JPH1036593A - 半導電性ゴム組成物および電子写真装置部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 電気抵抗が安定した半導電性ゴム組成物およ
びそれからなる電子写真装置部材を提供する。 【解決手段】 下記（ａ）〜（ｅ）の特性を有するエチ
レン／α−オレフィン／非共役ジエン共重合体ゴム１０
０重量部と導電性フィラー５重量部以上５０重量部以下
からなる半導電性ゴム組成物。 （ａ）α−オレフィンの炭素数：４以上２０以下、
（ｂ）α−オレフィンの含量：２０モル％以上９０モル
％以下、（ｃ）１００℃におけるムーニー粘度：３０以
上２００未満、（ｄ）ヨウ素価：３以上５０以下、
（ｅ）分子量分布：３以下

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電気抵抗の安定し
た半導電性ゴム組成物およびそれからなる電子写真装置
部材に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】電子写真装置において、感光ドラムなど
からなる像担持体上に形成されたトナー像を紙などの転
写材上へ転写する転写方式として種々の方式が知られて
いる。その中でも、装置の小型化に有効であり、転写に
必要な印加電圧が低くて済み、オゾンなどのコロナ生成
物が少なく、転写材の搬送安定性に優れているなどの利
点から、接触式ロールを用いた転写方式が注目されてい
る。この方式による接触式ロール（帯電ロール）には、
耐オゾン性に優れ、かつ電気抵抗が１〜１０¹⁰Ω・ｃｍ
の半導電性を示す材料が望まれている。現在、この用途
にはエチレン−プロピレン−ジエン共重合体ゴム（ＥＰ
ＤＭ）に導電性フィラーを添加した材料がしばしば用い
られている。しかしながら、ＥＰＤＭに導電性フィラー
を添加した材料は、成形加工条件によって電気抵抗の変
動が大きく、その制御が極めて困難であった。さらに
は、成形条件を一定に制御しても、その電気抵抗値は安
定せず、製品間による変動のため歩留まりの悪化が避け
られなかった。この問題を回避するため、ＥＰＤＭのか
わりにシリコーンゴムやウレタンゴムなどの液状ゴムを
用いる例が報告されている（特開平１−１２６３７０号
公報、特開平６−２４８１７４号公報など）ものの、
（１）架橋前のゴム成分が液状であるために取り扱いが
困難であり、製造プロセスが複雑になる（２）ウレタン
ゴムの場合には原材料に毒性がある場合が多いなど、使
用に際しての問題も多かった。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、電気抵抗が
安定した半導電性ゴム組成物およびそれからなる電子写
真装置部材を提供するものである。

【０００４】

【課題を解決するための手段】本発明者らは上記課題を
達成するために鋭意検討を行った結果、本発明を完成す
るに至った。すなわち本発明は、下記（ａ）〜（ｅ）の
特性を有するエチレン／α−オレフィン／非共役ジエン
共重合体ゴム１００重量部と導電性フィラー５重量部以
上５０重量部以下からなる半導電性ゴム組成物およびそ
れからなる電子写真装置部材に関するものである。

【０００５】（ａ）α−オレフィンの炭素数：４以上２
０以下 （ｂ）α−オレフィンの含量：２０モル％以上９０モル
％以下 （ｃ）１００℃におけるムーニー粘度（ＭＬ₁₊₄）：３
０以上２００未満 （ｄ）ヨウ素価：３以上５０以下 （ｅ）ゲルパーミエーションクロマトグラフィーで求め
た分子量分布（重量平均分子量／数平均分子量）：３以
下 以下に、その詳細について説明する。

【０００６】本発明で使用するエチレン／α−オレフィ
ン／非共役ジエン共重合体ゴムに用いられるα−オレフ
ィンは炭素数４以上２０以下のものであり、例えば、１
−ブテン、１−ペンテン、１−ヘキセン、４−メチル−
１−ペンテン、１−ヘプテン、１−オクテン、１−ノネ
ン、１−デセン、１−ウンデセン、１−ドデセン、１−
トリデセン、１−テトラデセン、１−ペンタデセン、１
−ヘキサデセン、１−ヘプタデセン、１−オクタデセ
ン、１−ノナデセン、１−エイコセン等が挙げられ、こ
れらの１種もしくは２種以上が用いられる。なかでも１
−ヘキセン、１−オクテンを用いると本発明の半導電性
ゴムの電気抵抗の安定性は一層優れるために好ましい。

【０００７】α−オレフィンの含量は２０モル％以上９
０モル％以下、好ましくは２５モル％以上５０モル％以
下である。α−オレフィンの含量が２０モル％未満であ
ると本発明の半導電性ゴム組成物の柔軟性が損なわれる
恐れがあり、９０モル％を越えるとポリマーの生産性が
低下し、製造が困難になる。また、２５モル％以上５０
モル％以下であることによって、本発明の半導電性ゴム
の電気抵抗の安定性が一層優れるために好ましい。

【０００８】また、本発明で使用するエチレン／α−オ
レフィン／非共役ジエン共重合体ゴムに用いられる非共
役ジエンとしては、１，４−ペンタジエン、１，４−ヘ
キサジエン、１，５−ヘキサジエン、４−メチル−１，
４−ヘキサジエン、５−メチル−１，４−ヘキサジエ
ン、４−メチル−１，５−ヘプタジエン、１，６−オク
タジエン、１，７−オクタジエン、１，８−ノナジエ
ン、１，９−デカジエン、５−メチレン−２−ノルボル
ネン、５−エチリデン−２−ノルボルネン、５−イソプ
ロペニル−２−ノルボルネン、２，５−ノルボナジエ
ン、１，６−シクロオクタジエン、２−エチレン−２，
５−ノルボナジエン、２−イソプロペニル−２，５−ノ
ルボナジエン、ジシクロペンタジエン、トリシクロペン
タジエンおよびジハイドロジシクロペンタジエニルオキ
シエチレンとアクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸、
マレイン酸、フマル酸等の不飽和カルボン酸とのエステ
ルなどが挙げられ、これらの１種または２種以上が用い
られる。

【０００９】非共役ジエンの含量はヨウ素価でもって表
すことが可能であり、ヨウ素価としては３以上５０以
下、好ましくは５以上４０以下である。ヨウ素価が３未
満であると充分な加硫効果が認められず、ヨウ素価が５
０を越えると重合時にゲルの発生を生じやすくなる。な
お、ヨウ素価は公知の方法によって測定可能である（例
えば”ゴム試験法”Ｐ．６５７、日本ゴム協会編、（１
９６３））。

【００１０】本発明において用いられるエチレン／α−
オレフィン／非共役ジエン共重合体ゴムの１００℃にお
けるムーニー粘度（ＭＬ₁₊₄）は３０以上２００未満、
好ましくは５０以上１５０以下である。ムーニー粘度が
３０未満または２００以上であると成形不良を生じる恐
れがある。また、５０以上１５０以下であることによっ
て、本発明の半導電性ゴムの電気抵抗の安定性が一層優
れるために好ましい。

【００１１】本発明において用いられるエチレン／α−
オレフィン／非共役ジエン共重合体ゴムのゲルパーミエ
ーションクロマトグラフィーによって測定した分子量分
布（重量平均分子量／数平均分子量）は３以下、好まし
くは２．５以下である。分子量分布が３を越えると得ら
れる本発明の組成物のべたつきが大きくなる恐れがあ
る。

【００１２】上述のエチレン／α−オレフィン／非共役
ジエン共重合体ゴムの製造方法は特に限定されず、チタ
ン系触媒、バナジウム系触媒、メタロセン系触媒など種
々の触媒を用いて製造することができる。なかでも、共
重合性に優れたメタロセン系触媒を用いて製造すること
が好ましい。この方法により高活性で、分子量分布およ
び組成分布の狭い共重合体を得ることが可能である。

【００１３】メタロセン系触媒としては、メタロセン系
化合物とアルミノキサン化合物との組合せ（特開昭５８
−１９３０９号公報、同６０−３５００６号公報、同６
１−１３０３１４号公報、特開平３−１６３０８８号公
報）、あるいはメタロセン系化合物と、これと反応して
安定なアニオンを形成するイオン化イオン性化合物との
組合せ（特表平１−５０２０３６号公報、ＷＯ９１／１
４７１３号公報、ＷＯ９２／０１７２３号公報、特開平
５−３１０８２９号公報）が挙げられる。しかし、一般
にエチレン／α−オレフィン共重合において、α−オレ
フィンの含量の増大とともに分子量が低下することが知
られている。そこで、本発明に用いる高分子量エチレン
／α−オレフィン／非共役ジエン共重合体ゴムを効率よ
く生産するためには、以下に示す化合物からなる触媒を
用いることが好ましい。

【００１４】ａ）下記一般式（１）で表される遷移金属
化合物 ｂ）下記一般式（２）、（３）、（４）、（５）で表さ
れる上記遷移金属化合物をカチオン性遷移金属化合物と
し得る成分 ｃ）下記一般式（６）で表される有機アルミニウム化合
物 ａ）遷移金属化合物は、下記一般式（１）

【００１５】

【化１】

【００１６】［Ｃｐ¹はシクロペンタジエニル基、イン
デニル基、フルオレニル基またはそれらの置換体であ
り、Ｃｐ²は無置換または置換基（−Ｒ，−ＢＲ₂，−Ｓ
ｉＲ₃，−ＮＲ₂，−ＰＲ₂，−ＯＲ，−ＳＲ，−Ｆ，−
Ｃｌ，−Ｂｒ，−Ｉ：ただし、Ｒは水素または炭素数１
〜２０の炭化水素基である）を有するフルオレニル基で
あり、Ｒ¹，Ｒ²は各々独立して水素、ハロゲンまたは炭
素数１〜１２の炭化水素基、アルコキシ基またはアリー
ロキシ基であり、また、少なくとも一方がアリール基ま
たは置換アリール基であり、Ｍはチタン、ジルコニウム
またはハフニウムであり、Ｒ³，Ｒ⁴は各々独立して水
素、ハロゲンまたは炭素数１〜１２の炭化水素基、アル
コキシ基もしくはアリーロキシ基である。］である。

【００１７】一般式（１）の具体例としては、ジフェニ
ルメチレン（シクロペンタジエニル）（フルオレニル）
ジルコニウムジクロライド、メチルフェニルメチレン
（シクロペンタジエニル）（フルオレニル）ジルコニウ
ムジクロライド、ジフェニルメチレン（シクロペンタジ
エニル）（２，７−ジ−ｔ−ブチルフルオレニル）ジル
コニウムジクロライド、メチルフェニルメチレン（シク
ロペンタジエニル）（２，７−ジ−ｔ−ブチルフルオレ
ニル）ジルコニウムジクロライド、ジフェニルメチレン
（シクロペンタジエニル）（２，７−ジメチルフルオレ
ニル）ジルコニウムジクロライド、メチルフェニルメチ
レン（シクロペンタジエニル）（２，７−ジメチルフル
オレニル）ジルコニウムジクロライド、ジフェニルメチ
レン（シクロペンタジエニル）（２，７−ジフェニルフ
ルオレニル）ジルコニウムジクロライド、メチルフェニ
ルメチレン（シクロペンタジエニル）（２，７−ジフェ
ニルフルオレニル）ジルコニウムジクロライド、ジフェ
ニルメチレン（シクロペンタジエニル）（ａ，ｉ−ジベ
ンゾフルオレニル）ジルコニウムジクロライド、メチル
フェニルメチレン（シクロペンタジエニル）（ａ，ｉ−
ジベンゾフルオレニル）ジルコニウムジクロライド、ジ
フェニルメチレン（シクロペンタジエニル）（ｂ，ｈ−
ジベンゾフルオレニル）ジルコニウムジクロライド、メ
チルフェニルメチレン（シクロペンタジエニル）（ｂ，
ｈ−ジペンゾフルオレニル）ジルコニウムジクロライ
ド、ジ（４−トリル）メチレン（シクロペンタジエニ
ル）（フルオレニル）ジルコニウムジクロライド、ジ
（４−ビフェニル）メチレン（シクロペンタジエニル）
（フルオレニル）ジルコニウムジクロライド、ジフェニ
ルメチレン（シクロペンタジエニル）（２−ジメチルア
ミノフルオレニル）ジルコニウムジクロライド、メチル
フェニルメチレン（シクロペンタジエニル）（２−ジメ
チルアミノフルオレニル）ジルコニウムジクロライド、
ジフェニルメチレン（シクロペンタジエニル）（２−メ
トキシフルオレニル）ジルコニウムジクロライド、メチ
ルフェニルメチレン（シクロペンタジエニル）（２−メ
トキシフルオレニル）ジルコニウムジクロライド、ジフ
ェニルメチレン（３−メチルシクロペンタジエニル）
（フルオレニル）ジルコニウムジクロライド、メチルフ
ェニルメチレン（３−メチルシクロペンタジエニル）
（フルオレニル）ジルコニウムジクロライド、ジフェニ
ルメチレン（３，４−ジメチルシクロペンタジエニル）
（フルオレニル）ジルコニウムジクロライド、メチルフ
ェニルメチレン（３，４−ジメチルシクロペンタジエニ
ル）（フルオレニル）ジルコニウムジクロライドおよび
上記化合物のジルコニウムをチタンまたはハフニウムに
置換した化合物等が挙げられるが、これらに限定される
ものではない。なかでも置換フルオレニル基を配位子に
持ち、ハフニウムを中心金属とした化合物が共重合性に
優れ、さらにより高分子量化が可能という点で好まし
い。

【００１８】ｂ）上記遷移金属化合物をカチオン性遷移
金属化合物とし得る成分として、プロトン酸（２）、ル
イス酸（３）、イオン化イオン性化合物（４）、ルイス
酸性化合物（５）が挙げられる。

【００１９】プロトン酸は、下記一般式（２） ［ＨＬ¹ _l］［Ｍ¹Ｒ⁵ ₄］ （２） ［式中、Ｈはプロトンであり、Ｌ¹は各々独立してルイ
ス塩基であり、ｌは０＜ｌ≦２であり、Ｍ¹はホウ素原
子、アルミニウム原子またはガリウム原子であり、Ｒ⁵
は各々独立して炭素数６〜２０のハロゲン置換アリール
基である。］で表される化合物である。

【００２０】ルイス酸は、下記一般式（３） ［Ｃ］［Ｍ¹Ｒ⁵ ₄］ （３） ［式中、Ｃはカルボニウムカチオンまたはトロピリウム
カチオンであり、Ｍ¹はホウ素原子、アルミニウム原子
またはガリウム原子であり、Ｒ⁵は各々独立して炭素数
６〜２０のハロゲン置換アリール基である。］で表され
る化合物である。

【００２１】イオン化イオン性化合物は、下記一般式
（４） ［Ｍ²Ｌ² _m］［Ｍ¹Ｒ⁵ ₄］ （４） ［式中、Ｍ²は周期表２族、８族、９族、１０族、１１
族または１２族から選ばれる金属の陽イオンであり、Ｌ
²はルイス塩基またはシクロペンタジエニル基であり、
ｍは０≦ｍ≦２であり、Ｍ¹はホウ素原子、アルミニウ
ム原子またはガリウム原子であり、Ｒ⁵は各々独立して
炭素数６〜２０のハロゲン置換アリール基である。］で
表される化合物である。

【００２２】ルイス酸性化合物は、下記一般式（５） ［Ｍ¹Ｒ⁵ ₃］ （５） ［式中、Ｍ¹はホウ素原子、アルミニウム原子またはガ
リウム原子であり、Ｒ⁵は各々独立して炭素数６〜２０
のハロゲン置換アリール基である。］で表される化合物
である。

【００２３】触媒の構成成分として用いられるプロトン
酸（２）、ルイス酸（３）、イオン化イオン性化合物
（４）、ルイス酸性化合物（５）は、上記の遷移金属化
合物と反応し、カチオン性遷移金属化合物を生成し得る
化合物であり、生成したカチオン性遷移金属化合物に対
して対アニオンを提供する化合物である。

【００２４】一般式（２）で表されるプロトン酸の具体
例として、ジエチルオキソニウムテトラキス（ペンタフ
ルオロフェニル）ボレート、ジメチルオキソニウムテト
ラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、テトラメ
チレンオキソニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニ
ル）ボレート、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリニウムテトラキ
ス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、トリ−ｎ−ブ
チルアンモニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニ
ル）ボレート、ジエチルオキソニウムテトラキス（ペン
タフルオロフェニル）アルミネート、ジメチルオキソニ
ウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）アルミネー
ト、テトラメチレンオキソニウムテトラキス（ペンタフ
ルオロフェニル）アルミネート、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニ
リニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）アルミ
ネート、トリ−ｎ−ブチルアンモニウムテトラキス（ペ
ンタフルオロフェニル）アルミネート等を挙げることが
できるが、これらに限定されるものではない。

【００２５】一般式（３）で表されるルイス酸として
は、具体的にはトリチルテトラキス（ペンタフルオロフ
ェニル）ボレート、トリチルテトラキス（ペンタフルオ
ロフェニル）アルミネート、トロピリウムテトラキス
（ペンタフルオロフェニル）ボレート、トロピリウムテ
トラキス（ペンタフルオロフェニル）アルミネート等を
挙げることができるが、これらに限定されるものではな
い。

【００２６】一般式（４）で表されるイオン化イオン性
化合物としては、具体的にはリチウムテトラキス（ペン
タフルオロフェニル）ボレート、リチウムテトラキス
（ペンタフルオロフェニル）アルミネート等のリチウム
塩、またはそのエーテル錯体、フェロセニウムテトラキ
ス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、フェロセニウ
ムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）アルミネート
等のフェロセニウム塩、シルバーテトラキス（ペンタフ
ルオロフェニル）ボレート、シルバーテトラキス（ペン
タフルオロフェニル）アルミネート等の銀塩等を挙げる
ことができるが、これらに限定されるものではない。

【００２７】一般式（５）で表されるルイス酸性化合物
の具体的な例として、トリス（ペンタフルオロフェニ
ル）ボラン、トリス（２，３，５，６−テトラフルオロ
フェニル）ボラン、トリス（２，３，４，５−テトラフ
ェニルフェニル）ボラン、トリス（３，４，５−トリフ
ルオロフェニル）ボラン、フェニルビス（ペンタフルオ
ロフェニル）ボラン、トリス（３，４，５−トリフルオ
ロフェニル）アルミニウム等が挙げられるが、これらに
限定されるものではない。

【００２８】ｃ）有機金属化合物としては、周期表１
族、２族、３族、ＳｎまたはＺｎを含む有機金属化合物
を挙げることができ、具体的には下記一般式（６） ［Ｍ³Ｒ⁶ _n］ （６） ［式中、Ｍ³は周期表１族、２族、３族、ＳｎまたはＺ
ｎの元素である。Ｒ⁶は各々独立して水素、炭素数１〜
２４のアルキル基もしくはアルコキシ基、または炭素数
６〜２４のアリール基、アリールオキシ基、アリールア
ルキル基、アリールアルコキシ基、アルキルアリール基
もしくはアルキルアリールオキシ基であり、少なくとも
１つのＲ⁶は水素原子、炭素数１〜２４のアルキル基ま
たは炭素数６〜２４のアリール基、アリールアルキル基
もしくはアルキルアリール基である。ｎはＭ³の酸化数
に等しい。］で表される有機金属化合物である。

【００２９】前記一般式（６）で表される化合物として
は、例えば、トリメチルアルミニウム、トリエチルアル
ミニウム、トリイソプロピルアルミニウム、トリ−ｎ−
プロピルアルミニウム、トリイソブチルアルミニウム、
トリ−ｎ−ブチルアルミニウム、トリアミルアルミニウ
ム、ジメチルアルミニウムエトキサイド、ジエチルアル
ミニウムエトキサイド、ジイソプロピルアルミニウムエ
トキサイド、ジ−ｎ−プロピルアルミニウムエトキサイ
ド、ジイソブチルアルミニウムエトキサイド、ジ−ｎ−
ブチルアルミニウムエトキサイド、ジメチルアルミニウ
ムハイドライド、ジエチルアルミニウムハイドライド、
ジイソプロピルアルミニウムハイドライド、ジ−ｎ−プ
ロピルアルミニウムハイドライド、ジイソブチルアルミ
ニウムハイドライド、ジ−ｎ−ブチルアルミニウムハイ
ドライド等を例示することができるが、これらに限定さ
れるものではない。

【００３０】本発明において用いられる導電性フィラー
としては、導電性カーボンブラック、酸化チタン、酸化
ルテニウム、四三酸化鉄、酸化スズ、導電性ウィスカ
ー、アルカリ金属塩、炭素繊維、複酸化物などの１種ま
たは２種以上が用いられる。なかでも入手の容易さから
導電性カーボンブラックが好んで用いられる。導電性カ
ーボンブラックの種類および量は、目的とする電気抵抗
に応じて操作することが可能であるが、比表面積が５０
０ｍ²／ｇ以上のカーボンブラックを用いることが好ま
しい。比表面積が５００ｍ²／ｇ未満のカーボンブラッ
クでは半導電性の性質を損なう恐れがある。また、比表
面積は公知の低温窒素吸着法によって評価される。

【００３１】導電性フィラーの添加量は、エチレン／α
−オレフィン／非共役ジエン共重合体ゴム１００重量部
に対して５重量部以上５０重量部以下である。５重量部
未満であると本発明の半導電性ゴム組成物の電気抵抗値
が大きくなりすぎる恐れがあり、５０重量部を越えると
電気抵抗の安定性が損なわれる恐れがある。

【００３２】また、本発明の半導電性ゴム組成物には電
気抵抗の安定を目的として、イオン系および非イオン系
の界面活性剤を添加することも可能である。

【００３３】また、本発明の半導電性ゴム組成物には、
補強性カーボンブラックを添加することも可能である。
補強性カーボンブラックとしては、１Ω・ｃｍ以上の比
抵抗を有するものを好適に利用できる。この補強性カー
ボンブラックとしては、例えばＨＡＦ、ＦＥＦ、ＩＳＡ
Ｆ、ＳＡＦ、ＳＲＦ、ＦＴ、ＥＰＣ、ＭＰＣなどを用い
ることができる。

【００３４】また、本発明の半導電性ゴムには硬度を調
整したり、電気抵抗値を安定化する目的で軟化材を添加
してもよい。この軟化材としては、パラフィン系軟化
剤、ナフテン系軟化剤、アロマ系軟化剤、アスファル
ト、ワセリン、オゾケライト、トール油、低重合度フェ
ノールホルムアルデヒド樹脂、低融点スチレン樹脂など
を用いることができる。

【００３５】本発明の半導電性ゴムの架橋方法に限定は
なく、公知の加硫剤が用いられる。また、加硫剤ととも
に、加硫促進剤、共架橋剤、加硫遅延剤、分散剤、スコ
ーチ防止剤、ステアリン酸、亜鉛華などを併用すること
も可能である。さらに、本発明の半導電性ゴムの性能を
落とさない程度に、タルク、クレー、シリカ、粘着付与
剤、老化防止剤、熱安定剤、難燃剤、難燃助剤、紫外線
吸収剤、発泡剤、消泡剤、防錆剤、防黴剤等を必要に応
じて添加してもよい。

【００３６】また、本発明の半導電性ゴムの性能を損な
わない程度に、他のゴムや樹脂を添加することも可能で
ある。添加できるゴムとしては、ＥＰＤＭ、ブチルゴ
ム、天然ゴム、アクリロニトリルブタジエンゴム、ブタ
ジエンゴム、イソプレンゴム、スチレンブタジエンゴ
ム、シリコーンゴム、ポリノルボルネンゴム、ポリヘキ
センゴムおよびクロロプレンゴムが挙げられる。また、
添加できる樹脂としては低密度ポリエチレン、高密度ポ
リエチレン、エチレン・酢酸ビニル共重合体、ポリブテ
ン、ポリプロピレン、ポリ（４−メチル−１−ペンテ
ン）、スチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合
体、スチレン−エチレンブテン−スチレンブロック共重
合体、スチレン−エチレンプロピレン−スチレンブロッ
ク共重合体およびオレフィン系熱可塑性エラストマーが
挙げられる。

【００３７】本発明の半導電性ゴム組成物の製造方法は
特に限定を受けず、公知の方法でエチレン／α−オレフ
ィン／非共役ジエン共重合体ゴムと導電性フィラーを、
必要に応じて加硫剤またはその他の副資材をブレンドし
た後、賦形および架橋することができる。

【００３８】本発明の半導電性ゴム組成物は、ロール、
板などの任意の形状に賦形された後、必要に応じて研
磨、コーティングなどの表面加工、さらには、他の樹脂
およびゴムとの積層などを施され、帯電ロールなどの電
子写真装置部材に好んで用いられる。

【００３９】

【実施例】以下に、実施例を挙げて本発明を説明する
が、これらは例示的なものであって、限定的なものでは
ない。実施例中の各種測定は下記の方法により行った。

【００４０】（エチレン／１−ヘキセン／５−エチリデ
ン−２−ノルボルネン共重合体ゴムの１−ヘキセン含量
の測定）ｏ−ジクロロベンゼン／ｄ₆−ベンゼン（９０
／１０容量％）を溶媒に、１００ＭＨｚ，¹³Ｃ−ＮＭＲ
スペクトル（日本電子（株）製 ＪＮＭ ＧＸ４００）
測定を行い、Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ，１５，１
４０２（１９８２）に従い算出した。

【００４１】（ムーニー粘度の測定）島津製作所製 ム
ーニー粘度計を用いて、生ゴムの１００℃でのムーニー
粘度を測定した。ローターはＬ型、予熱時間は１分、ロ
ーターの作動時間は４分とした。

【００４２】（分子量分布の測定）溶媒にｏ−ジクロロ
ベンゼンを用い、１４０℃におけるゲルパーミエーショ
ンクロマトグラフィー（ミリポア（株）社製 １５０Ｃ
型ＧＰＣ）を用いて、分子量分布（重量平均分子量／数
平均分子量）を求めた。

【００４３】（体積抵抗の測定）四端子電極型電気抵抗
測定装置（三菱化学製、ロレスタＡＰ ＭＣＰ−Ｔ４０
０）を用いて、体積抵抗を測定した。

【００４４】エチレン／１−ヘキセン／５−エチリデン
−２−ノルボルネン共重合体ゴムの合成例 ５ｌのオートクレーブに、トルエン２２００ｍｌ、５−
エチリデン−２−ノルボルネン ５０ｍｌ、１−ヘキセ
ン ７５０ｍｌを加え、撹拌させながら内温を８０℃に
昇温した。さらに、全圧が８ｋｇ／ｃｍ²になるように
エチレンを導入した。次に、別の反応容器にトルエン１
０ｍｌ、公知の方法により合成したジフェニルメチレン
（シクロペンタジエニル）（フルオレニル）ハフニウム
ジクロライド ３マイクロモル、トリイソブチルアルミ
ニウム ３ミリモル、ジメチルアニリニウムペンタフル
オロフェニルボレート ３．６マイクロモルを加え、こ
の混合溶液を２０分間撹拌した後、オートクレーブに導
入し、重合を開始した。この重合は、エチレンを連続的
に導入することで全圧を８ｋｇ／ｃｍ²に保ち、８０℃
で１０分間行った。

【００４５】重合終了後、多量のエタノールによりポリ
マーを洗浄し、８０℃で１２時間減圧乾燥を行った。そ
の結果、１−ヘキセン含量 ４５モル％、ヨウ素価１５
のエチレン／１−ヘキセン／５−エチリデン−２−ノル
ボルネン共重合体ゴム １０７ｇを得た。この共重合体
の１００℃におけるムーニー粘度（ＭＬ₁₊₄（１００
℃））は６５、分子量分布は１．８であった。

【００４６】実施例１ 表面温度５０℃の６インチロール混練機（関西ロール）
に、合成例で得たエチレン／１−ヘキセン／５−エチリ
デン−２−ノルボルネン共重合体ゴム １００重量部、
ステアリン酸１重量部を投入し、混練した。その後、導
電性カーボンブラック（Ｐｒｉｎｔｅｒ ＸＥ２、デグ
サ社製、比表面積９５０ｍ²／ｇ）１０重量部、亜鉛華
５重量部、テトラメチルチウラムジスルフィド（ＴＭＴ
Ｄ）１重量部、２−メルカプトベンゾチアゾール（ＭＢ
Ｔ）０．５重量部、硫黄１．５重量部をこの順で添加
し、ゴムコンパウンドを得た。

【００４７】得られたゴムコンパウンドを５０℃に設定
したラボプラストミル単軸押出機（東洋精機製作所社
製）にてロール形状に押出し加硫した。これを１５０℃
に設定した加硫管にて３０分間放置し、二次加硫を行っ
た。得られたゴムロールの任意の１２箇所について体積
抵抗を測定した。結果を表１に示す。

【００４８】比較例１ エチレン／１−ヘキセン／５−エチリデン−２−ノルボ
ルネン共重合体ゴムのかわりに、エチレン／プロピレン
／５−エチリデン−２−ノルボルネン共重合体ゴム（Ｊ
ＳＲＥＰ２４，ヨウ素価１５、ＭＬ₁₊₄（１００℃）６
５）を用いた以外は実施例１と同様の方法でゴムロール
を得、試験を行った。結果を表１に示す。

【００４９】比較例２ 導電性カーボンブラックのかわりに、ＨＡＦカーボン
（三菱化学製、ダイヤブラックＨ、比表面積８６ｍ²／
ｇ）を用いた以外は実施例１と同様の方法でゴムロール
を得、試験を行った。結果を表１に示す。

【００５０】

【表１】

【００５１】

【発明の効果】以上述べたように、本発明の半導電性ゴ
ム組成物は安定した電気抵抗を示し、電子写真装置部材
に好んで用いることができる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０８Ｌ 23/08 ＫＥＣ Ｃ０８Ｌ 23/08 ＫＥＣ 47/00 ＬＫＣ 47/00 ＬＫＣ

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】下記（ａ）〜（ｅ）の特性を有するエチレ
   ン／α−オレフィン／非共役ジエン共重合体ゴム１００
   重量部と導電性フィラー５重量部以上５０重量部以下か
   らなる半導電性ゴム組成物。 （ａ）α−オレフィンの炭素数：４以上２０以下 （ｂ）α−オレフィンの含量：２０モル％以上９０モル
   ％以下 （ｃ）１００℃におけるムーニー粘度（ＭＬ₁₊₄）：３
   ０以上２００未満 （ｄ）ヨウ素価：３以上５０以下 （ｅ）ゲルパーミエーションクロマトグラフィーで求め
   た分子量分布（重量平均分子量／数平均分子量）：３以
   下
2. 【請求項２】請求項１に記載の半導電性ゴム組成物から
   なる電子写真装置部材。