JPH10339801A - 光学薄膜 - Google Patents
光学薄膜Info
- Publication number
- JPH10339801A JPH10339801A JP10141791A JP14179198A JPH10339801A JP H10339801 A JPH10339801 A JP H10339801A JP 10141791 A JP10141791 A JP 10141791A JP 14179198 A JP14179198 A JP 14179198A JP H10339801 A JPH10339801 A JP H10339801A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- refractive index
- film
- optical thin
- optical
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
- Coating Of Shaped Articles Made Of Macromolecular Substances (AREA)
- Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
- Compounds Of Alkaline-Earth Elements, Aluminum Or Rare-Earth Metals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 屈折率の低い光学薄膜を得る。
【解決課題】 本発明の光学薄膜は、屈折率が１．３６
〜１．３７であることを特徴とするフッ化マグネシウム
系光学薄膜である。
〜１．３７であることを特徴とするフッ化マグネシウム
系光学薄膜である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、反射防止膜等として用
いられる光学薄膜に関し、特にプラスチックレンズ上へ
の形成に好適な光学薄膜に関するものである。
いられる光学薄膜に関し、特にプラスチックレンズ上へ
の形成に好適な光学薄膜に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、光学部品の反射防止膜としては、
屈折率が低く、可視域での吸収が少ないＭｇＦ2膜が汎
用されている。このＭｇＦ2膜は、ガラスからなる光学
部品用の反射防止膜として真空蒸着法により実用化さ
れ、今日までに至っている。しかし、真空蒸着法により
ＭｇＦ2膜を形成する場合、蒸着時及び蒸着後に高温
（２００〜４００℃）で加熱しなければ、光学的及び機
械的性能を十分に満足させることはできない。従って、
光学部品がプラスチックからなる場合、熱変形等の理由
から、ＭｇＦ2膜を形成することは非常に困難である。
このため、現在のところＭｇＦ2膜はプラスチックレン
ズ等には実用化されていないのが実情である。
屈折率が低く、可視域での吸収が少ないＭｇＦ2膜が汎
用されている。このＭｇＦ2膜は、ガラスからなる光学
部品用の反射防止膜として真空蒸着法により実用化さ
れ、今日までに至っている。しかし、真空蒸着法により
ＭｇＦ2膜を形成する場合、蒸着時及び蒸着後に高温
（２００〜４００℃）で加熱しなければ、光学的及び機
械的性能を十分に満足させることはできない。従って、
光学部品がプラスチックからなる場合、熱変形等の理由
から、ＭｇＦ2膜を形成することは非常に困難である。
このため、現在のところＭｇＦ2膜はプラスチックレン
ズ等には実用化されていないのが実情である。
【０００３】光学薄膜を常温で形成する試みとしては、
Ｈｏｌｌａｎｄらが、”Ｌ Ｍａｒｔｉｎｕ，Ｈ Ｂｉ
ｅｄｅｒｍａｎ ａｎｄ Ｌ Ｈｏｌｌａｎｄ，Ｖａｃ
ｕｕｍ／ｖｏｌ．３５／ｎｕｍｂｅｒ １２／ｐ５３１
〜５３５／１９８５”（文献１）の中でスパッタリング
による方法について記載している。Ｈｏｌｌａｎｄら
は、この文献の中で、「１）スパッタリングガスとして
Ａｒガスを使って作成した膜ではＭｇＦ２蒸着膜と同等
の低い屈折率（ｎ＝１．３８〜１．４２）が得られる。
２）スパッタリングで形成したＭｇＦ2膜で可視域での
吸収が生じるのは、プラズマ中のＦ-イオンが基板ホル
ダ側に励起される負のプラズマポテンシャルにより反発
するため、薄膜内に取り込まれるＦ重量が不足すること
と、プラズマ中での水の解離により励起されたＯ- イオ
ンとＭｇ+ イオンとの酸化反応により形成されるＭｇＯ
による。」と述べている。
Ｈｏｌｌａｎｄらが、”Ｌ Ｍａｒｔｉｎｕ，Ｈ Ｂｉ
ｅｄｅｒｍａｎ ａｎｄ Ｌ Ｈｏｌｌａｎｄ，Ｖａｃ
ｕｕｍ／ｖｏｌ．３５／ｎｕｍｂｅｒ １２／ｐ５３１
〜５３５／１９８５”（文献１）の中でスパッタリング
による方法について記載している。Ｈｏｌｌａｎｄら
は、この文献の中で、「１）スパッタリングガスとして
Ａｒガスを使って作成した膜ではＭｇＦ２蒸着膜と同等
の低い屈折率（ｎ＝１．３８〜１．４２）が得られる。
２）スパッタリングで形成したＭｇＦ2膜で可視域での
吸収が生じるのは、プラズマ中のＦ-イオンが基板ホル
ダ側に励起される負のプラズマポテンシャルにより反発
するため、薄膜内に取り込まれるＦ重量が不足すること
と、プラズマ中での水の解離により励起されたＯ- イオ
ンとＭｇ+ イオンとの酸化反応により形成されるＭｇＯ
による。」と述べている。
【０００４】しかし、本発明者らが上記のＨｏｌｌａｎ
ｄらの文献に基づいて、スパッタリングによってＭｇＦ
2膜を作成したところ、後述の比較例でデータを示すよ
うに、Ａｒガスを用いても低屈折率の薄膜は得られなか
った。また、基板ホルダ側にＲＦのバイアスをかけてＭ
ｇＦ2膜を作成し、光学特性を検討したが、基板側のプ
ラズマポテンシャルが負電位であるか否かとということ
と、薄膜の光学特性の間にＨｏｌｌａｎｄらが述べてい
るような関係は認められなかった。
ｄらの文献に基づいて、スパッタリングによってＭｇＦ
2膜を作成したところ、後述の比較例でデータを示すよ
うに、Ａｒガスを用いても低屈折率の薄膜は得られなか
った。また、基板ホルダ側にＲＦのバイアスをかけてＭ
ｇＦ2膜を作成し、光学特性を検討したが、基板側のプ
ラズマポテンシャルが負電位であるか否かとということ
と、薄膜の光学特性の間にＨｏｌｌａｎｄらが述べてい
るような関係は認められなかった。
【０００５】この他、ＭｇＦ2膜を高温処理せずに作成
する方法としては、ＩＡＤ法（Ｉｏｎ ａｓｓｉｓｔｅ
ｄ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）が考えられる。しかし、こ
のＩＡＤ法は、分子容を大きくする（イオン半径の大き
いイオンを導入して配位数を高め、充填率を高くする）
方法であるため、得られたＭｇＦ2膜の屈折率は蒸着膜
に比べて高くなってしまう。
する方法としては、ＩＡＤ法（Ｉｏｎ ａｓｓｉｓｔｅ
ｄ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）が考えられる。しかし、こ
のＩＡＤ法は、分子容を大きくする（イオン半径の大き
いイオンを導入して配位数を高め、充填率を高くする）
方法であるため、得られたＭｇＦ2膜の屈折率は蒸着膜
に比べて高くなってしまう。
【０００６】更に、ＩＡＤ法でＭｇＦ2膜を作成する場
合、機械的性能を上げるためには、かなり高いイオン電
流密度を必要とするため、イオン損傷による膜の内部応
力の変化に対する影響が大きく、光学特性の経時的安定
性に問題点がある。また、プラスチックレンズ用の低屈
折率膜としては、二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）が用いられ
ることがあるが、ＳｉＯ2の屈折率はｎ＝１．４７程度
と高く、反射率が高くなってしまう。
合、機械的性能を上げるためには、かなり高いイオン電
流密度を必要とするため、イオン損傷による膜の内部応
力の変化に対する影響が大きく、光学特性の経時的安定
性に問題点がある。また、プラスチックレンズ用の低屈
折率膜としては、二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）が用いられ
ることがあるが、ＳｉＯ2の屈折率はｎ＝１．４７程度
と高く、反射率が高くなってしまう。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者は、蒸着法によ
るＭｇＦ2膜と同等以上の光学特性及び機械特性を有
し、かつ、高温処理が不要で、プラスチックレンズ等に
も支障なく用いることのできる新規な光学薄膜を得るべ
く、鋭意研究の結果、これまで文献等に報告のない低屈
折率のフッ化マグネシウム系光学薄膜を初めて成膜する
ことに成功し、本発明を成すに至った。
るＭｇＦ2膜と同等以上の光学特性及び機械特性を有
し、かつ、高温処理が不要で、プラスチックレンズ等に
も支障なく用いることのできる新規な光学薄膜を得るべ
く、鋭意研究の結果、これまで文献等に報告のない低屈
折率のフッ化マグネシウム系光学薄膜を初めて成膜する
ことに成功し、本発明を成すに至った。
【０００８】即ち、本発明は、「屈折率が１．３６〜
１．３７であることを特徴とするフッ化マグネシウム系
光学薄膜」を提供する。このような光学薄膜は、これま
で知られておらず、新規物質である。本発明の光学薄膜
では、光学特性の経時安定性を向上させるためには、無
機化合物中のＳｉ濃度を３〜１０ｗｔ％とすると良い。
この際の各元素の好ましい原子比の範囲は次のようであ
る。
１．３７であることを特徴とするフッ化マグネシウム系
光学薄膜」を提供する。このような光学薄膜は、これま
で知られておらず、新規物質である。本発明の光学薄膜
では、光学特性の経時安定性を向上させるためには、無
機化合物中のＳｉ濃度を３〜１０ｗｔ％とすると良い。
この際の各元素の好ましい原子比の範囲は次のようであ
る。
【０００９】 Ｆ／Ｍｇ＝（１．３／１）〜（１．６／１） Ｏ／Ｍｇ＝（０．４／１）〜（０．７／１） Ｓｉ／Ｍｇ＝（０．１／１）〜（０．３／１） Ｓｉを添加する場合、ＭｇＦ2とＳｉをプラズマ中で反
応させる方法、具体的にはスパッタリング等によって作
成することができる。スパッタリングの条件は、求める
光学的特性等に応じて適宜設定されるものであるが、例
えば、ＭｇＦ2とＳｉをターゲットとし、スパッタリン
グガスとしてＡｒとＯ2を用いて、バックグランド圧力
を１．１×１０-3Ｐａ程度、スパッタリンガス圧６×１
０-1Ｐａ程度とすると良い。
応させる方法、具体的にはスパッタリング等によって作
成することができる。スパッタリングの条件は、求める
光学的特性等に応じて適宜設定されるものであるが、例
えば、ＭｇＦ2とＳｉをターゲットとし、スパッタリン
グガスとしてＡｒとＯ2を用いて、バックグランド圧力
を１．１×１０-3Ｐａ程度、スパッタリンガス圧６×１
０-1Ｐａ程度とすると良い。
【００１０】
【作用】本発明において、光学薄膜の屈折率が低くなる
理由としては、薄膜を構成する無機化合物の分子屈折の
変化が考えられる。本発明では、屈折率が低くなる方法
として、分子屈折を変化させるため（結合角を小さくす
る）、スパッタリング中の酸素イオンによる分子容の変
化を抑制でき、ＩＡＤ法による膜のように屈折率が高く
ならない（酸素イオンが取り込まれて分子容が大きくな
ると屈折率が高くなる）。
理由としては、薄膜を構成する無機化合物の分子屈折の
変化が考えられる。本発明では、屈折率が低くなる方法
として、分子屈折を変化させるため（結合角を小さくす
る）、スパッタリング中の酸素イオンによる分子容の変
化を抑制でき、ＩＡＤ法による膜のように屈折率が高く
ならない（酸素イオンが取り込まれて分子容が大きくな
ると屈折率が高くなる）。
【００１１】次に、本発明の光学薄膜の光学特性の経時
安定性について述べる。この薄膜をを反射防止膜等とし
て用いるにあたって、屈折率を低い一定の値に保つ必要
がある場合、薄膜中のＳｉ濃度を調整することで屈折率
の経時変化を抑えることができる。本発明者らの検討結
果によれば（具体的なデータは実施例で説明）、薄膜中
のＳｉ濃度が低い場合、Ｓｉ濃度が高すぎる場合に比べ
てＳｉＯX の割合が低下してＳｉ−Ｆ2結合の割合が高
くなる。具体的には、Ｓｉ濃度を３〜１０ｗｔ％程度と
することで、屈折率の経時安定性が向上する。この理由
は、Ｓｉ濃度が低い場合、より結合エネルギーの高いＳ
ｉ−Ｆの結合が促進されることにより、Ｓｉのダングリ
ングボンドの不動態化が行なわれるものと推測される。
安定性について述べる。この薄膜をを反射防止膜等とし
て用いるにあたって、屈折率を低い一定の値に保つ必要
がある場合、薄膜中のＳｉ濃度を調整することで屈折率
の経時変化を抑えることができる。本発明者らの検討結
果によれば（具体的なデータは実施例で説明）、薄膜中
のＳｉ濃度が低い場合、Ｓｉ濃度が高すぎる場合に比べ
てＳｉＯX の割合が低下してＳｉ−Ｆ2結合の割合が高
くなる。具体的には、Ｓｉ濃度を３〜１０ｗｔ％程度と
することで、屈折率の経時安定性が向上する。この理由
は、Ｓｉ濃度が低い場合、より結合エネルギーの高いＳ
ｉ−Ｆの結合が促進されることにより、Ｓｉのダングリ
ングボンドの不動態化が行なわれるものと推測される。
【００１２】
【実施例】図１で説明した同様なスパッタ装置（日電ア
ネルバ株式会社製ＳＰＦ−５３０Ｈ）を用いた。本実施
例ではＭｇＦ2ターゲット１上にＳｉウエハ（２ｉｎｃ
ｈ）２を１枚のせて、真空室３中にスパッタリングガス
としてＡｒ，Ａｒ＋Ｏ2，Ｏ2 ＋ＣＦ4 ，Ｏ2 を各々導
入した。真空室３内の圧力はバリアブルオリフィス６に
てクライオンポンプ７の排気速度を調整した。スパッタ
リング条件を変動させて基板８上に薄膜を形成した。そ
の時のスパッタリング条件及び得られた各薄膜の光学特
性を表１に示す。
ネルバ株式会社製ＳＰＦ−５３０Ｈ）を用いた。本実施
例ではＭｇＦ2ターゲット１上にＳｉウエハ（２ｉｎｃ
ｈ）２を１枚のせて、真空室３中にスパッタリングガス
としてＡｒ，Ａｒ＋Ｏ2，Ｏ2 ＋ＣＦ4 ，Ｏ2 を各々導
入した。真空室３内の圧力はバリアブルオリフィス６に
てクライオンポンプ７の排気速度を調整した。スパッタ
リング条件を変動させて基板８上に薄膜を形成した。そ
の時のスパッタリング条件及び得られた各薄膜の光学特
性を表１に示す。
【００１３】
【表１】
【００１４】Ｏ2ガスを使用し、例えばバックグラウン
ドの圧力を１．３×１０-3Ｐａとすると、膜の屈折率は
ｎ＝１．３６７６となり、約１．３６〜１．３７と低い
値の屈折率を有するフッ化マグネシウム系薄膜が得られ
た。そして、後述する比較例に比べて低い屈折率が得ら
れたことが分かる。なお、表１での吸収係数の測定波長
は４００ｎｍである。
ドの圧力を１．３×１０-3Ｐａとすると、膜の屈折率は
ｎ＝１．３６７６となり、約１．３６〜１．３７と低い
値の屈折率を有するフッ化マグネシウム系薄膜が得られ
た。そして、後述する比較例に比べて低い屈折率が得ら
れたことが分かる。なお、表１での吸収係数の測定波長
は４００ｎｍである。
【００１５】［比較例１］ＭｇＦ2をターゲットとし、
スパッタリングガスとして、Ａｒ，Ａｒ＋Ｏ2 ，Ｏ２＋
ＣＦ4，Ａｒ＋ＣＦ4をそれぞれ真空室へ導入して、Ｍｇ
Ｆ２膜を作成し、スパッタリングによるＭｇＦ2膜の光
学特性を調べた。この結果をスパッタリング条件ととも
に表２に示す。
スパッタリングガスとして、Ａｒ，Ａｒ＋Ｏ2 ，Ｏ２＋
ＣＦ4，Ａｒ＋ＣＦ4をそれぞれ真空室へ導入して、Ｍｇ
Ｆ２膜を作成し、スパッタリングによるＭｇＦ2膜の光
学特性を調べた。この結果をスパッタリング条件ととも
に表２に示す。
【００１６】表２からわかるように、スパッタリング条
件を変動させても、屈折率がｎ＝１．３６〜１．３７の
ものは得ることができず、屈折率はｎ＝１．５１〜１．
６１位と高い値となった。また、吸収係数についても、
α（λ0 ）＝１×１０5 〜２×１０6 ｍ-1（λ0 ＝４０
０ｎｍ）の範囲であり、光学的性能上から反射防止膜と
しては使用するのには問題があった。
件を変動させても、屈折率がｎ＝１．３６〜１．３７の
ものは得ることができず、屈折率はｎ＝１．５１〜１．
６１位と高い値となった。また、吸収係数についても、
α（λ0 ）＝１×１０5 〜２×１０6 ｍ-1（λ0 ＝４０
０ｎｍ）の範囲であり、光学的性能上から反射防止膜と
しては使用するのには問題があった。
【００１７】
【表２】
【００１８】［比較例２］ＭｇＦ2をターゲットとし、
基板ホルダー側にＲＦバイアスをかけてスパッタリング
によってＭｇＦ2膜を作成した。スパッタリングガスと
しては、Ａｒ，Ａｒ＋Ｏ2 ，Ｏ2 ＋ＣＦ4，Ａｒ＋ＣＦ4
を使用し、スパッタリング条件を変動させてみた。この
結果を表３に示す。表３からわかるように、Ａｒ＋ＣＦ
4を使用した場合、バックグランドの圧力を低くして
（６〜９×１０-5Ｐａ）作成した薄膜の屈折率がｎ＝
１．３９〜１．４１位になり、バックグラウンドの圧力
を高くした場合（１〜２×１０-4Ｐａ）の薄膜の屈折率
かｎ＝１．５６〜１．５８位と高くなつた。この両条件
（Ａｒ＋ＣＦ4ガス使用、バックグランド圧力高，低）
で作成した時の基板ホルダ側に発生したプラズマポテン
シャル電位を測定したところ、両者とも負の電位（約−
１００Ｖ〜−２００Ｖ）を示していた。
基板ホルダー側にＲＦバイアスをかけてスパッタリング
によってＭｇＦ2膜を作成した。スパッタリングガスと
しては、Ａｒ，Ａｒ＋Ｏ2 ，Ｏ2 ＋ＣＦ4，Ａｒ＋ＣＦ4
を使用し、スパッタリング条件を変動させてみた。この
結果を表３に示す。表３からわかるように、Ａｒ＋ＣＦ
4を使用した場合、バックグランドの圧力を低くして
（６〜９×１０-5Ｐａ）作成した薄膜の屈折率がｎ＝
１．３９〜１．４１位になり、バックグラウンドの圧力
を高くした場合（１〜２×１０-4Ｐａ）の薄膜の屈折率
かｎ＝１．５６〜１．５８位と高くなつた。この両条件
（Ａｒ＋ＣＦ4ガス使用、バックグランド圧力高，低）
で作成した時の基板ホルダ側に発生したプラズマポテン
シャル電位を測定したところ、両者とも負の電位（約−
１００Ｖ〜−２００Ｖ）を示していた。
【００１９】またＡｒガスを使って同様に基板側にＲＦ
のバイアスをかけた場合、作成した薄膜の屈折率はほと
んど高い値（ｎ＝１．４４〜１．７０）を示した。そし
てこの場合も、基板ホルダ側には負の電位が発生した。
また、作成した膜には全てに可視光における吸収が生じ
ており、安定して低吸収、低屈折率の膜は得られなかっ
た。
のバイアスをかけた場合、作成した薄膜の屈折率はほと
んど高い値（ｎ＝１．４４〜１．７０）を示した。そし
てこの場合も、基板ホルダ側には負の電位が発生した。
また、作成した膜には全てに可視光における吸収が生じ
ており、安定して低吸収、低屈折率の膜は得られなかっ
た。
【００２０】前述したように、本発明者らが実験した表
３の結果とＨｏｌｌａｎｄらの文献１の記載内容とは一
致していない。つまり、文献１によれば、Ａｒガスを使
って作成した膜では低い屈折率（ｎ＝１．３８〜１．４
２）が得られるはずであるが、今回我々の行った結果で
は、Ａｒガスを使用しても低い屈折率の膜は得られなか
った。また、Ａｒ＋ＣＦ4ガスを使って基板ホルダ側に
ＲＦのバイアスをかけた場合、プラズマポテンシャルは
負の電位になっているにもかかわらず、屈折率は低い値
（ｎ＝１．３９〜１．４１）を示した。
３の結果とＨｏｌｌａｎｄらの文献１の記載内容とは一
致していない。つまり、文献１によれば、Ａｒガスを使
って作成した膜では低い屈折率（ｎ＝１．３８〜１．４
２）が得られるはずであるが、今回我々の行った結果で
は、Ａｒガスを使用しても低い屈折率の膜は得られなか
った。また、Ａｒ＋ＣＦ4ガスを使って基板ホルダ側に
ＲＦのバイアスをかけた場合、プラズマポテンシャルは
負の電位になっているにもかかわらず、屈折率は低い値
（ｎ＝１．３９〜１．４１）を示した。
【００２１】
【表３】
【００２２】
【発明の効果】以上のように、本発明の光学薄膜は、フ
ッ化マグネシウム系としてはこれまでにない文献等の報
告のない低屈折率であり、光学部品の反射防止膜や保護
膜等として好適に用いることができる。反射防止膜に用
いた場合、本発明の光学薄膜の屈折率は、これまで、プ
ラスチックレンズ用の低屈折率膜として用いられてきた
二酸化ケイ素の屈折率と比べて大幅に低くなっているの
で、反射率を低減することができる。
ッ化マグネシウム系としてはこれまでにない文献等の報
告のない低屈折率であり、光学部品の反射防止膜や保護
膜等として好適に用いることができる。反射防止膜に用
いた場合、本発明の光学薄膜の屈折率は、これまで、プ
ラスチックレンズ用の低屈折率膜として用いられてきた
二酸化ケイ素の屈折率と比べて大幅に低くなっているの
で、反射率を低減することができる。
【図１】は、本発明の実施例で使用したスパッタリング
装置の概略図である。
装置の概略図である。
１・・・ＭｇＦ2ターゲット ２・・・Ｓｉウエハ ３・・・真空室 ４・・・アルゴンガス ５・・・酸素ガス ６・・・バリアブルオリフィス ７・・・クライオンポンプ ８・・・基板 ９・・・マスフローコントロール
Claims (1)
- 【請求項１】 屈折率が１．３６〜１．３７であること
を特徴とするフッ化マグネシウム系光学薄膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10141791A JPH10339801A (ja) | 1998-05-22 | 1998-05-22 | 光学薄膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10141791A JPH10339801A (ja) | 1998-05-22 | 1998-05-22 | 光学薄膜 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP02414523A Division JP3079580B2 (ja) | 1990-12-25 | 1990-12-25 | 光学部品用薄膜及びこれを有する光学部品及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10339801A true JPH10339801A (ja) | 1998-12-22 |
Family
ID=15300243
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10141791A Pending JPH10339801A (ja) | 1998-05-22 | 1998-05-22 | 光学薄膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10339801A (ja) |
-
1998
- 1998-05-22 JP JP10141791A patent/JPH10339801A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3808917B2 (ja) | 薄膜の製造方法及び薄膜 | |
| EP1529124B1 (fr) | Procede d'obtention d'une couche mince de silice fluoree stabilisee, substrat ainsi revetu et lentille ophthalmique ainsi obtenue | |
| US7440204B2 (en) | ND filter of optical film laminate type with carbon film coating | |
| JP5027980B2 (ja) | フッ素添加シリカ薄膜を付着させる方法 | |
| JP2003098340A (ja) | 光学多層干渉膜とその製造方法および光学多層干渉膜を用いたフィルター | |
| JPH10339801A (ja) | 光学薄膜 | |
| JP3079580B2 (ja) | 光学部品用薄膜及びこれを有する光学部品及びその製造方法 | |
| JPH08101301A (ja) | 光学薄膜とその製造方法 | |
| JPH10282304A (ja) | 光学薄膜 | |
| JP4126372B2 (ja) | ソーラーパネルとその製造方法 | |
| KR102151947B1 (ko) | 광학필터 및 이를 포함하는 센서시스템, 그리고 광학필터용 할로겐화 비정질 실리콘 박막 제조방법 | |
| CN111880324A (zh) | 可随温度自调节的全向透射薄膜元件及其制备方法 | |
| JPH10268107A (ja) | 反射防止膜付合成樹脂レンズ | |
| JP2001108802A (ja) | 反射防止膜 | |
| JPH09263936A (ja) | 薄膜の製造方法および薄膜 | |
| JP3933218B2 (ja) | 光学薄膜の製造方法及び光学薄膜 | |
| JP2009093068A (ja) | 耐擦傷性物品の製造方法 | |
| JP2009093067A (ja) | 酸化ジルコニウム層、耐擦傷性物品および光学物品 | |
| JPS63260138A (ja) | シリコン酸化膜の形成方法 | |
| JP2979327B2 (ja) | 低融点基体上蒸着反射防止膜 | |
| Clarke et al. | New high-rate automated deposition system for the manufacture of complex multilayer coatings-II. Process control | |
| JP3353944B2 (ja) | 光学部品の反射防止膜およびこの反射防止膜を形成した光学部品 | |
| JP3509414B2 (ja) | 反射鏡及びその製造方法 | |
| CN118377137A (zh) | 一种多波段激光滤光膜及其制备方法 | |
| JPS59148002A (ja) | 蒸着およびスパツタ用酸化ジルコニウム組成物およびそれを用いる光学用薄膜の製造方法 |