JPH10318864A - ダイヤフラム型素子の製造方法 - Google Patents
ダイヤフラム型素子の製造方法Info
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- JPH10318864A JPH10318864A JP9141036A JP14103697A JPH10318864A JP H10318864 A JPH10318864 A JP H10318864A JP 9141036 A JP9141036 A JP 9141036A JP 14103697 A JP14103697 A JP 14103697A JP H10318864 A JPH10318864 A JP H10318864A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 歩留まりの向上を図るダイヤフラム型素子の
製造方法を提供する。 【解決手段】 シリコン基板１の裏面にダイヤフラム形
成領域パターン１１と帯状の基板切断パターン１２を形
成した後に、シリコン基板１の表面にシリコン酸化膜２
を形成し、次に、ダイヤフラム形成領域パターン１１を
シリコン基板１の裏面側から異方性エッチングしてダイ
ヤフラム３を形成し、また、異方性エッチングによりシ
リコン基板１の裏面にＶ溝１３を形成して｛１ 1
１｝面を露出させる。そして、基板切断パターン１２に
沿ってシリコン基板１を劈開する。ダイヤフラム３の位
置に対応するシリコン基板表面の下部電極４の形成領域
を劈開面１４を基準にして求めてメタルマスク１５をシ
リコン基板１の上側に配置し、下部電極４をシリコン基
板１の表面に形成し、その上に圧電膜５と上部電極６を
順に積層してダイヤフラム型素子が完成する。
製造方法を提供する。 【解決手段】 シリコン基板１の裏面にダイヤフラム形
成領域パターン１１と帯状の基板切断パターン１２を形
成した後に、シリコン基板１の表面にシリコン酸化膜２
を形成し、次に、ダイヤフラム形成領域パターン１１を
シリコン基板１の裏面側から異方性エッチングしてダイ
ヤフラム３を形成し、また、異方性エッチングによりシ
リコン基板１の裏面にＶ溝１３を形成して｛１ 1
１｝面を露出させる。そして、基板切断パターン１２に
沿ってシリコン基板１を劈開する。ダイヤフラム３の位
置に対応するシリコン基板表面の下部電極４の形成領域
を劈開面１４を基準にして求めてメタルマスク１５をシ
リコン基板１の上側に配置し、下部電極４をシリコン基
板１の表面に形成し、その上に圧電膜５と上部電極６を
順に積層してダイヤフラム型素子が完成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、シリコン基板を用
いて製造されるダイヤフラム型素子の製造方法に関する
ものである。
いて製造されるダイヤフラム型素子の製造方法に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】図７にはダイヤフラム型素子である圧電
共振子の一例が示されている。この圧電共振子は、同図
に示すように、シリコン基板１の表面に形成されたシリ
コン酸化膜２から成るダイヤフラム３の上に下部電極４
と圧電膜５と上部電極６が順に積層形成されて構成され
ている。このダイヤフラム型素子は、上記下部電極４と
上部電極６に交流電圧を印加することにより圧電膜５が
伸縮し、該圧電膜５の伸縮に伴ってダイヤフラム３が共
振振動するものである。
共振子の一例が示されている。この圧電共振子は、同図
に示すように、シリコン基板１の表面に形成されたシリ
コン酸化膜２から成るダイヤフラム３の上に下部電極４
と圧電膜５と上部電極６が順に積層形成されて構成され
ている。このダイヤフラム型素子は、上記下部電極４と
上部電極６に交流電圧を印加することにより圧電膜５が
伸縮し、該圧電膜５の伸縮に伴ってダイヤフラム３が共
振振動するものである。
【０００３】このダイヤフラム型素子は次のようにして
製造される。例えば、シリコン基板１の表面にシリコン
酸化膜２を形成した後に、予め定めたダイヤフラム３の
形成領域をシリコン基板１の裏面側から上記シリコン酸
化膜２に達するまでエッチングしてダイヤフラム３を形
成する。
製造される。例えば、シリコン基板１の表面にシリコン
酸化膜２を形成した後に、予め定めたダイヤフラム３の
形成領域をシリコン基板１の裏面側から上記シリコン酸
化膜２に達するまでエッチングしてダイヤフラム３を形
成する。
【０００４】その後、ダイヤフラム３の上に下部電極４
と圧電膜５と上部電極６を積層形成する工程が行われる
が、上記の如く、ダイヤフラム３を形成する凹部８はシ
リコン基板１の裏面側に設けられるので、シリコン基板
１の表面側からダイヤフラム３の位置を求めるのは難し
く、次のようにしてダイヤフラム３の位置に対応するシ
リコン基板１の表面領域が求められる。例えば、上記エ
ッチングによりシリコン基板１に形成された凹部８に、
図８の（ａ）に示すように、ピン１０を挿入し該ピン１
０の先端をダイヤフラム３に押し当ててシリコン基板１
を位置決めし、上記ピン１０を基準にして求めたダイヤ
フラム３に対応するシリコン基板１の表面の下部電極４
の積層領域に、図７に示すように、下部電極４を形成
し、さらに、該下部電極４の上に圧電膜５と上部電極６
を順に積層してダイヤフラム型素子が完成する。
と圧電膜５と上部電極６を積層形成する工程が行われる
が、上記の如く、ダイヤフラム３を形成する凹部８はシ
リコン基板１の裏面側に設けられるので、シリコン基板
１の表面側からダイヤフラム３の位置を求めるのは難し
く、次のようにしてダイヤフラム３の位置に対応するシ
リコン基板１の表面領域が求められる。例えば、上記エ
ッチングによりシリコン基板１に形成された凹部８に、
図８の（ａ）に示すように、ピン１０を挿入し該ピン１
０の先端をダイヤフラム３に押し当ててシリコン基板１
を位置決めし、上記ピン１０を基準にして求めたダイヤ
フラム３に対応するシリコン基板１の表面の下部電極４
の積層領域に、図７に示すように、下部電極４を形成
し、さらに、該下部電極４の上に圧電膜５と上部電極６
を順に積層してダイヤフラム型素子が完成する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図８の
（ａ）に示すように、上記ピン１０の太さに対して凹部
８が大きい場合には、凹部８の周面とピン１０の間に隙
間ｄが生じ、この隙間ｄのためにダイヤフラム３に対す
るピン１０の当接位置がシリコン基板１毎に異なる。つ
まり、シリコン基板１の表面の下部電極４の形成領域を
求めるための基準がシリコン基板１毎に異なってしま
う。このピン１０の位置ずれに起因して、例えば、下部
電極４がダイヤフラム３の上からずれて形成されてしま
うという下部電極４の位置ずれの問題が生じる。
（ａ）に示すように、上記ピン１０の太さに対して凹部
８が大きい場合には、凹部８の周面とピン１０の間に隙
間ｄが生じ、この隙間ｄのためにダイヤフラム３に対す
るピン１０の当接位置がシリコン基板１毎に異なる。つ
まり、シリコン基板１の表面の下部電極４の形成領域を
求めるための基準がシリコン基板１毎に異なってしま
う。このピン１０の位置ずれに起因して、例えば、下部
電極４がダイヤフラム３の上からずれて形成されてしま
うという下部電極４の位置ずれの問題が生じる。
【０００６】また、ピン１０が強くダイヤフラム３に押
し付けられた場合には、ピン１０がダイヤフラム３を突
き破るという問題がある。さらに、図８の（ｂ）に示す
ように、ピン１０の太さに対して凹部８が小さい場合に
は、ピン１０の先端が凹部８の周面に強く押し付けら
れ、シリコン基板１を割ってしまうという問題が生じ
る。
し付けられた場合には、ピン１０がダイヤフラム３を突
き破るという問題がある。さらに、図８の（ｂ）に示す
ように、ピン１０の太さに対して凹部８が小さい場合に
は、ピン１０の先端が凹部８の周面に強く押し付けら
れ、シリコン基板１を割ってしまうという問題が生じ
る。
【０００７】上記のように、ピン１０を基準にしてシリ
コン基板１の表面の下部電極４の形成領域を求める場合
には、下部電極４の位置ずれの問題や、シリコン基板１
の破損の問題や、ダイヤフラム３の損傷の問題が多発
し、ダイヤフラム型素子の歩留まりが大きく低下し、こ
の歩留まり低下に起因してダイヤフラム型素子の価格が
高価になってしまうという問題がある。
コン基板１の表面の下部電極４の形成領域を求める場合
には、下部電極４の位置ずれの問題や、シリコン基板１
の破損の問題や、ダイヤフラム３の損傷の問題が多発
し、ダイヤフラム型素子の歩留まりが大きく低下し、こ
の歩留まり低下に起因してダイヤフラム型素子の価格が
高価になってしまうという問題がある。
【０００８】本発明は上記課題を解決するためになされ
たものであり、その目的は、ダイヤフラムに対応するシ
リコン基板表面の素子形成膜の形成領域の位置決めを簡
単、かつ、精度良く行うことができ、しかも、歩留まり
の向上を図ることができるダイヤフラム型素子の製造方
法に関するものである。
たものであり、その目的は、ダイヤフラムに対応するシ
リコン基板表面の素子形成膜の形成領域の位置決めを簡
単、かつ、精度良く行うことができ、しかも、歩留まり
の向上を図ることができるダイヤフラム型素子の製造方
法に関するものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
にこの発明は次のような構成をもって前記課題を解決す
る手段としている。すなわち、第１の発明は、シリコン
基板の表面側に形成されたダイヤフラムの上に素子形成
膜が形成されて成るダイヤフラム型素子の製造方法にお
いて、シリコン基板の｛１ １ １｝面とシリコン基板
の裏面とが交差する線に平行な帯状の基板切断パターン
を形成する領域と、ダイヤフラムを形成する領域とをシ
リコン基板の裏面に予め定めておき、まず、シリコン基
板の表面にダイヤフラムを構成するダイヤフラム形成膜
を形成し、次に、上記ダイヤフラム形成領域をシリコン
基板の裏面側からエッチング除去してダイヤフラムを形
成し、また、上記シリコン基板の裏面側から上記基板切
断パターンの形成領域をエッチングして｛１ １ １｝
面を露出させ、然る後、上記基板切断パターンに沿って
シリコン基板を劈開し、その後、上記シリコン基板の劈
開面を基準座標軸として求めたダイヤフラムの位置に対
応するシリコン基板表面の素子形成膜の形成領域に上記
素子形成膜を形成する構成をもって前記課題を解決する
手段としている。
にこの発明は次のような構成をもって前記課題を解決す
る手段としている。すなわち、第１の発明は、シリコン
基板の表面側に形成されたダイヤフラムの上に素子形成
膜が形成されて成るダイヤフラム型素子の製造方法にお
いて、シリコン基板の｛１ １ １｝面とシリコン基板
の裏面とが交差する線に平行な帯状の基板切断パターン
を形成する領域と、ダイヤフラムを形成する領域とをシ
リコン基板の裏面に予め定めておき、まず、シリコン基
板の表面にダイヤフラムを構成するダイヤフラム形成膜
を形成し、次に、上記ダイヤフラム形成領域をシリコン
基板の裏面側からエッチング除去してダイヤフラムを形
成し、また、上記シリコン基板の裏面側から上記基板切
断パターンの形成領域をエッチングして｛１ １ １｝
面を露出させ、然る後、上記基板切断パターンに沿って
シリコン基板を劈開し、その後、上記シリコン基板の劈
開面を基準座標軸として求めたダイヤフラムの位置に対
応するシリコン基板表面の素子形成膜の形成領域に上記
素子形成膜を形成する構成をもって前記課題を解決する
手段としている。
【００１０】第２の発明は、上記第１の発明を構成する
ダイヤフラムに対応するシリコン基板表面の素子形成膜
の形成領域をシリコン基板の劈開面を基準として求め、
この求めた領域に素子形成膜が形成されるように素子形
成膜の形成領域を規制するマスクを前記シリコン基板の
劈開面を基準にしてシリコン基板の表面側に配置し、こ
のマスクの上側から素子形成膜の材料をシリコン基板の
表面に積層しダイヤフラムの上に素子形成膜を形成する
構成をもって前記課題を解決する手段としている。
ダイヤフラムに対応するシリコン基板表面の素子形成膜
の形成領域をシリコン基板の劈開面を基準として求め、
この求めた領域に素子形成膜が形成されるように素子形
成膜の形成領域を規制するマスクを前記シリコン基板の
劈開面を基準にしてシリコン基板の表面側に配置し、こ
のマスクの上側から素子形成膜の材料をシリコン基板の
表面に積層しダイヤフラムの上に素子形成膜を形成する
構成をもって前記課題を解決する手段としている。
【００１１】第３の発明は、上記第１又は第２の発明の
構成に加えて、シリコン基板に形成されたダイヤフラム
型素子を上記シリコン基板から切り出すためのダイシン
グラインの位置をシリコン基板の劈開面を基準として定
め、その定められたダイシングラインに沿ってダイヤフ
ラム型素子をシリコン基板から切り出す構成をもって前
記課題を解決する手段としている。
構成に加えて、シリコン基板に形成されたダイヤフラム
型素子を上記シリコン基板から切り出すためのダイシン
グラインの位置をシリコン基板の劈開面を基準として定
め、その定められたダイシングラインに沿ってダイヤフ
ラム型素子をシリコン基板から切り出す構成をもって前
記課題を解決する手段としている。
【００１２】第４の発明は、上記第１又は第２又は第３
の発明を構成するシリコン基板に複数の劈開面を形成
し、それら複数の劈開面を基準座標軸とする構成をもっ
て前記課題を解決する手段としている。
の発明を構成するシリコン基板に複数の劈開面を形成
し、それら複数の劈開面を基準座標軸とする構成をもっ
て前記課題を解決する手段としている。
【００１３】第５の発明は、上記第１又は第２又は第３
又は第４の発明を構成するシリコン基板の裏面に形成さ
れる帯状の基板切断パターンの両側の縁のうち、ダイヤ
フラム形成側の縁は直線である構成をもって前記課題を
解決する手段としている。
又は第４の発明を構成するシリコン基板の裏面に形成さ
れる帯状の基板切断パターンの両側の縁のうち、ダイヤ
フラム形成側の縁は直線である構成をもって前記課題を
解決する手段としている。
【００１４】上記構成の発明において、例えば、シリコ
ン基板の裏面に形成された基板切断パターンに沿ってシ
リコン基板を劈開した後に、上記シリコン基板の劈開面
を基準座標軸として求めたダイヤフラムに対応するシリ
コン基板表面の素子形成膜の形成領域に素子形成膜を形
成する。
ン基板の裏面に形成された基板切断パターンに沿ってシ
リコン基板を劈開した後に、上記シリコン基板の劈開面
を基準座標軸として求めたダイヤフラムに対応するシリ
コン基板表面の素子形成膜の形成領域に素子形成膜を形
成する。
【００１５】上記シリコン基板の劈開面は上記基板切断
パターンによって予め定まるシリコンの結晶面で、起伏
がない平坦な面である。このことから、上記劈開面を基
準座標軸にしてダイヤフラムに対応するシリコン基板表
面の素子形成膜の形成領域を精度良く位置決めすること
ができ、素子形成膜がダイヤフラムからずれて形成され
るという問題が確実に回避される。また、従来のように
ピンをダイヤフラムに当接することがないので、ピンに
よってシリコン基板が破損するという問題やピンによっ
てダイヤフラムが損傷するという問題が防止される。こ
れらのことから、ダイヤフラム型素子の歩留まりが格段
に向上することができる。
パターンによって予め定まるシリコンの結晶面で、起伏
がない平坦な面である。このことから、上記劈開面を基
準座標軸にしてダイヤフラムに対応するシリコン基板表
面の素子形成膜の形成領域を精度良く位置決めすること
ができ、素子形成膜がダイヤフラムからずれて形成され
るという問題が確実に回避される。また、従来のように
ピンをダイヤフラムに当接することがないので、ピンに
よってシリコン基板が破損するという問題やピンによっ
てダイヤフラムが損傷するという問題が防止される。こ
れらのことから、ダイヤフラム型素子の歩留まりが格段
に向上することができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下に、この発明に係る実施形態
例を図面に基づき説明する。
例を図面に基づき説明する。
【００１７】図１にはこの実施形態例のダイヤフラム型
素子の製造方法が示されている。この実施形態例では、
前記図７に示すダイヤフラム型素子である圧電共振子を
例にして該圧電共振子の製造方法の一例を説明する。な
お、前記図７に示す圧電共振子の構成は、前述したの
で、その重複説明は省略する。
素子の製造方法が示されている。この実施形態例では、
前記図７に示すダイヤフラム型素子である圧電共振子を
例にして該圧電共振子の製造方法の一例を説明する。な
お、前記図７に示す圧電共振子の構成は、前述したの
で、その重複説明は省略する。
【００１８】まず、面方位が｛１ ０ ０｝である図３
に示すようなシリコン基板（シリコンウェハ）１を用意
しておき、まず、図１の（ａ）に示すように、シリコン
基板１の裏面１ｂにシリコン酸化膜２を形成する。
に示すようなシリコン基板（シリコンウェハ）１を用意
しておき、まず、図１の（ａ）に示すように、シリコン
基板１の裏面１ｂにシリコン酸化膜２を形成する。
【００１９】次に、予め定められた図１の（ｂ）に示す
ダイヤフラム形成領域パターン１１と、基板切断パター
ン１２との形成領域を規制するレジストパターン（図示
せず）をフォトリソグラフィ技術等を用いて上記シリコ
ン酸化膜２の上に積層形成する。そして、上記レジスト
パターンに覆われていないシリコン酸化膜２の領域、つ
まり、図１の（ｂ）に示すように、ダイヤフラム形成領
域パターン１１と基板切断パターン１２のシリコン酸化
膜２の領域を、ウェットエッチングや、リアクティブイ
オンエッチング（ＲＩＥ）等のドライエッチングにより
エッチング除去し、ダイヤフラム形成領域パターン１１
と基板切断パターン１２を形成する。
ダイヤフラム形成領域パターン１１と、基板切断パター
ン１２との形成領域を規制するレジストパターン（図示
せず）をフォトリソグラフィ技術等を用いて上記シリコ
ン酸化膜２の上に積層形成する。そして、上記レジスト
パターンに覆われていないシリコン酸化膜２の領域、つ
まり、図１の（ｂ）に示すように、ダイヤフラム形成領
域パターン１１と基板切断パターン１２のシリコン酸化
膜２の領域を、ウェットエッチングや、リアクティブイ
オンエッチング（ＲＩＥ）等のドライエッチングにより
エッチング除去し、ダイヤフラム形成領域パターン１１
と基板切断パターン１２を形成する。
【００２０】上記基板切断パターン１２は後述するシリ
コン基板１の｛１ １ １｝面とシリコン基板１の裏面
１ｂとが交差する線αに平行な図３に示すような帯状の
パターンであり、ダイヤフラム３の形成領域から外れた
領域にシリコン基板１の一端から他端に至るまで伸張形
成されている。この基板切断パターン１２の長手方向の
両側の縁Ａ，Ｂのうち、少なくともダイヤフラム形成側
の縁Ａは直線に形成されている。
コン基板１の｛１ １ １｝面とシリコン基板１の裏面
１ｂとが交差する線αに平行な図３に示すような帯状の
パターンであり、ダイヤフラム３の形成領域から外れた
領域にシリコン基板１の一端から他端に至るまで伸張形
成されている。この基板切断パターン１２の長手方向の
両側の縁Ａ，Ｂのうち、少なくともダイヤフラム形成側
の縁Ａは直線に形成されている。
【００２１】次に、図１の（ｃ）に示すように、シリコ
ン基板１の表面１ａにダイヤフラム形成膜であるシリコ
ン酸化膜２を形成する。
ン基板１の表面１ａにダイヤフラム形成膜であるシリコ
ン酸化膜２を形成する。
【００２２】そして、図１の（ｄ）に示すように、前記
ダイヤフラム形成領域パターン１１の領域をシリコン基
板１の裏面側から前記シリコン酸化膜２に達するまで異
方性エッチングにより除去してダイヤフラム３を形成
し、また、前記基板切断パターン１２の領域を異方性エ
ッチングする。この基板切断パターン１２の異方性エッ
チングにより、シリコン基板１の裏面には｛１ １
１｝面によるＶ溝１３が形成される。
ダイヤフラム形成領域パターン１１の領域をシリコン基
板１の裏面側から前記シリコン酸化膜２に達するまで異
方性エッチングにより除去してダイヤフラム３を形成
し、また、前記基板切断パターン１２の領域を異方性エ
ッチングする。この基板切断パターン１２の異方性エッ
チングにより、シリコン基板１の裏面には｛１ １
１｝面によるＶ溝１３が形成される。
【００２３】上記シリコン基板１の異方性エッチング
は、水酸化カリウム水溶液やテトラメチルアンモニウム
水溶液やエチレンジアミンピロカテコール等のアルカリ
性のエッチング液（エッチャント）をシリコン基板１に
侵食させて行われる。上記アルカリ性のエッチング液に
よるシリコン酸化膜２のエッチングレートは十分に小さ
いので、上記ダイヤフラム形成領域パターン１１の異方
性エッチングはシリコン酸化膜２に達するとストップ
し、シリコン酸化膜２を破損してしまうことはない。
は、水酸化カリウム水溶液やテトラメチルアンモニウム
水溶液やエチレンジアミンピロカテコール等のアルカリ
性のエッチング液（エッチャント）をシリコン基板１に
侵食させて行われる。上記アルカリ性のエッチング液に
よるシリコン酸化膜２のエッチングレートは十分に小さ
いので、上記ダイヤフラム形成領域パターン１１の異方
性エッチングはシリコン酸化膜２に達するとストップ
し、シリコン酸化膜２を破損してしまうことはない。
【００２４】その後、図１の（ｅ）に示すように、基板
切断パターン１２のＶ溝１３に沿ってシリコン基板１を
劈開する。このとき、シリコン基板１は上記基板切断パ
ターン１２の露出した｛１ １ １｝面同士が交差する
図４の（ｂ）に示す線βに沿って図４の（ｃ）に示すよ
うに劈開する。この劈開面１４はシリコンの結晶面であ
り、起伏がない平坦な面となる。
切断パターン１２のＶ溝１３に沿ってシリコン基板１を
劈開する。このとき、シリコン基板１は上記基板切断パ
ターン１２の露出した｛１ １ １｝面同士が交差する
図４の（ｂ）に示す線βに沿って図４の（ｃ）に示すよ
うに劈開する。この劈開面１４はシリコンの結晶面であ
り、起伏がない平坦な面となる。
【００２５】この実施形態例では、図４の（ａ）に示す
ように、基板切断パターン１２がシリコン基板１の一端
から他端に至るまで伸張形成されているので、図４の
（ｃ）に示すように、シリコン基板１の一端から他端に
至る劈開面１４を形成することができる。
ように、基板切断パターン１２がシリコン基板１の一端
から他端に至るまで伸張形成されているので、図４の
（ｃ）に示すように、シリコン基板１の一端から他端に
至る劈開面１４を形成することができる。
【００２６】この実施形態例では、基板切断パターン１
２をシリコン基板１の端部から他端に掛けて伸長形成し
たので、シリコン基板１の端部から他端に至る劈開面１
４を形成することができるし、このシリコン基板１の劈
開工程でのシリコン基板１の破損を防止することができ
る。
２をシリコン基板１の端部から他端に掛けて伸長形成し
たので、シリコン基板１の端部から他端に至る劈開面１
４を形成することができるし、このシリコン基板１の劈
開工程でのシリコン基板１の破損を防止することができ
る。
【００２７】次に、上記劈開面１４を基準座標軸として
ダイヤフラム３に対応するシリコン基板１の表面の素子
形成膜である下部電極４の形成領域を求める。前記基板
切断パターン１２の縁Ａと劈開面１４との間の距離ａは
簡単な計算により容易に求めることができる。この実施
形態例では、上記基板切断パターン１２の縁Ａは、前記
の如く、直線に形成されているので、基板切断パターン
１２の一端側から他端側に掛けて劈開面１４と縁Ａの間
の距離ａは等しく、また、基板切断パターン１２の縁Ａ
とダイヤフラム３との間の距離は予め定められているの
で、ダイヤフラム３に対応するシリコン基板１の表面の
下部電極４の形成領域を劈開面１４を基準座標軸として
精度良く求めることができる。
ダイヤフラム３に対応するシリコン基板１の表面の素子
形成膜である下部電極４の形成領域を求める。前記基板
切断パターン１２の縁Ａと劈開面１４との間の距離ａは
簡単な計算により容易に求めることができる。この実施
形態例では、上記基板切断パターン１２の縁Ａは、前記
の如く、直線に形成されているので、基板切断パターン
１２の一端側から他端側に掛けて劈開面１４と縁Ａの間
の距離ａは等しく、また、基板切断パターン１２の縁Ａ
とダイヤフラム３との間の距離は予め定められているの
で、ダイヤフラム３に対応するシリコン基板１の表面の
下部電極４の形成領域を劈開面１４を基準座標軸として
精度良く求めることができる。
【００２８】上記求めた領域に上記下部電極４が形成さ
れるように、図１の（ｆ）に示すように、下部電極４の
形成領域を規制するメタルマスク１５を上記劈開面１４
を基準にしてシリコン基板１の表面側に配置し、メタル
マスク１５の上側から下部電極４を形成する材料を蒸着
やスパッタ等の成膜形成技術によりシリコン基板１の表
面に積層しダイヤフラム３の上に下部電極４を形成す
る。
れるように、図１の（ｆ）に示すように、下部電極４の
形成領域を規制するメタルマスク１５を上記劈開面１４
を基準にしてシリコン基板１の表面側に配置し、メタル
マスク１５の上側から下部電極４を形成する材料を蒸着
やスパッタ等の成膜形成技術によりシリコン基板１の表
面に積層しダイヤフラム３の上に下部電極４を形成す
る。
【００２９】前記の如く、劈開面１４は起伏がない平坦
な面であることから、この劈開面１４を基準座標軸とす
ることにより、メタルマスク１５の下部電極４のパター
ンをダイヤフラム３に対応するシリコン基板１の表面の
下部電極４の形成領域に精度良く位置合わせすることが
できる。
な面であることから、この劈開面１４を基準座標軸とす
ることにより、メタルマスク１５の下部電極４のパター
ンをダイヤフラム３に対応するシリコン基板１の表面の
下部電極４の形成領域に精度良く位置合わせすることが
できる。
【００３０】然る後、上記同様に、圧電膜５の形成領域
を規制するメタルマスク１５を劈開面１４を基準座標軸
としてシリコン基板１の表面側に配置して、圧電膜５を
下部電極４の上に積層形成し、さらに、上部電極６の形
成領域を規制するメタルマスク１５を劈開面１４を基準
座標軸としてシリコン基板１の表面側に配置して、圧電
膜５の上に上部電極６を積層形成し、図１の（ｇ）に示
すように、ダイヤフラム型素子が形成される。
を規制するメタルマスク１５を劈開面１４を基準座標軸
としてシリコン基板１の表面側に配置して、圧電膜５を
下部電極４の上に積層形成し、さらに、上部電極６の形
成領域を規制するメタルマスク１５を劈開面１４を基準
座標軸としてシリコン基板１の表面側に配置して、圧電
膜５の上に上部電極６を積層形成し、図１の（ｇ）に示
すように、ダイヤフラム型素子が形成される。
【００３１】上記下部電極４や上部電極６を形成する材
料には、アルミニウムや金や白金やパラジウムやニッケ
ルやチタンやクロムや銅等の導体が用いられ、圧電膜５
を形成する材料には、ＺｎＯ（酸化亜鉛）やＰＺＴ（チ
タン酸ジルコン酸鉛）や窒化アルミニウム等の圧電性を
有する材料が用いられる。
料には、アルミニウムや金や白金やパラジウムやニッケ
ルやチタンやクロムや銅等の導体が用いられ、圧電膜５
を形成する材料には、ＺｎＯ（酸化亜鉛）やＰＺＴ（チ
タン酸ジルコン酸鉛）や窒化アルミニウム等の圧電性を
有する材料が用いられる。
【００３２】最後に、図５に示すようにシリコン基板１
に形成されたダイヤフラム型素子をシリコン基板１から
切り出すためのダイシングが行われる。このダイシング
を行うためのダイシングラインの位置（図５の直線Ｄで
示される位置）を前記シリコン基板１の劈開面１４を基
準にして定め、この定められたダイシングラインに沿っ
てダイヤフラム型素子をシリコン基板１から切り出し、
ダイヤフラム型素子が完成する。
に形成されたダイヤフラム型素子をシリコン基板１から
切り出すためのダイシングが行われる。このダイシング
を行うためのダイシングラインの位置（図５の直線Ｄで
示される位置）を前記シリコン基板１の劈開面１４を基
準にして定め、この定められたダイシングラインに沿っ
てダイヤフラム型素子をシリコン基板１から切り出し、
ダイヤフラム型素子が完成する。
【００３３】この実施形態例によれば、シリコン基板１
にシリコンの結晶面である劈開面１４を形成し、この劈
開面１４を基準にしてメタルマスク１５の位置決めを行
って下部電極４や圧電膜５や上部電極６をダイヤフラム
３の上に形成するので、ダイヤフラム３の上の予め定め
られた形成領域に下部電極４や圧電膜５や上部電極６を
精度良く積層形成することができる。このことにより、
ダイヤフラム３の上から下部電極４や圧電膜５や上部電
極６がずれて形成されてしまうという問題を回避するこ
とができる。
にシリコンの結晶面である劈開面１４を形成し、この劈
開面１４を基準にしてメタルマスク１５の位置決めを行
って下部電極４や圧電膜５や上部電極６をダイヤフラム
３の上に形成するので、ダイヤフラム３の上の予め定め
られた形成領域に下部電極４や圧電膜５や上部電極６を
精度良く積層形成することができる。このことにより、
ダイヤフラム３の上から下部電極４や圧電膜５や上部電
極６がずれて形成されてしまうという問題を回避するこ
とができる。
【００３４】また、劈開面１４を基準座標軸にしてダイ
シングラインの位置決めを行うので、ダイシングライン
の位置決めを精度良く行うことができ、例えば、ダイシ
ングラインの位置ずれが起こって、ダイヤフラム型素子
を切断してしまうという問題を防止することができる。
シングラインの位置決めを行うので、ダイシングライン
の位置決めを精度良く行うことができ、例えば、ダイシ
ングラインの位置ずれが起こって、ダイヤフラム型素子
を切断してしまうという問題を防止することができる。
【００３５】ところで、シリコンウェハにはシリコンウ
ェハの製造メーカーにより予め図３に示すようなオリエ
ンテーションフラット（以下、オリフラと記す）１６が
形成されている。このオリフラ１６は切削等により形成
されたもので、オリフラ１６の面に垂直な方向は結晶軸
に比べて０．５〜１．０ずれている。このため、このオ
リフラ１６を基準座標軸とした場合には基準座標軸が結
晶軸とずれているため、上記オリフラ１６を基準座標軸
としてメタルマスク１５やダイシングラインの位置決め
を行うと、上記メタルマスク１５やダイシングラインの
位置ずれが生じてしまう。
ェハの製造メーカーにより予め図３に示すようなオリエ
ンテーションフラット（以下、オリフラと記す）１６が
形成されている。このオリフラ１６は切削等により形成
されたもので、オリフラ１６の面に垂直な方向は結晶軸
に比べて０．５〜１．０ずれている。このため、このオ
リフラ１６を基準座標軸とした場合には基準座標軸が結
晶軸とずれているため、上記オリフラ１６を基準座標軸
としてメタルマスク１５やダイシングラインの位置決め
を行うと、上記メタルマスク１５やダイシングラインの
位置ずれが生じてしまう。
【００３６】これに対して、この実施形態例に示すよう
に、シリコン基板１を劈開し、シリコンの結晶面である
劈開面１４を形成することにより、直線の基準座標軸が
形成され、メタルマスク１５やダイシングラインの位置
決めを精度良く、しかも、簡単に行うことができ、上記
の如く、ダイヤフラム３の上に下部電極４や圧電膜５や
上部電極６を位置精度良く形成することができたり、シ
リコン基板１からダイヤフラム型素子を正確に切り出す
ことができる。
に、シリコン基板１を劈開し、シリコンの結晶面である
劈開面１４を形成することにより、直線の基準座標軸が
形成され、メタルマスク１５やダイシングラインの位置
決めを精度良く、しかも、簡単に行うことができ、上記
の如く、ダイヤフラム３の上に下部電極４や圧電膜５や
上部電極６を位置精度良く形成することができたり、シ
リコン基板１からダイヤフラム型素子を正確に切り出す
ことができる。
【００３７】上記のように、劈開面１４を基準座標軸に
してメタルマスク１５やダイシングラインの位置決めを
行うことにより、メタルマスク１５やダイシングライン
の位置決めを精度良く行うことができ、前記メタルマス
ク１５やダイシングラインの位置ずれに起因したダイヤ
フラム型素子の歩留まり低下の問題を回避することがで
きる。
してメタルマスク１５やダイシングラインの位置決めを
行うことにより、メタルマスク１５やダイシングライン
の位置決めを精度良く行うことができ、前記メタルマス
ク１５やダイシングラインの位置ずれに起因したダイヤ
フラム型素子の歩留まり低下の問題を回避することがで
きる。
【００３８】その上、従来のようにピン１０を用いてダ
イヤフラム３に対応するシリコン基板１の表面領域を求
めるのではないので、上記ピン１０がダイヤフラム３の
膜を突き破ったり、ピン１０がシリコン基板１に強く押
し付けられたためにシリコン基板１が破損してしまうと
いう問題を確実に回避することができる。このように、
この実施形態例に示す製造方法によりダイヤフラム型素
子を製造することによって、ダイヤフラム型素子の歩留
まりを格段に向上させることができ、ダイヤフラム型素
子の価格の低下を図ることができる。
イヤフラム３に対応するシリコン基板１の表面領域を求
めるのではないので、上記ピン１０がダイヤフラム３の
膜を突き破ったり、ピン１０がシリコン基板１に強く押
し付けられたためにシリコン基板１が破損してしまうと
いう問題を確実に回避することができる。このように、
この実施形態例に示す製造方法によりダイヤフラム型素
子を製造することによって、ダイヤフラム型素子の歩留
まりを格段に向上させることができ、ダイヤフラム型素
子の価格の低下を図ることができる。
【００３９】また、この実施形態例では、メタルマスク
１５を用いてシリコン基板１の表面に下部電極４や圧電
膜５や上部電極６の形成領域を規制しているので、次の
ような効果を奏することができる。
１５を用いてシリコン基板１の表面に下部電極４や圧電
膜５や上部電極６の形成領域を規制しているので、次の
ような効果を奏することができる。
【００４０】例えば、上記メタルマスク１５の代わりに
レジストパターンを用いて下部電極４や圧電膜５や上部
電極６を形成する場合には、まず、シリコン基板１の表
面に形成したレジストに上記下部電極４のパターンを転
写し、レジスト現像液を用いて上記下部電極４のパター
ン部分のレジストを除去し、上記レジスト現像液を洗浄
して上記下部電極４の形成領域を規制するレジストパタ
ーンを作成し、その後、上記レジストパターンの上側か
ら下部電極４の材料をシリコン基板１の表面に形成し、
然る後、上記レジストパターンをレジスト除去液で取り
除き、上記レジスト除去液を洗浄し、下部電極４が形成
される。そして、上記同様にして圧電膜５と上部電極６
を下部電極４の上に順に積層形成していくというよう
に、メタルマスク１５の代わりにレジストパターンを用
いた場合には、下部電極４や圧電膜５や上部電極６を形
成する工程が非常に煩雑になり、効率良くダイヤフラム
型素子を製造することができないという問題が生じる。
レジストパターンを用いて下部電極４や圧電膜５や上部
電極６を形成する場合には、まず、シリコン基板１の表
面に形成したレジストに上記下部電極４のパターンを転
写し、レジスト現像液を用いて上記下部電極４のパター
ン部分のレジストを除去し、上記レジスト現像液を洗浄
して上記下部電極４の形成領域を規制するレジストパタ
ーンを作成し、その後、上記レジストパターンの上側か
ら下部電極４の材料をシリコン基板１の表面に形成し、
然る後、上記レジストパターンをレジスト除去液で取り
除き、上記レジスト除去液を洗浄し、下部電極４が形成
される。そして、上記同様にして圧電膜５と上部電極６
を下部電極４の上に順に積層形成していくというよう
に、メタルマスク１５の代わりにレジストパターンを用
いた場合には、下部電極４や圧電膜５や上部電極６を形
成する工程が非常に煩雑になり、効率良くダイヤフラム
型素子を製造することができないという問題が生じる。
【００４１】これに対して、この実施形態例に示したよ
うにメタルマスク１５を用いた場合には、下部電極４や
圧電膜５や上部電極６のパターンが予め作成されたメタ
ルマスク１５をシリコン基板１の表面側に位置合わせし
て配置し、上記メタルマスク１５の上側から下部電極４
や圧電膜５や上部電極６の材料をシリコン基板１に積層
形成し、その後、メタルマスク１５をシリコン基板１の
上側から取り外すだけでよいので、下部電極４や圧電膜
５や上部電極６の形成工程の大幅な簡略化が図れる。こ
のため、効率良くダイヤフラム型素子を製造することが
でき、ダイヤフラム型素子の価格のより一層の低下を図
ることができる。
うにメタルマスク１５を用いた場合には、下部電極４や
圧電膜５や上部電極６のパターンが予め作成されたメタ
ルマスク１５をシリコン基板１の表面側に位置合わせし
て配置し、上記メタルマスク１５の上側から下部電極４
や圧電膜５や上部電極６の材料をシリコン基板１に積層
形成し、その後、メタルマスク１５をシリコン基板１の
上側から取り外すだけでよいので、下部電極４や圧電膜
５や上部電極６の形成工程の大幅な簡略化が図れる。こ
のため、効率良くダイヤフラム型素子を製造することが
でき、ダイヤフラム型素子の価格のより一層の低下を図
ることができる。
【００４２】また、レジストパターンを用いて上部電極
６を形成する場合には、前記の如く、洗浄工程が行われ
るために、シリコン基板１に形成された圧電膜５が水に
濡れ、圧電膜５が水分を吸収してしまう。このように、
圧電膜５が水分を吸収すると、水分の悪影響により圧電
膜５の電気特性が変化してしまうという問題が生じた
り、圧電膜５の経年劣化を早めるという問題が生じる。
６を形成する場合には、前記の如く、洗浄工程が行われ
るために、シリコン基板１に形成された圧電膜５が水に
濡れ、圧電膜５が水分を吸収してしまう。このように、
圧電膜５が水分を吸収すると、水分の悪影響により圧電
膜５の電気特性が変化してしまうという問題が生じた
り、圧電膜５の経年劣化を早めるという問題が生じる。
【００４３】これに対して、この実施形態例に示したよ
うに、メタルマスク１５を用いることにより、製造工程
中に圧電膜５が水に濡れることがなくなり、上記圧電膜
５の電気特性の変化や圧電膜５の経年劣化の問題が回避
され、性能の信頼性や耐久性が高いダイヤフラム型素子
を提供することができる。
うに、メタルマスク１５を用いることにより、製造工程
中に圧電膜５が水に濡れることがなくなり、上記圧電膜
５の電気特性の変化や圧電膜５の経年劣化の問題が回避
され、性能の信頼性や耐久性が高いダイヤフラム型素子
を提供することができる。
【００４４】なお、この発明は上記実施形態例に限定さ
れるものではなく、様々な実施の形態を採り得る。例え
ば、上記実施形態例では、面方位が｛１ ０ ０｝であ
るシリコン基板を用いたが、例えば、面方位が｛１ １
０｝であるシリコン基板等、面方位が（１ ０ ０｝
以外のシリコン基板を用いてもよい。
れるものではなく、様々な実施の形態を採り得る。例え
ば、上記実施形態例では、面方位が｛１ ０ ０｝であ
るシリコン基板を用いたが、例えば、面方位が｛１ １
０｝であるシリコン基板等、面方位が（１ ０ ０｝
以外のシリコン基板を用いてもよい。
【００４５】また、上記実施形態例では、シリコン基板
１の表裏両面にシリコン酸化膜を形成したが、シリコン
基板１の表面と裏面のシリコン酸化膜のうちの一方又は
両方の代わりに、シリコン基板１の異方性エッチングを
行うエッチング液に侵食されない膜、例えば、シリコン
窒化膜や、金や白金等の金属膜等をシリコン基板１に形
成してもよい。また、上記シリコン酸化膜２の代わり
に、シリコン酸化膜や、シリコン窒化膜や、金や白金等
の金属膜等を積層した積層膜をシリコン基板１に形成し
てもよい。
１の表裏両面にシリコン酸化膜を形成したが、シリコン
基板１の表面と裏面のシリコン酸化膜のうちの一方又は
両方の代わりに、シリコン基板１の異方性エッチングを
行うエッチング液に侵食されない膜、例えば、シリコン
窒化膜や、金や白金等の金属膜等をシリコン基板１に形
成してもよい。また、上記シリコン酸化膜２の代わり
に、シリコン酸化膜や、シリコン窒化膜や、金や白金等
の金属膜等を積層した積層膜をシリコン基板１に形成し
てもよい。
【００４６】さらに、上記実施形態例では、シリコン基
板１に劈開面を１箇所しか形成しなかったが、図６の
（ａ）に示すように、劈開面を２箇所設けてもよいし、
図６の（ｂ）に示すように、劈開面を３箇所設けてもよ
いし、図６の（ｃ）に示すように、劈開面を４箇所設け
てもよい。このように、シリコン基板１に劈開面を複数
箇所設け、それら複数の劈開面１４を基準座標軸として
メタルマスク１５やダイシングラインの位置決めを行っ
てもよい。この場合には、メタルマスク１５やダイシン
グラインの位置決めをより精度良く行うことができる。
板１に劈開面を１箇所しか形成しなかったが、図６の
（ａ）に示すように、劈開面を２箇所設けてもよいし、
図６の（ｂ）に示すように、劈開面を３箇所設けてもよ
いし、図６の（ｃ）に示すように、劈開面を４箇所設け
てもよい。このように、シリコン基板１に劈開面を複数
箇所設け、それら複数の劈開面１４を基準座標軸として
メタルマスク１５やダイシングラインの位置決めを行っ
てもよい。この場合には、メタルマスク１５やダイシン
グラインの位置決めをより精度良く行うことができる。
【００４７】さらに、上記実施形態例では、圧電共振子
を例にして説明したが、この発明は、ダイヤフラムを利
用した共振子や加速度センサやジャイロや焦電センサや
流速センサや超音波センサ等、圧電共振子以外のダイヤ
フラム型素子にも適用することができる。
を例にして説明したが、この発明は、ダイヤフラムを利
用した共振子や加速度センサやジャイロや焦電センサや
流速センサや超音波センサ等、圧電共振子以外のダイヤ
フラム型素子にも適用することができる。
【００４８】
【発明の効果】この実施形態例によれば、シリコン基板
に劈開面を形成するので、シリコンの結晶面である起伏
のない平坦な面をシリコン基板に形成することができ、
この劈開面を基準座標軸としてシリコン基板の素子形成
膜の形成領域の位置合わせを行うので、ダイヤフラムの
位置に対応するシリコン基板表面の素子形成膜の形成領
域に素子形成膜を位置ずれなく形成することができる。
に劈開面を形成するので、シリコンの結晶面である起伏
のない平坦な面をシリコン基板に形成することができ、
この劈開面を基準座標軸としてシリコン基板の素子形成
膜の形成領域の位置合わせを行うので、ダイヤフラムの
位置に対応するシリコン基板表面の素子形成膜の形成領
域に素子形成膜を位置ずれなく形成することができる。
【００４９】このように、素子形成膜の位置ずれの問題
が回避できるので、ダイヤフラム型素子の歩留まりの向
上を図ることができる。また、上記素子形成膜の形成領
域の位置決めは容易で、かつ、簡単に行うことができる
ので、面倒な位置決め作業はなく、位置決め作業の簡略
化が図れる。
が回避できるので、ダイヤフラム型素子の歩留まりの向
上を図ることができる。また、上記素子形成膜の形成領
域の位置決めは容易で、かつ、簡単に行うことができる
ので、面倒な位置決め作業はなく、位置決め作業の簡略
化が図れる。
【００５０】マスクを用いて素子形成膜を形成する場合
には、シリコン基板の劈開面を基準にしてマスクの位置
決めを行うことにより、ダイヤフラムに対応するシリコ
ン基板表面の素子形成膜の形成領域にマスクの素子形成
膜パターンを精度良く位置合わせすることができ、上記
ダイヤフラムの位置に対応するシリコン基板表面の素子
形成膜の形成領域に素子形成膜を位置ずれなく形成する
ことができ、ダイヤフラム型素子の歩留まりを向上する
ことができる。
には、シリコン基板の劈開面を基準にしてマスクの位置
決めを行うことにより、ダイヤフラムに対応するシリコ
ン基板表面の素子形成膜の形成領域にマスクの素子形成
膜パターンを精度良く位置合わせすることができ、上記
ダイヤフラムの位置に対応するシリコン基板表面の素子
形成膜の形成領域に素子形成膜を位置ずれなく形成する
ことができ、ダイヤフラム型素子の歩留まりを向上する
ことができる。
【００５１】また、マスクを用いて素子形成膜を形成す
る場合には、素子形成膜の製造工程の煩雑化が防止でき
る。さらに、素子形成膜の製造過程で素子形成膜が濡れ
ることがなく、素子形成膜が水分を吸収して素子形成膜
の特性が変化し、このことに起因してダイヤフラム型素
子の特性を変化させてしまうという問題を確実に回避す
ることができ、ダイヤフラム型素子の性能の信頼性を高
めることができる。
る場合には、素子形成膜の製造工程の煩雑化が防止でき
る。さらに、素子形成膜の製造過程で素子形成膜が濡れ
ることがなく、素子形成膜が水分を吸収して素子形成膜
の特性が変化し、このことに起因してダイヤフラム型素
子の特性を変化させてしまうという問題を確実に回避す
ることができ、ダイヤフラム型素子の性能の信頼性を高
めることができる。
【００５２】さらに、素子形成膜が水分を吸収している
場合には、素子形成膜の経年劣化が早いという問題が生
じるが、上記の如く、マスクを用いて素子形成膜を形成
することにより、素子形成膜の製造過程で素子形成膜が
水分を吸収することがなく、上記素子形成膜の経年劣化
の問題を防止することができ、ダイヤフラム型素子の耐
久性を高めることができる。
場合には、素子形成膜の経年劣化が早いという問題が生
じるが、上記の如く、マスクを用いて素子形成膜を形成
することにより、素子形成膜の製造過程で素子形成膜が
水分を吸収することがなく、上記素子形成膜の経年劣化
の問題を防止することができ、ダイヤフラム型素子の耐
久性を高めることができる。
【００５３】シリコン基板の劈開面を基準にしてダイシ
ングラインの位置を定めてシリコン基板からダイヤフラ
ム型素子を切り出す場合には、ダイシングラインの位置
決めを精度良く行うことができ、ダイシング工程でダイ
ヤフラム型素子を切断してしまうという問題を防止で
き、ダイヤフラム型素子の歩留まりのより一層の向上が
図れ、ダイヤフラム型素子の価格をより安価にすること
が可能である。
ングラインの位置を定めてシリコン基板からダイヤフラ
ム型素子を切り出す場合には、ダイシングラインの位置
決めを精度良く行うことができ、ダイシング工程でダイ
ヤフラム型素子を切断してしまうという問題を防止で
き、ダイヤフラム型素子の歩留まりのより一層の向上が
図れ、ダイヤフラム型素子の価格をより安価にすること
が可能である。
【００５４】シリコン基板に複数の劈開面を形成し、そ
れら複数の劈開面を基準座標軸とする場合や、シリコン
基板の裏面に形成される帯状の基板切断パターンの両側
の縁のうち、ダイヤフラム形成側の縁が直線である場合
には、ダイヤフラムに対応する位置のシリコン基板表面
の素子形成膜の形成領域や、ダイシングラインの位置決
めをより精度良く行うことができる。
れら複数の劈開面を基準座標軸とする場合や、シリコン
基板の裏面に形成される帯状の基板切断パターンの両側
の縁のうち、ダイヤフラム形成側の縁が直線である場合
には、ダイヤフラムに対応する位置のシリコン基板表面
の素子形成膜の形成領域や、ダイシングラインの位置決
めをより精度良く行うことができる。
【図１】この発明に係る一実施形態例を示す説明図であ
る。
る。
【図２】面方位が｛１ ０ ０｝であるシリコン基板の
｛１ １ １｝面を示すモデル図である。
｛１ １ １｝面を示すモデル図である。
【図３】基板切断パターンの一例を示す説明図である。
【図４】基板切断パターンの形成工程からシリコン基板
の劈開工程までの工程を抜き出して示す説明図である。
の劈開工程までの工程を抜き出して示す説明図である。
【図５】シリコン基板から切り出す前のダイヤフラム型
素子の一例を示す説明図である。
素子の一例を示す説明図である。
【図６】基板切断パターンのその他の実施形態例を示す
説明図である。
説明図である。
【図７】ダイヤフラム型素子の一例を示す説明図であ
る。
る。
【図８】従来の課題を示す説明図である。
１ シリコン基板 ２ シリコン酸化膜 ３ ダイヤフラム ４ 下部電極 ５ 圧電膜 ６ 上部電極 １１ ダイヤフラム形成領域パターン １２ 基板切断パターン １４ 劈開面 １５ メタルマスク
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０３Ｈ 9/17 Ｈ０１Ｌ 41/08 Ｃ
Claims (5)
- 【請求項１】 シリコン基板の表面側に形成されたダイ
ヤフラムの上に素子形成膜が形成されて成るダイヤフラ
ム型素子の製造方法において、シリコン基板の｛１ １
１｝面とシリコン基板の裏面とが交差する線に平行な
帯状の基板切断パターンを形成する領域と、ダイヤフラ
ムを形成する領域とをシリコン基板の裏面に予め定めて
おき、まず、シリコン基板の表面にダイヤフラムを構成
するダイヤフラム形成膜を形成し、次に、上記ダイヤフ
ラム形成領域をシリコン基板の裏面側からエッチング除
去してダイヤフラムを形成し、また、上記シリコン基板
の裏面側から上記基板切断パターンの形成領域をエッチ
ングして｛１ １ １｝面を露出させ、然る後、上記基
板切断パターンに沿ってシリコン基板を劈開し、その
後、上記シリコン基板の劈開面を基準座標軸として求め
たダイヤフラムの位置に対応するシリコン基板表面の素
子形成膜の形成領域に上記素子形成膜を形成することを
特徴とするダイヤフラム型素子の製造方法。 - 【請求項２】 ダイヤフラムに対応するシリコン基板表
面の素子形成膜の形成領域をシリコン基板の劈開面を基
準として求め、この求めた領域に素子形成膜が形成され
るように素子形成膜の形成領域を規制するマスクを前記
シリコン基板の劈開面を基準にしてシリコン基板の表面
側に配置し、このマスクの上側から素子形成膜の材料を
シリコン基板の表面に積層しダイヤフラムの上に素子形
成膜を形成することを特徴とする請求項１記載のダイヤ
フラム型素子の製造方法。 - 【請求項３】 シリコン基板に形成されたダイヤフラム
型素子を上記シリコン基板から切り出すためのダイシン
グラインの位置をシリコン基板の劈開面を基準として定
め、その定められたダイシングラインに沿ってダイヤフ
ラム型素子をシリコン基板から切り出すことを特徴とす
る請求項１又は請求項２記載のダイヤフラム型素子の製
造方法。 - 【請求項４】 シリコン基板に複数の劈開面を形成し、
それら複数の劈開面を基準座標軸とすることを特徴とす
る請求項１又は請求項２又は請求項３記載のダイヤフラ
ム型素子の製造方法。 - 【請求項５】 シリコン基板の裏面に形成される帯状の
基板切断パターンの両側の縁のうち、ダイヤフラム形成
側の縁は直線であることを特徴とする請求項１又は請求
項２又は請求項３又は請求項４記載のダイヤフラム型素
子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9141036A JPH10318864A (ja) | 1997-05-15 | 1997-05-15 | ダイヤフラム型素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9141036A JPH10318864A (ja) | 1997-05-15 | 1997-05-15 | ダイヤフラム型素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10318864A true JPH10318864A (ja) | 1998-12-04 |
Family
ID=15282748
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9141036A Pending JPH10318864A (ja) | 1997-05-15 | 1997-05-15 | ダイヤフラム型素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10318864A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002093740A1 (en) * | 2001-05-11 | 2002-11-21 | Ube Electronics, Ltd. | Film bulk acoustic resonator |
| JP2003198319A (ja) * | 2001-12-26 | 2003-07-11 | Ube Electronics Ltd | 窒化アルミニウム薄膜−金属電極積層体およびそれを用いた薄膜圧電共振子 |
| KR100488617B1 (ko) * | 2001-07-03 | 2005-05-11 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 압전 공진기, 필터 및 전자 통신 장치 |
| JP2017032450A (ja) * | 2015-08-04 | 2017-02-09 | セイコーエプソン株式会社 | 振動デバイスの製造方法、振動デバイス、圧力センサー、スピーカー、および超音波デバイス |
| JP2019527834A (ja) * | 2016-08-11 | 2019-10-03 | コーボ ユーエス，インコーポレイティド | 機能化材料を制御して配置した弾性共振装置 |
-
1997
- 1997-05-15 JP JP9141036A patent/JPH10318864A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002093740A1 (en) * | 2001-05-11 | 2002-11-21 | Ube Electronics, Ltd. | Film bulk acoustic resonator |
| US6936837B2 (en) | 2001-05-11 | 2005-08-30 | Ube Industries, Ltd. | Film bulk acoustic resonator |
| KR100488617B1 (ko) * | 2001-07-03 | 2005-05-11 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 압전 공진기, 필터 및 전자 통신 장치 |
| JP2003198319A (ja) * | 2001-12-26 | 2003-07-11 | Ube Electronics Ltd | 窒化アルミニウム薄膜−金属電極積層体およびそれを用いた薄膜圧電共振子 |
| JP2017032450A (ja) * | 2015-08-04 | 2017-02-09 | セイコーエプソン株式会社 | 振動デバイスの製造方法、振動デバイス、圧力センサー、スピーカー、および超音波デバイス |
| JP2019527834A (ja) * | 2016-08-11 | 2019-10-03 | コーボ ユーエス，インコーポレイティド | 機能化材料を制御して配置した弾性共振装置 |
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