JPH10317132A - スパッタリング装置 - Google Patents
スパッタリング装置Info
- Publication number
- JPH10317132A JPH10317132A JP12516097A JP12516097A JPH10317132A JP H10317132 A JPH10317132 A JP H10317132A JP 12516097 A JP12516097 A JP 12516097A JP 12516097 A JP12516097 A JP 12516097A JP H10317132 A JPH10317132 A JP H10317132A
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- Japan
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- target material
- backing plate
- sputtering apparatus
- sputtering
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 スパッタリング装置内でのアーク放電の発生
を抑制してその影響を抑え、成膜欠陥の少ない光ディス
クの製造を可能とする光ディスク製造装置を提供するこ
と。 【解決手段】 カソード部のバッキングプレート１０上
のターゲット材９の外周部に導電性のギャップ調整枠１
２を配し、該調整枠１２によりバッキングプレート１０
の外径とターゲット材９との外径との差およびバッキン
グプレート１０とターゲット材９との外周部を覆うよう
に設けられているダークスペースシールド１１との空間
を調整可能とする。ギャップ調整枠１２のプレート１０
からの高さをｈ１、ターゲット材９の厚みをｈ２とした
とき、および調整枠１２の幅をｄ１とし、ターゲット材
９とプレート１０の外径差をｄ２としたとき、式(1)、
(2) ｈ１≧ｈ２ （１） ０．１×ｄ２≦ｄ１≦ｄ２ （２） を満足させることで、光ディスクの成膜欠陥の発生率が
小さくすることができる。
を抑制してその影響を抑え、成膜欠陥の少ない光ディス
クの製造を可能とする光ディスク製造装置を提供するこ
と。 【解決手段】 カソード部のバッキングプレート１０上
のターゲット材９の外周部に導電性のギャップ調整枠１
２を配し、該調整枠１２によりバッキングプレート１０
の外径とターゲット材９との外径との差およびバッキン
グプレート１０とターゲット材９との外周部を覆うよう
に設けられているダークスペースシールド１１との空間
を調整可能とする。ギャップ調整枠１２のプレート１０
からの高さをｈ１、ターゲット材９の厚みをｈ２とした
とき、および調整枠１２の幅をｄ１とし、ターゲット材
９とプレート１０の外径差をｄ２としたとき、式(1)、
(2) ｈ１≧ｈ２ （１） ０．１×ｄ２≦ｄ１≦ｄ２ （２） を満足させることで、光ディスクの成膜欠陥の発生率が
小さくすることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光ディスクなどの
基板上に成膜するためのスパッタリング装置及び該スパ
ッタリング装置で得られる光ディスクなどの記録媒体に
関する。
基板上に成膜するためのスパッタリング装置及び該スパ
ッタリング装置で得られる光ディスクなどの記録媒体に
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、基板上に記録膜等の機能薄膜
を形成して光ディスク等の記録媒体を形成する場合、一
般にＲＦ（高周波）、ＤＣ（直流）スパッタリング装置
が使用されている。例えば、誘電体ＳｉＮ（窒化Ｓｉ）
を成膜する場合には、絶縁体であるＳｉの単結晶をＡｒ
等の希ガスとＮ2ガスを混入し、反応性スパッタリング
として成膜している。ＤＣスパッタリング装置の場合、
絶縁物は放電しないので、Ｂ（ホウ素）等をＳｉターゲ
ットに添加して導電率を上げて使用している。
を形成して光ディスク等の記録媒体を形成する場合、一
般にＲＦ（高周波）、ＤＣ（直流）スパッタリング装置
が使用されている。例えば、誘電体ＳｉＮ（窒化Ｓｉ）
を成膜する場合には、絶縁体であるＳｉの単結晶をＡｒ
等の希ガスとＮ2ガスを混入し、反応性スパッタリング
として成膜している。ＤＣスパッタリング装置の場合、
絶縁物は放電しないので、Ｂ（ホウ素）等をＳｉターゲ
ットに添加して導電率を上げて使用している。
【０００３】つぎに、従来の一般的なスパッタリング装
置の構成と、本発明に係わるダークスペースシールドに
関して、図７を参照して説明する。図７はスパッタリン
グ装置の概略の構成を示す図である。
置の構成と、本発明に係わるダークスペースシールドに
関して、図７を参照して説明する。図７はスパッタリン
グ装置の概略の構成を示す図である。
【０００４】一般にスパッタリング装置は図６に示すよ
うに、成膜室である真空チャンバー１と、その室内の真
空度を制御する真空制御部２と、プラズマ放電用の電源
３と、この電源３が電源ケーブル４によって接続させて
いるカソード部５と、カソード部５と所定距離を持って
対向配置されているアノード６と、スパッタガスである
Ａｒ等を真空チャンバー１内に供給するためのスパッタ
ガス供給部７とを主な要素として構成されている。アノ
ード６には光ディスクの基板８が固定されている。
うに、成膜室である真空チャンバー１と、その室内の真
空度を制御する真空制御部２と、プラズマ放電用の電源
３と、この電源３が電源ケーブル４によって接続させて
いるカソード部５と、カソード部５と所定距離を持って
対向配置されているアノード６と、スパッタガスである
Ａｒ等を真空チャンバー１内に供給するためのスパッタ
ガス供給部７とを主な要素として構成されている。アノ
ード６には光ディスクの基板８が固定されている。
【０００５】また、カソード部５のバッキングプレート
１０にスパッタリングのターゲット材９が固定されてい
て、更に、バッキングプレート１０を保護するダークス
ペースシールド１１がバッキングプレート１０とターゲ
ット材９との円周部を覆うように設けられている。
１０にスパッタリングのターゲット材９が固定されてい
て、更に、バッキングプレート１０を保護するダークス
ペースシールド１１がバッキングプレート１０とターゲ
ット材９との円周部を覆うように設けられている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】前記装置によるスパッ
タリングにおいてアーク放電の発生が問題となる。アー
ク放電は局所的に電荷が集中して発生するが、このアー
ク放電によって飛散したターゲット材９の固相状の固ま
りが基板８の上に付着し、ディスク不良の原因となって
いた。そこでアーク放電の起こりにくいＲＦスパッタリ
ングを用いるか、またはＤＣスパッタリングにおいて、
ある一定周波数で投入電力を零にするなどの対象がなさ
れてきた。しかしながら、これらの対策によっても十分
にアーク放電の発生を抑えることはできず、特にターゲ
ット材９の端部で起こるアーク放電を抑えることは困難
であった。
タリングにおいてアーク放電の発生が問題となる。アー
ク放電は局所的に電荷が集中して発生するが、このアー
ク放電によって飛散したターゲット材９の固相状の固ま
りが基板８の上に付着し、ディスク不良の原因となって
いた。そこでアーク放電の起こりにくいＲＦスパッタリ
ングを用いるか、またはＤＣスパッタリングにおいて、
ある一定周波数で投入電力を零にするなどの対象がなさ
れてきた。しかしながら、これらの対策によっても十分
にアーク放電の発生を抑えることはできず、特にターゲ
ット材９の端部で起こるアーク放電を抑えることは困難
であった。
【０００７】従って本発明の課題は、スパッタリング装
置内でのアーク放電の発生を抑制してその影響を抑え、
成膜欠陥の少ない光ディスクの製造を可能とする光ディ
スク製造装置を提供しようとするものである。
置内でのアーク放電の発生を抑制してその影響を抑え、
成膜欠陥の少ない光ディスクの製造を可能とする光ディ
スク製造装置を提供しようとするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題は次の
構成により解決される。すなわち、カソード部のバッキ
ングプレート上にアノード上の基板をスパッタリングす
るためのターゲット材が固定されていて、更に、バッキ
ングプレートを保護するダークスペースシールドがバッ
キングプレートとターゲット材との外周部を覆うように
設けられている基板上の成膜に用いるスパッタリング装
置であって、バッキングプレート上のターゲット材の外
周部に導電性のギャップ調整枠を配し、該調整枠により
バッキングプレートの外径とターゲット材との外径との
差および該調整枠とダークスペースシールドとの空間領
域の大きさを調整可能としたスパッタリング装置であ
る。
構成により解決される。すなわち、カソード部のバッキ
ングプレート上にアノード上の基板をスパッタリングす
るためのターゲット材が固定されていて、更に、バッキ
ングプレートを保護するダークスペースシールドがバッ
キングプレートとターゲット材との外周部を覆うように
設けられている基板上の成膜に用いるスパッタリング装
置であって、バッキングプレート上のターゲット材の外
周部に導電性のギャップ調整枠を配し、該調整枠により
バッキングプレートの外径とターゲット材との外径との
差および該調整枠とダークスペースシールドとの空間領
域の大きさを調整可能としたスパッタリング装置であ
る。
【０００９】上記ギャップ調整枠の前記パッキングプレ
ートからの高さをｈ１、前記ターゲット材の厚みをｈ２
としたとき、下記式（１） ｈ１≧ｈ２ （１） を満足すると光ディスクの成膜欠陥の発生率が小さい。
同様にはギャップ調整枠の幅をｄ１とし、ターゲット材
とバッキングプレートの外径差をｄ２としたとき、下記
式（２） ０．１×ｄ２≦ｄ１≦ｄ２ （２） を満足すると光ディスクの成膜欠陥の発生率が小さくな
る。
ートからの高さをｈ１、前記ターゲット材の厚みをｈ２
としたとき、下記式（１） ｈ１≧ｈ２ （１） を満足すると光ディスクの成膜欠陥の発生率が小さい。
同様にはギャップ調整枠の幅をｄ１とし、ターゲット材
とバッキングプレートの外径差をｄ２としたとき、下記
式（２） ０．１×ｄ２≦ｄ１≦ｄ２ （２） を満足すると光ディスクの成膜欠陥の発生率が小さくな
る。
【００１０】また、導電性のギャップ調整枠は導電性の
もので、非鉄金属部材からなるものであればいかなる材
質のものでも使用可能であるが、アルミニウムは非磁性
体であり、加工性と熱伝導性がよいので適している。
もので、非鉄金属部材からなるものであればいかなる材
質のものでも使用可能であるが、アルミニウムは非磁性
体であり、加工性と熱伝導性がよいので適している。
【００１１】本発明によれば、ダークスペースシールド
とバッキングプレートの間にダーゲット材と平行になる
ようにギャップ調整枠を設けたことでターゲット端部の
アーク発生を低減し、その影響を抑えることができ、欠
陥発生の少ない光ディスクを製造することができる。ま
た、本発明には前記スパッタリング装置により得られる
書き換え可能な記録膜を有する光ディスクまたはこれに
類する記録媒体も含まれる。
とバッキングプレートの間にダーゲット材と平行になる
ようにギャップ調整枠を設けたことでターゲット端部の
アーク発生を低減し、その影響を抑えることができ、欠
陥発生の少ない光ディスクを製造することができる。ま
た、本発明には前記スパッタリング装置により得られる
書き換え可能な記録膜を有する光ディスクまたはこれに
類する記録媒体も含まれる。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態について図１
ないし図６を参照して説明する。本発明の図１ないし図
６に示す実施の形態はダークスペースシールド１１とパ
ッキングプレート１０の間にギャップ調整枠１２を設け
ること以外のスパッタリング装置の構造は図６に概要を
示す通り図７に示す従来のものと同一であるので、その
説明は省略する。
ないし図６を参照して説明する。本発明の図１ないし図
６に示す実施の形態はダークスペースシールド１１とパ
ッキングプレート１０の間にギャップ調整枠１２を設け
ること以外のスパッタリング装置の構造は図６に概要を
示す通り図７に示す従来のものと同一であるので、その
説明は省略する。
【００１３】図１は本発明によるスパッタリング装置
の、ダークスペースシールド１１の要部拡大断面図であ
り、図２は本発明の実施の形態による装置と従来技術の
装置とのディスク欠陥発生率を比較する図である。ま
た、図３の本発明の実施の形態のダークスペースシール
ド１１とパッキングプレート１０の間に設けるギャップ
調整枠１２の大きさと位置を示す図である。さらに、図
４は本発明の実施の形態のギャップ調整枠１２の高さ
（ｈ１）とターゲット材の高さ（ｈ２）の差とディスク
の欠陥発生率との関係を示す図であり、図５は本発明の
実施の形態のギャップ調整枠１２の幅（ｄ１）とディス
ク欠陥発生率との関係を示す図である。
の、ダークスペースシールド１１の要部拡大断面図であ
り、図２は本発明の実施の形態による装置と従来技術の
装置とのディスク欠陥発生率を比較する図である。ま
た、図３の本発明の実施の形態のダークスペースシール
ド１１とパッキングプレート１０の間に設けるギャップ
調整枠１２の大きさと位置を示す図である。さらに、図
４は本発明の実施の形態のギャップ調整枠１２の高さ
（ｈ１）とターゲット材の高さ（ｈ２）の差とディスク
の欠陥発生率との関係を示す図であり、図５は本発明の
実施の形態のギャップ調整枠１２の幅（ｄ１）とディス
ク欠陥発生率との関係を示す図である。
【００１４】本発明者はギャップ調整枠１２を設けるこ
ととその形状を検討することによりアーク放電の発生が
低減し、その影響が抑えられることを見出し、これによ
って成膜欠陥の少ない光ディスクの製造を可能とするス
パッタリング装置を開発するに至った。
ととその形状を検討することによりアーク放電の発生が
低減し、その影響が抑えられることを見出し、これによ
って成膜欠陥の少ない光ディスクの製造を可能とするス
パッタリング装置を開発するに至った。
【００１５】本発明によるパッキングプレート１０を保
護するギャップ調整枠１２は、パッキングプレート１０
上にターゲット材９との円周部を囲むように設けたもの
である。
護するギャップ調整枠１２は、パッキングプレート１０
上にターゲット材９との円周部を囲むように設けたもの
である。
【００１６】次に本発明によるギャップ調整枠１２を有
するスパッタリング装置とギャップ調整枠１２を有しな
い従来技術のスパッタリング装置とによる光ディスク製
造時の欠陥発生率について説明する。図２はその測定結
果であって、横軸は１０００枚を１ブロックとする成膜
ディスク枚数であり、縦軸はこの１ブロック中で発生し
た欠陥の数を規格化して表示している。規格化の基準は
従来の装置による１ブロックの欠陥の数の最大値を用い
ている。図２からパッキングプレート１０上にダークス
ペースシールド１１と対向するようにギャップ調整枠１
２をターゲット材９の円周部に設けることにより、欠陥
の発生が低減していることが分かる。
するスパッタリング装置とギャップ調整枠１２を有しな
い従来技術のスパッタリング装置とによる光ディスク製
造時の欠陥発生率について説明する。図２はその測定結
果であって、横軸は１０００枚を１ブロックとする成膜
ディスク枚数であり、縦軸はこの１ブロック中で発生し
た欠陥の数を規格化して表示している。規格化の基準は
従来の装置による１ブロックの欠陥の数の最大値を用い
ている。図２からパッキングプレート１０上にダークス
ペースシールド１１と対向するようにギャップ調整枠１
２をターゲット材９の円周部に設けることにより、欠陥
の発生が低減していることが分かる。
【００１７】次にギャップ調整枠１２の形状と欠陥発生
について説明する。ここで図３に示すようにギャップ調
整枠１２の幅をｄ１、ターゲット材９とパッキングプレ
ート１０の径方向の差をｄ２、ギャップ調整枠１２の厚
さをｈ１、ターゲット材９の厚さをｈ２とする。
について説明する。ここで図３に示すようにギャップ調
整枠１２の幅をｄ１、ターゲット材９とパッキングプレ
ート１０の径方向の差をｄ２、ギャップ調整枠１２の厚
さをｈ１、ターゲット材９の厚さをｈ２とする。
【００１８】まず、ギャップ調整枠１２の厚さｈ１をパ
ラメータとしたときの欠陥発生について述べる。このと
き、ｈ２＝６ｍｍ、ｄ１＝１５ｍｍ、ｄ２＝１５ｍｍで
ある。図４はその結果を示していて、縦軸は任意の厚さ
の差（ｈ１−ｈ２）のときの欠陥発生率である。図４よ
り厚さがｈ１≧ｈ２において効果が現れることがわか
る。
ラメータとしたときの欠陥発生について述べる。このと
き、ｈ２＝６ｍｍ、ｄ１＝１５ｍｍ、ｄ２＝１５ｍｍで
ある。図４はその結果を示していて、縦軸は任意の厚さ
の差（ｈ１−ｈ２）のときの欠陥発生率である。図４よ
り厚さがｈ１≧ｈ２において効果が現れることがわか
る。
【００１９】次に、ギャップ調整枠１２の幅ｄ１をパラ
メータとしたときの欠陥発生について述べる。このとき
ｈ１＝６．２ｍｍ、ｈ２＝６．０ｍｍ、ｄ２＝１５ｍｍ
である。図５はその結果を示していて、横軸はギャップ
調整枠１２の幅ｄ１であり、縦軸は任意のｄ１のときの
欠陥発生率である。図５より、欠陥発生はギャップ調整
枠１２を設けることで効果が現れ、ギャップ調整枠１２
のｄ１（外径）がバッキングプレート１０のそれに近づ
くに従って低減されることが分かる。
メータとしたときの欠陥発生について述べる。このとき
ｈ１＝６．２ｍｍ、ｈ２＝６．０ｍｍ、ｄ２＝１５ｍｍ
である。図５はその結果を示していて、横軸はギャップ
調整枠１２の幅ｄ１であり、縦軸は任意のｄ１のときの
欠陥発生率である。図５より、欠陥発生はギャップ調整
枠１２を設けることで効果が現れ、ギャップ調整枠１２
のｄ１（外径）がバッキングプレート１０のそれに近づ
くに従って低減されることが分かる。
【００２０】
【発明の効果】本発明によれば、欠陥発生の少ない光デ
ィスクを製造するスパッタリング装置が得られた。
ィスクを製造するスパッタリング装置が得られた。
【図１】 本発明の実施の形態によるスパッタリング装
置のギャップ調整枠の要部拡大断面図である。
置のギャップ調整枠の要部拡大断面図である。
【図２】 本発明の実施の形態と従来技術による各スパ
ッタリング装置のディスク欠陥発生率について比較する
図である。
ッタリング装置のディスク欠陥発生率について比較する
図である。
【図３】 本発明の実施の形態のギャップ調整枠をバッ
キングプレート上に設ける大きさと位置を示す図であ
る。
キングプレート上に設ける大きさと位置を示す図であ
る。
【図４】 本発明の実施の形態のギャップ調整枠の高さ
とディスク欠陥発生率との関係を示す図である。
とディスク欠陥発生率との関係を示す図である。
【図５】 本発明の実施の形態のギャップ調整枠の幅と
ディスク欠陥発生率との関係を示す図である。
ディスク欠陥発生率との関係を示す図である。
【図６】 本発明の実施の形態のスパッタリング装置の
概略の構成を示す図である。
概略の構成を示す図である。
【図７】 従来のスパッタリング装置の概略の構成を示
す図である。
す図である。
１ 真空チャンバー ２ 真空制御部 ３ 電源 ４ 電源ケーブル ５ カソード部 ６ アノード ７ スパッタガス供給部 ８ 基板 ９ ターゲット材 １０ バッキングプレ
ート １１ ダークスペースシールド １２ ギャップ調整枠
ート １１ ダークスペースシールド １２ ギャップ調整枠
Claims (4)
- 【請求項１】 カソード部のバッキングプレート上にア
ノード上の基板をスパッタリングするためのターゲット
材が固定されていて、更に、バッキングプレートを保護
するダークスペースシールドがバッキングプレートとタ
ーゲット材との外周部を覆うように設けられている基板
上の成膜に用いるスパッタリング装置であって、 バッキングプレート上のターゲット材の外周部に導電性
のギャップ調整枠を配し、該調整枠によりバッキングプ
レートの外径とターゲット材との外径との差および該調
整枠とダークスペースシールドとの空間領域の大きさを
調整可能としたことを特徴とするスパッタリング装置。 - 【請求項２】 ギャップ調整枠の前記パッキングプレー
トからの高さをｈ１、前記ターゲット材の厚みをｈ２と
したとき、下記式（１） ｈ１≧ｈ２ （１） を満足することを特徴とする請求項１記載のスパッタリ
ング装置。 - 【請求項３】 ギャップ調整枠の幅をｄ１とし、ターゲ
ット材とバッキングプレートの外径差をｄ２としたと
き、下記式（２） ０．１×ｄ２≦ｄ１≦ｄ２ （２） を満足することを特徴とする請求項１記載のスパッタリ
ング装置。 - 【請求項４】 請求項１記載のスパッタリング装置によ
り得られることを特徴とする記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12516097A JPH10317132A (ja) | 1997-05-15 | 1997-05-15 | スパッタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12516097A JPH10317132A (ja) | 1997-05-15 | 1997-05-15 | スパッタリング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10317132A true JPH10317132A (ja) | 1998-12-02 |
Family
ID=14903369
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12516097A Pending JPH10317132A (ja) | 1997-05-15 | 1997-05-15 | スパッタリング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10317132A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104046949A (zh) * | 2014-05-27 | 2014-09-17 | 江西沃格光电股份有限公司 | 磁控溅射装置及其溅射阴极 |
| CN113025976A (zh) * | 2021-05-25 | 2021-06-25 | 上海陛通半导体能源科技股份有限公司 | 可防误溅射的物理气相沉积设备 |
-
1997
- 1997-05-15 JP JP12516097A patent/JPH10317132A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104046949A (zh) * | 2014-05-27 | 2014-09-17 | 江西沃格光电股份有限公司 | 磁控溅射装置及其溅射阴极 |
| CN113025976A (zh) * | 2021-05-25 | 2021-06-25 | 上海陛通半导体能源科技股份有限公司 | 可防误溅射的物理气相沉积设备 |
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