JPH10335808A - リフロー装置におけるプリヒート方法とこれを実施した装置 - Google Patents
リフロー装置におけるプリヒート方法とこれを実施した装置Info
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- JPH10335808A JPH10335808A JP13645497A JP13645497A JPH10335808A JP H10335808 A JPH10335808 A JP H10335808A JP 13645497 A JP13645497 A JP 13645497A JP 13645497 A JP13645497 A JP 13645497A JP H10335808 A JPH10335808 A JP H10335808A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来のリフロー装置では、プ
リヒートの段階において基板全体を加熱していたため
に、半田付けをしない部分や半田付け面の反対面も加熱
されてしまうにで、ハンダの適正プリヒート条件以下の
温度が要求される部品が搭載されている基板への半田付
けには適用できなかった。又、個々の部品に最適なプリ
ヒート条件を得るのが困難であり、理想的なプリヒート
のプロファイルを得るために装置の大型化は避けられな
いという問題があった。 【解決手段】 本発明は、熱風発生装置と
熱風発生装置の熱風を一定の場所に向けて吹き出すノズ
ルを使用して、基板の半田付け部分だけを熱風により部
分的にプリヒートするようにして半田付け部分以外の場
所にプリヒートによる加熱の影響が及ばないようにした
リフロー装置におけるプリヒート方法とこれを実施した
装置を実現することにより、従来の問題点を解決したも
のである。
リヒートの段階において基板全体を加熱していたため
に、半田付けをしない部分や半田付け面の反対面も加熱
されてしまうにで、ハンダの適正プリヒート条件以下の
温度が要求される部品が搭載されている基板への半田付
けには適用できなかった。又、個々の部品に最適なプリ
ヒート条件を得るのが困難であり、理想的なプリヒート
のプロファイルを得るために装置の大型化は避けられな
いという問題があった。 【解決手段】 本発明は、熱風発生装置と
熱風発生装置の熱風を一定の場所に向けて吹き出すノズ
ルを使用して、基板の半田付け部分だけを熱風により部
分的にプリヒートするようにして半田付け部分以外の場
所にプリヒートによる加熱の影響が及ばないようにした
リフロー装置におけるプリヒート方法とこれを実施した
装置を実現することにより、従来の問題点を解決したも
のである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子部品を基板に
半田付けする場合に使用される、リフロー装置における
プリヒート方法とこれを実施した装置に関する。本発明
のリフロー装置におけるプリヒート方法とこれを実施し
た装置は、熱風発生装置とノズルを使用して、基板の半
田付け部分だけを部分的に加熱することにより半田付け
部分以外の場所にリフロー装置におけるプリヒートの影
響が及ばない用にしたものである。
半田付けする場合に使用される、リフロー装置における
プリヒート方法とこれを実施した装置に関する。本発明
のリフロー装置におけるプリヒート方法とこれを実施し
た装置は、熱風発生装置とノズルを使用して、基板の半
田付け部分だけを部分的に加熱することにより半田付け
部分以外の場所にリフロー装置におけるプリヒートの影
響が及ばない用にしたものである。
【０００２】
【発明が解決しようとする課題】従来のリフロー装置に
おけるプリヒート方法は、パネルヒータを使用したトン
ネル炉の中を電子部品の搭載された基板を通過させるこ
とにより基板にあらかじめプリヒートを行っておき、メ
イン加熱において電子部品を基板に半田付けするための
クリーム半田の溶解を容易にするようにして、確実に電
子部品の基板への取り付けが行われるようにしている。
おけるプリヒート方法は、パネルヒータを使用したトン
ネル炉の中を電子部品の搭載された基板を通過させるこ
とにより基板にあらかじめプリヒートを行っておき、メ
イン加熱において電子部品を基板に半田付けするための
クリーム半田の溶解を容易にするようにして、確実に電
子部品の基板への取り付けが行われるようにしている。
【０００３】このために、プリヒートの段階において、 １．基板全体の加熱が避けられない。プリヒートによ
り、半田付け面の半田付けをしない部分や半田付け面の
反対面も加熱されてしまうために、 ・従来装置では使用するクリームハンダの適正プリヒー
ト条件以下の温度が要求される部品、例えば、樹脂を含
む部品、ばね性部品、電池など、及びそれが搭載されて
いる基板への半田付けには適用できなかった。
り、半田付け面の半田付けをしない部分や半田付け面の
反対面も加熱されてしまうために、 ・従来装置では使用するクリームハンダの適正プリヒー
ト条件以下の温度が要求される部品、例えば、樹脂を含
む部品、ばね性部品、電池など、及びそれが搭載されて
いる基板への半田付けには適用できなかった。
【０００４】・個々の部品に最適なプリヒート条件を得
るのが困難であり、従来装置では最大公約数的な発想で
プリヒート条件を設定しざるを得なかった。 ２．装置の大型化が避けられない。従来装置では理想的
なプリヒートのプロファイルを得るために、一般的には
パネルヒータを３ゾーン使用している。このため装置の
大型化は避けられない。という問題があった。
るのが困難であり、従来装置では最大公約数的な発想で
プリヒート条件を設定しざるを得なかった。 ２．装置の大型化が避けられない。従来装置では理想的
なプリヒートのプロファイルを得るために、一般的には
パネルヒータを３ゾーン使用している。このため装置の
大型化は避けられない。という問題があった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、熱風発生装置
と熱風発生装置の熱風を一定の場所に向けて吹き出すノ
ズルを使用して、基板の半田付け部分だけを熱風により
部分的にプリヒートするようにして半田付け部分以外の
場所にプリヒートによる加熱の影響が及ばないようにし
たリフロー装置におけるプリヒート方法とこれを実施し
た装置を実現することにより、従来の問題点を解決した
ものである。
と熱風発生装置の熱風を一定の場所に向けて吹き出すノ
ズルを使用して、基板の半田付け部分だけを熱風により
部分的にプリヒートするようにして半田付け部分以外の
場所にプリヒートによる加熱の影響が及ばないようにし
たリフロー装置におけるプリヒート方法とこれを実施し
た装置を実現することにより、従来の問題点を解決した
ものである。
【０００６】
【実施例】図１は、本発明のリフロー装置におけるプリ
ヒート方法を実施したプリヒート装置の一実施例の構成
を示す説明図である。図１において、ＳＧＴは熱風発生
用のサージタンクである。ＨＷＧはサージタンクＳＧＴ
に熱風を供給する熱風発生器である。ＮＯＰはノズルパ
ネルで、熱風送出用のノズルが取り付けられている。Ｎ
Ｏ１，ＮＯ２，・・・Ｎｏｎはそれぞれ熱風送出用のノ
ズルである。
ヒート方法を実施したプリヒート装置の一実施例の構成
を示す説明図である。図１において、ＳＧＴは熱風発生
用のサージタンクである。ＨＷＧはサージタンクＳＧＴ
に熱風を供給する熱風発生器である。ＮＯＰはノズルパ
ネルで、熱風送出用のノズルが取り付けられている。Ｎ
Ｏ１，ＮＯ２，・・・Ｎｏｎはそれぞれ熱風送出用のノ
ズルである。
【０００７】ＰＲＢは電子部品の取り付けられる基板で
ある。ＰＡ１は基板ＰＲＢに半田付けにより取り付けら
れる電子部品、ＰＡ２は基板ＰＲＢに半田付けでなく機
械的に取り付けられた電子部品である。ＣＨは基板ＰＲ
Ｂに電子部品ＰＡ１を半田付けするためのクリーム半田
である。熱風発生器ＨＷＧはサージタンクＳＧＴの下部
に取り付けられサージタンクＳＧＴに熱風を送り込むよ
うに構成されている。サージタンクＳＧＴの上部の開口
部にはノズルパネルＮＯＰがサージタンクＳＧＴの開口
部を覆うように取り付けられている。このため、熱風発
生器ＨＷＧからサージタンクＳＧＴに送り込まれた熱風
はノズルパネルＮＯＰの熱風送出用の各ノズルＮＯ１，
ＮＯ２，・・・Ｎｏｎより一定の場所に向けて吹き出さ
れる。
ある。ＰＡ１は基板ＰＲＢに半田付けにより取り付けら
れる電子部品、ＰＡ２は基板ＰＲＢに半田付けでなく機
械的に取り付けられた電子部品である。ＣＨは基板ＰＲ
Ｂに電子部品ＰＡ１を半田付けするためのクリーム半田
である。熱風発生器ＨＷＧはサージタンクＳＧＴの下部
に取り付けられサージタンクＳＧＴに熱風を送り込むよ
うに構成されている。サージタンクＳＧＴの上部の開口
部にはノズルパネルＮＯＰがサージタンクＳＧＴの開口
部を覆うように取り付けられている。このため、熱風発
生器ＨＷＧからサージタンクＳＧＴに送り込まれた熱風
はノズルパネルＮＯＰの熱風送出用の各ノズルＮＯ１，
ＮＯ２，・・・Ｎｏｎより一定の場所に向けて吹き出さ
れる。
【０００８】このような構成を有するプリヒート装置の
動作を説明すると次の通りである。サージタンクＳＧＴ
の上部の基板ＰＲＢの半田付け面と対応する面はノズル
パネルＮＯＰで覆われているので、熱風発生器ＨＷＧか
らサージタンクＳＧＴに送り込まれた熱風はノズルパネ
ルＮＯＰの熱風送出用の各ノズルＮＯ１，ＮＯ２，・・
・Ｎｏｎより送出される。プリヒートが行われる基板Ｐ
ＲＢは、プリヒート装置のノズルパネルＮＯＰの上部に
一定の間隔をおいて保持される。基板ＰＲＢには半田付
けにより取り付けられる電子部品ＰＡ１と機械的に取り
付けられた電子部品電子部品ＰＡ２が搭載され、電子部
品ＰＡ１のリード端子と基板ＰＲＢの半田付けの位置の
ポイント部分には、未溶解のクリーム半田ＣＨが塗付さ
れている。
動作を説明すると次の通りである。サージタンクＳＧＴ
の上部の基板ＰＲＢの半田付け面と対応する面はノズル
パネルＮＯＰで覆われているので、熱風発生器ＨＷＧか
らサージタンクＳＧＴに送り込まれた熱風はノズルパネ
ルＮＯＰの熱風送出用の各ノズルＮＯ１，ＮＯ２，・・
・Ｎｏｎより送出される。プリヒートが行われる基板Ｐ
ＲＢは、プリヒート装置のノズルパネルＮＯＰの上部に
一定の間隔をおいて保持される。基板ＰＲＢには半田付
けにより取り付けられる電子部品ＰＡ１と機械的に取り
付けられた電子部品電子部品ＰＡ２が搭載され、電子部
品ＰＡ１のリード端子と基板ＰＲＢの半田付けの位置の
ポイント部分には、未溶解のクリーム半田ＣＨが塗付さ
れている。
【０００９】ノズルパネルＮＯＰの熱風送出用の各ノズ
ルＮＯ１，ＮＯ２，・・・ＮＯｎの位置は、基板ＰＲＢ
の半田付けの位置のポイント部分に対応した位置に設定
されている。このため、ノズルパネルＮＯＰの熱風送出
用の各ノズルＮＯ１，ＮＯ２，・・・ＮＯｎより送出さ
れる熱風は、基板ＰＲＢの半田付けの位置のポイント部
分だけを局部的に多数個所同時にスポット的に加熱し
て、基板ＰＲＢの半田付け個所のプリヒートを行なう。
ルＮＯ１，ＮＯ２，・・・ＮＯｎの位置は、基板ＰＲＢ
の半田付けの位置のポイント部分に対応した位置に設定
されている。このため、ノズルパネルＮＯＰの熱風送出
用の各ノズルＮＯ１，ＮＯ２，・・・ＮＯｎより送出さ
れる熱風は、基板ＰＲＢの半田付けの位置のポイント部
分だけを局部的に多数個所同時にスポット的に加熱し
て、基板ＰＲＢの半田付け個所のプリヒートを行なう。
【００１０】基板ＰＲＢのプリヒートを行なう加熱温度
のコントロールは次のような方法により行うことが出来
る。 ・ノズルパネルＮＯＰの熱風送出用の各ノズルＮＯ１，
ＮＯ２，・・・ＮＯｎの径や穴径を変えることにより、
ノズルより吹き出す熱風の量を変更して加熱温度を調節
する。 ・基板ＰＲＢの半田付け面とノズルパネルＮＯＰのノズ
ル上面の距離を変えることにより加熱温度を調節する。
のコントロールは次のような方法により行うことが出来
る。 ・ノズルパネルＮＯＰの熱風送出用の各ノズルＮＯ１，
ＮＯ２，・・・ＮＯｎの径や穴径を変えることにより、
ノズルより吹き出す熱風の量を変更して加熱温度を調節
する。 ・基板ＰＲＢの半田付け面とノズルパネルＮＯＰのノズ
ル上面の距離を変えることにより加熱温度を調節する。
【００１１】図７に本発明のプリヒート装置により、プ
リヒートを行なった基板の温度プロファイルの一例を示
す。図７において、縦軸は温度変化を、横軸はプリヒー
トの時間を示す。グラフの１，３，６は基板の異なった
半田付け個所の温度の変化を、グラフの２，５は基板上
の部品の表面温度の変化を、又グラフの４は基板の温度
の変化をす。図７より明らかなように、基板の半田付け
個所の温度は、プリヒートの時間が経過するに連れてほ
ぼ同じ値で上昇していくが、基板上の部品の表面温度は
わずかに上昇するが、基板の温度はほとんど変化が無い
ことが分かる。
リヒートを行なった基板の温度プロファイルの一例を示
す。図７において、縦軸は温度変化を、横軸はプリヒー
トの時間を示す。グラフの１，３，６は基板の異なった
半田付け個所の温度の変化を、グラフの２，５は基板上
の部品の表面温度の変化を、又グラフの４は基板の温度
の変化をす。図７より明らかなように、基板の半田付け
個所の温度は、プリヒートの時間が経過するに連れてほ
ぼ同じ値で上昇していくが、基板上の部品の表面温度は
わずかに上昇するが、基板の温度はほとんど変化が無い
ことが分かる。
【００１２】本発明のリフロー装置におけるプリヒート
方法のデータと比較するために、図８に従来のプリヒー
ト装置によりプリヒートを行なった基板の温度プロファ
イルの一例を示す。図８において、縦軸は温度変化を、
横軸はプリヒートの時間を示す。グラフの１，３，４は
基板の異なった半田付け個所の温度の変化を、グラフの
２，５は基板上の部品の表面温度の変化を、又グラフの
５は基板の温度の変化をす。図８より明らかなように、
基板の半田付け個所の温度が、プリヒートの時間が経過
するに連れて上昇していくと、基板上の部品の表面温度
や基板の温度もほぼ同様にその温度が上昇して行くこと
が分かる。
方法のデータと比較するために、図８に従来のプリヒー
ト装置によりプリヒートを行なった基板の温度プロファ
イルの一例を示す。図８において、縦軸は温度変化を、
横軸はプリヒートの時間を示す。グラフの１，３，４は
基板の異なった半田付け個所の温度の変化を、グラフの
２，５は基板上の部品の表面温度の変化を、又グラフの
５は基板の温度の変化をす。図８より明らかなように、
基板の半田付け個所の温度が、プリヒートの時間が経過
するに連れて上昇していくと、基板上の部品の表面温度
や基板の温度もほぼ同様にその温度が上昇して行くこと
が分かる。
【００１３】尚、図１は、説明の例として、基板の下面
に熱風を吹き付ける上向き吹き付けタイプを示したが、
表面実装部品等の基板で、熱風を基板の上面に、即ち、
基板の上から下向きに吹き付ける必要のあるものに対し
ては、下向き吹き付けタイプにすることも可能である．
図１に示したプリヒート装置のノズルパネルＮＯＰは、
プリヒートを行なう基板の半田付けポイントごとに熱風
吹き付け用穴または熱風吹き付け用ノズルが植え込まれ
ている。このためノズルパネルＮＯＰは基板に応じてそ
れぞれ独自に製作されるプレート状治具である。
に熱風を吹き付ける上向き吹き付けタイプを示したが、
表面実装部品等の基板で、熱風を基板の上面に、即ち、
基板の上から下向きに吹き付ける必要のあるものに対し
ては、下向き吹き付けタイプにすることも可能である．
図１に示したプリヒート装置のノズルパネルＮＯＰは、
プリヒートを行なう基板の半田付けポイントごとに熱風
吹き付け用穴または熱風吹き付け用ノズルが植え込まれ
ている。このためノズルパネルＮＯＰは基板に応じてそ
れぞれ独自に製作されるプレート状治具である。
【００１４】図２は、ノズルパネルの構成を説明するた
めの図である。図２において、（ａ）はノズルパネルの
組み立て図を示し、（ｂ）はその斜視図を示す。図２に
おいて図１と同一の部分には同一の符号を付けてその説
明を省略する。図２において、ＦＬＭはノズルパネルＮ
ＯＰを保持するフレームで、ノズルパネルＮＯＰをサー
ジタンクに搭載するために使用される。ＰＮはノズルパ
ネルＮＯＰに取り付けられる基板の位置決め用のピンで
ある。ＰＨは位置決め用のピンＰＮが取り付けるための
ノズルパネルＮＯＰの孔、ＮＨはノズルＮＯが取り付け
るためのノズルパネルＮＯＰの孔である。ＢＳはノズル
パネルＮＯＰをフレームＦＬＭに取り付けるビスであ
る。
めの図である。図２において、（ａ）はノズルパネルの
組み立て図を示し、（ｂ）はその斜視図を示す。図２に
おいて図１と同一の部分には同一の符号を付けてその説
明を省略する。図２において、ＦＬＭはノズルパネルＮ
ＯＰを保持するフレームで、ノズルパネルＮＯＰをサー
ジタンクに搭載するために使用される。ＰＮはノズルパ
ネルＮＯＰに取り付けられる基板の位置決め用のピンで
ある。ＰＨは位置決め用のピンＰＮが取り付けるための
ノズルパネルＮＯＰの孔、ＮＨはノズルＮＯが取り付け
るためのノズルパネルＮＯＰの孔である。ＢＳはノズル
パネルＮＯＰをフレームＦＬＭに取り付けるビスであ
る。
【００１５】図２の（ｂ）に示すように、フレームＦＬ
ＭはサージタンクＳＧＴ搭載され、ノズルパネルＮＯＰ
はビスＢＳによりフレームＦＬＭに取り付けられてい
る。ノズルパネルＮＯＰの孔ＰＨには基板の位置決め用
のピンＰＮがとりつけられ、孔ＮＨにはノズルＮＯが取
り付けられている。ノズルパネルＮＯＰにとりつけられ
た基板の位置決め用のピンＰＮは、プリヒートを行なう
基板ＰＲＢの半田付けポイントにノズルパネルＮＯＰの
各ノズルの位置が合うように、ノズルパネルＮＯＰと基
板ＰＲＢとの位置関係を設定するために使用される。こ
のために、基板ＰＲＢには位置決め用の孔Ｈがあけられ
ており、この孔にノズルパネルＮＯＰのピンＰＮを挿入
することにより、基板ＰＲＢの半田付けポイントにノズ
ルパネルＮＯＰの各ノズルの位置が自動的に合致するよ
うになっている。
ＭはサージタンクＳＧＴ搭載され、ノズルパネルＮＯＰ
はビスＢＳによりフレームＦＬＭに取り付けられてい
る。ノズルパネルＮＯＰの孔ＰＨには基板の位置決め用
のピンＰＮがとりつけられ、孔ＮＨにはノズルＮＯが取
り付けられている。ノズルパネルＮＯＰにとりつけられ
た基板の位置決め用のピンＰＮは、プリヒートを行なう
基板ＰＲＢの半田付けポイントにノズルパネルＮＯＰの
各ノズルの位置が合うように、ノズルパネルＮＯＰと基
板ＰＲＢとの位置関係を設定するために使用される。こ
のために、基板ＰＲＢには位置決め用の孔Ｈがあけられ
ており、この孔にノズルパネルＮＯＰのピンＰＮを挿入
することにより、基板ＰＲＢの半田付けポイントにノズ
ルパネルＮＯＰの各ノズルの位置が自動的に合致するよ
うになっている。
【００１６】次に、図１に示したプリヒート装置と同一
の構成を有する装置を使用し、基板のプリヒートとメイ
ン加熱を同一のヒータによって行うようにした、１ステ
ーションマルチスポットリフロー装置について、図３、
図４を使用して説明する。図３は、１ステーションマル
チスポットリフロー装置の全体の外観図をを示し、
（ａ）はその横側面図を示し、（ｂ）はその縦側面図を
示す。図３において、加熱装置部分には図１に示したプ
リヒート装置と同一の構成を有する加熱装置が使用され
ており、この加熱装置によりプリヒートとメイン加熱を
行なうようにしている。
の構成を有する装置を使用し、基板のプリヒートとメイ
ン加熱を同一のヒータによって行うようにした、１ステ
ーションマルチスポットリフロー装置について、図３、
図４を使用して説明する。図３は、１ステーションマル
チスポットリフロー装置の全体の外観図をを示し、
（ａ）はその横側面図を示し、（ｂ）はその縦側面図を
示す。図３において、加熱装置部分には図１に示したプ
リヒート装置と同一の構成を有する加熱装置が使用され
ており、この加熱装置によりプリヒートとメイン加熱を
行なうようにしている。
【００１７】図３の１ステーションマルチスポットリフ
ロー装置では、装置の右側の基盤受入部に受け入れられ
た基盤は、加熱装置部分に搬入され、ここでリフロー処
理のプリヒートとメイン加熱の二つの工程が行われ、リ
フローの処理かが終了すると冷却装置部に送り出され、
冷却され基盤の半田付け処理が終了する。図４は、プリ
ヒートとメイン加熱の工程を１ステーションで行なうよ
うにした図３の加熱装置部分の動作を説明するための図
である。図４の（ａ）は待機時の状態を示し、（ｂ）は
プリヒート時の状態を示し、（ｃ）はメイン加熱の時の
状態を示したものである。
ロー装置では、装置の右側の基盤受入部に受け入れられ
た基盤は、加熱装置部分に搬入され、ここでリフロー処
理のプリヒートとメイン加熱の二つの工程が行われ、リ
フローの処理かが終了すると冷却装置部に送り出され、
冷却され基盤の半田付け処理が終了する。図４は、プリ
ヒートとメイン加熱の工程を１ステーションで行なうよ
うにした図３の加熱装置部分の動作を説明するための図
である。図４の（ａ）は待機時の状態を示し、（ｂ）は
プリヒート時の状態を示し、（ｃ）はメイン加熱の時の
状態を示したものである。
【００１８】図４において、図１〜図３と同一の部分に
は同一の符号を付けてその説明を省略する。図４におい
て、ＰＨＤは加熱装置で、図１の装置のサージタンクＳ
ＧＴとノズルパネルＮＯＰとを備えている。ＨＷＧは熱
風発生器で、加熱装置ＰＨＤの下部に取り付けられサー
ジタンクに熱風を供給する。ＳＬＮは加熱装置ＰＨＤを
上下させるためのシリンダーである。ＥＸＨは排気装置
で、加熱装置ＰＨＤより基板に供給される熱風を排出す
る。ＣＬＮは基板の搬送ラインである。
は同一の符号を付けてその説明を省略する。図４におい
て、ＰＨＤは加熱装置で、図１の装置のサージタンクＳ
ＧＴとノズルパネルＮＯＰとを備えている。ＨＷＧは熱
風発生器で、加熱装置ＰＨＤの下部に取り付けられサー
ジタンクに熱風を供給する。ＳＬＮは加熱装置ＰＨＤを
上下させるためのシリンダーである。ＥＸＨは排気装置
で、加熱装置ＰＨＤより基板に供給される熱風を排出す
る。ＣＬＮは基板の搬送ラインである。
【００１９】図３、図４に示すような構成を有する、１
ステーションマルチスポットリフロー装置の動作につい
て説明する。半田付けを行う基板は、搬送ラインＣＬＮ
より加熱装置ＰＨＤ内に送り込まれ、加熱装置ＰＨＤの
所定位置に位置決めされる。基板ＰＲＢの位置決めは、
図２に示すような、基板ＰＲＢにあけられている位置決
め用の孔ＨにノズルパネルＮＯＰのピンＰＮを挿入する
ことにより、基板ＰＲＢの半田付けポイントにノズルパ
ネルＮＯＰの各ノズルの位置が自動的に合致するように
その位置が設定される。
ステーションマルチスポットリフロー装置の動作につい
て説明する。半田付けを行う基板は、搬送ラインＣＬＮ
より加熱装置ＰＨＤ内に送り込まれ、加熱装置ＰＨＤの
所定位置に位置決めされる。基板ＰＲＢの位置決めは、
図２に示すような、基板ＰＲＢにあけられている位置決
め用の孔ＨにノズルパネルＮＯＰのピンＰＮを挿入する
ことにより、基板ＰＲＢの半田付けポイントにノズルパ
ネルＮＯＰの各ノズルの位置が自動的に合致するように
その位置が設定される。
【００２０】加熱装置ＰＨＤは、基板が装置内に送り込
まれていない、図４の（ａ）の待機時には、その位置決
めピンＰＮが搬送ラインＣＬＮよりも低い位置にあり、
基板が装置内に送り込み可能の状態にある。基板が加熱
装置ＰＨＤ内に送り込まれると、加熱装置ＰＨＤはシリ
ンダーＳＬＮによりそのレベルが上昇され、ノズルパネ
ルのピンＰＮを基板にあけられている位置決め用の孔に
挿入することにより位置決めを行ない、図４の（ｂ）の
プリヒート時の状態になる。この時の基板の半田付け面
と加熱装置ＰＨＤのノズルパネルのノズル上面の間隔
は、プリヒートを行なうのに適した値に制御される。
まれていない、図４の（ａ）の待機時には、その位置決
めピンＰＮが搬送ラインＣＬＮよりも低い位置にあり、
基板が装置内に送り込み可能の状態にある。基板が加熱
装置ＰＨＤ内に送り込まれると、加熱装置ＰＨＤはシリ
ンダーＳＬＮによりそのレベルが上昇され、ノズルパネ
ルのピンＰＮを基板にあけられている位置決め用の孔に
挿入することにより位置決めを行ない、図４の（ｂ）の
プリヒート時の状態になる。この時の基板の半田付け面
と加熱装置ＰＨＤのノズルパネルのノズル上面の間隔
は、プリヒートを行なうのに適した値に制御される。
【００２１】この状態で加熱装置ＰＨＤのノズルパネル
のノズルより熱風が基板の半田付けポイントに一定の時
間吹き付けられると、半田付けポイントの温度は半田の
溶解直前のプリヒートの状態に到達する。この場合に
も、基板の半田付けポイント以外の場所の温度は図７で
示したようにほとんど上昇しないので、基板に搭載され
た部品にはプリヒートの温度の影響は無い。基板の半田
付けポイントの温度がプリヒートの状態に到達すると、
加熱装置ＰＨＤはシリンダーＳＬＮによりそのレベルが
さらに上昇されられ、図４の（ｃ）のメイン加熱の状態
に入る。
のノズルより熱風が基板の半田付けポイントに一定の時
間吹き付けられると、半田付けポイントの温度は半田の
溶解直前のプリヒートの状態に到達する。この場合に
も、基板の半田付けポイント以外の場所の温度は図７で
示したようにほとんど上昇しないので、基板に搭載され
た部品にはプリヒートの温度の影響は無い。基板の半田
付けポイントの温度がプリヒートの状態に到達すると、
加熱装置ＰＨＤはシリンダーＳＬＮによりそのレベルが
さらに上昇されられ、図４の（ｃ）のメイン加熱の状態
に入る。
【００２２】メイン加熱の時は基板の半田付け面と加熱
装置ＰＨＤＫノズルパネルのノズル上面の間隔を小さく
して、熱量を増やして温度を一気に上昇させ半田を溶融
させて部品の半田付けを行なう。半田付け完了後は、加
熱装置ＰＨＤはシリンダーＳＬＮによりそのレベルが下
げられ、基板が移動可能の状態になると基板は冷却ステ
ーションまで搬送され、冷却ステーションの冷却用ファ
ンにより冷却させる。このように、基板の半田付け面と
ノズル上面の間隔を制御することにより、すなわちプリ
ヒート時は基板の半田付け面とノズル上面の間隔を大き
く、メイン加熱の時はその間隔を小さくして基板ＰＲＢ
の半田付けポイントの温度を制御することにより、プリ
ヒートとメイン加熱を一つの装置で行なうことが出来
る。このために、本発明を適用した、図３、図４に示す
１ステーションマルチスポットリフロー装置では装置の
小型化が実現出来る。
装置ＰＨＤＫノズルパネルのノズル上面の間隔を小さく
して、熱量を増やして温度を一気に上昇させ半田を溶融
させて部品の半田付けを行なう。半田付け完了後は、加
熱装置ＰＨＤはシリンダーＳＬＮによりそのレベルが下
げられ、基板が移動可能の状態になると基板は冷却ステ
ーションまで搬送され、冷却ステーションの冷却用ファ
ンにより冷却させる。このように、基板の半田付け面と
ノズル上面の間隔を制御することにより、すなわちプリ
ヒート時は基板の半田付け面とノズル上面の間隔を大き
く、メイン加熱の時はその間隔を小さくして基板ＰＲＢ
の半田付けポイントの温度を制御することにより、プリ
ヒートとメイン加熱を一つの装置で行なうことが出来
る。このために、本発明を適用した、図３、図４に示す
１ステーションマルチスポットリフロー装置では装置の
小型化が実現出来る。
【００２３】図５は、プリヒートとメイン加熱の工程を
１ステーションで行なうようにした下吹き付けタイプの
リフロー装置の加熱装置部分の動作を説明するための図
である。図５において、図１〜４と同一の部分には同一
の符号を付けてその説明を省略する。図５において、Ｐ
ＨＤは加熱装置で、図１の装置のサージタンクＳＧＴと
ノズルパネルＮＯＰとを備えている。ＨＷＧは熱風発生
器で、加熱装置ＰＨＤのサージタンクに熱風を供給す
る。ＳＰＴは基板の受台である。基板の受台ＳＰＴに
は、位置決めピンＰＮＴが設けられている。ＳＬＮは基
板の受台ＳＰＴを上下させるためのシリンダーである。
ＥＸＨは排気装置で、加熱装置ＰＨＤより基板に供給さ
れる熱風を排出する。ＣＬＮは基板の搬送ラインであ
る。
１ステーションで行なうようにした下吹き付けタイプの
リフロー装置の加熱装置部分の動作を説明するための図
である。図５において、図１〜４と同一の部分には同一
の符号を付けてその説明を省略する。図５において、Ｐ
ＨＤは加熱装置で、図１の装置のサージタンクＳＧＴと
ノズルパネルＮＯＰとを備えている。ＨＷＧは熱風発生
器で、加熱装置ＰＨＤのサージタンクに熱風を供給す
る。ＳＰＴは基板の受台である。基板の受台ＳＰＴに
は、位置決めピンＰＮＴが設けられている。ＳＬＮは基
板の受台ＳＰＴを上下させるためのシリンダーである。
ＥＸＨは排気装置で、加熱装置ＰＨＤより基板に供給さ
れる熱風を排出する。ＣＬＮは基板の搬送ラインであ
る。
【００２４】図５に示すような構成を有する、下吹き付
けタイプの１ステーションマルチスポットリフロー装置
について説明する。図５の下吹き付けタイプのリフロー
装置では、加熱装置ＰＨＤの位置は固定されており、基
板の半田付け面と加熱装置ＰＨＤのノズルパネルのノズ
ル面との間隔の制御は基板の受台ＳＰＴの側を上昇、下
降させることにより行なうようにしている。このため、
位置決めピンＰＮは基板の受台ＳＰＴの側に設けられて
いる。半田付けを行う基板は、搬送ラインＣＬＮより加
熱装置ＰＨＤ内に送り込まれると、シリンダーＳＬＮに
より上下させられる基板の受台ＳＰＴにより支持され
て、加熱装置ＰＨＤの下部の所定位置に位置決めされ
る。
けタイプの１ステーションマルチスポットリフロー装置
について説明する。図５の下吹き付けタイプのリフロー
装置では、加熱装置ＰＨＤの位置は固定されており、基
板の半田付け面と加熱装置ＰＨＤのノズルパネルのノズ
ル面との間隔の制御は基板の受台ＳＰＴの側を上昇、下
降させることにより行なうようにしている。このため、
位置決めピンＰＮは基板の受台ＳＰＴの側に設けられて
いる。半田付けを行う基板は、搬送ラインＣＬＮより加
熱装置ＰＨＤ内に送り込まれると、シリンダーＳＬＮに
より上下させられる基板の受台ＳＰＴにより支持され
て、加熱装置ＰＨＤの下部の所定位置に位置決めされ
る。
【００２５】基板の位置決めは、図２に示すような、基
板ＰＲＢにあけられている位置決め用の孔Ｈに基板の受
台ＳＰＴのピンＰＮを挿入することにより、基板の半田
付けポイントに加熱装置ＰＨＤのノズルパネルの各ノズ
ルの位置が自動的に合致するようにその位置が設定され
る。基板の受台ＳＰＴは、基板が装置内に送り込まれて
いない、待機時には、その位置が搬送ラインＣＬＮより
も低い位置にあり、基板が装置内に送り込み可能の状態
にある。基板が加熱装置ＰＨＤ内に送り込まれると、基
板の受台ＳＰＴはシリンダーＳＬＮによりそのレベルが
上昇され、基板の受台ＳＰＴのピンＰＮを基板にあけら
れている位置決め用の孔に挿入することにより位置決め
を行ない、そのレベルを所定のレベルに固定してプリヒ
ート時の状態に入る。
板ＰＲＢにあけられている位置決め用の孔Ｈに基板の受
台ＳＰＴのピンＰＮを挿入することにより、基板の半田
付けポイントに加熱装置ＰＨＤのノズルパネルの各ノズ
ルの位置が自動的に合致するようにその位置が設定され
る。基板の受台ＳＰＴは、基板が装置内に送り込まれて
いない、待機時には、その位置が搬送ラインＣＬＮより
も低い位置にあり、基板が装置内に送り込み可能の状態
にある。基板が加熱装置ＰＨＤ内に送り込まれると、基
板の受台ＳＰＴはシリンダーＳＬＮによりそのレベルが
上昇され、基板の受台ＳＰＴのピンＰＮを基板にあけら
れている位置決め用の孔に挿入することにより位置決め
を行ない、そのレベルを所定のレベルに固定してプリヒ
ート時の状態に入る。
【００２６】この時の基板の半田付け面と加熱装置ＰＨ
Ｄのノズルパネルのノズル上面の間隔は、プリヒートを
行なうのに適した値に制御される。この状態で一定の時
間加熱装置ＰＨＤのノズルパネルのノズルより熱風が基
板の半田付けポイントに吹き付けられると、半田付けポ
イントの温度は半田の溶解直前のプリヒートの状態に到
達する。この場合にも、基板の半田付けポイント以外の
場所の温度は図７で示したようにほとんど上昇しないの
で、基板ＰＲＢに搭載された部品にはプリヒートの温度
の影響は無い。
Ｄのノズルパネルのノズル上面の間隔は、プリヒートを
行なうのに適した値に制御される。この状態で一定の時
間加熱装置ＰＨＤのノズルパネルのノズルより熱風が基
板の半田付けポイントに吹き付けられると、半田付けポ
イントの温度は半田の溶解直前のプリヒートの状態に到
達する。この場合にも、基板の半田付けポイント以外の
場所の温度は図７で示したようにほとんど上昇しないの
で、基板ＰＲＢに搭載された部品にはプリヒートの温度
の影響は無い。
【００２７】基板の半田付けポイントの温度がプリヒー
トの状態に到達すると、基板の受台ＳＰＴはシリンダー
ＳＬＮによりそのレベルがさらに上昇されられ、メイン
加熱の状態に入る。メイン加熱の時には、基板の半田付
け面と加熱装置ＰＨＤノズルパネルのノズル上面の間隔
を小さくして温度を一気に上昇させ半田を溶融させて部
品の半田付けを行なう。半田付けが終了すると、基板の
受台ＳＰＴはシリンダーＳＬＮによりそのレベルが下降
されられ、基板は搬送ラインＣＬＮより冷却ステーショ
ンまで搬送され、冷却ステーションの冷却用ファンによ
り半田付けの完了した基板が冷却される。
トの状態に到達すると、基板の受台ＳＰＴはシリンダー
ＳＬＮによりそのレベルがさらに上昇されられ、メイン
加熱の状態に入る。メイン加熱の時には、基板の半田付
け面と加熱装置ＰＨＤノズルパネルのノズル上面の間隔
を小さくして温度を一気に上昇させ半田を溶融させて部
品の半田付けを行なう。半田付けが終了すると、基板の
受台ＳＰＴはシリンダーＳＬＮによりそのレベルが下降
されられ、基板は搬送ラインＣＬＮより冷却ステーショ
ンまで搬送され、冷却ステーションの冷却用ファンによ
り半田付けの完了した基板が冷却される。
【００２８】図６はマルチスポットプリピート装置を組
み入れたインライン型マルチスポットリフロー装置の実
施例を示す図である。図６に示す装置は、図３，４に示
したような上向き吹き付け型の装置を使用した例を示し
たものである。図６において、ＰＨＳはマルチスポット
プリヒート部である。マルチスポットプリピート部ＰＨ
Ｓは、加熱装置とその上昇装置を有し、基板到着信号に
よって基板に適正なプリヒートが供給される間隔（事前
に実験等で得られたた適正間隔）までノズルを基板に近
づけ、一定時間保持してプリヒートが行われる。
み入れたインライン型マルチスポットリフロー装置の実
施例を示す図である。図６に示す装置は、図３，４に示
したような上向き吹き付け型の装置を使用した例を示し
たものである。図６において、ＰＨＳはマルチスポット
プリヒート部である。マルチスポットプリピート部ＰＨ
Ｓは、加熱装置とその上昇装置を有し、基板到着信号に
よって基板に適正なプリヒートが供給される間隔（事前
に実験等で得られたた適正間隔）までノズルを基板に近
づけ、一定時間保持してプリヒートが行われる。
【００２９】ＭＨＳはマルチスポットメインヒート部で
ある。マルチスポットメインヒート部ＭＨＳは加熱装置
とその上昇装置を有し、基板到着信号によって基板に適
正なメイン加熱が行われる間隔（事前に実験等で得られ
たた適正間隔）までノズルを基板に近づけ、一定時間保
持して半田付けが行われる。プリヒート部ＰＨＳとメイ
ン加熱部ＭＨＳは同一の構成である。プリヒート部ＰＨ
Ｓとメイン加熱部ＭＨＳにおいて、ＰＨＤは加熱装置
で、図１の装置のサージタンクＳＧＴとノズルパネルＮ
ＯＰとを備えている。
ある。マルチスポットメインヒート部ＭＨＳは加熱装置
とその上昇装置を有し、基板到着信号によって基板に適
正なメイン加熱が行われる間隔（事前に実験等で得られ
たた適正間隔）までノズルを基板に近づけ、一定時間保
持して半田付けが行われる。プリヒート部ＰＨＳとメイ
ン加熱部ＭＨＳは同一の構成である。プリヒート部ＰＨ
Ｓとメイン加熱部ＭＨＳにおいて、ＰＨＤは加熱装置
で、図１の装置のサージタンクＳＧＴとノズルパネルＮ
ＯＰとを備えている。
【００３０】ＨＷＧは熱風発生器で、加熱装置ＰＨＤの
下部に取り付けられサージタンクに熱風を供給する。Ｓ
ＬＮは加熱装置ＰＨＤを上下させるためのシリンダーで
ある。ＥＸＨは排気装置で、加熱装置ＰＨＤより基板に
供給される熱風を排出する。冷却装置部は半田付けの完
了した基板を冷却する。ＣＬＮは基板の搬送ラインであ
る。基板搬送ラインＣＬＮは、半田付けを行う基板を装
置内に取り込み、プリヒート部→メイン加熱部→冷却装
置部の順に基板の搬送を行なう。
下部に取り付けられサージタンクに熱風を供給する。Ｓ
ＬＮは加熱装置ＰＨＤを上下させるためのシリンダーで
ある。ＥＸＨは排気装置で、加熱装置ＰＨＤより基板に
供給される熱風を排出する。冷却装置部は半田付けの完
了した基板を冷却する。ＣＬＮは基板の搬送ラインであ
る。基板搬送ラインＣＬＮは、半田付けを行う基板を装
置内に取り込み、プリヒート部→メイン加熱部→冷却装
置部の順に基板の搬送を行なう。
【００３１】半田付けを行う基板は、基板受け入れ部か
ら搬送ラインＣＬＮよりプリヒート部ＰＨＳの加熱装置
ＰＨＤ内に送り込まれ、プリヒート部ＰＨＳの加熱装置
ＰＨＤの所定位置に位置決めされる。基板ＰＲＢの位置
決めは、図２に示すように、基板ＰＲＢにあけられてい
る位置決め用の孔ＨにノズルパネルＮＯＰのピンＰＮを
挿入することにより、基板の半田付けポイントに加熱装
置ＰＨＤノズルパネルの各ノズルの位置が自動的に合致
するようにその位置が設定される。
ら搬送ラインＣＬＮよりプリヒート部ＰＨＳの加熱装置
ＰＨＤ内に送り込まれ、プリヒート部ＰＨＳの加熱装置
ＰＨＤの所定位置に位置決めされる。基板ＰＲＢの位置
決めは、図２に示すように、基板ＰＲＢにあけられてい
る位置決め用の孔ＨにノズルパネルＮＯＰのピンＰＮを
挿入することにより、基板の半田付けポイントに加熱装
置ＰＨＤノズルパネルの各ノズルの位置が自動的に合致
するようにその位置が設定される。
【００３２】プリヒート部ＰＨＳ加熱装置ＰＨＤは、基
板が装置内に送り込まれていない待機時には、その位置
決めピンが搬送ラインＣＬＮよりも低い位置にあり、基
板が装置内に送り込み可能の状態にある。基板がプリヒ
ート部ＰＨＳの加熱装置ＰＨＤ内に送り込まれると、加
熱装置ＰＨＤはシリンダーＳＬＮによりそのレベルが上
昇され、プリヒート時の状態になる。この時の基板ＰＲ
Ｂの半田付け面と加熱装置ＰＨＤのノズルパネルのノズ
ル上面の間隔は、プリヒートを行なうのに適した値に制
御される。
板が装置内に送り込まれていない待機時には、その位置
決めピンが搬送ラインＣＬＮよりも低い位置にあり、基
板が装置内に送り込み可能の状態にある。基板がプリヒ
ート部ＰＨＳの加熱装置ＰＨＤ内に送り込まれると、加
熱装置ＰＨＤはシリンダーＳＬＮによりそのレベルが上
昇され、プリヒート時の状態になる。この時の基板ＰＲ
Ｂの半田付け面と加熱装置ＰＨＤのノズルパネルのノズ
ル上面の間隔は、プリヒートを行なうのに適した値に制
御される。
【００３３】この状態で一定時間加熱装置ＰＨＤのノズ
ルパネルのノズルより熱風が基板の半田付けポイントに
吹き付けられると、半田付けポイントの温度は半田の溶
解直前のプリヒートの状態に到達する。この場合にも、
基板の半田付けポイント以外の場所の温度は図７で示し
たようにほとんど上昇しないので、基板に搭載された部
品にはプリヒートの温度の影響は無い。
ルパネルのノズルより熱風が基板の半田付けポイントに
吹き付けられると、半田付けポイントの温度は半田の溶
解直前のプリヒートの状態に到達する。この場合にも、
基板の半田付けポイント以外の場所の温度は図７で示し
たようにほとんど上昇しないので、基板に搭載された部
品にはプリヒートの温度の影響は無い。
【００３４】基板の半田付けポイントの温度がプリヒー
トの状態に到達すると、プリヒート部ＰＨＳの加熱装置
ＰＨＤはシリンダーＳＬＮによりそのレベルが、搬送ラ
インＣＬＮよりも低い位置まで下げられ、基板は搬送ラ
インＣＬＮよりメイン加熱部ＭＨＳに送り込まれ、メイ
ン加熱部ＭＨＳの加熱装置ＰＨＤの所定位置に位置決め
される。基板の位置決めは、プリヒート部ＰＨＳの場合
と同様に、図２に示すような基板ＰＲＢにあけられてい
る位置決め用の孔Ｈにメイン加熱部ＭＨＳの加熱装置Ｐ
ＨＤのノズルパネルのピンＰＮを挿入することにより、
基板の半田付けポイントにノズルパネルの各ノズルの位
置が自動的に合致するようにその位置が設定される。
トの状態に到達すると、プリヒート部ＰＨＳの加熱装置
ＰＨＤはシリンダーＳＬＮによりそのレベルが、搬送ラ
インＣＬＮよりも低い位置まで下げられ、基板は搬送ラ
インＣＬＮよりメイン加熱部ＭＨＳに送り込まれ、メイ
ン加熱部ＭＨＳの加熱装置ＰＨＤの所定位置に位置決め
される。基板の位置決めは、プリヒート部ＰＨＳの場合
と同様に、図２に示すような基板ＰＲＢにあけられてい
る位置決め用の孔Ｈにメイン加熱部ＭＨＳの加熱装置Ｐ
ＨＤのノズルパネルのピンＰＮを挿入することにより、
基板の半田付けポイントにノズルパネルの各ノズルの位
置が自動的に合致するようにその位置が設定される。
【００３５】メイン加熱部ＭＨＳの加熱装置ＰＨＤは、
基板が装置内に送り込まれていない待機時には、その位
置決めピンが搬送ラインＣＬＮよりも低い位置にあり、
基板が装置内に送り込み可能の状態にある。基板がメイ
ン加熱部ＭＨＳの加熱装置ＰＨＤ内に送り込まれると、
加熱装置ＰＨＤはシリンダーＳＬＮによりそのレベルが
上昇されメイン加熱時の状態になる。
基板が装置内に送り込まれていない待機時には、その位
置決めピンが搬送ラインＣＬＮよりも低い位置にあり、
基板が装置内に送り込み可能の状態にある。基板がメイ
ン加熱部ＭＨＳの加熱装置ＰＨＤ内に送り込まれると、
加熱装置ＰＨＤはシリンダーＳＬＮによりそのレベルが
上昇されメイン加熱時の状態になる。
【００３６】この時の基板の半田付け面と加熱装置ＰＨ
Ｄのノズルパネルのノズル上面の間隔は、メイン加熱を
行なうのに適した値に制御される。この状態で一定時間
ノズルパネルのノズルより熱風が基板ＰＲＢの半田付け
ポイントに吹き付けられると、半田付けポイントの温度
は半田が溶解するメイン加熱の状態に到達する。この場
合にも、基板ＰＲＢの半田付けポイント以外の場所の温
度は図７で示したようにほとんど上昇しないので、基板
ＰＲＢに搭載された部品にはメイン加熱の温度の影響は
無い。
Ｄのノズルパネルのノズル上面の間隔は、メイン加熱を
行なうのに適した値に制御される。この状態で一定時間
ノズルパネルのノズルより熱風が基板ＰＲＢの半田付け
ポイントに吹き付けられると、半田付けポイントの温度
は半田が溶解するメイン加熱の状態に到達する。この場
合にも、基板ＰＲＢの半田付けポイント以外の場所の温
度は図７で示したようにほとんど上昇しないので、基板
ＰＲＢに搭載された部品にはメイン加熱の温度の影響は
無い。
【００３７】基板ＰＲＢの半田付けが完了すると、メイ
ン加熱部ＭＨＳの加熱装置ＰＨＤはシリンダーＳＬＮに
よりそのレベルが、搬送ラインＣＬＮよりも低い位置ま
で下げられ、基板ＰＲＢは搬送ラインＣＬＮより冷却装
置部に送られ、冷却される。上記の各装置において、基
板の半田付け面とノズル面の間隔制御にはロボットを用
いることが出来る。この場合には、理想的な温度プロフ
ァイルをロボットに記憶させ、センサーから現在温度の
情報を取り込み、基板の半田付け面とノズル面の間隔を
自動制御させることが出来る。尚、図６は、上吹き付け
タイプの装置を使用した例について説明したが、必要な
場合には、下吹き付けタイプの装置を使用することも出
来る。
ン加熱部ＭＨＳの加熱装置ＰＨＤはシリンダーＳＬＮに
よりそのレベルが、搬送ラインＣＬＮよりも低い位置ま
で下げられ、基板ＰＲＢは搬送ラインＣＬＮより冷却装
置部に送られ、冷却される。上記の各装置において、基
板の半田付け面とノズル面の間隔制御にはロボットを用
いることが出来る。この場合には、理想的な温度プロフ
ァイルをロボットに記憶させ、センサーから現在温度の
情報を取り込み、基板の半田付け面とノズル面の間隔を
自動制御させることが出来る。尚、図６は、上吹き付け
タイプの装置を使用した例について説明したが、必要な
場合には、下吹き付けタイプの装置を使用することも出
来る。
【００３８】
【発明の効果】以上の説明より明らかなように、本発明
のリフロー装置におけるプリヒート方法とこれを実施し
た装置は、熱風発生装置とノズルを使用して、基板の半
田付け部分だけを部分的に加熱するようにして半田付け
部分以外の場所に半田付けのための加熱の影響が及ばな
いようにしたリフロー装置を実現することが出来る。
のリフロー装置におけるプリヒート方法とこれを実施し
た装置は、熱風発生装置とノズルを使用して、基板の半
田付け部分だけを部分的に加熱するようにして半田付け
部分以外の場所に半田付けのための加熱の影響が及ばな
いようにしたリフロー装置を実現することが出来る。
【００３９】このために、本発明は、次のような各種の
効果を得ることが出来る。 １．プリヒートの段階においては、基板全体の加熱が避
けられる。プリヒートにより、半田付け面の半田付けを
しない部分や半田付け面の反対面は加熱され無いので、
従来は不可能であった、使用するクリームハンダの適正
プリヒート条件以下の温度が要求される部品、例えば、
樹脂を含む部品、ばね性部品、電池などが搭載されてい
る基板への半田付けを行なうことが出来るようになっ
た。
効果を得ることが出来る。 １．プリヒートの段階においては、基板全体の加熱が避
けられる。プリヒートにより、半田付け面の半田付けを
しない部分や半田付け面の反対面は加熱され無いので、
従来は不可能であった、使用するクリームハンダの適正
プリヒート条件以下の温度が要求される部品、例えば、
樹脂を含む部品、ばね性部品、電池などが搭載されてい
る基板への半田付けを行なうことが出来るようになっ
た。
【００４０】２．特に、本発明のマルチスポットプリピ
ート法により、 ・半田付け部分以外への熱影響を最小限に押さえられ
る。この効果によって樹脂性部品、ばねを有する部品、
電池など耐熱性に厳しい部品を含むワークでもマルチス
ポットリフロー装置による一括半田付けが可能となっ
た。 ・熱容量の異なる部品に対しても、同一工程で個々に適
正なプリヒートを供給できる。この効果によって大小部
品の混入がある基板でもマルチスポットリフロー装置に
よる一括半田付けが可能となった。
ート法により、 ・半田付け部分以外への熱影響を最小限に押さえられ
る。この効果によって樹脂性部品、ばねを有する部品、
電池など耐熱性に厳しい部品を含むワークでもマルチス
ポットリフロー装置による一括半田付けが可能となっ
た。 ・熱容量の異なる部品に対しても、同一工程で個々に適
正なプリヒートを供給できる。この効果によって大小部
品の混入がある基板でもマルチスポットリフロー装置に
よる一括半田付けが可能となった。
【００４１】３．マルチスポットプリピート装置を組み
入れたインライン型マルチスポットリフロー装置では、
マルチスポットプリピート法の効果に加えて、タクトタ
イムの短縮が実現出来る。
入れたインライン型マルチスポットリフロー装置では、
マルチスポットプリピート法の効果に加えて、タクトタ
イムの短縮が実現出来る。
【００４２】４．装置の小型化が実現できる。従来装置
では理想的なプリヒートのプロファイルを得るために、
一般的にはパネルヒータを３ゾーン使用している。この
ため装置の大型化は避けられなかったが、本発明のマル
チスポットプリピート法を採用した１ステーションマル
チスポットリフロー装置により、装置の小型化とマルチ
スポットリフロー装置のローコスト化が実現出来る。
では理想的なプリヒートのプロファイルを得るために、
一般的にはパネルヒータを３ゾーン使用している。この
ため装置の大型化は避けられなかったが、本発明のマル
チスポットプリピート法を採用した１ステーションマル
チスポットリフロー装置により、装置の小型化とマルチ
スポットリフロー装置のローコスト化が実現出来る。
【図１】本発明のリフロー装置におけるプリヒート方法
を実施したプリヒート装置の一実施例の構成を示す説明
図である。
を実施したプリヒート装置の一実施例の構成を示す説明
図である。
【図２】本発明を使用したノズルパネルの構成を説明す
るための図である。
るための図である。
【図３】本発明を使用した１ステーションマルチスポッ
トリフロー装置の全体の外観図をを示す。
トリフロー装置の全体の外観図をを示す。
【図４】プリヒートとメイン加熱の工程を１ステーショ
ンで行なうようにした１ステーションマルチスポットリ
フロー装置の加熱装置部分の動作を説明するための図で
ある。
ンで行なうようにした１ステーションマルチスポットリ
フロー装置の加熱装置部分の動作を説明するための図で
ある。
【図５】プリヒートとメイン加熱の工程を１ステーショ
ンで行なうようにした下吹き付けタイプ加熱装置部分の
動作を説明するための図である。
ンで行なうようにした下吹き付けタイプ加熱装置部分の
動作を説明するための図である。
【図６】本発明を使用したマルチスポットプリピート装
置を組み入れたインライン型マルチスポットリフロー装
置の実施例を示す図である。
置を組み入れたインライン型マルチスポットリフロー装
置の実施例を示す図である。
【図７】本発明のプリヒート装置により、プリヒートを
行なった基板の温度プロファイルの一例を示す。
行なった基板の温度プロファイルの一例を示す。
【図８】従来のプリヒート装置によりプリヒートを行な
った基板の温度プロファイルの一例を示す。
った基板の温度プロファイルの一例を示す。
ＳＧＴ・・・熱風発生用のサージタンク， ＨＷＧ
・・・サージタンクに熱風を供給する熱風発生器，
ＮＯＰ・・・ノズルパネル， ＮＯ１、ＮＯ２、
〜Ｎｏｎ・・・熱風送出用のノズル， ＰＲＢ・・
・電子部品の取り付けられる基板， ＰＡ１・・・
基板に半田付けにより取り付けられる電子部品，
ＰＡ２・・・基板に機械的に取り付けられた電子部品，
ＣＨ・・・基板に電子部品を半田付けするためのクリー
ム半田，ＦＬＭ・・・ノズルパネルを保持するフレー
ム， ＰＮ・・・位置決め用のピン， Ｈ・・
・位置決め用のピンの挿入される基板の孔，ＮＨ・・・
ノズルが取り付けるためのノズルパネルの孔， Ｂ
Ｓ・・・ノズルパネルをフレームに取り付けるビス
・・・サージタンクに熱風を供給する熱風発生器，
ＮＯＰ・・・ノズルパネル， ＮＯ１、ＮＯ２、
〜Ｎｏｎ・・・熱風送出用のノズル， ＰＲＢ・・
・電子部品の取り付けられる基板， ＰＡ１・・・
基板に半田付けにより取り付けられる電子部品，
ＰＡ２・・・基板に機械的に取り付けられた電子部品，
ＣＨ・・・基板に電子部品を半田付けするためのクリー
ム半田，ＦＬＭ・・・ノズルパネルを保持するフレー
ム， ＰＮ・・・位置決め用のピン， Ｈ・・
・位置決め用のピンの挿入される基板の孔，ＮＨ・・・
ノズルが取り付けるためのノズルパネルの孔， Ｂ
Ｓ・・・ノズルパネルをフレームに取り付けるビス
Claims (18)
- 【請求項１】熱風発生装置と該熱風発生装置より発生さ
れる熱風を送出するノズルが取り付けられているノズル
パネルを使用して、基板の半田付け部分だけにノズルパ
ネルのノズルより熱風を吹き付け基板の半田付け部分を
部分的にプリヒートするようにして、半田付け部分以外
の場所にプリヒートによる加熱の影響が及ばないように
したリフロー装置におけるプリヒート方法。 - 【請求項２】熱風発生装置と該熱風発生装置より発生さ
れる熱風を送出する複数のノズルが取り付けられている
ノズルパネルを使用して、基板の複数個所の半田付け部
分だけにノズルパネルのノズルより熱風を吹き付け基板
の半田付け部分を部分的にプリヒートするようにして、
半田付け部分以外の場所にプリヒートによる加熱の影響
が及ばないようにしたリフロー装置におけるマルチスポ
ットプリヒート方法。 - 【請求項３】熱風発生装置と該熱風発生装置より発生さ
れる熱風を送出するノズルが取り付けられているノズル
パネルを使用して、基板の半田付け部分だけにノズルパ
ネルのノズルより熱風を吹き付け基板の半田付け部分を
部分的にプリヒートするようにし、プリヒートの加熱量
コントロールは熟風吹き出し口と半田付け面の間隔を制
御するようにして、半田付け部分以外の場所にプリヒー
トによる加熱の影響が及ばないようにしたリフロー装置
におけるプリヒート方法。 - 【請求項４】熱風発生装置と該熱風発生装置より発生さ
れる熱風を送出するノズルが取り付けられているノズル
パネルを使用して、基板の半田付け部分だけにノズルパ
ネルのノズルより熱風を吹き付け基板の半田付け部分を
部分的にプリヒートするようにし、プリヒートの加熱量
コントロールは熱風を送出するノズルの径を変えるよう
にして、半田付け部分以外の場所にプリヒートによる加
熱の影響が及ばないようにしたリフロー装置におけるプ
リヒート方法。 - 【請求項５】熱風発生装置と該熱風発生装置より発生さ
れる熱風を送出するノズルが取り付けられているノズル
パネルを使用して、基板の半田付け部分だけにノズルパ
ネルのノズルより熱風を吹き付け基板の半田付け部分を
部分的にプリヒートするようにし、プリヒートの加熱量
コントロールはノズルに熱風を供給するノズルパネルの
穴の径を変えるようにして、半田付け部分以外の場所に
プリヒートによる加熱の影響が及ばないようにしたリフ
ロー装置におけるプリヒート方法。 - 【請求項６】熱風発生装置と該熱風発生装置より発生さ
れる熱風を送出するノズルが取り付けられているノズル
パネルを使用して、基板の半田付け部分だけにノズルパ
ネルのノズルより熱風を吹き付け基板の半田付け部分を
部分的にプリヒートした後、ノズルによる加熱量を変え
てメイン加熱を行って半田付けを行なうことにより、半
田付け部分以外の場所に半田付けによる加熱の影響が及
ばないようにした１ステーションリフロー方法。 - 【請求項７】熱風発生装置と該熱風発生装置より発生さ
れる熱風を送出する複数のノズルが取り付けられている
ノズルパネルを使用して、基板の複数個所の半田付け部
分だけにノズルパネルのノズルより熱風を吹き付け基板
の半田付け部分を部分的にプリヒートした後ノズルによ
る加熱量を変えてメイン加熱を行って基板の複数個所の
半田付けを行なうことにより、半田付け部分以外の場所
に半田付けによる加熱の影響が及ばないようにした１ス
テーションマルチスポットリフロー方法。 - 【請求項８】熱風発生装置と該熱風発生装置より発生さ
れる熱風を送出する複数のノズルが取り付けられている
ノズルパネルを使用して、基板の複数個所の半田付け部
分だけにノズルパネルのノズルより熱風を吹き付け基板
の半田付け部分を部分的にプリヒートした後ノズルの熱
風吹き出し口と半田付け面の間隔を制御して加熱量を変
えてメイン加熱を行って基板の複数個所の半田付けを行
なうことにより、半田付け部分以外の場所に半田付けに
よる加熱の影響が及ばないようにしたプリヒートとメイ
ン加熱を同一ヒータによって行うようにした１ステーシ
ョンマルチスポットリフロー方法。 - 【請求項９】熱風発生装置と該熱風発生装置より発生さ
れる熱風を送出するノズルが取り付けられているノズル
パネルとを具備し、基板の半田付け部分だけにノズルパ
ネルのノズルより熱風を吹き付け基板の半田付け部分を
部分的にプリヒートするようにしたリフロー装置におけ
るプリヒート装置。 - 【請求項１０】熱風発生装置と該熱風発生装置より発生
される熱風を送出する複数のノズルが取り付けられてい
るノズルパネルを具備し、基板の複数個所の半田付け部
分だけにノズルパネルのノズルより熱風を吹き付け基板
の半田付け部分を部分的にプリヒートするようにしたリ
フロー装置におけるマルチスポットプリヒート装置。 - 【請求項１１】熱風発生装置と該熱風発生装置より発生
される熱風を送出するノズルが取り付けられているノズ
ルパネルとノズルパネルの熟風の加熱量を制御するよう
にした加熱量コントロール手段とを具備し、基板の半田
付け部分だけにノズルパネルのノズルより熱風を吹き付
け基板の半田付け部分を部分的にプリヒートするように
したリフロー装置におけるプリヒート装置。 - 【請求項１２】熱風発生装置と該熱風発生装置より発生
される熱風を送出するノズルが取り付けられているノズ
ルパネルと、ノズルパネルの熟風吹き出し口と半田付け
面との間隔を制御するようにした加熱量コントロール手
段とを具備し、基板の半田付け部分だけにノズルパネル
のノズルより熱風を吹き付け基板の半田付け部分を部分
的にプリヒートするようにしたリフロー装置におけるプ
リヒート装置。 - 【請求項１３】熱風送出用のサージタンク、サージタン
クに熱風を供給する熱風発生器、サージタンクの上部の
開口部に取り付けられ熱風発生装置より発生される熱風
をサージタンクの上部の基板に対して送出するノズルが
取り付けられているノズルパネル、サージタンクのレベ
ルを上昇又は下降させてノズルパネルの熟風吹き出し口
と基板の半田付け面の間隔を制御するようにして加熱量
コントロールするサージタンクレベル調節装置、を具備
し、基板の半田付け部分だけにノズルパネルのノズルよ
り熱風を吹き付け基板の半田付け部分を部分的にプリヒ
ートするようにしたリフロー装置におけるプリヒート装
置。 - 【請求項１４】熱風送出用のサージタンク、サージタン
クに熱風を供給する熱風発生器、サージタンクの下部の
開口部に取り付けられ熱風発生装置より発生される熱風
をサージタンクの下部の基板に対して送出するノズルが
取り付けられているノズルパネル、サージタンクのレベ
ルを上昇又は下降させてノズルパネルの熟風吹き出し口
と基板の半田付け面の間隔を制御するようにして加熱量
コントロールするサージタンクのレベル調節装置、を具
備し、基板の半田付け部分だけにノズルパネルのノズル
より熱風を吹き付け基板の半田付け部分を部分的にプリ
ヒートするようにしたリフロー装置におけるプリヒート
装置。 - 【請求項１５】熱風送出用のサージタンク、サージタン
クに熱風を供給する熱風発生器、サージタンクの上部の
開口部に取り付けられ熱風発生装置より発生される熱風
をサージタンクの上部の基板に対して送出するノズルが
取り付けられているノズルパネル、サージタンクを上昇
又は下降させてノズルパネルの熟風吹き出し口と基板の
半田付け面の間隔を制御するようにして加熱量コントロ
ールするサージタンクのレベル調節装置を具備し、基板
の半田付け部分だけにノズルパネルのノズルより熱風を
吹き付け基板の半田付け部分を部分的にプリヒートした
後サージタンクのレベルを上昇させてメイン加熱を行う
ことにより半田付けを行なうようにした１ステーション
リフロー装置。 - 【請求項１６】熱風送出用のサージタンク、サージタン
クに熱風を供給する熱風発生器、サージタンクの下部の
開口部に取り付けられ熱風発生装置より発生される熱風
をサージタンクの下部の基板に対して送出するノズルが
取り付けられているノズルパネル、基板を上昇又は下降
させてノズルパネルの熟風吹き出し口と基板の半田付け
面の間隔を制御するようにして加熱量コントロールする
基板レベル調節装置を具備し、基板の半田付け部分だけ
にノズルパネルのノズルより熱風を吹き付け基板の半田
付け部分を部分的にプリヒートした後、基板のレベルを
上昇させてメイン加熱を行うことにより半田付けを行う
ようにした１ステーションリフロー装置。 - 【請求項１７】熱風送出用のサージタンク、サージタン
クに熱風を供給する熱風発生器、サージタンクのの開口
部に取り付けられ熱風発生装置より発生される熱風を位
置合わせ穴を持つ基板に対して送出する複数のノズルと
位置合わせピンが取り付けられているノズルパネル、サ
ージタンクを上昇又は下降させてノズルパネルの熟風吹
き出し口と基板の半田付け面の間隔を制御するようにし
て加熱量コントロールするサージタンクレベル調節装置
を具備し、基板の位置合わせ穴の位置にノズルパネルの
位置合わせピンの位置を合わせることにより基板の複数
個所の半田付け部分だけにノズルパネルのノズルより熱
風を吹き付け基板の半田付け部分を部分的にプリヒート
した後サージタンクレベルを変えてメイン加熱を行うこ
とにより半田付けを行なうようにした１ステーションマ
ルチスポットリフロー装置。 - 【請求項１８】熱風発生装置と該熱風発生装置より発生
される熱風を送出する複数のノズルが取り付けられてい
るノズルパネルを具備し、基板の複数個所の半田付け部
分だけにノズルパネルのノズルより熱風を吹き付け基板
の半田付け部分を部分的にプリヒートするようにしたプ
リヒート装置、熱風発生装置と該熱風発生装置より発生
される熱風を送出する複数のノズルが取り付けられてい
るプリヒート装置と同一のノズルパネルを具備し、プリ
ヒート装置でプリヒートされた基板の複数個所の半田付
け部分だけにノズルパネルのノズルより熱風を吹き付け
基板の半田付け部分を部分的にメイン加熱するようにし
て半田付けを行うようにしたメイン加熱装置、基板をプ
リヒート装置からメイン加熱装置に移動するキャリヤ装
置とを具備したインライン型マルチスポットリフロー装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13645497A JPH10335808A (ja) | 1997-05-27 | 1997-05-27 | リフロー装置におけるプリヒート方法とこれを実施した装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13645497A JPH10335808A (ja) | 1997-05-27 | 1997-05-27 | リフロー装置におけるプリヒート方法とこれを実施した装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10335808A true JPH10335808A (ja) | 1998-12-18 |
Family
ID=15175500
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13645497A Pending JPH10335808A (ja) | 1997-05-27 | 1997-05-27 | リフロー装置におけるプリヒート方法とこれを実施した装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10335808A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008085247A (ja) * | 2006-09-29 | 2008-04-10 | Omron Corp | 半田付け装置および該半田付け装置を用いた半田付け方法 |
| JP2008118159A (ja) * | 2008-01-25 | 2008-05-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 基板加熱装置および基板加熱方法 |
| CN103752975A (zh) * | 2012-08-01 | 2014-04-30 | 弗莱克斯电子有限责任公司 | 太阳能电池焊盘修整 |
-
1997
- 1997-05-27 JP JP13645497A patent/JPH10335808A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008085247A (ja) * | 2006-09-29 | 2008-04-10 | Omron Corp | 半田付け装置および該半田付け装置を用いた半田付け方法 |
| JP2008118159A (ja) * | 2008-01-25 | 2008-05-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 基板加熱装置および基板加熱方法 |
| CN103752975A (zh) * | 2012-08-01 | 2014-04-30 | 弗莱克斯电子有限责任公司 | 太阳能电池焊盘修整 |
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Effective date: 20060803 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
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|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070116 |