JPH10320845A

JPH10320845A - 光ディスクスタンパ及びその製造方法

Info

Publication number: JPH10320845A
Application number: JP13140997A
Authority: JP
Inventors: Shiyouzou Murata; 省蔵村田
Original assignee: Ricoh Co Ltd
Current assignee: Ricoh Co Ltd
Priority date: 1997-05-21
Filing date: 1997-05-21
Publication date: 1998-12-04

Abstract

(57)【要約】【課題】この発明は、グルーブ形状を安定して形成する
ことは困難であるという課題を解決しようとするもので
ある。【解決手段】この発明は、下地層と、この下地層の上
に積層されて微細パターンが形成され導電性皮膜が付与
されて金属が電鋳されたフォトレジスト層とを備えたも
のである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は光ディスクスタンパ
及びその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】記録媒体としての光ディスクは、ピック
アップヘッドで情報の記録、再生を行う時にピックアッ
プヘッドを誘導するためのグルーブがプラスチックから
なる基板の表面に形成されている。このグルーブは、一
定の周波数で蛇行させることにより、時間情報を持たせ
ることができる。また、光ディスクは、基板に相変化材
料を形成し、この相変化材料を相変化させる（結晶化、
アモルファス化の相変化をさせる）ことにより、情報の
記録、オーバーライトが可能になる。

【０００３】光ディスクは光ディスクスタンパと呼ばれ
る金型を用いてプラスチック成形技術により形成され
る。光ディスクスタンパは、図６に示すようにフォトリ
ソグラフィーにより例えば厚さ６ｍｍのガラス基板１上
の厚さ４００Åのフォトレジスト２をガスレーザで露光
して現像することで微細パターンのパターニングを行っ
た後に、めっき技術により導電性皮膜を付与してＮｉを
電鋳することによって作製される。

【０００４】光ディスクのグルーブの深さは光ディスク
スタンパにおけるガラス基板１上のフォトレジスト２の
膜厚によって決定されるが、その深さが３００〜７００
Åと浅くなると、フォトリソグラフィーのガスレーザ露
光強度のばらつき、フォトレジスト強度のばらつきなど
によりグルーブの形状が容易にばらついてしまい、それ
が光ディスクの溝信号特性に影響してくる。特に、フォ
トレジスト２のパターニングが不十分であると、その部
分だけがグルーブ３の形状が正常なグルーブ４に比べて
浅くなってしまい、これが図７に示すように光ディスク
から光ピックアップヘッドにより得られる再生信号（Ｒ
Ｆ信号）Ｉｇに対してひげ状のノイズ信号６となって重
畳してしまい、記録膜の初期化や記録特性に悪影響を及
ぼす。このため、光ディスクのグルーブをその形状のば
らつきがないように形成する溝形成方法が要望される。

【０００５】一般的な光ディスクスタンパ対応の溝形成
方法としては、現像液タンクに貯蔵されている現像液の
脱気を行ったり、現像液に界面活性剤を添加したり、現
像液及び純水の供給を調整して現像のムラを解消した
り、特定のリンス液を使用して現像時のパターン残り
（スカム）を除去したり、フォトレジスト表面を疎水性
から親水性に変えて現像液濃度を安定化したり、フォト
レジストを露光、現像した後にアルコールを含む水溶液
で処理したりする方法が特開平３ー１３４１号公報、特
開平２ー２０１４４７号公報、特開平３ー１２２６４８
号公報、特開平３ー１８２７５６号公報、特開平４ー１
３１８５７号公報、特開平４ー３６８１１８号公報に記
載されている。

【０００６】また、特開平２ー２９９５５号公報には、
基板上に２層のホトレジスト層を形成して露光、現像す
ることにより深さの異なるパターンを形成する光ディス
ク形成方法が記載されている。特開平２ー２４７８４２
号公報、特公平６ー３８２９９号公報には、ガラス基板
上に２層のホトレジスト層を形成すると共に、この２層
のホトレジスト層の中間に中間層を形成して露光、現像
することにより深さの異なる溝形状を形成する光ディス
ク形成方法が記載されている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】上記特開平３ー１３４
１号公報、特開平２ー２０１４４７号公報、特開平３ー
１２２６４８号公報、特開平３ー１８２７５６号公報、
特開平４ー１３１８５７号公報、特開平４ー３６８１１
８号公報に記載されている方法では、現像液タンクに貯
蔵されている現像液の脱気を行ったり、現像液に界面活
性剤を添加したり、現像液及び純水の供給を調整して現
像のムラを解消したり、特定のリンス液を使用して現像
時のパターン残り（スカム）を除去したり、フォトレジ
スト表面を疎水性から親水性に変えて現像液濃度を安定
化したり、フォトレジストを露光、現像した後にアルコ
ールを含む水溶液で処理したりするが、元々のフォトレ
ジストに対するレーザ露光強度のばらつきや、レーザか
らフォトレジストに照射されるレーザビームの形状のば
らつきを吸収することができず、光ディスクスタンパの
グルーブ形状を安定して形成することは困難である。

【０００８】また、特開平２ー２４７８４２号公報、特
公平６ー３８２９９号公報に記載されている方法は、ガ
ラス基板上に２層のホトレジスト層を形成すると共に、
この２層のホトレジスト層の中間に中間層を形成して露
光、現像することにより深さの異なる溝形状を形成する
が、光ディスクスタンパのグルーブ形状を安定して形成
することは困難である。

【０００９】本発明は、安定した光ディスクスタンパの
グルーブ形状の形成が可能となってグルーブ形状が安定
した光ディスクスタンパを得ることができ、製造プロセ
スの簡略化を図ることができて作業性を高めることが可
能となり、下地層の水溶性及び塗布性を良くすることが
でき、下地層の有機溶媒に対する耐性の向上が可能とな
り、下地層のフォトレジスト層塗布後のダメージがなく
て下地層とフォトレジスト層の積層を安定させることが
可能となり、現像時の可溶性を適切に制御することが可
能になってグルーブの形成をバランス良く実施すること
が可能となり、現像時の可溶性を細かく制御することが
可能になって任意のグルーブ形状の形成が可能となる光
ディスクスタンパ及びその製造方法を提供することを目
的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１に係る発明は、下地層と、この下地層の上
に積層されて微細パターンが形成され導電性皮膜が付与
されて金属が電鋳されたフォトレジスト層とを備えたも
のであり、下地層とフォトレジスト層との界面で現像を
完全に遮断することにより、グルーブ形状が安定した光
ディスクスタンパを得ることができる。

【００１１】請求項２に係る発明は、基板の上に下地層
及びフォトレジスト層を積層し、該ガラス基板の上に積
層した下地層及びフォトレジスト層に対して、露光及び
現像を行って前記フォトレジスト層上に微細なパターン
を形成した後に、前記フォトレジスト層上に導電性皮膜
を付与して金属を電鋳し、前記基板を前記下地層から剥
離することを特徴とし、下地層とフォトレジスト層との
界面で現像を完全に遮断することにより、安定した光デ
ィスクスタンパのグルーブ形状の形成が可能となる。

【００１２】請求項３に係る発明は、請求項１記載の光
ディスクスタンパにおいて、前記下地層がヒドロキシア
ルコキシル基を有するセルロースエーテル誘導体である
ものであり、セルロースエーテル誘導体水溶液の作製が
容易であり、製造プロセスの簡略化を図ることができて
作業性を高めることが可能となる。

【００１３】請求項４に係る発明は、請求項２記載の光
ディスクスタンパの製造方法において、前記下地層がヒ
ドロキシアルコキシル基を有するセルロースエーテル誘
導体であることを特徴とし、セルロースエーテル誘導体
水溶液の作製が容易であり、製造プロセスの簡略化を図
ることができて作業性を高めることが可能となる。

【００１４】請求項５に係る発明は、請求項１記載の光
ディスクスタンパにおいて、前記下地層がアルコキシル
基及びヒドロキシアルコキシル基を有するセルロースエ
ーテル誘導体であるものであり、セルロースエーテル誘
導体水溶液の作製が容易であり、製造プロセスの簡略化
を図ることができて作業性を高めることが可能となる。

【００１５】請求項６に係る発明は、請求項２記載の光
ディスクスタンパの製造方法において、前記下地層がア
ルコキシル基及びヒドロキシアルコキシル基を有するセ
ルロースエーテル誘導体であることを特徴とし、セルロ
ースエーテル誘導体水溶液の作製が容易であり、製造プ
ロセスの簡略化を図ることができて作業性を高めること
が可能となる。

【００１６】請求項７に係る発明は、請求項１記載の光
ディスクスタンパにおいて、前記下地層がポリビニルア
ルコールであるものであり、ポリビニルアルコール水溶
液の作製が容易であり、製造プロセスの簡略化を図るこ
とができて作業性を高めることが可能となる。

【００１７】請求項８に係る発明は、請求項２記載の光
ディスクスタンパの製造方法において、前記下地層がポ
リビニルアルコールであることを特徴とし、ポリビニル
アルコール水溶液の作製が容易であり、製造プロセスの
簡略化を図ることができて作業性を高めることが可能と
なる。

【００１８】請求項９に係る発明は、請求項３記載の光
ディスクスタンパにおいて、前記下地層としてのヒドロ
キシアルコキシル基を有するセルロースエーテル誘導体
がヒドロキシエチルセルロースであるものであり、ヒド
ロキシエチルセルロース水溶液の作製が容易であり、製
造プロセスの簡略化を図ることができて作業性を高める
ことが可能となる。

【００１９】請求項１０に係る発明は、請求項４記載の
光ディスクスタンパの製造方法において、前記下地層と
してのヒドロキシアルコキシル基を有するセルロースエ
ーテル誘導体がヒドロキシエチルセルロースであること
を特徴とし、ヒドロキシエチルセルロース水溶液の作製
が容易であり、製造プロセスの簡略化を図ることができ
て作業性を高めることが可能となる。

【００２０】請求項１１に係る発明は、請求項５記載の
光ディスクスタンパにおいて、前記下地層としてのアル
コキシル基及びヒドロキシアルコキシル基を有するセル
ロースエーテル誘導体がメチルヒドロキシエチルセルロ
ースであるものであり、メチルヒドロキシエチルセルロ
ース水溶液の作製が容易であり、製造プロセスの簡略化
を図ることができて作業性を高めることが可能となる。

【００２１】請求項１２に係る発明は、請求項６記載の
光ディスクスタンパの製造方法において、前記下地層と
してのアルコキシル基及びヒドロキシアルコキシル基を
有するセルロースエーテル誘導体がメチルヒドロキシエ
チルセルロースであることを特徴とし、メチルヒドロキ
シエチルセルロース水溶液の作製が容易であり、製造プ
ロセスの簡略化を図ることができて作業性を高めること
が可能となる。

【００２２】請求項１３に係る発明は、請求項５記載の
光ディスクスタンパにおいて、前記下地層としてのアル
コキシル基及びヒドロキシアルコキシル基を有するセル
ロースエーテル誘導体がメチルヒドロキシプロピルセル
ロースであるものであり、メチルヒドロキシプロピルセ
ルロース水溶液の作製が容易であり、製造プロセスの簡
略化を図ることができて作業性を高めることが可能とな
る。

【００２３】請求項１４に係る発明は、請求項６記載の
光ディスクスタンパの製造方法において、前記下地層と
してのアルコキシル基及びヒドロキシアルコキシル基を
有するセルロースエーテル誘導体がメチルヒドロキシプ
ロピルセルロースであることを特徴とし、メチルヒドロ
キシプロピルセルロース水溶液の作製が容易であり、製
造プロセスの簡略化を図ることができて作業性を高める
ことが可能となる。

【００２４】請求項１５に係る発明は、請求項９記載の
光ディスクスタンパにおいて、前記下地層としてのヒド
ロキシエチルセルロースのヒドロキシエトキシル基の置
換度が１．２であるものであり、ヒドロキシエチルセル
ロースの水溶性及び塗布性を良くすることができる。

【００２５】請求項１６に係る発明は、請求項１０記載
の光ディスクスタンパの製造方法において、前記下地層
としてのヒドロキシエチルセルロースのヒドロキシエト
キシル基の置換度が１．２であることを特徴とし、ヒド
ロキシエチルセルロースの水溶性及び塗布性を良くする
ことができる。

【００２６】請求項１７に係る発明は、請求項１１記載
の光ディスクスタンパにおいて、前記下地層としてのメ
チルヒドロキシエチルセルロースのメトキシル基の置換
度が１．４であり、かつ、前記下地層としてのメチルヒ
ドロキシエチルセルロースのヒドロキシエトキシル基の
置換度が０．２であるものであり、メチルヒドロキシエ
チルセルロースの水溶性及び塗布性を良くすることがで
きる。

【００２７】請求項１８に係る発明は、請求項１２記載
の光ディスクスタンパの製造方法において、前記下地層
としてのメチルヒドロキシエチルセルロースのメトキシ
ル基の置換度が１．４であり、かつ、前記下地層として
のメチルヒドロキシエチルセルロースのヒドロキシエト
キシル基の置換度が０．２であることを特徴とし、メチ
ルヒドロキシエチルセルロースの水溶性及び塗布性を良
くすることができる。

【００２８】請求項１９に係る発明は、請求項１３記載
の光ディスクスタンパにおいて、前記下地層としてのメ
チルヒドロキシプロピルセルロースのメトキシル基の置
換度が２．０以下であり、かつ、前記下地層としてのメ
チルヒドロキシプロピルセルロースのヒドロキシプロポ
キシル基の置換度が０．１〜０．３であるものであり、
メチルヒドロキシプロピルセルロースの水溶性及び塗布
性を良くすることができる。

【００２９】請求項２０に係る発明は、請求項１４記載
の光ディスクスタンパの製造方法において、前記下地層
としてのメチルヒドロキシプロピルセルロースのメトキ
シル基の置換度が２．０以下であり、かつ、前記下地層
としてのメチルヒドロキシプロピルセルロースのヒドロ
キシプロポキシル基の置換度が０．１〜０．３であるこ
とを特徴とし、メチルヒドロキシプロピルセルロースの
水溶性及び塗布性を良くすることができる。

【００３０】請求項２１に係る発明は、請求項９記載の
光ディスクスタンパにおいて、前記下地層としてのヒド
ロキシエチルセルロースの２％水溶液の２０℃における
粘度がＢｒｏｏｋｆｉｌｄ型粘度計の測定値で１０００
ｃｐｓ以上であるものであり、下地層の有機溶媒に対す
る耐性の向上が可能となり、下地層のフォトレジスト層
塗布後のダメージがなくて下地層とフォトレジスト層の
積層を安定させることが可能となる。

【００３１】請求項２２に係る発明は、請求項１０記載
の光ディスクスタンパの製造方法において、前記下地層
としてのヒドロキシエチルセルロースの２％水溶液の２
０℃における粘度がＢｒｏｏｋｆｉｌｄ型粘度計の測定
値で１０００ｃｐｓ以上であることを特徴とし、下地層
の有機溶媒に対する耐性の向上が可能となり、下地層の
フォトレジスト層塗布後のダメージがなくて下地層とフ
ォトレジスト層の積層を安定させることが可能となる。

【００３２】請求項２３に係る発明は、請求項１１記載
の光ディスクスタンパにおいて、前記下地層としてのメ
チルヒドロキシエチルセルロースの２％水溶液の２０℃
における粘度がＢｒｏｏｋｆｉｌｄ型粘度計の測定値で
４０００ｃｐｓ以上であるものであり、下地層の有機溶
媒に対する耐性の向上が可能となり、下地層のフォトレ
ジスト層塗布後のダメージがなくて下地層とフォトレジ
スト層の積層を安定させることが可能となる。

【００３３】請求項２４に係る発明は、請求項６記載の
光ディスクスタンパの製造方法において、前記下地層と
してのメチルヒドロキシエチルセルロースの２％水溶液
の２０℃における粘度がＢｒｏｏｋｆｉｌｄ型粘度計の
測定値で４０００ｃｐｓ以上であることを特徴とし、下
地層の有機溶媒に対する耐性の向上が可能となり、下地
層のフォトレジスト層塗布後のダメージがなくて下地層
とフォトレジスト層の積層を安定させることが可能とな
る。

【００３４】請求項２５に係る発明は、請求項１３記載
の光ディスクスタンパにおいて、前記下地層としてのメ
チルヒドロキシプロピルセルロースの２％水溶液の２０
℃における粘度がＢｒｏｏｋｆｉｌｄ型粘度計の測定値
で４０００ｃｐｓ以上であるものであり、下地層の有機
溶媒に対する耐性の向上が可能となり、下地層のフォト
レジスト層塗布後のダメージがなくて下地層とフォトレ
ジスト層の積層を安定させることが可能となる。

【００３５】請求項２６に係る発明は、請求項６記載の
光ディスクスタンパの製造方法において、前記下地層と
してのメチルヒドロキシプロピルセルロースの２％水溶
液の２０℃における粘度がＢｒｏｏｋｆｉｌｄ型粘度計
の測定値で４０００ｃｐｓ以上であることを特徴とし、
下地層の有機溶媒に対する耐性の向上が可能となり、下
地層のフォトレジスト層塗布後のダメージがなくて下地
層とフォトレジスト層の積層を安定させることが可能と
なる。

【００３６】請求項２７に係る発明は、請求項７、９、
１１または１３記載の光ディスクスタンパにおいて、前
記下地層は所定の架橋剤を所定割合で拡散させて形成し
たものであり、現像時の可溶性を適切に制御することが
可能となり、グルーブの形成をバランス良く実施するこ
とが可能となる。

【００３７】請求項２８に係る発明は、請求項８、１
０、１２または１４記載の光ディスクスタンパの製造方
法において、前記下地層は所定の架橋剤を所定割合で拡
散させて形成することを特徴とし、現像時の可溶性を適
切に制御することが可能となり、グルーブの形成をバラ
ンス良く実施することが可能となる。

【００３８】請求項２９に係る発明は、請求項２７記載
の光ディスクスタンパにおいて、前記下地層に拡散させ
る架橋剤が尿素ホルムアルデヒド樹脂であるものであ
り、現像時の可溶性を適切に制御することが可能とな
り、グルーブの形成をバランス良く実施することが可能
となる。

【００３９】請求項３０に係る発明は、請求項２８記載
の光ディスクスタンパの製造方法において、前記下地層
に拡散させる架橋剤が尿素ホルムアルデヒド樹脂である
ことを特徴とし、現像時の可溶性を適切に制御すること
が可能となり、グルーブの形成をバランス良く実施する
ことが可能となる。

【００４０】請求項３１に係る発明は、請求項２７記載
の光ディスクスタンパにおいて、前記下地層に拡散させ
る架橋剤がメラミン樹脂であるものであり、現像時の可
溶性を適切に制御することが可能となり、グルーブの形
成をバランス良く実施することが可能となる。

【００４１】請求項３２に係る発明は、請求項２８記載
の光ディスクスタンパの製造方法において、前記下地層
に拡散させる架橋剤がメラミン樹脂であることを特徴と
し、現像時の可溶性を適切に制御することが可能とな
り、グルーブの形成をバランス良く実施することが可能
となる。

【００４２】請求項３３に係る発明は、請求項２７記載
の光ディスクスタンパにおいて、前記下地層に拡散させ
る架橋剤がグリオキザールであるものであり、現像時の
可溶性を適切に制御することが可能となり、グルーブの
形成をバランス良く実施することが可能となる。

【００４３】請求項３４に係る発明は、請求項２８記載
の光ディスクスタンパの製造方法において、前記下地層
に拡散させる架橋剤がグリオキザールであることを特徴
とし、現像時の可溶性を適切に制御することが可能とな
り、グルーブの形成をバランス良く実施することが可能
となる。

【００４４】請求項３５に係る発明は、請求項２７記載
の光ディスクスタンパにおいて、前記下地層に拡散させ
る架橋剤がタンニン酸であるものであり、現像時の可溶
性を適切に制御することが可能となり、グルーブの形成
をバランス良く実施することが可能となる。

【００４５】請求項３６に係る発明は、請求項２８記載
の光ディスクスタンパの製造方法において、前記下地層
に拡散させる架橋剤がタンニン酸であることを特徴と
し、現像時の可溶性を適切に制御することが可能とな
り、グルーブの形成をバランス良く実施することが可能
となる。

【００４６】請求項３７に係る発明は、請求項２９記載
の光ディスクスタンパにおいて、前記下地層に拡散させ
る尿素ホルムアルデヒド樹脂の濃度が５〜２０ｗｔ％で
あるものであり、現像時の可溶性を細かく制御すること
が可能となり、任意のグルーブ形状の形成が可能とな
る。

【００４７】請求項３８に係る発明は、請求項３０記載
の光ディスクスタンパの製造方法において、前記下地層
に拡散させる尿素ホルムアルデヒド樹脂の濃度が５〜２
０ｗｔ％であることを特徴とし、現像時の可溶性を細か
く制御することが可能となり、任意のグルーブ形状の形
成が可能となる。

【００４８】請求項３９に係る発明は、請求項３１記載
の光ディスクスタンパにおいて、前記下地層に拡散させ
るメラミン樹脂の濃度が８〜１８ｗｔ％であるものであ
り、現像時の可溶性を細かく制御することが可能とな
り、任意のグルーブ形状の形成が可能となる。

【００４９】請求項４０に係る発明は、請求項３２記載
の光ディスクスタンパの製造方法において、前記下地層
に拡散させるメラミン樹脂の濃度が８〜１８ｗｔ％であ
ることを特徴とし、現像時の可溶性を細かく制御するこ
とが可能となり、任意のグルーブ形状の形成が可能とな
る。

【００５０】請求項４１に係る発明は、請求項３３記載
の光ディスクスタンパにおいて、前記下地層に拡散させ
るグリオキザールの濃度が８〜１５ｗｔ％であるもので
あり、現像時の可溶性を細かく制御することが可能とな
り、任意のグルーブ形状の形成が可能となる。

【００５１】請求項４２に係る発明は、請求項３４記載
の光ディスクスタンパの製造方法において、前記下地層
に拡散させるグリオキザールの濃度が８〜１５ｗｔ％で
あることを特徴とし、現像時の可溶性を細かく制御する
ことが可能となり、任意のグルーブ形状の形成が可能と
なる。

【００５２】請求項４３に係る発明は、請求項３５記載
の光ディスクスタンパにおいて、前記下地層に拡散させ
るタンニン酸の濃度が８〜１２ｗｔ％であるものであ
り、現像時の可溶性を細かく制御することが可能とな
り、任意のグルーブ形状の形成が可能となる。

【００５３】請求項４４に係る発明は、請求項３６記載
の光ディスクスタンパの製造方法において、前記下地層
に拡散させるタンニン酸の濃度が８〜１２ｗｔ％である
ことを特徴とし、現像時の可溶性を細かく制御すること
が可能となり、任意のグルーブ形状の形成が可能とな
る。

【００５４】請求項４５に係る発明は、請求項７記載の
光ディスクスタンパにおいて、前記下地層としてのポリ
ビニルアルコールの膜厚が３０〜７０Åであるものであ
り、現像時の可溶性を細かく制御することが可能とな
り、任意のグルーブ形状の形成が可能となる。

【００５５】請求項４６に係る発明は、請求項８記載の
光ディスクスタンパの製造方法において、前記下地層と
してのポリビニルアルコールの膜厚が３０〜７０Åであ
ることを特徴とし、現像時の可溶性を細かく制御するこ
とが可能となり、任意のグルーブ形状の形成が可能とな
る。

【００５６】請求項４７に係る発明は、請求項９記載の
光ディスクスタンパにおいて、前記下地層としてのヒド
ロキシエチルセルロースの膜厚が３０〜７０Åであるも
のであり、現像時の可溶性を細かく制御することが可能
となり、任意のグルーブ形状の形成が可能となる。

【００５７】請求項４８に係る発明は、請求項１０記載
の光ディスクスタンパの製造方法において、前記下地層
としてのヒドロキシエチルセルロースの膜厚が３０〜７
０Åであることを特徴とし、現像時の可溶性を細かく制
御することが可能となり、任意のグルーブ形状の形成が
可能となる。

【００５８】請求項４９に係る発明は、請求項１１記載
の光ディスクスタンパにおいて、前記下地層としてのメ
チルヒドロキシエチルセルロースの膜厚が３０〜７０Å
であるものであり、現像時の可溶性を細かく制御するこ
とが可能となり、任意のグルーブ形状の形成が可能とな
る。

【００５９】請求項５０に係る発明は、請求項１２記載
の光ディスクスタンパの製造方法において、前記下地層
としてのメチルヒドロキシエチルセルロースの膜厚が３
０〜７０Åであることを特徴とし、現像時の可溶性を細
かく制御することが可能となり、任意のグルーブ形状の
形成が可能となる。

【００６０】請求項５１に係る発明は、請求項１３記載
の光ディスクスタンパにおいて、前記下地層としてのメ
チルヒドロキシプロピルセルロースの膜厚が３０〜７０
Åであるものであり、現像時の可溶性を細かく制御する
ことが可能となり、任意のグルーブ形状の形成が可能と
なる。

【００６１】請求項５２に係る発明は、請求項１４記載
の光ディスクスタンパの製造方法において、前記下地層
としてのメチルヒドロキシプロピルセルロースの膜厚が
３０〜７０Åであることを特徴とし、現像時の可溶性を
細かく制御することが可能となり、任意のグルーブ形状
の形成が可能となる。

【００６２】

【発明の実施の形態】本発明の実施形態においては、ガ
ラス基板の上に下地層及びフォトレジスト層を積層し、
このガラス基板の上に積層した下地層及びフォトレジス
ト層に対して、露光及び現像を行って上記フォトレジス
ト層上に微細なパターンを形成した後に、上記フォトレ
ジスト層上に導電性皮膜を付与して金属を電鋳し、上記
ガラス板を上記下地層から剥離することにより、光ディ
スクスタンパを製造する。下地層としてはポリビニルア
ルコール（以下ＰＶＡという）やセルロースエーテル誘
導体を用いるが、このＰＶＡやセルロースエーテル誘導
体は、フォトレジストとの密着性や耐溶剤性が高く、フ
ォトレジストとの積層が容易であり、現像時の溶解性を
下地層部分で制御するために、分子量やエーテル置換度
あるいは架橋剤をパラメータとして制御することによ
り、光ディスクスタンパのグルーブ形状を安定して形成
することが可能である。

【００６３】本発明の第１実施形態は、光ディスクスタ
ンパを製造する方法において、下地層を用いた２層フォ
トレジスト工法により、光ディスクスタンパをそのグル
ーブ形状が安定して形成されるように製造することがで
き、グルーブ形状が安定した光ディスクスタンパを得る
ことができる。

【００６４】この第１実施形態においては、ガラス基板
をＨＤＭＳ：日本ゼオン製密着剤１００によりシランカ
ップリング処理した後に、ＰＶＡ水溶液（東京応化製Ｔ
ＰＦ−１００）にメチロールメラミン樹脂からなる架橋
剤を添加してからガラス基板上に塗布して下地層を形成
し、その上にフォトレジスト（東京応化製ＴＳＭＲ−８
９００）を５００Å塗布してフォトレジスト層を形成す
る。

【００６５】次に、このガラス基板の上に下地層及びフ
ォトレジスト層を積層したものに対して、ガスレーザで
露光し現像して（メタケイ酸ナトリウムＮａＯＳｉＯ₂
・ＸＨ₂Ｏ３３％の現像液で６０秒現像してリンスし）
微細パターンのグルーブ形状を得、導電性皮膜を付与し
てＮｉを電鋳した後にガラス基板を剥離して光ディスク
スタンパを得た。

【００６６】このような光ディスクスタンパとして下地
層の膜厚を２０Å、３０Å、５０Å、７０Å、９０Åと
し、メチロールメラミン樹脂からなる架橋剤の濃度を５
ｗｔ％、８ｗｔ％、１２ｗｔ％、１８ｗｔ％、２０ｗｔ
％として製造したものは下地層の膜厚及び架橋剤の濃度
とグルーブの深さとの関係が図１に示すようになった。
図１から分かるように、下地層の膜厚を２０Åとした光
ディスクスタンパと、架橋剤の濃度を５ｗｔ％とした光
ディスクスタンパは下地層の溶解性ばらつきが発生して
グルーブ形状がばらついた。

【００６７】また、下地層の膜厚を９０Åとした光ディ
スクスタンパと、架橋剤の濃度を２０ｗｔ％とした光デ
ィスクスタンパは下地層が溶解化して下地層界面のフォ
トレジストの溶解性が低下してばらつきの大きい浅いグ
ルーブ形状になってしまった。メチロールメラミン樹脂
からなる架橋剤の濃度を８ｗｔ％〜１８ｗｔ％とした場
合にはグルーブ形状を安定して形成することができ、ま
た、下地層の膜厚を３０Å〜７０Åとした場合にはグル
ーブ形状を安定して形成することができた。

【００６８】この第１実施形態により製造した光ディス
クスタンパは、請求項１に係る発明の一実施形態であっ
て、下地層と、この下地層の上に積層されて微細パター
ンが形成され導電性皮膜が付与されて金属が電鋳された
フォトレジスト層とを備えたので、下地層とフォトレジ
スト層との界面で現像を完全に遮断することにより、グ
ルーブ形状が安定してグルーブ信号特性が安定した光デ
ィスクスタンパを得ることができる。

【００６９】また、この第１実施形態は、請求項２に係
る発明の一実施形態であって、基板の上に下地層及びフ
ォトレジスト層を積層し、該ガラス基板の上に積層した
下地層及びフォトレジスト層に対して、露光及び現像を
行って前記フォトレジスト層上に微細なパターンを形成
した後に、前記フォトレジスト層上に導電性皮膜を付与
して金属を電鋳し、前記基板を前記下地層から剥離する
ので、下地層とフォトレジスト層との界面で現像を完全
に遮断することにより、安定した光ディスクスタンパの
グルーブ形状の形成が可能となる。

【００７０】また、この第１実施形態により製造した光
ディスクスタンパは、請求項７に係る発明の一実施形態
であって、請求項１記載の光ディスクスタンパにおい
て、前記下地層がＰＶＡであるので、ＰＶＡ水溶液の作
製が容易であり、製造プロセスの簡略化を図ることがで
きて作業性を高めることが可能となる。

【００７１】また、この第１実施形態は、請求項８に係
る発明の一実施形態であって、請求項２記載の光ディス
クスタンパの製造方法において、前記下地層がＰＶＡで
あるので、ＰＶＡ水溶液の作製が容易であり、製造プロ
セスの簡略化を図ることができて作業性を高めることが
可能となる。

【００７２】また、この第１実施形態により製造した光
ディスクスタンパは、請求項２７に係る発明の一実施形
態であって、請求項７記載の光ディスクスタンパにおい
て、前記下地層は所定の架橋剤を所定割合で拡散させて
形成したものであるので、現像時の可溶性を適切に制御
することが可能となる。

【００７３】また、この第１実施形態は、請求項２８に
係る発明の一実施形態であって、請求項８記載の光ディ
スクスタンパの製造方法において、前記下地層は所定の
架橋剤を所定割合で拡散させて形成するので、現像時の
可溶性を適切に制御することが可能となる。

【００７４】また、この第１実施形態により製造した光
ディスクスタンパは、請求項３１に係る発明の一実施形
態であって、請求項２７記載の光ディスクスタンパにお
いて、前記下地層に拡散させる架橋剤がメラミン樹脂で
あるので、現像時の可溶性を適切に制御することが可能
となり、グルーブの形成をバランス良く実施することが
可能となる。

【００７５】また、この第１実施形態は、請求項３２に
係る発明の一実施形態であって、請求項８記載の光ディ
スクスタンパの製造方法において、請求項２８記載の光
ディスクスタンパの製造方法において、前記下地層に拡
散させる架橋剤がメラミン樹脂であるので、現像時の可
溶性を適切に制御することが可能となり、グルーブの形
成をバランス良く実施することが可能となる。

【００７６】また、この第１実施形態により製造した光
ディスクスタンパは、請求項３９に係る発明の一実施形
態であって、請求項３１記載の光ディスクスタンパにお
いて、前記下地層に拡散させるメラミン樹脂の濃度が８
〜１８ｗｔ％であるので、現像時の可溶性を細かく制御
することが可能となり、任意のグルーブ形状の形成が可
能となる。

【００７７】また、この第１実施形態は、請求項４０に
係る発明の一実施形態であって、請求項３２記載の光デ
ィスクスタンパの製造方法において、前記下地層に拡散
させるメラミン樹脂の濃度が８〜１８ｗｔ％であるの
で、現像時の可溶性を細かく制御することが可能とな
り、任意のグルーブ形状の形成が可能となる。

【００７８】また、この第１実施形態により製造した光
ディスクスタンパは、請求項４５に係る発明の一実施形
態であって、請求項７記載の光ディスクスタンパにおい
て、前記下地層としてのＰＶＡの膜厚が３０〜７０Åで
あるので、現像時の可溶性を細かく制御することが可能
となり、任意のグルーブ形状の形成が可能となる。

【００７９】また、この第１実施形態は、請求項４６に
係る発明の一実施形態であって、請求項８記載の光ディ
スクスタンパの製造方法において、前記下地層としての
ＰＶＡの膜厚が３０〜７０Åであるので、現像時の可溶
性を細かく制御することが可能となり、任意のグルーブ
形状の形成が可能となる。

【００８０】本発明の第２実施形態は、上記第１実施形
態において、架橋剤としてメチロールメラミン樹脂の代
りに尿素ホルムアルデヒド樹脂を用いて光ディスクスタ
ンパを得た。このような光ディスクスタンパとして下地
層の膜厚を２０Å、３０Å、５０Å、７０Å、９０Åと
し、尿素ホルムアルデヒド樹脂からなる架橋剤の濃度を
３ｗｔ％、５ｗｔ％、１０ｗｔ％、２０ｗｔ％、２５ｗ
ｔ％として製造したものは下地層の膜厚及び架橋剤の濃
度とグルーブの深さとの関係が図２に示すようになっ
た。図２から分かるように、下地層の膜厚を２０Åとし
た光ディスクスタンパと、架橋剤の濃度を３ｗｔ％とし
た光ディスクスタンパは下地層の溶解性ばらつきが発生
してグルーブ形状がばらついた。

【００８１】また、下地層の膜厚を９０Åとした光ディ
スクスタンパと、架橋剤の濃度を２５ｗｔ％とした光デ
ィスクスタンパは下地層が溶解化して下地層界面のフォ
トレジストの溶解性が低下してばらつきの大きい浅いグ
ルーブ形状になってしまった。メチロールメラミン樹脂
からなる架橋剤の濃度を５ｗｔ％〜２０ｗｔ％とした場
合にはグルーブ形状を安定して形成することができ、ま
た、下地層の膜厚を３０Å〜７０Åとした場合にはグル
ーブ形状を安定して形成することができた。

【００８２】このように、この第２実施形態により製造
した光ディスクスタンパは、請求項２９に係る発明の一
実施形態であって、請求項２７記載の光ディスクスタン
パにおいて、前記下地層に拡散させる架橋剤が尿素ホル
ムアルデヒド樹脂であるので、現像時の可溶性を適切に
制御することが可能となり、グルーブの形成をバランス
良く実施することが可能となる。

【００８３】また、この第２実施形態は、請求項３０に
係る発明の一実施形態であって、請求項２８記載の光デ
ィスクスタンパの製造方法において、前記下地層に拡散
させる架橋剤が尿素ホルムアルデヒド樹脂であるので、
現像時の可溶性を適切に制御することが可能となり、グ
ルーブの形成をバランス良く実施することが可能とな
る。

【００８４】また、この第２実施形態により製造した光
ディスクスタンパは、請求項３７に係る発明の一実施形
態であって、請求項２９記載の光ディスクスタンパにお
いて、前記下地層に拡散させる尿素ホルムアルデヒド樹
脂の濃度が５〜２０ｗｔ％であるので、現像時の可溶性
を細かく制御することが可能となり、任意のグルーブ形
状の形成が可能となる。

【００８５】また、この第２実施形態は、請求項３８に
係る発明の一実施形態であって、請求項３０記載の光デ
ィスクスタンパの製造方法において、前記下地層に拡散
させる尿素ホルムアルデヒド樹脂の濃度が５〜２０ｗｔ
％であるので、現像時の可溶性を細かく制御することが
可能となり、任意のグルーブ形状の形成が可能となる。

【００８６】本発明の第３実施形態は、上記第１実施形
態において、架橋剤としてメチロールメラミン樹脂の代
りにグリオキザールを用いて光ディスクスタンパを得
た。このような光ディスクスタンパとして下地層の膜厚
を２０Å、３０Å、５０Å、７０Å、９０Åとし、グリ
オキザールからなる架橋剤の濃度を５ｗｔ％、８ｗｔ
％、１２ｗｔ％、１５ｗｔ％、２０ｗｔ％として製造し
たものは下地層の膜厚及び架橋剤の濃度とグルーブの深
さとの関係が図３に示すようになった。図３から分かる
ように、下地層の膜厚を２０Åとした光ディスクスタン
パと、架橋剤の濃度を５ｗｔ％とした光ディスクスタン
パは下地層の溶解性ばらつきが発生してグルーブ形状が
ばらついた。

【００８７】また、下地層の膜厚を９０Åとした光ディ
スクスタンパと、架橋剤の濃度を２０ｗｔ％とした光デ
ィスクスタンパは下地層が溶解化して下地層界面のフォ
トレジストの溶解性が低下してばらつきの大きい浅いグ
ルーブ形状になってしまった。メチロールメラミン樹脂
からなる架橋剤の濃度を８ｗｔ％〜１５ｗｔ％とした場
合にはグルーブ形状を安定して形成することができ、ま
た、下地層の膜厚を３０Å〜７０Åとした場合にはグル
ーブ形状を安定して形成することができた。

【００８８】このように、この第３実施形態により製造
した光ディスクスタンパは、請求項３３に係る発明の一
実施形態であって、請求項２７記載の光ディスクスタン
パにおいて、前記下地層に拡散させる架橋剤がグリオキ
ザールであるので、現像時の可溶性を適切に制御するこ
とが可能となり、グルーブの形成をバランス良く実施す
ることが可能となる。

【００８９】また、この第２実施形態は、請求項３４に
係る発明の一実施形態であって、請求項２８記載の光デ
ィスクスタンパの製造方法において、前記下地層に拡散
させる架橋剤がグリオキザールであるので、現像時の可
溶性を適切に制御することが可能となり、グルーブの形
成をバランス良く実施することが可能となる。

【００９０】また、この第３実施形態により製造した光
ディスクスタンパは、請求項４１に係る発明の一実施形
態であって、請求項３３記載の光ディスクスタンパにお
いて、前記下地層に拡散させるグリオキザールの濃度が
８〜１５ｗｔ％であるので、現像時の可溶性を細かく制
御することが可能となり、任意のグルーブ形状の形成が
可能となる。

【００９１】また、この第３実施形態は、請求項４２に
係る発明の一実施形態であって、請求項３４記載の光デ
ィスクスタンパの製造方法において、前記下地層に拡散
させるグリオキザールの濃度が８〜１５ｗｔ％であるの
で、現像時の可溶性を細かく制御することが可能とな
り、任意のグルーブ形状の形成が可能となる。

【００９２】本発明の第４実施形態は、上記第１実施形
態において、架橋剤としてメチロールメラミン樹脂の代
りにタンニン酸を用いて光ディスクスタンパを得た。こ
のような光ディスクスタンパとして下地層の膜厚を２０
Å、３０Å、５０Å、７０Å、９０Åとし、タンニン酸
からなる架橋剤の濃度を５ｗｔ％、８ｗｔ％、１０ｗｔ
％、１２ｗｔ％、１５ｗｔ％として製造したものは下地
層の膜厚及び架橋剤の濃度とグルーブの深さとの関係が
図４に示すようになった。図４から分かるように、下地
層の膜厚を２０Åとした光ディスクスタンパと、架橋剤
の濃度を５ｗｔ％とした光ディスクスタンパは下地層の
溶解性ばらつきが発生してグルーブ形状がばらついた。

【００９３】また、下地層の膜厚を９０Åとした光ディ
スクスタンパと、架橋剤の濃度を１５ｗｔ％とした光デ
ィスクスタンパは下地層が溶解化して下地層界面のフォ
トレジストの溶解性が低下してばらつきの大きい浅いグ
ルーブ形状になってしまった。メチロールメラミン樹脂
からなる架橋剤の濃度を８ｗｔ％〜１２ｗｔ％とした場
合にはグルーブ形状を安定して形成することができ、ま
た、下地層の膜厚を３０Å〜７０Åとした場合にはグル
ーブ形状を安定して形成することができた。

【００９４】このように、この第４実施形態により製造
した光ディスクスタンパは、請求項３５に係る発明の一
実施形態であって、請求項２７記載の光ディスクスタン
パにおいて、前記下地層に拡散させる架橋剤がタンニン
酸であるので、現像時の可溶性を適切に制御することが
可能となり、グルーブの形成をバランス良く実施するこ
とが可能となる。

【００９５】また、この第４実施形態は、請求項３６に
係る発明の一実施形態であって、請求項２８記載の光デ
ィスクスタンパの製造方法において、前記下地層に拡散
させる架橋剤がタンニン酸であるので、現像時の可溶性
を適切に制御することが可能となり、グルーブの形成を
バランス良く実施することが可能となる。

【００９６】また、この第４実施形態により製造した光
ディスクスタンパは、請求項４３に係る発明の一実施形
態であって、請求項３５記載の光ディスクスタンパにお
いて、前記下地層に拡散させるタンニン酸の濃度が８〜
１２ｗｔ％であるので、現像時の可溶性を細かく制御す
ることが可能となり、任意のグルーブ形状の形成が可能
となる。

【００９７】また、この第４実施形態は、請求項４４に
係る発明の一実施形態であって、請求項３６記載の光デ
ィスクスタンパの製造方法において、前記下地層に拡散
させるタンニン酸の濃度が８〜１２ｗｔ％であるので、
現像時の可溶性を細かく制御することが可能となり、任
意のグルーブ形状の形成が可能となる。

【００９８】図５は、上記第１実施形態において、下地
層としてＰＶＡの代りに、ヒドロキシアルコキシル基を
有するセルロースエーテル誘導体としてのヒドロキシエ
チルセルロース（以下ＨＥＣという）や、アルコキシル
基及びヒドロキシアルコキシル基を有するセルロースエ
ーテル誘導体としてのメチルヒドロキシエチルセルロー
ス（以下ＭＨＥＣという）、アルコキシル基及びヒドロ
キシアルコキシル基を有するセルロースエーテル誘導体
としてのメチルヒドロキシプロピルセルロース（以下Ｍ
ＨＰＣという）を用い、かつ、そのエーテル置換基、置
換度、重合度（図５では２％水溶液の２０℃における粘
度のＢｒｏｏｋｆｉｌｄ型粘度計による測定値で代用）
を変え、更に下地層の膜厚を変えて光ディスクスタンパ
を製造した本発明の他の各実施形態の実験結果を示す。

【００９９】図５において、○は上層フォトレジスト層
の塗布性が良好であることを示し、×は下地層が溶解化
して下地層界面のフォトレジストの溶解性が低下したこ
とを示し、＊は下地層とフォトレジスト層との界面のパ
ターニングばらつきが大きい場合を示す。エーテル置換
基の種類は、ＨＥ基：ヒドロキシエチル基、Ｍ基：メト
キシル基、ＨＰ基：ヒドロキシプロポキシル基である。
セルロースエーテル誘導体の種類は、ＨＥＣ：ダイセル
化学製のＨＥＣダイセル、ＭＨＥＣ：信越化学製のメト
ローズ、ＭＨＰＣ：松本油脂製薬製のマーポローズであ
る。

【０１００】この図５に示す実験結果から、ＨＥＣを用
いた実施形態では、ＨＥＣのＨＥ基置換度が１．２であ
って、下地層の膜厚が２０Å、９０Åの場合及びＨＥＣ
の２％水溶液の２０℃における粘土のＢｒｏｏｋｆｉｌ
ｄ型粘度計による測定値が３５０ｃｐｓの場合には下地
層の機能が不十分であったが、ＨＥＣのＨＥ基置換度が
１．２であって、下地層の膜厚が３０Å〜７０Åの場
合、及びＨＥＣの２％水溶液の２０℃における粘土のＢ
ｒｏｏｋｆｉｌｄ型粘度計による測定値が１０００ｃｐ
ｓ以上の場合には下地層の機能が十分であった。

【０１０１】また、ＭＨＥＣを用いた実施形態では、Ｍ
ＨＥＣのＨＥ基置換度が０．２で且つＭＨＥＣのＭ基置
換度が１．４であって、下地層の膜厚が２０Å、９０Å
の場合には下地層の機能が不十分であったが、ＨＥＣの
ＨＥ基置換度が０．２で且つＭＨＥＣのＭ基置換度が
１．４であって、下地層の膜厚が３０Å〜７０Åの場
合、及びＨＥＣの２％水溶液の２０℃における粘土のＢ
ｒｏｏｋｆｉｌｄ型粘度計による測定値が４０００ｃｐ
ｓ以上の場合には下地層の機能が十分であった。

【０１０２】また、ＭＨＰＣを用いた実施形態では、Ｍ
ＨＰＣのＭ基置換度が２．０以下で且つＭＨＥＣのＨＰ
基置換度が０．１〜０．３であって、下地層の膜厚が３
０Å〜７０Åの場合、及びＨＥＣの２％水溶液の２０℃
における粘土のＢｒｏｏｋｆｉｌｄ型粘度計による測定
値が４０００ｃｐｓ以上の場合には下地層の機能が十分
であった。

【０１０３】このように、上記実施形態により製造した
光ディスクスタンパは、請求項３に係る発明の実施形態
であって、請求項１記載の光ディスクスタンパにおい
て、前記下地層がヒドロキシアルコキシル基を有するセ
ルロースエーテル誘導体であるので、セルロースエーテ
ル誘導体水溶液の作製が容易であり、製造プロセスの簡
略化を図ることができて作業性を高めることが可能とな
る。

【０１０４】また、上記実施形態は、請求項４に係る発
明の一実施形態であって、請求項８記載の光ディスクス
タンパの製造方法において、請求項２記載の光ディスク
スタンパの製造方法において、前記下地層がヒドロキシ
アルコキシル基を有するセルロースエーテル誘導体であ
るので、セルロースエーテル誘導体水溶液の作製が容易
であり、製造プロセスの簡略化を図ることができて作業
性を高めることが可能となる。

【０１０５】また、上記実施形態により製造した光ディ
スクスタンパは、請求項５に係る発明の実施形態であっ
て、請求項１記載の光ディスクスタンパにおいて、前記
下地層がアルコキシル基及びヒドロキシアルコキシル基
を有するセルロースエーテル誘導体であるので、セルロ
ースエーテル誘導体水溶液の作製が容易であり、製造プ
ロセスの簡略化を図ることができて作業性を高めること
が可能となる。

【０１０６】また、上記実施形態は、請求項６に係る発
明の一実施形態であって、請求項２記載の光ディスクス
タンパの製造方法において、前記下地層がアルコキシル
基及びヒドロキシアルコキシル基を有するセルロースエ
ーテル誘導体であるので、セルロースエーテル誘導体水
溶液の作製が容易であり、製造プロセスの簡略化を図る
ことができて作業性を高めることが可能となる。

【０１０７】また、上記実施形態により製造した光ディ
スクスタンパは、請求項９に係る発明の実施形態であっ
て、請求項３記載の光ディスクスタンパにおいて、前記
下地層としてのヒドロキシアルコキシル基を有するセル
ロースエーテル誘導体がＨＥＣであるので、ＨＥＣ水溶
液の作製が容易であり、製造プロセスの簡略化を図るこ
とができて作業性を高めることが可能となる。

【０１０８】また、上記実施形態は、請求項１０に係る
発明の一実施形態であって、請求項４記載の光ディスク
スタンパの製造方法において、前記下地層としてのヒド
ロキシアルコキシル基を有するセルロースエーテル誘導
体がＨＥＣであることを特徴とし、ＨＥＣ水溶液の作製
が容易であり、製造プロセスの簡略化を図ることができ
て作業性を高めることが可能となる。

【０１０９】また、上記実施形態により製造した光ディ
スクスタンパは、請求項１１に係る発明の実施形態であ
って、請求項５記載の光ディスクスタンパにおいて、前
記下地層としてのアルコキシル基及びヒドロキシアルコ
キシル基を有するセルロースエーテル誘導体がＭＨＥＣ
であるので、ＭＨＥＣ水溶液の作製が容易であり、製造
プロセスの簡略化を図ることができて作業性を高めるこ
とが可能となる。

【０１１０】また、上記実施形態は、請求項１２に係る
発明の一実施形態であって、請求項６記載の光ディスク
スタンパの製造方法において、前記下地層としてのアル
コキシル基及びヒドロキシアルコキシル基を有するセル
ロースエーテル誘導体がＭＨＥＣであるので、ＭＨＥＣ
水溶液の作製が容易であり、製造プロセスの簡略化を図
ることができて作業性を高めることが可能となる。

【０１１１】また、上記実施形態により製造した光ディ
スクスタンパは、請求項１３に係る発明の実施形態であ
って、請求項５記載の光ディスクスタンパにおいて、前
記下地層としてのアルコキシル基及びヒドロキシアルコ
キシル基を有するセルロースエーテル誘導体がＭＨＰＣ
であるので、ＭＨＰＣ水溶液の作製が容易であり、製造
プロセスの簡略化を図ることができて作業性を高めるこ
とが可能となる。

【０１１２】また、上記実施形態は、請求項１４に係る
発明の一実施形態であって、請求項６記載の光ディスク
スタンパの製造方法において、前記下地層としてのアル
コキシル基及びヒドロキシアルコキシル基を有するセル
ロースエーテル誘導体がＭＨＰＣであるので、ＭＨＰＣ
水溶液の作製が容易であり、製造プロセスの簡略化を図
ることができて作業性を高めることが可能となる。

【０１１３】また、上記実施形態により製造した光ディ
スクスタンパは、請求項１５に係る発明の実施形態であ
って、請求項９記載の光ディスクスタンパにおいて、前
記下地層としてのＨＥＣのヒドロキシエトキシル基の置
換度が１．２であるので、ＨＥＣの水溶性及び塗布性を
良くすることができる。

【０１１４】また、上記実施形態は、請求項１６に係る
発明の一実施形態であって、請求項１０記載の光ディス
クスタンパの製造方法において、前記下地層としてのＨ
ＥＣのヒドロキシエトキシル基の置換度が１．２である
ので、ＨＥＣの水溶性及び塗布性を良くすることができ
る。

【０１１５】また、上記実施形態により製造した光ディ
スクスタンパは、請求項１７に係る発明の実施形態であ
って、請求項１１記載の光ディスクスタンパにおいて、
前記下地層としてのＭＨＥＣのメトキシル基の置換度が
１．４であり、かつ、前記下地層としてのＭＨＥＣのヒ
ドロキシエトキシル基の置換度が０．２であるので、Ｍ
ＨＥＣの水溶性及び塗布性を良くすることができる。

【０１１６】また、上記実施形態は、請求項１８に係る
発明の一実施形態であって、請求項１２記載の光ディス
クスタンパの製造方法において、前記下地層としてのＭ
ＨＥＣのメトキシル基の置換度が１．４であり、かつ、
前記下地層としてのＭＨＥＣのヒドロキシエトキシル基
の置換度が０．２であるので、ＭＨＥＣの水溶性及び塗
布性を良くすることができる。

【０１１７】また、上記実施形態により製造した光ディ
スクスタンパは、請求項１９に係る発明の実施形態であ
って、請求項１３記載の光ディスクスタンパにおいて、
前記下地層としてのＭＨＰＣのメトキシル基の置換度が
２．０以下であり、かつ、前記下地層としてのＭＨＰＣ
のヒドロキシプロポキシル基の置換度が０．１〜０．３
であるので、ＭＨＰＣの水溶性及び塗布性を良くするこ
とができる。

【０１１８】また、上記実施形態は、請求項２０に係る
発明の一実施形態であって、請求項１４記載の光ディス
クスタンパの製造方法において、前記下地層としてのＭ
ＨＰＣのメトキシル基の置換度が２．０以下であり、か
つ、前記下地層としてのＭＨＰＣのヒドロキシプロポキ
シル基の置換度が０．１〜０．３であるので、メチルヒ
ドロキシプロピルセルロースの水溶性及び塗布性を良く
することができる。

【０１１９】また、上記実施形態により製造した光ディ
スクスタンパは、請求項２１に係る発明の実施形態であ
って、請求項９記載の光ディスクスタンパにおいて、前
記下地層としてのＨＥＣの２％水溶液の２０℃における
粘度がＢｒｏｏｋｆｉｌｄ型粘度計の測定値で１０００
ｃｐｓ以上であるので、下地層の有機溶媒に対する耐性
の向上が可能となり、下地層のフォトレジスト層塗布後
のダメージがなくて下地層と上層フォトレジスト層の積
層を安定させることが可能となる。

【０１２０】また、上記実施形態は、請求項２２に係る
発明の一実施形態であって、請求項１０記載の光ディス
クスタンパの製造方法において、前記下地層としてのＨ
ＥＣの２％水溶液の２０℃における粘度がＢｒｏｏｋｆ
ｉｌｄ型粘度計の測定値で１０００ｃｐｓ以上であるの
で、下地層の有機溶媒に対する耐性の向上が可能とな
り、下地層の上層フォトレジスト層塗布後のダメージが
なくて下地層とフォトレジスト層の積層を安定させるこ
とが可能となる。

【０１２１】また、上記実施形態により製造した光ディ
スクスタンパは、請求項２３に係る発明の実施形態であ
って、請求項１１記載の光ディスクスタンパにおいて、
前記下地層としてのＭＨＥＣの２％水溶液の２０℃にお
ける粘度がＢｒｏｏｋｆｉｌｄ型粘度計の測定値で４０
００ｃｐｓ以上であるので、下地層の有機溶媒に対する
耐性の向上が可能となり、下地層のフォトレジスト層塗
布後のダメージがなくて下地層と上層フォトレジスト層
の積層を安定させることが可能となる。

【０１２２】また、上記実施形態は、請求項２４に係る
発明の一実施形態であって、請求項６記載の光ディスク
スタンパの製造方法において、前記下地層としてのＭＨ
ＥＣの２％水溶液の２０℃における粘度がＢｒｏｏｋｆ
ｉｌｄ型粘度計の測定値で４０００ｃｐｓ以上であるの
で、下地層の有機溶媒に対する耐性の向上が可能とな
り、下地層のフォトレジスト層塗布後のダメージがなく
て下地層とフォトレジスト層の積層を安定させることが
可能となる。

【０１２３】また、上記実施形態により製造した光ディ
スクスタンパは、請求項２５に係る発明の実施形態であ
って、請求項１３記載の光ディスクスタンパにおいて、
前記下地層としてのＭＨＰＣの２％水溶液の２０℃にお
ける粘度がＢｒｏｏｋｆｉｌｄ型粘度計の測定値で４０
００ｃｐｓ以上であるので、下地層の有機溶媒に対する
耐性の向上が可能となり、下地層のフォトレジスト層塗
布後のダメージがなくて下地層とフォトレジスト層の積
層を安定させることが可能となる。

【０１２４】また、上記実施形態は、請求項２６に係る
発明の一実施形態であって、請求項６記載の光ディスク
スタンパの製造方法において、前記下地層としてのＭＨ
ＰＣの２％水溶液の２０℃における粘度がＢｒｏｏｋｆ
ｉｌｄ型粘度計の測定値で４０００ｃｐｓ以上であるの
で、下地層の有機溶媒に対する耐性の向上が可能とな
り、下地層のフォトレジスト層塗布後のダメージがなく
て下地層とフォトレジスト層の積層を安定させることが
可能となる。

【０１２５】また、上記実施形態により製造した光ディ
スクスタンパは、請求項２７に係る発明の実施形態であ
って、請求項９、１１または１３記載の光ディスクスタ
ンパにおいて、前記下地層は所定の架橋剤を所定割合で
拡散させて形成したものであるので、現像時の可溶性を
適切に制御することが可能となり、グルーブの形成をバ
ランス良く実施することが可能となる。

【０１２６】また、上記実施形態は、請求項２８に係る
発明の一実施形態であって、請求項１０、１２または１
４記載の光ディスクスタンパの製造方法において、前記
下地層は所定の架橋剤を所定割合で拡散させて形成する
ので、現像時の可溶性を適切に制御することが可能とな
り、グルーブの形成をバランス良く実施することが可能
となる。

【０１２７】また、上記実施形態により製造した光ディ
スクスタンパは、請求項４７に係る発明の実施形態であ
って、請求項９記載の光ディスクスタンパにおいて、前
記下地層としてのＨＥＣの膜厚が３０〜７０Åであるの
で、現像時の可溶性を細かく制御することが可能とな
り、任意のグルーブ形状の形成が可能となる。

【０１２８】また、上記実施形態は、請求項４８に係る
発明の一実施形態であって、請求項１０記載の光ディス
クスタンパの製造方法において、前記下地層としてのＨ
ＥＣの膜厚が３０〜７０Åであるので、現像時の可溶性
を細かく制御することが可能となり、任意のグルーブ形
状の形成が可能となる。

【０１２９】また、上記実施形態により製造した光ディ
スクスタンパは、請求項４９に係る発明の実施形態であ
って、請求項１１記載の光ディスクスタンパにおいて、
前記下地層としてのＭＨＥＣの膜厚が３０〜７０Åであ
るので、現像時の可溶性を細かく制御することが可能と
なり、任意のグルーブ形状の形成が可能となる。

【０１３０】また、上記実施形態は、請求項５０に係る
発明の一実施形態であって、請求項１２記載の光ディス
クスタンパの製造方法において、前記下地層としてのＭ
ＨＥＣの膜厚が３０〜７０Åであるので、現像時の可溶
性を細かく制御することが可能となり、任意のグルーブ
形状の形成が可能となる。

【０１３１】また、上記実施形態により製造した光ディ
スクスタンパは、請求項５１に係る発明の実施形態であ
って、請求項１３記載の光ディスクスタンパにおいて、
前記下地層としてのＭＨＰＣの膜厚が３０〜７０Åであ
るので、現像時の可溶性を細かく制御することが可能と
なり、任意のグルーブ形状の形成が可能となる。

【０１３２】また、上記実施形態は、請求項５２に係る
発明の一実施形態であって、請求項１４記載の光ディス
クスタンパの製造方法において、前記下地層としてのＭ
ＨＰＣの膜厚が３０〜７０Åであるので、現像時の可溶
性を細かく制御することが可能となり、任意のグルーブ
形状の形成が可能となる。

【０１３３】

【発明の効果】以上のように請求項１に係る発明によれ
ば、下地層と、この下地層の上に積層されて微細パター
ンが形成され導電性皮膜が付与されて金属が電鋳された
フォトレジスト層とを備えたので、下地層とフォトレジ
スト層との界面で現像を完全に遮断することによりグル
ーブ形状が安定した光ディスクスタンパを得ることがで
きる。

【０１３４】請求項２に係る発明によれば、基板の上に
下地層及びフォトレジスト層を積層し、該ガラス基板の
上に積層した下地層及びフォトレジスト層に対して、露
光及び現像を行って前記フォトレジスト層上に微細なパ
ターンを形成した後に、前記フォトレジスト層上に導電
性皮膜を付与して金属を電鋳し、前記基板を前記下地層
から剥離するので、下地層とフォトレジスト層との界面
で現像を完全に遮断することにより安定した光ディスク
スタンパのグルーブ形状の形成が可能となる。

【０１３５】請求項３に係る発明によれば、請求項１記
載の光ディスクスタンパにおいて、前記下地層がヒドロ
キシアルコキシル基を有するセルロースエーテル誘導体
であるので、セルロースエーテル誘導体水溶液の作製が
容易であり、製造プロセスの簡略化を図ることができて
作業性を高めることが可能となる。

【０１３６】請求項４に係る発明によれば、請求項２記
載の光ディスクスタンパの製造方法において、前記下地
層がヒドロキシアルコキシル基を有するセルロースエー
テル誘導体であるので、セルロースエーテル誘導体水溶
液の作製が容易であり、製造プロセスの簡略化を図るこ
とができて作業性を高めることが可能となる。

【０１３７】請求項５に係る発明によれば、請求項１記
載の光ディスクスタンパにおいて、前記下地層がアルコ
キシル基及びヒドロキシアルコキシル基を有するセルロ
ースエーテル誘導体であるので、セルロースエーテル誘
導体水溶液の作製が容易であり、製造プロセスの簡略化
を図ることができて作業性を高めることが可能となる。

【０１３８】請求項６に係る発明によれば、請求項２記
載の光ディスクスタンパの製造方法において、前記下地
層がアルコキシル基及びヒドロキシアルコキシル基を有
するセルロースエーテル誘導体であるので、セルロース
エーテル誘導体水溶液の作製が容易であり、製造プロセ
スの簡略化を図ることができて作業性を高めることが可
能となる。

【０１３９】請求項７に係る発明によれば、請求項１記
載の光ディスクスタンパにおいて、前記下地層がポリビ
ニルアルコールであるので、ポリビニルアルコール水溶
液の作製が容易であり、製造プロセスの簡略化を図るこ
とができて作業性を高めることが可能となる。

【０１４０】請求項８に係る発明によれば、請求項２記
載の光ディスクスタンパの製造方法において、前記下地
層がポリビニルアルコールであるので、ポリビニルアル
コール水溶液の作製が容易であり、製造プロセスの簡略
化を図ることができて作業性を高めることが可能とな
る。

【０１４１】請求項９に係る発明によれば、請求項３記
載の光ディスクスタンパにおいて、前記下地層としての
ヒドロキシアルコキシル基を有するセルロースエーテル
誘導体がヒドロキシエチルセルロースであるので、ヒド
ロキシエチルセルロース水溶液の作製が容易であり、製
造プロセスの簡略化を図ることができて作業性を高める
ことが可能となる。

【０１４２】請求項１０に係る発明によれば、請求項４
記載の光ディスクスタンパの製造方法において、前記下
地層としてのヒドロキシアルコキシル基を有するセルロ
ースエーテル誘導体がヒドロキシエチルセルロースであ
るので、ヒドロキシエチルセルロース水溶液の作製が容
易であり、製造プロセスの簡略化を図ることができて作
業性を高めることが可能となる。

【０１４３】請求項１１に係る発明によれば、請求項５
記載の光ディスクスタンパにおいて、前記下地層として
のアルコキシル基及びヒドロキシアルコキシル基を有す
るセルロースエーテル誘導体がメチルヒドロキシエチル
セルロースであるので、メチルヒドロキシエチルセルロ
ース水溶液の作製が容易であり、製造プロセスの簡略化
を図ることができて作業性を高めることが可能となる。

【０１４４】請求項１２に係る発明によれば、請求項６
記載の光ディスクスタンパの製造方法において、前記下
地層としてのアルコキシル基及びヒドロキシアルコキシ
ル基を有するセルロースエーテル誘導体がメチルヒドロ
キシエチルセルロースであるので、メチルヒドロキシエ
チルセルロース水溶液の作製が容易であり、製造プロセ
スの簡略化を図ることができて作業性を高めることが可
能となる。

【０１４５】請求項１３に係る発明によれば、請求項５
記載の光ディスクスタンパにおいて、前記下地層として
のアルコキシル基及びヒドロキシアルコキシル基を有す
るセルロースエーテル誘導体がメチルヒドロキシプロピ
ルセルロースであるので、メチルヒドロキシプロピルセ
ルロース水溶液の作製が容易であり、製造プロセスの簡
略化を図ることができて作業性を高めることが可能とな
る。

【０１４６】請求項１４に係る発明によれば、請求項６
記載の光ディスクスタンパの製造方法において、前記下
地層としてのアルコキシル基及びヒドロキシアルコキシ
ル基を有するセルロースエーテル誘導体がメチルヒドロ
キシプロピルセルロースであるので、メチルヒドロキシ
プロピルセルロース水溶液の作製が容易であり、製造プ
ロセスの簡略化を図ることができて作業性を高めること
が可能となる。

【０１４７】請求項１５に係る発明によれば、請求項９
記載の光ディスクスタンパにおいて、前記下地層として
のヒドロキシエチルセルロースのヒドロキシエトキシル
基の置換度が１．２であるので、ヒドロキシエチルセル
ロースの水溶性及び塗布性を良くすることができる。

【０１４８】請求項１６に係る発明によれば、請求項１
０記載の光ディスクスタンパの製造方法において、前記
下地層としてのヒドロキシエチルセルロースのヒドロキ
シエトキシル基の置換度が１．２であるので、ヒドロキ
シエチルセルロースの水溶性及び塗布性を良くすること
ができる。

【０１４９】請求項１７に係る発明によれば、請求項１
１記載の光ディスクスタンパにおいて、前記下地層とし
てのメチルヒドロキシエチルセルロースのメトキシル基
の置換度が１．４であり、かつ、前記下地層としてのメ
チルヒドロキシエチルセルロースのヒドロキシエトキシ
ル基の置換度が０．２であるので、メチルヒドロキシエ
チルセルロースの水溶性及び塗布性を良くすることがで
きる。

【０１５０】請求項１８に係る発明によれば、請求項１
２記載の光ディスクスタンパの製造方法において、前記
下地層としてのメチルヒドロキシエチルセルロースのメ
トキシル基の置換度が１．４であり、かつ、前記下地層
としてのメチルヒドロキシエチルセルロースのヒドロキ
シエトキシル基の置換度が０．２であるので、メチルヒ
ドロキシエチルセルロースの水溶性及び塗布性を良くす
ることができる。

【０１５１】請求項１９に係る発明によれば、請求項１
３記載の光ディスクスタンパにおいて、前記下地層とし
てのメチルヒドロキシプロピルセルロースのメトキシル
基の置換度が２．０以下であり、かつ、前記下地層とし
てのメチルヒドロキシプロピルセルロースのヒドロキシ
プロポキシル基の置換度が０．１〜０．３であるので、
メチルヒドロキシプロピルセルロースの水溶性及び塗布
性を良くすることができる。

【０１５２】請求項２０に係る発明によれば、請求項１
４記載の光ディスクスタンパの製造方法において、前記
下地層としてのメチルヒドロキシプロピルセルロースの
メトキシル基の置換度が２．０以下であり、かつ、前記
下地層としてのメチルヒドロキシプロピルセルロースの
ヒドロキシプロポキシル基の置換度が０．１〜０．３で
あるので、メチルヒドロキシプロピルセルロースの水溶
性及び塗布性を良くすることができる。

【０１５３】請求項２１に係る発明によれば、請求項９
記載の光ディスクスタンパにおいて、前記下地層として
のヒドロキシエチルセルロースの２％水溶液の２０℃に
おける粘度がＢｒｏｏｋｆｉｌｄ型粘度計の測定値で１
０００ｃｐｓ以上であるので、下地層の有機溶媒に対す
る耐性の向上が可能となり、下地層のフォトレジスト層
塗布後のダメージがなくて下地層とフォトレジスト層の
積層を安定させることが可能となる。

【０１５４】請求項２２に係る発明によれば、請求項１
０記載の光ディスクスタンパの製造方法において、前記
下地層としてのヒドロキシエチルセルロースの２％水溶
液の２０℃における粘度がＢｒｏｏｋｆｉｌｄ型粘度計
の測定値で１０００ｃｐｓ以上であるので、下地層の有
機溶媒に対する耐性の向上が可能となり、下地層のフォ
トレジスト層塗布後のダメージがなくて下地層とフォト
レジスト層の積層を安定させることが可能となる。

【０１５５】請求項２３に係る発明によれば、請求項１
１記載の光ディスクスタンパにおいて、前記下地層とし
てのメチルヒドロキシエチルセルロースの２％水溶液の
２０℃における粘度がＢｒｏｏｋｆｉｌｄ型粘度計の測
定値で４０００ｃｐｓ以上であるので、下地層の有機溶
媒に対する耐性の向上が可能となり、下地層のフォトレ
ジスト層塗布後のダメージがなくて下地層とフォトレジ
スト層の積層を安定させることが可能となる。

【０１５６】請求項２４に係る発明によれば、請求項６
記載の光ディスクスタンパの製造方法において、前記下
地層としてのメチルヒドロキシエチルセルロースの２％
水溶液の２０℃における粘度がＢｒｏｏｋｆｉｌｄ型粘
度計の測定値で４０００ｃｐｓ以上であるので、下地層
の有機溶媒に対する耐性の向上が可能となり、下地層の
フォトレジスト層塗布後のダメージがなくて下地層とフ
ォトレジスト層の積層を安定させることが可能となる。

【０１５７】請求項２５に係る発明によれば、請求項１
３記載の光ディスクスタンパにおいて、前記下地層とし
てのメチルヒドロキシプロピルセルロースの２％水溶液
の２０℃における粘度がＢｒｏｏｋｆｉｌｄ型粘度計の
測定値で４０００ｃｐｓ以上であるので、下地層の有機
溶媒に対する耐性の向上が可能となり、下地層のフォト
レジスト層塗布後のダメージがなくて下地層とフォトレ
ジスト層の積層を安定させることが可能となる。

【０１５８】請求項２６に係る発明によれば、請求項６
記載の光ディスクスタンパの製造方法において、前記下
地層としてのメチルヒドロキシプロピルセルロースの２
％水溶液の２０℃における粘度がＢｒｏｏｋｆｉｌｄ型
粘度計の測定値で４０００ｃｐｓ以上であるので、下地
層の有機溶媒に対する耐性の向上が可能となり、下地層
のフォトレジスト層塗布後のダメージがなくて下地層と
フォトレジスト層の積層を安定させることが可能とな
る。

【０１５９】請求項２７に係る発明によれば、請求項
７、９、１１または１３記載の光ディスクスタンパにお
いて、前記下地層は所定の架橋剤を所定割合で拡散させ
て形成したので、現像時の可溶性を適切に制御すること
が可能となり、グルーブの形成をバランス良く実施する
ことが可能となる。

【０１６０】請求項２８に係る発明によれば、請求項
８、１０、１２または１４記載の光ディスクスタンパの
製造方法において、前記下地層は所定の架橋剤を所定割
合で拡散させて形成するので、現像時の可溶性を適切に
制御することが可能となり、グルーブの形成をバランス
良く実施することが可能となる。

【０１６１】請求項２９に係る発明によれば、請求項２
７記載の光ディスクスタンパにおいて、前記下地層に拡
散させる架橋剤が尿素ホルムアルデヒド樹脂であるの
で、現像時の可溶性を適切に制御することが可能とな
り、グルーブの形成をバランス良く実施することが可能
となる。

【０１６２】請求項３０に係る発明によれば、請求項２
８記載の光ディスクスタンパの製造方法において、前記
下地層に拡散させる架橋剤が尿素ホルムアルデヒド樹脂
であるので、現像時の可溶性を適切に制御することが可
能となり、グルーブの形成をバランス良く実施すること
が可能となる。

【０１６３】請求項３１に係る発明によれば、請求項２
７記載の光ディスクスタンパにおいて、前記下地層に拡
散させる架橋剤がメラミン樹脂であるので、現像時の可
溶性を適切に制御することが可能となり、グルーブの形
成をバランス良く実施することが可能となる。

【０１６４】請求項３２に係る発明によれば、請求項２
８記載の光ディスクスタンパの製造方法において、前記
下地層に拡散させる架橋剤がメラミン樹脂であるので、
現像時の可溶性を適切に制御することが可能となり、グ
ルーブの形成をバランス良く実施することが可能とな
る。

【０１６５】請求項３３に係る発明によれば、請求項２
７記載の光ディスクスタンパにおいて、前記下地層に拡
散させる架橋剤がグリオキザールであるので、現像時の
可溶性を適切に制御することが可能となり、グルーブの
形成をバランス良く実施することが可能となる。

【０１６６】請求項３４に係る発明によれば、請求項２
８記載の光ディスクスタンパの製造方法において、前記
下地層に拡散させる架橋剤がグリオキザールであるの
で、現像時の可溶性を適切に制御することが可能とな
り、グルーブの形成をバランス良く実施することが可能
となる。

【０１６７】請求項３５に係る発明によれば、請求項２
７記載の光ディスクスタンパにおいて、前記下地層に拡
散させる架橋剤がタンニン酸であるので、現像時の可溶
性を適切に制御することが可能となり、グルーブの形成
をバランス良く実施することが可能となる。

【０１６８】請求項３６に係る発明によれば、請求項２
８記載の光ディスクスタンパの製造方法において、前記
下地層に拡散させる架橋剤がタンニン酸であるので、現
像時の可溶性を適切に制御することが可能となり、グル
ーブの形成をバランス良く実施することが可能となる。

【０１６９】請求項３７に係る発明によれば、請求項２
９記載の光ディスクスタンパにおいて、前記下地層に拡
散させる尿素ホルムアルデヒド樹脂の濃度が５〜２０ｗ
ｔ％であるので、現像時の可溶性を細かく制御すること
が可能となり、任意のグルーブ形状の形成が可能とな
る。

【０１７０】請求項３８に係る発明によれば、請求項３
０記載の光ディスクスタンパの製造方法において、前記
下地層に拡散させる尿素ホルムアルデヒド樹脂の濃度が
５〜２０ｗｔ％であるので、現像時の可溶性を細かく制
御することが可能となり、任意のグルーブ形状の形成が
可能となる。

【０１７１】請求項３９に係る発明によれば、請求項３
１記載の光ディスクスタンパにおいて、前記下地層に拡
散させるメラミン樹脂の濃度が８〜１８ｗｔ％であるの
で、現像時の可溶性を細かく制御することが可能とな
り、任意のグルーブ形状の形成が可能となる。

【０１７２】請求項４０に係る発明によれば、請求項３
２記載の光ディスクスタンパの製造方法において、前記
下地層に拡散させるメラミン樹脂の濃度が８〜１８ｗｔ
％であるので、現像時の可溶性を細かく制御することが
可能となり、任意のグルーブ形状の形成が可能となる。

【０１７３】請求項４１に係る発明によれば、請求項３
３記載の光ディスクスタンパにおいて、前記下地層に拡
散させるグリオキザールの濃度が８〜１５ｗｔ％である
ので、現像時の可溶性を細かく制御することが可能とな
り、任意のグルーブ形状の形成が可能となる。

【０１７４】請求項４２に係る発明によれば、請求項３
４記載の光ディスクスタンパの製造方法において、前記
下地層に拡散させるグリオキザールの濃度が８〜１５ｗ
ｔ％であるので、現像時の可溶性を細かく制御すること
が可能となり、任意のグルーブ形状の形成が可能とな
る。

【０１７５】請求項４３に係る発明によれば、請求項３
５記載の光ディスクスタンパにおいて、前記下地層に拡
散させるタンニン酸の濃度が８〜１２ｗｔ％であるの
で、現像時の可溶性を細かく制御することが可能とな
り、任意のグルーブ形状の形成が可能となる。

【０１７６】請求項４４に係る発明によれば、請求項３
６記載の光ディスクスタンパの製造方法において、前記
下地層に拡散させるタンニン酸の濃度が８〜１２ｗｔ％
であるので、現像時の可溶性を細かく制御することが可
能となり、任意のグルーブ形状の形成が可能となる。

【０１７７】請求項４５に係る発明によれば、請求項７
記載の光ディスクスタンパにおいて、前記下地層として
のポリビニルアルコールの膜厚が３０〜７０Åであるの
で、現像時の可溶性を細かく制御することが可能とな
り、任意のグルーブ形状の形成が可能となる。

【０１７８】請求項４６に係る発明によれば、請求項８
記載の光ディスクスタンパの製造方法において、前記下
地層としてのポリビニルアルコールの膜厚が３０〜７０
Åであるので、現像時の可溶性を細かく制御することが
可能となり、任意のグルーブ形状の形成が可能となる。

【０１７９】請求項４７に係る発明によれば、請求項９
記載の光ディスクスタンパにおいて、前記下地層として
のヒドロキシエチルセルロースの膜厚が３０〜７０Åで
あるので、現像時の可溶性を細かく制御することが可能
となり、任意のグルーブ形状の形成が可能となる。

【０１８０】請求項４８に係る発明によれば、請求項１
０記載の光ディスクスタンパの製造方法において、前記
下地層としてのヒドロキシエチルセルロースの膜厚が３
０〜７０Åであるので、現像時の可溶性を細かく制御す
ることが可能となり、任意のグルーブ形状の形成が可能
となる。

【０１８１】請求項４９に係る発明によれば、請求項１
１記載の光ディスクスタンパにおいて、前記下地層とし
てのメチルヒドロキシエチルセルロースの膜厚が３０〜
７０Åであるので、現像時の可溶性を細かく制御するこ
とが可能となり、任意のグルーブ形状の形成が可能とな
る。

【０１８２】請求項５０に係る発明によれば、請求項１
２記載の光ディスクスタンパの製造方法において、前記
下地層としてのメチルヒドロキシエチルセルロースの膜
厚が３０〜７０Åであるので、現像時の可溶性を細かく
制御することが可能となり、任意のグルーブ形状の形成
が可能となる。

【０１８３】請求項５１に係る発明によれば、請求項１
３記載の光ディスクスタンパにおいて、前記下地層とし
てのメチルヒドロキシプロピルセルロースの膜厚が３０
〜７０Åであるので、現像時の可溶性を細かく制御する
ことが可能となり、任意のグルーブ形状の形成が可能と
なる。

【０１８４】請求項５２に係る発明によれば、請求項１
４記載の光ディスクスタンパの製造方法において、前記
下地層としてのメチルヒドロキシプロピルセルロースの
膜厚が３０〜７０Åであるので、現像時の可溶性を細か
く制御することが可能となり、任意のグルーブ形状の形
成が可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施形態における下地層の膜厚及
び架橋剤の濃度とグルーブの深さとの関係を示す図であ
る。

【図２】本発明の第２実施形態における下地層の膜厚及
び架橋剤の濃度とグルーブの深さとの関係を示す図であ
る。

【図３】本発明の第３実施形態における下地層の膜厚及
び架橋剤の濃度とグルーブの深さとの関係を示す図であ
る。

【図４】本発明の第４実施形態における下地層の膜厚及
び架橋剤の濃度とグルーブの深さとの関係を示す図であ
る。

【図５】本発明の他の各実施形態の実験結果を示す図で
ある。

【図６】従来の光ディスクスタンパの一部を示す斜視図
である。

【図７】同光ディスクスタンパにより作製された光ディ
スクから得られる再生信号を示す波形図である。

【符号の説明】

１ガラス基板２フォトレジスト３、４グルーブ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】下地層と、この下地層の上に積層されて微
細パターンが形成され導電性皮膜が付与されて金属が電
鋳されたフォトレジスト層とを備えたことを特徴とする
光ディスクスタンパ。
【請求項２】基板の上に下地層及びフォトレジスト層を
積層し、該基板の上に積層した下地層及びフォトレジス
ト層に対して、露光及び現像を行って前記フォトレジス
ト層上に微細なパターンを形成した後に、前記フォトレ
ジスト層上に導電性皮膜を付与して金属を電鋳し、前記
基板を前記下地層から剥離することを特徴とする光ディ
スクスタンパの製造方法。
【請求項３】請求項１記載の光ディスクスタンパにおい
て、前記下地層がヒドロキシアルコキシル基を有するセ
ルロースエーテル誘導体であることを特徴とする光ディ
スクスタンパ。
【請求項４】請求項２記載の光ディスクスタンパの製造
方法において、前記下地層がヒドロキシアルコキシル基
を有するセルロースエーテル誘導体であることを特徴と
する光ディスクスタンパの製造方法。
【請求項５】請求項１記載の光ディスクスタンパにおい
て、前記下地層がアルコキシル基及びヒドロキシアルコ
キシル基を有するセルロースエーテル誘導体であること
を特徴とする光ディスクスタンパ。
【請求項６】請求項２記載の光ディスクスタンパの製造
方法において、前記下地層がアルコキシル基及びヒドロ
キシアルコキシル基を有するセルロースエーテル誘導体
であることを特徴とする光ディスクスタンパの製造方
法。
【請求項７】請求項１記載の光ディスクスタンパにおい
て、前記下地層がポリビニルアルコールであることを特
徴とする光ディスクスタンパ。
【請求項８】請求項２記載の光ディスクスタンパの製造
方法において、前記下地層がポリビニルアルコールであ
ることを特徴とする光ディスクスタンパの製造方法。
【請求項９】請求項３記載の光ディスクスタンパにおい
て、前記下地層としてのヒドロキシアルコキシル基を有
するセルロースエーテル誘導体がヒドロキシエチルセル
ロースであることを特徴とする光ディスクスタンパ。
【請求項１０】請求項４記載の光ディスクスタンパの製
造方法において、前記下地層としてのヒドロキシアルコ
キシル基を有するセルロースエーテル誘導体がヒドロキ
シエチルセルロースであることを特徴とする光ディスク
スタンパの製造方法。
【請求項１１】請求項５記載の光ディスクスタンパにお
いて、前記下地層としてのアルコキシル基及びヒドロキ
シアルコキシル基を有するセルロースエーテル誘導体が
メチルヒドロキシエチルセルロースであることを特徴と
する光ディスクスタンパ。
【請求項１２】請求項６記載の光ディスクスタンパの製
造方法において、前記下地層としてのアルコキシル基及
びヒドロキシアルコキシル基を有するセルロースエーテ
ル誘導体がメチルヒドロキシエチルセルロースであるこ
とを特徴とする光ディスクスタンパの製造方法。
【請求項１３】請求項５記載の光ディスクスタンパにお
いて、前記下地層としてのアルコキシル基及びヒドロキ
シアルコキシル基を有するセルロースエーテル誘導体が
メチルヒドロキシプロピルセルロースであることを特徴
とする光ディスクスタンパ。
【請求項１４】請求項６記載の光ディスクスタンパの製
造方法において、前記下地層としてのアルコキシル基及
びヒドロキシアルコキシル基を有するセルロースエーテ
ル誘導体がメチルヒドロキシプロピルセルロースである
ことを特徴とする光ディスクスタンパの製造方法。
【請求項１５】請求項９記載の光ディスクスタンパにお
いて、前記下地層としてのヒドロキシエチルセルロース
のヒドロキシエトキシル基の置換度が１．２であること
を特徴とする光ディスクスタンパ。
【請求項１６】請求項１０記載の光ディスクスタンパの
製造方法において、前記下地層としてのヒドロキシエチ
ルセルロースのヒドロキシエトキシル基の置換度が１．
２であることを特徴とする光ディスクスタンパの製造方
法。
【請求項１７】請求項１１記載の光ディスクスタンパに
おいて、前記下地層としてのメチルヒドロキシエチルセ
ルロースのメトキシル基の置換度が１．４であり、か
つ、前記下地層としてのメチルヒドロキシエチルセルロ
ースのヒドロキシエトキシル基の置換度が０．２である
ことを特徴とする光ディスクスタンパ。
【請求項１８】請求項１２記載の光ディスクスタンパの
製造方法において、前記下地層としてのメチルヒドロキ
シエチルセルロースのメトキシル基の置換度が１．４で
あり、かつ、前記下地層としてのメチルヒドロキシエチ
ルセルロースのヒドロキシエトキシル基の置換度が０．
２であることを特徴とする光ディスクスタンパの製造方
法。
【請求項１９】請求項１３記載の光ディスクスタンパに
おいて、前記下地層としてのメチルヒドロキシプロピル
セルロースのメトキシル基の置換度が２．０以下であ
り、かつ、前記下地層としてのメチルヒドロキシプロピ
ルセルロースのヒドロキシプロポキシル基の置換度が
０．１〜０．３であることを特徴とする光ディスクスタ
ンパ。
【請求項２０】請求項１４記載の光ディスクスタンパの
製造方法において、前記下地層としてのメチルヒドロキ
シプロピルセルロースのメトキシル基の置換度が２．０
以下であり、かつ、前記下地層としてのメチルヒドロキ
シプロピルセルロースのヒドロキシプロポキシル基の置
換度が０．１〜０．３であることを特徴とする光ディス
クスタンパの製造方法。
【請求項２１】請求項９記載の光ディスクスタンパにお
いて、前記下地層としてのヒドロキシエチルセルロース
の２％水溶液の２０℃における粘度がＢｒｏｏｋｆｉｌ
ｄ型粘度計の測定値で１０００ｃｐｓ以上であることを
特徴とする光ディスクスタンパ。
【請求項２２】請求項１０記載の光ディスクスタンパの
製造方法において、前記下地層としてのヒドロキシエチ
ルセルロースの２％水溶液の２０℃における粘度がＢｒ
ｏｏｋｆｉｌｄ型粘度計の測定値で１０００ｃｐｓ以上
であることを特徴とする光ディスクスタンパの製造方
法。
【請求項２３】請求項１１記載の光ディスクスタンパに
おいて、前記下地層としてのメチルヒドロキシエチルセ
ルロースの２％水溶液の２０℃における粘度がＢｒｏｏ
ｋｆｉｌｄ型粘度計の測定値で４０００ｃｐｓ以上であ
ることを特徴とする光ディスクスタンパ。
【請求項２４】請求項６記載の光ディスクスタンパの製
造方法において、前記下地層としてのメチルヒドロキシ
エチルセルロースの２％水溶液の２０℃における粘度が
Ｂｒｏｏｋｆｉｌｄ型粘度計の測定値で４０００ｃｐｓ
以上であることを特徴とする光ディスクスタンパの製造
方法。
【請求項２５】請求項１３記載の光ディスクスタンパに
おいて、前記下地層としてのメチルヒドロキシプロピル
セルロースの２％水溶液の２０℃における粘度がＢｒｏ
ｏｋｆｉｌｄ型粘度計の測定値で４０００ｃｐｓ以上で
あることを特徴とする光ディスクスタンパ。
【請求項２６】請求項６記載の光ディスクスタンパの製
造方法において、前記下地層としてのメチルヒドロキシ
プロピルセルロースの２％水溶液の２０℃における粘度
がＢｒｏｏｋｆｉｌｄ型粘度計の測定値で４０００ｃｐ
ｓ以上であることを特徴とする光ディスクスタンパの製
造方法。
【請求項２７】請求項７、９、１１または１３記載の光
ディスクスタンパにおいて、前記下地層は所定の架橋剤
を所定割合で拡散させて形成したものであることを特徴
とする光ディスクスタンパ。
【請求項２８】請求項８、１０、１２または１４記載の
光ディスクスタンパの製造方法において、前記下地層は
所定の架橋剤を所定割合で拡散させて形成することを特
徴とする光ディスクスタンパの製造方法。
【請求項２９】請求項２７記載の光ディスクスタンパに
おいて、前記下地層に拡散させる架橋剤が尿素ホルムア
ルデヒド樹脂であることを特徴とする光ディスクスタン
パ。
【請求項３０】請求項２８記載の光ディスクスタンパの
製造方法において、前記下地層に拡散させる架橋剤が尿
素ホルムアルデヒド樹脂であることを特徴とする光ディ
スクスタンパの製造方法。
【請求項３１】請求項２７記載の光ディスクスタンパに
おいて、前記下地層に拡散させる架橋剤がメラミン樹脂
であることを特徴とする光ディスクスタンパ。
【請求項３２】請求項２８記載の光ディスクスタンパの
製造方法において、前記下地層に拡散させる架橋剤がメ
ラミン樹脂であることを特徴とする光ディスクスタンパ
の製造方法。
【請求項３３】請求項２７記載の光ディスクスタンパに
おいて、前記下地層に拡散させる架橋剤がグリオキザー
ルであることを特徴とする光ディスクスタンパ。
【請求項３４】請求項２８記載の光ディスクスタンパの
製造方法において、前記下地層に拡散させる架橋剤がグ
リオキザールであることを特徴とする光ディスクスタン
パの製造方法。
【請求項３５】請求項２７記載の光ディスクスタンパに
おいて、前記下地層に拡散させる架橋剤がタンニン酸で
あることを特徴とする光ディスクスタンパ。
【請求項３６】請求項２８記載の光ディスクスタンパの
製造方法において、前記下地層に拡散させる架橋剤がタ
ンニン酸であることを特徴とする光ディスクスタンパの
製造方法。
【請求項３７】請求項２９記載の光ディスクスタンパに
おいて、前記下地層に拡散させる尿素ホルムアルデヒド
樹脂の濃度が５〜２０ｗｔ％であることを特徴とする光
ディスクスタンパ。
【請求項３８】請求項３０記載の光ディスクスタンパの
製造方法において、前記下地層に拡散させる尿素ホルム
アルデヒド樹脂の濃度が５〜２０ｗｔ％であることを特
徴とする光ディスクスタンパの製造方法。
【請求項３９】請求項３１記載の光ディスクスタンパに
おいて、前記下地層に拡散させるメラミン樹脂の濃度が
８〜１８ｗｔ％であることを特徴とする光ディスクスタ
ンパ。
【請求項４０】請求項３２記載の光ディスクスタンパの
製造方法において、前記下地層に拡散させるメラミン樹
脂の濃度が８〜１８ｗｔ％であることを特徴とする光デ
ィスクスタンパの製造方法。
【請求項４１】請求項３３記載の光ディスクスタンパに
おいて、前記下地層に拡散させるグリオキザールの濃度
が８〜１５ｗｔ％であることを特徴とする光ディスクス
タンパ。
【請求項４２】請求項３４記載の光ディスクスタンパの
製造方法において、前記下地層に拡散させるグリオキザ
ールの濃度が８〜１５ｗｔ％であることを特徴とする光
ディスクスタンパの製造方法。
【請求項４３】請求項３５記載の光ディスクスタンパに
おいて、前記下地層に拡散させるタンニン酸の濃度が８
〜１２ｗｔ％であることを特徴とする光ディスクスタン
パ。
【請求項４４】請求項３６記載の光ディスクスタンパの
製造方法において、前記下地層に拡散させるタンニン酸
の濃度が８〜１２ｗｔ％であることを特徴とする光ディ
スクスタンパの製造方法。
【請求項４５】請求項７記載の光ディスクスタンパにお
いて、前記下地層としてのポリビニルアルコールの膜厚
が３０〜７０Åであることを特徴とする光ディスクスタ
ンパ。
【請求項４６】請求項８記載の光ディスクスタンパの製
造方法において、前記下地層としてのポリビニルアルコ
ールの膜厚が３０〜７０Åであることを特徴とする光デ
ィスクスタンパの製造方法。
【請求項４７】請求項９記載の光ディスクスタンパにお
いて、前記下地層としてのヒドロキシエチルセルロース
の膜厚が３０〜７０Åであることを特徴とする光ディス
クスタンパ。
【請求項４８】請求項１０記載の光ディスクスタンパの
製造方法において、前記下地層としてのヒドロキシエチ
ルセルロースの膜厚が３０〜７０Åであることを特徴と
する光ディスクスタンパの製造方法。
【請求項４９】請求項１１記載の光ディスクスタンパに
おいて、前記下地層としてのメチルヒドロキシエチルセ
ルロースの膜厚が３０〜７０Åであることを特徴とする
光ディスクスタンパ。
【請求項５０】請求項１２記載の光ディスクスタンパの
製造方法において、前記下地層としてのメチルヒドロキ
シエチルセルロースの膜厚が３０〜７０Åであることを
特徴とする光ディスクスタンパの製造方法。
【請求項５１】請求項１３記載の光ディスクスタンパに
おいて、前記下地層としてのメチルヒドロキシプロピル
セルロースの膜厚が３０〜７０Åであることを特徴とす
る光ディスクスタンパ。
【請求項５２】請求項１４記載の光ディスクスタンパの
製造方法において、前記下地層としてのメチルヒドロキ
シプロピルセルロースの膜厚が３０〜７０Åであること
を特徴とする光ディスクスタンパの製造方法。