JPH05109683A - 半導体シリコンウエーハ洗浄液の金属不純物除去方法 - Google Patents
半導体シリコンウエーハ洗浄液の金属不純物除去方法Info
- Publication number
- JPH05109683A JPH05109683A JP8573091A JP8573091A JPH05109683A JP H05109683 A JPH05109683 A JP H05109683A JP 8573091 A JP8573091 A JP 8573091A JP 8573091 A JP8573091 A JP 8573091A JP H05109683 A JPH05109683 A JP H05109683A
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- Japan
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- silicon
- silicon wafer
- cleaning liquid
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Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体シリコンウェーハ洗浄液の金属不純物を
簡便にかつ効果的に除去する。 【構成】シリコンウェーハ洗浄液を、表面の酸化被膜を
除去して活性化したゲッタ用シリコンに接触させる。 【効果】ゲッタ用シリコンの活性化された表面に洗浄液
中の金属不純物が吸着して除去される。
簡便にかつ効果的に除去する。 【構成】シリコンウェーハ洗浄液を、表面の酸化被膜を
除去して活性化したゲッタ用シリコンに接触させる。 【効果】ゲッタ用シリコンの活性化された表面に洗浄液
中の金属不純物が吸着して除去される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体シリコンウェー
ハの洗浄工程において、洗浄液中の汚染金属を効果的に
除去する方法に関する。
ハの洗浄工程において、洗浄液中の汚染金属を効果的に
除去する方法に関する。
【従来技術と解決課題】超LSI 等の半導体集積回路の材
料となるシリコンウェーハについて、デバイスが高密度
化、高集積化するのに伴い、シリコンウェーハの微量汚
染がデバイスの品質に大きな影響を与えるようになって
きた。汚染には、微粒子がシリコンウェーハ表面に付着
して形状不良を生じるパーテクル汚染や、アルカリ金属
や鉄、銅などの重金属イオンが金属不純物としてシリコ
ンウェハー表面に付着し、不良原因となる金属汚染など
が知られている。パーテクル汚染を防止する方法とし
て、洗浄液を微細なメッシュのフィルターで濾過する方
法が知られているが、メッシュ径以下の微粒子を除去で
きない問題があり、フィルターに代えてダミーウェーハ
を用いる方法が提案されている（特開平2-292825）。但
しこの方法では金属汚染については検討されていない。
一方、ウェーハ表面の金属不純物を除去する方法として
一般にゲッタリングが行なわれているが、ゲッタリング
は適切に行なわないと寧ろ汚染の原因となるなど問題が
ある。従って、最終的には予め金属汚染を生じない環境
でシリコンウェーハを洗浄することが望ましいが、新し
い洗浄液を用いても配管等から混入する金属不純物を無
くすることは極めて困難であり、そのため洗浄直前に洗
浄槽内で液中の金属不純物を除去することが必要であ
る。
料となるシリコンウェーハについて、デバイスが高密度
化、高集積化するのに伴い、シリコンウェーハの微量汚
染がデバイスの品質に大きな影響を与えるようになって
きた。汚染には、微粒子がシリコンウェーハ表面に付着
して形状不良を生じるパーテクル汚染や、アルカリ金属
や鉄、銅などの重金属イオンが金属不純物としてシリコ
ンウェハー表面に付着し、不良原因となる金属汚染など
が知られている。パーテクル汚染を防止する方法とし
て、洗浄液を微細なメッシュのフィルターで濾過する方
法が知られているが、メッシュ径以下の微粒子を除去で
きない問題があり、フィルターに代えてダミーウェーハ
を用いる方法が提案されている（特開平2-292825）。但
しこの方法では金属汚染については検討されていない。
一方、ウェーハ表面の金属不純物を除去する方法として
一般にゲッタリングが行なわれているが、ゲッタリング
は適切に行なわないと寧ろ汚染の原因となるなど問題が
ある。従って、最終的には予め金属汚染を生じない環境
でシリコンウェーハを洗浄することが望ましいが、新し
い洗浄液を用いても配管等から混入する金属不純物を無
くすることは極めて困難であり、そのため洗浄直前に洗
浄槽内で液中の金属不純物を除去することが必要であ
る。
【０００２】
【課題の解決手段：発明の構成】本発明は、シリコンウ
ェーハ洗浄液中の金属不純物を簡便な手段により効果的
に除去する方法を提供するものである。本発明によれ
ば、シリコンウェーハ洗浄液に、表面の酸化被膜を除去
したゲッタ用シリコンを浸漬し、シリコンウェーハ洗浄
液中の金属不純物をゲッタ用シリコン表面に吸着させて
除去することを特徴とする半導体シリコンウェーハ洗浄
液の金属不純物除去方法が提供される。
ェーハ洗浄液中の金属不純物を簡便な手段により効果的
に除去する方法を提供するものである。本発明によれ
ば、シリコンウェーハ洗浄液に、表面の酸化被膜を除去
したゲッタ用シリコンを浸漬し、シリコンウェーハ洗浄
液中の金属不純物をゲッタ用シリコン表面に吸着させて
除去することを特徴とする半導体シリコンウェーハ洗浄
液の金属不純物除去方法が提供される。
【０００３】半導体用シリコンウェーハの洗浄液とし
て、通常、アンモニア過酸化水素水(NH4OH/H2O2/H20)が
用いられる。該洗浄液を洗浄槽に満たした後に、表面の
酸化被膜を除去したゲッタ用シリコンを該洗浄液に浸漬
する。ゲッタ用シリコンとしては表面の酸化被膜を除去
した他のシリコンウェーハを用いることができる。なお
ゲッタ用シリコンとして粒子状やブロック状のシリコン
を用いてもよい。ゲッタ用シリコン表面の酸化被膜はフ
ッ酸溶液等で該シリコン表面を洗浄することにより除去
することができる。フッ酸によりゲッタ用シリコン表面
がエッチングされ該シリコン表面に生じている自然酸化
被膜が除去されて活性化される。酸化被膜を除去し表面
を活性化したゲッタ用シリコンを洗浄液に浸漬すること
により、洗浄液中のアルミニウム、鉄、亜鉛等の金属イ
オンが活性化されたシリコン表面に吸着し洗浄液が清浄
化される。浸漬時間は 5〜10分程度でよい。ゲッタ用シ
リコンを洗浄液から取り出した後に清浄化した洗浄液に
製品となる洗浄用シリコンウェーハを浸漬して該ウェー
ハの洗浄を行なう。金属イオンを吸着したゲッタ用シリ
コンは再びフッ酸で処理し表面をエッチングして活性化
することにより再使用することができる。
て、通常、アンモニア過酸化水素水(NH4OH/H2O2/H20)が
用いられる。該洗浄液を洗浄槽に満たした後に、表面の
酸化被膜を除去したゲッタ用シリコンを該洗浄液に浸漬
する。ゲッタ用シリコンとしては表面の酸化被膜を除去
した他のシリコンウェーハを用いることができる。なお
ゲッタ用シリコンとして粒子状やブロック状のシリコン
を用いてもよい。ゲッタ用シリコン表面の酸化被膜はフ
ッ酸溶液等で該シリコン表面を洗浄することにより除去
することができる。フッ酸によりゲッタ用シリコン表面
がエッチングされ該シリコン表面に生じている自然酸化
被膜が除去されて活性化される。酸化被膜を除去し表面
を活性化したゲッタ用シリコンを洗浄液に浸漬すること
により、洗浄液中のアルミニウム、鉄、亜鉛等の金属イ
オンが活性化されたシリコン表面に吸着し洗浄液が清浄
化される。浸漬時間は 5〜10分程度でよい。ゲッタ用シ
リコンを洗浄液から取り出した後に清浄化した洗浄液に
製品となる洗浄用シリコンウェーハを浸漬して該ウェー
ハの洗浄を行なう。金属イオンを吸着したゲッタ用シリ
コンは再びフッ酸で処理し表面をエッチングして活性化
することにより再使用することができる。
【０００４】
【実施例】フッ酸処理により酸化被膜を除去して表面を
活性化したゲッタ用シリコンウェーハをアンモニア過酸
化水素水(NH4OH/H2O2/H20)に 5〜10分浸漬して取り出し
た後に、製品となるシリコンウェーハを浸漬して通常の
条件に従って洗浄した。洗浄後のシリコンウェーハ表面
の金属濃度を図１に示す。一方、比較のため、ゲッタ用
シリコンウェーハを用いない従来の方法で洗浄を行なっ
た。この結果を併せて図１に示した。図示するように、
清浄化した洗浄液を用いて洗浄したシリコンウェーハ表
面の鉄、亜鉛およびアルミニウムの濃度は、清浄化しな
い洗浄液を用いた場合に比べて1/10程度に減少してい
る。
活性化したゲッタ用シリコンウェーハをアンモニア過酸
化水素水(NH4OH/H2O2/H20)に 5〜10分浸漬して取り出し
た後に、製品となるシリコンウェーハを浸漬して通常の
条件に従って洗浄した。洗浄後のシリコンウェーハ表面
の金属濃度を図１に示す。一方、比較のため、ゲッタ用
シリコンウェーハを用いない従来の方法で洗浄を行なっ
た。この結果を併せて図１に示した。図示するように、
清浄化した洗浄液を用いて洗浄したシリコンウェーハ表
面の鉄、亜鉛およびアルミニウムの濃度は、清浄化しな
い洗浄液を用いた場合に比べて1/10程度に減少してい
る。
【０００５】
【発明の効果】本発明の方法によれば、シリコンウェー
ハ洗浄液中の金属不純物を簡単にかつ効果的に除去する
ことができるので、洗浄工程におけるシリコンウェーハ
の金属汚染が防止され、高品質のシリコンウェーハが得
られると共に製品歩留まりも向上する。
ハ洗浄液中の金属不純物を簡単にかつ効果的に除去する
ことができるので、洗浄工程におけるシリコンウェーハ
の金属汚染が防止され、高品質のシリコンウェーハが得
られると共に製品歩留まりも向上する。
【図１】 本発明の方法と従来の洗浄法とを行なった場
合のシリコンウェーハ表面の金属濃度を示すグラフ。
合のシリコンウェーハ表面の金属濃度を示すグラフ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 森田 悦郎 埼玉県大宮市北袋町１―297 三菱マテリ アル株式会社中央研究所内 (72)発明者 島貫 康 埼玉県大宮市北袋町１―297 三菱マテリ アル株式会社中央研究所内
Claims (1)
- 【請求項１】シリコンウェーハ洗浄液に、表面の酸化被
膜を除去したゲッタ用シリコンを浸漬し、シリコンウェ
ーハ洗浄液中の金属不純物をゲッタ用シリコン表面に吸
着させて除去することを特徴とする半導体シリコンウェ
ーハ洗浄液の金属不純物除去方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8573091A JPH05109683A (ja) | 1991-03-27 | 1991-03-27 | 半導体シリコンウエーハ洗浄液の金属不純物除去方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8573091A JPH05109683A (ja) | 1991-03-27 | 1991-03-27 | 半導体シリコンウエーハ洗浄液の金属不純物除去方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05109683A true JPH05109683A (ja) | 1993-04-30 |
Family
ID=13866964
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8573091A Pending JPH05109683A (ja) | 1991-03-27 | 1991-03-27 | 半導体シリコンウエーハ洗浄液の金属不純物除去方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05109683A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6209553B1 (en) * | 1999-05-20 | 2001-04-03 | Mitsubishidenki Kabushiki Kaisha | Method of and apparatus for washing photomask and washing solution for photomask |
| EP1542262A1 (en) * | 1997-06-04 | 2005-06-15 | Tokyo Electron Limited | Processing method and apparatus for removing oxide film |
| CN102810497A (zh) * | 2011-05-24 | 2012-12-05 | 奥博泰克Lt太阳能公司 | 断裂晶片回收系统 |
| US9287152B2 (en) | 2009-12-10 | 2016-03-15 | Orbotech LT Solar, LLC. | Auto-sequencing multi-directional inline processing method |
| JP2020113577A (ja) * | 2019-01-08 | 2020-07-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 |
-
1991
- 1991-03-27 JP JP8573091A patent/JPH05109683A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1542262A1 (en) * | 1997-06-04 | 2005-06-15 | Tokyo Electron Limited | Processing method and apparatus for removing oxide film |
| US6209553B1 (en) * | 1999-05-20 | 2001-04-03 | Mitsubishidenki Kabushiki Kaisha | Method of and apparatus for washing photomask and washing solution for photomask |
| US7077915B2 (en) | 1999-05-20 | 2006-07-18 | Renesas Technology Corp. | Method of and apparatus for washing photomask and washing solution for photomask |
| US9287152B2 (en) | 2009-12-10 | 2016-03-15 | Orbotech LT Solar, LLC. | Auto-sequencing multi-directional inline processing method |
| CN102810497A (zh) * | 2011-05-24 | 2012-12-05 | 奥博泰克Lt太阳能公司 | 断裂晶片回收系统 |
| US9462921B2 (en) | 2011-05-24 | 2016-10-11 | Orbotech LT Solar, LLC. | Broken wafer recovery system |
| CN102810497B (zh) * | 2011-05-24 | 2017-05-31 | 奥博泰克Lt太阳能公司 | 断裂晶片回收系统 |
| JP2020113577A (ja) * | 2019-01-08 | 2020-07-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 |
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