JPH10339744A - 検査用回路基板および検査用回路基板装置 - Google Patents
検査用回路基板および検査用回路基板装置Info
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- JPH10339744A JPH10339744A JP9151249A JP15124997A JPH10339744A JP H10339744 A JPH10339744 A JP H10339744A JP 9151249 A JP9151249 A JP 9151249A JP 15124997 A JP15124997 A JP 15124997A JP H10339744 A JPH10339744 A JP H10339744A
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Measuring Leads Or Probes (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 端子電極領域の面積が大きく、高密度端子電
極区域を一部に有してなる回路装置に対して、端子電極
と接続電極との電気的な接続が確実に達成され、製造コ
ストが小さい検査用回路基板および検査用回路基板装置
を提供する。 【解決手段】 高密度端子電極区域と低密度端子電極区
域とが配列された端子電極領域を有する回路装置の検査
用回路基板であって、高密度端子電極区域の端子電極に
対応して接続電極が配置された高密度接続電極区域を表
面に有する高密度接続電極区域用基板と、低密度端子電
極区域の端子電極に対応して接続電極が配置された低密
度接続電極区域を表面に有し、高密度端子電極区域に対
応して受容部が形成された低密度接続電極区域用基板と
よりなり、高密度接続電極区域用基板は、接続電極が低
密度接続電極区域用基板の接続電極と実質的に同一の平
面上に位置された状態で、低密度接続電極区域用基板の
受容部に一体的に設けられている。
極区域を一部に有してなる回路装置に対して、端子電極
と接続電極との電気的な接続が確実に達成され、製造コ
ストが小さい検査用回路基板および検査用回路基板装置
を提供する。 【解決手段】 高密度端子電極区域と低密度端子電極区
域とが配列された端子電極領域を有する回路装置の検査
用回路基板であって、高密度端子電極区域の端子電極に
対応して接続電極が配置された高密度接続電極区域を表
面に有する高密度接続電極区域用基板と、低密度端子電
極区域の端子電極に対応して接続電極が配置された低密
度接続電極区域を表面に有し、高密度端子電極区域に対
応して受容部が形成された低密度接続電極区域用基板と
よりなり、高密度接続電極区域用基板は、接続電極が低
密度接続電極区域用基板の接続電極と実質的に同一の平
面上に位置された状態で、低密度接続電極区域用基板の
受容部に一体的に設けられている。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、回路装置を検査す
るために使用される検査用回路基板および検査用回路基
板装置に関するものである。
るために使用される検査用回路基板および検査用回路基
板装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】一般に、プリント回路基板などの実用に
供される回路装置においては、図10に示すように、回
路装置90の中央部に機能素子が高度の集積度で形成さ
れた機能素子領域91が設けられると共に、その周縁部
に機能素子領域91のための多数の端子電極92が配列
されてなる端子電極領域93が形成される。そして、現
在においては、機能素子領域91の集積度の増大に伴っ
て端子電極領域93の端子電極数が一層増加し高密度化
する傾向にある。このような実用に供される回路装置の
電気的検査を行うためには、検査対象である回路装置の
端子電極の配置パターンに対応するパターンに従って配
置された複数の接続電極を表面に有し、特定のピッチの
標準格子点配列に従って配置された複数のグリッド電極
を裏面に有する検査用回路基板が用いられる。
供される回路装置においては、図10に示すように、回
路装置90の中央部に機能素子が高度の集積度で形成さ
れた機能素子領域91が設けられると共に、その周縁部
に機能素子領域91のための多数の端子電極92が配列
されてなる端子電極領域93が形成される。そして、現
在においては、機能素子領域91の集積度の増大に伴っ
て端子電極領域93の端子電極数が一層増加し高密度化
する傾向にある。このような実用に供される回路装置の
電気的検査を行うためには、検査対象である回路装置の
端子電極の配置パターンに対応するパターンに従って配
置された複数の接続電極を表面に有し、特定のピッチの
標準格子点配列に従って配置された複数のグリッド電極
を裏面に有する検査用回路基板が用いられる。
【0003】そして、回路装置の電気的検査において
は、検査対象である回路装置の端子電極と、検査用回路
基板の接続電極との電気的な接続を達成するために、従
来、回路装置の端子電極領域と、検査用回路基板の接続
電極領域との間に、異方導電性シートを介在させること
が行われている。
は、検査対象である回路装置の端子電極と、検査用回路
基板の接続電極との電気的な接続を達成するために、従
来、回路装置の端子電極領域と、検査用回路基板の接続
電極領域との間に、異方導電性シートを介在させること
が行われている。
【0004】この異方導電性シートは、厚さ方向にのみ
導通性を示すもの、または加圧されたときに厚さ方向に
のみ導電性を示す多数の加圧導電性導電部を有するもの
であり、種々の構造のもの、例えば金属粒子をエラスト
マー中に均一に分散して得られるもの(特開昭51−9
3393号公報参照)、導電性磁性体粒子をエラストマ
ー中に不均一に分布させることにより、厚み方向に伸び
る多数の導電路形成部と、これらを相互に絶縁する絶縁
部が形成されてなるもの(特開昭53−147772号
公報、特開昭54−146873号公報参照)、厚み方
向に伸びる導電路形成部と絶縁部とよりなり、導電路形
成部の表面と絶縁部の表面との間に段差が形成されたも
の(特開昭61−250906号公報参照)が知られて
いる。これらの中でも、導電路形成部と絶縁部とが形成
されてなる異方導電性シートは、高密度で端子電極が配
置されてなる高密度端子電極区域を有する回路装置に対
して、高い信頼性で検査用回路基板の接続電極との電気
的な接続を達成することができるため、好適である。
導通性を示すもの、または加圧されたときに厚さ方向に
のみ導電性を示す多数の加圧導電性導電部を有するもの
であり、種々の構造のもの、例えば金属粒子をエラスト
マー中に均一に分散して得られるもの(特開昭51−9
3393号公報参照)、導電性磁性体粒子をエラストマ
ー中に不均一に分布させることにより、厚み方向に伸び
る多数の導電路形成部と、これらを相互に絶縁する絶縁
部が形成されてなるもの(特開昭53−147772号
公報、特開昭54−146873号公報参照)、厚み方
向に伸びる導電路形成部と絶縁部とよりなり、導電路形
成部の表面と絶縁部の表面との間に段差が形成されたも
の(特開昭61−250906号公報参照)が知られて
いる。これらの中でも、導電路形成部と絶縁部とが形成
されてなる異方導電性シートは、高密度で端子電極が配
置されてなる高密度端子電極区域を有する回路装置に対
して、高い信頼性で検査用回路基板の接続電極との電気
的な接続を達成することができるため、好適である。
【0005】而して、このような異方導電性シートは、
それ自体が単独の製品として製造され、また単独で取り
扱われるものであって、電気的接続作業においては検査
用回路基板に対して特定の位置関係を持って保持固定す
ることが必要である。
それ自体が単独の製品として製造され、また単独で取り
扱われるものであって、電気的接続作業においては検査
用回路基板に対して特定の位置関係を持って保持固定す
ることが必要である。
【0006】然るに、独立した異方導電性シートを利用
して回路装置と検査用回路基板との電気的接続を達成す
る手段においては、接続されるべき電極の配置ピッチ
(以下、「電極ピッチ」という。)すなわち互いに隣接
する端子電極の中心間距離が小さくなるに従って異方導
電性シートの位置あわせおよび保持固定が困難となる、
という問題点がある。また、一旦は所望の位置合わせお
よび保持固定が実現された場合においても、温度変化に
よる熱履歴の影響、すなわち熱膨張および熱収縮などの
影響を受けた場合には、検査用回路基板を構成する材料
と異方導電性シートを構成する材料との間で生ずる応力
の程度が異なるため、電気的接続状態が変化して安定な
接続状態が維持されない、という問題点がある。
して回路装置と検査用回路基板との電気的接続を達成す
る手段においては、接続されるべき電極の配置ピッチ
(以下、「電極ピッチ」という。)すなわち互いに隣接
する端子電極の中心間距離が小さくなるに従って異方導
電性シートの位置あわせおよび保持固定が困難となる、
という問題点がある。また、一旦は所望の位置合わせお
よび保持固定が実現された場合においても、温度変化に
よる熱履歴の影響、すなわち熱膨張および熱収縮などの
影響を受けた場合には、検査用回路基板を構成する材料
と異方導電性シートを構成する材料との間で生ずる応力
の程度が異なるため、電気的接続状態が変化して安定な
接続状態が維持されない、という問題点がある。
【0007】以上の問題点を解決するために、絶縁性の
弾性高分子物質中に導電性粒子が密に充填されてなる複
数の導電部が配置された異方導電性シートが、検査用回
路基板の接続電極領域に一体的に形成されてなる検査用
回路基板装置が提案されている(特開平4−15188
9号公報参照)。
弾性高分子物質中に導電性粒子が密に充填されてなる複
数の導電部が配置された異方導電性シートが、検査用回
路基板の接続電極領域に一体的に形成されてなる検査用
回路基板装置が提案されている(特開平4−15188
9号公報参照)。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな検査用回路基板装置においては、次のような問題が
ある。 (1)検査用回路基板としては、検査対象である回路装
置の端子電極に対応するパターンすなわち電極ピッチが
微小で複雑なパターンの接続電極と、電極ピッチが例え
ば2.54mmの標準格子点配列に従って配置されたグ
リッド電極とを電気的に接続するために、複数の絶縁層
が積層されてなる多層構成のものが用いられている(特
開平6−82531号公報参照)。特に、端子電極の電
極ピッチが極めて微小な高密度端子電極区域を有する回
路装置を検査するための検査用回路基板においては、積
層数が相当に大きい多層板を用いることが必要となって
いる。例えば、0.5mmの電極ピッチで100個の端
子電極が配置された端子電極領域を有する回路装置を検
査するための検査用回路基板において、その接続電極と
2.54mmの格子点配列のグリッド電極との電気的接
続は、4層構成のものであれば達成することが可能であ
るが、0.3mmの電極ピッチで300個の端子電極が
配置された高密度端子電極区域を有する回路装置を検査
するための検査用回路基板においては、その接続電極と
2.54mmの格子点配列のグリッド電極との電気的接
続を達成するために、8層構成のものが必要となる。一
方、回路装置においては、当該回路装置が搭載される電
気機器の高機能化に伴って複数の電気素子例えばICチ
ップが実装されるようになり、これにより、回路装置の
端子電極領域の電極密度が部分的に増大する傾向にあ
る。このような部分的に高密度化された端子電極領域を
有する回路装置の電気的検査を行うためには、基板全体
が高密度化に対応した検査用回路基板例えば積層数が大
きく面積が大きい検査用回路基板を製造しなければなら
ない。
うな検査用回路基板装置においては、次のような問題が
ある。 (1)検査用回路基板としては、検査対象である回路装
置の端子電極に対応するパターンすなわち電極ピッチが
微小で複雑なパターンの接続電極と、電極ピッチが例え
ば2.54mmの標準格子点配列に従って配置されたグ
リッド電極とを電気的に接続するために、複数の絶縁層
が積層されてなる多層構成のものが用いられている(特
開平6−82531号公報参照)。特に、端子電極の電
極ピッチが極めて微小な高密度端子電極区域を有する回
路装置を検査するための検査用回路基板においては、積
層数が相当に大きい多層板を用いることが必要となって
いる。例えば、0.5mmの電極ピッチで100個の端
子電極が配置された端子電極領域を有する回路装置を検
査するための検査用回路基板において、その接続電極と
2.54mmの格子点配列のグリッド電極との電気的接
続は、4層構成のものであれば達成することが可能であ
るが、0.3mmの電極ピッチで300個の端子電極が
配置された高密度端子電極区域を有する回路装置を検査
するための検査用回路基板においては、その接続電極と
2.54mmの格子点配列のグリッド電極との電気的接
続を達成するために、8層構成のものが必要となる。一
方、回路装置においては、当該回路装置が搭載される電
気機器の高機能化に伴って複数の電気素子例えばICチ
ップが実装されるようになり、これにより、回路装置の
端子電極領域の電極密度が部分的に増大する傾向にあ
る。このような部分的に高密度化された端子電極領域を
有する回路装置の電気的検査を行うためには、基板全体
が高密度化に対応した検査用回路基板例えば積層数が大
きく面積が大きい検査用回路基板を製造しなければなら
ない。
【0009】しかしながら、積層数が大きくかつ面積の
大きい検査用回路基板においては、その製造コストが高
いばかりでなく、全体にわたって厚みの均一性の高い多
層板を形成することが困難であるため、当該検査用回路
基板の表面の平面性が低いものとなり、その結果、当該
表面に形成された接続電極と回路装置の端子電極との電
気的な接続信頼性が低下する、という問題がある。
大きい検査用回路基板においては、その製造コストが高
いばかりでなく、全体にわたって厚みの均一性の高い多
層板を形成することが困難であるため、当該検査用回路
基板の表面の平面性が低いものとなり、その結果、当該
表面に形成された接続電極と回路装置の端子電極との電
気的な接続信頼性が低下する、という問題がある。
【0010】(2)回路装置が搭載される電気機器にお
いては、いわゆるモデルチェンジが頻繁に行われてお
り、これらの中には、使用するICチップの種類を変更
せずに、単にICチップの配置のみを変更する場合も多
い。しかしながら、このようなモデルチェンジにおいて
も、ICチップに電気的に接続される端子電極の配置パ
ターンは変わらないが、全体として異なる態様の回路装
置が使用されるため、新たな検査用回路基板が必要とな
り、回路装置の検査コストが高いものとなる。
いては、いわゆるモデルチェンジが頻繁に行われてお
り、これらの中には、使用するICチップの種類を変更
せずに、単にICチップの配置のみを変更する場合も多
い。しかしながら、このようなモデルチェンジにおいて
も、ICチップに電気的に接続される端子電極の配置パ
ターンは変わらないが、全体として異なる態様の回路装
置が使用されるため、新たな検査用回路基板が必要とな
り、回路装置の検査コストが高いものとなる。
【0011】(3)特開平4−151889号公報等に
開示されているように、導電路形成部と絶縁部とを有す
る異方導電性シートを形成する工程においては、導電路
形成部を形成するために、成型面に検査用回路基板の接
続電極に対応するパターンに従って磁性体部分が形成さ
れた特殊な金型が用いられる。然るに、大きい面積の成
形面を有する金型は製造コストが極めて高いものであ
り、それに伴って、検査用回路基板装置の製造コストも
増加する。また、前述のように、電気機器のモデルチェ
ンジが頻繁に行われると、新たな検査用回路基板装置が
必要となり、従って、モデルチェンジ毎に異方導電性シ
ート用金型を作製しなければならないため、検査用回路
基板装置の製造コストが更に増加し、その結果、回路装
置の検査コストが相当に高いものとなる。
開示されているように、導電路形成部と絶縁部とを有す
る異方導電性シートを形成する工程においては、導電路
形成部を形成するために、成型面に検査用回路基板の接
続電極に対応するパターンに従って磁性体部分が形成さ
れた特殊な金型が用いられる。然るに、大きい面積の成
形面を有する金型は製造コストが極めて高いものであ
り、それに伴って、検査用回路基板装置の製造コストも
増加する。また、前述のように、電気機器のモデルチェ
ンジが頻繁に行われると、新たな検査用回路基板装置が
必要となり、従って、モデルチェンジ毎に異方導電性シ
ート用金型を作製しなければならないため、検査用回路
基板装置の製造コストが更に増加し、その結果、回路装
置の検査コストが相当に高いものとなる。
【0012】本発明は、以上のような事情に基づいてな
されたものであって、その目的は、検査対象である回路
装置が、端子電極領域の面積が大きく、端子電極が高密
度で配置されてなる高密度端子電極区域を一部に有して
なるものであっても、当該端子電極と、これに対応する
接続電極との電気的な接続を確実に達成することがで
き、しかも、製造コストが小さい検査用回路基板および
検査用回路基板装置を提供することにある。
されたものであって、その目的は、検査対象である回路
装置が、端子電極領域の面積が大きく、端子電極が高密
度で配置されてなる高密度端子電極区域を一部に有して
なるものであっても、当該端子電極と、これに対応する
接続電極との電気的な接続を確実に達成することがで
き、しかも、製造コストが小さい検査用回路基板および
検査用回路基板装置を提供することにある。
【0013】
【課題を解決するための手段】本発明の検査用回路基板
は、複数の端子電極が配置されてなり、当該端子電極そ
れ自体が微小であるかまたは隣接する端子電極間の離間
距離が微小である高密度端子電極区域と、この高密度端
子電極区域以外の低密度端子電極区域とが同一の表面上
に配列された端子電極領域を有する回路装置を検査する
ための検査用回路基板であって、検査すべき回路装置に
おける高密度端子電極区域の端子電極に対応するパター
ンに従って複数の接続電極が配置された高密度接続電極
区域を表面に有し、この高密度接続電極区域の接続電極
に電気的に接続された複数の接触電極を裏面に有してな
る高密度接続電極区域用基板と、前記回路装置における
低密度端子電極区域の端子電極に対応するパターンに従
って複数の接続電極が配置された低密度接続電極区域を
表面に有し、この低密度接続電極区域の接続電極に電気
的に接続された複数の接触電極を裏面に有してなり、当
該回路装置における高密度端子電極区域に対応して厚み
方向に貫通する受容部が形成された低密度接続電極区域
用基板とよりなり、前記高密度接続電極区域用基板は、
その接続電極が前記低密度接続電極区域用基板の接続電
極と実質的に同一の平面上に位置された状態で、当該低
密度接続電極区域用基板の受容部に一体的に設けられて
いることを特徴とする。
は、複数の端子電極が配置されてなり、当該端子電極そ
れ自体が微小であるかまたは隣接する端子電極間の離間
距離が微小である高密度端子電極区域と、この高密度端
子電極区域以外の低密度端子電極区域とが同一の表面上
に配列された端子電極領域を有する回路装置を検査する
ための検査用回路基板であって、検査すべき回路装置に
おける高密度端子電極区域の端子電極に対応するパター
ンに従って複数の接続電極が配置された高密度接続電極
区域を表面に有し、この高密度接続電極区域の接続電極
に電気的に接続された複数の接触電極を裏面に有してな
る高密度接続電極区域用基板と、前記回路装置における
低密度端子電極区域の端子電極に対応するパターンに従
って複数の接続電極が配置された低密度接続電極区域を
表面に有し、この低密度接続電極区域の接続電極に電気
的に接続された複数の接触電極を裏面に有してなり、当
該回路装置における高密度端子電極区域に対応して厚み
方向に貫通する受容部が形成された低密度接続電極区域
用基板とよりなり、前記高密度接続電極区域用基板は、
その接続電極が前記低密度接続電極区域用基板の接続電
極と実質的に同一の平面上に位置された状態で、当該低
密度接続電極区域用基板の受容部に一体的に設けられて
いることを特徴とする。
【0014】本発明の検査用回路基板においては、高密
度接続電極区域用基板の接触電極および低密度接続電極
区域用基板の接触電極は、それぞれ格子点位置に配置さ
れており、前記高密度接続電極区域用基板は、その接触
電極が前記低密度接続電極区域用基板の接触電極と実質
的に共通の格子に係る格子点位置に位置された状態で設
けられていることが好ましい。
度接続電極区域用基板の接触電極および低密度接続電極
区域用基板の接触電極は、それぞれ格子点位置に配置さ
れており、前記高密度接続電極区域用基板は、その接触
電極が前記低密度接続電極区域用基板の接触電極と実質
的に共通の格子に係る格子点位置に位置された状態で設
けられていることが好ましい。
【0015】本発明の検査用回路基板装置は、上記の検
査用回路基板と、この検査用回路基板における高密度接
続電極区域用基板の高密度接続電極区域上に一体的に設
けられた高解像度異方導電性シートと、前記検査用回路
基板における低密度接続電極区域用基板の低密度接続電
極区域上に設けられた、前記高解像度異方導電性シート
と別体の低解像度異方導電性シートとを具えてなること
を特徴とする。
査用回路基板と、この検査用回路基板における高密度接
続電極区域用基板の高密度接続電極区域上に一体的に設
けられた高解像度異方導電性シートと、前記検査用回路
基板における低密度接続電極区域用基板の低密度接続電
極区域上に設けられた、前記高解像度異方導電性シート
と別体の低解像度異方導電性シートとを具えてなること
を特徴とする。
【0016】本発明の検査用回路基板装置においては、
高解像度異方導電性シートは、高密度接続電極区域用基
板の接続電極に対応するパターンに従って配置された、
当該シートの厚み方向に伸びる多数の導電路形成部と、
これらの導電形成部を相互に絶縁する絶縁部とにより形
成されてなり、当該導電路形成部の各々が、対応する接
続電極上に位置された状態で高密度接続電極区域上に一
体的に設けられていることが好ましい。
高解像度異方導電性シートは、高密度接続電極区域用基
板の接続電極に対応するパターンに従って配置された、
当該シートの厚み方向に伸びる多数の導電路形成部と、
これらの導電形成部を相互に絶縁する絶縁部とにより形
成されてなり、当該導電路形成部の各々が、対応する接
続電極上に位置された状態で高密度接続電極区域上に一
体的に設けられていることが好ましい。
【0017】また、本発明の検査用回路基板装置におい
ては、高解像度異方導電性シートは、各々が格子点位置
に配置された厚み方向に伸びる多数の導電路形成部と、
これらの導電路形成部を相互に絶縁する絶縁部とにより
形成され、例えば前記導電形成部の配置ピッチが、高密
度接続電極区域における接続電極の最小の配置ピッチの
2分の1以下のものであってもよい。
ては、高解像度異方導電性シートは、各々が格子点位置
に配置された厚み方向に伸びる多数の導電路形成部と、
これらの導電路形成部を相互に絶縁する絶縁部とにより
形成され、例えば前記導電形成部の配置ピッチが、高密
度接続電極区域における接続電極の最小の配置ピッチの
2分の1以下のものであってもよい。
【0018】
【発明の実施の形態】以下、本発明の検査用回路基板装
置について詳細に説明する。図1は、本発明の検査用回
路基板の一例における構成を検査対象である回路装置の
構成と共に示す説明用断面図である。この図において、
1は検査対象である回路装置であって、その表面には、
複数の被検査電極である端子電極2が特定の条件で配置
された高密度端子電極区域3と、この高密度端子電極区
域3以外の低密度端子電極区域4とが同一の表面上に配
列された端子電極領域が形成されている。高密度端子電
極区域3は、電極面積が微小である端子電極2が配置さ
れた区域または隣接する電極間の離間距離Lが微小であ
る状態で端子電極2が配置された区域であり、具体的に
は、電極面積が0.1mm2 以下の端子電極2が配置さ
れた区域または隣接する電極間の離間距離Lが0.2m
m以下で端子電極2が配置された区域である。
置について詳細に説明する。図1は、本発明の検査用回
路基板の一例における構成を検査対象である回路装置の
構成と共に示す説明用断面図である。この図において、
1は検査対象である回路装置であって、その表面には、
複数の被検査電極である端子電極2が特定の条件で配置
された高密度端子電極区域3と、この高密度端子電極区
域3以外の低密度端子電極区域4とが同一の表面上に配
列された端子電極領域が形成されている。高密度端子電
極区域3は、電極面積が微小である端子電極2が配置さ
れた区域または隣接する電極間の離間距離Lが微小であ
る状態で端子電極2が配置された区域であり、具体的に
は、電極面積が0.1mm2 以下の端子電極2が配置さ
れた区域または隣接する電極間の離間距離Lが0.2m
m以下で端子電極2が配置された区域である。
【0019】10は、本発明に係る検査用回路基板(以
下、単に「回路基板」ともいう。)であり、この回路基
板10は、回路装置1における低密度端子電極区域4の
端子電極2の配置パターンと対掌のパターンに従って複
数の接続電極11が配置された低密度接続電極区域12
を表面に有し、高密度端子電極区域13に対応して、厚
み方向に貫通する受容部16が形成された低密度接続電
極区域用基板15と、回路装置1における高密度端子電
極区域3の端子電極2の配置パターンと対掌のパターン
に従って複数の接続電極11が配置された高密度接続電
極区域12を表面に有する、低密度接続電極区域用基板
15の切り欠き部16の輪郭形状に適合する輪郭形状の
高密度接続電極区域用基板20とにより構成されてい
る。図示の例では、低密度接続電極区域用基板15の受
容部16には段部が形成されている。低密度接続電極区
域用基板15および高密度接続電極区域用基板20にお
ける接続電極11の各々は、低密度接続電極区域用基板
15および高密度接続電極区域用基板20の表面から僅
かに突出した状態とされている。
下、単に「回路基板」ともいう。)であり、この回路基
板10は、回路装置1における低密度端子電極区域4の
端子電極2の配置パターンと対掌のパターンに従って複
数の接続電極11が配置された低密度接続電極区域12
を表面に有し、高密度端子電極区域13に対応して、厚
み方向に貫通する受容部16が形成された低密度接続電
極区域用基板15と、回路装置1における高密度端子電
極区域3の端子電極2の配置パターンと対掌のパターン
に従って複数の接続電極11が配置された高密度接続電
極区域12を表面に有する、低密度接続電極区域用基板
15の切り欠き部16の輪郭形状に適合する輪郭形状の
高密度接続電極区域用基板20とにより構成されてい
る。図示の例では、低密度接続電極区域用基板15の受
容部16には段部が形成されている。低密度接続電極区
域用基板15および高密度接続電極区域用基板20にお
ける接続電極11の各々は、低密度接続電極区域用基板
15および高密度接続電極区域用基板20の表面から僅
かに突出した状態とされている。
【0020】低密度接続電極区域用基板15および高密
度接続電極区域用基板20の各々の裏面には、接続電極
11とそれぞれ対応する関係で電気的に接続され、格子
点位置に配置された接触電極(以下、「グリッド電極」
という。)14が形成されている。このグリッド電極1
4の配列は、例えばピッチ間隔が2.54mm、1.8
0mm若しくは1.27mmの規格化された標準格子点
配列に従った配列とされている。
度接続電極区域用基板20の各々の裏面には、接続電極
11とそれぞれ対応する関係で電気的に接続され、格子
点位置に配置された接触電極(以下、「グリッド電極」
という。)14が形成されている。このグリッド電極1
4の配列は、例えばピッチ間隔が2.54mm、1.8
0mm若しくは1.27mmの規格化された標準格子点
配列に従った配列とされている。
【0021】具体的に説明すると、低密度接続電極区域
用基板15の表面には、当該低密度接続電極区域13の
接続電極11に接続された表面配線部17が形成され、
低密度接続電極区域用基板15の裏面には、グリッド電
極14に接続された裏面配線部18が形成されている。
そして、表面配線部17は、低密度接続電極区域用基板
15の厚み方向に伸びる貫通短絡部19によって裏面配
線部18に接続され、これにより、低密度接続電極区域
用基板15の接続電極11は、表面配線部17、貫通短
絡部19および裏面配線部18を介して、グリッド電極
14に電気的に接続されている。低密度接続電極区域用
基板15は、単層板(両面板)であってもよく、また多
層板であってもよい。
用基板15の表面には、当該低密度接続電極区域13の
接続電極11に接続された表面配線部17が形成され、
低密度接続電極区域用基板15の裏面には、グリッド電
極14に接続された裏面配線部18が形成されている。
そして、表面配線部17は、低密度接続電極区域用基板
15の厚み方向に伸びる貫通短絡部19によって裏面配
線部18に接続され、これにより、低密度接続電極区域
用基板15の接続電極11は、表面配線部17、貫通短
絡部19および裏面配線部18を介して、グリッド電極
14に電気的に接続されている。低密度接続電極区域用
基板15は、単層板(両面板)であってもよく、また多
層板であってもよい。
【0022】高密度接続電極区域用基板20は、単層板
であってもよいが、接続電極11の高密度化に対応する
ためには、多層板であることが好ましい。具体的には、
高密度接続電極区域用基板20は、図2に示すように、
例えば第1絶縁層21、第2絶縁層22および第3絶縁
層23がこの順で積層されてなる多層板により構成され
ている。第1絶縁層21と第2絶縁層22との間の界面
および第2絶縁層22と第3絶縁層23との間の界面の
各々には、層間配線部24が形成され、第1絶縁層2
1、第2絶縁層22および第3絶縁層23の各々には、
その厚み方向に伸びる短絡部25が形成されており、高
密度接続電極区域12の接続電極11は、層間配線部2
4および短絡部25を介して、グリッド電極14に電気
的に接続されている。
であってもよいが、接続電極11の高密度化に対応する
ためには、多層板であることが好ましい。具体的には、
高密度接続電極区域用基板20は、図2に示すように、
例えば第1絶縁層21、第2絶縁層22および第3絶縁
層23がこの順で積層されてなる多層板により構成され
ている。第1絶縁層21と第2絶縁層22との間の界面
および第2絶縁層22と第3絶縁層23との間の界面の
各々には、層間配線部24が形成され、第1絶縁層2
1、第2絶縁層22および第3絶縁層23の各々には、
その厚み方向に伸びる短絡部25が形成されており、高
密度接続電極区域12の接続電極11は、層間配線部2
4および短絡部25を介して、グリッド電極14に電気
的に接続されている。
【0023】そして、高密度接続電極区域用基板20
は、その接続電極11が低密度接続電極区域用基板15
の接続電極11と実質的に同一の平面上に位置された状
態で、かつ、そのグリッド電極14が低密度接続電極区
域用基板15のグリッド電極14と実質的に共通の格子
に係る格子点位置に位置された状態で、低密度接続電極
区域用基板15の受容部16に一体的に設けられてい
る。
は、その接続電極11が低密度接続電極区域用基板15
の接続電極11と実質的に同一の平面上に位置された状
態で、かつ、そのグリッド電極14が低密度接続電極区
域用基板15のグリッド電極14と実質的に共通の格子
に係る格子点位置に位置された状態で、低密度接続電極
区域用基板15の受容部16に一体的に設けられてい
る。
【0024】このような検査用回路基板10によれば、
表面に高密度接続電極区域12が形成された高密度接続
電極区域用基板20と、表面に低密度接続電極区域13
が形成された低密度接続電極区域用基板15とにより構
成されているため、高密度接続電極区域12における接
続電極11の各々と、グリッド電極14の各々とを電気
的に接続するためには、高密度接続電極区域用基板20
として積層数の大きい多層板を用いればよく、検査用回
路基板10全体を積層数の大きい多層構成とする必要が
ないので、検査対象である回路装置1がその端子電極領
域の面積が大きいものであっても、小さいコストで製造
することができる。しかも、高密度接続電極区域用基板
20は、その接続電極11が低密度接続電極区域用基板
15の接続電極11と実質的に同一の平面上に位置され
た状態で、低密度接続電極区域用基板15の受容部16
に一体的に設けられているので、回路装置1の端子電極
2と、これに対応する接続電極11との電気的な接続を
確実に達成することができる。
表面に高密度接続電極区域12が形成された高密度接続
電極区域用基板20と、表面に低密度接続電極区域13
が形成された低密度接続電極区域用基板15とにより構
成されているため、高密度接続電極区域12における接
続電極11の各々と、グリッド電極14の各々とを電気
的に接続するためには、高密度接続電極区域用基板20
として積層数の大きい多層板を用いればよく、検査用回
路基板10全体を積層数の大きい多層構成とする必要が
ないので、検査対象である回路装置1がその端子電極領
域の面積が大きいものであっても、小さいコストで製造
することができる。しかも、高密度接続電極区域用基板
20は、その接続電極11が低密度接続電極区域用基板
15の接続電極11と実質的に同一の平面上に位置され
た状態で、低密度接続電極区域用基板15の受容部16
に一体的に設けられているので、回路装置1の端子電極
2と、これに対応する接続電極11との電気的な接続を
確実に達成することができる。
【0025】また、高密度接続電極区域用基板20自体
は、端子電極2の配置パターンが同一の高密度端子電極
区域3を有する回路装置1に対して共通に使用すること
ができ、しかも、低密度接続電極区域用基板15の配線
設計および製造は比較的容易であるので、全体として異
なる態様の回路装置1であっても、端子電極2の配置パ
ターンが同一の高密度端子電極区域3を有するものであ
れば、当該回路装置1を検査するための回路基板10の
製造コストを小さくすることができ、その結果、回路装
置1の検査コストを削減することができる。
は、端子電極2の配置パターンが同一の高密度端子電極
区域3を有する回路装置1に対して共通に使用すること
ができ、しかも、低密度接続電極区域用基板15の配線
設計および製造は比較的容易であるので、全体として異
なる態様の回路装置1であっても、端子電極2の配置パ
ターンが同一の高密度端子電極区域3を有するものであ
れば、当該回路装置1を検査するための回路基板10の
製造コストを小さくすることができ、その結果、回路装
置1の検査コストを削減することができる。
【0026】図3は、本発明の検査用回路基板装置の一
例における構成を示す説明用断面図である。この検査用
回路基板装置においては、図1に示す回路基板10が設
けられ、この回路基板10における高密度接続電極区域
用基板20の高密度接続電極区域13の表面には、高解
像度異方導電性シート30が一体的に接着乃至密着した
状態で配置されており、当該回路基板10における低密
度接続電極区域用基板15の低密度接続電極区域14の
表面には、低解像度異方導電性シート40が一体的に接
着乃至密着した状態で配置されている。ここで、「高解
像度」とは、例えば電極面積が0.1mm2 以下の微小
な端子電極または隣接する電極間の離間距離が例えば
0.2mm以下の微小である状態で配置された端子電極
の各々に対して、安定した電気的接続状態が達成される
ことを意味し、「低解像度」とは、例えば電極面積が
0.1mm2 を超える端子電極であって、隣接する電極
間の離間距離が例えば0.2mmを超えるものに対し
て、安定した電気的接続状態が達成されることを意味す
る。
例における構成を示す説明用断面図である。この検査用
回路基板装置においては、図1に示す回路基板10が設
けられ、この回路基板10における高密度接続電極区域
用基板20の高密度接続電極区域13の表面には、高解
像度異方導電性シート30が一体的に接着乃至密着した
状態で配置されており、当該回路基板10における低密
度接続電極区域用基板15の低密度接続電極区域14の
表面には、低解像度異方導電性シート40が一体的に接
着乃至密着した状態で配置されている。ここで、「高解
像度」とは、例えば電極面積が0.1mm2 以下の微小
な端子電極または隣接する電極間の離間距離が例えば
0.2mm以下の微小である状態で配置された端子電極
の各々に対して、安定した電気的接続状態が達成される
ことを意味し、「低解像度」とは、例えば電極面積が
0.1mm2 を超える端子電極であって、隣接する電極
間の離間距離が例えば0.2mmを超えるものに対し
て、安定した電気的接続状態が達成されることを意味す
る。
【0027】この例における高解像度異方導電性シート
30は、図4に示すように、絶縁性の弾性高分子物質E
中に導電性磁性体粒子Gが密に充填されてなる多数の導
電路形成部31が、高密度接続電極区域12の接続電極
11に対応するパターンに従って形成されると共に、隣
接する導電路形成部31の各々が、高分子物質よりなる
絶縁部32によって相互に絶縁されてなるものであり、
導電路形成部31の各々が、対応する接続電極11上に
位置された状態で配置されている。図示の例では、導電
路形成部31の各々は絶縁部32の表面から高さhだけ
突出した状態とされている。
30は、図4に示すように、絶縁性の弾性高分子物質E
中に導電性磁性体粒子Gが密に充填されてなる多数の導
電路形成部31が、高密度接続電極区域12の接続電極
11に対応するパターンに従って形成されると共に、隣
接する導電路形成部31の各々が、高分子物質よりなる
絶縁部32によって相互に絶縁されてなるものであり、
導電路形成部31の各々が、対応する接続電極11上に
位置された状態で配置されている。図示の例では、導電
路形成部31の各々は絶縁部32の表面から高さhだけ
突出した状態とされている。
【0028】このような高解像度異方導電性シート30
の各導電路形成部31においては、導電性磁性体粒子G
が厚さ方向に並んだ状態に配向されており、厚さ方向に
導電路が形成される。この導電路形成部31は、厚さ方
向に加圧されて圧縮されたときに抵抗値が減少して導電
路が形成される、加圧導電路形成部とすることもでき
る。これに対して、絶縁部32は、加圧されたときにも
厚さ方向に導電路が形成されないものである。
の各導電路形成部31においては、導電性磁性体粒子G
が厚さ方向に並んだ状態に配向されており、厚さ方向に
導電路が形成される。この導電路形成部31は、厚さ方
向に加圧されて圧縮されたときに抵抗値が減少して導電
路が形成される、加圧導電路形成部とすることもでき
る。これに対して、絶縁部32は、加圧されたときにも
厚さ方向に導電路が形成されないものである。
【0029】導電路形成部31の突出高さhは、高解像
度異方導電性シート30の全厚t(t=h+t1、t1
は絶縁部22の厚さである。)の3%以上であることが
好ましく、さらに好ましくは5〜200%、特に好まし
くは8〜100%である。また、高解像度異方導電性シ
ート30の電極ピッチpの200%以下であることが好
ましい。このような条件が充足されることにより、当該
高解像度異方導電性シート30に作用される加圧力が変
化した場合にも、それによる導電路形成部31の導電性
の変化が十分に小さく制御される。
度異方導電性シート30の全厚t(t=h+t1、t1
は絶縁部22の厚さである。)の3%以上であることが
好ましく、さらに好ましくは5〜200%、特に好まし
くは8〜100%である。また、高解像度異方導電性シ
ート30の電極ピッチpの200%以下であることが好
ましい。このような条件が充足されることにより、当該
高解像度異方導電性シート30に作用される加圧力が変
化した場合にも、それによる導電路形成部31の導電性
の変化が十分に小さく制御される。
【0030】導電路形成部31を構成する絶縁性の弾性
高分子物質としては、架橋構造を有する高分子物質が好
ましい。かかる架橋高分子物質を得るために用いること
ができる硬化性の高分子物質用材料としては、例えば、
シリコーンゴム、ポリブタジエンゴム、天然ゴム、ポリ
イソプレン、スチレン―ブタジエン共重合体ゴム、アク
リロニトリル―ブタジエン共重合体ゴム、エチレン―プ
ロピレン共重合体ゴム、ウレタンゴム、ポリエステル系
ゴム、クロロプレンゴム、エピクロルヒドリンゴム、軟
質液状エポキシゴムなどが挙げられる。
高分子物質としては、架橋構造を有する高分子物質が好
ましい。かかる架橋高分子物質を得るために用いること
ができる硬化性の高分子物質用材料としては、例えば、
シリコーンゴム、ポリブタジエンゴム、天然ゴム、ポリ
イソプレン、スチレン―ブタジエン共重合体ゴム、アク
リロニトリル―ブタジエン共重合体ゴム、エチレン―プ
ロピレン共重合体ゴム、ウレタンゴム、ポリエステル系
ゴム、クロロプレンゴム、エピクロルヒドリンゴム、軟
質液状エポキシゴムなどが挙げられる。
【0031】具体的には、硬化処理前には液状であっ
て、硬化処理後には回路基板10の接続電極11と密着
状態または接着状態を保持して当該接続基板11と一体
となる高分子物質材料が好ましい。このような観点か
ら、液状シリコーンゴム、液状ウレタンゴム、軟質液状
エポキシゴムなどが好適に用いられる。以上の高分子物
質用材料には、回路基板10の接続基板11に対する接
着性を向上させるために、シランカップリング剤、チタ
ンカップリング剤などの添加剤を添加することができ
る。
て、硬化処理後には回路基板10の接続電極11と密着
状態または接着状態を保持して当該接続基板11と一体
となる高分子物質材料が好ましい。このような観点か
ら、液状シリコーンゴム、液状ウレタンゴム、軟質液状
エポキシゴムなどが好適に用いられる。以上の高分子物
質用材料には、回路基板10の接続基板11に対する接
着性を向上させるために、シランカップリング剤、チタ
ンカップリング剤などの添加剤を添加することができ
る。
【0032】導電路形成部31の導電性磁性体粒子Gと
しては、例えばニッケル、鉄、コバルトなどの磁性を示
す金属の粒子若しくはこれらの合金の粒子、またはこれ
らの粒子に金、銀、パラジウム、ロジウムなどのメッキ
を施したもの、非磁性金属粒子もしくはガラスビーズな
どの無機質粒子またはポリマー粒子にニッケル、コバル
トなどの導電性磁性体のメッキを施したものなどがあげ
られ、特に、接触抵抗が小さいなどの電気的特性の点で
金メッキが施された金属粒子を用いることが好ましい。
また、磁気ヒステリシスを示さない点から、導電性超常
磁性体よりなる粒子も好ましく用いることができる。
しては、例えばニッケル、鉄、コバルトなどの磁性を示
す金属の粒子若しくはこれらの合金の粒子、またはこれ
らの粒子に金、銀、パラジウム、ロジウムなどのメッキ
を施したもの、非磁性金属粒子もしくはガラスビーズな
どの無機質粒子またはポリマー粒子にニッケル、コバル
トなどの導電性磁性体のメッキを施したものなどがあげ
られ、特に、接触抵抗が小さいなどの電気的特性の点で
金メッキが施された金属粒子を用いることが好ましい。
また、磁気ヒステリシスを示さない点から、導電性超常
磁性体よりなる粒子も好ましく用いることができる。
【0033】また、導電性に支障を与えない範囲で、導
電性磁性体粒子の表面がシランカップリング剤、チタン
カップリング剤などのカップリング剤で処理されたもの
を適宜用いることができる。導電性磁性体粒子の表面が
カップリング剤で処理されることにより、当該導電性磁
性体粒子と導電路形成部用材料に用いられる硬化性の高
分子物質用材料との接着力が大きくなり、その結果、得
られる検査用回路基板装置は、繰り返しの使用における
耐久性が高いものとなる。
電性磁性体粒子の表面がシランカップリング剤、チタン
カップリング剤などのカップリング剤で処理されたもの
を適宜用いることができる。導電性磁性体粒子の表面が
カップリング剤で処理されることにより、当該導電性磁
性体粒子と導電路形成部用材料に用いられる硬化性の高
分子物質用材料との接着力が大きくなり、その結果、得
られる検査用回路基板装置は、繰り返しの使用における
耐久性が高いものとなる。
【0034】また、導電性磁性体粒子Gの粒径は、1〜
200μmであることが好ましく、更に好ましくは2〜
150μm、特に好ましくは10〜100μmである。
これにより形成される導電路形成部31は加圧変形が容
易なものとなり、当該導電路形成部31において導電性
磁性体粒子間に十分な電気的な接触が得られる。
200μmであることが好ましく、更に好ましくは2〜
150μm、特に好ましくは10〜100μmである。
これにより形成される導電路形成部31は加圧変形が容
易なものとなり、当該導電路形成部31において導電性
磁性体粒子間に十分な電気的な接触が得られる。
【0035】導電路形成部31における導電性磁性体粒
子Gの割合は、体積分率で3〜40%であることが好ま
しく、更に好ましくは5〜30%である。形成すべき導
電路形成部31を加圧導電路形成部とする場合におい
て、導電性粒子の割合が大きいときには、加圧が小さい
ときにも確実に所期の電気的接続を達成することができ
る。
子Gの割合は、体積分率で3〜40%であることが好ま
しく、更に好ましくは5〜30%である。形成すべき導
電路形成部31を加圧導電路形成部とする場合におい
て、導電性粒子の割合が大きいときには、加圧が小さい
ときにも確実に所期の電気的接続を達成することができ
る。
【0036】絶縁部32を構成する高分子物質として
は、導電路形成部31を構成する高分子物質として例示
したものと同様のものがあげられ、導電路形成部31に
用いられる高分子物質と同一のものまたは異なるものを
用いることができる。
は、導電路形成部31を構成する高分子物質として例示
したものと同様のものがあげられ、導電路形成部31に
用いられる高分子物質と同一のものまたは異なるものを
用いることができる。
【0037】低解像度異方導電シート40としては、回
路基板10の低密度接続電極区域13における接続電極
11と、検査対象である回路装置1の低密度端子電極区
域4における端子電極2との電気的接続が達成されるも
のであれば、特に限定されず、加圧状態でまたは無加圧
状態のままで厚み方向に導電路を形成する種々の異方導
電性シートを用いることができる。例えば、特開昭51
―93393号公報に開示されているような、弾性高分
子物質中に導電性粒子が均一に分散されて得られるも
の、特開昭58―152033号公報に開示されている
ような、導電性磁性体粒子と絶縁性高分子弾性体とを主
成分とし、架橋剤を含む未硬化複合体に磁場処理を施し
て架橋することによって得られる、硬度(JIS―A
Hsに従って求められる。)が25〜45であるもの、
その他を用いることができる。
路基板10の低密度接続電極区域13における接続電極
11と、検査対象である回路装置1の低密度端子電極区
域4における端子電極2との電気的接続が達成されるも
のであれば、特に限定されず、加圧状態でまたは無加圧
状態のままで厚み方向に導電路を形成する種々の異方導
電性シートを用いることができる。例えば、特開昭51
―93393号公報に開示されているような、弾性高分
子物質中に導電性粒子が均一に分散されて得られるも
の、特開昭58―152033号公報に開示されている
ような、導電性磁性体粒子と絶縁性高分子弾性体とを主
成分とし、架橋剤を含む未硬化複合体に磁場処理を施し
て架橋することによって得られる、硬度(JIS―A
Hsに従って求められる。)が25〜45であるもの、
その他を用いることができる。
【0038】このような検査用回路基板装置によれば、
高密度接続電極区域用基板20の高密度接続電極区域1
2上には、当該高密度接続電極区域12における接続電
極11に対応するパターンに従って導電路形成部31が
形成された高解像度異方導電性シート30が、導電路形
成部31の各々が対応する接続電極11上に位置された
状態で一体的に設けられているため、検査対象である回
路装置1の高密度端子電極区域3の端子電極2の各々に
対して、所要の電気的接続を確実に達成することができ
る。しかも、低密度接続電極区域用基板15の低密度接
続電極区域13上には、別体の低解像度異方導電性シー
ト40が配置されているため、端子電極領域の面積の大
きい回路装置1を検査するためのものであっても、高解
像度異方導電性シート20として、回路装置1の端子電
極領域と同等の面積を有する製作コストの高いものを用
いる必要がなく、高密度端子電極区域3と同等の面積の
小さいものを用いればよいので、製作コストの小さい検
査用回路基板装置が得られる。
高密度接続電極区域用基板20の高密度接続電極区域1
2上には、当該高密度接続電極区域12における接続電
極11に対応するパターンに従って導電路形成部31が
形成された高解像度異方導電性シート30が、導電路形
成部31の各々が対応する接続電極11上に位置された
状態で一体的に設けられているため、検査対象である回
路装置1の高密度端子電極区域3の端子電極2の各々に
対して、所要の電気的接続を確実に達成することができ
る。しかも、低密度接続電極区域用基板15の低密度接
続電極区域13上には、別体の低解像度異方導電性シー
ト40が配置されているため、端子電極領域の面積の大
きい回路装置1を検査するためのものであっても、高解
像度異方導電性シート20として、回路装置1の端子電
極領域と同等の面積を有する製作コストの高いものを用
いる必要がなく、高密度端子電極区域3と同等の面積の
小さいものを用いればよいので、製作コストの小さい検
査用回路基板装置が得られる。
【0039】また、低解像度異方導電性シート40は、
高解像度異方導電性シート30と別体のものであるた
め、低解像度異方導電性シート40に故障が生じたとき
には、当該低解像度異方導電性シート40を新たなもの
に交換すればよく、また、高解像度異方導電性シート3
0に故障が生じたときには、当該高解像度異方導電性シ
ート30と共にこれが設けられた高密度接続電極区域用
基板20を交換すればよいため、メンテナンスにかかる
コストの低減化を図ることができる。
高解像度異方導電性シート30と別体のものであるた
め、低解像度異方導電性シート40に故障が生じたとき
には、当該低解像度異方導電性シート40を新たなもの
に交換すればよく、また、高解像度異方導電性シート3
0に故障が生じたときには、当該高解像度異方導電性シ
ート30と共にこれが設けられた高密度接続電極区域用
基板20を交換すればよいため、メンテナンスにかかる
コストの低減化を図ることができる。
【0040】上記の検査用回路基板装置においては、高
解像度異方導電性シート30は、その導電路形成部31
の各々が対応する接続電極11上に位置された状態で、
かつ高密度接続電極区域12の表面に一体的に接着乃至
密着した状態で、高密度接続電極区域用基板20上に設
けられることが必要であるが、このような検査用回路基
板装置を製造するためには、以下の方法を好適に用いる
ことができる。
解像度異方導電性シート30は、その導電路形成部31
の各々が対応する接続電極11上に位置された状態で、
かつ高密度接続電極区域12の表面に一体的に接着乃至
密着した状態で、高密度接続電極区域用基板20上に設
けられることが必要であるが、このような検査用回路基
板装置を製造するためには、以下の方法を好適に用いる
ことができる。
【0041】この方法は、強磁性体金属部分および非磁
性体部分を有する特定の異方導電性シート製造用金型を
用い、高密度接続電極区域用基板20の高密度接続電極
区域12上において高解像度異方導電性シート30を形
成する方法である。以下、具体的に説明する。
性体部分を有する特定の異方導電性シート製造用金型を
用い、高密度接続電極区域用基板20の高密度接続電極
区域12上において高解像度異方導電性シート30を形
成する方法である。以下、具体的に説明する。
【0042】図5は、高解像度異方導電性シート30を
得るために用いられる異方導電性シート製造用金型の一
例における要部の構成を示す説明用断面図であり、この
異方導電性シート金型は、一方の型(以下、「上型」と
いう。)51と、これと対となる他方の型(以下、「下
型」という。)56と、これらの間にキャビティCを形
成するためのスペーサー55とにより構成されている。
得るために用いられる異方導電性シート製造用金型の一
例における要部の構成を示す説明用断面図であり、この
異方導電性シート金型は、一方の型(以下、「上型」と
いう。)51と、これと対となる他方の型(以下、「下
型」という。)56と、これらの間にキャビティCを形
成するためのスペーサー55とにより構成されている。
【0043】上型51においては、磁性金属基板52の
下面に、高密度接続電極区域用基板20の接続電極11
における特定のパターンと対掌のパターンに従って強磁
性体部分53が形成され、この強磁性体部分53以外の
部分には非磁性体部分54が形成されており、非磁性体
部分54の下面が、磁性体部分53の下面より高さhだ
け下方に突出した状態とされている。
下面に、高密度接続電極区域用基板20の接続電極11
における特定のパターンと対掌のパターンに従って強磁
性体部分53が形成され、この強磁性体部分53以外の
部分には非磁性体部分54が形成されており、非磁性体
部分54の下面が、磁性体部分53の下面より高さhだ
け下方に突出した状態とされている。
【0044】一方、下型56においては、磁性金属基板
57上に、高密度接続電極区域用基板20の接続電極1
1における特定のパターンと同一のパターンの強磁性体
部分58が形成され、この強磁性体部分58以外の部分
には、非磁性体部分59が形成されており、この例にお
いては、強磁性体部分58の上面と非磁性体部分59の
上面とが同一平面上にある状態とされている。
57上に、高密度接続電極区域用基板20の接続電極1
1における特定のパターンと同一のパターンの強磁性体
部分58が形成され、この強磁性体部分58以外の部分
には、非磁性体部分59が形成されており、この例にお
いては、強磁性体部分58の上面と非磁性体部分59の
上面とが同一平面上にある状態とされている。
【0045】以上において、磁性金属基板52および磁
性金属基板57は、例えば、鉄、鉄―ニッケル合金、鉄
―コバルト合金、ニッケル、コバルトなどの強磁性金属
により構成されている。強磁性体部分53および強磁性
体部分58を形成するための強磁性体材料としては、
鉄、鉄―ニッケル合金、鉄―コバルト合金、ニッケル、
コバルトなどを用いることができる。非磁性体部分54
および非磁性体部分59を形成するための非磁性体材料
としては、銅などの非磁性金属、ポリイミドなどの耐熱
性樹脂などを用いることができるが、放射線によって硬
化されて高分子物質となる材料、例えばアクリル系のド
ライフィルムレジスト、エポキシ系の液状レジスト、ポ
リイミド系の液状レジストなどのフォトレジストなど
は、フォトリソグラフィーの手法を利用して容易に非磁
性体部分を形成することができるので、これらを好適に
用いることができる。
性金属基板57は、例えば、鉄、鉄―ニッケル合金、鉄
―コバルト合金、ニッケル、コバルトなどの強磁性金属
により構成されている。強磁性体部分53および強磁性
体部分58を形成するための強磁性体材料としては、
鉄、鉄―ニッケル合金、鉄―コバルト合金、ニッケル、
コバルトなどを用いることができる。非磁性体部分54
および非磁性体部分59を形成するための非磁性体材料
としては、銅などの非磁性金属、ポリイミドなどの耐熱
性樹脂などを用いることができるが、放射線によって硬
化されて高分子物質となる材料、例えばアクリル系のド
ライフィルムレジスト、エポキシ系の液状レジスト、ポ
リイミド系の液状レジストなどのフォトレジストなど
は、フォトリソグラフィーの手法を利用して容易に非磁
性体部分を形成することができるので、これらを好適に
用いることができる。
【0046】そして、上記の金型を用いることにより、
次のようにして、高解像度異方導電性シート30が、高
密度接続電極区域用基板20の高密度接続電極区域12
上に形成される。先ず、硬化処理によって絶縁性の弾性
高分子物質となる高分子物質用材料中に導電性磁性体粒
子を分散させて、流動性の混合物よりなる導電路形成部
用材料を調製し、これを用いて、金型のキャビティCに
おける上型51の強磁性体部分53と下型56の強磁性
体部分58との間の導電路形成部用キャビティ部分D
に、導電路形成部用材料層を形成する。
次のようにして、高解像度異方導電性シート30が、高
密度接続電極区域用基板20の高密度接続電極区域12
上に形成される。先ず、硬化処理によって絶縁性の弾性
高分子物質となる高分子物質用材料中に導電性磁性体粒
子を分散させて、流動性の混合物よりなる導電路形成部
用材料を調製し、これを用いて、金型のキャビティCに
おける上型51の強磁性体部分53と下型56の強磁性
体部分58との間の導電路形成部用キャビティ部分D
に、導電路形成部用材料層を形成する。
【0047】具体的には、図6に示すように、導電路形
成部用材料を上型51の強磁性体部分53の下面に塗布
することにより下面側に盛り上げられた状態の塗布層6
1を形成した後、図7に示すように、この上型51を、
下型56の下面にスペーサー55を介して配置すること
により、塗布層61が下型56の強磁性体部分58に対
接した状態の導電路形成部用材料層60を形成する。
成部用材料を上型51の強磁性体部分53の下面に塗布
することにより下面側に盛り上げられた状態の塗布層6
1を形成した後、図7に示すように、この上型51を、
下型56の下面にスペーサー55を介して配置すること
により、塗布層61が下型56の強磁性体部分58に対
接した状態の導電路形成部用材料層60を形成する。
【0048】導電路形成部用材料の塗布層61を形成す
る方法としては、高密度接続電極区域用基板20の接続
電極11における特定のパターンと同一のパターンの開
口部を有するスクリーン印刷用マスクを作成し、このマ
スクを用いて導電路形成部用材料をスクリーン印刷する
ことにより形成する方法を好適に用いることができる。
また、導電路形成部用材料の塗布層61は、上型51の
強磁性体部分53の下面と共に、下型56の強磁性体部
分58の上面に形成してもよい。
る方法としては、高密度接続電極区域用基板20の接続
電極11における特定のパターンと同一のパターンの開
口部を有するスクリーン印刷用マスクを作成し、このマ
スクを用いて導電路形成部用材料をスクリーン印刷する
ことにより形成する方法を好適に用いることができる。
また、導電路形成部用材料の塗布層61は、上型51の
強磁性体部分53の下面と共に、下型56の強磁性体部
分58の上面に形成してもよい。
【0049】このようにして金型のキャビティCにおけ
る導電路形成部用キャビティ部分D(図5参照)に形成
された導電路形成部用材料層60に、磁場を上下方向に
作用させることにより、導電性磁性体粒子を導電路形成
部用材料層60の厚さ方向に配向させる。
る導電路形成部用キャビティ部分D(図5参照)に形成
された導電路形成部用材料層60に、磁場を上下方向に
作用させることにより、導電性磁性体粒子を導電路形成
部用材料層60の厚さ方向に配向させる。
【0050】具体的には、図8に示すように、上型51
の上面および下型56の下面に電磁石62,63を配置
してこの電磁石62,63を動作させることにより、上
型51の強磁性体部分53からこれに対応する下型56
の強磁性体部分58に向かう方向に平行磁場が作用し、
その結果、導電路形成部用材料層60中に分散されてい
た導電性磁性体粒子が厚さ方向に並ぶように配向する。
の上面および下型56の下面に電磁石62,63を配置
してこの電磁石62,63を動作させることにより、上
型51の強磁性体部分53からこれに対応する下型56
の強磁性体部分58に向かう方向に平行磁場が作用し、
その結果、導電路形成部用材料層60中に分散されてい
た導電性磁性体粒子が厚さ方向に並ぶように配向する。
【0051】そして、この状態において、図9に示すよ
うに、例えば加熱して導電路形成部用材料層を硬化処理
することにより導電路形成部31を形成し、その後、こ
の導電路形成部31を上型51の強磁性体部分53に保
持させた状態で下型56から離型させて下面側を露出さ
せることにより、上型51の強磁性体部分53上に導電
路形成部31が配置されてなる異方導電性シート形成用
中間体65が形成される。
うに、例えば加熱して導電路形成部用材料層を硬化処理
することにより導電路形成部31を形成し、その後、こ
の導電路形成部31を上型51の強磁性体部分53に保
持させた状態で下型56から離型させて下面側を露出さ
せることにより、上型51の強磁性体部分53上に導電
路形成部31が配置されてなる異方導電性シート形成用
中間体65が形成される。
【0052】導電路形成部用材料層60の硬化処理は、
平行磁場を作用させたままの状態で行うことが好ましい
が、平行磁場の作用を停止させた後に行うこともでき
る。導電路形成部用材料層60に作用される平行磁場の
強度は、金型の各導電路形成部用キャビティ部分の平均
で200〜10000ガウスとなる大きさが好ましい。
硬化処理は、使用される材料によって適宜選定される
が、通常、熱処理によって行われる。具体的な加熱温度
および加熱時間は、導電路形成部用材料層60の高分子
物質材料の種類、導電性磁性体粒子の移動に要する時間
などを考慮して適宜選定される。例えば、高分子物質材
料が室温硬化型シリコーンゴムである場合に、硬化処理
は室温で24時間程度、40℃で2時間程度、80℃で
30分間程度で行われる。
平行磁場を作用させたままの状態で行うことが好ましい
が、平行磁場の作用を停止させた後に行うこともでき
る。導電路形成部用材料層60に作用される平行磁場の
強度は、金型の各導電路形成部用キャビティ部分の平均
で200〜10000ガウスとなる大きさが好ましい。
硬化処理は、使用される材料によって適宜選定される
が、通常、熱処理によって行われる。具体的な加熱温度
および加熱時間は、導電路形成部用材料層60の高分子
物質材料の種類、導電性磁性体粒子の移動に要する時間
などを考慮して適宜選定される。例えば、高分子物質材
料が室温硬化型シリコーンゴムである場合に、硬化処理
は室温で24時間程度、40℃で2時間程度、80℃で
30分間程度で行われる。
【0053】導電路形成部31を上型51の強磁性体部
分53に保持させた状態で下型56から離型させるため
には、下型56の離型性を上型51より大きくしておけ
ばよく、例えば、上型51の下面に塗布する離型剤より
も離型効果の高い離型剤を下型56の上面に塗布すれば
よい。
分53に保持させた状態で下型56から離型させるため
には、下型56の離型性を上型51より大きくしておけ
ばよく、例えば、上型51の下面に塗布する離型剤より
も離型効果の高い離型剤を下型56の上面に塗布すれば
よい。
【0054】一方、図10に示すように、高密度接続電
極区域用基板20の高密度接続電極区域12上に、硬化
処理によって絶縁性の弾性高分子物質となる高分子物質
材料よりなる絶縁部用材料層66を形成し、図11に示
すように、この絶縁部用材料層66が形成された高密度
接続電極区域用基板20の高密度接続電極区域12上
に、異方導電性シート形成用中間体65を重ね合わせる
ことにより、当該高密度接続電極区域12における接続
電極11に、異方導電性シート形成用中間体65の導電
路形成部31が対接した状態とする。このとき、接続電
極11上の絶縁部用材料層は、導電路形成部31によっ
て排除される。
極区域用基板20の高密度接続電極区域12上に、硬化
処理によって絶縁性の弾性高分子物質となる高分子物質
材料よりなる絶縁部用材料層66を形成し、図11に示
すように、この絶縁部用材料層66が形成された高密度
接続電極区域用基板20の高密度接続電極区域12上
に、異方導電性シート形成用中間体65を重ね合わせる
ことにより、当該高密度接続電極区域12における接続
電極11に、異方導電性シート形成用中間体65の導電
路形成部31が対接した状態とする。このとき、接続電
極11上の絶縁部用材料層は、導電路形成部31によっ
て排除される。
【0055】そして、この状態で絶縁部用材料層66を
硬化処理することにより絶縁部32を形成し、その後、
上型51を離型させることにより、導電路形成部31の
各々が対応する接続電極11上に位置された状態で、か
つ高密度接続電極区域12に一体的に接着乃至密着した
状態で、高密度接続電極区域用基板20上に高解像度異
方導電性シート30が形成される。絶縁部用材料層66
の硬化処理は、導電路形成部用材料層60の硬化処理に
おいて示した条件と同様の条件で行うことができる。
硬化処理することにより絶縁部32を形成し、その後、
上型51を離型させることにより、導電路形成部31の
各々が対応する接続電極11上に位置された状態で、か
つ高密度接続電極区域12に一体的に接着乃至密着した
状態で、高密度接続電極区域用基板20上に高解像度異
方導電性シート30が形成される。絶縁部用材料層66
の硬化処理は、導電路形成部用材料層60の硬化処理に
おいて示した条件と同様の条件で行うことができる。
【0056】そして、図12に示すように、高解像度異
方導電性シート30が表面に一体的に設けられた高密度
接続電極区域用基板20を、その接続電極11が低密度
接続電極区域用基板15の接続電極11と実質的に同一
の平面上に位置され、かつ、そのグリッド電極14が低
密度接続電極区域用基板15のグリッド電極14と実質
的に同一の格子点位置に位置された状態で、低密度接続
電極区域用基板15の受容部16に配置して固定し、さ
らに、当該低密度接続電極区域用基板15の低密度接続
電極区域13上に低解像度異方導電性シート30を配置
することにより、図3に示す構成の検査用回路基板装置
が製造される。
方導電性シート30が表面に一体的に設けられた高密度
接続電極区域用基板20を、その接続電極11が低密度
接続電極区域用基板15の接続電極11と実質的に同一
の平面上に位置され、かつ、そのグリッド電極14が低
密度接続電極区域用基板15のグリッド電極14と実質
的に同一の格子点位置に位置された状態で、低密度接続
電極区域用基板15の受容部16に配置して固定し、さ
らに、当該低密度接続電極区域用基板15の低密度接続
電極区域13上に低解像度異方導電性シート30を配置
することにより、図3に示す構成の検査用回路基板装置
が製造される。
【0057】以上の方法においては、上型51の強磁性
体部分53と下型56の強磁性体部分58との間の導電
路形成部用キャビティ部分Dに導電路形成部用材料層6
0を形成し、上下方向に磁場を作用させることにより、
導電路形成部用キャビティ部分Dにおいては、磁力線の
方向が互いに対向する強磁性体部分53および強磁性体
部分58によって拘束されるので、厳密に導電路形成部
用材料層60の厚さ方向にのみ磁場が作用されることと
なり、その結果、導電性磁性体粒子を導電路形成部用材
料層60の厚さ方向に確実に配向させることができる。
体部分53と下型56の強磁性体部分58との間の導電
路形成部用キャビティ部分Dに導電路形成部用材料層6
0を形成し、上下方向に磁場を作用させることにより、
導電路形成部用キャビティ部分Dにおいては、磁力線の
方向が互いに対向する強磁性体部分53および強磁性体
部分58によって拘束されるので、厳密に導電路形成部
用材料層60の厚さ方向にのみ磁場が作用されることと
なり、その結果、導電性磁性体粒子を導電路形成部用材
料層60の厚さ方向に確実に配向させることができる。
【0058】また、上型51の強磁性体部分53上に導
電路形成部31が形成されてなる異方導電性シート形成
用中間体65を、絶縁部用材料層61が形成された高密
度接続電極区域用基板20の高密度接続電極区域12上
に、その接続電極11と導電路形成部31とが対接する
よう配置した状態で絶縁部用材料層66を硬化処理する
ことにより絶縁部32を形成するので、接続電極11上
に導電路形成部31が確実に接触した状態で高解像度異
方導電性シート30を高密度接続電極区域用基板20の
高密度接続電極区域12上に一体的に形成することがで
きる。
電路形成部31が形成されてなる異方導電性シート形成
用中間体65を、絶縁部用材料層61が形成された高密
度接続電極区域用基板20の高密度接続電極区域12上
に、その接続電極11と導電路形成部31とが対接する
よう配置した状態で絶縁部用材料層66を硬化処理する
ことにより絶縁部32を形成するので、接続電極11上
に導電路形成部31が確実に接触した状態で高解像度異
方導電性シート30を高密度接続電極区域用基板20の
高密度接続電極区域12上に一体的に形成することがで
きる。
【0059】図13は、本発明の検査用回路基板装置の
他の例における要部の構成を示す説明用断面図である。
この検査用回路基板装置においては、高密度接続電極区
域用基板20の高密度接続電極区域12上に、各々が格
子点位置に配置された厚み方向に伸びる多数の導電路形
成部36と、これらの導電路形成部36を相互に絶縁す
る絶縁部37とにより形成されてなる高解像度異方導電
性シート35が配置されている。その他は、図3に示す
検査用回路基板装置と同様の構成である。
他の例における要部の構成を示す説明用断面図である。
この検査用回路基板装置においては、高密度接続電極区
域用基板20の高密度接続電極区域12上に、各々が格
子点位置に配置された厚み方向に伸びる多数の導電路形
成部36と、これらの導電路形成部36を相互に絶縁す
る絶縁部37とにより形成されてなる高解像度異方導電
性シート35が配置されている。その他は、図3に示す
検査用回路基板装置と同様の構成である。
【0060】高解像度異方導電性シート35において
は、導電路形成部36の配置ピッチp1は、高密度接続
電極区域用基板20の高密度接続電極区域12における
接続電極11の最小の配置ピッチpの2分の1以下とさ
れている。
は、導電路形成部36の配置ピッチp1は、高密度接続
電極区域用基板20の高密度接続電極区域12における
接続電極11の最小の配置ピッチpの2分の1以下とさ
れている。
【0061】上記の構成の検査用回路基板装置において
は、高解像度異方導電性シート35の導電路形成部36
が、高密度接続電極区域用基板20の高密度接続電極区
域12における接続電極11の最小の配置ピッチpの2
分の1以下のピッチp1で配置されているため、高密度
接続電極区域12の接続電極11の各々は、高解像度異
方導電性シート35の導電路形成部36のいずれかに接
続されると共に、当該導電路形成部36は、他の接続電
極11に接続されることがないので、高解像度異方導電
性シート35の位置合わせを厳密に行わなくても、所要
の電気的接続を確実に達成することができる。
は、高解像度異方導電性シート35の導電路形成部36
が、高密度接続電極区域用基板20の高密度接続電極区
域12における接続電極11の最小の配置ピッチpの2
分の1以下のピッチp1で配置されているため、高密度
接続電極区域12の接続電極11の各々は、高解像度異
方導電性シート35の導電路形成部36のいずれかに接
続されると共に、当該導電路形成部36は、他の接続電
極11に接続されることがないので、高解像度異方導電
性シート35の位置合わせを厳密に行わなくても、所要
の電気的接続を確実に達成することができる。
【0062】以上、本発明の実施の形態について説明し
たが、本発明は上記の検査用回路基板および検査用回路
基板装置に限定されず、以下のように種々の変更を加え
ることができる。 (1)回路基板10における低密度接続電極区域用基板
15の受容部16は、段部を有する形状ものに限られ
ず、例えば図14および図15に示すように、周面がテ
ーパ状のものであってもよい。また、受容部16の平面
形状は、検査対象である回路装置1の端子電極2の配置
パターンに応じて適宜選択することができ、矩形状、円
形状、その他の形状であってもよい。 (2)高密度接続電極区域用基板20を構成する多層板
としては、3層構成のものに限られず、必要に応じて4
層以上の構成のものを用いることができる。また、低密
度接続電極区域用基板15としては、必要に応じて多層
構成のものを用いることができる。 (3)高解像度異方導電性シート30としては、電極面
積が微小な端子電極または隣接する電極間の離間距離が
微小である状態で配置された端子電極の各々に対して、
安定した電気的接続状態が達成されるものであれば、種
々の構成のものを用いることができる。
たが、本発明は上記の検査用回路基板および検査用回路
基板装置に限定されず、以下のように種々の変更を加え
ることができる。 (1)回路基板10における低密度接続電極区域用基板
15の受容部16は、段部を有する形状ものに限られ
ず、例えば図14および図15に示すように、周面がテ
ーパ状のものであってもよい。また、受容部16の平面
形状は、検査対象である回路装置1の端子電極2の配置
パターンに応じて適宜選択することができ、矩形状、円
形状、その他の形状であってもよい。 (2)高密度接続電極区域用基板20を構成する多層板
としては、3層構成のものに限られず、必要に応じて4
層以上の構成のものを用いることができる。また、低密
度接続電極区域用基板15としては、必要に応じて多層
構成のものを用いることができる。 (3)高解像度異方導電性シート30としては、電極面
積が微小な端子電極または隣接する電極間の離間距離が
微小である状態で配置された端子電極の各々に対して、
安定した電気的接続状態が達成されるものであれば、種
々の構成のものを用いることができる。
【0063】
【発明の効果】本発明の検査用回路基板によれば、表面
に高密度接続電極区域が形成された高密度接続電極区域
用基板と、表面に低密度接続電極区域が形成された低密
度接続電極区域用基板とにより構成されているため、当
該高密度接続電極区域における接続電極の各々と、グリ
ッド電極の各々とを電気的に接続するためには、高密度
接続電極区域用基板として積層数の大きい多層板を用い
ればよく、検査用回路基板全体を積層数の大きい多層構
成とする必要がないので、検査対象である回路装置がそ
の端子電極領域の面積が大きいものであっても、小さい
コストで製造することができる。しかも、高密度接続電
極区域用基板は、その接続電極が低密度接続電極区域用
基板の接続電極と実質的に同一の平面上に位置された状
態で、低密度接続電極区域用基板の受容部に一体的に設
けられているので、回路装置の端子電極と、これに対応
する接続電極との電気的な接続を確実に達成することが
できる。
に高密度接続電極区域が形成された高密度接続電極区域
用基板と、表面に低密度接続電極区域が形成された低密
度接続電極区域用基板とにより構成されているため、当
該高密度接続電極区域における接続電極の各々と、グリ
ッド電極の各々とを電気的に接続するためには、高密度
接続電極区域用基板として積層数の大きい多層板を用い
ればよく、検査用回路基板全体を積層数の大きい多層構
成とする必要がないので、検査対象である回路装置がそ
の端子電極領域の面積が大きいものであっても、小さい
コストで製造することができる。しかも、高密度接続電
極区域用基板は、その接続電極が低密度接続電極区域用
基板の接続電極と実質的に同一の平面上に位置された状
態で、低密度接続電極区域用基板の受容部に一体的に設
けられているので、回路装置の端子電極と、これに対応
する接続電極との電気的な接続を確実に達成することが
できる。
【0064】また、高密度接続電極区域用基板自体は、
端子電極の配置パターンが同一の高密度端子電極区域を
有する回路装置に対して共通に使用することができ、し
かも、低密度接続電極区域用基板の配線設計および製造
は比較的容易であるので、全体として異なる態様の回路
装置であっても、端子電極の配置パターンが同一の高密
度端子電極区域を有するものであれば、当該回路装置を
検査するための回路基板の製造コストを小さくすること
ができ、その結果、回路装置の検査コストを削減するこ
とができる。
端子電極の配置パターンが同一の高密度端子電極区域を
有する回路装置に対して共通に使用することができ、し
かも、低密度接続電極区域用基板の配線設計および製造
は比較的容易であるので、全体として異なる態様の回路
装置であっても、端子電極の配置パターンが同一の高密
度端子電極区域を有するものであれば、当該回路装置を
検査するための回路基板の製造コストを小さくすること
ができ、その結果、回路装置の検査コストを削減するこ
とができる。
【0065】本発明の検査用回路基板装置によれば、高
密度接続電極区域用基板の高密度接続電極区域上には、
当該高密度接続電極区域における接続電極に対応するパ
ターンに従って導電路形成部が形成された高解像度異方
導電性シートが、導電路形成部の各々が対応する接続電
極上に位置された状態で一体的に設けられているため、
検査対象である回路装置の高密度端子電極区域の端子電
極の各々に対して、所要の電気的接続を確実に達成する
ことができる。しかも、低密度接続電極区域用基板の低
密度接続電極区域上には、別体の低解像度異方導電性シ
ートが配置されているため、端子電極領域の面積の大き
い回路装置を検査するためのものであっても、高解像度
異方導電性シートとして、回路装置の端子電極領域と同
等の面積を有する製作コストの高いものを用いる必要が
なく、高密度端子電極区域と同等の面積の小さいものを
用いればよいので、製作コストの小さい検査用回路基板
装置が得られる。
密度接続電極区域用基板の高密度接続電極区域上には、
当該高密度接続電極区域における接続電極に対応するパ
ターンに従って導電路形成部が形成された高解像度異方
導電性シートが、導電路形成部の各々が対応する接続電
極上に位置された状態で一体的に設けられているため、
検査対象である回路装置の高密度端子電極区域の端子電
極の各々に対して、所要の電気的接続を確実に達成する
ことができる。しかも、低密度接続電極区域用基板の低
密度接続電極区域上には、別体の低解像度異方導電性シ
ートが配置されているため、端子電極領域の面積の大き
い回路装置を検査するためのものであっても、高解像度
異方導電性シートとして、回路装置の端子電極領域と同
等の面積を有する製作コストの高いものを用いる必要が
なく、高密度端子電極区域と同等の面積の小さいものを
用いればよいので、製作コストの小さい検査用回路基板
装置が得られる。
【0066】また、低解像度異方導電性シートは、高解
像度異方導電性シートと別体のものであるため、低解像
度異方導電性シートに故障が生じたときには、当該低解
像度異方導電性シートを新たなものに交換すればよく、
また、高解像度異方導電性シートに故障が生じたときに
は、当該高解像度異方導電性シートと共にこれが設けら
れた高密度接続電極区域用基板を交換すればよいため、
メンテナンスにかかるコストの低減化を図ることができ
る。
像度異方導電性シートと別体のものであるため、低解像
度異方導電性シートに故障が生じたときには、当該低解
像度異方導電性シートを新たなものに交換すればよく、
また、高解像度異方導電性シートに故障が生じたときに
は、当該高解像度異方導電性シートと共にこれが設けら
れた高密度接続電極区域用基板を交換すればよいため、
メンテナンスにかかるコストの低減化を図ることができ
る。
【図1】本発明の検査用回路基板の一例における構成を
検査対象である回路装置の構成と共に示す説明用断面図
である。
検査対象である回路装置の構成と共に示す説明用断面図
である。
【図2】図1に示す検査用回路基板の高密度接続電極区
域用基板を拡大して示す説明用断面図である。
域用基板を拡大して示す説明用断面図である。
【図3】本発明の検査用回路基板装置の一例における構
成を示す説明用断面図である。
成を示す説明用断面図である。
【図4】図3に示す検査用回路基板の一部を拡大して示
す説明用断面図である。
す説明用断面図である。
【図5】本発明の検査用回路基板装置を製造するために
用いられる金型の一例における要部の構成を示す説明用
断面図である。
用いられる金型の一例における要部の構成を示す説明用
断面図である。
【図6】金型の上型の強磁性体部分に塗布層を形成した
状態を示す説明図である。
状態を示す説明図である。
【図7】金型の導電部用キャビティ部分に導電路形成部
用材料層を形成した状態を示す説明図である。
用材料層を形成した状態を示す説明図である。
【図8】導電路形成部用材料層に平行磁場を作用させた
状態を示す説明図である。
状態を示す説明図である。
【図9】導電路形成部を形成して、異方導電性シート用
中間体を形成する工程を示す説明図である。
中間体を形成する工程を示す説明図である。
【図10】高密度接続電極区域用基板の高密度接続電極
区域に絶縁部用材料層が形成された状態を示す説明図で
ある。
区域に絶縁部用材料層が形成された状態を示す説明図で
ある。
【図11】高密度接続電極区域用基板の高密度接続電極
区域に異方導電性シート用中間体が配置された状態を示
す説明図である。
区域に異方導電性シート用中間体が配置された状態を示
す説明図である。
【図12】高密度接続電極区域用基板を低密度接続電極
区域用基板の受容部に配置する工程を示す説明用断面図
である。
区域用基板の受容部に配置する工程を示す説明用断面図
である。
【図13】本発明の検査用回路基板装置の他の例におけ
る一部の構成を示す説明用断面図である。
る一部の構成を示す説明用断面図である。
【図14】本発明の検査用回路基板の他の例における構
成を示す説明用断面図である。
成を示す説明用断面図である。
【図15】本発明の検査用回路基板の更に他の例におけ
る構成を示す説明用断面図である。
る構成を示す説明用断面図である。
【図16】プリント回路基板よりなる回路装置の一例の
配置を示す説明図である。
配置を示す説明図である。
1 回路装置 2 端子電極 3 高密度端子電極区域 4 低密度端子
電極区域 10 検査用回路基板 11 接続電極 12 高密度接続電極区域 13 低密度接
続電極区域 14 接触電極(グリッド電極) 15 低密度接
続電極区域用基板 16 受容部 17 表面配線
部 18 裏面配線部 19 貫通短絡
部 20 高密度接続電極区域用基板 21 第1絶縁
層 22 第2絶縁層 23 第3絶縁
層 24 層間配線部 25 短絡部 30 高解像度異方導電性シート 31 導電路形
成部 32 絶縁部 33 突出絶縁
部分 35 高解像度異方導電性シート 36 導電路形
成部 37 絶縁部 40 低解像度
異方導電性シート 51 一方の型(上型) 52 磁性金属
基板 53 強磁性体部分 54 非磁性体
部分 15 スペーサー 56 他方の型
(下型) 57 磁性金属基板 58 強磁性体
部分 59 非磁性体部分 60 導電部用
材料層 61 塗布層 61,32 電
磁石 65 異方導電性シート用中間体 66 絶縁部用
材料層 70 上型 71 強磁性体
部分 72 非磁性体部分 73 下型 74 強磁性体部分 75 非磁性体
部分 76,77 ガイドピン 78,79 電
磁石 90 回路装置 91 機能素子
領域 92 端子電極 93 端子電極
領域 D 導電路形成部用キャビティ部分 E 弾性高分子
物質 G 導電性磁性体粒子
電極区域 10 検査用回路基板 11 接続電極 12 高密度接続電極区域 13 低密度接
続電極区域 14 接触電極(グリッド電極) 15 低密度接
続電極区域用基板 16 受容部 17 表面配線
部 18 裏面配線部 19 貫通短絡
部 20 高密度接続電極区域用基板 21 第1絶縁
層 22 第2絶縁層 23 第3絶縁
層 24 層間配線部 25 短絡部 30 高解像度異方導電性シート 31 導電路形
成部 32 絶縁部 33 突出絶縁
部分 35 高解像度異方導電性シート 36 導電路形
成部 37 絶縁部 40 低解像度
異方導電性シート 51 一方の型(上型) 52 磁性金属
基板 53 強磁性体部分 54 非磁性体
部分 15 スペーサー 56 他方の型
(下型) 57 磁性金属基板 58 強磁性体
部分 59 非磁性体部分 60 導電部用
材料層 61 塗布層 61,32 電
磁石 65 異方導電性シート用中間体 66 絶縁部用
材料層 70 上型 71 強磁性体
部分 72 非磁性体部分 73 下型 74 強磁性体部分 75 非磁性体
部分 76,77 ガイドピン 78,79 電
磁石 90 回路装置 91 機能素子
領域 92 端子電極 93 端子電極
領域 D 導電路形成部用キャビティ部分 E 弾性高分子
物質 G 導電性磁性体粒子
Claims (3)
- 【請求項1】 複数の端子電極が配置されてなり、当該
端子電極それ自体が微小であるかまたは隣接する端子電
極間の離間距離が微小である高密度端子電極区域と、こ
の高密度端子電極区域以外の低密度端子電極区域とが同
一の表面上に配列された端子電極領域を有する回路装置
を検査するための検査用回路基板であって、 検査すべき回路装置における高密度端子電極区域の端子
電極に対応するパターンに従って複数の接続電極が配置
された高密度接続電極区域を表面に有し、この高密度接
続電極区域の接続電極に電気的に接続された複数の接触
電極を裏面に有してなる高密度接続電極区域用基板と、 前記回路装置における低密度端子電極区域の端子電極に
対応するパターンに従って複数の接続電極が配置された
低密度接続電極区域を表面に有し、この低密度接続電極
区域の接続電極に電気的に接続された複数の接触電極を
裏面に有してなり、当該回路装置における高密度端子電
極区域に対応して厚み方向に貫通する受容部が形成され
た低密度接続電極区域用基板とよりなり、 前記高密度接続電極区域用基板は、その接続電極が前記
低密度接続電極区域用基板の接続電極と実質的に同一の
平面上に位置された状態で、当該低密度接続電極区域用
基板の受容部に一体的に設けられていることを特徴とす
る検査用回路基板。 - 【請求項2】 高密度接続電極区域用基板の接触電極お
よび低密度接続電極区域用基板の接触電極は、それぞれ
格子点位置に配置されており、 前記高密度接続電極区域用基板は、その接触電極が前記
低密度接続電極区域用基板の接触電極と実質的に共通の
格子に係る格子点位置に位置された状態で設けられてい
ることを特徴とする請求項1に記載の検査用回路基板。 - 【請求項3】 請求項1または請求項2に記載の検査用
回路基板と、 この検査用回路基板における高密度接続電極区域用基板
の高密度接続電極区域上に一体的に設けられた高解像度
異方導電性シートと、 前記検査用回路基板における低密度接続電極区域用基板
の低密度接続電極区域上に設けられた、前記高解像度異
方導電性シートと別体の低解像度異方導電性シートとを
具えてなることを特徴とする検査用回路基板装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9151249A JPH10339744A (ja) | 1997-06-09 | 1997-06-09 | 検査用回路基板および検査用回路基板装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9151249A JPH10339744A (ja) | 1997-06-09 | 1997-06-09 | 検査用回路基板および検査用回路基板装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10339744A true JPH10339744A (ja) | 1998-12-22 |
Family
ID=15514540
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9151249A Withdrawn JPH10339744A (ja) | 1997-06-09 | 1997-06-09 | 検査用回路基板および検査用回路基板装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10339744A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008134170A (ja) * | 2006-11-29 | 2008-06-12 | Micronics Japan Co Ltd | 電気的接続装置 |
| JP2020526017A (ja) * | 2018-01-30 | 2020-08-27 | エルジー・ケム・リミテッド | テストポイントを有する印刷回路基板の製造方法およびこれにより製造される印刷回路基板 |
-
1997
- 1997-06-09 JP JP9151249A patent/JPH10339744A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008134170A (ja) * | 2006-11-29 | 2008-06-12 | Micronics Japan Co Ltd | 電気的接続装置 |
| JP2020526017A (ja) * | 2018-01-30 | 2020-08-27 | エルジー・ケム・リミテッド | テストポイントを有する印刷回路基板の製造方法およびこれにより製造される印刷回路基板 |
| US10966313B2 (en) | 2018-01-30 | 2021-03-30 | Lg Chem, Ltd. | Method for manufacturing printed circuit board having test point, and printed circuit board manufactured thereby |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040506 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060303 |
|
| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20070807 |