッケルめっき層５ａ，５ｂ，５ｃ、はんだめっ
き層６ａ，６ｂ，６ｃを形成するのが好ましい。
【００２２】図１１のごとく二個のサーミスタ１００，
１０１と二個の固定抵抗器１０２，１０３を一つの部品
に集約することによりさらに少ない部品点数で広い温度
範囲にて良好な感度を一定に維持する温度検知回路を容
易に構成することができるものである。
１０１と二個の固定抵抗器１０２，１０３を一つの部品
に集約することによりさらに少ない部品点数で広い温度
範囲にて良好な感度を一定に維持する温度検知回路を容
易に構成することができるものである。
【００２３】なお、（実施の形態１）〜（実施の形態
３）において二つのサーミスタの抵抗値は一方の抵抗値
が他方の抵抗値の１．５倍以上になるようにすることに
より、ΔＶ／ΔＴ（感度）を広い温度範囲で一定とする
ことができる。この抵抗値はサーミスタの材料、厚膜の
長さ、太さ、厚みを選定することで自由に設定すること
が可能である。
３）において二つのサーミスタの抵抗値は一方の抵抗値
が他方の抵抗値の１．５倍以上になるようにすることに
より、ΔＶ／ΔＴ（感度）を広い温度範囲で一定とする
ことができる。この抵抗値はサーミスタの材料、厚膜の
長さ、太さ、厚みを選定することで自由に設定すること
が可能である。
【００２４】本発明の多連形厚膜サーミスタを用いた温
度センサは、図１２に示す様に、−２０℃〜８０℃の間
においてΔＶ／ΔＴ（感度）が一定かつ、半導体温度セ
ンサの２倍の感度を有するものである。
度センサは、図１２に示す様に、−２０℃〜８０℃の間
においてΔＶ／ΔＴ（感度）が一定かつ、半導体温度セ
ンサの２倍の感度を有するものである。
【００２５】さらに一つの厚膜サーミスタに二つのサー
ミスタを形成する場合と、一つの厚膜サーミスタに二つ
のサーミスタと二つの抵抗器を形成する場合についての
み説明したが、同様にして三つ以上のサーミスタ、及び
一つ又は三つ以上の抵抗器を形成することもできる。
ミスタを形成する場合と、一つの厚膜サーミスタに二つ
のサーミスタと二つの抵抗器を形成する場合についての
み説明したが、同様にして三つ以上のサーミスタ、及び
一つ又は三つ以上の抵抗器を形成することもできる。
【００２６】
【発明の効果】以上のように本発明の多連形厚膜サーミ
スタは、−２０℃〜８０℃の間において、感度が略一定
かつ、半導体温度センサの例えば２倍の感度を有する温
度センサ回路を形成することができる。この多連形厚膜
サーミスタは、少なくとも二つのサーミスタ一つの部品
にまとめることができるものであり、機器の小型化にお
いて有効であるとともに、実装面積、実装コストを削減
することができる。また半導体温度センサより安価に得
ることができる。
スタは、−２０℃〜８０℃の間において、感度が略一定
かつ、半導体温度センサの例えば２倍の感度を有する温
度センサ回路を形成することができる。この多連形厚膜
サーミスタは、少なくとも二つのサーミスタ一つの部品
にまとめることができるものであり、機器の小型化にお
いて有効であるとともに、実装面積、実装コストを削減
することができる。また半導体温度センサより安価に得
ることができる。
【図１】本発明の実施の形態１における多連形厚膜サー
ミスタの一部破断上面図
ミスタの一部破断上面図
【図２】図１のＡ−Ｂ断面図
【図３】図１のＣ−Ｄ断面図
【図４】本発明の実施の形態２における多連形厚膜サー
ミスタの一部破断上面図
ミスタの一部破断上面図
【図５】図４のＡ−Ｂ断面図
【図６】図４のＣ−Ｄ断面図
【図７】本発明の実施の形態３における多連形厚膜サー
ミスタの一部破断上面図
ミスタの一部破断上面図
【図８】図７のＡ−Ｂ断面図
【図９】図７のＣ−Ｄ断面図
【図１０】図７のＥ−Ｆ断面図
【図１１】本発明の一実施の形態における多連形厚膜サ
ーミスタを用いた温度センサの回路図
ーミスタを用いた温度センサの回路図
【図１２】温度センサの出力電圧（Ｖ）−温度（Ｔ）特
性曲線図
性曲線図
【図１３】従来の厚膜サーミスタを用いた温度センサの
回路図
回路図
【図１４】従来の厚膜サーミスタの一部破断上面図
【図１５】図１４のＡ−Ｂ断面図
１ 絶縁基板 ２ａ 端面電極 ２ｂ 端面電極 ２ｃ 端面電極 ２ｄ 中継電極 ３ａ サーミスタ厚膜 ３ｂ サーミスタ厚膜 ７ａ 固定抵抗体厚膜 ７ｂ 固定抵抗体厚膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鈴木 孝太郎 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 大槻 淳 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 井上 孝 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 川尻 圭嗣 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (9)
- 【請求項１】 絶縁基板と、この絶縁基板上に形成した
少なくとも二つのサーミスタ厚膜と、前記絶縁基板端部
に前記サーミスタ厚膜に電気的に接続するように設けた
少なくとも三つの外部電極とを備えた多連形厚膜サーミ
スタ。 - 【請求項２】 サーミスタ厚膜の抵抗値は、それぞれ異
なるようにした請求項１に記載の多連形厚膜サーミス
タ。 - 【請求項３】 サーミスタ厚膜の抵抗値は、一方の抵抗
値が他方の抵抗値の１．５倍以上の抵抗値を有するよう
にした請求項２に記載の多連形厚膜サーミスタ。 - 【請求項４】 絶縁基板と、この絶縁基板上に設けた少
なくとも二つのサーミスタ厚膜と、前記絶縁基板上に設
けた少なくとも一つの固定抵抗体厚膜と、前記絶縁基板
端部に前記サーミスタ厚膜及び前記固定抵抗体厚膜に電
気的に接続するように設けた少なくとも四個の外部電極
とを備えた多連形厚膜サーミスタ。 - 【請求項５】 サーミスタ厚膜の抵抗値は、それぞれ異
なるようにした請求項４に記載の多連形厚膜サーミス
タ。 - 【請求項６】 サーミスタ厚膜の抵抗値は、一方の抵抗
値が他方の抵抗値の１．５倍以上の抵抗値を有するよう
にした請求項５に記載の多連形厚膜サーミスタ。 - 【請求項７】 絶縁基板と、この絶縁基板上に設けた少
なくとも二つのサーミスタ厚膜と、前記絶縁基板上に設
けた少なくとも一つの固定抵抗体厚膜と、前記絶縁基板
上に設けた少なくとも一つの中継電極と、前記絶縁基板
端部に前記サーミスタ厚膜及び前記固定抵抗体厚膜に電
気的に接続するように設けた少なくとも二つの外部電極
とを備え、前記中継電極は、前記サーミスタ厚膜と前記
固定抵抗体厚膜間、前記サーミスタ厚膜間、及び前記固
定抵抗体厚膜間の内少なくとも一つを電気的に接続する
ようにした多連形厚膜サーミスタ。 - 【請求項８】 サーミスタ厚膜の抵抗値はそれぞれ異な
るようにした請求項７に記載の多連形厚膜サーミスタ。 - 【請求項９】 サーミスタ厚膜の抵抗値は一方の抵抗値
が他方の抵抗値の１．５倍以上の抵抗値を有する請求項
８に記載の多連形厚膜サーミスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9120608A JPH10312916A (ja) | 1997-05-12 | 1997-05-12 | 多連形厚膜サーミスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9120608A JPH10312916A (ja) | 1997-05-12 | 1997-05-12 | 多連形厚膜サーミスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10312916A true JPH10312916A (ja) | 1998-11-24 |
Family
ID=14790465
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9120608A Pending JPH10312916A (ja) | 1997-05-12 | 1997-05-12 | 多連形厚膜サーミスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10312916A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005112049A1 (ja) * | 2004-05-18 | 2005-11-24 | Mitsubishi Materials Corporation | 複合素子 |
-
1997
- 1997-05-12 JP JP9120608A patent/JPH10312916A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005112049A1 (ja) * | 2004-05-18 | 2005-11-24 | Mitsubishi Materials Corporation | 複合素子 |
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