JPH104140A - 層間絶縁膜の形成方法 - Google Patents
層間絶縁膜の形成方法Info
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- JPH104140A JPH104140A JP17555996A JP17555996A JPH104140A JP H104140 A JPH104140 A JP H104140A JP 17555996 A JP17555996 A JP 17555996A JP 17555996 A JP17555996 A JP 17555996A JP H104140 A JPH104140 A JP H104140A
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- interlayer insulating
- insulating film
- forming
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 リフロー後の層間絶縁膜の表面にこの層間絶
縁膜中に含まれる不純物の酸化物などからなる析出物が
発生するのを防止することができる層間絶縁膜の形成方
法を提供する。 【構成】 パターン２が形成された半導体基板１上に例
えば常圧ＣＶＤ法により第１層目のＢＰＳＧ膜３および
第２層目のＢＰＳＧ膜４を順次形成する。第１層目のＢ
ＰＳＧ膜３のＢおよびＰの濃度は第２層目のＢＰＳＧ膜
４のＢおよびＰの濃度よりも高くする。次に、減圧ＣＶ
Ｄ炉内において、窒素ガス雰囲気中において８００〜９
００℃で熱処理を行うことによりＢＰＳＧ膜３、４をリ
フローさせて表面を平坦化した後、引き続いてＢＰＳＧ
膜４上に減圧ＣＶＤ法によりＳｉＯ2 膜５を保護膜とし
て形成する。この後、減圧ＣＶＤ炉から半導体基板１を
取り出す。
縁膜中に含まれる不純物の酸化物などからなる析出物が
発生するのを防止することができる層間絶縁膜の形成方
法を提供する。 【構成】 パターン２が形成された半導体基板１上に例
えば常圧ＣＶＤ法により第１層目のＢＰＳＧ膜３および
第２層目のＢＰＳＧ膜４を順次形成する。第１層目のＢ
ＰＳＧ膜３のＢおよびＰの濃度は第２層目のＢＰＳＧ膜
４のＢおよびＰの濃度よりも高くする。次に、減圧ＣＶ
Ｄ炉内において、窒素ガス雰囲気中において８００〜９
００℃で熱処理を行うことによりＢＰＳＧ膜３、４をリ
フローさせて表面を平坦化した後、引き続いてＢＰＳＧ
膜４上に減圧ＣＶＤ法によりＳｉＯ2 膜５を保護膜とし
て形成する。この後、減圧ＣＶＤ炉から半導体基板１を
取り出す。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、層間絶縁膜の形
成方法に関し、特に、いわゆるリフローによる表面平坦
化が行われる層間絶縁膜の形成に適用して好適なもので
ある。
成方法に関し、特に、いわゆるリフローによる表面平坦
化が行われる層間絶縁膜の形成に適用して好適なもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置においては、金属配線の下層
の層間絶縁膜として、熱処理によるリフローにより表面
平坦化が可能なものが多く用いられる。このような層間
絶縁膜の一種に、ホウ素リンシリケートガラス（Boro-p
hosphosilicate Glass, ＢＰＳＧ）膜がある。
の層間絶縁膜として、熱処理によるリフローにより表面
平坦化が可能なものが多く用いられる。このような層間
絶縁膜の一種に、ホウ素リンシリケートガラス（Boro-p
hosphosilicate Glass, ＢＰＳＧ）膜がある。
【０００３】このＢＰＳＧ膜においては、リフロー性能
の向上のために、ＢおよびＰの濃度を高くすることがよ
く行われる。そして、半導体装置の製造においては、化
学気相成長（Chemical Vapor Deposition,ＣＶＤ）法に
よりこのＢＰＳＧ膜を基板上に形成した後、８００〜９
００℃の高温で熱処理を行うことによりこのＢＰＳＧ膜
をリフローさせてその表面平坦化を行う。
の向上のために、ＢおよびＰの濃度を高くすることがよ
く行われる。そして、半導体装置の製造においては、化
学気相成長（Chemical Vapor Deposition,ＣＶＤ）法に
よりこのＢＰＳＧ膜を基板上に形成した後、８００〜９
００℃の高温で熱処理を行うことによりこのＢＰＳＧ膜
をリフローさせてその表面平坦化を行う。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
従来の層間絶縁膜の形成方法には、次のような問題があ
った。すなわち、上述のようにして高温でＢＰＳＧ膜の
リフローを行った後、基板をＣＶＤ炉外に取り出した際
にＢＰＳＧ膜の表面が大気にさらされることにより、こ
の大気中の酸素がＢＰＳＧ膜中のホウ素（Ｂ）およびリ
ン（Ｐ）と反応してＢＰＯ4 などが生成され、これがＢ
ＰＳＧ膜の表面に析出物として発生する。また、リフロ
ー直後にはそのような析出物が発生しなかった場合にお
いても、その後に大気中に放置していると、ＢＰＳＧ膜
の表面に析出物が発生する。
従来の層間絶縁膜の形成方法には、次のような問題があ
った。すなわち、上述のようにして高温でＢＰＳＧ膜の
リフローを行った後、基板をＣＶＤ炉外に取り出した際
にＢＰＳＧ膜の表面が大気にさらされることにより、こ
の大気中の酸素がＢＰＳＧ膜中のホウ素（Ｂ）およびリ
ン（Ｐ）と反応してＢＰＯ4 などが生成され、これがＢ
ＰＳＧ膜の表面に析出物として発生する。また、リフロ
ー直後にはそのような析出物が発生しなかった場合にお
いても、その後に大気中に放置していると、ＢＰＳＧ膜
の表面に析出物が発生する。
【０００５】このようにＢＰＳＧ膜の表面に析出物が発
生すると、このＢＰＳＧ膜上に金属配線を形成する工程
において、加工不良が発生し、金属配線の短絡などの問
題が発生してしまう。
生すると、このＢＰＳＧ膜上に金属配線を形成する工程
において、加工不良が発生し、金属配線の短絡などの問
題が発生してしまう。
【０００６】同様な問題は、層間絶縁膜としてＢＰＳＧ
膜を用いる場合ばかりでなく、不純物を含む他の層間絶
縁膜を用いる場合にも発生し得るものである。
膜を用いる場合ばかりでなく、不純物を含む他の層間絶
縁膜を用いる場合にも発生し得るものである。
【０００７】したがって、この発明の目的は、リフロー
後またはその後に大気中に放置したときに層間絶縁膜の
表面にこの層間絶縁膜中に含まれる不純物の酸化物など
の析出物が発生するのを防止することができる層間絶縁
膜の形成方法を提供することにある。
後またはその後に大気中に放置したときに層間絶縁膜の
表面にこの層間絶縁膜中に含まれる不純物の酸化物など
の析出物が発生するのを防止することができる層間絶縁
膜の形成方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明による層間絶縁膜の形成方法は、不純物を
含む層間絶縁膜を基板上に形成する工程と、熱処理を行
うことにより層間絶縁膜をリフローさせて表面平坦化を
行う工程と、層間絶縁膜の表面を大気にさらすことなく
層間絶縁膜上に保護膜を形成する工程とを有することを
特徴とするものである。
に、この発明による層間絶縁膜の形成方法は、不純物を
含む層間絶縁膜を基板上に形成する工程と、熱処理を行
うことにより層間絶縁膜をリフローさせて表面平坦化を
行う工程と、層間絶縁膜の表面を大気にさらすことなく
層間絶縁膜上に保護膜を形成する工程とを有することを
特徴とするものである。
【０００９】この発明においては、典型的には、熱処理
および保護膜の形成を同一の化学気相成長炉、好適には
減圧化学気相成長炉を用いて連続的に行う。この場合、
熱処理は、好適には、不活性ガス雰囲気、例えば窒素ガ
ス雰囲気中において減圧または常圧下で行う。
および保護膜の形成を同一の化学気相成長炉、好適には
減圧化学気相成長炉を用いて連続的に行う。この場合、
熱処理は、好適には、不活性ガス雰囲気、例えば窒素ガ
ス雰囲気中において減圧または常圧下で行う。
【００１０】この発明において、層間絶縁膜は、最も典
型的には、ホウ素リンシリケートガラス（ＢＰＳＧ）膜
であるが、リフロー後に大気にさらされたときにその中
に含まれる不純物が大気中の酸素と反応することにより
表面に析出物が発生するものであれば、他の層間絶縁
膜、例えばリンシリケートガラス（ＰＳＧ）膜、ホウ素
シリケートガラス（ＢＳＧ）膜、ヒ素シリケートガラス
（ＡｓＳＧ）膜などであってもよい。
型的には、ホウ素リンシリケートガラス（ＢＰＳＧ）膜
であるが、リフロー後に大気にさらされたときにその中
に含まれる不純物が大気中の酸素と反応することにより
表面に析出物が発生するものであれば、他の層間絶縁
膜、例えばリンシリケートガラス（ＰＳＧ）膜、ホウ素
シリケートガラス（ＢＳＧ）膜、ヒ素シリケートガラス
（ＡｓＳＧ）膜などであってもよい。
【００１１】層間絶縁膜がホウ素リンシリケートガラス
膜である場合、このホウ素リンシリケートガラス膜は、
全体としてリフロー性能の向上を図りつつ、表面への析
出物の発生を最小限に抑えるために、好適には、第１層
目のホウ素リンシリケートガラス膜と第２層目のホウ素
リンシリケートガラス膜とからなり、第１層目のホウ素
リンシリケートガラス膜のホウ素およびリンの濃度は第
２層目のホウ素リンシリケートガラス膜のホウ素および
リンの濃度よりも高い。また、この場合、熱処理の温度
は、典型的には、８００〜９００℃である。
膜である場合、このホウ素リンシリケートガラス膜は、
全体としてリフロー性能の向上を図りつつ、表面への析
出物の発生を最小限に抑えるために、好適には、第１層
目のホウ素リンシリケートガラス膜と第２層目のホウ素
リンシリケートガラス膜とからなり、第１層目のホウ素
リンシリケートガラス膜のホウ素およびリンの濃度は第
２層目のホウ素リンシリケートガラス膜のホウ素および
リンの濃度よりも高い。また、この場合、熱処理の温度
は、典型的には、８００〜９００℃である。
【００１２】この発明において、保護膜としては、酸化
シリコン膜のほか、窒化シリコン膜などを用いることが
できる。この酸化シリコン膜は、典型的には、６００〜
８５０℃の温度で形成する。
シリコン膜のほか、窒化シリコン膜などを用いることが
できる。この酸化シリコン膜は、典型的には、６００〜
８５０℃の温度で形成する。
【００１３】上述のように構成されたこの発明による層
間絶縁膜の形成方法においては、熱処理を行うことによ
り層間絶縁膜をリフローさせて表面平坦化を行った後、
層間絶縁膜の表面を大気にさらすことなく層間絶縁膜上
に保護膜を形成するようにしていることにより、リフロ
ー後またはその後に大気中に放置したときに層間絶縁膜
の表面にこの層間絶縁膜中に含まれる不純物の酸化物な
どからなる析出物が発生するのを防止することができ
る。
間絶縁膜の形成方法においては、熱処理を行うことによ
り層間絶縁膜をリフローさせて表面平坦化を行った後、
層間絶縁膜の表面を大気にさらすことなく層間絶縁膜上
に保護膜を形成するようにしていることにより、リフロ
ー後またはその後に大気中に放置したときに層間絶縁膜
の表面にこの層間絶縁膜中に含まれる不純物の酸化物な
どからなる析出物が発生するのを防止することができ
る。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、この発明の一実施形態につ
いて図面を参照しながら説明する。
いて図面を参照しながら説明する。
【００１５】図１はこの発明の一実施形態による層間絶
縁膜の形成方法を示す。この一実施形態においては、ま
ず、図１Ａに示すように、あらかじめ拡散層など（図示
せず）が形成されたシリコン基板のような半導体基板１
上にパターン２を形成した後、例えば常圧ＣＶＤ法によ
り、全面に第１層目のＢＰＳＧ膜３および第２層目のＢ
ＰＳＧ膜４を順次形成する。これらのＢＰＳＧ膜３、４
の形成には、例えば、連続式常圧ＣＶＤ炉（図示せず）
を用いる。また、この常圧ＣＶＤ用のガスとしては、例
えば、ＳｉＨ4 またはＯ3 −ＴＥＯＳ（Tetra-ethyl-or
tho-silicate) が用いられる。この場合、第１層目のＢ
ＰＳＧ膜３のＢ濃度は例えば４〜８重量％、Ｐ濃度は例
えば３〜５重量％とし、厚さは例えば５５０ｎｍとす
る。また、第２層目のＢＰＳＧ膜４のＢおよびＰの濃度
はそれらの全体の濃度で例えば１４．５モル％とし、厚
さは例えば５０ｎｍとする。なお、パターン２は、例え
ばＭＯＳ型半導体装置の製造においてはゲート電極など
である。
縁膜の形成方法を示す。この一実施形態においては、ま
ず、図１Ａに示すように、あらかじめ拡散層など（図示
せず）が形成されたシリコン基板のような半導体基板１
上にパターン２を形成した後、例えば常圧ＣＶＤ法によ
り、全面に第１層目のＢＰＳＧ膜３および第２層目のＢ
ＰＳＧ膜４を順次形成する。これらのＢＰＳＧ膜３、４
の形成には、例えば、連続式常圧ＣＶＤ炉（図示せず）
を用いる。また、この常圧ＣＶＤ用のガスとしては、例
えば、ＳｉＨ4 またはＯ3 −ＴＥＯＳ（Tetra-ethyl-or
tho-silicate) が用いられる。この場合、第１層目のＢ
ＰＳＧ膜３のＢ濃度は例えば４〜８重量％、Ｐ濃度は例
えば３〜５重量％とし、厚さは例えば５５０ｎｍとす
る。また、第２層目のＢＰＳＧ膜４のＢおよびＰの濃度
はそれらの全体の濃度で例えば１４．５モル％とし、厚
さは例えば５０ｎｍとする。なお、パターン２は、例え
ばＭＯＳ型半導体装置の製造においてはゲート電極など
である。
【００１６】次に、上述のようにしてＢＰＳＧ膜３、４
が形成された半導体基板１を上述の連続式常圧ＣＶＤ炉
外に取り出す。
が形成された半導体基板１を上述の連続式常圧ＣＶＤ炉
外に取り出す。
【００１７】次に、この半導体基板１を図２に示す縦型
減圧ＣＶＤ炉内に入れる。図２に示すように、この縦型
減圧ＣＶＤ炉においては、処理すべき半導体基板１が載
せられる石英ボート１１が石英チューブ１２内に入れら
れている。この石英チューブ１２の外周にはヒーター１
３が設けられ、このヒーター１３によって石英ボート１
１が加熱されるようになっている。また、石英チューブ
１２内はその下部から減圧排気されるようになってい
る。さらに、この石英チューブ１２内にはその下部に取
り付けられた窒素ガスライン１４およびＣＶＤ用ガスラ
イン１５を通してそれぞれ窒素ガスおよびＣＶＤ用ガス
が導入されるようになっている。
減圧ＣＶＤ炉内に入れる。図２に示すように、この縦型
減圧ＣＶＤ炉においては、処理すべき半導体基板１が載
せられる石英ボート１１が石英チューブ１２内に入れら
れている。この石英チューブ１２の外周にはヒーター１
３が設けられ、このヒーター１３によって石英ボート１
１が加熱されるようになっている。また、石英チューブ
１２内はその下部から減圧排気されるようになってい
る。さらに、この石英チューブ１２内にはその下部に取
り付けられた窒素ガスライン１４およびＣＶＤ用ガスラ
イン１５を通してそれぞれ窒素ガスおよびＣＶＤ用ガス
が導入されるようになっている。
【００１８】このように構成された図２に示す縦型減圧
ＣＶＤ炉の石英チューブ１２内に窒素ガスライン１４か
ら窒素ガスを例えば２０ｌ／ｍｉｎの流量で導入し、こ
の窒素ガス雰囲気中において減圧または常圧下で例えば
８００〜９００℃の温度で例えば３０分程度熱処理を行
う。これによって、図１Ｂに示すように、ＢＰＳＧ膜
３、４がリフローして表面平坦化が行われる。
ＣＶＤ炉の石英チューブ１２内に窒素ガスライン１４か
ら窒素ガスを例えば２０ｌ／ｍｉｎの流量で導入し、こ
の窒素ガス雰囲気中において減圧または常圧下で例えば
８００〜９００℃の温度で例えば３０分程度熱処理を行
う。これによって、図１Ｂに示すように、ＢＰＳＧ膜
３、４がリフローして表面平坦化が行われる。
【００１９】次に、引き続いて、この縦型減圧ＣＶＤ炉
内において、減圧ＣＶＤ法により、例えば６００〜８５
０℃の温度および例えば数十〜数百Ｐａの減圧下でＢＰ
ＳＧ膜４上にＳｉＯ2 膜５を保護膜として形成する。こ
のＳｉＯ2 膜５の厚さは例えば５０〜１００ｎｍであ
る。また、この減圧ＣＶＤ用のガスとしては、例えば、
ＳｉＨ4 ／Ｎ2 Ｏ、ＳｉＨ2 Ｃｌ2 ／Ｎ2 ＯまたはＴＥ
ＯＳを用いる。この減圧ＣＶＤ法により形成されたＳｉ
Ｏ2 膜５の膜質は良好であり、保護膜として好適なもの
である。
内において、減圧ＣＶＤ法により、例えば６００〜８５
０℃の温度および例えば数十〜数百Ｐａの減圧下でＢＰ
ＳＧ膜４上にＳｉＯ2 膜５を保護膜として形成する。こ
のＳｉＯ2 膜５の厚さは例えば５０〜１００ｎｍであ
る。また、この減圧ＣＶＤ用のガスとしては、例えば、
ＳｉＨ4 ／Ｎ2 Ｏ、ＳｉＨ2 Ｃｌ2 ／Ｎ2 ＯまたはＴＥ
ＯＳを用いる。この減圧ＣＶＤ法により形成されたＳｉ
Ｏ2 膜５の膜質は良好であり、保護膜として好適なもの
である。
【００２０】次に、図２に示す縦型減圧ＣＶＤ炉内をあ
らかじめ窒素で十分に満たした状態で、炉外に半導体基
板１を取り出す。
らかじめ窒素で十分に満たした状態で、炉外に半導体基
板１を取り出す。
【００２１】この後、ＳｉＯ2 膜５上に例えばアルミニ
ウム（Ａｌ）またはＡｌ合金からなる金属配線（図示せ
ず）が形成される。
ウム（Ａｌ）またはＡｌ合金からなる金属配線（図示せ
ず）が形成される。
【００２２】以上のように、この一実施形態によれば、
縦型減圧ＣＶＤ炉内においてＢＰＳＧ膜３、４を高温処
理によりリフローさせて表面平坦化を行い、引き続いて
同一の縦型減圧ＣＶＤ炉内において保護膜としてのＳｉ
Ｏ2 膜５を形成してＢＰＳＧ膜３、４の表面を覆った
後、半導体基板１を炉外に取り出しているので、リフロ
ー後のＢＰＳＧ膜３、４の表面が大気にさらされること
がなく、したがってＢＰＯ4 などからなる析出物がＢＰ
ＳＧ膜３、４の表面に発生するのを有効に防止すること
ができる。また、リフロー後に半導体基板１を大気中に
放置した場合においても、ＢＰＳＧ膜３、４の表面にＢ
ＰＯ4 などからなる析出物が発生するのを防止すること
ができる。このため、その後の金属配線の形成工程にお
いて、加工不良の発生を防止することができ、これによ
って金属配線の短絡などの不良を防止することができ
る。
縦型減圧ＣＶＤ炉内においてＢＰＳＧ膜３、４を高温処
理によりリフローさせて表面平坦化を行い、引き続いて
同一の縦型減圧ＣＶＤ炉内において保護膜としてのＳｉ
Ｏ2 膜５を形成してＢＰＳＧ膜３、４の表面を覆った
後、半導体基板１を炉外に取り出しているので、リフロ
ー後のＢＰＳＧ膜３、４の表面が大気にさらされること
がなく、したがってＢＰＯ4 などからなる析出物がＢＰ
ＳＧ膜３、４の表面に発生するのを有効に防止すること
ができる。また、リフロー後に半導体基板１を大気中に
放置した場合においても、ＢＰＳＧ膜３、４の表面にＢ
ＰＯ4 などからなる析出物が発生するのを防止すること
ができる。このため、その後の金属配線の形成工程にお
いて、加工不良の発生を防止することができ、これによ
って金属配線の短絡などの不良を防止することができ
る。
【００２３】以上、この発明の一実施形態について具体
的に説明したが、この発明は、上述の実施形態に限定さ
れるものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種
の変形が可能である。
的に説明したが、この発明は、上述の実施形態に限定さ
れるものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種
の変形が可能である。
【００２４】例えば、上述の一実施形態において挙げた
数値はあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異な
る数値を用いてもよい。
数値はあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異な
る数値を用いてもよい。
【００２５】また、上述の一実施形態においては、ＢＰ
ＳＧ膜３、４のリフローおよびＳｉＯ2 膜５の形成に図
２に示す縦型減圧ＣＶＤ炉を用いているが、この縦型減
圧ＣＶＤ炉の代わりに横型減圧ＣＶＤ炉を用いてもよ
い。
ＳＧ膜３、４のリフローおよびＳｉＯ2 膜５の形成に図
２に示す縦型減圧ＣＶＤ炉を用いているが、この縦型減
圧ＣＶＤ炉の代わりに横型減圧ＣＶＤ炉を用いてもよ
い。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように、この発明による層
間絶縁膜の形成方法によれば、熱処理を行うことにより
層間絶縁膜をリフローさせて表面平坦化を行った後、層
間絶縁膜の表面を大気にさらすことなく層間絶縁膜上に
保護膜を形成するようにしていることにより、リフロー
後またはその後に大気中に放置したときに層間絶縁膜の
表面にこの層間絶縁膜中に含まれる不純物の酸化物など
からなる析出物が発生するのを防止することができる。
間絶縁膜の形成方法によれば、熱処理を行うことにより
層間絶縁膜をリフローさせて表面平坦化を行った後、層
間絶縁膜の表面を大気にさらすことなく層間絶縁膜上に
保護膜を形成するようにしていることにより、リフロー
後またはその後に大気中に放置したときに層間絶縁膜の
表面にこの層間絶縁膜中に含まれる不純物の酸化物など
からなる析出物が発生するのを防止することができる。
【図１】この発明の一実施形態による層間絶縁膜の形成
方法を説明するための断面図である。
方法を説明するための断面図である。
【図２】この発明の一実施形態による層間絶縁膜の形成
方法において用いられる縦型減圧ＣＶＤ炉を示す断面図
である。
方法において用いられる縦型減圧ＣＶＤ炉を示す断面図
である。
１・・・半導体基板、３、４・・・ＢＰＳＧ膜、５・・
・ＳｉＯ2 膜
・ＳｉＯ2 膜
Claims (9)
- 【請求項１】 不純物を含む層間絶縁膜を基板上に形成
する工程と、 熱処理を行うことにより上記層間絶縁膜をリフローさせ
て表面平坦化を行う工程と、 上記層間絶縁膜の表面を大気にさらすことなく上記層間
絶縁膜上に保護膜を形成する工程とを有することを特徴
とする層間絶縁膜の形成方法。 - 【請求項２】 上記熱処理および上記保護膜の形成を同
一の化学気相成長炉を用いて連続的に行うようにしたこ
とを特徴とする請求項１記載の層間絶縁膜の形成方法。 - 【請求項３】 上記熱処理および上記保護膜の形成を同
一の減圧化学気相成長炉を用いて連続的に行うようにし
たことを特徴とする請求項１記載の層間絶縁膜の形成方
法。 - 【請求項４】 上記層間絶縁膜はホウ素リンシリケート
ガラス膜であることを特徴とする請求項１記載の層間絶
縁膜の形成方法。 - 【請求項５】 上記ホウ素リンシリケートガラス膜は第
１層目のホウ素リンシリケートガラス膜と第２層目のホ
ウ素リンシリケートガラス膜とからなり、上記第１層目
のホウ素リンシリケートガラス膜のホウ素およびリンの
濃度は上記第２層目のホウ素リンシリケートガラス膜の
ホウ素およびリンの濃度よりも高いことを特徴とする請
求項４記載の層間絶縁膜の形成方法。 - 【請求項６】 上記熱処理を不活性ガス雰囲気中におい
て減圧または常圧下で行うようにしたことを特徴とする
請求項１記載の層間絶縁膜の形成方法。 - 【請求項７】 上記熱処理の温度は８００〜９００℃で
あることを特徴とする請求項４記載の層間絶縁膜の形成
方法。 - 【請求項８】 上記保護膜は酸化シリコン膜であること
を特徴とする請求項１記載の層間絶縁膜の形成方法。 - 【請求項９】 上記酸化シリコン膜を６００〜８５０℃
の温度で形成するようにしたことを特徴とする請求項８
記載の層間絶縁膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17555996A JPH104140A (ja) | 1996-06-14 | 1996-06-14 | 層間絶縁膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17555996A JPH104140A (ja) | 1996-06-14 | 1996-06-14 | 層間絶縁膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH104140A true JPH104140A (ja) | 1998-01-06 |
Family
ID=15998205
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17555996A Pending JPH104140A (ja) | 1996-06-14 | 1996-06-14 | 層間絶縁膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH104140A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100562744B1 (ko) * | 2003-12-31 | 2006-03-21 | 동부아남반도체 주식회사 | 반도체 소자의 층간 절연막 제조방법 |
-
1996
- 1996-06-14 JP JP17555996A patent/JPH104140A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100562744B1 (ko) * | 2003-12-31 | 2006-03-21 | 동부아남반도체 주식회사 | 반도체 소자의 층간 절연막 제조방법 |
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