JPS637528A - 光ピツクアツプ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は光ピックアップ装置に関し、特に、光照射によ
り情報の記録、再生および消去を行う光情報記録装置に
適合する光ピックアップ装置に関する。

〔従来の技術〕

従来、この種の光ピックアップ装置においては、光照射
により情報の記録を行なう記録媒体としては、多結晶と
アモルファスとの間の相変化を利用するものがあシ、こ
の媒体材料としては、Ｔｅ−０−Ｇ　ｅ　−Ｓ　ｎ合金
系またはＴｅ−８ｅ−８ｎ合金系などが用いられている
。これらの材料の特徴は、材料に温度変化を与える場合
、急速加熱、急速冷却を行なうとアモルファス化し、比
較的ゆっくりとした加熱、冷却を行なうと結晶化するこ
とである。

この相変化によって、その材料の表面の反射率も変化す
るので、微弱な＋１照射することで相状態を知ることが
できる。この相変化を用いることにより、情報の記録、
再生および消去を行うことが可能である。

光デイスク形状において、結晶からアモルファスヘ、ア
モルファスから結晶へと、双方の相変化ｅｌトラック幅
内にて実現する手段としては、第３図の平面図に示され
るように、元ピックアップから記録媒体６上に対する円
形スポット１０２および長円形スポット１０３’に形成
するものがある。第３図において、記録媒体６が矢印１
０１の方向に一定速度で移動しているものとすると、高
いパワーの円形スポット１０２により言ｍ媒体６の急熱
、急冷が行われ、比較的低いパワーの長円形スポット１
０３により記録媒体６の保熱、徐冷が行われて、前記手
段が実現される。この円形スポット１０２により情報ビ
ットの形成を行い、長円形スポット１０３により情報ビ
ットの消去を行えば、１トラック幅ごとに記録および消
去を実現することができる。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上述した従来の光ピックアップ装置は、第４図に示され
るように、円形スポットと長円形スポットとを形成する
ために、波長の異なる二つの半導体レーザからの出射光
を合波する方法が用いられている。第４図において、半
導体レーザ１２からの出射光は、コリメートレンズ１４
によジコリメート化され、偏光ビームスプリッタ１８に
おいて反射されて、％波長板１７および集光レンズ１６
を介して記録媒体６上に円形スポットとして集光される
。記録媒体６からの反射光は、集光レンズ１６、％波長
板１７、偏光ビームスプリ、り１８、％波長板１９およ
び波長フィルタ２０を介して、検出光学系２２に導かれ
る。−方、長円形スポットを形成する半導体レーザ１３
かもの出射光は、コリメートレンズ１５およびシリンド
リカルレンズ２１を通過し、偏光ビームスプリ、り１８
において反射されて、％波長板１９を介して波長フィル
タ２０に到達する。この波長の光は反射されて記録媒体
６上に集光される。しかしながら、この従来の光ビック
アップ装置は、その構成が複雑であシ形状も大型化する
とともに、円形スポットおよび長円形スポットの焦点位
置合わせが困難であるという欠点がある。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明の元ピックアップ装置は、半導体レーザの出射光
？微小スポットにして記録媒体に照射し、前記記録媒体
からの光を光検出器に導く光学系を備える光ピックアッ
プ装置において、前記半導体レーザとして、それぞれ独
立に駆動可能な複数の発光点を有し、且つ前記発光点の
内の少くとも一つの発光点の発振軸モードがマルチモー
ドである半導体レーザと、前記半導体レーザと前記記録
媒体との間に、透過型または反射型グレーティング素子
の回析光を利用する光路変換素子と、を備えて構成され
る。

〔作用〕

第２図において、ピッチがｄの透過型のグレーティング
素子３に対して、波長λの光が入射角θにて入射される
場合を考えると、次式が成立する。

ｄ　ｓｉｎθ＝λ 入射光の波長が△λ変化すると、出射光のビーム角度は
次式のΔθだけ変化する。

Δθ＝ｓｉｎθ・（Δλ／λ） 集光レンズの焦点距離をｆとすると、記録媒体上におい
てはｆ・（△θ）のスポット中心のずれとなる。θ＝３
０°、λ＝８００ｎｍ（ナノ・メートル）、△λ”０．
３ｎｍおよびｆ　＝　４　ｍｍ　（ミリ・メートル）と
すると、ｆ・（Δθ）〜０．７μｍ（ミクロン）となる
。

−方、共振器長３００μｍの半導体レーザの軸モード間
隔は約Ｑ、３ｎｍであるので、△λの波長変化に対応し
て、隣接軸モード間においてスポット位置が０．７μｍ
ずれることになる。一つの軸モードによる円形スポット
径の大きさが１μｍφ程度でおるので、半導体レーザが
マルチモード発振をしている状態においては、モード数
に対応する長さの長円形スポットを記録媒体上に形成す
ることができる。このことは、グレーティング素子の代
りに反射型のグレーティング素子を用いる場合も、その
効果は同様である。グレーティング素子としては、単純
格子だけでなく、集光レンズ等の代りに使用されるオフ
アクシス型のゾーンプレートレンズでもよく、また、ブ
レーズ型格子でも回折効率が十分に得られる。

光源としては、複数の発光点を独立に駆動することがで
きるアレイ凰の半導体レーザを用い、少くとも一つの発
光点の軸モードがマルチモードであり、他の発光点が単
一モードであれば、グレーティング素子により容易に円
形スポットと長円形スポットとの両スボ、トヲ形成する
ことができる。

光源の発光点が三つ以上ある場合には、記録および消去
だけでなく、記録前後または消去前後のディスク状態の
チエ、り等が可能となる。

〔実施例〕

以下、本発明について図面を参照して説明する。

第１図は、本発明の一実施例の構成を示す図である。第
１図に示されるように、本実施例は、アレイ型半導体レ
ーザ１と、コリメートレンズ２と、グレーティング素子
３と、ビームスプリッタ４と、集光レンズ５と、収束レ
ンズ７と、ビームスプリ、り８と、トラ、クエラー検出
器９と、ナイフエ、ジ１０と、フォーカスエラー検出器
１１と、を備えており、記録媒体６に対応して構成され
る。

第１図において、アレイ型半導体レーザ１からの出射ビ
ームは、コリメートレンズ２によりコリメートされグレ
ーティング素子３により光路が曲ケラれて、ビームスプ
リッタ４に送られる。更に。

ビームスプリッタ４および集光レンズ５を介して記録媒
体６上にスポットとして収束される。この場合、発光点
が単一モードであれば円形スポットが形成され、マルチ
モードであれば長円形スポットが形成される。記録媒体
６からの反射光は、ビームスプリッタ４および収束レン
ズ７を経由してビームスプリッタ８に入射され、ビーム
スプリッタ８において分離されて、−部はトラックエラ
ー検出器９に、−部はナイフェツジ１０を介してフォー
カスエラー検出器１１に、それぞれ入射される。これら
の反射光よりスポット位置エラーが検出される。本実施
例の構成においては、グレーティング素子３は撰円ビー
ムを円形化するビーム整形機能をも兼え備えている。な
お、グレーティング素子３の配置位置は、ビームスプリ
ッタ４と集光レンズ５との間に設定されてもよい。

なお、アレイ型半導体レーザの複数の発光点を同時に発
光させ、それぞれの発光点に対応する各スポットからの
反射光を個別に受光する場合には、反射ビームを集束し
て分離し、アレイ型光検出器等によシ、それぞれの元を
受光すればよい。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明は、比較的簡易な構成によ
り、所定の円形スポットおよび長円形スポットを容易に
形成することのできる元ピックアップ装置を提供するこ
とができるという効果がある。

【図面の簡単な説明】 第１図は本発明の一実施例の構成を示す図、第２図は本
発明の詳細な説明するための透過型グレーティング素子
の概念図、第３図は記録媒体上のビームスポットを示す
図、第４図は、従来の光ピックアップ装置の構成を示す
図である。 図において、１・・・・・・アレイ型半導体レーザ、２
゜１４．１５・・・・・・コリメートレンズ、３・・・
・・・グレーティング素子、４，８・・・・・・ビーム
スプリッタ、５゜１６・・・・・・集光レンズ、６・・
・・・・記録媒体、７・・・・・・集束レンズ、９・・
・・・・トラックエラー検出器、１０・・・・・・ナイ
フェツジ、１１・・・・・・フォーカスエラー検出器、
１２．１３・・・・・・半導体レーザ、１７．１９・・
・・・・〆波長板、１８・・・・・・偏光ビームスプリ
ッタ、２０・・・・・・波長フィルタ、２１・・・・・
・シリンドリカルレンズ、第　／　図 乎２　図 喰３　図 皇４　面

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 半導体レーザの出射光を微小スポットにして記録媒体に
   照射し、前記記録媒体からの光を光検出器に導く光学系
   を備える光ピックアップ装置において、前記半導体レー
   ザとして、それぞれ独立に駆動可能な複数の発光点を有
   し、且つ前記発光点の内の少くとも一つの発光点の発振
   軸モードがマルチモードである半導体レーザと、前記半
   導体レーザと前記記録媒体との間に、透過型または反射
   型グレーティング素子の回析光を利用する光路変換素子
   と、を備えることを特徴とする光ピックアップ装置。