JPH10313019A - テープキャリア型半導体装置 - Google Patents
テープキャリア型半導体装置Info
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- JPH10313019A JPH10313019A JP9119655A JP11965597A JPH10313019A JP H10313019 A JPH10313019 A JP H10313019A JP 9119655 A JP9119655 A JP 9119655A JP 11965597 A JP11965597 A JP 11965597A JP H10313019 A JPH10313019 A JP H10313019A
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- JP
- Japan
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- base film
- chip
- resin
- semiconductor device
- type semiconductor
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/701—Tape-automated bond [TAB] connectors
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 テープキャリア型半導体装置において、製造
工程及び液晶パネル実装工程における外部応力により封
止樹脂がベースフィルムより剥離しリード破断すること
を回避する。 【解決手段】 ベースフィルム１の裏面側にデバイスホ
ール５より直角に、かつＩＣチップ２の外周縁より長い
寸法をもつ樹脂流れ溝７を形成し、この樹脂流れ溝７に
より、液状樹脂がベースフィルム１の裏面側及びＩＣチ
ップ２の側面まで流れ込み易くする。また、樹脂流れ溝
７の断面形状をＶ字型にすることにより、ベースフィル
ム１と樹脂の接触面積を大きくし、接着力を向上させ剥
離強度を向上させる。
工程及び液晶パネル実装工程における外部応力により封
止樹脂がベースフィルムより剥離しリード破断すること
を回避する。 【解決手段】 ベースフィルム１の裏面側にデバイスホ
ール５より直角に、かつＩＣチップ２の外周縁より長い
寸法をもつ樹脂流れ溝７を形成し、この樹脂流れ溝７に
より、液状樹脂がベースフィルム１の裏面側及びＩＣチ
ップ２の側面まで流れ込み易くする。また、樹脂流れ溝
７の断面形状をＶ字型にすることにより、ベースフィル
ム１と樹脂の接触面積を大きくし、接着力を向上させ剥
離強度を向上させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置に関
し、特にテープキャリア型半導体装置に関する。
し、特にテープキャリア型半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示装置の駆動用ＩＣとしてテープ
キャリア型半導体装置が使用される。近年、テープキャ
リア型半導体装置をスリム化するため、ＴＯＣ型（ＴＯ
Ｃとは、Ｔａｐｅ ｏｎ ｃｈｉｐの略）のテープキャ
リア型半導体装置が採用されつつある。
キャリア型半導体装置が使用される。近年、テープキャ
リア型半導体装置をスリム化するため、ＴＯＣ型（ＴＯ
Ｃとは、Ｔａｐｅ ｏｎ ｃｈｉｐの略）のテープキャ
リア型半導体装置が採用されつつある。
【０００３】図５は、ＴＯＣ型のテープキャリア型半導
体装置を示す断面図である。図５に示すように、ベース
フィルム１に開口されたデバイスホール５内に突出した
リード３とデバイスホール５より大きなＩＣチップ２上
に形成されたバンプ６とが接合され、外部応力及び外部
環境からのＩＣチップ２の保護及びＩＣチップ２並びに
リード３の機械的強度の補強等を目的として、封止樹脂
体４によりＩＣチップ２の表面及びベースフィルム１の
裏面及びＩＣチップ２の側面を封止した構造となってい
た。
体装置を示す断面図である。図５に示すように、ベース
フィルム１に開口されたデバイスホール５内に突出した
リード３とデバイスホール５より大きなＩＣチップ２上
に形成されたバンプ６とが接合され、外部応力及び外部
環境からのＩＣチップ２の保護及びＩＣチップ２並びに
リード３の機械的強度の補強等を目的として、封止樹脂
体４によりＩＣチップ２の表面及びベースフィルム１の
裏面及びＩＣチップ２の側面を封止した構造となってい
た。
【０００４】封止樹脂体４は、液状の樹脂が使用され、
ＩＣチップ２の表面よりポッティング又はスクリーン印
刷法により塗布された後、１００〜１５０℃の温度で硬
化することにより形成される。
ＩＣチップ２の表面よりポッティング又はスクリーン印
刷法により塗布された後、１００〜１５０℃の温度で硬
化することにより形成される。
【０００５】ＴＯＣ型のテープキャリア型半導体装置に
おいては、塗布した液状樹脂がベースフィルム１の裏面
及びＩＣチップ２の側面に流れ込み易くするため、ＩＣ
チップ２上にスペーサーバンプ９を形成することによ
り、ベースフィルム１〜ＩＣチップ２間に隙間を形成し
た構造のものがあった。
おいては、塗布した液状樹脂がベースフィルム１の裏面
及びＩＣチップ２の側面に流れ込み易くするため、ＩＣ
チップ２上にスペーサーバンプ９を形成することによ
り、ベースフィルム１〜ＩＣチップ２間に隙間を形成し
た構造のものがあった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図５に
示したＴＯＣ型のテープキャリア型半導体装置の組立プ
ロセスにおいて、製造工程及びベースフィルム外周部を
切断する際に加わる外部応力により、ベースフィルム１
と裏面の封止樹脂体４との接着部が剥がれ、リード３を
破断してしまうという課題があった。
示したＴＯＣ型のテープキャリア型半導体装置の組立プ
ロセスにおいて、製造工程及びベースフィルム外周部を
切断する際に加わる外部応力により、ベースフィルム１
と裏面の封止樹脂体４との接着部が剥がれ、リード３を
破断してしまうという課題があった。
【０００７】その理由は、ＴＯＣ型のテープキャリア型
半導体装置は、ベースフィルムの裏面側への樹脂流れ込
みが少なく、樹脂とベースフィルムの密着面積が少ない
ためである。
半導体装置は、ベースフィルムの裏面側への樹脂流れ込
みが少なく、樹脂とベースフィルムの密着面積が少ない
ためである。
【０００８】また、図５に示したようにＩＣチップ上に
リード接続用以外にスペーサーバンプを用いて樹脂流れ
込み用空間を形成するものが有るが、スペーサーバンプ
をＩＣチップ上に形成するため、ＩＣチップの構造が複
雑になり、チップサイズを大型化してしまうとともに、
装置の価格を高価なものにしてしまうという課題があっ
た。
リード接続用以外にスペーサーバンプを用いて樹脂流れ
込み用空間を形成するものが有るが、スペーサーバンプ
をＩＣチップ上に形成するため、ＩＣチップの構造が複
雑になり、チップサイズを大型化してしまうとともに、
装置の価格を高価なものにしてしまうという課題があっ
た。
【０００９】本発明の目的は、ＴＯＣ型のテープキャリ
ア型半導体装置において封止樹脂である液状樹脂がベー
スフィルムの裏面及びＩＣチップ側面への流れ込みを容
易にし、且つ樹脂とベースフィルムの密着性を向上させ
ることにより、ベースフィルムからの封止樹脂の剥がれ
を防止した半導体装置を提供することにある。
ア型半導体装置において封止樹脂である液状樹脂がベー
スフィルムの裏面及びＩＣチップ側面への流れ込みを容
易にし、且つ樹脂とベースフィルムの密着性を向上させ
ることにより、ベースフィルムからの封止樹脂の剥がれ
を防止した半導体装置を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係る半導体装置は、ベースフィルムと、Ｉ
Ｃチップと、封止樹脂体とを有するテープキャリア型半
導体装置であって、ベースフィルムは、デバイスホール
を有するものであり、ＩＣチップは、前記デバイスホー
ルの開口縁に支持されて前記ベースフィルム上に搭載さ
れたものであり、封止樹脂体は、前記ＩＣチップの表
面，側面及び前記ベースフィルムの裏面を封止したもの
であり、さらにベースフィルムとＩＣチップとの間に
は、ＩＣチップの側面側に封止樹脂体の液状樹脂を供給
する空間を確保したものである。
め、本発明に係る半導体装置は、ベースフィルムと、Ｉ
Ｃチップと、封止樹脂体とを有するテープキャリア型半
導体装置であって、ベースフィルムは、デバイスホール
を有するものであり、ＩＣチップは、前記デバイスホー
ルの開口縁に支持されて前記ベースフィルム上に搭載さ
れたものであり、封止樹脂体は、前記ＩＣチップの表
面，側面及び前記ベースフィルムの裏面を封止したもの
であり、さらにベースフィルムとＩＣチップとの間に
は、ＩＣチップの側面側に封止樹脂体の液状樹脂を供給
する空間を確保したものである。
【００１１】また前記空間は、ベースフィルム裏面に形
成された樹脂流れ溝により確保したものである。
成された樹脂流れ溝により確保したものである。
【００１２】また前記樹脂流れ溝は、前記ベースフィル
ムのデバイスホール内から外部に向けて設けたものであ
る。
ムのデバイスホール内から外部に向けて設けたものであ
る。
【００１３】また前記樹脂流れ溝は、前記ベースフィル
ム裏面側に設置されるＩＣチップの外周縁を越える長さ
に形成されたものである。
ム裏面側に設置されるＩＣチップの外周縁を越える長さ
に形成されたものである。
【００１４】また前記樹脂流れ溝は、前記ベースフィル
ムのデバイスホール開口縁に放射状に形成されたもので
ある。
ムのデバイスホール開口縁に放射状に形成されたもので
ある。
【００１５】
【作用】本発明によれば、ベースフィルム裏面に形成さ
れた樹脂流れ溝により、ベースフィルムとＩＣチップと
の間にＩＣチップの側面に達する空間を確保し、この空
間に通して十分な液状樹脂をベースフィルム裏面側に塗
布し、ベースフィルム裏面側での樹脂とベースフィルム
の密着面積を拡大させる。
れた樹脂流れ溝により、ベースフィルムとＩＣチップと
の間にＩＣチップの側面に達する空間を確保し、この空
間に通して十分な液状樹脂をベースフィルム裏面側に塗
布し、ベースフィルム裏面側での樹脂とベースフィルム
の密着面積を拡大させる。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。
て図面を参照して説明する。
【００１７】（実施形態１）図１は、本発明の実施形態
１に係るＴＯＣ型のテープキャリア型半導体装置を示す
断面図、図２（Ａ）は、本発明の実施形態１に用いるベ
ースフィルムを示す裏面図、図２（Ｂ）は、図１のＡ−
Ａ’線断面図である。
１に係るＴＯＣ型のテープキャリア型半導体装置を示す
断面図、図２（Ａ）は、本発明の実施形態１に用いるベ
ースフィルムを示す裏面図、図２（Ｂ）は、図１のＡ−
Ａ’線断面図である。
【００１８】図に示すように、本発明の実施形態１にお
いて、有機絶縁フィルムからなるベースフィルム１に
は、中央部にデバイスホール５が開口され、ベースフィ
ルム１の表面側には、銅材からなる複数のリード３がデ
バイスホール５内に延長して設けられている。またＩＣ
チップ２は、ベースフィルム１のデバイスホール５より
大きな外形寸法を有し、ＩＣチップ２は、周縁部がデバ
イスホール５の開口縁に支持されてベースフィルム１の
裏面側に設置されるようになっている。またＩＣチップ
２は、ベースフィルム１の裏面側に設置された際に、バ
ンプ６がデバイスホール５内に配置されるようになって
いる。ここで、複数のリード３とＩＣチップ２上のバン
プ６を接続し、外部応力及び外部環境からのＩＣチップ
２の保護及びＩＣチップ並びにリードの機械的強度の補
強等を目的として封止樹脂体４で封止している。
いて、有機絶縁フィルムからなるベースフィルム１に
は、中央部にデバイスホール５が開口され、ベースフィ
ルム１の表面側には、銅材からなる複数のリード３がデ
バイスホール５内に延長して設けられている。またＩＣ
チップ２は、ベースフィルム１のデバイスホール５より
大きな外形寸法を有し、ＩＣチップ２は、周縁部がデバ
イスホール５の開口縁に支持されてベースフィルム１の
裏面側に設置されるようになっている。またＩＣチップ
２は、ベースフィルム１の裏面側に設置された際に、バ
ンプ６がデバイスホール５内に配置されるようになって
いる。ここで、複数のリード３とＩＣチップ２上のバン
プ６を接続し、外部応力及び外部環境からのＩＣチップ
２の保護及びＩＣチップ並びにリードの機械的強度の補
強等を目的として封止樹脂体４で封止している。
【００１９】さらに本発明の実施形態１においては、デ
バイスホール５の内部から外部に向けた樹脂流れ溝７
を、ベースフィルム裏面側のデバイスホール５の開口縁
に放射状に設けている。この樹脂流れ溝７は、ベースフ
ィルム裏面側に設置されるＩＣチップ２の外周縁を越え
る長さに形成され、かつベースフィルム１の厚さ方向に
窪ませて形成している。
バイスホール５の内部から外部に向けた樹脂流れ溝７
を、ベースフィルム裏面側のデバイスホール５の開口縁
に放射状に設けている。この樹脂流れ溝７は、ベースフ
ィルム裏面側に設置されるＩＣチップ２の外周縁を越え
る長さに形成され、かつベースフィルム１の厚さ方向に
窪ませて形成している。
【００２０】したがって、本発明の実施形態１によれ
ば、ベースフィルム１の裏面に形成された樹脂流れ溝７
により、ベースフィルム１の裏面とＩＣチップの表面と
の間にＩＣチップ２の側面に達する空間を確保し、この
空間に通して十分な液状樹脂をベースフィルム１の裏面
側に塗布し、ベースフィルム１の裏面側での樹脂とベー
スフィルム１の密着面積を拡大させている。
ば、ベースフィルム１の裏面に形成された樹脂流れ溝７
により、ベースフィルム１の裏面とＩＣチップの表面と
の間にＩＣチップ２の側面に達する空間を確保し、この
空間に通して十分な液状樹脂をベースフィルム１の裏面
側に塗布し、ベースフィルム１の裏面側での樹脂とベー
スフィルム１の密着面積を拡大させている。
【００２１】次に、本発明の実施形態１において、液状
樹脂を塗布する場合を図３を参照して説明する。液状樹
脂は、ＩＣチップ２の表面側よりポッティング又はスク
リーン印刷法により塗布される。図３は、ポッティング
法による封止工程を示している。液状樹脂の塗布は、樹
脂封止ノズル８を用いて行われる。
樹脂を塗布する場合を図３を参照して説明する。液状樹
脂は、ＩＣチップ２の表面側よりポッティング又はスク
リーン印刷法により塗布される。図３は、ポッティング
法による封止工程を示している。液状樹脂の塗布は、樹
脂封止ノズル８を用いて行われる。
【００２２】上述したようにベースフィルム１の裏面に
形成された樹脂流れ溝７により、ベースフィルム１の裏
面とＩＣチップの表面との間にＩＣチップ２の側面に達
する空間を確保されている。したがって、塗布された液
状樹脂のうち、ベースフィルム１のデバイスホール５内
に充填された液状樹脂は、樹脂流れ溝７によってベース
フィルム１の裏面とＩＣチップの表面との間にＩＣチッ
プ２の側面に達する空間を通ってＩＣチップ２の外周部
及び側面に流れ込む。
形成された樹脂流れ溝７により、ベースフィルム１の裏
面とＩＣチップの表面との間にＩＣチップ２の側面に達
する空間を確保されている。したがって、塗布された液
状樹脂のうち、ベースフィルム１のデバイスホール５内
に充填された液状樹脂は、樹脂流れ溝７によってベース
フィルム１の裏面とＩＣチップの表面との間にＩＣチッ
プ２の側面に達する空間を通ってＩＣチップ２の外周部
及び側面に流れ込む。
【００２３】このことにより、ＩＣチップ２の側面に流
れ込んだ樹脂及び樹脂流れ溝７内に充填された樹脂によ
り、ベースフィルム１の裏面側と封止樹脂体４との接着
力が向上する。また、樹脂流れ溝７を形成したことによ
り、ベースフィルム１の裏面側と樹脂との接着面積が増
大し、接着力を向上することが可能となる。
れ込んだ樹脂及び樹脂流れ溝７内に充填された樹脂によ
り、ベースフィルム１の裏面側と封止樹脂体４との接着
力が向上する。また、樹脂流れ溝７を形成したことによ
り、ベースフィルム１の裏面側と樹脂との接着面積が増
大し、接着力を向上することが可能となる。
【００２４】次に、本発明の実施形態の具体例を実施例
として図面を参照し詳細に説明する。図１を参照する
と、本発明の実施例においては、樹脂流れ溝７は、ポリ
イミド材からなるベースフィルム裏面側のデバイスホー
ル５の開口縁より直角に外方向に放射状に伸び、且つＩ
Ｃチップ２の外周縁より０．５〜０．７ｍｍ程度長く、
かつベースフィルム１の厚さ方向に窪ませて形成してい
る。また樹脂流れ溝７の断面形状は、Ｖ型形状としてあ
る。
として図面を参照し詳細に説明する。図１を参照する
と、本発明の実施例においては、樹脂流れ溝７は、ポリ
イミド材からなるベースフィルム裏面側のデバイスホー
ル５の開口縁より直角に外方向に放射状に伸び、且つＩ
Ｃチップ２の外周縁より０．５〜０．７ｍｍ程度長く、
かつベースフィルム１の厚さ方向に窪ませて形成してい
る。また樹脂流れ溝７の断面形状は、Ｖ型形状としてあ
る。
【００２５】図１に示した本実施例では、ベースフィル
ム１に形成した樹脂流れ溝７によって確保された空間を
通って液状樹脂がＩＣチップ２の側面部まで流れ込み、
ベースフィルム１と樹脂４の密着性を向上させている。
ム１に形成した樹脂流れ溝７によって確保された空間を
通って液状樹脂がＩＣチップ２の側面部まで流れ込み、
ベースフィルム１と樹脂４の密着性を向上させている。
【００２６】また樹脂流れ溝７の形状をＶ型にしたこと
により、ベースフィルム１と樹脂４の接着面積が大きく
なり、接着力が向上する。
により、ベースフィルム１と樹脂４の接着面積が大きく
なり、接着力が向上する。
【００２７】（実施形態２）次に本発明の実施形態２に
ついて図面を参照して説明する。
ついて図面を参照して説明する。
【００２８】図４（Ａ）に示す本発明の実施形態２にお
いて、樹脂流れ溝７を設ける点については、実施形態１
のものと同じである。図１に示す実施形態１では、樹脂
流れ溝７の断面形状をＶ字型形状としたが、本発明の実
施形態２に係る樹脂流れ溝７は、その断面形状を種々変
更させている。すなわち、図４（Ｂ）に示す例では、樹
脂流れ溝７の断面形状を逆凹形状としており、また図４
（Ｃ）に示す例では、樹脂流れ溝７の断面形状を半楕円
形状に形成している。このように、樹脂流れ溝７の断面
形状を種々変更しても、実施形態１と同様の効果を得る
ことができる。なお、樹脂流れ溝７の断面形状は、図４
に示すものに限定されるものではなく、ベースフィルム
とＩＣチップとの間にＩＣチップの側面に達する空間を
確保し、この空間に通して十分な液状樹脂をベースフィ
ルム裏面側に塗布してベースフィルム裏面側での樹脂と
ベースフィルムの密着面積を拡大させることができるも
のであれば、いずれの形状のものでもよい。
いて、樹脂流れ溝７を設ける点については、実施形態１
のものと同じである。図１に示す実施形態１では、樹脂
流れ溝７の断面形状をＶ字型形状としたが、本発明の実
施形態２に係る樹脂流れ溝７は、その断面形状を種々変
更させている。すなわち、図４（Ｂ）に示す例では、樹
脂流れ溝７の断面形状を逆凹形状としており、また図４
（Ｃ）に示す例では、樹脂流れ溝７の断面形状を半楕円
形状に形成している。このように、樹脂流れ溝７の断面
形状を種々変更しても、実施形態１と同様の効果を得る
ことができる。なお、樹脂流れ溝７の断面形状は、図４
に示すものに限定されるものではなく、ベースフィルム
とＩＣチップとの間にＩＣチップの側面に達する空間を
確保し、この空間に通して十分な液状樹脂をベースフィ
ルム裏面側に塗布してベースフィルム裏面側での樹脂と
ベースフィルムの密着面積を拡大させることができるも
のであれば、いずれの形状のものでもよい。
【００２９】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、ＴＯＣ型
のテープキャリア型半導体装置において、樹脂流れ溝に
より封止樹脂をベースフィルム裏面側のＩＣチップ側面
まで十分に流れ込ませ、かつ樹脂とベースフィルムの接
着面積を拡大することができ、、樹脂とベースフィルム
の接着力を向上させることができる。
のテープキャリア型半導体装置において、樹脂流れ溝に
より封止樹脂をベースフィルム裏面側のＩＣチップ側面
まで十分に流れ込ませ、かつ樹脂とベースフィルムの接
着面積を拡大することができ、、樹脂とベースフィルム
の接着力を向上させることができる。
【００３０】さらに、ＩＣチップ構造による改善ではな
く、テープ構造による改善であり、且つ、現テープ製造
フロー中のデバイスホール打抜き工程でデバイスホール
まわりに溝をパンチにより加工することができるため、
従来のようなＩＣチップ上にリード接合用バンプ以外に
スペーサーバンプを形成する構造に比較して、ＩＣチッ
プの単価、製品単価を廉価にすることができる。
く、テープ構造による改善であり、且つ、現テープ製造
フロー中のデバイスホール打抜き工程でデバイスホール
まわりに溝をパンチにより加工することができるため、
従来のようなＩＣチップ上にリード接合用バンプ以外に
スペーサーバンプを形成する構造に比較して、ＩＣチッ
プの単価、製品単価を廉価にすることができる。
【図１】本発明の実施形態１に係るテープキャリア型半
導体装置を示す断面図である。
導体装置を示す断面図である。
【図２】（Ａ）は、図１に示すベースフィルムの裏面側
を示す平面図、（Ｂ）は、図１のＡ−Ａ’線断面図であ
る。
を示す平面図、（Ｂ）は、図１のＡ−Ａ’線断面図であ
る。
【図３】本発明に係るテープキャリア型半導体装置にお
ける樹脂塗布工程の一例を示す断面図である。
ける樹脂塗布工程の一例を示す断面図である。
【図４】（Ａ）は、本発明の実施形態２に係るテープキ
ャリア型半導体装置を示す断面図、（Ｂ），（Ｃ）は、
本発明の実施形態２に係るテープキャリア型半導体装置
においてベースフィルムに設けた樹脂流れ溝の断面形状
を示す断面図である。
ャリア型半導体装置を示す断面図、（Ｂ），（Ｃ）は、
本発明の実施形態２に係るテープキャリア型半導体装置
においてベースフィルムに設けた樹脂流れ溝の断面形状
を示す断面図である。
【図５】従来技術のテープキャリア型半導体装置を示す
断面図である。
断面図である。
１ ベースフィルム ２ ＩＣチップ ３ リード ４ 封止樹脂体 ５ デバイスホール ６ バンプ ７ 樹脂流れ溝 ８ 樹脂封止ノズル ９ スペーサーバンプ
Claims (5)
- 【請求項１】 ベースフィルムと、ＩＣチップと、封止
樹脂体とを有するテープキャリア型半導体装置であっ
て、 ベースフィルムは、デバイスホールを有するものであ
り、 ＩＣチップは、前記デバイスホールの開口縁に支持され
て前記ベースフィルム上に搭載されたものであり、 封止樹脂体は、前記ＩＣチップの表面，側面及び前記ベ
ースフィルムの裏面を封止したものであり、 さらにベースフィルムとＩＣチップとの間には、ＩＣチ
ップの側面側に封止樹脂体の液状樹脂を供給する空間を
確保したものであることを特徴とする特徴とするテープ
キャリア型半導体装置。 - 【請求項２】 前記空間は、ベースフィルム裏面に形成
された樹脂流れ溝により確保したものであることを特徴
とする特徴とする請求項１に記載のテープキャリア型半
導体装置。 - 【請求項３】 前記樹脂流れ溝は、前記ベースフィルム
のデバイスホール内から外部に向けて設けたものである
ことを特徴とする請求項２に記載のテープキャリア型半
導体装置。 - 【請求項４】 前記樹脂流れ溝は、前記ベースフィルム
裏面側に設置されるＩＣチップの外周縁を越える長さに
形成されたものであることを特徴とする請求項２又は３
に記載のテープキャリア型半導体装置。 - 【請求項５】 前記樹脂流れ溝は、前記ベースフィルム
のデバイスホール開口縁に放射状に形成されたものであ
ることを特徴とする請求項２，３又は４に記載のテープ
キャリア型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9119655A JP2947217B2 (ja) | 1997-05-09 | 1997-05-09 | テープキャリア型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9119655A JP2947217B2 (ja) | 1997-05-09 | 1997-05-09 | テープキャリア型半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10313019A true JPH10313019A (ja) | 1998-11-24 |
| JP2947217B2 JP2947217B2 (ja) | 1999-09-13 |
Family
ID=14766813
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9119655A Expired - Lifetime JP2947217B2 (ja) | 1997-05-09 | 1997-05-09 | テープキャリア型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2947217B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106717136A (zh) * | 2014-09-24 | 2017-05-24 | 京瓷株式会社 | 电子模块 |
-
1997
- 1997-05-09 JP JP9119655A patent/JP2947217B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106717136A (zh) * | 2014-09-24 | 2017-05-24 | 京瓷株式会社 | 电子模块 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2947217B2 (ja) | 1999-09-13 |
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