JPH10340442A

JPH10340442A - 磁気テープ及び磁気テープの製造方法

Info

Publication number: JPH10340442A
Application number: JP9150607A
Authority: JP
Inventors: Hisayo Ohata; 久代大畑; 秀樹 ▲吉▼田; Hideki Yoshida
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1997-06-09
Filing date: 1997-06-09
Publication date: 1998-12-22

Abstract

(57)【要約】【課題】非磁性支持体上に形成された強磁性金属薄膜
上に、硬質炭素保護膜を有し、さらに前記硬質炭素保護
膜上に潤滑剤層を有する磁気テープであって、ドロップ
アウトの増加を抑え、安定した走行信頼性を得ることを
目的とする。【解決手段】表面粗さのヒストグラムの積分値に於い
て、その積分値の５０％値に対して２０ｎｍ以上の高さ
の突起が５×１０⁴個／ｍｍ²以上の密度に制御すること
により、記録／再生時のドロップアウトの増加が抑制さ
れる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は高密度磁気記録に適
した磁気テープ及びその製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、磁気テープは高密度記録化がすす
み、小型大容量の記録再生装置の開発が盛んに行われて
おり、中でも民生用ディジタルＶＴＲ、データストリー
マ用としては、１〜３μｍ²／bit程度の高密度記録媒体
の実用化が期待されている。かかる記録密度の向上に伴
い、スペーシングロスが大きくなる為、その悪影響を防
止するために磁気テープの表面は平滑化される傾向にあ
る。しかし、磁気テープの表面が平滑すぎると、磁気ヘ
ッドと磁気テープが吸着を起こし、摩擦力が増大するた
め、磁気テープが大きな損傷を受けてしまう。

【０００３】そこで、従来より非磁性基板中にフィラー
を内添したり、非磁性基板の表面に配されたしわ状・ミ
ミズ状の凹凸下塗り層を設けたり、或いは、下塗り層に
ＳｉＯ₂ビーズ等の粒子を付与して表面に突起を設け、
その粒径や頻度の調整を行う技術が特開平３−２５０４
２０号公報や特開平４−１０２１４０号公報に開示され
ており、これらの技術で、走行信頼性の向上を図ってい
る。

【０００４】ところが、上記の様に磁気テープの表面性
を制御する場合、表面突起の制御が非常に重要となる。
すなわち、この表面突起が原因となって磁気テープの記
録／再生時に於ける、いわゆるドロップアウト（記録デ
ータの欠落）の発生や、走行信頼性の劣化などの問題点
を有している。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明は上記従来の問
題点を解決するもので、走行信頼性を確保しつつ、記録
再生時に於けるドロップアウトの発生を抑えることを目
的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明の磁気テープは、非磁性支持体上に形成された
強磁性金属薄膜上に、硬質炭素保護膜を有し、さらに前
記硬質炭素保護膜上に潤滑剤層を有する磁気テープの磁
性面側の表面に存在する突起物を、ラッピングテープと
の摩擦により除去することにより、表面粗さのヒストグ
ラムの積分値に於いて、その積分値の５０％値に対して
２０ｎｍ以上の高さの突起を５×１０⁴個／ｍｍ²以下の
密度に制御し、記録再生時におけるドロップアウトの発
生を抑制し、さらに、前記磁気テープの硬質炭素保護膜
上に有する潤滑剤層と同一の潤滑剤層を表面に有するラ
ッピングテープを用いて突起の密度を制御することによ
り、最表面の潤滑剤層を均一にし、安定した走行信頼性
を確保することができる。

【０００７】

【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、非磁性支持体上に形成された強磁性金属薄膜上に、
硬質炭素保護膜を有し、さらに前記硬質炭素保護膜上に
潤滑剤層を有する磁気記録媒体に於いて、表面粗さのヒ
ストグラムの積分値に於いて、その積分値の５０％値に
対して２０ｎｍ以上の高さの突起を５×１０⁴個／ｍｍ²
以下の密度に制御することにより、記録再生時における
ドロップアウトの発生を抑制するという作用を有する。

【０００８】本発明の請求項２に記載の発明は、請求項
１に記載の磁気テープにおいて、硬質炭素保護膜の形状
をコラム構造をもたない連続膜とすることで、表面突起
がより均一となり、ドロップアウトの増加を抑え、安定
した走行性が確保できるという作用を有する。

【０００９】本発明の請求項４に記載の発明は、非磁性
支持体上に形成された強磁性金属薄膜上に、硬質炭素保
護膜を有し、さらに前記硬質炭素保護膜上に潤滑剤層を
有する磁気テープの磁性面側の表面に存在する突起物
を、前記磁気テープの硬質炭素保護膜上に有する潤滑剤
層と同一の潤滑剤層を表面に有するラッピングテープと
の摩擦により除去するという方法により、表面粗さのヒ
ストグラムの積分値に於いて、その積分値の５０％値に
対して２０ｎｍ以上の高さの突起を５×１０⁴個／ｍｍ
²以下の密度に制御し、且つ、最表面の潤滑剤層の厚み
を均一にすることにより、走行信頼性を確保しつつ、記
録再生時におけるドロップアウトの発生を抑制するとい
う作用を有する。

【００１０】本発明の請求項５に記載の発明は、非磁性
支持体上に形成された強磁性金属薄膜の表面に存在する
突起物を、ラッピングテープとの摩擦により除去した
後、硬質炭素保護膜を形成することにより、硬質炭素保
護膜及び、最表面の潤滑剤層を均一に保ち、ドロップア
ウトや走行性がさらに向上するという作用を有する。

【００１１】本発明の請求項６に記載の発明は、非磁性
支持体上に形成された平滑な強磁性金属薄膜の表面と、
硬質炭素保護膜との間に２種類の粒子を付与することに
より磁気テープ最表面の突起密度を制御し、走行信頼性
を確保しつつ、記録再生時におけるドロップアウトの発
生を抑制するという作用を有する。

【００１２】本発明の請求項７に記載の発明は、磁気テ
ープのヤング率を限定することにより、磁気ヘッドとの
ヘッドタッチを向上させ、ドロップアウトや走行性がさ
らに向上するという作用を有する。

【００１３】以下、本発明の実施の形態について、説明
する。本発明の磁気テープ及び磁気テープの製造方法を
実施例に基づき具体的に説明する。なお、本発明はこれ
らの実施例に限定されるものではない。

【００１４】（実施の形態１）６．５μｍ厚のポリエチ
レンナフタレートフィルム（以下ＰＥＮと略す）に、電
子ビーム法で斜め蒸着することにより膜厚０．１５μｍ
のＣｏ−Ｏ膜を形成し、その上に１０ｎｍの硬質炭素膜
を形成し、更に、パーフルオロポリエーテルを配し、磁
性層と反対側のＰＥＮ上にバックコート層を０．５μｍ
設けて８ｍｍ幅にスリットし、全厚が７．０μｍの磁気
テープを作成した。

【００１５】この様にして作成した磁気テープの表面を
図１に示す表面処理装置により、ラッピングテープとの
摩擦による表面処理を行った。図１に於いて、１は磁気
テープ、２はラッピングテープ、３は巻き出しテープハ
ブ、４は巻き取りテープハブである。

【００１６】この時の処理回数を変え、種々の表面粗さ
の磁気テープを作成した。磁気テープの表面突起の密度
については、原子間力顕微鏡（セイコー電子工業（株）
製、ＳＦＡ−３００）により測定し、得られた画像デー
タから高さ方向のヒストグラムと積分値を求め、この積
分値の５０％を基準にし、基準値より２０ｎｍ以上突出
している突起数を測定した。

【００１７】図２に原子間力顕微鏡で測定したヒストグ
ラム図の一例を示す。図２に於いて５は高さ方向のデー
タ数、６はその積分値を示す。７は５０％積分値の基準
ラインで、８は基準ラインから任意の高さ以上の突起数
を求めるラインで、この場合２０ｎｍ以上の突起数を求
めたラインを示す。この様にして得られた磁気テープを
ヘリカルスキャン方式Ｈｉ８ビデオテープレコーダー
（ＳＯＮＹ社製、ＥＶ−Ｓ９００）を用い、７ＭＨｚの
信号を記録し、再生時に於いて３ｕｓｅｃ、−８ｄＢの
ドロップアウトの発生数を測定した。また、１００回繰
り返し走行させ、初期出力に対する走行後の出力低下を
測定した。

【００１８】測定結果を（表１）に示す。

【００１９】

【表１】

【００２０】（表１）に於いて表面突起の密度としてい
るのは、表面粗さのヒストグラムの積分値に於いて、そ
の積分値の５０％値に対して２０ｎｍ以上の高さの突起
の数である。このような指標を用いる理由は、積分値の
５０％値というのが平均的な突起高さを示すものであ
り、平均的な突起高さに対して著しく大きな突起が本発
明に関する作用に寄与すると考えられるからである。

【００２１】（表１）より明らかなように、表面粗さの
ヒストグラムの積分値に於いて、その積分値の５０％値
に対して２０ｎｍ以上の高さの突起が５×１０⁴個／ｍ
ｍ²以下の密度の実施例１〜６に於いては、ドロップア
ウトの数も少なく、非常に良好な走行特性を確保できる
ことがわかる。比較例１〜３のように突起密度が大きく
なってくると、その突起を起因とするドロップアウトの
増加がみられ、走行性にも悪影響を及ぼす。

【００２２】（実施の形態２）６．５μｍ厚のポリエチ
レンナフタレートフィルム（以下ＰＥＮと略す）に、電
子ビーム法で斜め蒸着することにより膜厚０．１５μｍ
のＣｏ−Ｏ膜を形成し、その上に１０ｎｍの硬質炭素膜
を形成し、更に、パーフルオロポリエーテルを配し、磁
性層と反対側のＰＥＮ上にバックコート層を０．５μｍ
設けて８ｍｍ幅にスリットし、全厚が７．０μｍの磁気
テープを作成した。

【００２３】この時の硬質炭素膜は、プラズマＣＶＤ法
で形成した。すなわち、放電室を有する真空中の真空槽
内でメタンガスをプラズマ化させ硬質炭素の連続膜を形
成した。

【００２４】比較例としては、放電室を有する真空中の
真空槽内でアルゴンガスを供給し、ターゲットとなるカ
ーボンのスパッタにより硬質炭素のスパッタ膜を形成し
た。硬質炭素保護膜の形成状態については、走査型電子
顕微鏡（ＳＥＭ）により確認した。プラズマＣＶＤ法に
よる硬質炭素保護膜を図３（ａ）に、スパッタ膜の模式
断面図を図３−（ｂ）に示す。図３において、９は非磁
性基板、１０は強磁性金属薄膜、１１は硬質炭素保護
膜、１２は潤滑剤層である。図３より、図３（ｂ）のス
パッタ膜はコラム構造を有しているが、図３（ａ）のプ
ラズマＣＶＤ法の膜は、コラム構造ではない均一な連続
膜であることを確認した。

【００２５】この様にして作成した磁気テープの表面を
図１に示す表面処理装置により、ラッピングテープとの
摩擦による表面処理を行った。この時の処理回数を変
え、種々の表面粗さの磁気テープを作成した。磁気テー
プの表面突起の密度については、原子間力顕微鏡（セイ
コー電子工業（株）製、ＳＦＡ−３００）により測定
し、得られた画像データから高さ方向のヒストグラムと
積分値を求め、この積分値の５０％を基準にし、基準値
より２０ｎｍ以上突出している突起数を測定した。この
様にして得られた磁気テープをヘリカルスキャン方式Ｈ
ｉ８ビデオテープレコーダー（ＳＯＮＹ社製、ＥＶ−Ｓ
９００）を用い、７ＭＨｚの信号を記録し、再生時に於
いて３ｕｓｅｃ、−８ｄＢのドロップアウトの発生数を
測定した。

【００２６】また、２３℃７０％ＲＨの環境下に於い
て、磁気テープの磁性面側の摩擦係数を測定した。測定
条件は、φ３、０．３Ｓ仕上げのＳＵＳポストを用い、
角度９０度、加重１０ｇ、速度１５ｍｍ／ｓｅｃで行
い、１００回走行の摩擦係数を測定した。

【００２７】測定結果を（表２）に示す。

【００２８】

【表２】

【００２９】（表２）より明らかなように、硬質炭素保
護膜がコラム構造である比較例１〜５は、表面粗さのヒ
ストグラムの積分値に於いて、その積分値の５０％値に
対して２０ｎｍ以上の高さの突起が５×１０⁴個／ｍｍ
²以下の密度に制御しても、走行性は悪く、ドロップア
ウトの増加がみられる。それに対して、本実施の形態で
は、硬質炭素保護膜が均一な連続膜を形成しているた
め、表面突起の密度を制御することにより、ドロップア
ウトの数も少なく、非常に良好な走行特性を確保できる
ことがわかる。

【００３０】また、本実施の形態では、硬質炭素保護膜
の連続膜は、プラズマＣＶＤ法により作成したが、その
他の方法で作成した硬質炭素連続保護膜についても同様
の効果が得られることを確認した。

【００３１】さらに、その他の方法で作成した硬質炭素
連続保護膜とプラズマＣＶＤ法により作成した硬質炭素
連続保護膜とを比較した結果、プラズマＣＶＤ法で作成
した硬質炭素保護膜の磁気テープが最も優れた特性を示
すことも確認した。

【００３２】（実施の形態３）６．５μｍ厚のポリエチ
レンナフタレートフィルム（以下ＰＥＮと略す）に、電
子ビーム法で斜め蒸着することにより膜厚０．１５μｍ
のＣｏ−Ｏ膜を形成し、その上に１０ｎｍの硬質炭素膜
を形成し、更に、パーフルオロポリエーテルを配し、磁
性層と反対側のＰＥＮ上にバックコート層を０．５μｍ
設けて８ｍｍ幅にスリットし、全厚が７．０μｍの磁気
テープを作成した。

【００３３】この様にして作成した磁気テープの表面を
図１に示す表面処理装置により、ラッピングテープとの
摩擦による表面処理を行った。この時、使用するラッピ
ングテープの表面に磁気テープ表面に配した潤滑剤と同
一の潤滑剤（パーフルオロポリエーテル）を塗布し、塗
布厚が３〜１０ｎｍのラッピングテープを作成した。

【００３４】この様にして得られたラッピングテープを
用いて、磁気テープの表面処理を行った。（実施の形態
１）と同様にして、表面処理の回数を変え、種々の表面
粗さの磁気テープを作成し、走査型電子顕微鏡（ＳＥ
Ｍ）により、磁気テープ表面の潤滑剤の塗布状態を観察
した。

【００３５】この様にして得られた磁気テープを（実施
の形態１）と同様にして、ヘリカルスキャン方式Ｈｉ８
ビデオテープレコーダー（ＳＯＮＹ社製、ＥＶ−Ｓ９０
０）を用い、７ＭＨｚの信号を記録し、再生時に於いて
３ｕｓｅｃ、−８ｄＢのドロップアウトの発生数を測定
した。また、２３℃７０％ＲＨの環境下に於いて、磁気
テープの磁性面側の摩擦係数を測定した。測定条件は、
φ３、０．３Ｓ仕上げのＳＵＳポストを用い、角度９０
度、加重１０ｇ、速度１５ｍｍ／ｓｅｃで行い、１００
回走行の摩擦係数を測定した。

【００３６】測定結果を（表３）に示す。

【００３７】

【表３】

【００３８】（表３）から明らかなように、潤滑剤を塗
布しないラッピングテープを用いて表面処理を行った比
較例１〜４に於いては、表面処理の摩擦により、磁気テ
ープ表面に配した潤滑剤も突起と共に擦り取られ、磁気
テープ表面の潤滑剤が不均一となり、その結果として、
ドロップアウトの発生数は減少するものの、走行性に悪
影響を及ぼす。

【００３９】これに対して、潤滑剤を塗布したラッピン
グテープを用いて表面処理を行った実施例１〜４に於い
ては、表面処理の摩擦により、突起が削られてもラッピ
ングテープ表面に塗布された潤滑剤により、磁気テープ
表面の潤滑剤は、均一に保たれ、ドロップアウトの発生
数は低減され、且つ、走行性に於いては従来例に示すよ
うに、表面処理を行わない時と同様の安定した特性を得
ることができる。

【００４０】（実施の形態４）６．５μｍ厚のポリエチ
レンナフタレートフィルム（以下ＰＥＮと略す）に、電
子ビーム法で斜め蒸着することにより膜厚０．１５μｍ
のＣｏ−Ｏ膜を形成し、得られた金属薄膜の表面をラッ
ピングテープとの摩擦により表面処理を行った。この時
の表面処理の回数を変え、種々の表面粗さの金属薄膜を
形成した。その上に１０ｎｍの硬質炭素膜を形成させ、
更に、パーフルオロポリエーテルを配し、磁性層と反対
側のＰＥＮ上にバックコート層を０．５μｍ設けて８ｍ
ｍ幅にスリットし、全厚が７．０μｍの種々の表面粗さ
の磁気テープを作成した。

【００４１】この様にして得られた磁気テープをヘリカ
ルスキャン方式Ｈｉ８ビデオテープレコーダー（ＳＯＮ
Ｙ社製、ＥＶ−Ｓ９００）を用い、７ＭＨｚの信号を記
録し、再生時に於いて３ｕｓｅｃ、−８ｄＢのドロップ
アウトの発生数を測定した。また、１００回繰り返し走
行させ、初期出力に対する走行後の出力低下を測定し
た。

【００４２】測定結果を（表４）に示す。

【００４３】

【表４】

【００４４】（表４）より明らかなように、本発明の製
造方法は、金属薄膜上の突起密度をラッピングテープと
の摩擦により制御した後、硬質炭素保護膜を形成し、さ
らに潤滑剤層を形成するため、潤滑剤層は均一に保た
れ、且つ、硬質炭素保護膜にダメージを受けることな
く、磁気テープ表面の突起の密度が制御されるため、実
施例１〜５に示す様に、ドロップアウトの数も少なく、
非常に良好な走行特性を確保できることがわかる。しか
しながら、比較例１〜３のように突起密度が大きくなっ
てくると、その突起を起因とするドロップアウトの増加
がみられ、走行性にも悪影響を及ぼす。

【００４５】（実施の形態５）６．５μｍ厚の突起を有
さない平滑なＰＥＮ上に、電子ビーム法で斜め蒸着し、
膜厚０．１５μｍの平滑なＣｏ−Ｏ膜を形成した。その
上に突起高さが３ｎｍと１０ｎｍのＳｉＯ₂ビーズを付
与し、その上に１０ｎｍの硬質炭素膜を形成させ、更
に、パーフルオロポリエーテルを配し、磁性層と反対側
のＰＥＮ上にバックコート層を０．５μｍ設けて８ｍｍ
幅にスリットし、全厚が７．０μｍの磁気テープを作成
した。金属薄膜上に付与する粒子数を変化させて、種々
の表面粗さの磁気テープを作成した。この時、付与する
粒子としては、ＳｉＯ₂他にＴｉＯ ₂，Ａｌ₂Ｏ₃等を用
いることができる。

【００４６】他の実施の形態においては、表面粗さの制
御はＰＥＮやＰＥＴの製膜時に表面または内部に形状賦
与物を与えて延伸を行う。これらの工程を同時に行うた
めに凝集などの問題が発生しやすく、平均的な突起より
も大きな突起が形成されやすい。それに対して、ここで
述べる実施の形態においては、ＰＥＮやＰＥＴの製膜時
には磁性面となる側には表面性を賦与せずに平滑な面と
し、後工程で形状を賦与する。このような後工程を用い
ることにより表面性を自由に制御できるが、プロセスが
増えるために製造コストが上昇する。

【００４７】この様にして得られた磁気テープをヘリカ
ルスキャン方式Ｈｉ８ビデオテープレコーダー（ＳＯＮ
Ｙ社製、ＥＶ−Ｓ９００）を用い、７ＭＨｚの信号を記
録し、再生時に於いて３ｕｓｅｃ、−８ｄＢのドロップ
アウトの発生数を測定した。また、１００回繰り返し走
行させ、初期出力に対する走行後の出力低下を測定し
た。

【００４８】測定結果を（表５）に示す。

【００４９】

【表５】

【００５０】（表５）より明らかなように、本発明の製
造方法は、金属薄膜上に付与する粒子数により磁気テー
プ表面の突起密度を制御した後、硬質炭素保護膜を形成
し、さらに潤滑剤層を形成するため、潤滑剤層は均一に
保たれ、且つ、硬質炭素保護膜にダメージを受けること
なく、磁気テープ表面の突起の密度が制御されるため、
実施例１〜７に示す様に、ドロップアウトの数も少な
く、非常に良好な出力安定性を確保できることがわか
る。

【００５１】これに対し、比較例１〜３のように突起密
度が大きくなってくると、その突起を起因とするドロッ
プアウトの増加がみられ、出力安定性にも悪影響を及ぼ
す。

【００５２】なお、４０℃８０％環境での走行性を確認
したところ、実施例３〜７は問題なかったが、実施例１
と２は安定な走行が得られなかった。よって、突起密度
の数は０．５×１０^-4以上が望ましいと考えられる。

【００５３】（実施の形態６）種々のヤング率の５．５
μｍ厚のポリエチレンナフタレートフィルム（以下ＰＥ
Ｎと略す）に、電子ビーム法で斜め蒸着することにより
膜厚０．１５μｍのＣｏ−Ｏ膜を形成し、その上に１０
ｎｍの硬質炭素膜を形成し、更に、パーフルオロポリエ
ーテルを配し、磁性層と反対側のＰＥＮ上にバックコー
ト層を０．５μｍ設けて８ｍｍ幅にスリットし、全厚が
６．０μｍで種々のヤング率の磁気テープを作成した。
この時のヤング率の測定はスティフネスより算出した。

【００５４】この様にして作成した磁気テープの表面を
図１に示す表面処理装置により、ラッピングテープとの
摩擦による表面処理を行った。この時の処理回数を変
え、種々の表面粗さの磁気テープを作成した。磁気テー
プの表面突起の密度については、原子間力顕微鏡（セイ
コー電子工業（株）製、ＳＦＡ−３００）により測定
し、得られた画像データから高さ方向のヒストグラムと
積分値を求め、この積分値の５０％を基準にし、基準値
より２０ｎｍ以上突出している突起数を測定した。

【００５５】この様にして得られた磁気テープをヘリカ
ルスキャン方式Ｈｉ８ビデオテープレコーダー（ＳＯＮ
Ｙ社製、ＥＶ−Ｓ９００）を用い、７ＭＨｚの信号を記
録し、再生時に於いて３ｕｓｅｃ、−８ｄＢのドロップ
アウトの発生数を測定した。また、１００回繰り返し走
行させ、初期出力に対する走行後の出力低下を測定し
た。

【００５６】測定結果を（表６）に示す。

【００５７】

【表６】

【００５８】（表６）より明らかなように、ヤング率の
低い炭素膜の比較例１〜５に於いては、ドロップアウト
の数は少ないものの、繰り返し走行により出力が低下す
る。

【００５９】それに対して、ヤング率が８×１０⁹Ｐａ
以上である実施例１〜５及び６〜１０に於いては、ドロ
ップアウトの数も少なく、安定した走行性を確保できる
ことがわかる。

【００６０】

【発明の効果】以上のように本発明の磁気テープ及び磁
気テープの製造方法は、非磁性支持体上に形成された強
磁性金属薄膜上に、硬質炭素保護膜を有し、さらに前記
硬質炭素保護膜上に潤滑剤層を有する磁気テープに於い
て、表面粗さのヒストグラムの積分値に於いて、その積
分値の５０％値に対して２０ｎｍ以上の高さの突起が５
×１０⁴個／ｍｍ²以下の密度に制御することにより、
記録再生時におけるドロップアウトの発生を抑制し、さ
らに前記硬質炭素保護膜上に潤滑剤層を有する磁気テー
プの磁性面側の表面に存在する突起物を除去する手段と
して、前記磁気テープの有する潤滑剤層と同一の潤滑剤
層を表面に有するラッピングテープを用いて摩擦するこ
とにより、安定した走行性を確保するという優れた効果
を実現できるものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の磁気テープの表面処理装置の平面図

【図２】原子間力顕微鏡で測定した突起数のヒストグラ
ム図

【図３】本発明及び比較例の磁気テープの模式断面図

【符号の説明】

１磁気テープ２ラッピングテープ３巻き出しテープハブ４巻き取りテープハブ５高さ方向の突起のデータ数７５０％積分値の基準ライン８基準ラインから任意の高さ以上の突起数を求めるラ
イン９非磁性基板１０強磁性金属薄膜１１硬質炭素保護膜１２潤滑剤層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】非磁性支持体上に形成された強磁性金属薄
膜上に、硬質炭素保護膜を有し、さらに前記硬質炭素保
護膜上に潤滑剤層を有する磁気テープに於いて、表面粗
さのヒストグラムの積分値に於いて、その積分値の５０
％値に対して２０ｎｍ以上の高さの突起が５×１０⁴個
／ｍｍ²以下の密度であることを特徴とする磁気テー
プ。
【請求項２】硬質炭素保護膜が、コラム構造をもたない
連続膜であることを特徴とする請求項１記載の磁気テー
プ。
【請求項３】請求項２記載の磁気テープに於いて、硬質
炭素保護膜がプラズマＣＶＤ法により形成されたことを
特徴とする磁気テープの製造方法。
【請求項４】非磁性支持体上に形成された強磁性金属薄
膜上に、硬質炭素保護膜を有し、さらに前記硬質炭素保
護膜上に潤滑剤層を有する磁気テープの磁性面側の表面
に存在する突起物を、前記磁気テープの有する潤滑剤層
と同一の潤滑剤層を表面に有するラッピングテープとの
摩擦により除去し、請求項１記載の突起密度に制御する
ことを特徴とする磁気テープの製造方法。
【請求項５】非磁性支持体上に形成された強磁性金属薄
膜の表面に存在する突起物を、ラッピングテープとの摩
擦により除去した後、硬質炭素保護膜を形成し、さらに
前記硬質炭素保護膜上に潤滑剤層を有することを特徴と
する請求項１記載の磁気テープ。
【請求項６】非磁性支持体上に形成された平滑な強磁性
金属薄膜の表面と、硬質炭素保護膜との間に２種類の粒
子を付与し、請求項１記載の突起密度に制御することを
特徴とする磁気テープの製造方法。
【請求項７】幅方向のヤング率が８×１０⁹Ｐａ以上で
あることを特徴とする請求項１記載の磁気テープ。