JPH10340784A - 有機電界発光素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【解決手段】 一対の電極間に、アセナフト[1,2-b] ト
リフェニレン誘導体を少なくとも１種含有する層を、少
なくとも一層挟持してなる有機電界発光素子。 【効果】 発光輝度が優れた有機電界発光素子を提供す
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、有機電界発光素子
に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、無機電界発光素子は、例えば、バ
ックライトなどのパネル型光源として使用されてきた
が、該発光素子を駆動させるには、交流の高電圧が必要
である。最近になり、発光材料に有機材料を用いた有機
電界発光素子（有機エレクトロルミネッセンス素子：有
機ＥＬ素子）が開発された〔Appl. Phys. Lett., 51 、
913 (1987)〕。有機電界発光素子は、蛍光性有機化合物
を含む薄膜を、陽極と陰極間に挟持された構造を有し、
該薄膜に電子および正孔（ホール）を注入して、再結合
させることにより励起子（エキシトン）を生成させ、こ
の励起子が失活する際に放出される光を利用して発光す
る素子である。有機電界発光素子は、数Ｖ〜数十Ｖ程度
の直流の低電圧で、発光が可能であり、また蛍光性有機
化合物の種類を選択することにより、種々の色（例え
ば、赤色、青色、緑色）の発光が可能である。このよう
な特徴を有する有機電界発光素子は、種々の発光素子、
表示素子等への応用が期待されている。しかしながら、
一般に、発光輝度が低く、実用上充分ではない。

【０００３】発光輝度を向上させる方法として、発光層
として、例えば、トリス（８−キノリノラート）アルミ
ニウムをホスト化合物、クマリン誘導体、ピラン誘導体
をゲスト化合物（ドーパント）として用いた有機電界発
光素子が提案されている〔J.Appl. Phys., 65 、3610
(1989) 〕。また、発光層として、例えば、ビス（２−
メチル−８−キノリノラート）（４−フェニルフェノラ
ート）アルミニウムをホスト化合物、アクリドン誘導体
（例えば、Ｎ−メチル−２−メトキシアクリドン）をゲ
スト化合物として用いた有機電界発光素子が提案されて
いる（特開平８−６７８７３号公報）。しかしながら、
これらの発光素子も充分な発光輝度を有しているとは言
い難い。現在では、一層高輝度に発光する有機電界発光
素子が望まれている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、発光
効率に優れ、高輝度に発光する有機電界発光素子を提供
することである。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明者等は、有機電界
発光素子に関して鋭意検討した結果、本発明を完成する
に至った。すなわち、本発明は、 一対の電極間に、アセナフト[1, 2-b]トリフェニレン
誘導体を少なくとも１種含有する層を少なくとも一層挟
持してなる有機電界発光素子、 アセナフト[1, 2-b]トリフェニレン誘導体を含有する
層が、発光層である記載の有機電界発光素子、 アセナフト[1, 2-b]トリフェニレン誘導体を含有する
層が、さらに発光性有機金属錯体を含有している前記
または記載の有機電界発光素子、 一対の電極間に、さらに、正孔注入輸送層を有する前
記〜のいずれかに記載の有機電界発光素子、 一対の電極間に、さらに、電子注入輸送層を有する前
記〜のいずれかに記載の有機電界発光素子、 アセナフト[1, 2-b]トリフェニレン誘導体が一般式
（１）（化２）で表される化合物である前記〜のい
ずれかに記載の有機電界発光素子、に関するものであ
る。

【０００６】

【化２】 （式中、Ｘ₁ 〜Ｘ₁₆は水素原子、ハロゲン原子、直鎖、
分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状の
アルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基
を表す）

【０００７】

【発明の実施の形態】以下、本発明に関して詳細に説明
する。本発明の有機電界発光素子は、一対の電極間に、
アセナフト[1, 2-b]トリフェニレン誘導体を少なくとも
１種含有する層を少なくとも一層挟持してなるものであ
る。本発明に係るアセナフト[1, 2-b]トリフェニレン誘
導体（以下、本発明に係る化合物Ａと略基する）は、好
ましくは、前記一般式（１）で表される化合物である。

【０００８】一般式（１）で表される化合物において、
Ｘ₁ 〜Ｘ₁₆は水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐また
は環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキ
シ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表す。
尚、アリール基とは、例えば、フェニル基、ナフチル基
などの炭素環式芳香族基、例えば、フリル基、チエニル
基、ピリジル基などの複素環式芳香族基を表す。好まし
くは、Ｘ₁ 〜Ｘ₁₆は、水素原子；ハロゲン原子（例え
ば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子）；炭素数１〜１
６の直鎖、分岐または環状のアルキル基（例えば、メチ
ル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ
−ブチル基、イソブチル基、sec −ブチル基、tert−ブ
チル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチ
ル基、tert−ペンチル基、シクロペンチル基、ｎ−ヘキ
シル基、３，３−ジメチルブチル基、シクロヘキシル
基、ｎ−ヘプチル基、シクロヘキシルメチル基、ｎ−オ
クチル基、tert−オクチル基、２−エチルヘキシル基、
ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−テ
トラデシル基、ｎ−ヘキサデシル基など）；炭素数１〜
１６の直鎖、分岐または環状のアルコキシ基（例えば、
メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロ
ポキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソブトキシ基、sec −ブ
トキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ
基、シクロペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、
３，３−ジメチルブチルオキシ基、シクロヘキシルオキ
シ基、ｎ−ヘプチルオキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、
２−エチルヘキシルオキシ基、ｎ−ノニルオキシ基、ｎ
−デシルオキシ基、ｎ−ドデシルオキシ基、ｎ−テトラ
デシルオキシ基、ｎ−ヘキサデシルオキシ基など）；

【０００９】あるいは炭素数４〜１６の置換または未置
換のアリール基（例えば、フェニル基、２−メチルフェ
ニル基、３−メチルフェニル基、４−メチルフェニル
基、４−エチルフェニル基、４−ｎ−プロピルフェニル
基、４−イソプロピルフェニル基、４−ｎ−ブチルフェ
ニル基、４−tert−ブチルフェニル基、４−イソペンチ
ルフェニル基、４−tert−ペンチルフェニル基、４−ｎ
−ヘキシルフェニル基、４−シクロヘキシルフェニル
基、４−ｎ−オクチルフェニル基、４−ｎ−デシルフェ
ニル基、２，３−ジメチルフェニル基、２，４−ジメチ
ルフェニル基、２，５−ジメチルフェニル基、３，４−
ジメチルフェニル基、５−インダニル基、１，２，３，
４−テトラヒドロ−５−ナフチル基、１，２，３，４−
テトラヒドロ−６−ナフチル基、２−メトキシフェニル
基、３−メトキシフェニル基、４−メトキシフェニル
基、３−エトキシフェニル基、４−エトキシフェニル
基、４−ｎ−プロポキシフェニル基、４−イソプロポキ
シフェニル基、４−ｎ−ブトキシフェニル基、４−ｎ−
ペンチルオキシフェニル基、４−ｎ−ヘキシルオキシフ
ェニル基、４−シクロヘキシルオキシフェニル基、４−
ｎ−ヘプチルオキシフェニル基、４−ｎ−オクチルオキ
シフェニル基、４−ｎ−デシルオキシフェニル基、２，
３−ジメトキシフェニル基、２，５−ジメトキシフェニ
ル基、３，４−ジメトキシフェニル基、２−メトキシ−
５−メチルフェニル基、３−メチル−４−メトキシフェ
ニル基、２−フルオロフェニル基、３−フルオロフェニ
ル基、４−フルオロフェニル基、２−クロロフェニル
基、３−クロロフェニル基、４−クロロフェニル基、４
−ブロモフェニル基、４−トリフルオロメチルフェニル
基、３，４−ジクロロフェニル基、２−メチル−４−ク
ロロフェニル基、２−クロロ−４−メチルフェニル基、
３−クロロ−４−メチルフェニル基、２−クロロ−４−
メトキシフェニル基、４−フェニルフェニル基、３−フ
ェニルフェニル基、４−（４’−メチルフェニル）フェ
ニル基、４−（４’−メトキシフェニル）フェニル基、
１−ナフチル基、２−ナフチル基、４−エトキシ−１−
ナフチル基、６−メトキシ−２−ナフチル基、７−エト
キシ−２−ナフチル基、２−フリル基、２−チエニル
基、３−チエニル基、２−ピリジル基、３−ピリジル
基、４−ピリジル基など）であり、より好ましくは、水
素原子、フッ素原子、塩素原子、炭素数１〜１０のアル
キル基、炭素数１〜１０のアルコキシ基または炭素数６
〜１０のアリール基であり、さらに好ましくは、水素原
子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコ
キシ基または炭素数６〜１０の炭素環式芳香族基であ
る。

【００１０】本発明に係る化合物Ａとしては、一般式
（１）において、Ｘ₉ およびＸ₁₆が炭素数１〜６のアル
キル基または炭素数６〜１０のアリール基である化合物
がより好ましく、Ｘ₉ およびＸ₁₆が炭素数１〜６のアル
キル基または炭素数６〜１０のアリール基であり、その
他が水素原子である化合物は特に好ましい。本発明に係
る化合物Ａの具体例としては、例えば、以下の化合物を
挙げることができるが、本発明はこれらに限定されるも
のではない。 ・例示化合物 番号 １． アセナフト[1, 2-b]トリフェニレン ２． ９−エチルアセナフト[1, 2-b]トリフェニレン ３． １２−メチルアセナフト[1, 2-b]トリフェニレン ４． １１−ｎ−ペンチルアセナフト[1, 2-b]トリフェニレン ５． ３−メトキシアセナフト[1, 2-b]トリフェニレン ６． １０−ｎ−ブトキシアセナフト[1, 2-b]トリフェニレン ７． ３−クロロアセナフト[1, 2-b]トリフェニレン ８． ９−フェニルアセナフト[1, 2-b]トリフェニレン ９． １１−フェニルアセナフト[1, 2-b]トリフェニレン １０． ９，１６−ジメチルアセナフト[1, 2-b]トリフェニレン

【００１１】 １１． ９，１６−ジエチルアセナフト[1, 2-b]トリフェニレン １２． ９，１６−ジ−ｎ−ブチルアセナフト[1, 2-b]トリフェニレン １３． ９，１６−ジ−ｎ−ヘキシルアセナフト[1, 2-b]トリフェニレン １４． ９，１６−ジ−ｎ−ドデシルアセナフト[1, 2-b]トリフェニレン １５． ９，１６−ジフェニルアセナフト[1, 2-b]トリフェニレン １６． ９，１６−ジ（３’−メチルフェニル）アセナフト[1, 2-b]トリフェ ニレン １７． ９，１６−ジ（４’−メチルフェニル）アセナフト[1, 2-b]トリフェ ニレン １８． ９，１６−ジ（４’−エチルフェニル）アセナフト[1, 2-b]トリフェ ニレン １９． ９，１６−ジ（４’−イソプロピルフェニル）アセナフト[1, 2-b]ト リフェニレン ２０． ９，１６−ジ（４’−tert−ブチルフェニル）アセナフト[1, 2-b]ト リフェニレン ２１． ９，１６−ジ（４’−シクロヘキシルフェニル）アセナフト[1, 2-b] トリフェニレン ２２． ９，１６−ジ（４’−ｎ−デシルフェニル）アセナフト[1, 2-b]トリ フェニレン ２３． ９，１６−ジ（３’，４’−ジメチルフェニル）アセナフト[1, 2-b] トリフェニレン ２４． ９，１６−ジ（４’−メトキシフェニル）アセナフト[1, 2-b]トリフ ェニレン ２５． ９，１６−ジ（４’−エトキシフェニル）アセナフト[1, 2-b]トリフ ェニレン

【００１２】 ２６． ９，１６−ジ（４’−ｎ−ブトキシフェニル）アセナフト[1, 2-b]ト リフェニレン ２７． ９，１６−ジ（４’−ｎ−ヘキシルオキシフェニル）アセナフト[1, 2-b]トリフェニレン ２８． ９，１６−ジ（４’−フルオロフェニル）アセナフト[1, 2-b]トリフ ェニレン ２９． ９，１６−ジ（４’−クロロフェニル）アセナフト[1, 2-b]トリフェ ニレン ３０． ９，１６−ジ（４’−トリフルオロメチルフェニル）アセナフト[1, 2-b]トリフェニレン ３１． ９，１６−ジ（２’−ナフチル）アセナフト[1, 2-b]トリフェニレン ３２． ９−フェニル−１６−（３’−メチルフェニル）アセナフト[1, 2-b] トリフェニレン ３３． ９−フェニル−１６−（４’−メトキシフェニル）アセナフト[1, 2- b]トリフェニレン ３４． ３−メトキシ−９，１６−ジフェニルアセナフト[1, 2-b]トリフェニ レン ３５． ３−クロロ−９，１６−ジフェニルアセナフト[1, 2-b]トリフェニレ ン ３６． １１−メチル−９，１６−ジフェニルアセナフト[1, 2-b]トリフェニ レン ３７． １２−エトキシ−９，１６−ジフェニルアセナフト[1, 2-b]トリフェ ニレン ３８． ９，１６−ジ（２’−フリル）アセナフト[1, 2-b]トリフェニレン ３９． ９，１６−ジ（２’−チエニル）アセナフト[1, 2-b]トリフェニレン ４０． ９，１６−ジ（３’−ピリジル）アセナフト[1, 2-b]トリフェニレン 本発明に係る化合物Ａは、其自体公知の方法に従って製
造することができる。例えば、Indian J. Chem. Sect.
B, 22B 、225 (1983)に記載の方法に従って製造するこ
とができる。すなわち、例えば、９，１６−ジ置換アセ
ナフト[1, 2-b]トリフェニレン誘導体は、例えば、１，
３−ジ置換シクロペンタ[l] フェナントレン−２−オン
誘導体〔例えば、Chem. Rev., 65、261 (1965)、J. Ame
r. Chem. Soc., 109、4660 (1987) に製造方法が記載さ
れている〕と１−クロロアセナフチレン誘導体を反応
後、脱一酸化炭素化することにより製造することができ
る。

【００１３】有機電界発光素子は、通常、一対の電極間
に、少なくとも１種の発光成分を含有する発光層を少な
くとも一層挟持してなるものである。発光層に使用する
化合物の正孔注入および正孔輸送、電子注入および電子
輸送の各機能レベルを考慮し、所望に応じて、正孔注入
輸送成分を含有する正孔注入輸送層または／および電子
注入輸送成分を含有する電子注入輸送層を設けることも
できる。例えば、発光層に使用する化合物の正孔注入機
能、正孔輸送機能または／および電子注入機能、電子輸
送機能が良好な場合には、発光層が正孔注入輸送層また
は／および電子注入輸送層を兼ねた型の素子の構成とす
ることができる。勿論、場合によっては、正孔注入輸送
層および電子注入輸送層の両方の層を設けない型の素子
（一層型の素子）の構成とすることもできる。また、正
孔注入輸送層、電子注入輸送層および発光層のそれぞれ
の層は、一層構造であっても多層構造であってもよく、
正孔注入輸送層および電子注入輸送層は、それぞれの層
において、注入機能を有する層と輸送機能を有する層を
別々に設けて構成することもできる。

【００１４】本発明の有機電界発光素子において、本発
明に係る化合物Ａは、正孔注入輸送成分、発光成分また
は電子注入輸送成分に用いることが好ましく、正孔注入
輸送成分または発光成分に用いることがより好ましく、
発光成分に用いることが特に好ましい。本発明の有機電
界発光素子においては、本発明に係る化合物Ａは、単独
で使用してもよく、あるいは複数併用してもよい。

【００１５】本発明の有機電界発光素子の構成として
は、特に限定するものではなく、例えば、（Ａ）陽極／
正孔注入輸送層／発光層／電子注入輸送層／陰極型素子
（図１）、（Ｂ）陽極／正孔注入輸送層／発光層／陰極
型素子（図２）、（Ｃ）陽極／発光層／電子注入輸送層
／陰極型素子（図３）、（Ｄ）陽極／発光層／陰極型素
子（図４）などを挙げることができる。さらには、発光
層を電子注入輸送層で挟み込んだ型の素子である（Ｅ）
陽極／正孔注入輸送層／電子注入輸送層／発光層／電子
注入輸送層／陰極型素子（図５）とすることもできる。
（Ｄ）型の素子構成としては、発光成分を一層形態で一
対の電極間に挟持させた型の素子は勿論であるが、さら
には、例えば、（Ｆ）正孔注入輸送成分、発光成分およ
び電子注入輸送成分を混合させた一層形態で一対の電極
間に挟持させた型の素子（図６）、（Ｇ）正孔注入輸送
成分および発光成分を混合させた一層形態で一対の電極
間に挟持させた型の素子（図７）、または（Ｈ）発光成
分および電子注入輸送成分を混合させた一層形態で一対
の電極間に挟持させた型の素子（図８）がある。

【００１６】本発明の有機電界発光素子は、これらの素
子構成に限るものではなく、それぞれの型の素子におい
て、正孔注入輸送層、発光層、電子注入輸送層を複数層
設けたりすることができる。また、それぞれの型の素子
において、正孔注入輸送層と発光層との間に、正孔注入
輸送成分と発光成分の混合層または／および発光層と電
子注入輸送層との間に、発光成分と電子注入輸送成分の
混合層を設けることもできる。より好ましい有機電界発
光素子の構成は、（Ａ）型素子、（Ｂ）型素子、（Ｃ）
型素子、（Ｅ）型素子、（Ｆ）型素子、（Ｇ）型素子ま
たは（Ｈ）型素子であり、さらに好ましくは、（Ａ）型
素子、（Ｂ）型素子、（Ｃ）型素子、（Ｆ）型素子また
は（Ｈ）型素子である。

【００１７】本発明の有機電界発光素子としては、例え
ば、（図１）に示す（Ａ）陽極／正孔注入輸送層／発光
層／電子注入輸送層／陰極型素子について説明する。
（図１）において、１は基板、２は陽極、３は正孔注入
輸送層、４は発光層、５は電子注入輸送層、６は陰極、
７は電源を示す。

【００１８】本発明の有機電界発光素子は、基板１に支
持されていることが好ましく、基板としては、特に限定
するものではないが、透明ないし半透明であることが好
ましく、例えば、ガラス板、透明プラスチックシート
（例えば、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリスル
フォン、ポリメチルメタアクリレート、ポリプロピレ
ン、ポリエチレンなどのシート）、半透明プラスチック
シート、石英、透明セラミックスあるいはこれらを組み
合わせた複合シートからなるものを挙げることができ
る。さらに、基板に、例えば、カラーフィルター膜、色
変換膜、誘電体反射膜を組み合わせて、発光色をコント
ロールすることもできる。

【００１９】陽極２としては、比較的仕事関数の大きい
金属、合金または電気電導性化合物を電極物質として使
用することが好ましい。陽極に使用する電極物質として
は、例えば、金、白金、銀、銅、コバルト、ニッケル、
パラジウム、バナジウム、タングステン、酸化錫、酸化
亜鉛、ＩＴＯ（インジウム・ティン・オキサイド）、ポ
リチオフェン、ポリピロールなどを挙げることができ
る。これらの電極物質は、単独で使用してもよく、ある
いは複数併用してもよい。陽極は、これらの電極物質
を、例えば、蒸着法、スパッタリング法等の方法によ
り、基板の上に形成することができる。また、陽極は一
層構造であってもよく、あるいは多層構造であってもよ
い。陽極のシート電気抵抗は、好ましくは、数百Ω／□
以下、より好ましくは、５〜５０Ω／□程度に設定す
る。陽極の厚みは、使用する電極物質の材料にもよる
が、一般に、５〜１０００ｎｍ程度、より好ましくは、
１０〜５００ｎｍ程度に設定する。

【００２０】正孔注入輸送層３は、陽極からの正孔（ホ
ール）の注入を容易にする機能、および注入された正孔
を輸送する機能を有する化合物を含有する層である。正
孔注入輸送層は、本発明に係る化合物Ａおよび／または
他の正孔注入輸送機能を有する化合物（例えば、フタロ
シアニン誘導体、トリアリールメタン誘導体、トリアリ
ールアミン誘導体、オキサゾール誘導体、ヒドラゾン誘
導体、スチルベン誘導体、ピラゾリン誘導体、ポリシラ
ン誘導体、ポリフェニレンビニレンおよびその誘導体、
ポリチオフェンおよびその誘導体、ポリ−Ｎ−ビニルカ
ルバゾール誘導体など）を少なくとも１種用いて形成す
ることができる。尚、正孔注入輸送機能を有する化合物
は、単独で使用してもよく、あるいは複数併用してもよ
い。

【００２１】本発明において用いる他の正孔注入輸送機
能を有する化合物としては、トリアリールアミン誘導体
（例えば、４，４’−ビス〔Ｎ−フェニル−Ｎ−（４”
−メチルフェニル）アミノ〕ビフェニル、４，４’−ビ
ス〔Ｎ−フェニル−Ｎ−（３”−メチルフェニル）アミ
ノ〕ビフェニル、４，４’−ビス〔Ｎ−フェニル−Ｎ−
（３”−メトキシフェニル）アミノ〕ビフェニル、４，
４’−ビス〔Ｎ−フェニル−Ｎ−（１”−ナフチル）ア
ミノ〕ビフェニル、３，３’−ジメチル−４，４’−ビ
ス〔Ｎ−フェニル−Ｎ−（３”−メチルフェニル）アミ
ノ〕ビフェニル、１，１−ビス〔４’−[ Ｎ，Ｎ−ジ
（４”−メチルフェニル）アミノ] フェニル〕シクロヘ
キサン、９，１０−ビス〔Ｎ−（４’−メチルフェニ
ル）−Ｎ−（４”−ｎ−ブチルフェニル）アミノ〕フェ
ナントレン、３，８−ビス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミ
ノ）−６−フェニルフェナントリジン、４−メチル−
Ｎ，Ｎ−ビス〔４”，４"'−ビス[ Ｎ’，Ｎ’−ジ（４
−メチルフェニル）アミノ] ビフェニル−４−イル〕ア
ニリン、Ｎ，Ｎ’−ビス〔４−（ジフェニルアミノ）フ
ェニル〕−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−１，３−ジアミノベ
ンゼン、Ｎ，Ｎ’−ビス〔４−（ジフェニルアミノ）フ
ェニル〕−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−１，４−ジアミノベ
ンゼン、５，５”−ビス〔４−（ビス[ ４−メチルフェ
ニル] アミノ）フェニル〕−２，２’：５’，２”−タ
ーチオフェン、１，３，５−トリス（ジフェニルアミ
ノ）ベンゼン、４，４’，４”−トリス（Ｎ−カルバゾ
リル）トリフェニルアミン、４，４’，４”−トリス
〔Ｎ−（３"'−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミ
ノ〕トリフェニルアミン、１，３，５−トリス〔Ｎ−
（４−ジフェニルアミノフェニル）フェニルアミノ〕ベ
ンゼンなど）、ポリチオフェンおよびその誘導体、ポリ
−Ｎ−ビニルカルバゾール誘導体がより好ましい。本発
明に係る化合物Ａと他の正孔注入輸送機能を有する化合
物を併用する場合、正孔注入輸送層中に占める本発明に
係る化合物Ａの割合は、好ましくは、０．１〜４０重量
％程度に調製する。

【００２２】発光層４は、正孔および電子の注入機能、
それらの輸送機能、正孔と電子の再結合により励起子を
生成させる機能を有する化合物を含有する層である。発
光層は、本発明に係る化合物Ａおよび／または他の発光
機能を有する蛍光性化合物（例えば、アクリドン誘導
体、キナクリドン誘導体、多環芳香族化合物〔例えば、
ルブレン、アントラセン、テトラセン、ピレン、ペリレ
ン、クリセン、デカシクレン、コロネン、テトラフェニ
ルシクロペンタジエン、ペンタフェニルシクロペンタジ
エン、９，１０−ジフェニルアントラセン、９，１０−
ビス（フェニルエチニル）アントラセン、１，４−ビス
（９’−エチニルアントラセニル）ベンゼン、４，４’
−ビス（９”−エチニルアントラセニル）ビフェニ
ル〕、トリアリールアミン誘導体〔例えば、正孔注入輸
送機能を有する化合物として前述した化合物を挙げるこ
とができる〕、有機金属錯体〔例えば、トリス（８−キ
ノリノラート）アルミニウム、ビス（１０−ベンゾ[h]
キノリノラート）ベリリウム、２−（２’−ヒドロキシ
フェニル）ベンゾオキサゾールの亜鉛塩、２−（２’−
ヒドロキシフェニル）ベンゾチアゾールの亜鉛塩、４−
ヒドロキシアクリジンの亜鉛塩〕、スチルベン誘導体
〔例えば、１，１，４，４−テトラフェニル−１，３−
ブタジエン、４，４’−ビス（２，２−ジフェニルビニ
ル）ビフェニル〕、クマリン誘導体〔例えば、クマリン
１、クマリン６、クマリン７、クマリン３０、クマリン
１０６、クマリン１３８、クマリン１５１、クマリン１
５２、クマリン１５３、クマリン３０７、クマリン３１
１、クマリン３１４、クマリン３３４、クマリン３３
８、クマリン３４３、クマリン５００〕、ピラン誘導体
〔例えば、ＤＣＭ１、ＤＣＭ２〕、オキサゾン誘導体
〔例えば、ナイルレッド〕、ベンゾチアゾール誘導体、
ベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導
体、ピラジン誘導体、ケイ皮酸エステル誘導体、ポリ−
Ｎ−ビニルカルバゾールおよびその誘導体、ポリチオフ
ェンおよびその誘導体、ポリフェニレンおよびその誘導
体、ポリフルオレンおよびその誘導体、ポリフェニレン
ビニレンおよびその誘導体、ポリビフェニレンビニレン
およびその誘導体、ポリターフェニレンビニレンおよび
その誘導体、ポリナフチレンビニレンおよびその誘導
体、ポリチエニレンビニレンおよびその誘導体など）を
少なくとも１種用いて形成することができる。

【００２３】本発明の有機電界発光素子においては、発
光層に本発明に係る化合物Ａを含有していることが好ま
しい。本発明に係る化合物Ａと他の発光機能を有する化
合物を併用する場合、発光層中に占める本発明に係る化
合物Ａの割合は、好ましくは、０．００１〜９９．９９
９重量％程度、より好ましくは、０．０１〜９９．９９
重量％程度、さらに好ましくは、０．１〜９９．９重量
％程度に調製する。

【００２４】本発明において用いる他の発光機能を有す
る化合物としては、発光性有機金属錯体がより好まし
い。例えば、J. Appl. Phys., 65、3610 (1989) 、特開
平５−２１４３３２号公報に記載のように、発光層をホ
スト化合物とゲスト化合物（ドーパント）とより構成す
ることもできる。本発明に係る化合物Ａを、ホスト化合
物として用いて発光層を形成することができ、さらに
は、ゲスト化合物として用いて発光層を形成することも
できる。本発明に係る化合物Ａを、ゲスト化合物として
用いて発光層を形成する場合、ホスト化合物としては、
発光性有機金属錯体が好ましい。この場合、発光性有機
金属錯体に対して、本発明に係る化合物Ａを、好ましく
は、０．００１〜４０重量％程度、より好ましくは、
０．０１〜３０重量％程度、特に好ましくは、０．１〜
１０重量％程度使用する。

【００２５】本発明に係る化合物Ａと併用する発光性有
機金属錯体としては、特に限定されるものではないが、
発光性有機アルミニウム錯体が好ましく、置換または未
置換の８−キノリノラート配位子を有する発光性有機ア
ルミニウム錯体がより好ましい。好ましい発光性有機金
属錯体としては、例えば、一般式（ａ）〜一般式（ｃ）
で表される発光性有機アルミニウム錯体を挙げることが
できる。 （Ｑ )₃ −Ａｌ （ａ） （式中、Ｑは置換または未置換の８−キノリノラート配
位子を表す） （Ｑ )₂ −Ａｌ−Ｏ−Ｌ （ｂ） （式中、Ｑは置換８−キノリノラート配位子を表し、Ｏ
−Ｌはフェノラート配位子であり、Ｌはフェニル部分を
含む炭素数６〜２４の炭化水素基を表す） （Ｑ )₂ −Ａｌ−Ｏ−Ａｌ−（Ｑ )₂ （ｃ） （式中、Ｑは置換８−キノリノラート配位子を表す）

【００２６】発光性有機金属錯体の具体例としては、例
えば、トリス（８−キノリノラート）アルミニウム、ト
リス（４−メチル−８−キノリノラート）アルミニウ
ム、トリス（５−メチル−８−キノリノラート）アルミ
ニウム、トリス（３，４−ジメチル−８−キノリノラー
ト）アルミニウム、トリス（４，５−ジメチル−８−キ
ノリノラート）アルミニウム、トリス（４，６−ジメチ
ル−８−キノリノラート）アルミニウム、ビス（２−メ
チル−８−キノリノラート）（フェノラート）アルミニ
ウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（２−
メチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル
−８−キノリノラート）（３−メチルフェノラート）ア
ルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）
（４−メチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−
メチル−８−キノリノラート）（２−フェニルフェノラ
ート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノ
ラート）（３−フェニルフェノラート）アルミニウム、

【００２７】ビス（２−メチル−８−キノリノラート）
（４−フェニルフェノラート）アルミニウム、ビス（２
−メチル−８−キノリノラート）（２，３−ジメチルフ
ェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キ
ノリノラート）（２，６−ジメチルフェノラート）アル
ミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）
（３，４−ジメチルフェノラート）アルミニウム、ビス
（２−メチル−８−キノリノラート）（３，５−ジメチ
ルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８
−キノリノラート）（３，５−ジ−tert−ブチルフェノ
ラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリ
ノラート）（２，６−ジフェニルフェノラート）アルミ
ニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）
（２，４，６−トリフェニルフェノラート）アルミニウ
ム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（２，
４，６−トリメチルフェノラート）アルミニウム、ビス
（２−メチル−８−キノリノラート）（２，４，５，６
−テトラメチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２
−メチル−８−キノリノラート）（１−ナフトラート）
アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラー
ト）（２−ナフトラート）アルミニウム、ビス（２，４
−ジメチル−８−キノリノラート）（２−フェニルフェ
ノラート）アルミニウム、ビス（２，４−ジメチル−８
−キノリノラート）（３−フェニルフェノラート）アル
ミニウム、ビス（２，４−ジメチル−８−キノリノラー
ト）（４−フェニルフェノラート）アルミニウム、ビス
（２，４−ジメチル−８−キノリノラート）（３，５−
ジメチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２，４−
ジメチル−８−キノリノラート）（３，５−ジ−tert−
ブチルフェノラート）アルミニウム、

【００２８】ビス（２−メチル−８−キノリノラート）
アルミニウム−μ−オキソ−ビス（２−メチル−８−キ
ノリノラート）アルミニウム、ビス（２，４−ジメチル
−８−キノリノラート）アルミニウム−μ−オキソ−ビ
ス（２，４−ジメチル−８−キノリノラート）アルミニ
ウム、ビス（２−メチル−４−エチル−８−キノリノラ
ート）アルミニウム−μ−オキソ−ビス（２−メチル−
４−エチル−８−キノリノラート）アルミニウム、ビス
（２−メチル−４−メトキシ−８−キノリノラート）ア
ルミニウム−μ−オキソ−ビス（２−メチル−４−メト
キシ−８−キノリノラート）アルミニウム、ビス（２−
メチル−５−シアノ−８−キノリノラート）アルミニウ
ム−μ−オキソ−ビス（２−メチル−５−シアノ−８−
キノリノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−５
−トリフルオロメチル−８−キノリノラート）アルミニ
ウム−μ−オキソ−ビス（２−メチル−５−トリフルオ
ロメチル−８−キノリノラート）アルミニウムなどを挙
げることができる。勿論、発光性有機金属錯体は、単独
で使用してもよく、あるいは複数併用してもよい。

【００２９】電子注入輸送層５は、陰極からの電子の注
入を容易にする機能、そして注入された電子を輸送する
機能を有する化合物を含有する層である。電子注入輸送
層は、本発明に係る化合物Ａおよび／または他の電子注
入輸送機能を有する化合物（例えば、有機金属錯体〔例
えば、トリス（８−キノリノラート）アルミニウム、ビ
ス（１０−ベンゾ[h] キノリノラート）ベリリウム〕、
オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、トリア
ジン誘導体、ペリレン誘導体、キノリン誘導体、キノキ
サリン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、ニトロ置換フ
ルオレノン誘導体、チオピランジオキサイド誘導体な
ど）を少なくとも１種用いて形成することができる。本
発明に係る化合物Ａと他の電子注入輸送機能を有する化
合物を併用する場合、電子注入輸送層中に占める本発明
に係る化合物Ａの割合は、好ましくは、０．１〜４０重
量％程度に調製する。本発明においては、本発明に係る
化合物Ａと有機金属錯体〔例えば、前記一般式（ａ）〜
一般式（ｃ）で表される化合物〕を併用して、電子注入
輸送層を形成することは好ましい。

【００３０】陰極６としては、比較的仕事関数の小さい
金属、合金または電気電導性化合物を電極物質として使
用することが好ましい。陰極に使用する電極物質として
は、例えば、リチウム、リチウム−インジウム合金、ナ
トリウム、ナトリウム−カリウム合金、カルシウム、マ
グネシウム、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−イ
ンジウム合金、インジウム、ルテニウム、チタニウム、
マンガン、イットリウム、アルミニウム、アルミニウム
−リチウム合金、アルミニウム−カルシウム合金、アル
ミニウム−マグネシウム合金、グラファイト薄膜等を挙
げることができる。これらの電極物質は、単独で使用し
てもよく、あるいは複数併用してもよい。

【００３１】陰極は、これらの電極物質を、例えば、蒸
着法、スパッタリング法、イオン化蒸着法、イオンプレ
ーティング法、クラスターイオンビーム法等の方法によ
り、電子注入輸送層の上に形成することができる。ま
た、陰極は一層構造であってもよく、あるいは多層構造
であってもよい。尚、陰極のシート電気抵抗は、数百Ω
／□以下に設定するのが好ましい。陰極の厚みは、使用
する電極物質の材料にもよるが、一般に、５〜１０００
ｎｍ程度、より好ましくは、１０〜５００ｎｍ程度に設
定する。尚、有機電界発光素子の発光を効率よく取り出
すために、陽極または陰極の少なくとも一方の電極が、
透明ないし半透明であることが好ましく、一般に、発光
光の透過率が７０％以上となるように陽極の材料、厚み
を設定することがより好ましい。

【００３２】また、本発明の有機電界発光素子において
は、その少なくとも一層中に、一重項酸素クエンチャー
が含有されていてもよい。一重項酸素クエンチャーとし
ては、特に限定するものではなく、例えば、ルブレン、
ニッケル錯体、ジフェニルイソベンゾフランなどが挙げ
られ、特に好ましくは、ルブレンである。一重項酸素ク
エンチャーが含有されている層としては、特に限定する
ものではないが、好ましくは、発光層または正孔注入輸
送層であり、より好ましくは、正孔注入輸送層である。
尚、例えば、正孔注入輸送層に一重項酸素クエンチャー
を含有させる場合、正孔注入輸送層中に均一に含有させ
てもよく、正孔注入輸送層と隣接する層（例えば、発光
層、発光機能を有する電子注入輸送層）の近傍に含有さ
せてもよい。一重項酸素クエンチャーの含有量として
は、含有される層（例えば、正孔注入輸送層）を構成す
る全体量の０．０１〜５０重量％、好ましくは、０．０
５〜３０重量％、より好ましくは、０．１〜２０重量％
である。

【００３３】正孔注入輸送層、発光層、電子注入輸送層
の形成方法に関しては、特に限定するものではなく、例
えば、真空蒸着法、イオン化蒸着法、溶液塗布法（例え
ば、スピンコート法、キャスト法、ディップコート法、
バーコート法、ロールコート法、ラングミュア・ブロゼ
ット法など）により薄膜を形成することにより作製する
ことができる。真空蒸着法により、各層を形成する場
合、真空蒸着の条件は、特に限定するものではないが、
１０^-5 Torr 程度以下の真空下で、５０〜４００℃程度
のボート温度（蒸着源温度）、−５０〜３００℃程度の
基板温度で、０．００５〜５０ｎｍ／sec 程度の蒸着速
度で実施することが好ましい。この場合、正孔注入輸送
層、発光層、電子注入輸送層等の各層は、真空下で、連
続して形成することにより、諸特性に一層優れた有機電
界発光素子を製造することができる。真空蒸着法によ
り、正孔注入輸送層、発光層、電子注入輸送層等の各層
を、複数の化合物を用いて形成する場合、化合物を入れ
た各ボートを個別に温度制御して、共蒸着することが好
ましい。

【００３４】溶液塗布法により、各層を形成する場合、
各層を形成する成分あるいはその成分とバインダー樹脂
等を、溶媒に溶解、または分散させて塗布液とする。正
孔注入輸送層、発光層、電子注入輸送層の各層に使用し
うるバインダー樹脂としては、例えば、ポリ−Ｎ−ビニ
ルカルバゾール、ポリアリレート、ポリスチレン、ポリ
エステル、ポリシロキサン、ポリメチルアクリレート、
ポリメチルメタアクリレート、ポリエーテル、ポリカー
ボネート、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミ
ド、ポリパラキシレン、ポリエチレン、ポリフェニレン
オキサイド、ポリエーテルスルフォン、ポリアニリンお
よびその誘導体、ポリチオフェンおよびその誘導体、ポ
リフェニレンビニレンおよびその誘導体、ポリフルオレ
ンおよびその誘導体、ポリチエニレンビニレンおよびそ
の誘導体等の高分子化合物が挙げられる。バインダー樹
脂は、単独で使用してもよく、あるいは複数併用しても
よい。

【００３５】溶液塗布法により、各層を形成する場合、
各層を形成する成分あるいはその成分とバインダー樹脂
等を、適当な有機溶媒（例えば、ヘキサン、オクタン、
デカン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、１−メ
チルナフタレン等の炭化水素系溶媒、例えば、アセト
ン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シ
クロヘキサノン等のケトン系溶媒、例えば、ジクロロメ
タン、クロロホルム、テトラクロロメタン、ジクロロエ
タン、トリクロロエタン、テトラクロロエタン、クロロ
ベンゼン、ジクロロベンゼン、クロロトルエン等のハロ
ゲン化炭化水素系溶媒、例えば、酢酸エチル、酢酸ブチ
ル、酢酸アミル等のエステル系溶媒、例えば、メタノー
ル、プロパノール、ブタノール、ペンタノール、ヘキサ
ノール、シクロヘキサノール、メチルセロソルブ、エチ
ルセロソルブ、エチレングリコール等のアルコール系溶
媒、例えば、ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン、
ジオキサン、アニソール等のエーテル系溶媒、例えば、
Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセ
トアミド、１−メチル−２−ピロリドン、１，３−ジメ
チル−２−イミダゾリジノン、ジメチルスルフォキサイ
ド等の極性溶媒）および／または水に溶解、または分散
させて塗布液とし、各種の塗布法により、薄膜を形成す
ることができる。

【００３６】尚、分散する方法としては、特に限定する
ものではないが、例えば、ボールミル、サンドミル、ペ
イントシェーカー、アトライター、ホモジナイザー等を
用いて微粒子状に分散することができる。塗布液の濃度
に関しては、特に限定するものではなく、実施する塗布
法により、所望の厚みを作製するに適した濃度範囲に設
定することができ、一般には、０．１〜５０重量％程
度、好ましくは、１〜３０重量％程度の溶液濃度であ
る。尚、バインダー樹脂を使用する場合、その使用量に
関しては、特に限定するものではないが、一般には、各
層を形成する成分に対して（一層型の素子を形成する場
合には、各成分の総量に対して）、５〜９９．９重量％
程度、好ましくは、１０〜９９重量％程度、より好まし
くは、１５〜９０重量％程度に設定する。

【００３７】正孔注入輸送層、発光層、電子注入輸送層
の膜厚に関しては、特に限定するものではないが、一般
に、５ｎｍ〜５μｍ程度に設定することが好ましい。
尚、作製した素子に対し、酸素や水分等との接触を防止
する目的で、保護層（封止層）を設けたり、また素子
を、例えば、パラフィン、流動パラフィン、シリコンオ
イル、フルオロカーボン油、ゼオライト含有フルオロカ
ーボン油などの不活性物質中に封入して保護することが
できる。保護層に使用する材料としては、例えば、有機
高分子材料（例えば、フッ素化樹脂、エポキシ樹脂、シ
リコーン樹脂、エポキシシリコーン樹脂、ポリスチレ
ン、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリアミド、ポ
リイミド、ポリアミドイミド、ポリパラキシレン、ポリ
エチレン、ポリフェニレンオキサイド）、無機材料（例
えば、ダイヤモンド薄膜、アモルファスシリカ、電気絶
縁性ガラス、金属酸化物、金属窒化物、金属炭素化物、
金属硫化物）、さらには光硬化性樹脂などを挙げること
ができ、保護層に使用する材料は、単独で使用してもよ
く、あるいは複数併用してもよい。保護層は、一層構造
であってもよく、また多層構造であってもよい。

【００３８】また、電極に保護膜として、例えば、金属
酸化膜（例えば、酸化アルミニウム膜）、金属フッ化膜
を設けることもできる。また、例えば、陽極の表面に、
例えば、有機リン化合物、ポリシラン、芳香族アミン誘
導体、フタロシアニン誘導体から成る界面層（中間層）
を設けることもできる。さらに、電極、例えば、陽極は
その表面を、例えば、酸、アンモニア／過酸化水素、あ
るいはプラズマで処理して使用することもできる。

【００３９】本発明の有機電界発光素子は、一般に、直
流駆動型の素子として使用されるが、パルス駆動型また
は交流駆動型の素子としても使用することができる。
尚、印加電圧は、一般に、２〜３０Ｖ程度である。本発
明の有機電界発光素子は、例えば、パネル型光源、各種
の発光素子、各種の表示素子、各種の標識、各種のセン
サーなどに使用することができる。

【００４０】

【実施例】以下、実施例により本発明をさらに詳細に説
明するが、勿論、本発明はこれらに限定されるものでは
ない。 実施例１ 厚さ２００ｎｍのＩＴＯ透明電極（陽極）を有するガラ
ス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超
音波洗浄した。その基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さ
らにＵＶ／オゾン洗浄した後、蒸着装置の基板ホルダー
に固定した後、蒸着槽を３×１０^-6 Torr に減圧した。
まず、ＩＴＯ透明電極上に、４，４’−ビス〔Ｎ−フェ
ニル−Ｎ−（３”−メチルフェニル）アミノ〕ビフェニ
ルを、蒸着速度０．２ｎｍ／sec で７５ｎｍの厚さに蒸
着し、正孔注入輸送層とした。次いで、その上に、ビス
（２−メチル−８−キノリノラート）（４−フェニルフ
ェノラート）アルミニウムと９，１６−ジエチルアセナ
フト[1,2-b] トリフェニレン（例示化合物番号１１の化
合物）を、異なる蒸着源から、蒸着速度０．２ｎｍ／se
c で５０ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１００：０．５）
し、発光層とした。次に、トリス（８−キノリノラー
ト）アルミニウムを、蒸着速度０．２ｎｍ／sec で５０
ｎｍの厚さに蒸着し、電子注入輸送層とした。さらにそ
の上に、マグネシウムと銀を、蒸着速度０．２ｎｍ／se
c で２００ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１０：１）して
陰極とし、有機電界発光素子を作製した。尚、蒸着は、
蒸着槽の減圧状態を保ったまま実施した。作製した有機
電界発光素子に、乾燥雰囲気下、１２Ｖの直流電圧を印
加したところ、５５ｍＡ／ｃｍ² の電流が流れた。輝度
２２５０ｃｄ／ｍ² の青色の発光が確認された。

【００４１】実施例２〜１０ 実施例１において、発光層の形成に際して、例示化合物
番号１１の化合物を使用する代わりに、例示化合物番号
１５の化合物（実施例２）、例示化合物番号１７の化合
物（実施例３）、例示化合物番号２３の化合物（実施例
４）、例示化合物番号２５の化合物（実施例５）、例示
化合物番号２９の化合物（実施例６）、例示化合物番号
３０の化合物（実施例７）、例示化合物番号３２の化合
物（実施例８）、例示化合物番号３４の化合物（実施例
９）、例示化合物番号３６の化合物（実施例１０）を使
用した以外は、実施例１に記載の方法により有機電界発
光素子を作製した。それぞれの素子に、乾燥雰囲気下、
１２Ｖの直流電圧を印加したところ、青色の発光が確認
された。さらにその特性を調べ、結果を第１表（表１）
に示した。

【００４２】比較例１ 実施例１において、発光層の形成に際して、例示化合物
番号１１の化合物を使用せずに、ビス（２−メチル−８
−キノリノラート）（４−フェニルフェノラート）アル
ミニウムだけを用いて、５０ｎｍの厚さに蒸着し、発光
層とした以外は、実施例１に記載の方法により有機電界
発光素子を作製した。この素子に、乾燥雰囲気下、１２
Ｖの直流電圧を印加したところ、青色の発光が確認され
た。さらにその特性を調べ、結果を第１表に示した。

【００４３】比較例２ 実施例１において、発光層の形成に際して、例示化合物
番号１１の化合物を使用する代わりに、Ｎ−メチル−２
−メトキシアクリドンを使用した以外は、実施例１に記
載の方法により有機電界発光素子を作製した。この素子
に、乾燥雰囲気下、１２Ｖの直流電圧を印加したとこ
ろ、青色の発光が確認された。さらにその特性を調べ、
結果を第１表に示した。

【００４４】

【表１】

【００４５】実施例１１ 厚さ２００ｎｍのＩＴＯ透明電極（陽極）を有するガラ
ス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超
音波洗浄した。その基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さ
らにＵＶ／オゾン洗浄した後、蒸着装置の基板ホルダー
に固定した後、蒸着槽を３×１０^-6 Torr に減圧した。
まず、ＩＴＯ透明電極上に、４，４’−ビス〔Ｎ−フェ
ニル−Ｎ−（３”−メチルフェニル）アミノ〕ビフェニ
ルを、蒸着速度０．２ｎｍ／sec で７５ｎｍの厚さに蒸
着し、正孔注入輸送層とした。次いで、その上に、ビス
（２−メチル−８−キノリノラート）（２−フェニルフ
ェノラート）アルミニウムと例示化合物番号１２の化合
物を、異なる蒸着源から、蒸着速度０．２ｎｍ／sec で
５０ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１００：１．０）し、
発光層とした。次に、トリス（８−キノリノラート）ア
ルミニウムを、蒸着速度０．２ｎｍ／sec で５０ｎｍの
厚さに蒸着し、電子注入輸送層とした。さらにその上
に、マグネシウムと銀を、蒸着速度０．２ｎｍ／sec で
２００ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１０：１）して陰極
とし、有機電界発光素子を作製した。尚、蒸着は、蒸着
槽の減圧状態を保ったまま実施した。作製した有機電界
発光素子に、乾燥雰囲気下、１２Ｖの直流電圧を印加し
たところ、５８ｍＡ／ｃｍ² の電流が流れた。輝度２２
７０ｃｄ／ｍ² の青色の発光が確認された。

【００４６】実施例１２ 厚さ２００ｎｍのＩＴＯ透明電極（陽極）を有するガラ
ス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超
音波洗浄した。その基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さ
らにＵＶ／オゾン洗浄した後、蒸着装置の基板ホルダー
に固定した後、蒸着槽を３×１０^-6 Torr に減圧した。
まず、ＩＴＯ透明電極に、４，４’−ビス〔Ｎ−フェニ
ル−Ｎ−（３”−メチルフェニル）アミノ〕ビフェニル
を、蒸着速度０．２ｎｍ／sec で７５ｎｍの厚さに蒸着
し、正孔注入輸送層とした。次いで、その上に、ビス
（２−メチル−８−キノリノラート）アルミニウム−μ
−オキソ−ビス（２−メチル−８−キノリノラート）ア
ルミニウムと例示化合物番号１８の化合物を、異なる蒸
着源から、蒸着速度０．２ｎｍ／sec で５０ｎｍの厚さ
に共蒸着（重量比１００：２．０）し、発光層とした。
次に、トリス（８−キノリノラート）アルミニウムを、
蒸着速度０．２ｎｍ／sec で５０ｎｍの厚さに蒸着し、
電子注入輸送層とした。さらにその上に、マグネシウム
と銀を、蒸着速度０．２ｎｍ／sec で２００ｎｍの厚さ
に共蒸着（重量比１０：１）して陰極とし、有機電界発
光素子を作製した。尚、蒸着は、蒸着槽の減圧状態を保
ったまま実施した。作製した有機電界発光素子に、乾燥
雰囲気下、１２Ｖの直流電圧を印加したところ、５７ｍ
Ａ／ｃｍ² の電流が流れた。輝度２２４０ｃｄ／ｍ² の
青色の発光が確認された。

【００４７】実施例１３ 厚さ２００ｎｍのＩＴＯ透明電極（陽極）を有するガラ
ス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超
音波洗浄した。その基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さ
らにＵＶ／オゾン洗浄した後、蒸着装置の基板ホルダー
に固定した後、蒸着槽を３×１０^-6 Torr に減圧した。
まず、ＩＴＯ透明電極上に、４，４’−ビス〔Ｎ−フェ
ニル−Ｎ−（３”−メチルフェニル）アミノ〕ビフェニ
ルを、蒸着速度０．２ｎｍ／sec で７５ｎｍの厚さに蒸
着し、正孔注入輸送層とした。次いで、その上に、ビス
（２，４−ジメチル−８−キノリノラート）アルミニウ
ム−μ−オキソ−ビス（２，４−ジメチル−８−キノリ
ノラート）アルミニウムと例示化合物番号２４の化合物
を、異なる蒸着源から、蒸着速度０．２ｎｍ／sec で５
０ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１００：４．０）し、発
光層とした。次に、トリス（８−キノリノラート）アル
ミニウムを、蒸着速度０．２ｎｍ／sec で５０ｎｍの厚
さに蒸着し、電子注入輸送層とした。さらにその上に、
マグネシウムと銀を、蒸着速度０．２ｎｍ／sec で２０
０ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１０：１）して陰極と
し、有機電界発光素子を作製した。尚、蒸着は、蒸着槽
の減圧状態を保ったまま実施した。作製した有機電界発
光素子に、乾燥雰囲気下、１２Ｖの直流電圧を印加した
ところ、６０ｍＡ／ｃｍ² の電流が流れた。輝度２１８
０ｃｄ／ｍ² の青色の発光が確認された。

【００４８】実施例１４ 厚さ２００ｎｍのＩＴＯ透明電極（陽極）を有するガラ
ス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超
音波洗浄した。その基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さ
らにＵＶ／オゾン洗浄した後、蒸着装置の基板ホルダー
に固定した後、蒸着槽を３×１０^-6 Torr に減圧した。
まず、ＩＴＯ透明電極上に、４，４’−ビス〔Ｎ−フェ
ニル−Ｎ−（３”−メチルフェニル）アミノ〕ビフェニ
ルを、蒸着速度０．２ｎｍ／sec で７５ｎｍの厚さに蒸
着し、正孔注入輸送層とした。次いで、その上に、トリ
ス（８−キノリノラート）アルミニウムと例示化合物番
号３１の化合物を、異なる蒸着源から、蒸着速度０．２
ｎｍ／sec で５０ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１００：
１．０）し、電子注入輸送層を兼ねた発光層とした。さ
らにその上に、マグネシウムと銀を、蒸着速度０．２ｎ
ｍ／sec で２００ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１０：
１）して陰極とし、有機電界発光素子を作製した。尚、
蒸着は、蒸着槽の減圧状態を保ったまま実施した。作製
した有機電界発光素子に、乾燥雰囲気下、１２Ｖの直流
電圧を印加したところ、５８ｍＡ／ｃｍ² の電流が流れ
た。輝度２１７０ｃｄ／ｍ² の青緑色の発光が確認され
た。

【００４９】実施例１５ 厚さ２００ｎｍのＩＴＯ透明電極（陽極）を有するガラ
ス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超
音波洗浄した。その基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さ
らにＵＶ／オゾン洗浄した後、蒸着装置の基板ホルダー
に固定した後、蒸着槽を３×１０^-6 Torr に減圧した。
まず、ＩＴＯ透明電極上に、４，４’−ビス〔Ｎ−フェ
ニル−Ｎ−（３”−メチルフェニル）アミノ〕ビフェニ
ルを、蒸着速度０．２ｎｍ／sec で７５ｎｍの厚さに蒸
着し、正孔注入輸送層とした。次いで、その上に、例示
化合物番号１５の化合物を、蒸着速度０．２ｎｍ／sec
で５０ｎｍの厚さに蒸着し、発光層とした。次いで、そ
の上に、１，３−ビス〔５’−（ｐ−tert−ブチルフェ
ニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２’−イル〕
ベンゼンを、蒸着速度０．２ｎｍ／sec で５０ｎｍの厚
さに蒸着し、電子注入輸送層とした。さらにその上に、
マグネシウムと銀を、蒸着速度０．２ｎｍ／sec で２０
０ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１０：１）して陰極と
し、有機電界発光素子を作製した。尚、蒸着は、蒸着槽
の減圧状態を保ったまま実施した。作製した有機電界発
光素子に、乾燥雰囲気下、１４Ｖの直流電圧を印加した
ところ、４８ｍＡ／ｃｍ² の電流が流れた。輝度１８４
０ｃｄ／ｍ² の青色の発光が確認された。

【００５０】実施例１６ 厚さ２００ｎｍのＩＴＯ透明電極（陽極）を有するガラ
ス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超
音波洗浄した。その基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さ
らにＵＶ／オゾン洗浄した後、蒸着装置の基板ホルダー
に固定した後、蒸着槽を３×１０^-6 Torr に減圧した。
まず、ＩＴＯ透明電極上に、例示化合物番号１６の化合
物を、蒸着速度０．２ｎｍ／sec で５５ｎｍの厚さに蒸
着し、発光層とした。次いで、その上に、１，３−ビス
〔５’−（ｐ−tert−ブチルフェニル）−１，３，４−
オキサジアゾール−２’−イル〕ベンゼンを、蒸着速度
０．２ｎｍ／sec で７５ｎｍの厚さに蒸着し、電子注入
輸送層とした。さらにその上に、マグネシウムと銀を、
蒸着速度０．２ｎｍ／sec で２００ｎｍの厚さに共蒸着
（重量比１０：１）して陰極とし、有機電界発光素子を
作製した。尚、蒸着は、蒸着槽の減圧状態を保ったまま
実施した。作製した有機電界発光素子に、乾燥雰囲気
下、１５Ｖの直流電圧を印加したところ、６８ｍＡ／ｃ
ｍ² の電流が流れた。輝度１２５０ｃｄ／ｍ² の青色の
発光が確認された。

【００５１】実施例１７ 厚さ２００ｎｍのＩＴＯ透明電極（陽極）を有するガラ
ス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超
音波洗浄した。その基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さ
らにＵＶ／オゾン洗浄した。次に、ＩＴＯ透明電極上
に、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール（重量平均分子量１
５００００）、例示化合物２６の化合物、クマリン
６〔”３−（２’−ベンゾチアゾリル）−７−ジエチル
アミノクマリン”（緑色の発光成分）〕およびＤＣＭ１
〔”４−（ジシアノメチレン）−２−メチル−６−
（４’−ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピラン”
（オレンジ色の発光成分）〕を、それぞれ重量比１０
０：５：３：２の割合で含有する３重量％ジクロロエタ
ン溶液を用いて、ディップコート法により、４００ｎｍ
の発光層を形成した。次に、この発光層を有するガラス
基板を、蒸着装置の基板ホルダーに固定した後、蒸着槽
を３×１０^-6 Torr に減圧した。さらに、発光層の上
に、３−（４’−tert−ブチルフェニル）−４−フェニ
ル−−５−（４”−ビフェニル）−１，２，４−トリア
ゾールを、蒸着速度０．２ｎｍ／sec で２０ｎｍの厚さ
に蒸着した後、さらにその上に、トリス（８−キノリノ
ラート）アルミニウムを、蒸着速度０．２ｎｍ／sec で
３０ｎｍの厚さに蒸着し電子注入輸送層とした。さらに
その上に、マグネシウムと銀を、蒸着速度０．２ｎｍ／
sec で２００ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１０：１）し
て陰極とし、有機電界発光素子を作製した。尚、蒸着
は、蒸着槽の減圧状態を保ったまま実施した。作製した
有機電界発光素子に、乾燥雰囲気下、１２Ｖの直流電圧
を印加したところ、７４ｍＡ／ｃｍ² の電流が流れた。
輝度１２２０ｃｄ／ｍ² の白色の発光が確認された。

【００５２】実施例１８ 厚さ２００ｎｍのＩＴＯ透明電極（陽極）を有するガラ
ス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超
音波洗浄した。その基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さ
らにＵＶ／オゾン洗浄した。次に、ＩＴＯ透明電極上
に、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール（重量平均分子量１
５００００）、１，３−ビス〔５’−（ｐ−tert−ブチ
ルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２’−
イル〕ベンゼンおよび例示化合物番号１９の化合物を、
それぞれ重量比１００：３０：３の割合で含有する３重
量％ジクロロエタン溶液を用いて、ディップコート法に
より、３００ｎｍの発光層を形成した。次に、この発光
層を有するガラス基板を、蒸着装置の基板ホルダーに固
定した後、蒸着槽を３×１０^-6 Torr に減圧した。さら
に、発光層の上に、マグネシウムと銀を、蒸着速度０．
２ｎｍ／sec で２００ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１
０：１）して陰極とし、有機電界発光素子を作製した。
作製した有機電界発光素子に、乾燥雰囲気下、１５Ｖの
直流電圧を印加したところ、７６ｍＡ／ｃｍ² の電流が
流れた。輝度１３８０ｃｄ／ｍ² の青色の発光が確認さ
れた。

【００５３】比較例３ 実施例１８において、発光層の形成に際して、例示化合
物番号１９の化合物の代わりに、１，１，４，４−テト
ラフェニル−１，３−ブタジエンを使用した以外は、実
施例１８に記載の方法により有機電界発光素子を作製し
た。作製した有機電界素子に、乾燥雰囲気下、１５Ｖの
直流電圧を印加したところ、８６ｍＡ／ｃｍ² の電流が
流れた。輝度６８０ｃｄ／ｍ² の青色の発光が確認され
た。

【００５４】実施例１９ 厚さ２００ｎｍのＩＴＯ透明電極（陽極）を有するガラ
ス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超
音波洗浄した。その基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さ
らにＵＶ／オゾン洗浄した。次に、ＩＴＯ透明電極上
に、ポリカーボネート（重量平均分子量５００００）、
４，４’−ビス〔Ｎ−フェニル−Ｎ−（３”−メチルフ
ェニル）アミノ〕ビフェニル、ビス（２−メチル−８−
キノリノラート）アルミニウム−μ−オキソ−ビス（２
−メチル−８−キノリノラート）アルミニウムおよび例
示化合物番号２１の化合物を、それぞれ重量比１００：
４０：６０：１の割合で含有する３重量％ジクロロエタ
ン溶液を用いて、ディップコート法により、３００ｎｍ
の発光層を形成した。次に、この発光層を有するガラス
基板を、蒸着装置の基板ホルダーに固定した後、蒸着槽
を３×１０^-6 Torr に減圧した。さらに、発光層の上
に、マグネシウムと銀を、蒸着速度０．２ｎｍ／sec で
２００ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１０：１）して陰極
とし、有機電界発光素子を作製した。作製した有機電界
発光素子に、乾燥雰囲気下、１５Ｖの直流電圧を印加し
たところ、６６ｍＡ／ｃｍ² の電流が流れた。輝度７７
０ｃｄ／ｍ² の青色の発光が確認された。

【００５５】

【発明の効果】本発明により、発光輝度が優れた有機電
界発光素子を提供することが可能になった。

【図面の簡単な説明】

【図１】有機電界発光素子の一例（Ａ）の概略構造図で
ある。

【図２】有機電界発光素子の一例（Ｂ）の概略構造図で
ある。

【図３】有機電界発光素子の一例（Ｃ）の概略構造図で
ある。

【図４】有機電界発光素子の一例（Ｄ）の概略構造図で
ある。

【図５】有機電界発光素子の一例（Ｅ）の概略構造図で
ある。

【図６】有機電界発光素子の一例（Ｆ）の概略構造図で
ある。

【図７】有機電界発光素子の一例（Ｇ）の概略構造図で
ある。

【図８】有機電界発光素子の一例（Ｈ）の概略構造図で
ある。

【符号の説明】

１：基板 ２：陽極 ３：正孔注入輸送層 ３ａ：正孔注入輸送成分 ４：発光層 ４ａ：発光成分 ５：電子注入輸送層 ５”：電子注入輸送層 ５ａ：電子注入輸送成分 ６：陰極 ７：電源

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一対の電極間に、アセナフト[1, 2-b]ト
   リフェニレン誘導体を少なくとも１種含有する層を少な
   くとも一層挟持してなる有機電界発光素子。
2. 【請求項２】 アセナフト[1, 2-b]トリフェニレン誘導
   体を含有する層が、発光層である請求項１記載の有機電
   界発光素子。
3. 【請求項３】 アセナフト[1, 2-b]トリフェニレン誘導
   体を含有する層が、さらに発光性有機金属錯体を含有し
   ていることを特徴とする請求項１または２記載の有機電
   界発光素子。
4. 【請求項４】 一対の電極間に、さらに、正孔注入輸送
   層を有する請求項１〜３のいずれかに記載の有機電界発
   光素子。
5. 【請求項５】 一対の電極間に、さらに、電子注入輸送
   層を有する請求項１〜４のいずれかに記載の有機電界発
   光素子。
6. 【請求項６】 アセナフト[1, 2-b]トリフェニレン誘導
   体が、一般式（１）（化１）で表される化合物である請
   求項１〜５のいずれかに記載の有機電界発光素子。 【化１】 （式中、Ｘ₁ 〜Ｘ₁₆は水素原子、ハロゲン原子、直鎖、
   分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状の
   アルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基
   を表す）