JPH10334411A - 薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドの製造方法Info
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- JPH10334411A JPH10334411A JP9145494A JP14549497A JPH10334411A JP H10334411 A JPH10334411 A JP H10334411A JP 9145494 A JP9145494 A JP 9145494A JP 14549497 A JP14549497 A JP 14549497A JP H10334411 A JPH10334411 A JP H10334411A
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract description 11
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 67
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 13
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 16
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 9
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 8
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 3
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229910000702 sendust Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 and Si Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 230000002040 relaxant effect Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001868 water Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、多層構造を持つ薄膜磁気ヘッドの
下地層の構造を平坦に製作する方法に関する。 【解決手段】 本発明は、基板上または基板上に形成さ
れた膜上に第１の膜の第１のパターンを形成する工程、
全面に第２の膜を形成する工程、ポジ型感光性膜を全面
に塗布し、全面を露光し、該ポジ型感光性膜の該第１の
パターン上のみを選択的に完全感光させて現像除去し、
該第１のパターンの反転像である第２のパターンの該ポ
ジ型感光性膜を形成する工程、該第２のパターンの該ポ
ジ型感光性膜をマスクとして該第２の膜を該第１の膜の
該第１のパターン上のみ選択的に除去する工程、並びに
該第２のパターンの該ポジ型感光性膜を除去する工程の
いづれも含んだ薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する。
下地層の構造を平坦に製作する方法に関する。 【解決手段】 本発明は、基板上または基板上に形成さ
れた膜上に第１の膜の第１のパターンを形成する工程、
全面に第２の膜を形成する工程、ポジ型感光性膜を全面
に塗布し、全面を露光し、該ポジ型感光性膜の該第１の
パターン上のみを選択的に完全感光させて現像除去し、
該第１のパターンの反転像である第２のパターンの該ポ
ジ型感光性膜を形成する工程、該第２のパターンの該ポ
ジ型感光性膜をマスクとして該第２の膜を該第１の膜の
該第１のパターン上のみ選択的に除去する工程、並びに
該第２のパターンの該ポジ型感光性膜を除去する工程の
いづれも含んだ薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は多層構造を持つ薄膜
磁気ヘッドに関し、この磁気ヘッドの多層構造を平坦に
するための製造方法に関する。
磁気ヘッドに関し、この磁気ヘッドの多層構造を平坦に
するための製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の薄膜磁気ヘッドの基本的な構造を
第１図に示す。図において、１は下部磁性膜、２は下部
絶縁膜、３はコイル導体、４は上部絶縁膜、５は上部磁
性膜、６は基板である。
第１図に示す。図において、１は下部磁性膜、２は下部
絶縁膜、３はコイル導体、４は上部絶縁膜、５は上部磁
性膜、６は基板である。
【０００３】ここで、従来使用されている材料を挙げれ
ば、一般的に下部磁性膜としてＣｏＺｒ、パーマロイ又
はセンダストが、下部絶縁膜としてＳｉＯ2 、レジスト
又はポリイミドが、コイル導体としてＣｕ又はＡｕが、
上部絶縁膜としてＳｉＯ2 、レジスト又はポリイミド
が、上部磁性膜としてＣｏＺｒ、パーマロイ又はセンダ
ストが、そして基板としてＳｉ、ガラス又はフェライト
等であってそれぞれが使用できる。
ば、一般的に下部磁性膜としてＣｏＺｒ、パーマロイ又
はセンダストが、下部絶縁膜としてＳｉＯ2 、レジスト
又はポリイミドが、コイル導体としてＣｕ又はＡｕが、
上部絶縁膜としてＳｉＯ2 、レジスト又はポリイミド
が、上部磁性膜としてＣｏＺｒ、パーマロイ又はセンダ
ストが、そして基板としてＳｉ、ガラス又はフェライト
等であってそれぞれが使用できる。
【０００４】この構造において、装置の性能を確保する
ためにそれぞれの膜に対してある値以上の厚さが要求さ
れる。例えば、コイル導体は典型的には３μｍ程度以上
が必要である。
ためにそれぞれの膜に対してある値以上の厚さが要求さ
れる。例えば、コイル導体は典型的には３μｍ程度以上
が必要である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来の方法において問
題となるのは、各層の表面の平坦性である。例えば上部
絶縁膜の平坦性が悪いと上部磁性薄膜の磁束飽和が起こ
りやすくなって磁気ヘッドとしての性能が低下する。こ
の例で、上部絶縁膜表面の平坦性を劣化させる原因はコ
イル導体３の段差である。
題となるのは、各層の表面の平坦性である。例えば上部
絶縁膜の平坦性が悪いと上部磁性薄膜の磁束飽和が起こ
りやすくなって磁気ヘッドとしての性能が低下する。こ
の例で、上部絶縁膜表面の平坦性を劣化させる原因はコ
イル導体３の段差である。
【０００６】従来、この上部絶縁膜表面の段差を緩和し
平坦性を向上させるために、コイル導体上にフォトレジ
ストを厚く塗布して上部絶縁膜を形成する等の方法がと
られていた。しかし、３μｍ程度以上の段差を緩和して
平坦な上部絶縁膜を形成するのは極めて困難である。
平坦性を向上させるために、コイル導体上にフォトレジ
ストを厚く塗布して上部絶縁膜を形成する等の方法がと
られていた。しかし、３μｍ程度以上の段差を緩和して
平坦な上部絶縁膜を形成するのは極めて困難である。
【０００７】本発明の目的は、多層構造を持つ薄膜磁気
ヘッドにおいて、平坦性の要求される層の下地層の構造
を平坦に製作する方法を提供することにある。
ヘッドにおいて、平坦性の要求される層の下地層の構造
を平坦に製作する方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、基板上または
基板上に形成された膜上に第１の膜の第１のパターンを
形成する工程、全面に第２の膜を形成する工程、ポジ型
感光性膜を全面に塗布し、全面を露光し、該ポジ型感光
性膜の該第１のパターン上のみを選択的に完全感光させ
て現像除去し、該第１のパターンの反転像である第２の
パターンの該ポジ型感光性膜を形成する工程、該第２の
パターンの該ポジ型感光性膜をマスクとして該第２の膜
を該第１の膜の該第１のパターン上のみ選択的に除去す
る工程、並びに該第２のパターンの該ポジ型感光性膜を
除去する工程のいづれも含んでなることを特徴とする薄
膜磁気ヘッドの製造方法に関する。
基板上に形成された膜上に第１の膜の第１のパターンを
形成する工程、全面に第２の膜を形成する工程、ポジ型
感光性膜を全面に塗布し、全面を露光し、該ポジ型感光
性膜の該第１のパターン上のみを選択的に完全感光させ
て現像除去し、該第１のパターンの反転像である第２の
パターンの該ポジ型感光性膜を形成する工程、該第２の
パターンの該ポジ型感光性膜をマスクとして該第２の膜
を該第１の膜の該第１のパターン上のみ選択的に除去す
る工程、並びに該第２のパターンの該ポジ型感光性膜を
除去する工程のいづれも含んでなることを特徴とする薄
膜磁気ヘッドの製造方法に関する。
【０００９】次に第２図、及び第３図に基づき本発明を
詳細に説明する。第２図は下部磁性膜を形成するための
本発明の実施の態様である。基板上に例えばＳｉＯ2 膜
７を形成し、例えばフォトレジストをマスクとしてドラ
イエッチングし、図２ａに示すように下部磁性膜パター
ンの部分のみ除去する。この際用いたフォトレジストは
剥離しておく。図２ｂに示すように全面に下部磁性膜を
例えばスパッタ法により形成する。図２ｃに示すように
全面にポジ型感光性膜、例えばポジレジストをスピン法
により塗布する。このときＳｉＯ2 が除去された部分は
残された部分よりもレジストが厚くなる。レジストの全
面を適切に露光し現像除去すると、図２ｄに示すように
ＳｉＯ2が残された部分のレジストは完全に除去され、
ＳｉＯ2 が除去された部分のレジストは下の一部が残
る。このレジストをマスクとして例えばウェットエッチ
ングにより下部磁性膜のレジストのない部分を除去し、
さらにポジレジストを除去すれば、図２ｅに示すよう
に、自己整合的に平坦性のよい下部磁性膜パターンがで
きる。
詳細に説明する。第２図は下部磁性膜を形成するための
本発明の実施の態様である。基板上に例えばＳｉＯ2 膜
７を形成し、例えばフォトレジストをマスクとしてドラ
イエッチングし、図２ａに示すように下部磁性膜パター
ンの部分のみ除去する。この際用いたフォトレジストは
剥離しておく。図２ｂに示すように全面に下部磁性膜を
例えばスパッタ法により形成する。図２ｃに示すように
全面にポジ型感光性膜、例えばポジレジストをスピン法
により塗布する。このときＳｉＯ2 が除去された部分は
残された部分よりもレジストが厚くなる。レジストの全
面を適切に露光し現像除去すると、図２ｄに示すように
ＳｉＯ2が残された部分のレジストは完全に除去され、
ＳｉＯ2 が除去された部分のレジストは下の一部が残
る。このレジストをマスクとして例えばウェットエッチ
ングにより下部磁性膜のレジストのない部分を除去し、
さらにポジレジストを除去すれば、図２ｅに示すよう
に、自己整合的に平坦性のよい下部磁性膜パターンがで
きる。
【００１０】第３図はコイルを形成するための本発明の
他の実施の態様である。基板上に例えばＳｉＯ2 膜８を
形成し、例えばフォトレジストをマスクとしてドライエ
ッチングし、図３ａに示すようにコイルパターンの部分
のみ除去する。この際用いたフォトレジストは剥離して
おく。図３ｂに示すように全面にコイル導体、例えばＴ
ｉを約０．１μｍ、Ｃｕを約３μｍ、連続してスパッタ
法により形成する。図３ｃに示すように全面にポジ型感
光性膜、例えばポジレジストをスピン法により塗布す
る。このときＳｉＯ2 が除去された部分は残された部分
よりもレジストが厚くなる。レジストの全面を適切に露
光し現像除去すると、図３ｄに示すようにＳｉＯ2が残
された部分のレジストは完全に除去され、ＳｉＯ2 が除
去された部分のレジストは下の一部が残る。このレジス
トを、マスクとして例えばウェットエッチングによりＣ
ｕ，Ｔｉのレジストのない部分を順次除去し、さらにポ
ジレジストを除去すれば、図３ｅに示すように、自己整
合的に平坦性のよいコイルパターンができる。
他の実施の態様である。基板上に例えばＳｉＯ2 膜８を
形成し、例えばフォトレジストをマスクとしてドライエ
ッチングし、図３ａに示すようにコイルパターンの部分
のみ除去する。この際用いたフォトレジストは剥離して
おく。図３ｂに示すように全面にコイル導体、例えばＴ
ｉを約０．１μｍ、Ｃｕを約３μｍ、連続してスパッタ
法により形成する。図３ｃに示すように全面にポジ型感
光性膜、例えばポジレジストをスピン法により塗布す
る。このときＳｉＯ2 が除去された部分は残された部分
よりもレジストが厚くなる。レジストの全面を適切に露
光し現像除去すると、図３ｄに示すようにＳｉＯ2が残
された部分のレジストは完全に除去され、ＳｉＯ2 が除
去された部分のレジストは下の一部が残る。このレジス
トを、マスクとして例えばウェットエッチングによりＣ
ｕ，Ｔｉのレジストのない部分を順次除去し、さらにポ
ジレジストを除去すれば、図３ｅに示すように、自己整
合的に平坦性のよいコイルパターンができる。
【００１１】
【実施例】次に、実施例を挙げて本発明を具体的に説明
する。 実施例１ 第２図と関連して下部磁性膜を形成するための具体例を
示す。フェライトなどの基板上に、ＳｉＯ2 膜７を、マ
グネトロンスパッタ装置にてＡｒ圧１ｍＴｏｒｒ，ＲＦ
パワー２ｋＷで１５μｍスパッタし、フォトレジストを
マスクとしてリアクティブイオンエッチング装置にてＣ
ＨＦ3 ガスを用い、圧力５Ｐａ、パワー３００Ｗで１０
μｍドライエッチングし、図２ａに示すように下部磁性
膜パターンの部分のみを除去する。この際用いたフォト
レジストは剥離しておく。図２ｂに示すように、下部磁
性膜はＣｏＺｒをマグネトロンスパッタ装置にてＡｒ圧
６ｍＴｏｒｒ，ＲＦパワー２ｋＷで１０μｍスパッタす
る。図２ｃに示すように、ポジ型感光性膜はポジレジス
トをスピン法により塗布する。このときＳｉＯ2 が除去
された部分は残された部分よりもレジストが厚くなる。
レジストの全面を露光し、現像除去すると、図２ｄに示
すようにＳｉＯ2 が残された部分のレジストは完全に除
去され、ＳｉＯ2 が除去された部分のレジストは下の一
部が残る。このレジストをマスクとして、硝酸、燐酸及
び水の混合液を用いて下部磁性膜ＣｏＺｒのレジストの
ない部分を除去し、さらにポジレジストを除去すれば、
図２ｃに示すように、自己整合的に平坦性のよいＣｏＺ
ｒの下部磁性膜パターンが形成される。
する。 実施例１ 第２図と関連して下部磁性膜を形成するための具体例を
示す。フェライトなどの基板上に、ＳｉＯ2 膜７を、マ
グネトロンスパッタ装置にてＡｒ圧１ｍＴｏｒｒ，ＲＦ
パワー２ｋＷで１５μｍスパッタし、フォトレジストを
マスクとしてリアクティブイオンエッチング装置にてＣ
ＨＦ3 ガスを用い、圧力５Ｐａ、パワー３００Ｗで１０
μｍドライエッチングし、図２ａに示すように下部磁性
膜パターンの部分のみを除去する。この際用いたフォト
レジストは剥離しておく。図２ｂに示すように、下部磁
性膜はＣｏＺｒをマグネトロンスパッタ装置にてＡｒ圧
６ｍＴｏｒｒ，ＲＦパワー２ｋＷで１０μｍスパッタす
る。図２ｃに示すように、ポジ型感光性膜はポジレジス
トをスピン法により塗布する。このときＳｉＯ2 が除去
された部分は残された部分よりもレジストが厚くなる。
レジストの全面を露光し、現像除去すると、図２ｄに示
すようにＳｉＯ2 が残された部分のレジストは完全に除
去され、ＳｉＯ2 が除去された部分のレジストは下の一
部が残る。このレジストをマスクとして、硝酸、燐酸及
び水の混合液を用いて下部磁性膜ＣｏＺｒのレジストの
ない部分を除去し、さらにポジレジストを除去すれば、
図２ｃに示すように、自己整合的に平坦性のよいＣｏＺ
ｒの下部磁性膜パターンが形成される。
【００１２】実施例２ 第３図と関連してコイルを形成するための具体例を示
す。基板上に、ＳｉＯ2 膜７をＡｒ圧１ｍＴｏｒｒ，Ｒ
Ｆパワー２ｋＷで４μｍスパッタし、フォトレジストを
マスクとしてＣＨＦ3 ガスを用い、圧力５Ｐａ、パワー
３００Ｗの条件で３μｍドライエッチングし、図３ａに
示すようにコイルパターンの部分のみ除去する。この際
用いたフォトレジストは剥離しておく。図３ｂに示すよ
うに、コイル導体はマグネトロンスパッタ装置にてそれ
ぞれＴｉをＡｒ圧２ｍＴｏｒｒ，ＲＦパワー２ｋＷの条
件で約０．１μｍ、ＣｕをＡｒ圧２ｍＴｏｒｒ，ＲＦパ
ワー２ｋｗの条件で約３μｍ、連続してスパッタ法によ
り全面に形成する。図３ｃに示すように、ポジ型感光性
膜はポジレジストをスピン法により塗布して全面に形成
する。このとき、ＳｉＯ2 が除去された部分は残された
部分よりもレジストが厚くなる。
す。基板上に、ＳｉＯ2 膜７をＡｒ圧１ｍＴｏｒｒ，Ｒ
Ｆパワー２ｋＷで４μｍスパッタし、フォトレジストを
マスクとしてＣＨＦ3 ガスを用い、圧力５Ｐａ、パワー
３００Ｗの条件で３μｍドライエッチングし、図３ａに
示すようにコイルパターンの部分のみ除去する。この際
用いたフォトレジストは剥離しておく。図３ｂに示すよ
うに、コイル導体はマグネトロンスパッタ装置にてそれ
ぞれＴｉをＡｒ圧２ｍＴｏｒｒ，ＲＦパワー２ｋＷの条
件で約０．１μｍ、ＣｕをＡｒ圧２ｍＴｏｒｒ，ＲＦパ
ワー２ｋｗの条件で約３μｍ、連続してスパッタ法によ
り全面に形成する。図３ｃに示すように、ポジ型感光性
膜はポジレジストをスピン法により塗布して全面に形成
する。このとき、ＳｉＯ2 が除去された部分は残された
部分よりもレジストが厚くなる。
【００１３】以上のように本発明によれば、平坦性に優
れた薄膜磁気ヘッドが容易に製造できる。なお、上記の
説明は薄膜磁気ヘッドに関連して述べたが、一般的に磁
気ヘッドの平坦化に用いることができる。
れた薄膜磁気ヘッドが容易に製造できる。なお、上記の
説明は薄膜磁気ヘッドに関連して述べたが、一般的に磁
気ヘッドの平坦化に用いることができる。
【図１】従来の薄膜磁気ヘッドの概略図である。
【図２】本発明に基づく、薄膜磁気ヘッドの下部磁性膜
部分の製造方法を示す図である。
部分の製造方法を示す図である。
【図３】本発明に基づく、薄膜磁気ヘッドのコイル部分
の製造方法を示す図である。
の製造方法を示す図である。
１…下部磁性膜 ２…下部絶縁膜 ３…コイル導体 ４…上部絶縁膜 ５…上部磁性膜 ６…基板 ７，８…絶縁膜
Claims (1)
- 【請求項１】 基板上または基板上に形成された膜上に
第１の膜の第１のパターンを形成する工程、全面に第２
の膜を形成する工程、ポジ型感光性膜を全面に塗布し、
全面を露光し、該ポジ型感光性膜の該第１のパターン上
のみを選択的に完全感光させて現象除去し、該第１のパ
ターンの反転像である第２のパターンの該ポジ型感光性
膜を形成する工程、該第２のパターンの該ポジ型感光性
膜をマスクとして該第２の膜を該第１の膜の該第１のパ
ターン上のみ選択的に除去する工程、並びに該第２のパ
ターンの該ポジ型感光性膜を除去する工程のいづれも含
んでなることを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9145494A JPH10334411A (ja) | 1997-06-03 | 1997-06-03 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9145494A JPH10334411A (ja) | 1997-06-03 | 1997-06-03 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10334411A true JPH10334411A (ja) | 1998-12-18 |
Family
ID=15386568
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9145494A Pending JPH10334411A (ja) | 1997-06-03 | 1997-06-03 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10334411A (ja) |
-
1997
- 1997-06-03 JP JP9145494A patent/JPH10334411A/ja active Pending
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Legal Events
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