JPH09106584A - 光ディスク用記録原盤の製造方法 - Google Patents
光ディスク用記録原盤の製造方法Info
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- JPH09106584A JPH09106584A JP7265513A JP26551395A JPH09106584A JP H09106584 A JPH09106584 A JP H09106584A JP 7265513 A JP7265513 A JP 7265513A JP 26551395 A JP26551395 A JP 26551395A JP H09106584 A JPH09106584 A JP H09106584A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/26—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
- G11B7/261—Preparing a master, e.g. exposing photoresist, electroforming
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 記録用凹部の側壁を容易に垂直に形成するこ
とにより、光ディスクの高密度化を達成する。 【解決手段】 本発明に係る光ディスク用記録原盤の製
造方法は、基板１０の表面に、第一の被エッチング材か
らなる下層１２、第二の被エッチング材からなる中間層
１４及びフォトレジストからなる上層１６をこの順に積
層する第一工程と、上層１６に記録情報となるパターン
を露光及び現像する第二工程と、この露光及び現像され
た上層１６をマスクとして中間層１４をエッチングする
第三工程と、このエッチングされた中間層１４をマスク
として下層１２をエッチングする第四工程とを備えたも
のである。
とにより、光ディスクの高密度化を達成する。 【解決手段】 本発明に係る光ディスク用記録原盤の製
造方法は、基板１０の表面に、第一の被エッチング材か
らなる下層１２、第二の被エッチング材からなる中間層
１４及びフォトレジストからなる上層１６をこの順に積
層する第一工程と、上層１６に記録情報となるパターン
を露光及び現像する第二工程と、この露光及び現像され
た上層１６をマスクとして中間層１４をエッチングする
第三工程と、このエッチングされた中間層１４をマスク
として下層１２をエッチングする第四工程とを備えたも
のである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ビデオディスク、
コンパクトディスク等の光ディスクを製造するために用
いられる記録原盤の製造方法に関し、特に高密度化に適
した光ディスク用記録原盤の製造方法に関する。以下、
光ディスク用記録原盤を、単に「記録原盤」という。
コンパクトディスク等の光ディスクを製造するために用
いられる記録原盤の製造方法に関し、特に高密度化に適
した光ディスク用記録原盤の製造方法に関する。以下、
光ディスク用記録原盤を、単に「記録原盤」という。
【０００２】
【従来の技術】従来の光ディスクの製造方法について説
明する。
明する。
【０００３】ａ．記録原盤工程
【０００４】射出成形用スタンパを製造するための土台
となる、記録原盤を製造する工程である。まず、ガラス
基板を充分に洗浄した後、次工程でレジスト層が剥離す
るのを防止するため、シランカップリング剤を蒸気状に
してガラス基板に吸着させることにより、密着剤処理を
施す。乾燥後、フォトレジストをスピンコート法により
均一にガラス基板に塗布した後、レーザカッティング法
により記録ピットを露光する。次に、ガラス基板を回転
させながら現像液を滴下し、潜像部分を除去することに
より現像を行い記録原盤を得る。
となる、記録原盤を製造する工程である。まず、ガラス
基板を充分に洗浄した後、次工程でレジスト層が剥離す
るのを防止するため、シランカップリング剤を蒸気状に
してガラス基板に吸着させることにより、密着剤処理を
施す。乾燥後、フォトレジストをスピンコート法により
均一にガラス基板に塗布した後、レーザカッティング法
により記録ピットを露光する。次に、ガラス基板を回転
させながら現像液を滴下し、潜像部分を除去することに
より現像を行い記録原盤を得る。
【０００５】ｂ．電鋳工程
【０００６】記録原盤からスタンパを製造する工程であ
る。まず、記録原盤に導電性を付加するため、Ｎｉのス
パッタリングにより、厚さ１００ｎｍ前後のＮｉ薄膜を
形成する。続いて、このＮｉ薄膜を陰極とし、溶解効率
の高いデポラライズドニッケルを陽極として、低応力の
スルファミン酸ニッケル浴中で電鋳めっきを行う。Ｎｉ
薄膜及びＮｉ板を記録原盤から剥し、表面のレジストを
除去することにより、Ｎｉ板がマスタ盤となる。マスタ
盤は、そのまま裏面研磨を施し、射出成形に用いればマ
スタスタンパとなる。しかし、通常は、マスタ盤の表面
層の酸化処理と電鋳を繰り返して、マスタ盤からマザー
盤を製造し、マザー盤からスタンパを製造する。このよ
うにして、１枚のマスタ盤から２５枚程度のスタンパを
製造する。
る。まず、記録原盤に導電性を付加するため、Ｎｉのス
パッタリングにより、厚さ１００ｎｍ前後のＮｉ薄膜を
形成する。続いて、このＮｉ薄膜を陰極とし、溶解効率
の高いデポラライズドニッケルを陽極として、低応力の
スルファミン酸ニッケル浴中で電鋳めっきを行う。Ｎｉ
薄膜及びＮｉ板を記録原盤から剥し、表面のレジストを
除去することにより、Ｎｉ板がマスタ盤となる。マスタ
盤は、そのまま裏面研磨を施し、射出成形に用いればマ
スタスタンパとなる。しかし、通常は、マスタ盤の表面
層の酸化処理と電鋳を繰り返して、マスタ盤からマザー
盤を製造し、マザー盤からスタンパを製造する。このよ
うにして、１枚のマスタ盤から２５枚程度のスタンパを
製造する。
【０００７】ｃ．レプリケーション工程
【０００８】スタンパから記録ピット付きのディスク基
板を製造する工程である。まず、樹脂の原材料であるペ
レットを充分乾燥させた後、射出成形機の可動金型にス
タンパを取り付ける。続いて、スタンパと鏡面に仕上げ
た固定金型との中空部に、加熱溶融状態のディスク基板
用樹脂を噴出し、圧縮、保圧の後に強制冷却させる。最
後に、形成されたディスク基板を金型から取り出す。
板を製造する工程である。まず、樹脂の原材料であるペ
レットを充分乾燥させた後、射出成形機の可動金型にス
タンパを取り付ける。続いて、スタンパと鏡面に仕上げ
た固定金型との中空部に、加熱溶融状態のディスク基板
用樹脂を噴出し、圧縮、保圧の後に強制冷却させる。最
後に、形成されたディスク基板を金型から取り出す。
【０００９】図１６は、従来技術により製造した光ディ
スクの断面図である。光ディスク５０は、前述のように
して得られたディスク基板５２上に、金属反射膜５４及
び保護膜５６を形成することにより製造される。ところ
が、光ディスク５０の記録ピット５７には、側壁が傾斜
面となる、いわゆるダレ・ボケ５８が生ずる。そのた
め、再生信号に支障を生じることになるので、記録ピッ
ト５７の微細化及び高密度化が妨げられていた。次に、
ダレ・ボケ５８の発生する原因について説明する。
スクの断面図である。光ディスク５０は、前述のように
して得られたディスク基板５２上に、金属反射膜５４及
び保護膜５６を形成することにより製造される。ところ
が、光ディスク５０の記録ピット５７には、側壁が傾斜
面となる、いわゆるダレ・ボケ５８が生ずる。そのた
め、再生信号に支障を生じることになるので、記録ピッ
ト５７の微細化及び高密度化が妨げられていた。次に、
ダレ・ボケ５８の発生する原因について説明する。
【００１０】図１７は、従来技術における記録原盤工程
を示す断面図である。記録原盤６０は、ガラス基板６２
上にフォトレジスト膜６４が形成され、フォトレジスト
膜６４にレーザビームＬにより記録ピットとなる凹部６
６が露光されたものである。レーザビームＬの強度分布
はガウス分布をしているため、ガラス基板６２上のフォ
トレジスト膜６４に露光により形成された潜像も略ガウ
ス分布となる。すなわち、凹部６６の断面は、現像の進
行とともに記号ａの形状から記号ｅの形状に変化する。
このようにして、ガウス分布の裾の広がりに対応したダ
レ・ボケ５８が現れる。
を示す断面図である。記録原盤６０は、ガラス基板６２
上にフォトレジスト膜６４が形成され、フォトレジスト
膜６４にレーザビームＬにより記録ピットとなる凹部６
６が露光されたものである。レーザビームＬの強度分布
はガウス分布をしているため、ガラス基板６２上のフォ
トレジスト膜６４に露光により形成された潜像も略ガウ
ス分布となる。すなわち、凹部６６の断面は、現像の進
行とともに記号ａの形状から記号ｅの形状に変化する。
このようにして、ガウス分布の裾の広がりに対応したダ
レ・ボケ５８が現れる。
【００１１】かかる問題を解決するために、例えば特開
平３−１０８１４１号公報や特開平４−２４８１４５号
公報では、フォトレジスト層の開口部を通じて被エッチ
ング層をエッチングすることにより、記録用の凹部を形
成する方法が提案されている。つまり、露光により凹部
を形成すると、レーザビームの強度がガウス分布をして
いるので、ダレ・ボケ５８が発生してしまう。そこで、
露光ではなくエッチングによりに凹部を形成すること
で、ダレ・ボケ５８を解消しようというのである。
平３−１０８１４１号公報や特開平４−２４８１４５号
公報では、フォトレジスト層の開口部を通じて被エッチ
ング層をエッチングすることにより、記録用の凹部を形
成する方法が提案されている。つまり、露光により凹部
を形成すると、レーザビームの強度がガウス分布をして
いるので、ダレ・ボケ５８が発生してしまう。そこで、
露光ではなくエッチングによりに凹部を形成すること
で、ダレ・ボケ５８を解消しようというのである。
【００１２】まず、図１８（ａ）に示すように、基板７
０上に被エッチング層７２及びフォトレジスト層７４を
積層する。次に、図１８（ｂ）に示すように、フォトレ
ジスト層７４に記録情報に応じた開口部７６を、露光及
び現像により形成する。最後に、図１８（ｃ）に示すよ
うに、フォトレジスト層７４をマスクとして、被エッチ
ング層７２に凹部７８をエッチングにより形成する。そ
して、フォトレジスト層７２を排除することにより、記
録原盤８０を得る。その後、記録原盤８０を用いて光デ
ィスクを製造する。
０上に被エッチング層７２及びフォトレジスト層７４を
積層する。次に、図１８（ｂ）に示すように、フォトレ
ジスト層７４に記録情報に応じた開口部７６を、露光及
び現像により形成する。最後に、図１８（ｃ）に示すよ
うに、フォトレジスト層７４をマスクとして、被エッチ
ング層７２に凹部７８をエッチングにより形成する。そ
して、フォトレジスト層７２を排除することにより、記
録原盤８０を得る。その後、記録原盤８０を用いて光デ
ィスクを製造する。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】光ディスクの製造にお
いて、良好な再生信号特性を維持しつつ高密度化を図る
には、高度の垂直異方性エッチングを用いて、記録ピッ
トとなる凹部の側壁を垂直に形成することが重要であ
る。しかしながら、図１８に示す記録原盤の製造方法に
おいては、フォトレジストをエッチングマスクとして用
いているので、高度な垂直異方性と高い選択性とを同時
に満足するプロセスを実現することが困難である。その
結果、図１９に示すように、垂直異方性エッチングで凹
部を形成しようとすると、充分な選択性が得られないた
め、イオンビームＩによるエッチングの進行に伴い、フ
ォトレジスト層７４の端部が後退してしまう。フォトレ
ジスト層７４の端部が後退しやすい他の原因としては、
フォトレジスト層７４の端部が、前述したように傾斜面
となっているので、イオンビームＩの衝撃を受けやすい
こともあげられる。したがって、仮想線８０１，８０
２，８０３に示すように、開口部７６及び凹部７８の開
口幅が拡大し、凹部７８の側壁７８１も垂直にはならな
い。このように、従来技術では、光ディスクの高密度化
を図ることが困難であった。
いて、良好な再生信号特性を維持しつつ高密度化を図る
には、高度の垂直異方性エッチングを用いて、記録ピッ
トとなる凹部の側壁を垂直に形成することが重要であ
る。しかしながら、図１８に示す記録原盤の製造方法に
おいては、フォトレジストをエッチングマスクとして用
いているので、高度な垂直異方性と高い選択性とを同時
に満足するプロセスを実現することが困難である。その
結果、図１９に示すように、垂直異方性エッチングで凹
部を形成しようとすると、充分な選択性が得られないた
め、イオンビームＩによるエッチングの進行に伴い、フ
ォトレジスト層７４の端部が後退してしまう。フォトレ
ジスト層７４の端部が後退しやすい他の原因としては、
フォトレジスト層７４の端部が、前述したように傾斜面
となっているので、イオンビームＩの衝撃を受けやすい
こともあげられる。したがって、仮想線８０１，８０
２，８０３に示すように、開口部７６及び凹部７８の開
口幅が拡大し、凹部７８の側壁７８１も垂直にはならな
い。このように、従来技術では、光ディスクの高密度化
を図ることが困難であった。
【００１４】
【発明の目的】そこで、本発明の目的は、記録用凹部の
側壁を垂直に容易に形成できることにより、光ディスク
の高密度化を達成できる、記録原盤の製造方法をを提供
することにある。
側壁を垂直に容易に形成できることにより、光ディスク
の高密度化を達成できる、記録原盤の製造方法をを提供
することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明に係る、第一の記
録原盤の製造方法は、基板１０の表面に、第一の被エッ
チング材からなる下層１２、第二の被エッチング材から
なる中間層１４及びフォトレジストからなる上層１６を
この順に積層する第一工程と、上層１６に記録情報とな
るパターンを露光及び現像する第二工程と、この露光及
び現像された上層１６をマスクとして中間層１４をエッ
チングする第三工程と、このエッチングされた中間層１
４をマスクとして下層１２をエッチングする第四工程と
を備えたものである。
録原盤の製造方法は、基板１０の表面に、第一の被エッ
チング材からなる下層１２、第二の被エッチング材から
なる中間層１４及びフォトレジストからなる上層１６を
この順に積層する第一工程と、上層１６に記録情報とな
るパターンを露光及び現像する第二工程と、この露光及
び現像された上層１６をマスクとして中間層１４をエッ
チングする第三工程と、このエッチングされた中間層１
４をマスクとして下層１２をエッチングする第四工程と
を備えたものである。
【００１６】本発明に係る、第二の記録原盤の製造方法
は、基板１０の表面に、被エッチング材からなる中間層
１４及びフォトレジストからなる上層１６をこの順に積
層する第一工程と、上層１６に記録情報となるパターン
を露光及び現像する第二工程と、この露光及び現像され
た上層１６をマスクとして中間層１４をエッチングする
第三工程と、このエッチングされた中間層１４をマスク
として基板１０をエッチングする第四工程とを備えたも
のである。
は、基板１０の表面に、被エッチング材からなる中間層
１４及びフォトレジストからなる上層１６をこの順に積
層する第一工程と、上層１６に記録情報となるパターン
を露光及び現像する第二工程と、この露光及び現像され
た上層１６をマスクとして中間層１４をエッチングする
第三工程と、このエッチングされた中間層１４をマスク
として基板１０をエッチングする第四工程とを備えたも
のである。
【００１７】第一及び第二の記録原盤の製造方法には、
次の工程を加えてもよい。．第四工程の次に、エッチ
ングされた下層１２上に残留した中間層１４を除去する
第五工程。．第二工程と第三工程との間に、上層１６
に遠紫外光を照射する工程。．第二工程と第三工程と
の間に、上層１６に遠紫外光を照射し、その後高熱処理
をする工程。．基板１０又は下層１２が有機物からな
る場合において、第一工程の前に、基板１０又は下層１
２に遠紫外光又は電子線を照射する工程。．基板１０
又は下層１２が有機物からなる場合において、第一工程
の前に、基板１０又は下層１２に遠紫外光又は電子線を
照射し、その後高熱処理をする工程。
次の工程を加えてもよい。．第四工程の次に、エッチ
ングされた下層１２上に残留した中間層１４を除去する
第五工程。．第二工程と第三工程との間に、上層１６
に遠紫外光を照射する工程。．第二工程と第三工程と
の間に、上層１６に遠紫外光を照射し、その後高熱処理
をする工程。．基板１０又は下層１２が有機物からな
る場合において、第一工程の前に、基板１０又は下層１
２に遠紫外光又は電子線を照射する工程。．基板１０
又は下層１２が有機物からなる場合において、第一工程
の前に、基板１０又は下層１２に遠紫外光又は電子線を
照射し、その後高熱処理をする工程。
【００１８】基板１０の材料としては、Ｓｉ、Ｓｉ
Ｏ2 、Ａｌ、Ｃｒ、Ｎｉ、化学強化ガラス、石英ガラ
ス、合成石英ガラス、アルミニウム合金等の無機物、又
は、ポリメチルタクリレート（ＰＭＭＡ）、ポリカーボ
ネイト（ＰＣ）、非晶質ポリオレフィン（ＡＰＯ）、エ
ポキシ等の有機物が好ましい。
Ｏ2 、Ａｌ、Ｃｒ、Ｎｉ、化学強化ガラス、石英ガラ
ス、合成石英ガラス、アルミニウム合金等の無機物、又
は、ポリメチルタクリレート（ＰＭＭＡ）、ポリカーボ
ネイト（ＰＣ）、非晶質ポリオレフィン（ＡＰＯ）、エ
ポキシ等の有機物が好ましい。
【００１９】下層１２の材料としては、Ｓｉ、Ｓｉ
Ｏ2 、Ｓｉ3 Ｎ4 、ＳＯＧ（Ｓｐｉｎ−ｏｎ−Ｇｌａｓ
ｓ）等の無機物、又は、ポリケイ皮酸ビニル、ポリビニ
ルフェノールと芳香族ビスアジドの混合物、アルカリ可
溶性フェノール樹脂とナフトキノンジアジドの混合物、
ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）、ジアゾメチルド
ラム酸とノボラックとの混合物、クレゾールノボラック
とナフトキノンジアジドの化合物等の有機物が好まし
い。
Ｏ2 、Ｓｉ3 Ｎ4 、ＳＯＧ（Ｓｐｉｎ−ｏｎ−Ｇｌａｓ
ｓ）等の無機物、又は、ポリケイ皮酸ビニル、ポリビニ
ルフェノールと芳香族ビスアジドの混合物、アルカリ可
溶性フェノール樹脂とナフトキノンジアジドの混合物、
ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）、ジアゾメチルド
ラム酸とノボラックとの混合物、クレゾールノボラック
とナフトキノンジアジドの化合物等の有機物が好まし
い。
【００２０】中間層１４の材料としては、Ｓｉ、ＳｉＯ
2 、Ｓｉ3 Ｎ4 等が好ましい。
2 、Ｓｉ3 Ｎ4 等が好ましい。
【００２１】第三工程では、下層１２／中間層１４又は
基板１０／中間層１４の選択比を大きくできるエッチン
グガスを用いることが好ましい。
基板１０／中間層１４の選択比を大きくできるエッチン
グガスを用いることが好ましい。
【００２２】第五工程では、下層１２又は基板１０に形
成された凹凸に対して、エッチングの影響の少ないエッ
チングガス又はエッチング液を用いることが好ましい。
成された凹凸に対して、エッチングの影響の少ないエッ
チングガス又はエッチング液を用いることが好ましい。
【００２３】上層１６のフォトレジストの耐熱性及びド
ライエッチ耐性を向上させるために、遠紫外光照射技術
を用いる。この方法は、上層１６の開口部１６ａを形成
後、波長２５０ｎｍ〜３００ｎｍの遠紫外光を上層１６
全面に照射し、光吸収に伴うフォトレジスト分子の架橋
により耐熱性等を向上させるものである。さらに、その
後、高温で熱処理を行いフォトレジストを熱架橋させる
ことにより、フォトレジストの耐熱性等をより増大させ
る。また、基板１０又は下層１２が有機物からなる場合
において、第一工程の前に、基板１０又は下層１２に遠
紫外光又は電子線を照射し、必要に応じ高熱処理をする
工程も、同様の作用・効果を奏する。
ライエッチ耐性を向上させるために、遠紫外光照射技術
を用いる。この方法は、上層１６の開口部１６ａを形成
後、波長２５０ｎｍ〜３００ｎｍの遠紫外光を上層１６
全面に照射し、光吸収に伴うフォトレジスト分子の架橋
により耐熱性等を向上させるものである。さらに、その
後、高温で熱処理を行いフォトレジストを熱架橋させる
ことにより、フォトレジストの耐熱性等をより増大させ
る。また、基板１０又は下層１２が有機物からなる場合
において、第一工程の前に、基板１０又は下層１２に遠
紫外光又は電子線を照射し、必要に応じ高熱処理をする
工程も、同様の作用・効果を奏する。
【００２４】
【発明の実施の形態】図１乃至図３は、本発明に係る記
録原盤の製造方法の一実施形態を示す概略断面図であ
る。以下、これらの図面に基づき説明する。
録原盤の製造方法の一実施形態を示す概略断面図であ
る。以下、これらの図面に基づき説明する。
【００２５】まず、図１（ａ）に示すように、基板１０
上に下層１２を成膜し、下層１２上に中間層１４を成膜
する。
上に下層１２を成膜し、下層１２上に中間層１４を成膜
する。
【００２６】基板１０は、表面を研磨した化学強化ガラ
スである。
スである。
【００２７】下層１２の膜厚は、再生波長をλ、再生基
板の屈折率をｎとするとλ／４ｎで与えられ、例えば６
０ｎｍ〜１００ｎｍである。下層１２の材料は、Ｓｉ、
Ａｌ、Ｃｒ、ＳｉＯ2 、Ｓｉ3 Ｎ4 等である。下層１２
は、ピット又はグルーブを形成するための層であるの
で、後工程で中間層１４をマスクとしてエッチングをし
たとき、高度な異方性及び高い選択比を満足することが
必要である。かかる要求を満足する材料は、Ｓｉが好適
である。もちろん、Ｓｉに限定されるものではなく、上
記条件を満足する材料であれば何でもよい。
板の屈折率をｎとするとλ／４ｎで与えられ、例えば６
０ｎｍ〜１００ｎｍである。下層１２の材料は、Ｓｉ、
Ａｌ、Ｃｒ、ＳｉＯ2 、Ｓｉ3 Ｎ4 等である。下層１２
は、ピット又はグルーブを形成するための層であるの
で、後工程で中間層１４をマスクとしてエッチングをし
たとき、高度な異方性及び高い選択比を満足することが
必要である。かかる要求を満足する材料は、Ｓｉが好適
である。もちろん、Ｓｉに限定されるものではなく、上
記条件を満足する材料であれば何でもよい。
【００２８】中間層１４の膜厚は、２０ｎｍ〜１５０ｎ
ｍ程度である。中間層１４の材料は、ＳｉＯ2 、Ｓｉ3
Ｎ4 等である。中間層１４は、下層１２をエッチングす
るときのマスクを形成するための層である。そのため、
中間層１４の材料は、後工程で上層１６を露光したとき
に中間層１４が露光ビームによって感光しないことが必
要であり、さらに、上層１６を現像したときにアルカリ
水溶液等に侵されないことが必要となる。かかる要求を
満足する材料は、ＳｉＯ2 が好適である。もちろん、Ｓ
ｉＯ2 に限定されるものではなく、上記条件を満足する
材料であれば何でもよい。
ｍ程度である。中間層１４の材料は、ＳｉＯ2 、Ｓｉ3
Ｎ4 等である。中間層１４は、下層１２をエッチングす
るときのマスクを形成するための層である。そのため、
中間層１４の材料は、後工程で上層１６を露光したとき
に中間層１４が露光ビームによって感光しないことが必
要であり、さらに、上層１６を現像したときにアルカリ
水溶液等に侵されないことが必要となる。かかる要求を
満足する材料は、ＳｉＯ2 が好適である。もちろん、Ｓ
ｉＯ2 に限定されるものではなく、上記条件を満足する
材料であれば何でもよい。
【００２９】次に、図１（ｂ）に示すように、中間層１
４上にスピンコート法により上層１６を塗布する。上層
１６は、ポジ型のフォトレジストからなり、膜厚が５０
ｎｍ〜１５０ｎｍ程度である。上層１６は、中間層１４
をエッチングにより成形する際にマスクとしての作用を
果たすものであるから、露光ビームに対して感光する材
料が使用される。かかる材料としては、例えば、感光性
レジストが好適である。
４上にスピンコート法により上層１６を塗布する。上層
１６は、ポジ型のフォトレジストからなり、膜厚が５０
ｎｍ〜１５０ｎｍ程度である。上層１６は、中間層１４
をエッチングにより成形する際にマスクとしての作用を
果たすものであるから、露光ビームに対して感光する材
料が使用される。かかる材料としては、例えば、感光性
レジストが好適である。
【００３０】次に、図１（ｃ）に示すように、上層１６
を露光する。露光ビームｈνの強度はガウス分布をして
いるため、露光によって上層１６に形成された潜像１６
ｂも略ガウス分布となる。
を露光する。露光ビームｈνの強度はガウス分布をして
いるため、露光によって上層１６に形成された潜像１６
ｂも略ガウス分布となる。
【００３１】次に、図２（ｄ）に示すように、上層１６
を現像する。現像によって形成される開口部１６ａは、
露光ビームｈνの強度のガウス分布を反映して、上部開
口幅ＲT と下部開口幅ＲB とがＲT ＞ＲB なる関係を有
する。なお、実際に形成された開口部１６ａは、上部開
口幅ＲT ＝０．４μｍ、下部開口幅ＲB ＝０．２μｍで
あった。
を現像する。現像によって形成される開口部１６ａは、
露光ビームｈνの強度のガウス分布を反映して、上部開
口幅ＲT と下部開口幅ＲB とがＲT ＞ＲB なる関係を有
する。なお、実際に形成された開口部１６ａは、上部開
口幅ＲT ＝０．４μｍ、下部開口幅ＲB ＝０．２μｍで
あった。
【００３２】次に、図２（ｅ）に示すように、上層１６
の耐熱性及びドライエッチング耐性を向上させるため
に、５００ＷのＸｅ−Ｈｇランプ及び２５０ｎｍコール
ドミラーを用い、上層１６の全面に遠紫外光Ｖを３分照
射後、上層１６に対して２７０℃の高温熱処理を施す。
の耐熱性及びドライエッチング耐性を向上させるため
に、５００ＷのＸｅ−Ｈｇランプ及び２５０ｎｍコール
ドミラーを用い、上層１６の全面に遠紫外光Ｖを３分照
射後、上層１６に対して２７０℃の高温熱処理を施す。
【００３３】次に、図２（ｆ）に示すように、上層１６
をマスクとし、Ｃ2 Ｆ6 のエッチングガスを用いて、リ
アクティブ・イオン・エッチング（以下、「ＲＩＥ」と
いう。）により中間層１４をエッチングする。これによ
り、開口部１６ａを通して、中間層１４に開口部１４ａ
を形成する。開口部１４ａは、上部開口幅をＦT 、下部
開口幅をＦB とすると、ＲT ≧ＦT ≧ＲB ＝ＦB なる関
係を有する。
をマスクとし、Ｃ2 Ｆ6 のエッチングガスを用いて、リ
アクティブ・イオン・エッチング（以下、「ＲＩＥ」と
いう。）により中間層１４をエッチングする。これによ
り、開口部１６ａを通して、中間層１４に開口部１４ａ
を形成する。開口部１４ａは、上部開口幅をＦT 、下部
開口幅をＦB とすると、ＲT ≧ＦT ≧ＲB ＝ＦB なる関
係を有する。
【００３４】次に、図３（ｇ）に示すように、残留した
上層１６を取り除く。除去方法は、Ｏ2 プラズマによる
灰化処理である。
上層１６を取り除く。除去方法は、Ｏ2 プラズマによる
灰化処理である。
【００３５】次に、図３（ｈ）に示すように、中間層１
４をマスクとし、ＣＦ4 ＋Ｏ2 のエッチングガスを用い
て、ＲＩＥにより下層１２をエッチングする。これによ
り、開口部１４ａを通して、下層１２に開口部１２ａを
形成する。開口部１２ａは、下部開口幅をＷB とすると
ＲB ＝ＦB ＝ＷB なる関係を有し、その側壁はほぼ垂直
となる。
４をマスクとし、ＣＦ4 ＋Ｏ2 のエッチングガスを用い
て、ＲＩＥにより下層１２をエッチングする。これによ
り、開口部１４ａを通して、下層１２に開口部１２ａを
形成する。開口部１２ａは、下部開口幅をＷB とすると
ＲB ＝ＦB ＝ＷB なる関係を有し、その側壁はほぼ垂直
となる。
【００３６】次に、図３（ｉ）に示すように、ＣＦ4 ＋
Ｈ2 のエッチングガスを用いて、ドライエッチングによ
り残りの中間層１４を除去する。このとき、中間層１４
の膜厚がピットの深さの１／１０〜１／２であれば、取
り除かなくてもよい。以上のようにして、記録原盤１８
が完成する。
Ｈ2 のエッチングガスを用いて、ドライエッチングによ
り残りの中間層１４を除去する。このとき、中間層１４
の膜厚がピットの深さの１／１０〜１／２であれば、取
り除かなくてもよい。以上のようにして、記録原盤１８
が完成する。
【００３７】図４乃至図６は、記録原盤１８を用いた光
ディスクを製造方法の一例を示す概略断面図である。以
下、これらの図面に基づき説明する。
ディスクを製造方法の一例を示す概略断面図である。以
下、これらの図面に基づき説明する。
【００３８】まず、図４（ｊ）に示すように、後述する
メッキ層２２の剥離を容易にするためのメッキ膜２０
を、下層１２及び凹部１２ａの上にＮｉメッキにより形
成する。
メッキ層２２の剥離を容易にするためのメッキ膜２０
を、下層１２及び凹部１２ａの上にＮｉメッキにより形
成する。
【００３９】次に、図４（ｋ）に示すように、メッキ膜
２０の上に、電解メッキ又は無電解によりメッキ層２２
を形成する。
２０の上に、電解メッキ又は無電解によりメッキ層２２
を形成する。
【００４０】次に、図４（ｌ）に示すように、メッキ層
２２を記録原盤１８から剥離させることにより、メタル
マスタ２４を作製する。このとき、メッキ膜２２も同時
に剥離する。その結果、メタルマスタ２４には、下層１
２に形成された凹部１２ａを写し取った凸部２４ａが形
成される。
２２を記録原盤１８から剥離させることにより、メタル
マスタ２４を作製する。このとき、メッキ膜２２も同時
に剥離する。その結果、メタルマスタ２４には、下層１
２に形成された凹部１２ａを写し取った凸部２４ａが形
成される。
【００４１】次に、図５（ｍ）に示すように、メタルマ
スタ２４によってマザー２６を作製する。その結果、マ
ザー２６には、メタルマスタ２４の凸部２４ａが写し取
られた凹部２６ａが形成される。
スタ２４によってマザー２６を作製する。その結果、マ
ザー２６には、メタルマスタ２４の凸部２４ａが写し取
られた凹部２６ａが形成される。
【００４２】次に、図５（ｎ）に示すように、マザー２
６によってスタンパ２８を作製する。その結果、スタン
パ２８には、マザー２６の凹部２６ａが写し取られた凸
部２８ａが形成される。
６によってスタンパ２８を作製する。その結果、スタン
パ２８には、マザー２６の凹部２６ａが写し取られた凸
部２８ａが形成される。
【００４３】次に、図６（ｏ）に示すように、例えば、
アクリル樹脂やポリカーボネイト樹脂にスタンパ２８を
押しつけることにより、ディスク基板３０を作製する。
その結果、ディスク基板３０には、スタンパ２８の凸部
２８ａを写し取った凹部３０ａがピット又はグルーブと
して形成される。
アクリル樹脂やポリカーボネイト樹脂にスタンパ２８を
押しつけることにより、ディスク基板３０を作製する。
その結果、ディスク基板３０には、スタンパ２８の凸部
２８ａを写し取った凹部３０ａがピット又はグルーブと
して形成される。
【００４４】次に、図６（ｐ）に示すように、ディスク
基板３０の凹部３０ａ側全面に、例えばアルミニウム等
の金属膜３２を反射膜として成膜する。
基板３０の凹部３０ａ側全面に、例えばアルミニウム等
の金属膜３２を反射膜として成膜する。
【００４５】最後に、図６（ｑ）に示すように、金属膜
３２上に樹脂等による保護膜３４をを形成することによ
り、光ディスク３６が完成する。このように、光ディス
ク３６の凹部３０ａ（ピット又はグルーブ）は、記録原
盤１８の開口部１２ａの形状がそのまま反映されるの
で、その側壁がほぼ垂直となる。したがって、光ディス
ク３６は高密度化を達成できる。
３２上に樹脂等による保護膜３４をを形成することによ
り、光ディスク３６が完成する。このように、光ディス
ク３６の凹部３０ａ（ピット又はグルーブ）は、記録原
盤１８の開口部１２ａの形状がそのまま反映されるの
で、その側壁がほぼ垂直となる。したがって、光ディス
ク３６は高密度化を達成できる。
【００４６】また、中間層１４の膜厚が、光ディスク３
６の凹部３０ａの深さのおおよそ１／２〜１／１０の範
囲内にあれば、図３（ｉ）に示した中間層１４を除去す
る工程を省略してもよい。この場合は、中間層１４上
に、図４（ｊ）に示すメッキ膜２０を成膜する。
６の凹部３０ａの深さのおおよそ１／２〜１／１０の範
囲内にあれば、図３（ｉ）に示した中間層１４を除去す
る工程を省略してもよい。この場合は、中間層１４上
に、図４（ｊ）に示すメッキ膜２０を成膜する。
【００４７】さらに、基板１０の材料として、下層１２
と同一の材料、例えばＡｌ、Ｃｒ、ＳｉＯ2 、Ｓｉ、Ｓ
ｉ3 Ｎ4 、ＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレート）、Ｐ
Ｃ（ポリカーボネイト）等を用いてもよい。この場合
は、基板１０自体にピット又はグルーブとなる凹部を形
成できるので、下層１２を省略できる。
と同一の材料、例えばＡｌ、Ｃｒ、ＳｉＯ2 、Ｓｉ、Ｓ
ｉ3 Ｎ4 、ＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレート）、Ｐ
Ｃ（ポリカーボネイト）等を用いてもよい。この場合
は、基板１０自体にピット又はグルーブとなる凹部を形
成できるので、下層１２を省略できる。
【００４８】図７乃至図１０は、基板１０、下層１２及
び中間層１４の材料とエッチング方法との組み合わせを
例示した図表である。以下、図１乃至図１０に基づき説
明する。なお、エッチングとは、上層１６をマスクに
して中間層１４をエッチングする工程をいう。エッチン
グとは、中間層１４をマスクにして下層１２をエッチ
ングする工程をいう。エッチングとは、下層１２上に
残った中間層１４を除去する工程をいう。
び中間層１４の材料とエッチング方法との組み合わせを
例示した図表である。以下、図１乃至図１０に基づき説
明する。なお、エッチングとは、上層１６をマスクに
して中間層１４をエッチングする工程をいう。エッチン
グとは、中間層１４をマスクにして下層１２をエッチ
ングする工程をいう。エッチングとは、下層１２上に
残った中間層１４を除去する工程をいう。
【００４９】図７は、基板１０上にＳｉ、Ｓｉ3 Ｎ4 、
Ｃｒ又はＡｌの無機物の下層１２、非導電性膜のＳｉＯ
2 の中間層１４、感光性のフォトレジストの上層１６を
積層した三層構成において、エッチング及びにＲＩ
Ｅ、エッチングにＲＩＥ又はウェットエッチングを使
用するときの、材料とエッチングプロセスの組み合わせ
を示したものである。エッチングで使用するエッチン
グガスの選択により、エッチング量を中間層１４のＳｉ
Ｏ2 で少なく下層１２で多くできるため、下層１２／中
間層１４の選択比を大きくできる。これに加え、エッチ
ングのドライエッチング又はウェットエッチングによ
り中間層１４を除去することで、上部開口幅と下部開口
幅のほぼ等しい凹部１２ａを形成することが可能とな
る。
Ｃｒ又はＡｌの無機物の下層１２、非導電性膜のＳｉＯ
2 の中間層１４、感光性のフォトレジストの上層１６を
積層した三層構成において、エッチング及びにＲＩ
Ｅ、エッチングにＲＩＥ又はウェットエッチングを使
用するときの、材料とエッチングプロセスの組み合わせ
を示したものである。エッチングで使用するエッチン
グガスの選択により、エッチング量を中間層１４のＳｉ
Ｏ2 で少なく下層１２で多くできるため、下層１２／中
間層１４の選択比を大きくできる。これに加え、エッチ
ングのドライエッチング又はウェットエッチングによ
り中間層１４を除去することで、上部開口幅と下部開口
幅のほぼ等しい凹部１２ａを形成することが可能とな
る。
【００５０】図８は、基板１０上にＳｉ、ＳｉＯ2,Ｃｒ
又はＡｌ無機物の下層１２、非導電性膜のＳｉ3 Ｎ4 の
中間層１４、上層１６を積層した３層構成において、エ
ッチング〜にＲＩＥを使用するときの、材料とエッ
チングプロセスの組み合わせを示したものである。エッ
チングで使用するエッチングガスの選択により、エッ
チング量を中間層１４のＳｉ3 Ｎ4 で少なく下層１２で
多くできるため、下層１２／中間層１４の選択比を大き
くできる。これに加え、エッチングのドライエッチン
グにより中間層１４を除去することで、上部開口幅と下
部開口幅のほぼ等しい凹部１２ａを形成することが可能
となる。
又はＡｌ無機物の下層１２、非導電性膜のＳｉ3 Ｎ4 の
中間層１４、上層１６を積層した３層構成において、エ
ッチング〜にＲＩＥを使用するときの、材料とエッ
チングプロセスの組み合わせを示したものである。エッ
チングで使用するエッチングガスの選択により、エッ
チング量を中間層１４のＳｉ3 Ｎ4 で少なく下層１２で
多くできるため、下層１２／中間層１４の選択比を大き
くできる。これに加え、エッチングのドライエッチン
グにより中間層１４を除去することで、上部開口幅と下
部開口幅のほぼ等しい凹部１２ａを形成することが可能
となる。
【００５１】図９は、基板１０上にＳｉ3 Ｎ4 又はＳｉ
Ｏ2 の無機物の下層１２、半導体膜のＳｉの中間層１
４、上層１６を積層した３層構成において、エッチング
〜にＲＩＥを使用するときの、材料とエッチングプ
ロセスとの組み合わせを示したものである。エッチング
で使用するエッチングガスの選択により、エッチング
量を中間層１４のＳｉで少なく下層１２で多くできるた
め、下層１２／中間層１４の選択比を大きくできる。こ
れに加え、エッチングのドライエッチングにより中間
層１４を除去することで、上部開口幅と下部開口幅のほ
ぼ等しい凹部１２ａを形成することが可能となる。
Ｏ2 の無機物の下層１２、半導体膜のＳｉの中間層１
４、上層１６を積層した３層構成において、エッチング
〜にＲＩＥを使用するときの、材料とエッチングプ
ロセスとの組み合わせを示したものである。エッチング
で使用するエッチングガスの選択により、エッチング
量を中間層１４のＳｉで少なく下層１２で多くできるた
め、下層１２／中間層１４の選択比を大きくできる。こ
れに加え、エッチングのドライエッチングにより中間
層１４を除去することで、上部開口幅と下部開口幅のほ
ぼ等しい凹部１２ａを形成することが可能となる。
【００５２】図１０は、無機物の基板１０上に有機物の
下層１２と無機物のＳｉ、ＳｉＯ2又はＳｉ3 Ｎ4 の中
間層１４、上層１６を積層した３層構成において、エッ
チング及びにＲＩＥ、エッチングにドライエッチ
ング又はウェットエッチングを使用するときの、材料と
エッチングプロセスとの組み合わせを示したものであ
る。エッチングで使用するエッチングガスの選択によ
り、エッチング量を中間層１４のＳｉで少なく下層１２
で多くできるため、下層１２／中間層１４の選択比を大
きくできる。これに加え、エッチングのドライエッチ
ング又はウェットエッチングにより中間層１４を除去す
ることで、上部開口幅と下部開口幅のほぼ等しい凹部１
２ａを形成することが可能となる。
下層１２と無機物のＳｉ、ＳｉＯ2又はＳｉ3 Ｎ4 の中
間層１４、上層１６を積層した３層構成において、エッ
チング及びにＲＩＥ、エッチングにドライエッチ
ング又はウェットエッチングを使用するときの、材料と
エッチングプロセスとの組み合わせを示したものであ
る。エッチングで使用するエッチングガスの選択によ
り、エッチング量を中間層１４のＳｉで少なく下層１２
で多くできるため、下層１２／中間層１４の選択比を大
きくできる。これに加え、エッチングのドライエッチ
ング又はウェットエッチングにより中間層１４を除去す
ることで、上部開口幅と下部開口幅のほぼ等しい凹部１
２ａを形成することが可能となる。
【００５３】以下に、中間層１４及び下層１２の材料の
エッチングレートの違いにより、中間層１４をマスクと
して下層１２をエッチング可能であること、及び下層１
２をエッチングすることなく中間層１４を除去可能であ
ることを示す。また、引用した文献は、図１１に一覧表
として示す。
エッチングレートの違いにより、中間層１４をマスクと
して下層１２をエッチング可能であること、及び下層１
２をエッチングすることなく中間層１４を除去可能であ
ることを示す。また、引用した文献は、図１１に一覧表
として示す。
【００５４】ＣＦ4 、ＣＦ4 ＋Ｈ2 、ＣＦ4 ＋Ｃ
2 Ｈ2 、ＣＦ4 ＋ＣＨＦ3 、ＣＨＦ3 等をエッチングガ
スとして使用すると、ＳｉＯ2 のエッチングレートをＳ
ｉよりも極めて大きくとれるので、ＳｉＯ2 ／Ｓｉの選
択比を１０以上にすることができる（例えば、文献１〜
５参照。）。したがって、中間層１４をＳｉ、下層１２
をＳｉＯ2 とし、前記エッチングガスをエッチングに
おいて用いることにより、中間層１４をマスクとして下
層１２をエッチングすることができる。また、中間層１
４をＳｉＯ2 、下層１２をＳｉとし、前記エッチングガ
スをエッチングにおいて用いることにより、下層１２
をエッチングすることなく中間層１４を除去することが
できる。
2 Ｈ2 、ＣＦ4 ＋ＣＨＦ3 、ＣＨＦ3 等をエッチングガ
スとして使用すると、ＳｉＯ2 のエッチングレートをＳ
ｉよりも極めて大きくとれるので、ＳｉＯ2 ／Ｓｉの選
択比を１０以上にすることができる（例えば、文献１〜
５参照。）。したがって、中間層１４をＳｉ、下層１２
をＳｉＯ2 とし、前記エッチングガスをエッチングに
おいて用いることにより、中間層１４をマスクとして下
層１２をエッチングすることができる。また、中間層１
４をＳｉＯ2 、下層１２をＳｉとし、前記エッチングガ
スをエッチングにおいて用いることにより、下層１２
をエッチングすることなく中間層１４を除去することが
できる。
【００５５】ＮＦ3 ＋Ｏ2 、ＮＦ3 ＋ＮＨ3 、ＳＦ6 、
Ｃｌ2 、ＣＣｌ4 、ＣＣｌ4 ＋Ｏ2等をエッチングガス
として使用すると、ＳｉのエッチングレートをＳｉＯ2
よりも極めて大きくとれるので、Ｓｉ／ＳｉＯ2 の選択
比を１０以上にすることができる（例えば、文献６〜１
１参照。）。したがって、中間層１４をＳｉＯ2 、下層
１２をＳｉとし、前記エッチングガスをエッチングに
おいて用いることにより、中間層１４をマスクとして下
層１２をエッチングすることができる。また、中間層１
４をＳｉ、下層１２をＳｉＯ2 とし、前記エッチングガ
スをエッチングにおいて用いることにより、下層１２
をエッチングすることなく中間層１４を除去することが
できる。
Ｃｌ2 、ＣＣｌ4 、ＣＣｌ4 ＋Ｏ2等をエッチングガス
として使用すると、ＳｉのエッチングレートをＳｉＯ2
よりも極めて大きくとれるので、Ｓｉ／ＳｉＯ2 の選択
比を１０以上にすることができる（例えば、文献６〜１
１参照。）。したがって、中間層１４をＳｉＯ2 、下層
１２をＳｉとし、前記エッチングガスをエッチングに
おいて用いることにより、中間層１４をマスクとして下
層１２をエッチングすることができる。また、中間層１
４をＳｉ、下層１２をＳｉＯ2 とし、前記エッチングガ
スをエッチングにおいて用いることにより、下層１２
をエッチングすることなく中間層１４を除去することが
できる。
【００５６】ＣＦ4 ＋Ｏ2 、ＣＦ4 ＋Ｏ2 ＋Ｃ2 Ｈ5 Ｏ
Ｈ、Ｃｌ2 ＋ＮＦ3 等をエッチングガスとして使用する
と、Ｓｉ3 Ｎ4 のエッチングレートをＳｉＯ2 よりも極
めて大きくとれるので、Ｓｉ3 Ｎ4 ／ＳｉＯ2 の選択比
を１０以上にすることができる（例えば、文献１２、１
３及び１６参照。）。したがって、中間層１４をＳｉＯ
2 、下層１２をＳｉ3 Ｎ4 とし、前記エッチングガスを
エッチングにおいて用いることにより、中間層１４を
マスクとして下層１２をエッチングすることができる。
また、中間層１４をＳｉ3 Ｎ4 、下層１２をＳｉＯ2 と
し、前記エッチングガスをエッチングにおいて用いる
ことにより、下層１２をエッチングすることなく中間層
１４を除去することができる。
Ｈ、Ｃｌ2 ＋ＮＦ3 等をエッチングガスとして使用する
と、Ｓｉ3 Ｎ4 のエッチングレートをＳｉＯ2 よりも極
めて大きくとれるので、Ｓｉ3 Ｎ4 ／ＳｉＯ2 の選択比
を１０以上にすることができる（例えば、文献１２、１
３及び１６参照。）。したがって、中間層１４をＳｉＯ
2 、下層１２をＳｉ3 Ｎ4 とし、前記エッチングガスを
エッチングにおいて用いることにより、中間層１４を
マスクとして下層１２をエッチングすることができる。
また、中間層１４をＳｉ3 Ｎ4 、下層１２をＳｉＯ2 と
し、前記エッチングガスをエッチングにおいて用いる
ことにより、下層１２をエッチングすることなく中間層
１４を除去することができる。
【００５７】ＣＨ2 Ｆ2 、Ｃ2 Ｆ6 等をエッチングガス
として使用すると、Ｓｉ3 Ｎ4 のエッチングレートをＳ
ｉＯ2 又はＳｉよりも極めて大きくとれるので、Ｓｉ3
Ｎ4／ＳｉＯ2 又はＳｉの選択比を１０以上にすること
ができる（例えば、文献１４及び１５参照。）。したが
って、中間層１４をＳｉＯ2 又はＳｉ、下層１２をＳｉ
3 Ｎ4 とし、前記エッチングガスをエッチングにおい
て用いることにより、中間層１４をマスクとして下層１
２をエッチングすることができる。また、中間層１４を
Ｓｉ3 Ｎ4 、下層１２をＳｉＯ2 又はＳｉとし、前記エ
ッチングガスをエッチングにおいて用いることによ
り、下層１２をエッチングすることなく中間層１４を除
去することができる。
として使用すると、Ｓｉ3 Ｎ4 のエッチングレートをＳ
ｉＯ2 又はＳｉよりも極めて大きくとれるので、Ｓｉ3
Ｎ4／ＳｉＯ2 又はＳｉの選択比を１０以上にすること
ができる（例えば、文献１４及び１５参照。）。したが
って、中間層１４をＳｉＯ2 又はＳｉ、下層１２をＳｉ
3 Ｎ4 とし、前記エッチングガスをエッチングにおい
て用いることにより、中間層１４をマスクとして下層１
２をエッチングすることができる。また、中間層１４を
Ｓｉ3 Ｎ4 、下層１２をＳｉＯ2 又はＳｉとし、前記エ
ッチングガスをエッチングにおいて用いることによ
り、下層１２をエッチングすることなく中間層１４を除
去することができる。
【００５８】ＢＣｌ3 、ＣＣｌ4 ＋Ｃｌ2 等をエッチン
グガスとして使用すると、ＡｌのエッチングレートをＳ
ｉＯ2 又はＳｉよりも極めて大きくとれるので、Ａｌ／
ＳｉＯ2 又はＳｉの選択比を１０以上にすることができ
る（例えば、文献１７及び１９参照。）。したがって、
中間層１４をＳｉＯ2 又はＳｉ、下層１２をＡｌとし、
前記エッチングガスをエッチングにおいて用いること
により、中間層１４をマスクとして下層１２をエッチン
グすることができる。また、中間層１４をＡｌ、下層１
２をＳｉＯ2 又はＳｉとし、前記エッチングガスをエッ
チングにおいて用いることにより、下層１２をエッチ
ングすることなく中間層１４を除去することができる。
グガスとして使用すると、ＡｌのエッチングレートをＳ
ｉＯ2 又はＳｉよりも極めて大きくとれるので、Ａｌ／
ＳｉＯ2 又はＳｉの選択比を１０以上にすることができ
る（例えば、文献１７及び１９参照。）。したがって、
中間層１４をＳｉＯ2 又はＳｉ、下層１２をＡｌとし、
前記エッチングガスをエッチングにおいて用いること
により、中間層１４をマスクとして下層１２をエッチン
グすることができる。また、中間層１４をＡｌ、下層１
２をＳｉＯ2 又はＳｉとし、前記エッチングガスをエッ
チングにおいて用いることにより、下層１２をエッチ
ングすることなく中間層１４を除去することができる。
【００５９】ＢＣｌ3 ＋Ｃｌ2 をエッチングガスとして
使用すると、ＡｌのエッチングレートをＳｉＯ2 よりも
極めて大きくとれるので、Ａｌ／ＳｉＯ2 の選択比を１
０以上にすることができる（例えば、文献１８参
照。）。したがって、中間層１４をＳｉＯ2 、下層１２
をＡｌとし、前記エッチングガスをエッチングにおい
て用いることにより、中間層１４をマスクとして下層１
２をエッチングすることができる。また、中間層１４を
Ａｌ、下層１２をＳｉＯ2 とし、前記エッチングガスを
エッチングにおいて用いることにより、下層１２をエ
ッチングすることなく中間層１４を除去することができ
る。
使用すると、ＡｌのエッチングレートをＳｉＯ2 よりも
極めて大きくとれるので、Ａｌ／ＳｉＯ2 の選択比を１
０以上にすることができる（例えば、文献１８参
照。）。したがって、中間層１４をＳｉＯ2 、下層１２
をＡｌとし、前記エッチングガスをエッチングにおい
て用いることにより、中間層１４をマスクとして下層１
２をエッチングすることができる。また、中間層１４を
Ａｌ、下層１２をＳｉＯ2 とし、前記エッチングガスを
エッチングにおいて用いることにより、下層１２をエ
ッチングすることなく中間層１４を除去することができ
る。
【００６０】ＳｉＣｌ4 をエッチングガスとして使用す
ると、ＡｌのエッチングレートをＳｉ、ＳｉＯ2 、Ｓｉ
3 Ｎ4 よりも極めて大きくとれるので、Ａｌ／Ｓｉ、Ｓ
ｉＯ2 、Ｓｉ3 Ｎ4 の選択比を１０以上にすることがで
きる（例えば、文献２０参照。）。したがって、中間層
１４をＳｉ、ＳｉＯ2 又はＳｉ3 Ｎ4 、下層１２をＡｌ
とし、前記エッチングガスをエッチングにおいて用い
ることにより、中間層１４をマスクとして下層１２をエ
ッチングすることができる。また、中間層１４をＡｌ、
下層１２をＳｉ、ＳｉＯ2 又はＳｉ3 Ｎ4 とし、前記エ
ッチングガスをエッチングにおいて用いることによ
り、下層１２をエッチングすることなく中間層１４を除
去することができる。
ると、ＡｌのエッチングレートをＳｉ、ＳｉＯ2 、Ｓｉ
3 Ｎ4 よりも極めて大きくとれるので、Ａｌ／Ｓｉ、Ｓ
ｉＯ2 、Ｓｉ3 Ｎ4 の選択比を１０以上にすることがで
きる（例えば、文献２０参照。）。したがって、中間層
１４をＳｉ、ＳｉＯ2 又はＳｉ3 Ｎ4 、下層１２をＡｌ
とし、前記エッチングガスをエッチングにおいて用い
ることにより、中間層１４をマスクとして下層１２をエ
ッチングすることができる。また、中間層１４をＡｌ、
下層１２をＳｉ、ＳｉＯ2 又はＳｉ3 Ｎ4 とし、前記エ
ッチングガスをエッチングにおいて用いることによ
り、下層１２をエッチングすることなく中間層１４を除
去することができる。
【００６１】Ｃｌ2 、ＳｉＣｌ4 等をエッチングガスと
して使用すると、ＡｌＳｉＣｕのエッチングレートをＳ
ｉＯ2 よりも極めて大きくとれるので、ＡｌＳｉＣｕ／
ＳｉＯ2 の選択比を１０以上にすることができる（例え
ば、文献２１参照。）。したがって、中間層１４をＳｉ
Ｏ、下層１２をＡｌＳｉＣｕとし、前記エッチングガス
をエッチングにおいて用いることにより、中間層１４
をマスクとして下層１２をエッチングすることができ
る。また、中間層１４をＡｌＳｉＣｕ、下層１２をＳｉ
Ｏ2 とし、前記エッチングガスをエッチングにおいて
用いることにより、下層１２をエッチングすることなく
中間層１４を除去することができる。
して使用すると、ＡｌＳｉＣｕのエッチングレートをＳ
ｉＯ2 よりも極めて大きくとれるので、ＡｌＳｉＣｕ／
ＳｉＯ2 の選択比を１０以上にすることができる（例え
ば、文献２１参照。）。したがって、中間層１４をＳｉ
Ｏ、下層１２をＡｌＳｉＣｕとし、前記エッチングガス
をエッチングにおいて用いることにより、中間層１４
をマスクとして下層１２をエッチングすることができ
る。また、中間層１４をＡｌＳｉＣｕ、下層１２をＳｉ
Ｏ2 とし、前記エッチングガスをエッチングにおいて
用いることにより、下層１２をエッチングすることなく
中間層１４を除去することができる。
【００６２】ＣＣｌ4 をエッチングガスとして使用する
と、ＡｌＳｉのエッチングレートをＳｉよりも極めて大
きくとれるので、ＡｌＳｉ／Ｓｉの選択比を１０以上に
することができる（例えば、文献２２参照。）。したが
って、中間層１４をＳｉ、下層１２をＡｌＳｉとし、前
記エッチングガスをエッチングにおいて用いることに
より、中間層１４をマスクとして下層１２をエッチング
することができる。また、中間層１４をＡｌＳｉ、下層
１２をＳｉとし、前記エッチングガスをエッチングに
おいて用いることにより、下層１２をエッチングするこ
となく中間層１４を除去することができる。
と、ＡｌＳｉのエッチングレートをＳｉよりも極めて大
きくとれるので、ＡｌＳｉ／Ｓｉの選択比を１０以上に
することができる（例えば、文献２２参照。）。したが
って、中間層１４をＳｉ、下層１２をＡｌＳｉとし、前
記エッチングガスをエッチングにおいて用いることに
より、中間層１４をマスクとして下層１２をエッチング
することができる。また、中間層１４をＡｌＳｉ、下層
１２をＳｉとし、前記エッチングガスをエッチングに
おいて用いることにより、下層１２をエッチングするこ
となく中間層１４を除去することができる。
【００６３】図１２乃至図１４は、中間層１４／上層１
６の選択比の違いによる中間層１４及び上層１６の膜厚
を示す概略断面図である。以下、これらの図面に基づき
説明する。
６の選択比の違いによる中間層１４及び上層１６の膜厚
を示す概略断面図である。以下、これらの図面に基づき
説明する。
【００６４】図１２（ａ）に示すように、中間層１４／
上層１６の選択比が０．１の場合は、上層１６の膜厚１
６ｔが１００ｎｍであれば、中間層１４の膜厚１４ｔは
膜厚１６ｔの１／１０の１０ｎｍ以下であればよい。こ
のとき、図１２（ｂ）に示すように、上層１６の開口部
１６ａの下部開口幅ＲB と、中間層１４の開口部１４ａ
の下部開口幅ＦB とを、ほぼ等しく形成できる。なお、
膜厚１４ｔを１０ｎｍ以上とすると、開口部１４ａを形
成し終わる以前に、上層１６が消滅してしまうことにな
る。
上層１６の選択比が０．１の場合は、上層１６の膜厚１
６ｔが１００ｎｍであれば、中間層１４の膜厚１４ｔは
膜厚１６ｔの１／１０の１０ｎｍ以下であればよい。こ
のとき、図１２（ｂ）に示すように、上層１６の開口部
１６ａの下部開口幅ＲB と、中間層１４の開口部１４ａ
の下部開口幅ＦB とを、ほぼ等しく形成できる。なお、
膜厚１４ｔを１０ｎｍ以上とすると、開口部１４ａを形
成し終わる以前に、上層１６が消滅してしまうことにな
る。
【００６５】図１３（ａ）に示すように、中間層１４／
上層１６の選択比が１の場合は、膜厚１６ｔが１００ｎ
ｍであれば、膜厚１４ｔは膜厚１６ｔの１／１の１００
ｎｍ以下であればよい。このとき、図１３（ｂ）に示す
ように、開口部１６ａの下部開口幅ＲB と開口部１４ａ
の下部開口幅ＦB とを、ほぼ等しく形成できる。
上層１６の選択比が１の場合は、膜厚１６ｔが１００ｎ
ｍであれば、膜厚１４ｔは膜厚１６ｔの１／１の１００
ｎｍ以下であればよい。このとき、図１３（ｂ）に示す
ように、開口部１６ａの下部開口幅ＲB と開口部１４ａ
の下部開口幅ＦB とを、ほぼ等しく形成できる。
【００６６】図１４（ａ）に示すように、中間層１４／
上層１６の選択比が５の場合は、膜厚１６ｔが１００ｎ
ｍであれば、膜厚１４ｔは膜厚１６ｔの５／１の５００
ｎｍ以下であればよい。図１４は、膜厚１４ｔを３００
ｎｍとした場合を示している。このとき、図１４（ｂ）
に示すように、開口部１６ａの下部開口幅ＲB と開口部
１４ａの下部開口幅ＦB とを、ほぼ等しく形成できる。
上層１６の選択比が５の場合は、膜厚１６ｔが１００ｎ
ｍであれば、膜厚１４ｔは膜厚１６ｔの５／１の５００
ｎｍ以下であればよい。図１４は、膜厚１４ｔを３００
ｎｍとした場合を示している。このとき、図１４（ｂ）
に示すように、開口部１６ａの下部開口幅ＲB と開口部
１４ａの下部開口幅ＦB とを、ほぼ等しく形成できる。
【００６７】このように、中間層１４／上層１６の選択
比が１以下であっても、中間層１４をエッチングマスク
として使用可能である。また、中間層１４／上層１６の
選択比が１よりも大きい場合は、中間層１４の膜厚１４
ｔを上層１６の膜厚１６ｔよりも厚くできるので、エッ
チングにおける下層１２／中間層１４の選択比が小さ
い場合でも、中間層１４をエッチングマスクとして使用
可能である。さらに、図１２乃至図１４から明らかなよ
うに、中間層１４の膜厚１４ｔをＤ、上層１６の膜厚１
６ｔをｄ、中間層１４／上層１６の選択比をｎとすれ
ば、Ｄ≦（ｄ×ｎ）であればよい。
比が１以下であっても、中間層１４をエッチングマスク
として使用可能である。また、中間層１４／上層１６の
選択比が１よりも大きい場合は、中間層１４の膜厚１４
ｔを上層１６の膜厚１６ｔよりも厚くできるので、エッ
チングにおける下層１２／中間層１４の選択比が小さ
い場合でも、中間層１４をエッチングマスクとして使用
可能である。さらに、図１２乃至図１４から明らかなよ
うに、中間層１４の膜厚１４ｔをＤ、上層１６の膜厚１
６ｔをｄ、中間層１４／上層１６の選択比をｎとすれ
ば、Ｄ≦（ｄ×ｎ）であればよい。
【００６８】なお、図１５に示すように、中間層１４の
膜厚１４ｔが下層１２の膜厚１２ｔ（ピットの深さ）の
１／１０程度であれば、上層１６／中間層１４の選択比
が１程度であっても、光学系によって決まるスポット径
（図１５（ａ）に示すＲT )より微細な幅（図１５
（ｂ）に示すＦT ）のピットを作成することができる。
膜厚１４ｔが下層１２の膜厚１２ｔ（ピットの深さ）の
１／１０程度であれば、上層１６／中間層１４の選択比
が１程度であっても、光学系によって決まるスポット径
（図１５（ａ）に示すＲT )より微細な幅（図１５
（ｂ）に示すＦT ）のピットを作成することができる。
【００６９】
【発明の効果】請求項１乃至５記載の記録原盤の製造方
法によれば、中間層をマスクとして下層又は基板をエッ
チングする工程を備えたことにより、フォトレジスト層
をマスクとする従来技術では得られない、高度な垂直異
方性及び高い選択比を容易に得ることができる。したが
って、記録原盤の凹部の側壁を容易に垂直に形成できる
ことにより、光ディスクの高密度化を達成できる。
法によれば、中間層をマスクとして下層又は基板をエッ
チングする工程を備えたことにより、フォトレジスト層
をマスクとする従来技術では得られない、高度な垂直異
方性及び高い選択比を容易に得ることができる。したが
って、記録原盤の凹部の側壁を容易に垂直に形成できる
ことにより、光ディスクの高密度化を達成できる。
【００７０】また、光学系によって決まるスポット径及
び中間層／上層の選択比で決まるスポット径より微細な
幅のピットを作成することができる。したがって、ピッ
ト又はグルーブの幅を小さくできることから、光ディス
クの高密度化を達成できる。しかも、光学系によってピ
ット又はグルーブの幅が決定されるのではないため、光
学系の設定を変える煩雑な作業をする必要がないばかり
か、光学系の設定ミスによるピット等の非対称性やその
他のゆがみ等を防止できる。さらに、基板又は下層／中
間層の選択比を大きく取れ、かつ中間層が除去可能であ
るため、ピット又はグルーブ開口部の上部開口幅と下部
開口幅のほぼ等しい矩形状のピット又はグルーブの形成
が可能となり、再生信号の品質がよい光ディスクを提供
できる。
び中間層／上層の選択比で決まるスポット径より微細な
幅のピットを作成することができる。したがって、ピッ
ト又はグルーブの幅を小さくできることから、光ディス
クの高密度化を達成できる。しかも、光学系によってピ
ット又はグルーブの幅が決定されるのではないため、光
学系の設定を変える煩雑な作業をする必要がないばかり
か、光学系の設定ミスによるピット等の非対称性やその
他のゆがみ等を防止できる。さらに、基板又は下層／中
間層の選択比を大きく取れ、かつ中間層が除去可能であ
るため、ピット又はグルーブ開口部の上部開口幅と下部
開口幅のほぼ等しい矩形状のピット又はグルーブの形成
が可能となり、再生信号の品質がよい光ディスクを提供
できる。
【００７１】請求項１記載の記録原盤の製造方法によれ
ば、第一の被エッチング材からなる下層を設けたので、
下層及び中間層の材料とエッチング方法との組み合わせ
を多様化できるので、高度な垂直異方性及び高い選択比
をより容易に得ることができる。
ば、第一の被エッチング材からなる下層を設けたので、
下層及び中間層の材料とエッチング方法との組み合わせ
を多様化できるので、高度な垂直異方性及び高い選択比
をより容易に得ることができる。
【００７２】請求項２記載の記録原盤の製造方法によれ
ば、下層を省略したので、製造方法を簡略化できる。
ば、下層を省略したので、製造方法を簡略化できる。
【００７３】請求項３記載の記録原盤の製造方法によれ
ば、残留した中間層を除去する工程を設けたことによ
り、記録原盤の凹部の側壁をより垂直に形成できる。
ば、残留した中間層を除去する工程を設けたことによ
り、記録原盤の凹部の側壁をより垂直に形成できる。
【００７４】請求項４記載の記録原盤の製造方法によれ
ば、現像後の上層に遠紫外光を照射する工程を設けたこ
とにより、上層の耐熱性及び耐エッチング性を向上でき
るので、記録原盤の凹部の側壁をより垂直に形成でき
る。
ば、現像後の上層に遠紫外光を照射する工程を設けたこ
とにより、上層の耐熱性及び耐エッチング性を向上でき
るので、記録原盤の凹部の側壁をより垂直に形成でき
る。
【００７５】請求項５記載の記録原盤の製造方法によれ
ば、現像後の上層に遠紫外光を照射し、その後高熱処理
をする工程を設けたことにより、上層の耐熱性及び耐エ
ッチング性をより向上できるので、記録原盤の凹部の側
壁をより垂直に形成できる。
ば、現像後の上層に遠紫外光を照射し、その後高熱処理
をする工程を設けたことにより、上層の耐熱性及び耐エ
ッチング性をより向上できるので、記録原盤の凹部の側
壁をより垂直に形成できる。
【図１】本発明に係る記録原盤の製造方法の一実施形態
を示す概略断面図であり、図１（ａ）、図１（ｂ）、図
１（ｃ）の順に工程が進行する。
を示す概略断面図であり、図１（ａ）、図１（ｂ）、図
１（ｃ）の順に工程が進行する。
【図２】本発明に係る記録原盤の製造方法の一実施形態
を示す概略断面図であり、図１（ｃ）に続き、図２
（ｄ）、図２（ｅ）、図２（ｆ）の順に工程が進行す
る。
を示す概略断面図であり、図１（ｃ）に続き、図２
（ｄ）、図２（ｅ）、図２（ｆ）の順に工程が進行す
る。
【図３】本発明に係る記録原盤の製造方法の一実施形態
を示す概略断面図であり、図２（ｆ）に続き、図３
（ｇ）、図３（ｈ）、図３（ｉ）の順に工程が進行す
る。
を示す概略断面図であり、図２（ｆ）に続き、図３
（ｇ）、図３（ｈ）、図３（ｉ）の順に工程が進行す
る。
【図４】図３の記録原盤を用いた光ディスクの製造方法
の一例を示す図であり、図３（ｉ）に続き、図４
（ｊ）、図４（ｋ）、図４（ｌ）の順に工程が進行す
る。
の一例を示す図であり、図３（ｉ）に続き、図４
（ｊ）、図４（ｋ）、図４（ｌ）の順に工程が進行す
る。
【図５】図３の記録原盤を用いた光ディスクの製造方法
の一例を示す図であり、図４（ｌ）に続き、図５
（ｍ）、図５（ｎ）の順に工程が進行する。
の一例を示す図であり、図４（ｌ）に続き、図５
（ｍ）、図５（ｎ）の順に工程が進行する。
【図６】図３の記録原盤を用いた光ディスクの製造方法
の一例を示す図であり、図５（ｎ）に続き、図６
（ｏ）、図６（ｐ）、図６（ｑ）の順に工程が進行す
る。
の一例を示す図であり、図５（ｎ）に続き、図６
（ｏ）、図６（ｐ）、図６（ｑ）の順に工程が進行す
る。
【図７】図１乃至図３の記録原盤の製造方法で用いられ
る、基板、下層及び中間層の材料とエッチング方法との
組み合わせの第一例を示した図表である。
る、基板、下層及び中間層の材料とエッチング方法との
組み合わせの第一例を示した図表である。
【図８】図１乃至図３の記録原盤の製造方法で用いられ
る、基板、下層及び中間層の材料とエッチング方法との
組み合わせの第二例を示した図表である。
る、基板、下層及び中間層の材料とエッチング方法との
組み合わせの第二例を示した図表である。
【図９】図１乃至図３の記録原盤の製造方法で用いられ
る、基板、下層及び中間層の材料とエッチング方法との
組み合わせの第三例を示した図表である。
る、基板、下層及び中間層の材料とエッチング方法との
組み合わせの第三例を示した図表である。
【図１０】図１乃至図３の記録原盤の製造方法で用いら
れる、基板、下層及び中間層の材料とエッチング方法と
の組み合わせの第四例を示した図表である。
れる、基板、下層及び中間層の材料とエッチング方法と
の組み合わせの第四例を示した図表である。
【図１１】図１乃至図３の記録原盤の製造方法で用いら
れる、中間層又は下層の材料とエッチングガスとの組み
合わせによるエッチングレートが、記載された参考文献
を示す図表である。
れる、中間層又は下層の材料とエッチングガスとの組み
合わせによるエッチングレートが、記載された参考文献
を示す図表である。
【図１２】図１乃至図３の記録原盤の製造方法におけ
る、中間層／上層の選択比の違いによる中間層及び上層
の膜厚の第一例を示す概略断面図であり、図１２（ａ）
は図２（ｄ）に対応し、図１２（ｂ）は図３（ｈ）に対
応している。
る、中間層／上層の選択比の違いによる中間層及び上層
の膜厚の第一例を示す概略断面図であり、図１２（ａ）
は図２（ｄ）に対応し、図１２（ｂ）は図３（ｈ）に対
応している。
【図１３】図１乃至図３の記録原盤の製造方法におけ
る、中間層／上層の選択比の違いによる中間層及び上層
の膜厚の第二例を示す概略断面図であり、図１３（ａ）
は図２（ｄ）に対応し、図１３（ｂ）は図３（ｈ）に対
応している。
る、中間層／上層の選択比の違いによる中間層及び上層
の膜厚の第二例を示す概略断面図であり、図１３（ａ）
は図２（ｄ）に対応し、図１３（ｂ）は図３（ｈ）に対
応している。
【図１４】図１乃至図３の記録原盤の製造方法におけ
る、中間層／上層の選択比の違いによる中間層及び上層
の膜厚の第三例を示す概略断面図であり、図１４（ａ）
は図２（ｄ）に対応し、図１４（ｂ）は図３（ｈ）に対
応している。
る、中間層／上層の選択比の違いによる中間層及び上層
の膜厚の第三例を示す概略断面図であり、図１４（ａ）
は図２（ｄ）に対応し、図１４（ｂ）は図３（ｈ）に対
応している。
【図１５】図１乃至図３の記録原盤の製造方法におけ
る、下層及び中間層の膜厚の一例を示す概略断面図であ
り、図１５（ａ）は図２（ｄ）に対応し、図１５（ｂ）
は図３（ｈ）に対応している。
る、下層及び中間層の膜厚の一例を示す概略断面図であ
り、図１５（ａ）は図２（ｄ）に対応し、図１５（ｂ）
は図３（ｈ）に対応している。
【図１６】従来技術により製造した光ディスクの断面図
である。
である。
【図１７】従来技術における記録原盤工程を示す断面図
である。
である。
【図１８】他の従来技術における記録原盤の製造方法を
示す概略断面図であり、図１８（ａ）、図１８（ｂ）、
図１８（ｃ）の順に工程が進行する。
示す概略断面図であり、図１８（ａ）、図１８（ｂ）、
図１８（ｃ）の順に工程が進行する。
【図１９】図１８の記録原盤の製造方法におけるエッチ
ングの状態を示す概略断面図である。
ングの状態を示す概略断面図である。
１０ 基板 １２ 下層 １４ 中間層 １６ 上層 １８ 記録原盤
Claims (5)
- 【請求項１】 基板の表面に、第一の被エッチング材か
らなる下層、第二の被エッチング材からなる中間層及び
フォトレジストからなる上層をこの順に積層する第一工
程と、この上層に記録情報となるパターンを露光及び現
像する第二工程と、この露光及び現像された上層をマス
クとして前記中間層をエッチングする第三工程と、この
エッチングされた中間層をマスクとして前記下層をエッ
チングする第四工程とを備えた、光ディスク用記録原盤
の製造方法。 - 【請求項２】 基板の表面に、被エッチング材からなる
中間層及びフォトレジストからなる上層をこの順に積層
する第一工程と、この上層に記録情報となるパターンを
露光及び現像する第二工程と、この露光及び現像された
上層をマスクとして前記中間層をエッチングする第三工
程と、このエッチングされた中間層をマスクとして前記
基板をエッチングする第四工程とを備えた、光ディスク
用記録原盤の製造方法。 - 【請求項３】 前記第四工程の次に、残留した前記中間
層を除去する第五工程を設けたことを特徴とする、請求
項１又は２記載の光ディスク用記録原盤の製造方法。 - 【請求項４】 前記第二工程と前記第三工程との間に、
前記上層に遠紫外光を照射する工程を設けたことを特徴
とする、請求項１又は２記載の光ディスク用記録原盤の
製造方法。 - 【請求項５】 前記第二工程と前記第三工程との間に、
前記上層に遠紫外光を照射し、その後高熱処理をする工
程を設けたことを特徴とする、請求項１又は２記載の光
ディスク用記録原盤の製造方法。
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|---|---|---|---|
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| JP3058062B2 JP3058062B2 (ja) | 2000-07-04 |
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