JPH10325804A - 検査方法及び検査装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】被検査マスクのパターン状態を考慮して、検査
装置の検査速度を適切に設定することにより、欠陥検査
中のキックダウンやリトライを減らし、マスクの欠陥検
査の効率化を図る。 【解決手段】本発明の検査方法によれば、被検査パター
ン５における所定のスライス３１乃至３７に含まれる区
分けされたチップ４ａ、４ｂ、４ｃに対応するパラメタ
１００，８０，６０に基づき、所定のスライス３１乃至
３７における検査速度を決定するステップと、決定され
た検査速度で、所定のスライス３１乃至３７内のパター
ン５を読み取るステップと、読み取ったパターン５と理
想パターンとを比較するステップとを有するので、パタ
ーンの状態に応じて適切に検査速度を設定でき、それに
よりいわゆるキックダウンやリトライを未然に防止で
き、検査の効率を向上させることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、たとえば半導体製
造に用いるマスク上に形成されるようなパターンの欠陥
検査に用いられる検査方法及び検査装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体製造工程においては、マスク（レ
チクル）上の微細なパターンを投影露光することによっ
て、ウエハ（基板）に焼き付けるようにしている。とこ
ろで、かかるマスクのパターンは極めて微細であるた
め、パターンをマスク上に描画する描画機の精度上の問
題やゴミの存在等様々な理由により、マスク形成時に設
計パターンと細部において異なるパターンが描画される
場合もある。このような異なるパターンを有するマスク
を用いて投影露光を行うと、正常な機能を発揮し得ない
半導体素子が製造される恐れがある。そこで、投影露光
に先立ちマスクの欠陥検査が通常行われている。

【０００３】このマスクの欠陥検査は、マスクの設計パ
ターンを画像データ化したものと、実際のマスクのパタ
ーンを画像データ化したものとを重ね合わせて比較する
ことにより行う。そして、それらの間に異なる領域すな
わち不一致の部分がある場合に、被検査マスクは欠陥で
あると判定される。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところで、かかる欠陥
検査においては、被検査マスクのパターンを光学的に読
み取って画像データに変換し、リアルタイムで設計パタ
ーンの画像データと比較し欠陥判定を行っている。

【０００５】しかるに、近年、半導体の集積度が向上
し、マスク上のパターンの線幅が細くなり、単位面積あ
たりに存在するパターンの数が多く（密度が高く）なっ
たため、パターンの比較と判定に必要な時間が長くなる
傾向が顕著となってきた。上述したように、パターンの
読み取りと比較・判定はリアルタイム処理により同時に
進行するので、比較が遅れればその判定前に次の読み取
りが開始されてしまい、その検査結果は不適切なものと
なってしまう。

【０００６】従って従来技術においては、このような場
合に、比較の遅れを任意の方法により検知して、パター
ンの読み取り速度を低下させることにより比較・判定に
必要な時間を稼ぐ、いわゆるキックダウンという手法を
用いていた。しかしながら、一旦キックダウンが生じる
と、キックダウンが発生した部分に関して、マスク上の
パターンを再度画像データ化して比較・判定を行う、い
わゆるリトライと呼ばれる検査のやり直しが必要となっ
ていた。

【０００７】一方、従来技術においては、欠陥検査にお
いて、最高の効率で検査を行おうとするあまり、被検査
マスクのパターン密度を無視して、パターンの読み取り
速度を速く設定し、そのためキックダウンやリトライを
多く発生させる場合も多かった。

【０００８】このように、キックダウンやリトライが多
発すると、マスクの欠陥検査にかかる時間が不必要に延
び、検査の歩留まりが悪くなる。ちなみに、従来技術に
おけるマスクの欠陥検査は、例えば６インチのマスクで
約３時間を要する場合がある。

【０００９】上記問題点に鑑み、本発明は、被検査マス
クのパターン状態を考慮して、検査装置の検査速度を適
切に設定することにより、欠陥検査中のキックダウンや
リトライを減らし、マスクの欠陥検査の効率化を図るこ
とを目的とする。

【００１０】上記目的を達成すべく、本発明の被検査パ
ターンを検査する検査方法は、被検査パターン（５）
を、パターン状態に応じて区分けするステップと、被検
査パターン（５）の区分けされた部分（４ａ、４ｂ、４
ｃ）毎に、そのパターン状態に応じてパラメタ（１０
０，８０，６０）を設定するステップと、所定の検査領
域に含まれる区分けされた部分（４ａ、４ｂ、４ｃ）に
対応するパラメタ（１００，８０，６０）に基づき、所
定の検査領域における検査速度を決定するステップと、
決定された検査速度で、所定の検査領域内のパターン
（５）を読み取るステップと、読み取ったパターン
（５）と理想パターンとを比較するステップとを有する
ことを特徴とする。

【００１１】本発明の検査方法によれば、被検査パター
ン（５）における所定の検査領域に含まれる区分けされ
た部分（４ａ、４ｂ、４ｃ）に対応するパラメタ（１０
０，８０，６０）に基づき、所定の検査領域における検
査速度を決定するステップと、決定された検査速度で、
所定の検査領域内のパターン（５）を読み取るステップ
と、読み取ったパターン（５）と理想パターンとを比較
するステップとを有するので、パターンの状態に応じて
適切に検査速度を設定でき、それによりいわゆるキック
ダウンやリトライを未然に防止でき、検査の効率を向上
させることができる。

【００１２】更に、本発明による検査装置は、被検査パ
ターン（５）の区分けされた部分（４ａ、４ｂ、４ｃ）
毎に、そのパターン状態に応じてパラメタ（１００，８
０，６０）を設定する設定装置（２６）と、所定の検査
領域に含まれる区分けされた部分（４ａ、４ｂ、４ｃ）
に対応するパラメタに基づき、所定の検査領域における
検査速度を決定する決定装置（２４）と、被検査パター
ン（５）を、所定の検査領域毎に決定された検査速度で
光学的に読み取り、画像データに変換する変換装置（１
３，１６）と、被検査パターン（５）の理想データを記
憶する記憶装置（１７）と、変換装置（１３，１６）か
ら出力された被検査パターン（５）の画像データと、記
憶装置（１７）から出力された理想データとを比較する
比較装置（２１）とを備えていることを特徴とする。

【００１３】本発明の検査装置によれば、被検査パター
ン（５）の区分けされた部分（４ａ、４ｂ、４ｃ）毎
に、そのパターン状態に応じてパラメタ（１００，８
０，６０）を設定する設定装置（２６）と、所定の検査
領域に含まれる区分けされた部分（４ａ、４ｂ、４ｃ）
に対応するパラメタに基づき、所定の検査領域における
検査速度を決定する決定装置（２４）と、被検査パター
ン（５）を、所定の検査領域毎に決定された検査速度で
光学的に読み取り、画像データに変換する変換装置（１
３，１６）とを備えているので、パターンの状態に応じ
て適切に検査速度を設定でき、それによりいわゆるキッ
クダウンやリトライを未然に防止でき、検査の効率を向
上させることができる。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づき説明する。まず、本実施の形態にかかる検査方
法を説明する前に、欠陥検査装置及びその検査の概要を
説明する。図１は、本発明のマスクを検査する欠陥検査
装置を示したものである。

【００１５】図１において、ＸＹステージ１３上に被検
査マスク１が載置されている。ＸＹステージ１３の下方
に配置された透過光源１１からの照明光は、コンデンサ
レンズ１２により集光されてマスク１を照明し、それに
よりマスク１のパターンが、対物レンズ１５によりライ
ンＣＣＤ１６に結像されるようになっている。ラインＣ
ＣＤ１６から出力された、このパターンに対応する二値
化画像信号が、一時的に画像記憶装置２０に記憶され
る。なお、ラインＣＣＤ１６は、一列の光電変換素子か
らなるものであるため、一度にマスク１の全パターンを
読み取ることはできず、一列の光電変換素子が受光した
パターンに対応する画像信号のみが、画像記憶装置２０
に記憶される。ＸＹステージ１３とラインＣＣＤ１６と
で変換装置を構成する。

【００１６】このように画像記憶装置２０に一時的に記
憶された画像信号は、画像記憶装置１９に記憶された画
像信号と、ステージ位置入力装置２５で得られたステー
ジ位置座標を考慮して画像比較装置２１を用いてリアル
タイムで比較され、互いの画像信号の差異が抽出され
る。この差異が所定値より大きい場合、欠陥判定装置２
２により欠陥有りと判定される。かかる比較・判定と並
行して、ＸＹステージ１３を移動させ、隣接するパター
ンをラインＣＣＤ１６により読み取る。以下、同様に比
較・判定が繰り返され、パターン全面について検査が行
われる。

【００１７】一方図２は、欠陥検査すべきマスクを回路
パターンと共に示した図である。図２において、矩形状
のマスク１は、中央に半導体回路パターン５を形成し、
その周囲に枠状の遮光体２を形成している。またマスク
１の図中左右縁近傍と下縁近傍とに、マスクアライメン
ト用のマーク３ａ、３ｃ、３ｂとをそれぞれ形成してい
る。

【００１８】回路パターン５の内側には、クロムを極め
て細い電子ビームで切り出すことにより形成されたパタ
ーンの部分集合であるチップ４ａ、４ｂ、４ｃが配置さ
れており、それぞれパターン密度が異なっている。チッ
プ４ａはパターン密度が相対的に疎であり、チップ４ｂ
はやや密であり、チップ４ｃは非常に密である。

【００１９】なお、ここで使用する「密度」なる語句
は、単にクロムパターンの相対面積が広いことを意味せ
ず、例えばパターンの線幅が狭いとか曲線が多用されて
いる等の理由により、パターン同士を比較する上で時間
のかかる状態を意味する。

【００２０】ところで、上述したことより明らかである
が、ＸＹステージ１３の移動速度は、ラインＣＣＤ１６
の応答時間や画像信号の記憶装置２０へのデータ転送時
間等を無視して設定することはできないが、ラインＣＣ
Ｄ１６の応答時間等を考慮した範囲内では、ＸＹステー
ジ１３の速度を自由に設定でき、またその範囲でＸＹス
テージ１３を高速で動作させれば、それだけ検査の時間
を短縮することができるとも考えられる。

【００２１】しかしながら、ただ単にＸＹステージ１３
の移動を高速にしても、マスク１上のパターンの密度が
部分的に高くなれば、画像比較装置２１におけるパター
ンの比較時間が長くなるため、上述したキックダウン及
びリトライが生じ、結果として検査時間が長くなってし
まう。一方、当初からＸＹステージ１３の移動を低速と
すると、キックダウン等は生じないものの、検査時間は
同様に長くなってしまう。

【００２２】これに対し、例えば、マスク１におけるチ
ップ４ａのクロムパターンを検査する時は高速で検査を
行い、チップ４ｂや４ｃのクロムパターンを検査する時
はより低速で検査を行うことができるよう、検査速度を
可変とすれば、キックダウン等が発生する恐れが低くな
り、よってマスクの欠陥検査の効率を向上させることが
できる。

【００２３】そこで、本発明の実施の形態においては、
このようなマスク１のパターンの密度を考慮して、パタ
ーンの密度が高い時はＸＹステージ１３の移動速度を遅
くするよう、ＸＹステージ１３を制御するステージ制御
機構２４を設けている。即ち、パターン設計データ記憶
装置１７にチップの密度に対応して速度パラメタを記憶
させておき、検査時にこの速度パラメタを読み出してＸ
Ｙステージ１３の移動速度を変更することにより、キッ
クダウン等を減らし、検査の効率を向上させるように工
夫しているのである。

【００２４】なお、本実施の形態においては、検査速度
は、ＸＹステージ１３の移動速度（タイミング）に対応
しているが、これは１回の比較・判定に要する時間によ
りその上限が決定される。従って、例えばラインＣＣＤ
１６における一度にパターンを読み取る受光素子の幅
（後述するスライスの幅）を変えることによっても、比
較・判定に要する時間は変わりうるので、それにより検
査速度を変更することもできる。

【００２５】より具体的に、更に本発明の実施の形態を
説明する。図３は、本実施の態様にかかる検査速度パラ
メタを説明する図である。図３のチップの種類に記載し
てある４ａ、４ｂ、４ｃは、それぞれ図１のチップ４
ａ、４ｂ、４ｃに対応している。検査速度パラメタは、
大きい値であるほどＸＹステージ１３の移動速度を早く
することを意味しており、具体的には、チップ４ａに対
しては大きく（１００）、チップ４ｃに対しては小さく
（６０）設定され、チップ４ｂに対してはその中間（８
０）に設定されている。かかるパラメタは、全て設計デ
ータ記憶装置１７に記憶されている。

【００２６】検査速度パラメタは、該当するチップを検
査する前にあらかじめパターン設計データ記憶装置１７
より読み出され、決定装置としてのステージ制御装置２
４に入力されて、検査時のＸＹステージ１３の移動速度
を変化させるために用いられる。なお、検査速度パラメ
タは、表示装置２３により表示され、オペレータがチェ
ック可能となっている。設定されている検査速度パラメ
タが適切であれば、検査中のキックダウンやリトライは
発生しないこととなるので、マスクの欠陥検査の効率を
向上させることができる。

【００２７】つぎに、検査速度パラメタの設定方法につ
いて説明する。図５、６は検査速度パラメタの設定の手
順を説明するためのフローチャートであり、図２のパタ
ーン設計データ記憶装置１７に、検査速度パラメタを記
憶させる手順を示している。

【００２８】図５のＳ５１〜Ｓ５４は、オペレータによ
るパターン設計データ記憶装置１７への入力手順を示し
ている。まず、ステップＳ５１において、設定装置とし
ての入力装置２６によりチップの設計データを入力す
る。続くステップＳ５２において、マスク１上における
チップの配置情報を、入力装置２６により入力する。な
お、以上のステップは従来技術においても同様に行われ
る。

【００２９】さらに、本実施の形態による検査方法を実
施するためには、検査速度パラメタの入力が必要にな
る。そこで、検査速度パラメタが既知である場合、すな
わち、すでにパターン設計データ記憶装置１７にチップ
に対応する検査速度パラメタが記憶されている場合は、
表示装置２３により検査速度パラメタの表示が行われる
（ステップＳ５３）。

【００３０】ステップＳ５４において、多くの場合オペ
レータは、表示装置２３により表示された速度パラメタ
の値を、入力装置２６により入力することになる。一
方、検査速度パラメタが未知の場合は、オペレータがチ
ップのパターン密度を考慮して、経験等に基づき適当と
思われる値を設定する。ステップＳ５５において、全て
のチップにつき速度パラメタの入力が完了すれば、本手
順は終了する。一方、全てのチップにつき速度パラメタ
の入力が完了しないのであれば、再びステップＳ５１に
戻る。

【００３１】図２のマスクを検査する場合を例にとれ
ば、オペレータはステップＳ５１でチップ４ａ、４ｂ、
４ｃに関する設計データを入力し、ステップＳ５２でチ
ップ４ａ、４ｂ、４ｃに関する配置データを入力し、ス
テップＳ５４でチップ４ａ、４ｂ、４ｃに関する検査速
度パラメタ、すなわち図４の表示に基づき、１００、８
０、６０をそれぞれ速度パラメタとして入力することに
なる。

【００３２】一方、別の実施形態による図６のステップ
Ｓ６１〜Ｓ６４も、図５に示すステップと同じくパター
ン設計データ記憶装置１７への検査速度パラメタの入力
手順を示しているが、オペレータが検査速度パラメタに
関与することなく、検査装置が自動で検査速度パラメタ
を決定している点が異なっている。

【００３３】まず、ステップＳ６１において、チップの
設計データを入力する。続くステップＳ６２において、
マスク１上におけるチップの配置情報を入力する。な
お、以上のステップは図５のステップＳ５１，Ｓ５２と
同様である。

【００３４】ステップＳ６３においては、検査速度パラ
メタの自動設定がなされる。具体的には、検査装置は、
チップに対応する検査速度パラメタが既知の場合は既知
のデータを設定し、未知の場合は設定しうる最大の検査
速度パラメタを設定する。ステップＳ６４において、全
てのチップにつき速度パラメタの入力が完了すれば、本
手順は終了する。一方、全てのチップにつき速度パラメ
タの入力が完了しないのであれば、再びステップＳ６１
に戻る。

【００３５】つぎに、本実施の形態にかかる検査装置が
自動で、被検査マスクのチップに対応する検査速度パラ
メタを決定し、これを記憶する手法を説明する。

【００３６】図４は図２の欠陥検査装置を用いてマスク
３０を検査する手順を説明した図である。マスク１を搭
載したＸＹステージ１３（図２）はＹ方向に駆動され、
マスク３０のＹ方向下方に長い矩形（以下スライス）３
１に示す部分を、上述した態様でパターンを読み取り比
較することにより、欠陥検査する。

【００３７】次に、ＸＹステージ１３はＸ方向に、図２
のＣＣＤセンサ１６の幅だけ矢印３２のＸ方向に駆動さ
れる。このあとふたたびＸＹステージはＹ方向上方に駆
動され、スライス３３の部分を欠陥検査する。

【００３８】このようにして、欠陥検査装置は、スライ
ス３１、スライス３３、スライス３５の順に検査を行
い、スライス３７の検査を経て最後にスライス３６を検
査し、マスク３０全面の検査を終了する。ここで、チッ
プ３８ｂは図１の４ｂに対応し、チップ３８ｃは図１の
４ｃに対応している。

【００３９】検査装置は、スライス３１を検査する時
に、チップ３８ａと重なっている領域は、検査速度パラ
メタ１００に対応する速度で、ＸＹステージ１３を移動
させることにより検査を行い、チップ３８ｃと重なって
いる領域は、検査速度パラメタ６０に対応する速度で、
ＸＹステージ１３を移動させることにより同様に検査を
行う。スライス３７のように、Ｘ方向に並ぶ２つのチッ
プ３８ａとチップ３８ｂにまたがって検査する場合は、
２つのチップの検査速度パラメタに対応する検査速度の
うちの小さい速度で検査を行う。検査速度パラメタが適
正であれば、この方法により、キックダウンは発生しな
いこととなる。なお、チップとチップとの間は、検査速
度パラメタ１００に対応する最高検査速度で検査を行
う。

【００４０】もし、検査速度パラメタが適正でないチッ
プが存在したり、検査速度パラメタの値が未知のチップ
に対し装置が自動で最大検査速度パラメタを設定した場
合は、キックダウンが発生する。

【００４１】図７は、キックダウンが発生した時の検査
速度パラメタを自動書き換えする手法を示すフローチャ
ートである。まずステップＳ７１で検査を開始した後、
続くステップＳ７２で、設定された検査速度パラメタに
基づき検査を行っている最中にキックダウンが発生した
場合、そのスライスを再度検査し、キックダウンの発生
したチップ部分は、検査速度を減じて検査する（ステッ
プＳ７４）。

【００４２】それでもなおキックダウンが発生する場合
（ステップＳ７５）は、さらに検査速度を減じて検査す
べくステップＳ７４に戻る。一方、キックダウンが発生
しなくなったら、検査装置は、その時の検査速度パラメ
タをキックダウンの発生したチップの検査速度パラメタ
として、パターン設計データ記憶装置１７へ書き込む
（ステップＳ７６）。

【００４３】この書き込みにより、検査速度パラメタが
適正でなかったチップや、検査速度パラメタの値が未知
のチップのデータは適正な検査速度パラメタに書き換わ
り、以降のマスクの検査や、他のマスクで同一のチップ
を検査する場合に適正な検査速度パラメタを提供するこ
とができる。

【００４４】全てのエリアにつき欠陥検査が完了したと
判断されれば（ステップＳ７７）、本手順は終了する。
一方、全てのエリアにつき欠陥検査が完了しないと判断
されれば、再びステップＳ７２に戻る。

【００４５】以上述べた本実施の形態においては、マス
クの設計データを構成するパターンの部分集合（チッ
プ）ごとに速度パラメタをもうけ、これを記憶させてお
く。速度パラメタの未知のチップに対しては、オペレー
タが過去の経験から適当と思われる値を記憶させるか、
装置が自動で検査可能な最高の速度パラメタを記憶させ
ておく。

【００４６】マスクの検査を行う時は、被検査マスクに
おける、一つのスライスに含まれるチップに対応する速
度パラメタに基づく速度で、そのスライス分の検査を行
う。速度パラメタがチップごとに異なれば、マスクの検
査の速度は、チップの配置状況によりスライスごとに変
化する。

【００４７】速度パラメタの大きいチップは高速で検査
し、小さいチップは低速で検査することにより、マスク
検査において、キックダウンやリトライをすることなく
かつ全体として歩留まりよく検査することができる。も
し、記憶されている速度パラメタを用いてもキックダウ
ンが発生した場合は、その部分を再度速度を下げて検査
し、キックダウンがなくなる速度を特定し、対応するチ
ップの記憶されている速度パラメタを装置が自動で書き
換える。このような方法を用いることにより、オペレー
タが速度パラメタを関知することなく、自動でマスクの
検査の速度を最適とし、それによりマスクの欠陥検査の
歩留まりを３０ないし５０％も向上させることができ
る。

【００４８】

【発明の効果】以上述べたように、本発明の検査方法に
よれば、被検査パターンにおける所定の検査領域に含ま
れる区分けされた部分に対応するパラメタに基づき、所
定の検査領域における検査速度を決定するステップと、
決定された検査速度で、所定の検査領域内のパターンを
読み取るステップと、読み取ったパターンと理想パター
ンとを比較するステップとを有するので、パターンの状
態に応じて適切に検査速度を設定でき、それによりいわ
ゆるキックダウンやリトライを未然に防止でき、検査の
効率を向上させることができる。

【００４９】更に、本発明の検査装置によれば、被検査
パターンの区分けされた部分毎に、そのパターン状態に
応じてパラメタを設定する設定装置と、所定の検査領域
に含まれる区分けされた部分に対応するパラメタに基づ
き、所定の検査領域における検査速度を決定する決定装
置と、被検査パターンを、所定の検査領域毎に決定され
た検査速度で光学的に読み取り、画像データに変換する
変換装置とを備えているので、パターンの状態に応じて
適切に検査速度を設定でき、それによりいわゆるキック
ダウンやリトライを未然に防止でき、検査の効率を向上
させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本願発明の実施の態様にかかる、マスクの検査
装置の検査の手順を示す図である。

【図２】本願発明の実施例にかかるマスク１の上面図で
あり、クロムパターンを模式的に説明している図であ
る。

【図３】本実施の態様にかかる検査速度パラメタを説明
する図である。

【図４】図２の欠陥検査装置を用いてマスク３０を検査
する手順を説明した図である。

【図５】検査速度パラメタの設定の手順を説明するため
のフローチャートである。

【図６】検査速度パラメタの設定の手順を説明するため
のフローチャートである。

【図７】キックダウンが発生した時の検査速度パラメタ
を自動書き換えする手法を示すフローチャートである。

【符号の説明】

１、３０………マスク ２………遮光帯 ３ａ、３ｂ、３ｃ………アライメントマーク ４ａ、４ｂ、４ｃ………チップ ５………回路パターン

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【手続補正書】

【提出日】平成９年５月２６日

【手続補正２】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】発明の名称

【補正方法】変更

【補正内容】

【発明の名称】 検査方法及び検査装置

Claims (14)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 被検査パターンを検査する検査方法にお
   いて、 前記被検査パターンを、パターン状態に応じて区分けす
   るステップと、 前記被検査パターンの区分けされた部分毎に、そのパタ
   ーン状態に応じてパラメタを設定するステップと、 所定の検査領域に含まれる前記区分けされた部分に対応
   するパラメタに基づき、前記所定の検査領域における検
   査速度を決定するステップと、 決定された前記検査速度で、前記所定の検査領域内のパ
   ターンを読み取るステップと、 読み取った前記パターンと理想パターンとを比較するス
   テップとを有することを特徴とする検査方法。
2. 【請求項２】 最初の検査においては、前記パラメタに
   基づく検査速度は、パターンを読み取り可能な最高速度
   となっていることを特徴とする請求項１記載の検査方
   法。
3. 【請求項３】 以前の検査において正常に検査の終了し
   た検査領域に含まれる区分けされた部分のパターン状態
   と、同様のパターン状態を有する部分は、同じパラメタ
   を設定することを特徴とする請求項１記載の検査方法。
4. 【請求項４】 前記パラメタに基づく検査速度で検査し
   た結果、特定の検査領域で検査不良が生じた場合には、
   検査速度をより低めるよう、前記特定の検査領域に含ま
   れる区分けされた部分に関して前記パラメタを再設定す
   るステップを更に有することを特徴とする請求項１、２
   または３記載の検査方法。
5. 【請求項５】 検査不良が生じた前記特定の検査領域
   を、再設定されたパラメタに基づく検査速度により再度
   検査し直すステップを更に有することを特徴とする請求
   項４記載の検査方法。
6. 【請求項６】 パラメタの異なる区分けされた部分にま
   たがって検査を行うときは、前記異なるパラメタに基づ
   く検査速度のうち最も遅い速度で検査を行うことを特徴
   とする請求項１記載の検査方法。
7. 【請求項７】 前記被検査パターンは、半導体製造用の
   マスク上に形成された回路パターンであることを特徴と
   する請求項１記載の検査方法。
8. 【請求項８】 被検査パターンの区分けされた部分毎
   に、そのパターン状態に応じてパラメタを設定する設定
   装置と、 所定の検査領域に含まれる前記区分けされた部分に対応
   するパラメタに基づき、前記所定の検査領域における検
   査速度を決定する決定装置と、 前記被検査パターンを、前記所定の検査領域毎に決定さ
   れた検査速度で光学的に読み取り、画像データに変換す
   る変換装置と、 被検査パターンの理想データを記憶する記憶装置と、 前記変換装置から出力された前記被検査パターンの画像
   データと、前記記憶装置から出力された前記理想データ
   とを比較する比較装置とを備えていることを特徴とする
   検査装置。
9. 【請求項９】 前記決定装置は、最初の検査において
   は、移動速度を検査可能な最高速度とするよう前記パラ
   メタを設定することを特徴とする請求項８記載の検査装
   置。
10. 【請求項１０】 前記決定装置は、以前の検査において
    正常に検査の終了した検査領域に含まれる区分けされた
    部分のパターン状態と、同様のパターン状態を有する部
    分は、同じパラメタを設定することを特徴とする請求項
    ９記載の検査装置。
11. 【請求項１１】 前記決定装置は、前記パラメタに基づ
    く検査速度で検査した結果、特定の検査領域で検査不良
    が生じた場合には、検査速度をより低めるよう、前記特
    定の検査領域に含まれる区分けされた部分に関して前記
    パラメタを再設定するステップを更に有することを特徴
    とする請求項８，９または１０記載の検査装置。
12. 【請求項１２】 前記決定装置は、前記特定の検査領域
    を、再設定されたパラメタに基づく検査速度により再度
    検査し直すステップを更に有することを特徴とする請求
    項１１記載の検査装置。
13. 【請求項１３】 パラメタの異なる区分けされた部分に
    またがって検査を行うときは、前記異なるパラメタに基
    づく検査速度のうち最も遅い速度で検査を行うことを特
    徴とする請求項８記載の検査装置。
14. 【請求項１４】 前記パラメタを表示する表示装置を更
    に有することを特徴とする請求項８記載の検査装置。