JPH103638A - 磁気記録媒体 - Google Patents
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- JPH103638A JPH103638A JP8157117A JP15711796A JPH103638A JP H103638 A JPH103638 A JP H103638A JP 8157117 A JP8157117 A JP 8157117A JP 15711796 A JP15711796 A JP 15711796A JP H103638 A JPH103638 A JP H103638A
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- Y10S428/90—Magnetic feature
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 非磁性支持体上に真空蒸着により磁性薄膜を
形成した磁気記録媒体において、低ノイズ化を図り、デ
ジタル記録における良好なエラーレートの確保を実現す
る。 【解決手段】 非磁性支持体２上に磁性層４を斜め蒸着
により形成してなる磁気記録媒体１において、非磁性支
持体２に成長されるカラム２１の平均粒径をａを、１０
ｎｍ≦ａ≦５０ｎｍとし、かつカラム２１の粒径分布の
分散をσとするとき、σ／ａ≦０．４の範囲内とする。
形成した磁気記録媒体において、低ノイズ化を図り、デ
ジタル記録における良好なエラーレートの確保を実現す
る。 【解決手段】 非磁性支持体２上に磁性層４を斜め蒸着
により形成してなる磁気記録媒体１において、非磁性支
持体２に成長されるカラム２１の平均粒径をａを、１０
ｎｍ≦ａ≦５０ｎｍとし、かつカラム２１の粒径分布の
分散をσとするとき、σ／ａ≦０．４の範囲内とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、非磁性支持体上に
金属磁性薄膜を真空蒸着、即ち斜め蒸着して磁性層を形
成した磁気記録媒体に係わる。
金属磁性薄膜を真空蒸着、即ち斜め蒸着して磁性層を形
成した磁気記録媒体に係わる。
【０００２】
【従来の技術】近年、情報記録の方式がアナログからデ
ジタルへ移行すると共に、情報記録手段としての磁気記
録媒体にもなお一層の高密度化が要求されている。狭ト
ラック化及び高線記録密度化による高面記録密度実現の
ためには、短波長領域での磁気記録媒体の高出力化と低
ノイズ化が不可欠となる。
ジタルへ移行すると共に、情報記録手段としての磁気記
録媒体にもなお一層の高密度化が要求されている。狭ト
ラック化及び高線記録密度化による高面記録密度実現の
ためには、短波長領域での磁気記録媒体の高出力化と低
ノイズ化が不可欠となる。
【０００３】磁気記録媒体の高出力化については、磁性
層を構成する強磁性体固有の磁気エネルギーによるとこ
ろが大きく、既に技術的に限界に達しており、さらなる
飛躍的な向上は困難である。
層を構成する強磁性体固有の磁気エネルギーによるとこ
ろが大きく、既に技術的に限界に達しており、さらなる
飛躍的な向上は困難である。
【０００４】一方、低ノイズ化については、金属薄膜を
磁性層に用いた磁気記録媒体の場合、ノイズの発生機構
が磁性薄膜の結晶構造や磁気的相互作用等のマイクロス
コピック領域（電子顕微鏡レベルの領域）に起因してお
り、今後の技術的進展が期待される分野である。すなわ
ち、低ノイズ化は高記録密度化の実現において、克服す
べき最も重要な技術的課題と言える。
磁性層に用いた磁気記録媒体の場合、ノイズの発生機構
が磁性薄膜の結晶構造や磁気的相互作用等のマイクロス
コピック領域（電子顕微鏡レベルの領域）に起因してお
り、今後の技術的進展が期待される分野である。すなわ
ち、低ノイズ化は高記録密度化の実現において、克服す
べき最も重要な技術的課題と言える。
【０００５】そして、特にデジタル記録においては、Ｃ
／Ｎ比としてエラーレートに大きく影響するため、デー
タの信頼性を確保する上で低ノイズ化がドロップアウト
の低減とともに重要な技術的要素と言える。
／Ｎ比としてエラーレートに大きく影響するため、デー
タの信頼性を確保する上で低ノイズ化がドロップアウト
の低減とともに重要な技術的要素と言える。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、非磁性支持
体２３上に真空蒸着により金属磁性薄膜からなる磁性層
２４を形成した場合には、蒸着装置の構造上、非磁性支
持体２３上から斜め方向に、蒸着材料またはその反応物
から構成されるカラム（いわゆる柱状結晶）２１が成長
する（図３参照）。カラム２１は密な部分２１ａと疎な
部分２１ｂとを有し、成長が進むにつれて密な部分２１
ａが大きくなり、またカラムの粒径ｄも大きくなる。
体２３上に真空蒸着により金属磁性薄膜からなる磁性層
２４を形成した場合には、蒸着装置の構造上、非磁性支
持体２３上から斜め方向に、蒸着材料またはその反応物
から構成されるカラム（いわゆる柱状結晶）２１が成長
する（図３参照）。カラム２１は密な部分２１ａと疎な
部分２１ｂとを有し、成長が進むにつれて密な部分２１
ａが大きくなり、またカラムの粒径ｄも大きくなる。
【０００７】これらのカラム２１及びカラム内に存在す
る結晶粒子２２の大きさがノイズ発生に影響することが
一般的に知られている。金属磁性薄膜を蒸着形成した磁
気記録媒体では、低ノイズ化のためには、これらカラム
２１、結晶粒子２２の成長を小さく抑制することが重要
となる。
る結晶粒子２２の大きさがノイズ発生に影響することが
一般的に知られている。金属磁性薄膜を蒸着形成した磁
気記録媒体では、低ノイズ化のためには、これらカラム
２１、結晶粒子２２の成長を小さく抑制することが重要
となる。
【０００８】カラム２１とカラム内の結晶粒子２２の大
きさのどちらがノイズの発生により大きく影響するか
は、使用される記録波長によって異なるが、現在運用さ
れている磁気記録フォーマットの最短記録波長０．３〜
１．０μｍの範囲においては、カラム２１の粒径ｄの影
響の方が大きいと考えられる。
きさのどちらがノイズの発生により大きく影響するか
は、使用される記録波長によって異なるが、現在運用さ
れている磁気記録フォーマットの最短記録波長０．３〜
１．０μｍの範囲においては、カラム２１の粒径ｄの影
響の方が大きいと考えられる。
【０００９】また、カラム２１の粒径ｄ大きさの分布の
度合いもノイズに影響するため、このカラム粒径分布を
できるだけシャープなものとすることが重要となる。す
なわち、図４に示すように、カラムの粒径ｄの分散を小
さくすることが必要となる。
度合いもノイズに影響するため、このカラム粒径分布を
できるだけシャープなものとすることが重要となる。す
なわち、図４に示すように、カラムの粒径ｄの分散を小
さくすることが必要となる。
【００１０】上述した問題に鑑みて、本発明において
は、非磁性支持体上に真空蒸着により磁性薄膜を形成し
た磁気記録媒体において、低ノイズ化を図り、デジタル
記録における良好なエラーレートの確保を実現するもの
である。
は、非磁性支持体上に真空蒸着により磁性薄膜を形成し
た磁気記録媒体において、低ノイズ化を図り、デジタル
記録における良好なエラーレートの確保を実現するもの
である。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の磁気記録媒体
は、斜め蒸着により磁性層を形成したとき非磁性支持体
に成長されるカラムの平均粒径をａを、１０ｎｍ≦ａ≦
５０ｎｍとし、かつカラムの粒径分布の分散をσとする
とき、σ／ａ≦０．４の範囲内とする構成である。
は、斜め蒸着により磁性層を形成したとき非磁性支持体
に成長されるカラムの平均粒径をａを、１０ｎｍ≦ａ≦
５０ｎｍとし、かつカラムの粒径分布の分散をσとする
とき、σ／ａ≦０．４の範囲内とする構成である。
【００１２】上述の本発明の構成によれば、非磁性支持
体上に成長するカラムの平均粒径ａ及びカラムの粒径分
布の分散σを上記範囲に選定することにより、１．０μ
ｍ以下の短波長領域における低ノイズ化がなされ、エラ
ーレートが１．０×１０-4以下となる。これにより、デ
ジタル記録における良好なエラーレートを得ることがで
きる。
体上に成長するカラムの平均粒径ａ及びカラムの粒径分
布の分散σを上記範囲に選定することにより、１．０μ
ｍ以下の短波長領域における低ノイズ化がなされ、エラ
ーレートが１．０×１０-4以下となる。これにより、デ
ジタル記録における良好なエラーレートを得ることがで
きる。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明の磁気記録媒体は、非磁性
支持体上に磁性層を斜め蒸着により形成してなる磁気記
録媒体において、非磁性支持体に成長されるカラムの平
均粒径ａを、１０ｎｍ≦ａ≦５０ｎｍとし、かつカラム
の粒径分布の分散をσとするとき、σ／ａ≦０．４の範
囲内とする構成である。
支持体上に磁性層を斜め蒸着により形成してなる磁気記
録媒体において、非磁性支持体に成長されるカラムの平
均粒径ａを、１０ｎｍ≦ａ≦５０ｎｍとし、かつカラム
の粒径分布の分散をσとするとき、σ／ａ≦０．４の範
囲内とする構成である。
【００１４】また本発明は、上記磁気記録媒体を、デジ
タル信号の記録再生を行うために用いる構成である。
タル信号の記録再生を行うために用いる構成である。
【００１５】以下、図面を参照して本発明の磁気記録媒
体の実施例を説明する。図１に示す磁気記録媒体１は、
非磁性支持体（ベースフィルム）２上に磁性層４が蒸着
形成されてなる磁気記録媒体１である。この例では、非
磁性支持体２と磁性層４との間に下地層３を、磁性層４
の表面に保護膜５を、非磁性支持体２の裏面側にバック
コート層６をそれぞれ設けている。そして、磁性層４は
金属磁性材料を斜め蒸着することによって形成されてお
り、前述のようにカラム２１及びカラム内結晶粒子２２
が形成されてなる（図３参照）。
体の実施例を説明する。図１に示す磁気記録媒体１は、
非磁性支持体（ベースフィルム）２上に磁性層４が蒸着
形成されてなる磁気記録媒体１である。この例では、非
磁性支持体２と磁性層４との間に下地層３を、磁性層４
の表面に保護膜５を、非磁性支持体２の裏面側にバック
コート層６をそれぞれ設けている。そして、磁性層４は
金属磁性材料を斜め蒸着することによって形成されてお
り、前述のようにカラム２１及びカラム内結晶粒子２２
が形成されてなる（図３参照）。
【００１６】非磁性支持体（ベースフィルム）２には、
例えばポリエステル類、ポリオレフィン類、セルロース
誘導体、ビニル系樹脂、ポリイミド類、ポリアミド類、
ポリカーボネート等に代表されるような高分子材料によ
り形成される高分子支持体が用いられる。
例えばポリエステル類、ポリオレフィン類、セルロース
誘導体、ビニル系樹脂、ポリイミド類、ポリアミド類、
ポリカーボネート等に代表されるような高分子材料によ
り形成される高分子支持体が用いられる。
【００１７】磁性層４を構成する金属磁性薄膜は、メッ
キやスパッタリング、真空蒸着により形成することがで
きる。金属磁性薄膜の材料としては、例えばＦｅ，Ｃ
ｏ，Ｎｉ等の金属や、Ｃｏ−Ｎｉ系合金、Ｃｏ−Ｎｉ−
Ｐｔ系合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ系合金，Ｆｅ−Ｎｉ−Ｂ
系合金，Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ系合金，Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ−Ｂ
系合金からなる面内磁化記録金属磁性膜や、Ｃｏ−Ｃｒ
系合金薄膜、Ｃｏ−Ｏ系薄膜等の垂直磁化記録金属磁性
薄膜を用いることができる。
キやスパッタリング、真空蒸着により形成することがで
きる。金属磁性薄膜の材料としては、例えばＦｅ，Ｃ
ｏ，Ｎｉ等の金属や、Ｃｏ−Ｎｉ系合金、Ｃｏ−Ｎｉ−
Ｐｔ系合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ系合金，Ｆｅ−Ｎｉ−Ｂ
系合金，Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ系合金，Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ−Ｂ
系合金からなる面内磁化記録金属磁性膜や、Ｃｏ−Ｃｒ
系合金薄膜、Ｃｏ−Ｏ系薄膜等の垂直磁化記録金属磁性
薄膜を用いることができる。
【００１８】下地層３は、非磁性支持体２の表面の粗さ
を緩和して、磁性層４の成長状態や表面の粗さを調節す
るために設けるもので、例えばＣ（カーボン）、チタ
ン、クロム等を用いることができる。
を緩和して、磁性層４の成長状態や表面の粗さを調節す
るために設けるもので、例えばＣ（カーボン）、チタ
ン、クロム等を用いることができる。
【００１９】保護膜５は、耐久性を向上するために設け
るもので、例えばＣ（カーボン）、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｔｉ−
Ｎ、Ｍｏ−Ｃ、Ｃｒ−Ｃ、ＳｉＯ、ＳｉＯ2 、Ｓｉ−Ｎ
等が挙げられるが、これらの材料に限定されることなく
その他の材料でもよい。この保護膜５は形成しなくても
よいが、最近、耐久性を向上する目的で磁性層４の表面
に形成する場合が多い。
るもので、例えばＣ（カーボン）、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｔｉ−
Ｎ、Ｍｏ−Ｃ、Ｃｒ−Ｃ、ＳｉＯ、ＳｉＯ2 、Ｓｉ−Ｎ
等が挙げられるが、これらの材料に限定されることなく
その他の材料でもよい。この保護膜５は形成しなくても
よいが、最近、耐久性を向上する目的で磁性層４の表面
に形成する場合が多い。
【００２０】バックコート層６は、非磁性支持体２の裏
面にカーボン等の非磁性顔料を用いて形成される。
面にカーボン等の非磁性顔料を用いて形成される。
【００２１】本発明に係る磁気記録媒体の構成は、上述
の構成に限定されるものではなく、例えば必要に応じて
潤滑剤、防錆剤等の層を形成することは何等差し支えな
い。また、この場合に樹脂結合剤あるいは潤滑剤、防錆
剤層に含まれる材料としては従来公知のものがいずれも
使用できる。
の構成に限定されるものではなく、例えば必要に応じて
潤滑剤、防錆剤等の層を形成することは何等差し支えな
い。また、この場合に樹脂結合剤あるいは潤滑剤、防錆
剤層に含まれる材料としては従来公知のものがいずれも
使用できる。
【００２２】次に実際に図１の構成の磁気記録媒体１を
作製して、各種特性の測定を行った。
作製して、各種特性の測定を行った。
【００２３】（実施例１）非磁性支持体２として、厚さ
が６．３μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムを
用意する。次に、非磁性支持体２上に下地層３としてＣ
ｒを５０ｎｍの厚さに蒸着形成する。
が６．３μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムを
用意する。次に、非磁性支持体２上に下地層３としてＣ
ｒを５０ｎｍの厚さに蒸着形成する。
【００２４】次に下地層３上に、電子ビームにより磁性
体Ｃｏを蒸着する。このとき使用する蒸着装置を図２に
示す。
体Ｃｏを蒸着する。このとき使用する蒸着装置を図２に
示す。
【００２５】図２に示す蒸着装置１０は、外側がチャン
バー１３により覆われて、コンダクタンスバルブ１５を
備えた真空ポンプ１４によりチャンバー１３内部を減圧
することができる。また、チャンバー１３の真空ポンプ
１４と反対の側には電子ビーム銃１１が設けられ、この
電子ビーム銃１１から発射された電子ビーム１２が坩堝
１９内のＣｏに照射されることによりＣｏが蒸発し、フ
ィルム上に斜め蒸着がされる。
バー１３により覆われて、コンダクタンスバルブ１５を
備えた真空ポンプ１４によりチャンバー１３内部を減圧
することができる。また、チャンバー１３の真空ポンプ
１４と反対の側には電子ビーム銃１１が設けられ、この
電子ビーム銃１１から発射された電子ビーム１２が坩堝
１９内のＣｏに照射されることによりＣｏが蒸発し、フ
ィルム上に斜め蒸着がされる。
【００２６】一方、非磁性支持体２のフィルムを保持、
移送する手段として、それぞれ巻き出しロール１７、冷
却キャン１８、巻き取りロール２０を有し、冷却キャン
１８の蒸着位置の手前の位置には外部から酸素を導入す
る酸素ガス導入管１６が伸びている。
移送する手段として、それぞれ巻き出しロール１７、冷
却キャン１８、巻き取りロール２０を有し、冷却キャン
１８の蒸着位置の手前の位置には外部から酸素を導入す
る酸素ガス導入管１６が伸びている。
【００２７】この蒸着装置１０による蒸着は、次のよう
に行う。巻き出しロール１７に蒸着を行うフィルムＦを
セットし、真空ポンプ１４により蒸着装置１０内部を減
圧し、酸素ガス導入管１６から酸素ガスを導入する。巻
き出しロール１７から送り出されたフィルムＦは、冷却
キャン１８により冷却される。一方、電子ビーム銃１１
から電子ビーム１２が発射され、坩堝１９内に電子ビー
ム１２が照射され、坩堝１９内の磁性材料が蒸発する。
この蒸発した磁性材料が冷却されたフィルムＦ上に到達
するとそこで固化定着する。こうして蒸着が行われたフ
ィルムＦは巻き取りロール２０に巻き取られる。
に行う。巻き出しロール１７に蒸着を行うフィルムＦを
セットし、真空ポンプ１４により蒸着装置１０内部を減
圧し、酸素ガス導入管１６から酸素ガスを導入する。巻
き出しロール１７から送り出されたフィルムＦは、冷却
キャン１８により冷却される。一方、電子ビーム銃１１
から電子ビーム１２が発射され、坩堝１９内に電子ビー
ム１２が照射され、坩堝１９内の磁性材料が蒸発する。
この蒸発した磁性材料が冷却されたフィルムＦ上に到達
するとそこで固化定着する。こうして蒸着が行われたフ
ィルムＦは巻き取りロール２０に巻き取られる。
【００２８】この蒸着装置１０を用いて、下地層３上に
Ｃｏの蒸着により磁性層４を形成した。減圧は１０-4Ｐ
ａまで行い、酸素ガスの流量は１．２５リットル／分、
冷却キャン１８の温度は−４０℃、電子ビーム銃１１の
パワーは３０ｋＷとした。磁性層４の厚さは、１回の蒸
着で０．０５μｍの厚さの磁性層４を形成し、これを４
回繰り返して全厚０．２μｍの４層構造の磁性層４を形
成した。
Ｃｏの蒸着により磁性層４を形成した。減圧は１０-4Ｐ
ａまで行い、酸素ガスの流量は１．２５リットル／分、
冷却キャン１８の温度は−４０℃、電子ビーム銃１１の
パワーは３０ｋＷとした。磁性層４の厚さは、１回の蒸
着で０．０５μｍの厚さの磁性層４を形成し、これを４
回繰り返して全厚０．２μｍの４層構造の磁性層４を形
成した。
【００２９】この後は、スパッタ法によりカーボンから
なる保護膜５を厚さ約１０ｎｍに形成し、裏面にバック
コート処理を行いバックコート層６を形成した。さら
に、表面にパーフルオロポリエーテル系の潤滑剤を塗布
した。最後に６．３５ｍｍ幅にカットし、テープ状にし
て磁気記録媒体１を形成した。
なる保護膜５を厚さ約１０ｎｍに形成し、裏面にバック
コート処理を行いバックコート層６を形成した。さら
に、表面にパーフルオロポリエーテル系の潤滑剤を塗布
した。最後に６．３５ｍｍ幅にカットし、テープ状にし
て磁気記録媒体１を形成した。
【００３０】この磁気記録媒体１について、カラム２１
の粒径の測定を行った。走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）に
よる観察像において、図５に示すように、形状が円形の
円形カラム２５の場合はその直径Ｄをそのカラムの粒径
ｄとし、形状が楕円形の楕円形カラム２６の場合は長径
Ｄ1 と短径Ｄ2 の平均値をそのカラムの粒径ｄとした。
の粒径の測定を行った。走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）に
よる観察像において、図５に示すように、形状が円形の
円形カラム２５の場合はその直径Ｄをそのカラムの粒径
ｄとし、形状が楕円形の楕円形カラム２６の場合は長径
Ｄ1 と短径Ｄ2 の平均値をそのカラムの粒径ｄとした。
【００３１】測定エリアの面積は、図６に測定範囲の面
積と測定値の分布の関係図を示すように、１．０μｍ2
より狭い範囲での測定では、測定値のバラツキが大き
い。従って測定エリアの面積は１．０μｍ2 とした。そ
して、範囲内の全てのカラム２１の粒径ｄを測定し、そ
の平均値ａと分散σを求めた。
積と測定値の分布の関係図を示すように、１．０μｍ2
より狭い範囲での測定では、測定値のバラツキが大き
い。従って測定エリアの面積は１．０μｍ2 とした。そ
して、範囲内の全てのカラム２１の粒径ｄを測定し、そ
の平均値ａと分散σを求めた。
【００３２】磁性層４を４層構造にすることにより、カ
ラム２１の平均粒径ａが１０ｎｍ≦ａ≦３０ｎｍで、か
つカラム２１の粒径分布の分散σがσ／ａ≦０．４であ
る磁気記録媒体１が得られた。
ラム２１の平均粒径ａが１０ｎｍ≦ａ≦３０ｎｍで、か
つカラム２１の粒径分布の分散σがσ／ａ≦０．４であ
る磁気記録媒体１が得られた。
【００３３】（比較例１）磁性層４の蒸着を２回の繰り
返しで、全厚０．２μｍの２層構造の磁性層４を形成し
た他は実施例１と同様にして、磁気記録媒体１を形成し
た。
返しで、全厚０．２μｍの２層構造の磁性層４を形成し
た他は実施例１と同様にして、磁気記録媒体１を形成し
た。
【００３４】磁性層４を２層構造にすることにより、カ
ラム２１の平均粒径ａが８０ｎｍ≦ａ≦１１０ｎｍで、
かつカラム２１の粒径分布の分散σがσ／ａ≦０．４で
ある磁気記録媒体１が得られた。
ラム２１の平均粒径ａが８０ｎｍ≦ａ≦１１０ｎｍで、
かつカラム２１の粒径分布の分散σがσ／ａ≦０．４で
ある磁気記録媒体１が得られた。
【００３５】（比較例２）実施例１と同じ非磁性支持体
２上に、下地層を設けないで直接磁性層４を蒸着した。
また、図２の蒸着装置を用いて、蒸着の際の酸素ガスの
流量を０．９０リットル／分とし、Ｃｏを一度に０．２
μｍの厚さに蒸着し、単層構造の磁性層４を形成した。
この他の蒸着条件は実施例１と同様にして、磁気記録媒
体を形成した。
２上に、下地層を設けないで直接磁性層４を蒸着した。
また、図２の蒸着装置を用いて、蒸着の際の酸素ガスの
流量を０．９０リットル／分とし、Ｃｏを一度に０．２
μｍの厚さに蒸着し、単層構造の磁性層４を形成した。
この他の蒸着条件は実施例１と同様にして、磁気記録媒
体を形成した。
【００３６】この場合は、カラムの平均粒径ａが１６０
ｎｍ≦ａ≦１８０ｎｍで、かつカラムの粒径分布の分散
σがσ／ａ＝０．４である磁気記録媒体が得られた。
ｎｍ≦ａ≦１８０ｎｍで、かつカラムの粒径分布の分散
σがσ／ａ＝０．４である磁気記録媒体が得られた。
【００３７】これらの実施例１、比較例１及び比較例２
の各磁気記録媒体の試料をそれぞれ複数作製し、これら
の試料及びその他の条件で作製した試料に対して、ノイ
ズレベルとランダムエラーレートの測定を行った。
の各磁気記録媒体の試料をそれぞれ複数作製し、これら
の試料及びその他の条件で作製した試料に対して、ノイ
ズレベルとランダムエラーレートの測定を行った。
【００３８】ノイズレベルの測定には、市販のデジタル
ビデオカメラＤＶＣ−１０００（ソニー製）を使用し、
ＲＦ信号の出力を市販のスペクトラムアナライザー３５
８５Ｂ（ヒュートレットパッカード社製）にて測定し
た。ノイズレベルは、いわゆる媒体ノイズであり、図７
に示すように、キャリア周波数１／（４Ｔ）（記録波長
１．０μｍ）の矩形波を記録した場合のスペクトラムに
おける、１／（３．３３Ｔ）でのノイズレベルと１／
（５Ｔ）でのノイズレベルの平均値とした。
ビデオカメラＤＶＣ−１０００（ソニー製）を使用し、
ＲＦ信号の出力を市販のスペクトラムアナライザー３５
８５Ｂ（ヒュートレットパッカード社製）にて測定し
た。ノイズレベルは、いわゆる媒体ノイズであり、図７
に示すように、キャリア周波数１／（４Ｔ）（記録波長
１．０μｍ）の矩形波を記録した場合のスペクトラムに
おける、１／（３．３３Ｔ）でのノイズレベルと１／
（５Ｔ）でのノイズレベルの平均値とした。
【００３９】尚、このキャリア周波数１／（４Ｔ）は、
変調方式としてスクランブルドＮＲＺＩを用いている民
生用デジタルビデオにおいてエラーレートに最も影響の
大きい周波数である。
変調方式としてスクランブルドＮＲＺＩを用いている民
生用デジタルビデオにおいてエラーレートに最も影響の
大きい周波数である。
【００４０】一方、ランダムエラーレートの測定は、市
販のデジタルビデオカメラＤＶＣ−１０００（ソニー
製）を使用し、自作のエラーレート測定機により行っ
た。エラーの補正の限界は１．０×１０-3程度であるこ
とから、マージンを考慮するとエラーレートは１．０×
１０-4以下であることが望ましい。
販のデジタルビデオカメラＤＶＣ−１０００（ソニー
製）を使用し、自作のエラーレート測定機により行っ
た。エラーの補正の限界は１．０×１０-3程度であるこ
とから、マージンを考慮するとエラーレートは１．０×
１０-4以下であることが望ましい。
【００４１】測定により得られたカラムの平均粒径とノ
イズレベルとの関係を図８に示す。図８よりカラムの平
均粒径が大きくなるほど、ノイズレベルが高くなること
がわかる。
イズレベルとの関係を図８に示す。図８よりカラムの平
均粒径が大きくなるほど、ノイズレベルが高くなること
がわかる。
【００４２】次に、ノイズレベルとエラーレートとの関
係を図９に示す。図９より、ノイズレベルが高くなるに
つれてエラーレートが悪化し、ノイズレベルが−１２０
ｄＢｍ以上になると、エラーレートは１．０×１０-4以
上となる。いずれの試料についても１／（４Ｔ）での出
力は±０．３ｄＢの範囲内であったので、エラーレート
の変化はノイズレベルの変化によるものと判断される。
係を図９に示す。図９より、ノイズレベルが高くなるに
つれてエラーレートが悪化し、ノイズレベルが−１２０
ｄＢｍ以上になると、エラーレートは１．０×１０-4以
上となる。いずれの試料についても１／（４Ｔ）での出
力は±０．３ｄＢの範囲内であったので、エラーレート
の変化はノイズレベルの変化によるものと判断される。
【００４３】また、図８よりカラムの平均粒径ａが５０
ｎｍを越えるとノイズレベルが高くなるにつれてエラー
レートが悪化し、ノイズレベルが−１２０ｄＢｍとなる
ことから、カラムの平均粒径ａを５０ｎｍ以下とするこ
とで、エラーレートを１．０×１０-4以下とすることが
できることがわかる。
ｎｍを越えるとノイズレベルが高くなるにつれてエラー
レートが悪化し、ノイズレベルが−１２０ｄＢｍとなる
ことから、カラムの平均粒径ａを５０ｎｍ以下とするこ
とで、エラーレートを１．０×１０-4以下とすることが
できることがわかる。
【００４４】一方で、カラム内に存在する結晶粒子のサ
イズが数ｎｍのオーダーであり、カラムの粒径がそれ以
下になると、超常磁性領域となり磁性を消失する危険性
があるため、カラムの平均粒径は１０ｎｍ以上にする必
要がある。
イズが数ｎｍのオーダーであり、カラムの粒径がそれ以
下になると、超常磁性領域となり磁性を消失する危険性
があるため、カラムの平均粒径は１０ｎｍ以上にする必
要がある。
【００４５】以上の結果から、カラムの平均粒径ａを１
０ｎｍ≦ａ≦５０ｎｍとすることで、１．０×１０-4以
下の良好なランダムエラーレートを確保することができ
る。
０ｎｍ≦ａ≦５０ｎｍとすることで、１．０×１０-4以
下の良好なランダムエラーレートを確保することができ
る。
【００４６】次に、カラムの平均粒径ａが１０ｎｍ，３
０ｎｍ，５０ｎｍである試料における粒径分布の分散値
σを平均粒径ａで除した値σ／ａと、ノイズレベルとの
関係を図１０に示す。図１０より、いずれの試料におい
ても、σ／ａが大きくなる、すなわちバラツキが大きく
粒径分布が広くなるにつれて、ノイズレベルが高くなる
ことがわかる。平均粒径ａが５０ｎｍの試料において
は、σ／ａが０．４を越えるとエラーレートが１．０×
１０-4を越えるノイズレベル−１２０ｄＢｍに達する。
従って、カラムの平均粒径が５０ｎｍ程度の場合には、
σ／ａを０．４以下とすることで、エラーレートを１．
０×１０-4にすることができる。
０ｎｍ，５０ｎｍである試料における粒径分布の分散値
σを平均粒径ａで除した値σ／ａと、ノイズレベルとの
関係を図１０に示す。図１０より、いずれの試料におい
ても、σ／ａが大きくなる、すなわちバラツキが大きく
粒径分布が広くなるにつれて、ノイズレベルが高くなる
ことがわかる。平均粒径ａが５０ｎｍの試料において
は、σ／ａが０．４を越えるとエラーレートが１．０×
１０-4を越えるノイズレベル−１２０ｄＢｍに達する。
従って、カラムの平均粒径が５０ｎｍ程度の場合には、
σ／ａを０．４以下とすることで、エラーレートを１．
０×１０-4にすることができる。
【００４７】以上から、非磁性支持体上に成長するカラ
ムの平均粒径ａを１０ｎｍ≦ａ≦５０ｎｍとし、かつカ
ラムの粒径分布の分散σを平均粒径ａで除した値σ／ａ
をσ／ａ≦０．４の範囲とすることにより、１．０μｍ
以下の短波長領域における低ノイズ化が実現され、デジ
タル信号の記録において１．０×１０-4以下の良好なエ
ラーレートを確保することができる。すなわち、上述の
実施例の構成の磁気記録媒体を適用することにより、特
に良好なエラーレートが要求される、デジタル信号の記
録再生に用いる磁気記録媒体に好適な、良好なエラーレ
ートを有する磁気記録媒体を構成できることがわかる。
ムの平均粒径ａを１０ｎｍ≦ａ≦５０ｎｍとし、かつカ
ラムの粒径分布の分散σを平均粒径ａで除した値σ／ａ
をσ／ａ≦０．４の範囲とすることにより、１．０μｍ
以下の短波長領域における低ノイズ化が実現され、デジ
タル信号の記録において１．０×１０-4以下の良好なエ
ラーレートを確保することができる。すなわち、上述の
実施例の構成の磁気記録媒体を適用することにより、特
に良好なエラーレートが要求される、デジタル信号の記
録再生に用いる磁気記録媒体に好適な、良好なエラーレ
ートを有する磁気記録媒体を構成できることがわかる。
【００４８】上述の実施例においては、下地層、バック
コート層、保護膜をそれぞれ形成した磁気記録媒体とし
たが、これらの各層の一部または全部を有しない構成の
磁気記録媒体についても、上述の実施例と同様にして本
発明の効果を得ることが出来る。
コート層、保護膜をそれぞれ形成した磁気記録媒体とし
たが、これらの各層の一部または全部を有しない構成の
磁気記録媒体についても、上述の実施例と同様にして本
発明の効果を得ることが出来る。
【００４９】本発明の磁気記録媒体は、上述の例に限定
されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で
その他様々な構成が取り得る。
されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で
その他様々な構成が取り得る。
【００５０】
【発明の効果】上述の本発明による磁気記録媒体によれ
ば、非磁性支持体上に成長するカラムの平均粒径ａを１
０ｎｍ≦ａ≦５０ｎｍとし、かつカラムの粒径分布の分
散σを平均粒径ａで除した値σ／ａをσ／ａ≦０．４の
範囲とすることにより、１．０μｍ以下の短波長領域に
おける低ノイズ化が実現される。そして、１．０×１０
-4以下の良好なエラーレートを確保することができるの
で、特にデジタル信号の記録再生に好適な磁気記録媒体
を構成することができる。
ば、非磁性支持体上に成長するカラムの平均粒径ａを１
０ｎｍ≦ａ≦５０ｎｍとし、かつカラムの粒径分布の分
散σを平均粒径ａで除した値σ／ａをσ／ａ≦０．４の
範囲とすることにより、１．０μｍ以下の短波長領域に
おける低ノイズ化が実現される。そして、１．０×１０
-4以下の良好なエラーレートを確保することができるの
で、特にデジタル信号の記録再生に好適な磁気記録媒体
を構成することができる。
【図１】本発明の磁気記録媒体の実施例の概略構成図で
ある。
ある。
【図２】磁性層の蒸着に用いる蒸着装置の概略構成図で
ある。
ある。
【図３】カラムの構造を示す概念図である。
【図４】カラムの粒径の分散を説明する概念図である。
【図５】磁気記録媒体上面より見たカラムの状態を示す
図である。
図である。
【図６】測定エリアの面積とカラムの平均粒径との関係
を示す図である。
を示す図である。
【図７】ノイズレベルの定義を説明する図である。
【図８】カラムの平均粒径とノイズレベルとの関係を示
す図である。
す図である。
【図９】ノイズレベルとランダムエラーレートとの関係
を示す図である。
を示す図である。
【図１０】カラムのσ／ａとノイズレベルとの関係を示
す図である。
す図である。
１ 磁気記録媒体、２，２３ 非磁性支持体、３ 下地
層、４ 磁性層、５ 保護膜、６ バックコート層、１
０ 蒸着装置、１１ 電子ビーム銃、１２ 電子ビー
ム、１３ チャンバー、１４ 真空ポンプ、１５ コン
ダクタンスバルブ、１６ 酸素ガス導入管、１７ 巻き
出しロール、１８ 冷却キャン、１９ 坩堝、２０ 巻
き取りロール、２１ カラム、２２ カラム内結晶粒
子、２４ 磁性層、２５ 円形カラム、２６ 楕円形カ
ラム、Ｆ フィルム、ｄ カラムの粒径、Ｄ 直径、Ｄ
1 長径、Ｄ2 短径
層、４ 磁性層、５ 保護膜、６ バックコート層、１
０ 蒸着装置、１１ 電子ビーム銃、１２ 電子ビー
ム、１３ チャンバー、１４ 真空ポンプ、１５ コン
ダクタンスバルブ、１６ 酸素ガス導入管、１７ 巻き
出しロール、１８ 冷却キャン、１９ 坩堝、２０ 巻
き取りロール、２１ カラム、２２ カラム内結晶粒
子、２４ 磁性層、２５ 円形カラム、２６ 楕円形カ
ラム、Ｆ フィルム、ｄ カラムの粒径、Ｄ 直径、Ｄ
1 長径、Ｄ2 短径
Claims (2)
- 【請求項１】 非磁性支持体上に、磁性層を斜め蒸着に
より形成してなる磁気記録媒体において、 上記非磁性支持体に成長されるカラムの平均粒径ａを、
１０ｎｍ≦ａ≦５０ｎｍとし、 かつ該カラムの粒径分布の分散をσとするとき、σ／ａ
≦０．４の範囲内とすることを特徴とする磁気記録媒
体。 - 【請求項２】 デジタル信号の記録再生を行うために用
いることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8157117A JPH103638A (ja) | 1996-06-18 | 1996-06-18 | 磁気記録媒体 |
| KR1019970025141A KR980004416A (ko) | 1996-06-18 | 1997-06-17 | 자기 기록 매체 |
| US08/876,338 US5908711A (en) | 1996-06-18 | 1997-06-17 | Magnetic recording medium |
| CN97112789A CN1174370A (zh) | 1996-06-18 | 1997-06-17 | 磁记录介质 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8157117A JPH103638A (ja) | 1996-06-18 | 1996-06-18 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH103638A true JPH103638A (ja) | 1998-01-06 |
Family
ID=15642594
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8157117A Abandoned JPH103638A (ja) | 1996-06-18 | 1996-06-18 | 磁気記録媒体 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5908711A (ja) |
| JP (1) | JPH103638A (ja) |
| KR (1) | KR980004416A (ja) |
| CN (1) | CN1174370A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6924048B2 (en) | 1998-07-03 | 2005-08-02 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording medium and a magnetic storage apparatus |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6110609A (en) * | 1997-09-02 | 2000-08-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetic thin film and magnetic head using the same |
| JP3670119B2 (ja) * | 1997-09-16 | 2005-07-13 | ▲禎▼彦 弘津 | 機能性粒子分散型薄膜とグラニュラー磁性薄膜およびそれらの製造方法 |
| US7235313B2 (en) * | 2002-10-08 | 2007-06-26 | Matsushita Electic Industrial Co., Ltd. | Magneto-optical recording medium, method of manufacturing magneto-optical recording medium, method of recording on magneto-optical recording medium, and method of reproduction from magneto-optical recording medium |
| US7241519B2 (en) * | 2003-07-07 | 2007-07-10 | Sony Corporation | Magnetic recording medium with columar magnetic layer |
| CN113494793A (zh) | 2020-03-20 | 2021-10-12 | Lg电子株式会社 | 食物储存装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA1235808A (en) * | 1984-03-22 | 1988-04-26 | Tetsuo Oka | Vertical magnetic recording medium and process for preparation thereof |
| JPS6150211A (ja) * | 1984-08-20 | 1986-03-12 | Res Dev Corp Of Japan | 垂直磁気記録媒体およびその製法 |
| JPH05101365A (ja) * | 1991-03-22 | 1993-04-23 | Tdk Corp | 垂直磁気記録媒体およびその製造方法 |
-
1996
- 1996-06-18 JP JP8157117A patent/JPH103638A/ja not_active Abandoned
-
1997
- 1997-06-17 CN CN97112789A patent/CN1174370A/zh active Pending
- 1997-06-17 KR KR1019970025141A patent/KR980004416A/ko not_active Withdrawn
- 1997-06-17 US US08/876,338 patent/US5908711A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6924048B2 (en) | 1998-07-03 | 2005-08-02 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording medium and a magnetic storage apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR980004416A (ko) | 1998-03-30 |
| CN1174370A (zh) | 1998-02-25 |
| US5908711A (en) | 1999-06-01 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050329 |
|
| A762 | Written abandonment of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A762 Effective date: 20050526 |