JPH11144873A - 有機電界発光素子 - Google Patents
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Abstract
る化合物を少なくとも1種含有する層を少なくとも一層
挟持してなる有機電界発光素子。 〔式中、X1 は置換または未置換のN−カルバゾイル
基、N−フェノキサジイル基、あるいはN−フェノチア
ジイル基を表し、X2 は置換または未置換のN−カルバ
ゾイル基、N−フェノキサジイル基、N−フェノチアジ
イル基、あるいは−NAr1 Ar2 を表し(但し、Ar
1 およびAr2 は置換または未置換のアリール基を表
す)、R1 およびR2 は水素原子、直鎖、分岐または環
状のアルキル基、置換または未置換のアラルキル基、あ
るいはアリール基を表し、Z1 およびZ 2 は水素原子、
ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、ア
ルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を
表す〕 【効果】 発光寿命が長く、耐久性に優れた有機電界発
光素子を提供する。
Description
に関する。
ックライトなどのパネル型光源として使用されてきた
が、該発光素子を駆動させるには、交流の高電圧が必要
である。最近になり、発光材料に有機材料を用いた有機
電界発光素子(有機エレクトロルミネッセンス素子:有
機EL素子)が開発された〔Appl. Phys. Lett., 51 、
913 (1987)〕。有機電界発光素子は、蛍光性有機化合物
を含む薄膜を、陽極と陰極間に挟持された構造を有し、
該薄膜に電子および正孔(ホール)を注入して、再結合
させることにより励起子(エキシトン)を生成させ、こ
の励起子が失活する際に放出される光を利用して発光す
る素子である。有機電界発光素子は、数V〜数十V程度
の直流の低電圧で、発光が可能であり、また蛍光性有機
化合物の種類を選択することにより、種々の色(例え
ば、赤色、青色、緑色)の発光が可能である。このよう
な特徴を有する有機電界発光素子は、種々の発光素子、
表示素子等への応用が期待されている。しかしながら、
一般に、有機電界発光素子は、安定性、耐久性に乏しい
などの難点がある。
〔N−フェニル−N−(3”−メチルフェニル)アミ
ノ〕ビフェニルを用いることが提案されている〔Jpn.
J. Appl. Phys., 27 、L269 (1988) 〕。また、正孔注
入輸送材料として、例えば、9,9−ジアルキル−2,
7−ビス(N,N−ジフェニルアミノ)フルオレン誘導
体〔例えば、9,9−ジメチル−2,7−ビス(N,N
−ジフェニルアミノ)フルオレン〕を用いることが提案
されている(特開平5−25473号公報)。しかしな
がら、これらの有機電界発光素子も、安定性、耐久性に
乏しいなどの難点がある。現在では、一層改良された有
機電界発光素子が望まれている。
性、耐久性の改良された有機電界発光素子を提供するこ
とである。
発光素子に関して鋭意検討した結果、本発明を完成する
に至った。すなわち、本発明は、 一対の電極間に、一般式(1)(化2)で表される化
合物を少なくとも1種含有する層を少なくとも一層挟持
してなる有機電界発光素子、
基、置換または未置換のN−フェノキサジイル基、ある
いは置換または未置換のN−フェノチアジイル基を表
し、X2 は置換または未置換のN−カルバゾイル基、置
換または未置換のN−フェノキサジイル基、置換または
未置換のN−フェノチアジイル基、あるいは−NAr1
Ar2 を表し(但し、Ar1 およびAr2 は置換または
未置換のアリール基を表す)、R1 およびR2 は水素原
子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、置換または未
置換のアリール基、あるいは置換または未置換のアラル
キル基を表し、Z1 およびZ2 は水素原子、ハロゲン原
子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐ま
たは環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換の
アリール基を表す〕 一般式(1)で表される化合物を含有する層が、正孔
注入輸送層である記載の有機電界発光素子、 一般式(1)で表される化合物を含有する層が、発光
層である前記記載の有機電界発光素子、 一対の電極間に、さらに、発光層を有する前記また
は記載の有機電界発光素子、 一対の電極間に、さらに、電子注入輸送層を有する前
記〜のいずれかに記載の有機電界発光素子、に関す
るものである。
する。本発明の有機電界発光素子は、一対の電極間に、
一般式(1)(化3)で表される化合物を少なくとも1
種含有する層を少なくとも一層挟持してなるものであ
る。
基、置換または未置換のN−フェノキサジイル基、ある
いは置換または未置換のN−フェノチアジイル基を表
し、X2 は置換または未置換のN−カルバゾイル基、置
換または未置換のN−フェノキサジイル基、置換または
未置換のN−フェノチアジイル基、あるいは−NAr1
Ar2 を表し(但し、Ar1 およびAr2 は置換または
未置換のアリール基を表す)、R1 およびR2 は水素原
子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、置換または未
置換のアリール基、あるいは置換または未置換のアラル
キル基を表し、Z1 およびZ2 は水素原子、ハロゲン原
子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐ま
たは環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換の
アリール基を表す〕
X1 は置換または未置換のN−カルバゾイル基、置換ま
たは未置換のN−フェノキサジイル基、あるいは置換ま
たは未置換のN−フェノチアジイル基を表し、好ましく
は、未置換、もしくは、置換基として、例えば、ハロゲ
ン原子、炭素数1〜10のアルキル基、炭素数1〜10
のアルコキシ基、あるいは炭素数6〜10のアリール基
で単置換または多置換されていてもよいN−カルバゾイ
ル基、N−フェノキサジイル基、あるいはN−フェノチ
アジイル基であり、より好ましくは、未置換、もしく
は、ハロゲン原子、炭素数1〜4のアルキル基、炭素数
1〜4のアルコキシ基、あるいは炭素数6〜10のアリ
ール基で単置換あるいは多置換されていてもよいN−カ
ルバゾイル基N−フェノキサジイル基、あるいはN−フ
ェノチアジイル基であり、更に好ましくは、未置換のN
−カルバゾイル基、未置換のN−フェノキサジイル基、
あるいは未置換のN−フェノチアジイル基である。
ル基、置換または未置換のN−フェノキサジイル基、あ
るいは置換または未置換のN−フェノチアジイル基の具
体例としては、例えば、N−カルバゾイル基、2−メチ
ル−N−カルバゾイル基、3−メチル−N−カルバゾイ
ル基、4−メチル−N−カルバゾイル基、3−n−ブチ
ル−N−カルバゾイル基、3−n−ヘキシル−N−カル
バゾイル基、3−n−オクチル−N−カルバゾイル基、
3−n−デシル−N−カルバゾイル基、3,6−ジメチ
ル−N−カルバゾイル基、2−メトキシ−N−カルバゾ
イル基、3−メトキシ−N−カルバゾイル基、3−エト
キシ−N−カルバゾイル基、3−イソプロポキシ−N−
カルバゾイル基、3−n−ブトキシ−N−カルバゾイル
基、3−n−オクチルオキシ−N−カルバゾイル基、3
−n−デシルオキシ−N−カルバゾイル基、3−フェニ
ル−N−カルバゾイル基、3−(4’−メチルフェニ
ル)−N−カルバゾイル基、3−クロロ−N−カルバゾ
イル基、N−フェノキサジイル基、N−フェノチアジイ
ル基、2−メチル−N−フェノチアジイル基などを挙げ
ることができる。一般式(1)で表される化合物におい
て、X2 は置換または未置換のN−カルバゾイル基、置
換または未置換のN−フェノキサジイル基、置換または
未置換のN−フェノチアジイル基、あるいは−NAr1
Ar2 (但し、Ar1 およびAr 2 は置換または未置換
のアリール基を表す)を表す。
ル基、置換または未置換のN−フェノキサジイル基、置
換または未置換のN−フェノチアジイル基の具体例とし
ては、例えば、X1 の具体例として挙げた置換または未
置換のN−カルバゾイル基、置換または未置換のN−フ
ェノキサジイル基、置換または未置換のN−フェノチア
ジイル基を例示することができる。
Ar2 は置換または未置換のアリール基を表す。尚、ア
リール基とは、例えば、フェニル基、ナフチル基、アン
トリル基などの炭素環式芳香族基、例えば、フリル基、
チエニル基、ピリジル基などの複素環式芳香族基を表
す。Ar1 およびAr2 は、好ましくは、未置換、もし
くは、置換基として、例えば、ハロゲン原子、アルキル
基、アルコキシ基、あるいはアリール基で単置換または
多置換されていてもよい総炭素数6〜20の炭素環式芳
香族基または総炭素数3〜20の複素環式芳香族基であ
り、より好ましくは、未置換、もしくは、ハロゲン原
子、炭素数1〜14のアルキル基、炭素数1〜14のア
ルコキシ基、あるいは炭素数6〜10のアリール基で単
置換または多置換されていてもよい総炭素数6〜20の
炭素環式芳香族基であり、更に好ましくは、未置換、も
しくは、ハロゲン原子、炭素数1〜4のアルキル基、炭
素数1〜4のアルコキシ基、あるいは炭素数6〜10の
アリール基で単置換あるいは多置換されていてもよい総
炭素数6〜16の炭素環式芳香族基である。
えば、フェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基、
2−アントリル基、9−アントリル基、4−キノリル
基、4−ピリジル基、3−ピリジル基、2−ピリジル
基、3−フリル基、2−フリル基、3−チエニル基、2
−チエニル基、2−オキサゾリル基、2−チアゾリル
基、2−ベンゾオキサゾリル基、2−ベンゾチアゾリル
基、2−ベンゾイミダゾリル基、4−メチルフェニル
基、3−メチルフェニル基、2−メチルフェニル基、4
−エチルフェニル基、3−エチルフェニル基、2−エチ
ルフェニル基、4−n−プロピルフェニル基、4−イソ
プロピルフェニル基、2−イソプロピルフェニル基、4
−n−ブチルフェニル基、4−イソブチルフェニル基、
4−sec −ブチルフェニル基、2−sec −ブチルフェニ
ル基、4−tert−ブチルフェニル基、3−tert−ブチル
フェニル基、2−tert−ブチルフェニル基、4−n−ペ
ンチルフェニル基、4−イソペンチルフェニル基、2−
ネオペンチルフェニル基、4−tert−ペンチルフェニル
基、4−n−ヘキシルフェニル基、4−(2’−エチル
ブチル)フェニル基、4−n−ヘプチルフェニル基、4
−n−オクチルフェニル基、4−(2’−エチルヘキシ
ル)フェニル基、4−tert−オクチルフェニル基、4−
n−デシルフェニル基、4−n−ドデシルフェニル基、
4−n−テトラデシルフェニル基、4−シクロペンチル
フェニル基、4−シクロヘキシルフェニル基、4−
(4’−メチルシクロヘキシル)フェニル基、4−
(4’−tert−ブチルシクロヘキシル)フェニル基、3
−シクロヘキシルフェニル基、2−シクロヘキシルフェ
ニル基、4−エチル−1−ナフチル基、6−n−ブチル
−2−ナフチル基、2,4−ジメチルフェニル基、2,
5−ジメチルフェニル基、3,4−ジメチルフェニル
基、3,5−ジメチルフェニル基、2,6−ジメチルフ
ェニル基、2,4−ジエチルフェニル基、2,3,5−
トリメチルフェニル基、2,3,6−トリメチルフェニ
ル基、3,4,5−トリメチルフェニル基、2,6−ジ
エチルフェニル基、2,5−ジイソプロピルフェニル
基、2,6−ジイソブチルフェニル基、2,4−ジ−te
rt−ブチルフェニル基、2,5−ジ−tert−ブチルフェ
ニル基、4,6−ジ−tert−ブチル−2−メチルフェニ
ル基、5−tert−ブチル−2−メチルフェニル基、4−
tert−ブチル−2,6−ジメチルフェニル基、
ェニル基、2−メトキシフェニル基、4−エトキシフェ
ニル基、3−エトキシフェニル基、2−エトキシフェニ
ル基、4−n−プロポキシフェニル基、3−n−プロポ
キシフェニル基、4−イソプロポキシフェニル基、2−
イソプロポキシフェニル基、4−n−ブトキシフェニル
基、4−イソブトキシフェニル基、2−sec −ブトキシ
フェニル基、4−n−ペンチルオキシフェニル基、4−
イソペンチルオキシフェニル基、2−イソペンチルオキ
シフェニル基、4−ネオペンチルオキシフェニル基、2
−ネオペンチルオキシフェニル基、4−n−ヘキシルオ
キシフェニル基、2−(2’−エチルブチル)オキシフ
ェニル基、4−n−オクチルオキシフェニル基、4−n
−デシルオキシフェニル基、4−n−ドデシルオキシフ
ェニル基、4−n−テトラデシルオキシフェニル基、4
−シクロヘキシルオキシフェニル基、2−シクロヘキシ
ルオキシフェニル基、2−メトキシ−1−ナフチル基、
4−メトキシ−1−ナフチル基、4−n−ブトキシ−1
−ナフチル基、5−エトキシ−1−ナフチル基、6−メ
トキシ−2−ナフチル基、6−エトキシ−2−ナフチル
基、6−n−ブトキシ−2−ナフチル基、6−n−ヘキ
シルオキシ−2−ナフチル基、7−メトキシ−2−ナフ
チル基、7−n−ブトキシ−2−ナフチル基、2−メチ
ル−4−メトキシフェニル基、2−メチル−5−メトキ
シフェニル基、3−メチル−5−メトキシフェニル基、
3−エチル−5−メトキシフェニル基、2−メトキシ−
4−メチルフェニル基、3−メトキシ−4−メチルフェ
ニル基、2,4−ジメトキシフェニル基、2,5−ジメ
トキシフェニル基、2,6−ジメトキシフェニル基、
3,4−ジメトキシフェニル基、3,5−ジメトキシフ
ェニル基、3,5−ジエトキシフェニル基、3,5−ジ
−n−ブトキシフェニル基、2−メトキシ−4−エトキ
シフェニル基、2−メトキシ−6−エトキシフェニル
基、3,4,5−トリメトキシフェニル基、4−フェニ
ルフェニル基、3−フェニルフェニル基、2−フェニル
フェニル基、4−(4’−メチルフェニル)フェニル
基、4−(3’−メチルフェニル)フェニル基、4−
(4’−メトキシフェニル)フェニル基、4−(4’−
n−ブトキシフェニル)フェニル基、2−(2’−メト
キシフェニル)フェニル基、4−(4’−クロロフェニ
ル)フェニル基、3−メチル−4−フェニルフェニル
基、3−メトキシ−4−フェニルフェニル基、
ェニル基、2−フルオロフェニル基、4−クロロフェニ
ル基、3−クロロフェニル基、2−クロロフェニル基、
4−ブロモフェニル基、2−ブロモフェニル基、4−ク
ロロ−1−ナフチル基、4−クロロ−2−ナフチル基、
6−ブロモ−2−ナフチル基、2,3−ジフルオロフェ
ニル基、2,4−ジフルオロフェニル基、2,5−ジフ
ルオロフェニル基、2,6−ジフルオロフェニル基、
3,4−ジフルオロフェニル基、3,5−ジフルオロフ
ェニル基、2,3−ジクロロフェニル基、2,4−ジク
ロロフェニル基、2,5−ジクロロフェニル基、3,4
−ジクロロフェニル基、3,5−ジクロロフェニル基、
2,5−ジブロモフェニル基、2,4,6−トリクロロ
フェニル基、2,4−ジクロロ−1−ナフチル基、1,
6−ジクロロ−2−ナフチル基、2−フルオロ−4−メ
チルフェニル基、2−フルオロ−5−メチルフェニル
基、3−フルオロ−2−メチルフェニル基、3−フルオ
ロ−4−メチルフェニル基、2−メチル−4−フルオロ
フェニル基、2−メチル−5−フルオロフェニル基、3
−メチル−4−フルオロフェニル基、2−クロロ−4−
メチルフェニル基、2−クロロ−5−メチルフェニル
基、2−クロロ−6−メチルフェニル基、2−メチル−
3−クロロフェニル基、2−メチル−4−クロロフェニ
ル基、3−メチル−4−クロロフェニル基、2−クロロ
−4,6−ジメチルフェニル基、2−メトキシ−4−フ
ルオロフェニル基、2−フルオロ−4−メトキシフェニ
ル基、2−フルオロ−4−エトキシフェニル基、2−フ
ルオロ−6−メトキシフェニル基、3−フルオロ−4−
エトキシフェニル基、3−クロロ−4−メトキシフェニ
ル基、2−メトキシ−5−クロロフェニル基、3−メト
キシ−6−クロロフェニル基、5−クロロ−2,4−ジ
メトキシフェニル基などを挙げることができるが、これ
らに限定されるものではない。
R1 およびR2 は水素原子、直鎖、分岐または環状のア
ルキル基、置換または未置換のアリール基、あるいは置
換または未置換のアラルキル基を表し、好ましくは、水
素原子、炭素数1〜16の直鎖、分岐または環状のアル
キル基、炭素数4〜16の置換または未置換のアリール
基、あるいは炭素数5〜16の置換または未置換のアラ
ルキル基を表し、より好ましくは、水素原子、炭素数1
〜8の直鎖、分岐または環状のアルキル基、炭素数6〜
12の置換または未置換のアリール基、あるいは炭素数
7〜12の置換または未置換のアラルキル基を表す。更
に好ましくは、R1 およびR2 は炭素数1〜8の直鎖、
分岐または環状のアルキル基、炭素数6〜10の炭素環
式芳香族基、あるいは炭素数7〜10の炭素環式アラル
キル基を表す。
アリール基の具体例としては、例えば、Ar1 およびA
r2 の具体例として挙げた置換または未置換のアリール
基を例示することができる。R1 およびR2 の直鎖、分
岐または環状のアルキル基の具体例としては、例えば、
メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル
基、n−ブチル基、イソブチル基、sec −ブチル基、te
rt−ブチル基、n−ペンチル基、イソペンチル基、ネオ
ペンチル基、tert−ペンチル基、シクロペンチル基、n
−ヘキシル基、2−エチルブチル基、3,3−ジメチル
ブチル基、シクロヘキシル基、n−ヘプチル基、シクロ
ヘキシルメチル基、n−オクチル基、tert−オクチル
基、2−エチルヘキシル基、n−ノニル基、n−デシル
基、n−ドデシル基、n−テトラデシル基、n−ヘキサ
デシル基などを挙げることができるが、これらに限定さ
れるものではない。
のアラルキル基の具体例としては、例えば、ベンジル
基、フェネチル基、α−メチルベンジル基、α,α−ジ
メチルベンジル基、1−ナフチルメチル基、2−ナフチ
ルメチル基、フルフリル基、2−メチルベンジル基、3
−メチルベンジル基、4−メチルベンジル基、4−エチ
ルベンジル基、4−イソプロピルベンジル基、4−tert
−ブチルベンジル基、4−n−ヘキシルベンジル基、4
−ノニルベンジル基、3,4−ジメチルベンジル基、3
−メトキシベンジル基、4−メトキシベンジル基、4−
エトキシベンジル基、4−n−ブトキシベンジル基、4
−n−ヘキシルオキシベンジル基、4−ノニルオキシベ
ンジル基、4−フルオロベンジル基、3−フルオロベン
ジル基、2−クロロベンジル基、4−クロロベンジル基
などのアラルキル基などを挙げることができるが、これ
らに限定されるものではない。
子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐ま
たは環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換の
アリール基を表し、好ましくは、水素原子、ハロゲン原
子、炭素数1〜16の直鎖、分岐または環状のアルキル
基、炭素数1〜16の直鎖、分岐または環状のアルコキ
シ基、あるいは炭素数4〜20の置換または未置換のア
リール基を表し、より好ましくは、水素原子、ハロゲン
原子、炭素数1〜8の直鎖、分岐または環状のアルキル
基、炭素数1〜8の直鎖、分岐または環状のアルコキシ
基、あるいは炭素数6〜12の置換または未置換のアリ
ール基を表し、更に好ましくは、水素原子である。
状のアルキル基の具体例としては、例えば、R1 および
R2 の具体例として挙げた直鎖、分岐または環状のアル
キル基を例示することができる。また、Z1 およびZ2
の置換または未置換のアリール基の具体例としては、例
えば、Ar1 およびAr2 の具体例として挙げた置換ま
たは未置換のアリール基を例示することができる。
岐または環状のアルコキシ基の具体例としては、例え
ば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子などのハロゲン原
子、例えば、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ
基、イソプロポキシ基、n−ブトキシ基、イソブトキシ
基、sec −ブトキシ基、n−ペンチルオキシ基、イソペ
ンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、シクロペンチ
ルオキシ基、n−ヘキシルオキシ基、2−エチルブトキ
シ基、3,3−ジメチルブトキシ基、シクロヘキシルオ
キシ基、n−ヘプチルオキシ基、シクロヘキシルメチル
オキシ基、n−オクチルオキシ基、2−エチルヘキシル
オキシ基、n−ノニルオキシ基、n−デシルオキシ基、
n−ドデシルオキシ基、n−テトラデシルオキシ基、n
−ヘキサデシルオキシ基などのアルコキシ基を挙げるこ
とができる。
物の具体例としては、例えば、以下の化合物を挙げるこ
とができるが、本発明はこれらに限定されるものではな
い。 ・例示化合物 番号 1. 7−(N’−カルバゾイル)−N,N−ジフェニル−9H−フルオレ ン−2−アミン 2. 7−(N’−カルバゾイル)−N−フェニル−N−(4’−メチルフ ェニル)−9−メチル−9H−フルオレン−2−アミン 3. 7−(N’−カルバゾイル)−N,N−ジフェニル−9,9−ジメチ ル−9H−フルオレン−2−アミン 4. 7−(N’−カルバゾイル)−N−フェニル−N−(3’−メチルフ ェニル)−9,9−ジメチル−9H−フルオレン−2−アミン 5. 7−(N’−カルバゾイル)−N−フェニル−N−(4’−メチルフ ェニル)−9,9−ジメチル−9H−フルオレン−2−アミン 6. 7−(N’−カルバゾイル)−N−フェニル−N−(4’−エチルフ ェニル)−9,9−ジメチル−9H−フルオレン−2−アミン 7. 7−(N’−カルバゾイル)−N−フェニル−N−(4’−tert−ブ チルフェニル)−9,9−ジメチル−9H−フルオレン−2−アミン 8. 7−(N’−カルバゾイル)−N−フェニル−N−(3’,4’−ジ メチルフェニル)−9,9−ジメチル−9H−フルオレン−2−アミ ン 9. 7−(N’−カルバゾイル)−N−フェニル−N−(3’,5’−ジ メチルフェニル)−9,9−ジメチル−9H−フルオレン−2−アミ ン 10. 7−(N’−カルバゾイル)−N,N−ジ(3’−メチルフェニル) −9,9−ジメチル−9H−フルオレン−2−アミン 11. 7−(N’−カルバゾイル)−N,N−ジ(4’−メチルフェニル) −9,9−ジメチル−9H−フルオレン−2−アミン 12. 7−(N’−カルバゾイル)−N,N−ジ(4’−エチルフェニル) −9,9−ジメチル−9H−フルオレン−2−アミン 13. 7−(N’−カルバゾイル)−N−フェニル−N−(3’−メトキシ フェニル)−9,9−ジメチル−9H−フルオレン−2−アミン 14. 7−(N’−カルバゾイル)−N−フェニル−N−(4’−メトキシ フェニル)−9,9−ジメチル−9H−フルオレン−2−アミン 15. 7−(N’−カルバゾイル)−N−フェニル−N−(4’−エトキシ フェニル)−9,9−ジメチル−9H−フルオレン−2−アミン 16. 7−(N’−カルバゾイル)−N−フェニル−N−(4’−n−ブト キシフェニル)−9,9−ジメチル−9H−フルオレン−2−アミン 17. 7−(N’−カルバゾイル)−N,N−ジ(4’−メトキシフェニル )−9,9−ジメチル−9H−フルオレン−2−アミン
自体公知の方法により製造することができる。すなわ
ち、例えば、2,7−ジハロゲノフルオレン誘導体(例
えば、2,7−ジヨード−9,9−ジアルキル−9H−
フルオレン)とX1 化剤(例えば、カルバゾール、フェ
ノキサジン)とより製造される一般式(2−A)(化
4)で表される化合物と、X2 化剤(例えば、カルバゾ
ール、フェノキサジンまたはHN−Ar1 Ar2 )を、
銅化合物の存在下で反応(ウルマン反応)させることに
より製造することができる。また、2,7−ジハロゲノ
フルオレン誘導体(例えば、2,7−ジヨード−9,9
−ジアルキル−9H−フルオレン)とX2 化剤(例え
ば、カルバゾール、フェノキサジンまたはHN−Ar1
Ar2 )とより製造される一般式(2−B)(化4)で
表される化合物と、X1 化剤(例えば、カルバゾール、
フェノキサジン)を、銅化合物の存在下で反応(ウルマ
ン反応)させることにより製造することができる。
R2 、Z1 およびZ2 は一般式(1)と同じ意味を表
す)
に、少なくとも1種の発光成分を含有する発光層を少な
くとも一層挟持してなるものである。発光層に使用する
化合物の正孔注入および正孔輸送、電子注入および電子
輸送の各機能レベルを考慮し、所望に応じて、正孔注入
輸送成分を含有する正孔注入輸送層または/および電子
注入輸送成分を含有する電子注入輸送層を設けることも
できる。例えば、発光層に使用する化合物の正孔注入機
能、正孔輸送機能または/および電子注入機能、電子輸
送機能が良好な場合には、発光層が正孔注入輸送層また
は/および電子注入輸送層を兼ねた型の素子の構成とす
ることができる。勿論、場合によっては、正孔注入輸送
層および電子注入輸送層の両方の層を設けない型の素子
(一層型の素子)の構成とすることもできる。また、正
孔注入輸送層、電子注入輸送層および発光層のそれぞれ
の層は、一層構造であっても多層構造であってもよく、
正孔注入輸送層および電子注入輸送層は、それぞれの層
において、注入機能を有する層と輸送機能を有する層を
別々に設けて構成することもできる。
式(1)で表される化合物は、正孔注入輸送成分または
/および発光成分に用いることが好ましく、正孔注入輸
送成分に用いることがより好ましい。本発明の有機電界
発光素子においては、一般式(1)で表される化合物
は、単独で使用してもよく、あるいは複数併用してもよ
い。
は、特に限定するものではなく、例えば、(A)陽極/
正孔注入輸送層/発光層/電子注入輸送層/陰極型素子
(図1)、(B)陽極/正孔注入輸送層/発光層/陰極
型素子(図2)、(C)陽極/発光層/電子注入輸送層
/陰極型素子(図3)、(D)陽極/発光層/陰極型素
子(図4)などを挙げることができる。さらには、発光
層を電子注入輸送層で挟み込んだ型の素子である(E)
陽極/正孔注入輸送層/電子注入輸送層/発光層/電子
注入輸送層/陰極型素子(図5)とすることもできる。
(D)型の素子構成としては、発光成分を一層形態で一
対の電極間に挟持させた型の素子は勿論であるが、さら
には、例えば、(F)正孔注入輸送成分、発光成分およ
び電子注入輸送成分を混合させた一層形態で一対の電極
間に挟持させた型の素子(図6)、(G)正孔注入輸送
成分および発光成分を混合させた一層形態で一対の電極
間に挟持させた型の素子(図7)、(H)発光成分およ
び電子注入輸送成分を混合させた一層形態で一対の電極
間に挟持させた型の素子(図8)がある。
子構成に限るものではなく、それぞれの型の素子におい
て、正孔注入輸送層、発光層、電子注入輸送層を複数層
設けたりすることができる。また、それぞれの型の素子
において、正孔注入輸送層と発光層との間に、正孔注入
輸送成分と発光成分の混合層または/および発光層と電
子注入輸送層との間に、発光成分と電子注入輸送成分の
混合層を設けることもできる。より好ましい有機電界発
光素子の構成は、(A)型素子、(B)型素子、(E)
型素子、(F)型素子または(G)型素子であり、さら
に好ましくは、(A)型素子、(B)型素子または
(G)型素子である。
ば、(図1)に示す(A)陽極/正孔注入輸送層/発光
層/電子注入輸送層/陰極型素子について説明する。
(図1)において、1は基板、2は陽極、3は正孔注入
輸送層、4は発光層、5は電子注入輸送層、6は陰極、
7は電源を示す。
持されていることが好ましく、基板としては、特に限定
するものではないが、透明ないし半透明であることが好
ましく、例えば、ガラス板、透明プラスチックシート
(例えば、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリスル
フォン、ポリメチルメタクリレート、ポリプロピレン、
ポリエチレンなどのシート)、半透明プラスチックシー
ト、石英、透明セラミックスあるいはこれらを組み合わ
せた複合シートからなるものを挙げることができる。さ
らに、基板に、例えば、カラーフィルター膜、色変換
膜、誘電体反射膜を組み合わせて、発光色をコントロー
ルすることもできる。
金属、合金または電気電導性化合物を電極物質として使
用することが好ましい。陽極に使用する電極物質として
は、例えば、金、白金、銀、銅、コバルト、ニッケル、
パラジウム、バナジウム、タングステン、酸化錫、酸化
亜鉛、ITO(インジウム・ティン・オキサイド)、ポ
リチオフェン、ポリピロールなどを挙げることができ
る。これらの電極物質は、単独で使用してもよく、ある
いは複数併用してもよい。陽極は、これらの電極物質
を、例えば、蒸着法、スパッタリング法等の方法によ
り、基板の上に形成することができる。また、陽極は一
層構造であってもよく、あるいは多層構造であってもよ
い。陽極のシート電気抵抗は、好ましくは、数百Ω/□
以下、より好ましくは、5〜50Ω/□程度に設定す
る。陽極の厚みは、使用する電極物質の材料にもよる
が、一般に、5〜1000nm程度、より好ましくは、
10〜500nm程度に設定する。
ール)の注入を容易にする機能、および注入された正孔
を輸送する機能を有する化合物を含有する層である。正
孔注入輸送層は、一般式(1)で表される化合物および
/または他の正孔注入輸送機能を有する化合物(例え
ば、フタロシアニン誘導体、トリアリールメタン誘導
体、トリアリールアミン誘導体、オキサゾール誘導体、
ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、ピラゾリン誘導
体、ポリシラン誘導体、ポリフェニレンビニレンおよび
その誘導体、ポリチオフェンおよびその誘導体、ポリ−
N−ビニルカルバゾール誘導体など)を少なくとも1種
用いて形成することができる。尚、正孔注入輸送機能を
有する化合物は、単独で使用してもよく、あるいは複数
併用してもよい。本発明の有機電界発光素子において
は、正孔注入輸送層に一般式(1)で表される化合物を
含有していることが好ましい。
能を有する化合物としては、トリアリールアミン誘導体
(例えば、4,4’−ビス〔N−フェニル−N−(4”
−メチルフェニル)アミノ〕ビフェニル、4,4’−ビ
ス〔N−フェニル−N−(3”−メチルフェニル)アミ
ノ〕ビフェニル、4,4’−ビス〔N−フェニル−N−
(3”−メトキシフェニル)アミノ〕ビフェニル、4,
4’−ビス〔N−フェニル−N−(1”−ナフチル)ア
ミノ〕ビフェニル、3,3’−ジメチル−4,4’−ビ
ス〔N−フェニル−N−(3”−メチルフェニル)アミ
ノ〕ビフェニル、1,1−ビス〔4’−[ N,N−ジ
(4”−メチルフェニル)アミノ] フェニル〕シクロヘ
キサン、9,10−ビス〔N−(4’−メチルフェニ
ル)−N−(4”−n−ブチルフェニル)アミノ〕フェ
ナントレン、3,8−ビス(N,N−ジフェニルアミ
ノ)−6−フェニルフェナントリジン、4−メチル−
N,N−ビス〔4”,4"'−ビス[ N’,N’−ジ(4
−メチルフェニル)アミノ] ビフェニル−4’−イル〕
アニリン、N,N’−ビス〔4−(ジフェニルアミノ)
フェニル〕−N,N’−ジフェニル−1,3−ジアミノ
ベンゼン、N,N’−ビス〔4−(ジフェニルアミノ)
フェニル〕−N,N’−ジフェニル−1,4−ジアミノ
ベンゼン、5,5”−ビス〔4−(ビス[ 4−メチルフ
ェニル] アミノ)フェニル〕−2,2’:5’,2”−
ターチオフェン、1,3,5−トリス(ジフェニルアミ
ノ)ベンゼン、4,4’,4”−トリス(N−カルバゾ
リル)トリフェニルアミン、4,4’,4”−トリス
〔N−(3"'−メチルフェニル)−N−フェニルアミ
ノ〕トリフェニルアミン、1,3,5−トリス〔4’−
ジフェニルアミノフェニル)フェニルアミノ〕ベンゼン
など)、ポリチオフェンおよびその誘導体、ポリ−N−
ビニルカルバゾール誘導体がより好ましい。一般式
(1)で表される化合物と他の正孔注入輸送機能を有す
る化合物を併用する場合、正孔注入輸送層中に占める一
般式(1)で表される化合物の割合は、好ましくは、
0.1重量%以上、より好ましくは、0.1〜99.9
重量%程度、さらに好ましくは、1〜99重量%程度、
特に好ましくは、5〜95重量%程度に調製する。
それらの輸送機能、正孔と電子の再結合により励起子を
生成させる機能を有する化合物を含有する層である。発
光層は、一般式(1)で表される化合物および/または
他の発光機能を有する化合物(例えば、アクリドン誘導
体、キナクリドン誘導体、多環芳香族化合物〔例えば、
ルブレン、アントラセン、テトラセン、ピレン、ペリレ
ン、クリセン、デカシクレン、コロネン、テトラフェニ
ルシクロペンタジエン、ペンタフェニルシクロペンタジ
エン、9,10−ジフェニルアントラセン、9,10−
ビス(フェニルエチニル)アントラセン、1,4−ビス
(9’−エチニルアントラセニル)ベンゼン、4,4’
−ビス(9”−エチニルアントラセニル)ビフェニ
ル〕、トリアリールアミン誘導体〔例えば、正孔注入輸
送機能を有する化合物として前述した化合物を挙げるこ
とができる〕、有機金属錯体〔例えば、トリス(8−キ
ノリノラート)アルミニウム、ビス(10−ベンゾ[h]
キノリノラート)ベリリウム、2−(2’−ヒドロキシ
フェニル)ベンゾオキサゾールの亜鉛塩、2−(2’−
ヒドロキシフェニル)ベンゾチアゾールの亜鉛塩、4−
ヒドロキシアクリジンの亜鉛塩、3−ヒドロキシフラボ
ンの亜鉛塩、5−ヒドロキシフラボンのベリリウム塩、
5−ヒドロキシフラボンのアルミニウム塩〕、スチルベ
ン誘導体〔例えば、1,1,4,4−テトラフェニル−
1,3−ブタジエン、4,4’−ビス(2,2−ジフェ
ニルビニル)ビフェニル〕、クマリン誘導体〔例えば、
クマリン1、クマリン6、クマリン7、クマリン30、
クマリン106、クマリン138、クマリン151、ク
マリン152、クマリン153、クマリン307、クマ
リン311、クマリン314、クマリン334、クマリ
ン338、クマリン343、クマリン500〕、ピラン
誘導体〔例えば、DCM1、DCM2〕、オキサゾン誘
導体〔例えば、ナイルレッド〕、ベンゾチアゾール誘導
体、ベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘
導体、ピラジン誘導体、ケイ皮酸エステル誘導体、ポリ
−N−ビニルカルバゾールおよびその誘導体、ポリチオ
フェンおよびその誘導体、ポリフェニレンおよびその誘
導体、ポリフルオレンおよびその誘導体、ポリフェニレ
ンビニレンおよびその誘導体、ポリビフェニレンビニレ
ンおよびその誘導体、ポリターフェニレンビニレンおよ
びその誘導体、ポリナフチレンビニレンおよびその誘導
体、ポリチエニレンビニレンおよびその誘導体など)を
少なくとも1種用いて形成することができる。
光層に一般式(1)で表される化合物を含有しているこ
とが好ましい。一般式(1)で表される化合物と他の発
光機能を有する化合物を併用する場合、発光層中に占め
る一般式(1)で表される化合物の割合は、好ましく
は、0.001〜99.999重量%程度に調製する。
る化合物としては、多環芳香族化合物、発光性有機金属
錯体がより好ましい。例えば、J. Appl. Phys., 65、36
10 (1989) 、特開平5−214332号公報に記載のよ
うに、発光層をホスト化合物とゲスト化合物(ドーパン
ト)とより構成することもできる。一般式(1)で表さ
れる化合物を、ホスト化合物として発光層を形成するこ
とができ、さらにはゲスト化合物として発光層を形成す
ることもできる。一般式(1)で表される化合物を、ホ
スト化合物として発光層を形成する場合、ゲスト化合物
としては、例えば、前記の他の発光機能を有する化合物
を挙げることができ、中でも多環芳香族化合物は好まし
い。この場合、一般式(1)で表される化合物に対し
て、他の発光機能を有する化合物を、0.001〜40
重量%程度、好ましくは、より好ましくは、0.1〜2
0重量%程度使用する。一般式(1)で表される化合物
と併用する多環芳香族化合物としては、特に限定するも
のではないが、例えば、ルブレン、アントラセン、テト
ラセン、ピレン、ペリレン、クリセン、デカシクレン、
コロネン、テトラフェニルシクロペンタジエン、ペンタ
フェニルシクロペンタジエン、9,10−ジフェニルア
ントラセン、9,10−ビス(フェニルエチニル)アン
トラセン、1,4−ビス(9’−エチニルアントラセニ
ル)ベンゼン、4,4’−ビス(9”−エチニルアント
ラセニル)ビフェニルなどを挙げることができる。勿
論、多環芳香族化合物は単独で使用してもよく、あるい
は複数併用してもよい。
化合物として用いて発光層を形成する場合、ホスト化合
物としては、発光性有機金属錯体が好ましい。この場
合、発光性有機金属錯体に対して、一般式(1)で表さ
れる化合物を、好ましくは、0.001〜40重量%程
度、より好ましくは、0.1〜20重量%程度使用す
る。一般式(1)で表される化合物と併用する発光性有
機金属錯体としては、特に限定するものではないが、発
光性有機アルミニウム錯体が好ましく、置換または未置
換の8−キノリノラート配位子を有する発光性有機アル
ミニウム錯体がより好ましい。好ましい発光性有機金属
錯体としては、例えば、一般式(a)〜一般式(c)で
表される発光性有機アルミニウム錯体を挙げることがで
きる。 (Q)3 −Al (a) (式中、Qは置換または未置換の8−キノリノラート配
位子を表す) (Q)2 −Al−O−L (b) (式中、Qは置換8−キノリノラート配位子を表し、O
−Lはフェノラート配位子であり、Lはフェニル部分を
含む炭素数6〜24の炭化水素基を表す) (Q)2 −Al−O−Al−(Q)2 (c) (式中、Qは置換8−キノリノラート配位子を表す)
えば、トリス(8−キノリノラート)アルミニウム、ト
リス(4−メチル−8−キノリノラート)アルミニウ
ム、トリス(5−メチル−8−キノリノラート)アルミ
ニウム、トリス(3,4−ジメチル−8−キノリノラー
ト)アルミニウム、トリス(4,5−ジメチル−8−キ
ノリノラート)アルミニウム、トリス(4,6−ジメチ
ル−8−キノリノラート)アルミニウム、ビス(2−メ
チル−8−キノリノラート)(フェノラート)アルミニ
ウム、ビス(2−メチル−8−キノリノラート)(2−
メチルフェノラート)アルミニウム、ビス(2−メチル
−8−キノリノラート)(3−メチルフェノラート)ア
ルミニウム、ビス(2−メチル−8−キノリノラート)
(4−メチルフェノラート)アルミニウム、ビス(2−
メチル−8−キノリノラート)(2−フェニルフェノラ
ート)アルミニウム、ビス(2−メチル−8−キノリノ
ラート)(3−フェニルフェノラート)アルミニウム、
ビス(2−メチル−8−キノリノラート)(4−フェニ
ルフェノラート)アルミニウム、ビス(2−メチル−8
−キノリノラート)(2,3−ジメチルフェノラート)
アルミニウム、ビス(2−メチル−8−キノリノラー
ト)(2,6−ジメチルフェノラート)アルミニウム、
ビス(2−メチル−8−キノリノラート)(3,4−ジ
メチルフェノラート)アルミニウム、ビス(2−メチル
−8−キノリノラート)(3,5−ジメチルフェノラー
ト)アルミニウム、ビス(2−メチル−8−キノリノラ
ート)(3,5−ジ−tert−ブチルフェノラート)アル
ミニウム、ビス(2−メチル−8−キノリノラート)
(2,6−ジフェニルフェノラート)アルミニウム、ビ
ス(2−メチル−8−キノリノラート)(2,4,6−
トリフェニルフェノラート)アルミニウム、ビス(2−
メチル−8−キノリノラート)(2,4,6−トリメチ
ルフェノラート)アルミニウム、ビス(2−メチル−8
−キノリノラート)(2,4,5,6−テトラメチルフ
ェノラート)アルミニウム、ビス(2−メチル−8−キ
ノリノラート)(1−ナフトラート)アルミニウム、ビ
ス(2−メチル−8−キノリノラート)(2−ナフトラ
ート)アルミニウム、ビス(2,4−ジメチル−8−キ
ノリノラート)(2−フェニルフェノラート)アルミニ
ウム、ビス(2,4−ジメチル−8−キノリノラート)
(3−フェニルフェノラート)アルミニウム、ビス
(2,4−ジメチル−8−キノリノラート)(4−フェ
ニルフェノラート)アルミニウム、ビス(2,4−ジメ
チル−8−キノリノラート)(3,5−ジメチルフェノ
ラート)アルミニウム、ビス(2,4−ジメチル−8−
キノリノラート)(3,5−ジ−tert−ブチルフェノラ
ート)アルミニウム、ビス(2−メチル−8−キノリノ
ラート)アルミニウム−μ−オキソ−ビス(2−メチル
−8−キノリノラート)アルミニウム、ビス(2,4−
ジメチル−8−キノリノラート)アルミニウム−μ−オ
キソ−ビス(2,4−ジメチル−8−キノリノラート)
アルミニウム、ビス(2−メチル−4−エチル−8−キ
ノリノラート)アルミニウム−μ−オキソ−ビス(2−
メチル−4−エチル−8−キノリノラート)アルミニウ
ム、ビス(2−メチル−4−メトキシ−8−キノリノラ
ート)アルミニウム−μ−オキソ−ビス(2−メチル−
4−メトキシ−8−キノリノラート)アルミニウム、ビ
ス(2−メチル−5−シアノ−8−キノリノラート)ア
ルミニウム−μ−オキソ−ビス(2−メチル−5−シア
ノ−8−キノリノラート)アルミニウム、ビス(2−メ
チル−5−トリフルオロメチル−8−キノリノラート)
アルミニウム−μ−オキソ−ビス(2−メチル−5−ト
リフルオロメチル−8−キノリノラート)アルミニウム
などを挙げることができる。勿論、発光性有機金属錯体
は、単独で使用してもよく、あるいは複数併用してもよ
い。
入を容易にする機能、そして注入された電子を輸送する
機能を有する化合物を含有する層である。電子注入輸送
層に使用される電子注入輸送機能を有する化合物として
は、例えば、有機金属錯体〔例えば、トリス(8−キノ
リノラート)アルミニウム、ビス(10−ベンゾ[h] キ
ノリノラート)ベリリウム、5−ヒドロキシフラボンの
ベリリウム塩、5−ヒドロキシフラボンのアルミニウム
塩〕、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、
トリアジン誘導体、ペリレン誘導体、キノリン誘導体、
キノキサリン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、ニトロ
置換フルオレノン誘導体、チオピランジオキサイド誘導
体などを挙げることができる。尚、電子注入輸送機能を
有する化合物は、単独で使用してもよく、あるいは複数
併用してもよい。
金属、合金または電気電導性化合物を電極物質として使
用することが好ましい。陰極に使用する電極物質として
は、例えば、リチウム、リチウム−インジウム合金、ナ
トリウム、ナトリウム−カリウム合金、カルシウム、マ
グネシウム、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−イ
ンジウム合金、インジウム、ルテニウム、チタニウム、
マンガン、イットリウム、アルミニウム、アルミニウム
−リチウム合金、アルミニウム−カルシウム合金、アル
ミニウム−マグネシウム合金、グラファイト薄膜等を挙
げることができる。これらの電極物質は、単独で使用し
てもよく、あるいは複数併用してもよい。陰極は、これ
らの電極物質を、例えば、蒸着法、スパッタリング法、
イオン化蒸着法、イオンプレーティング法、クラスター
イオンビーム法等の方法により、電子注入輸送層の上に
形成することができる。また、陰極は一層構造であって
もよく、あるいは多層構造であってもよい。尚、陰極の
シート電気抵抗は、数百Ω/□以下に設定するのが好ま
しい。陰極の厚みは、使用する電極物質の材料にもよる
が、一般に、5〜1000nm程度、より好ましくは、
10〜500nm程度に設定する。尚、有機電界発光素
子の発光を効率よく取り出すために、陽極または陰極の
少なくとも一方の電極が、透明ないし半透明であること
が好ましく、一般に、発光光の透過率が70%以上とな
るように陽極の材料、厚みを設定することがより好まし
い。
は、その少なくとも一層中に、一重項酸素クエンチャー
が含有されていてもよい。一重項酸素クエンチャーとし
ては、特に限定するものではなく、例えば、ルブレン、
ニッケル錯体、ジフェニルイソベンゾフランなどが挙げ
られ、特に好ましくは、ルブレンである。一重項酸素ク
エンチャーが含有されている層としては、特に限定する
ものではないが、好ましくは、発光層または正孔注入輸
送層であり、より好ましくは、正孔注入輸送層である。
尚、例えば、正孔注入輸送層に一重項酸素クエンチャー
を含有させる場合、正孔注入輸送層中に均一に含有させ
てもよく、正孔注入輸送層と隣接する層(例えば、発光
層、発光機能を有する電子注入輸送層)の近傍に含有さ
せてもよい。一重項酸素クエンチャーの含有量として
は、含有される層(例えば、正孔注入輸送層)を構成す
る全体量の0.01〜50重量%、好ましくは、0.0
5〜30重量%、より好ましくは、0.1〜20重量%
である。
の形成方法に関しては、特に限定するものではなく、例
えば、真空蒸着法、イオン化蒸着法、溶液塗布法(例え
ば、スピンコート法、キャスト法、ディップコート法、
バーコート法、ロールコート法、ラングミュア・ブロゼ
ット法など)により薄膜を形成することにより作製する
ことができる。真空蒸着法により、各層を形成する場
合、真空蒸着の条件は、特に限定するものではないが、
10-5Torr程度以下の真空下で、50〜400℃程度の
ボート温度(蒸着源温度)、−50〜300℃程度の基
板温度で、0.005〜50nm/sec 程度の蒸着速度
で実施することが好ましい。この場合、正孔注入輸送
層、発光層、電子注入輸送層等の各層は、真空下で、連
続して形成することにより、諸特性に一層優れた有機電
界発光素子を製造することができる。真空蒸着法によ
り、正孔注入輸送層、発光層、電子注入輸送層等の各層
を、複数の化合物を用いて形成する場合、化合物を入れ
た各ボートを個別に温度制御して、共蒸着することが好
ましい。
各層を形成する成分あるいはその成分とバインダー樹脂
等を、溶媒に溶解、または分散させて塗布液とする。正
孔注入輸送層、発光層、電子注入輸送層の各層に使用し
うるバインダー樹脂としては、例えば、ポリ−N−ビニ
ルカルバゾール、ポリアリレート、ポリスチレン、ポリ
エステル、ポリシロキサン、ポリメチルアクリレート、
ポリメチルメタクリレート、ポリエーテル、ポリカーボ
ネート、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、
ポリパラキシレン、ポリエチレン、ポリフェニレンオキ
サイド、ポリエーテルスルフォン、ポリアニリンおよび
その誘導体、ポリチオフェンおよびその誘導体、ポリフ
ェニレンビニレンおよびその誘導体、ポリフルオレンお
よびその誘導体、ポリチエニレンビニレンおよびその誘
導体等の高分子化合物が挙げられる。バインダー樹脂
は、単独で使用してもよく、あるいは複数併用してもよ
い。
各層を形成する成分あるいはその成分とバインダー樹脂
等を、適当な有機溶媒(例えば、ヘキサン、オクタン、
デカン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、1−メ
チルナフタレン等の炭化水素系溶媒、例えば、アセト
ン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シ
クロヘキサノン等のケトン系溶媒、例えば、ジクロロメ
タン、クロロホルム、テトラクロロメタン、ジクロロエ
タン、トリクロロエタン、テトラクロロエタン、クロロ
ベンゼン、ジクロロベンゼン、クロロトルエン等のハロ
ゲン化炭化水素系溶媒、例えば、酢酸エチル、酢酸ブチ
ル、酢酸アミル等のエステル系溶媒、例えば、メタノー
ル、プロパノール、ブタノール、ペンタノール、ヘキサ
ノール、シクロヘキサノール、メチルセロソルブ、エチ
ルセロソルブ、エチレングリコール等のアルコール系溶
媒、例えば、ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン、
ジオキサン、アニソール等のエーテル系溶媒、例えば、
N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセ
トアミド、1−メチル−2−ピロリドン、1,3−ジメ
チル−2−イミダゾリジノン、ジメチルスルフォキサイ
ド等の極性溶媒)および/または水に溶解、または分散
させて塗布液とし、各種の塗布法により、薄膜を形成す
ることができる。
ものではないが、例えば、ボールミル、サンドミル、ペ
イントシェーカー、アトライター、ホモジナイザー等を
用いて微粒子状に分散することができる。塗布液の濃度
に関しては、特に限定するものではなく、実施する塗布
法により、所望の厚みを作製するに適した濃度範囲に設
定することができ、一般には、0.1〜50重量%程
度、好ましくは、1〜30重量%程度の溶液濃度であ
る。尚、バインダー樹脂を使用する場合、その使用量に
関しては、特に限定するものではないが、一般には、各
層を形成する成分に対して(一層型の素子を形成する場
合には、各成分の総量に対して)、5〜99.9重量%
程度、好ましくは、10〜99重量%程度、より好まし
くは、15〜90重量%程度に設定する。
の膜厚に関しては、特に限定するものではないが、一般
に、5nm〜5μm程度に設定することが好ましい。
尚、作製した素子に対し、酸素や水分等との接触を防止
する目的で、保護層(封止層)を設けたり、また素子
を、例えば、パラフィン、流動パラフィン、シリコンオ
イル、フルオロカーボン油、ゼオライト含有フルオロカ
ーボン油などの不活性物質中に封入して保護することが
できる。保護層に使用する材料としては、例えば、有機
高分子材料(例えば、フッ素化樹脂、エポキシ樹脂、シ
リコーン樹脂、エポキシシリコーン樹脂、ポリスチレ
ン、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリアミド、ポ
リイミド、ポリアミドイミド、ポリパラキシレン、ポリ
エチレン、ポリフェニレンオキサイド)、無機材料(例
えば、ダイヤモンド薄膜、アモルファスシリカ、電気絶
縁性ガラス、金属酸化物、金属窒化物、金属炭素化物、
金属硫化物)、さらには光硬化性樹脂などを挙げること
ができ、保護層に使用する材料は、単独で使用してもよ
く、あるいは複数併用してもよい。保護層は、一層構造
であってもよく、また多層構造であってもよい。
酸化膜(例えば、酸化アルミニウム膜)、金属フッ化膜
を設けることもできる。また、例えば、陽極の表面に、
例えば、有機リン化合物、ポリシラン、芳香族アミン誘
導体、フタロシアニン誘導体から成る界面層(中間層)
を設けることもできる。さらに、電極、例えば、陽極は
その表面を、例えば、酸、アンモニア/過酸化水素、あ
るいはプラズマで処理して使用することもできる。
流駆動型の素子として使用されるが、パルス駆動型また
は交流駆動型の素子としても使用することができる。
尚、印加電圧は、一般に、2〜30V程度である。本発
明の有機電界発光素子は、例えば、パネル型光源、各種
の発光素子、各種の表示素子、各種の標識、各種のセン
サーなどに使用することができる。
明するが、勿論、本発明はこれらに限定されるものでは
ない。 実施例1 厚さ200nmのITO透明電極(陽極)を有するガラ
ス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超
音波洗浄した。その基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さ
らにUV/オゾン洗浄した後、蒸着装置の基板ホルダー
に固定した後、蒸着槽を3×10-6Torrに減圧した。ま
ず、ITO透明電極上に、7−(N’−カルバゾイル)
−N,N−ジフェニル−9,9−ジメチル−9H−フル
オレン−2−アミン(例示化合物番号3の化合物)を、
蒸着速度0.2nm/sec で75nmの厚さに蒸着し、
正孔注入輸送層とした。次いで、その上に、トリス(8
−キノリノラート)アルミニウムを、蒸着速度0.2n
m/sec で50nmの厚さに蒸着し、電子注入輸送層を
兼ねた発光層とした。さらにその上に、陰極として、マ
グネシウムと銀を蒸着速度0.2nm/sec で200n
mの厚さに共蒸着(重量比10:1)して陰極とし、有
機電界発光素子を作製した。尚、蒸着は、蒸着槽の減圧
状態を保ったまま実施した。作製した有機電界発光素子
に直流電圧を印加し、50℃、乾燥雰囲気下、10mA
/cm2 の定電流密度で連続駆動させた。初期には、6.
5V、輝度480cd/m2 の緑色の発光が確認され
た。輝度の半減期は540時間であった。
示化合物番号3の化合物を使用する代わりに、例示化合
物番号6の化合物(実施例2)、例示化合物番号9の化
合物(実施例3)、例示化合物番号11の化合物(実施
例4)、例示化合物番号14の化合物(実施例5)、例
示化合物番号17の化合物(実施例6)、例示化合物番
号19の化合物(実施例7)、例示化合物番号20の化
合物(実施例8)、例示化合物番号22の化合物(実施
例9)、例示化合物番号24の化合物(実施例10)、
例示化合物番号34の化合物(実施例11)、例示化合
物番号35の化合物(実施例12)、例示化合物番号3
8の化合物(実施例13)、例示化合物番号44の化合
物(実施例14)、例示化合物番号46の化合物(実施
例15)、例示化合物番号51の化合物(実施例1
6)、例示化合物番号55の化合物(実施例17)、例
示化合物番号58の化合物(実施例18)、例示化合物
番号68の化合物(実施例19)、例示化合物番号74
の化合物(実施例20)、例示化合物番号85の化合物
(実施例21)、例示化合物番号86の化合物(実施例
22)、例示化合物番号88の化合物(実施例23)、
例示化合物番号90の化合物(実施例24)、例示化合
物番号94の化合物(実施例25)、例示化合物番号9
7の化合物(実施例26)、例示化合物番号98の化合
物(実施例27)を使用した以外は、実施例1に記載の
方法により有機電界発光素子を作製した。各素子からは
緑色の発光が確認された。さらにその特性を調べ、結果
を第1表(表1、2)に示した。
示化合物番号3の化合物を使用する代わりに、4,4’
−ビス〔N−フェニル−N−(3”−メチルフェニル)
アミノ〕ビフェニル(比較例1)、9,9−ジメチル−
2,7−ビス(N,N−ジフェニルアミノ)フルオレン
(比較例2)を使用した以外は、実施例1に記載の方法
により有機電界発光素子を作製した。各素子からは緑色
の発光が確認された。さらにその特性を調べ、結果を第
1表(表2)に示した。
ス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超
音波洗浄した。その基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さ
らにUV/オゾン洗浄した後、蒸着装置の基板ホルダー
に固定した後、蒸着槽を3×10-6Torrに減圧した。ま
ず、ITO透明電極上に、ポリ(チオフェン−2,5−
ジイル)を蒸着速度0.1nm/sec で、20nmの厚
さに蒸着し、第一正孔注入輸送層とした。次いで、例示
化合物番号37の化合物を、蒸着速度0.2nm/sec
で55nmの厚さに蒸着し、第二正孔注入輸送層とし
た。次いで、その上に、トリス(8−キノリノラノー
ト)アルミニウムを、蒸着速度0.2nm/sec で50
nmの厚さに蒸着し、電子注入輸送層を兼ねた発光層と
した。さらにその上に、マグネシウムと銀を、蒸着速度
0.2nm/sec で200nmの厚さに共蒸着(重量比
10:1)して陰極とし、有機電界発光素子を作製し
た。尚、蒸着は、蒸着槽の減圧状態を保ったまま実施し
た。作製した有機電界発光素子に直流電圧を印加し、乾
燥雰囲気下、10mA/cm2の定電流密度で連続駆動さ
せた。初期には、6.4V、輝度480cd/m2 の緑
色の発光が確認された。輝度の半減期は1200時間で
あった。
ス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超
音波洗浄した。その基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さ
らにUV/オゾン洗浄した後、蒸着装置の基板ホルダー
に固定した後、蒸着槽を3×10-6Torrに減圧した。ま
ず、ITO透明電極上に、4,4’,4”−トリス(N
−(3"'−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ〕ト
リフェニルアミンを蒸着速度0.1nm/secで、50
nmの厚さに蒸着し、第一正孔注入輸送層とした。次い
で、例示化合物番号5の化合物とルブレンを、異なる蒸
発源から、蒸着速度0.2nm/sec で20nmの厚さ
に共蒸着(重量比10:1)し、第二正孔注入輸送層を
兼ねた発光層とした。次いで、その上に、トリス(8−
キノリノラート)アルミニウムを蒸着速度0.2nm/
sec で50nmの厚さに蒸着し、電子注入輸送層とし
た。さらにその上に、マグネシウムと銀を、蒸着速度
0.2nm/sec で200nmの厚さに共蒸着(重量比
10:1)して陰極とし、有機電界発光素子を作製し
た。尚、蒸着は、蒸着槽の減圧状態を保ったまま実施し
た。作製した有機電界発光素子に直流電圧を印加し、乾
燥雰囲気下、10mA/cm2の定電流密度で連続駆動さ
せた。初期には、6.2V、輝度470cd/m2 の黄
色の発光が確認された。輝度の半減期は1300時間で
あった。
ス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超
音波洗浄した。その基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さ
らにUV/オゾン洗浄した後、蒸着装置の基板ホルダー
に固定した後、蒸着槽を3×10-6Torrに減圧した。ま
ず、ITO透明電極上に、ポリ(チオフェン−2,5−
ジイル)を蒸着速度0.1nm/sec で、20nmの厚
さに蒸着し、第一正孔注入輸送層とした。蒸着槽を大気
圧下に戻した後、再び蒸着槽を3×10-6Torrに減圧し
た。次いで、例示化合物番号8の化合物とルブレンを、
異なる蒸発源から、蒸着速度0.2nm/sec で55n
mの厚さに共蒸着(重量比10:1)し、第二正孔注入
輸送層を兼ねた発光層とした。減圧状態を保ったまま、
次いで、その上に、トリス(8−キノリノラート)アル
ミニウムを蒸着速度0.2nm/sec で50nmの厚さ
に蒸着し、電子注入輸送層とした。減圧状態を保ったま
ま、さらにその上に、マグネシウムと銀を、蒸着速度
0.2nm/sec で200nmの厚さに共蒸着(重量比
10:1)して陰極とし、有機電界発光素子を作製し
た。作製した有機電界発光素子に直流電圧を印加し、乾
燥雰囲気下、10mA/cm2の定電流密度で連続駆動さ
せた。初期には、6.2V、輝度480cd/m2 の黄
色の発光が確認された。輝度の半減期は1500時間で
あった。
ス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超
音波洗浄した。その基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さ
らにUV/オゾン洗浄した後、蒸着装置の基板ホルダー
に固定した後、蒸着槽を3×10-6Torrに減圧した。ま
ず、ITO透明電極上に、例示化合物番号17の化合物
を蒸着速度0.1nm/sec で、20nmの厚さに蒸着
し、第一正孔注入輸送層とした。次いで、例示化合物番
号11の化合物とルブレンを、異なる蒸発源から、蒸着
速度0.2nm/sec で55nmの厚さに共蒸着(重量
比10:1)し、第二正孔注入輸送層を兼ねた発光層と
した。さらに、その上に、トリス(8−キノリノラー
ト)アルミニウムを蒸着速度0.2nm/sec で50n
mの厚さに蒸着し、電子注入輸送層とした。さらにその
上に、マグネシウムと銀を、蒸着速度0.2nm/sec
で200nmの厚さに共蒸着(重量比10:1)して陰
極とし、有機電界発光素子を作製した。尚、蒸着は、蒸
着槽の減圧状態を保ったまま実施した。作製した有機電
界発光素子に直流電圧を印加し、乾燥雰囲気下、10m
A/cm2の定電流密度で連続駆動させた。初期には、
6.1V、輝度520cd/m2 の黄色の発光が確認さ
れた。輝度の半減期は1600時間であった。
ス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超
音波洗浄した。その基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さ
らにUV/オゾン洗浄した後、蒸着装置の基板ホルダー
に固定した後、蒸着槽を3×10-6Torrに減圧した。ま
ず、ITO透明電極上に、例示化合物番号24の化合物
を、蒸着速度0.2nm/sec で55nmの厚さに蒸着
し、正孔注入輸送層とした。次いで、その上に、トリス
(8−キノリノラート)アルミニウムと例示化合物番号
16の化合物を、蒸着速度0.2nm/sec で40nm
の厚さに共蒸着(重量比10:1)し、発光層とした。
さらに、トリス(8−キノリノラート)アルミニウム
を、蒸着速度0.2nm/sec で30nmの厚さに蒸着
し、電子注入輸送層とした。さらにその上に、マグネシ
ウムと銀を、蒸着速度0.2nm/sec で200nmの
厚さに共蒸着(重量比10:1)して陰極とし、有機電
界発光素子を作製した。尚、蒸着は、蒸着槽の減圧状態
を保ったまま実施した。作製した有機電界発光素子に直
流電圧を印加し、乾燥雰囲気下、10mA/cm2の定電
流密度で連続駆動させた。初期には、6.2V、輝度5
60cd/m2 の緑色の発光が確認された。輝度の半減
期は1500時間であった。
ス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超
音波洗浄した。その基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さ
らにUV/オゾン洗浄した。次に、ITO透明電極上
に、ポリカーボネート(重量平均分子量50000)、
と例示化合物番号7の化合物を、重量比100:50の
割合で含有する3重量%ジクロロエタン溶液を用いて、
ディップコート法により、40nmの正孔注入輸送層と
した。次に、この正孔注入輸送層を有するガラス基板
を、蒸着装置の基板ホルダーに固定した後、蒸着槽を3
×10-6Torrに減圧した。次いで、その上に、トリス
(8−キノリノラート)アルミニウムを、蒸着速度0.
2nm/sec で50nmの厚さに蒸着し、電子注入輸送
層を兼ねた発光層とした。さらに、発光層の上に、マグ
ネシウムと銀を、蒸着速度0.2nm/sec で200n
mの厚さに共蒸着(重量比10:1)して陰極とし、有
機電界発光素子を作製した。作製した有機電界発光素子
に、乾燥雰囲気下、10Vの直流電圧を印加したとこ
ろ、95mA/cm2 の電流が流れた。輝度980cd/
m2 の緑色の発光が確認された。輝度の半減期は250
時間であった。
ス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超
音波洗浄した。その基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さ
らにUV/オゾン洗浄した。次に、ITO透明電極上
に、ポリメチルメタクリレート(重量平均分子量250
00)、例示化合物番号64の化合物、トリス(8−キ
ノリノラート)アルミニウムを、それぞれ重量比10
0:50:0.5の割合で含有する3重量%ジクロロエ
タン溶液を用いて、ディップコート法により、100n
mの発光層を形成した。次に、この発光層を有するガラ
ス基板を、蒸着装置の基板ホルダーに固定した後、蒸着
槽を3×10-6Torrに減圧した。さらに、発光層の上
に、マグネシウムと銀を、蒸着速度0.2nm/sec で
200nmの厚さに共蒸着(重量比10:1)して陰極
とし、有機電界発光素子を作製した。作製した有機電界
発光素子に、乾燥雰囲気下、15Vの直流電圧を印加し
たところ、80mA/cm2 の電流が流れた。輝度530
cd/m2 の緑色の発光が確認された。輝度の半減期は
300時間であった。
に優れた有機電界発光素子を提供することが可能になっ
た。
Claims (5)
- 【請求項1】 一対の電極間に、一般式(1)(化1)
で表される化合物を少なくとも1種含有する層を少なく
とも一層挟持してなる有機電界発光素子。 【化1】 〔式中、X1 は置換または未置換のN−カルバゾイル
基、置換または未置換のN−フェノキサジイル基、ある
いは置換または未置換のN−フェノチアジイル基を表
し、X2 は置換または未置換のN−カルバゾイル基、置
換または未置換のN−フェノキサジイル基、置換または
未置換のN−フェノチアジイル基、あるいは−NAr1
Ar2 を表し(但し、Ar1 およびAr2 は置換または
未置換のアリール基を表す)、R1 およびR2 は水素原
子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、置換または未
置換のアリール基、あるいは置換または未置換のアラル
キル基を表し、Z1 およびZ2 は水素原子、ハロゲン原
子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐ま
たは環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換の
アリール基を表す〕 - 【請求項2】 一般式(1)で表される化合物を含有す
る層が、正孔注入輸送層である請求項1記載の有機電界
発光素子。 - 【請求項3】 一般式(1)で表される化合物を含有す
る層が、発光層である請求項1記載の有機電界発光素
子。 - 【請求項4】 一対の電極間に、さらに、発光層を有す
る請求項1または2記載の有機電界発光素子。 - 【請求項5】 一対の電極間に、さらに、電子注入輸送
層を有する請求項1〜4のいずれかに記載の有機電界発
光素子。
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|---|---|---|---|
| JP30906097A JP3856546B2 (ja) | 1997-11-11 | 1997-11-11 | 有機電界発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30906097A JP3856546B2 (ja) | 1997-11-11 | 1997-11-11 | 有機電界発光素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11144873A true JPH11144873A (ja) | 1999-05-28 |
| JP3856546B2 JP3856546B2 (ja) | 2006-12-13 |
Family
ID=17988404
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30906097A Expired - Lifetime JP3856546B2 (ja) | 1997-11-11 | 1997-11-11 | 有機電界発光素子 |
Country Status (1)
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| JP (1) | JP3856546B2 (ja) |
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