JPH10326855A - リードフレーム及びそのリードフレームを用いた半導体装置 - Google Patents

リードフレーム及びそのリードフレームを用いた半導体装置

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JPH10326855A
JPH10326855A JP9135367A JP13536797A JPH10326855A JP H10326855 A JPH10326855 A JP H10326855A JP 9135367 A JP9135367 A JP 9135367A JP 13536797 A JP13536797 A JP 13536797A JP H10326855 A JPH10326855 A JP H10326855A
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JP
Japan
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lead
pitch
dam bar
lead frame
dam
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Application number
JP9135367A
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English (en)
Inventor
Tadahiro Nakamichi
忠弘 中道
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Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50Bond wires
    • H10W72/541Dispositions of bond wires
    • H10W72/5449Dispositions of bond wires not being orthogonal to a side surface of the chip, e.g. fan-out arrangements
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W74/00Encapsulations, e.g. protective coatings
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00Package configurations
    • H10W90/701Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/751Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
    • H10W90/756Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink

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  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】樹脂封止型半導体装置等のリードフレームに関
し、多ピン化に伴うアウターリード幅の狭小化に対応で
きるリードフレームを提供すること。 【解決手段】リードとリードを接続するダムバー部分を
非連続的に形成する。アウターリード7とアウターリー
ドを接続するダムバー8を直線的ではなく、千鳥形状に
形成している。このように、ダムバーを直線的ではなく
千鳥形状に配置することで、ダムバーのピッチは従来の
直線的に配置したときのダムバーピッチに比べ、2倍と
なる。したがって、ダムバーを打抜くための打抜きパン
チのピッチと、切り離したダムバーの金属屑を除去する
ために設ける受け型のポケットのピッチも従来の2倍の
千鳥配置で設ければ良いために、パンチと受け型の加工
ははるかに加工しやすい構造となる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は樹脂封止型半導体装
置等のリードフレームに関する。
【0002】
【従来の技術】リードフレームを用いた半導体装置とし
ては、周知のように集積回路が形成された半導体チップ
をリードフレームのアイランドに接着剤などにより取り
付け、半導体チップ上の複数の電極パッドとこれに対応
したリードとを金属細線で接続し、次いで半導体チップ
とその周辺を合成樹脂などにより一体的に樹脂成型して
封止する。樹脂成型されたパッケージの外側において、
各リードを電気的に独立させるために、最初にダムバー
と呼ばれるリードとリードとの接続部を切り離した後、
次にリードフレームの外枠から切り離し、必要に応じて
リードを適宜折り曲げや切断して、半導体装置を製造し
ている。
【0003】図4は従来における半導体装置用のリード
フレームの平面図である。
【0004】ワイヤーホ゛ンタ゛ーにより、金属細線を電極パッド
と対応するリードに接続した後、モールド装置と呼ばれ
る樹脂封入装置を用いて図4におけるPの領域を樹脂封
入する。さらに、一般にダムバーと呼ばれるリードとリ
ードとの接続部分を打抜きパンチと受け型を用いたプレ
ス加工にて連続的にうちぬき、各リードをリードフレー
ムの外枠から切りはなすことで、各リードを電気的に独
立させた後、必要に応じてリードを適宜折り曲げや切断
して一個の半導体装置とする。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】上記のような従来の半
導体装置においては、最近のパッケージの多ピン化に伴
い、電極パッドとそれに対応したリード数が増加し、イ
ンナーリードの幅そのものとリードピッチが益々小さく
なる傾向にある。それにともない、アウターリードの幅
とピッチも益々小さくなる傾向にある。例えば、一般に
QFP(quard flat package)と呼ばれるパッケージにおい
てはその外形が28mm角の208ピンの場合には、アウ
ターリード幅が0.2mm,アウターリードピッチが0.5mm、
リードとリードとの間隔は0.3mmである。この場合にパ
ッケージ外形の1辺の長さ28mmの長さのなかに52ピ
ンのリードが配置されることとなり、リードとリードを
接続するダムバーを抜くためには,0.3mm長さで0.5mmピ
ッチの精度の高い打抜きパンチと受け型が要求されるこ
とが明白である。さらに、同一の外形でピン数を256
ピンとした場合にはアウターリード幅が0.15mm,アウタ
ーリードピッチが0.4mm、リードとリードとの間隔は0.2
5mmである。この場合にパッケージ外形の1辺の長さ2
8mmの長さのなかに64ピンのリードが配置されること
となり、リードとリードを接続するダムバーを抜くため
は,0.25mm長さで0.4mmピッチの精度の高い打抜きパンチ
と受け型が要求されることが明白である。ダムバーを打
抜く際には多数のリードをそのリード幅を損なうことな
く均等に打抜く必要があるために、打抜きパンチの高い
精度が要求されるのはもとより、ダムバーを打抜くとき
の受け型においても同じく高い精度を要求される。この
ようにリード幅が狭く、かつリードピッチが狭くなれば
なるほど、ダムバーと呼ばれるリードとリードとの接続
部分をプレスにて連続的にうち抜くには精度の高い打抜
きパンチと受け型が必要となり、金型の作成費用が益々
高価となり、且つその制作日数が益々長くなるという問
題を有していた。
【0006】本発明は、上記のような問題点を解決すべ
くなされたもので、多ピン化に伴うアウターリード幅の
狭小化に対応できるリードフレームを提供することにあ
る。さらに、ダムバーと呼ばれるリードとリードとの接
続部分を精度良く、容易にプレスにて連続的にうちぬく
ことを提供することに有る。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を達成
するためになされたものである。請求項1に記載のリー
ドフレームは、半導体素子を搭載するためのアイランド
とこのアイランドの周囲に先端が集まるように配置され
た複数のリードとを有するリードフレームにおいて、少
なくともその1辺のリードとリードとを接続する接続部
分が直線的ではなく、少なくとも1つおきにずれている
ことを特徴とする。従って、例えばダムバーを連続的に
設計した場合には、パッケージの外形が28mm角の20
8ピンの場合には、アウターリード幅が0.2mm、アウタ
ーリードピッチは0.5mmであるので、ダムバーの打抜き
パンチは0.5mmピッチの精度を要するのに対して、本発
明のごとくダムバーを1つ置きに千鳥配置に設計した場
合には、ダムバーの打抜きパンチは2倍の1.0mmピッチ
の荒い精度でよいが、アウターリード幅0.2mm、アウタ
ーリードピッチは0.5mmの同一パッケージを製造するこ
とが可能である。よって、リードとリードを接続するダ
ムバーを打抜くための打抜きパンチのピッチは0.5mmで
はなく、2倍のピッチ1.0mmであればよく、すなわちパ
ンチとパンチとの間隔を2倍にとれるということであ
る。よって、打抜きパンチ精度をパンチそのものの寸法
精度とパンチ間のピッチとに分けて考えれば、パンチ間
のピッチは2倍となり、その加工精度が半分に低減され
ることが明白である。したがって、金型の作成費用を低
減することが可能であり、且つその制作日数を短縮する
ことが可能である。
【0008】また、本発明における半導体装置は、請求
項2に記載の如く、請求項1記載のリードフレームと、
複数の電極パッドを有する半導体チップと、前記電極パ
ッドと前記リードフレームの各々のリードとを接続する
金属細線と、前記半導体及び前記金属細線及び一部の前
記リードを封止する封止部と、を有することを特徴とす
る。従って、打抜きパンチのピッチは2倍であることか
ら、パッケージの製造工程においては、トリミングと呼
ばれるダムバーの打抜き装置および打抜きパンチと受け
型の保守が容易になる。例えば、ダムバーが連続的に設
計された従来のリードフレームの場合に、28mm角の2
08ピンの場合には、アウターリード幅が0.2mm、,ア
ウターリードピッチは0.5mm、リードとリードの間隔つ
まりダムバーの長さは0.3mmであるから、打抜く際には
0.3mm長さのダムバーが連続的に金属屑となってリード
から切り離されるために、受け型の貫通穴に落下し、途
中付着することなく、連続的に真空など利用して1つ残
らず完全に除去しなければならない。一度打抜かれたダ
ムバーが受型上に残れば、連続的に搬送される次のパッ
ケージのリードに付着したり、リードの形状を損なうな
ど害を及ぼす他、打抜きパンチや受け型そのものの消耗
を促進することとなる。このように、パッケージの製造
工程においては、トリミング装置と呼ばれるダムバーの
打抜き装置および打抜きパンチと受け型の保守が容易で
ないことは周知の事実である。したがって、本発明によ
れば、打抜きパンチのピッチが2倍となるので、切り離
されたダムバーの金属屑は完全に除去しやすい構造とな
り、半導体製造工程において、トリミングと呼ばれるダ
ムバーの打抜き装置および打抜きパンチと受け型の保守
が容易となり、保守のための工数は低減し、製造単価の
低減を図ることができる。
【0009】
【発明の実施の形態】本発明の実施形態について、以下
の図面をもとに説明する。
【0010】図1は本発明の第一の実施例で、半導体装
置に用いるリードフレームの平面図である。図1はその
一部を示している。実際には一定方向(同図では右方
向)に連続的に同じものが形成されて、長尺状になるよ
うに形成されている。1はリードフレーム外枠であり、
同図に示す上下及び左右の最端位置に示されている枠状
のものを指し、後に説明する内部の各々の部位を支持し
ている。また外枠のうち、同図の上下に位置する箇所に
は、搬送時の搬送用穴(スプロケットホール)が適宜設
けられている。2はアイランドであり、半導体チップが
載置かつ固定される場所である。このアイランドは外枠
からみてその内領域に位置するものであり、一般的には
リードフレームの中心位置にその一部(一般的には中央
部であるが、必ずしもそうとは限らない)が存在する。
3は吊りリードであり、外枠からアイランドに向けて伸
びてアイランドを支持する。本例ではアイランドの対称
位置となる角部4箇所がそれぞれ支持されるように、四
箇所設けてある。但し、この吊りリード3は角部4箇所
に設けなければならないという限定はなく、適宜設けれ
ばよい。この点はすでに周知の範囲を利用すればよい。
4はインナーリードであり、同図にも示すように複数設
けられ、外枠の4辺からアイランド方向に向けてそれぞ
れ延設されている。このリードは後に半導体チップが実
装されたときに半導体チップの各電極パッド5aと接続
されて、電気的に導通がとられるものである。通常、モ
ールド成形される領域pの内側のリードをインナーリー
ドとよび、領域pの外側に位置するリードをアウターリ
ードと呼ぶ。
【0011】そして各々のアウターリードとアウターリ
ードを接続するダムバーと呼ばれる部分を直線的ではな
く、千鳥形状に形成している。ダムバー8の幅は通常お
よそ0.2mmくらいである。従って、例えば、28mm角20
8ピンのプラスチックパッケージでは、アウターリード
幅が0.2mm、,アウターリードピッチは0.5mm、リードと
リードの間隔つまりダムバーの長さは0.3mmであるか
ら、千鳥形状に配列された内側のダムバーのピッチおよ
び外側のダムバーのピッチはリードピッチの2倍である
1.0mmとなり、切り離すダムバーの大きさは長さ0.3mm幅
0.2mmである。このように、ダムバーを直線的ではなく
千鳥形状に配置することで、ダムバーのピッチは従来の
図4のように直線的に配置したときのダムバーピッチに
比べ、2倍となる。したがって、ダムバーを打抜くため
の打抜きパンチのピッチと、切り離したダムバーの金属
屑を除去するために設ける受け型のポケットのピッチも
従来の2倍の千鳥配置で設ければ良いために、パンチと
受け型の加工ははるかに加工しやすい構造となる。
【0012】図2は、本発明の第二の実施例で、半導体
装置に用いるリードフレームの平面図である。
【0013】ダムバーはリードの延設方向にたいして、
直行する方向で3列で形成され、それぞれのリードを接
続している。この場合には、それぞれの列のダムバーの
ピッチは、リードピッチの3倍のピッチで設計されてい
るために、ダムバー打抜き工程に要する打抜きパンチと
受け型の加工はさらに容易となることが明らかである。
【0014】図3はダムバーを打抜く際のプレス工程の
断面図である。打抜きパンチ12の先端断面寸法は切り
離そうとするダムバー8の長さと幅を考慮して、例え
ば、28mm角208ピンのプラスチックパッケージでは0.
2mm幅の0.3mm長さとなり、ダムバーのピッチに合わせて
精度良く製作され、かつ、受け型10のポケット部とも
精度良く組み合うことが要求される。したがって、プラ
スチックパッケージの多ピン化と薄型狭小化にともな
い、打抜きパンチ12と受け型10のポケット部のピッ
チははますます小さくなり、より高度な加工精度を要求
されつつある。しかし、本発明によれば、上記ピッチを
大きくすることが可能であり、打抜きパンチ12と受け
型10の加工を容易とし、かつその製作日数を短縮を図
るものである。
【0015】
【発明の効果】本発明によれば、リードフレームのリー
ド幅とリードピッチがいかに小さくあろうとも、リード
とリードを接続するダムバー部分が非連続的に形成され
ているために、その打抜き工程に要する打抜きパンチと
受け型の加工の容易性を提供すると共に、半導体装置の
製造工程に伴う保守性を向上させ、製造単価の低減に大
きく寄与する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第一の実施例で、半導体装置用リード
フレームの平面図。
【図2】本発明の第二の実施例で、半導体装置用リード
フレームの平面図。
【図3】従来技術の例で、半導体装置のダムバーの打抜
き工程の断面図。
【図4】従来技術の例で、半導体装置用リードフレーム
を示す図。 1 リードフレーム 2 アイランド 3 つりリード 4 インナーリード 5 ICチップ(半導体素子) 5a 電極パッド 6 金ワイヤ(金属細線) 7 アウターリード 8 ダムバー 8a ダムバー切断片 9 パッケージ 10 トリミング受け型 11 トリミング上型 12 トリミングパンチ 13 圧力

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】半導体素子を搭載するためのアイランドと
    このアイランドの周囲に先端が集まるように配置された
    複数のリードとを有するリードフレームにおいて、少な
    くともその1辺のリードとリードとを接続する接続部分
    が直線的ではなく、少なくとも1つおきにずれているこ
    とを特徴とするリードフレーム。
  2. 【請求項2】請求項1記載のリードフレームと、複数の
    電極パッドを有する半導体チップと、前記電極パッドと
    前記リードフレームの各々のリードとを接続する金属細
    線と、前記半導体及び前記金属細線及び一部の前記リー
    ドを封止する封止部とを有することを特徴とする半導体
    装置。
JP9135367A 1997-05-26 1997-05-26 リードフレーム及びそのリードフレームを用いた半導体装置 Pending JPH10326855A (ja)

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