JPH104263A

JPH104263A - 電子回路基板及びその製造方法

Info

Publication number: JPH104263A
Application number: JP8155198A
Authority: JP
Inventors: Naoki Matsushima; 直樹松嶋; Akira Yabushita; 明薮下; Yasunori Narizuka; 康則成塚; Hidetaka Shigi; 英孝志儀
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1996-06-17
Filing date: 1996-06-17
Publication date: 1998-01-06

Abstract

(57)【要約】【課題】電子回路基板で、Ｃｕとポリイミドとの反応を
起因とする配線抵抗の増大、絶縁層の誘電率の上昇、並
びに配線層と絶縁層との接続性低下といった各種不良
を、確実にしかも容易に抑止する。【解決手段】Ｃｕの露出した基板表面に無機酸化物薄膜
３を形成し、その上層にポリイミド絶縁膜４を形成し、
スルーホールを形成するなどしてこれを薄膜絶縁層１２
とし、その上層に薄膜配線層１３及び薄膜絶縁層１４を
順に積層する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、大形計算機等に用
いられる厚膜・薄膜混成多層電子回路基板に関わり、特
に、配線材料をＣｕとし、薄膜絶縁材料をポリイミドと
した電子回路基板に関わる。

【０００２】

【従来の技術】近年の大形計算機等に用いられるモジュ
ール基板では、基板に装着されるＬＳＩ素子間の信号の
送受信を迅速に行うために、高周波信号を高速に伝送さ
せることが要求されている。また、信号の高速化に伴
い、モジュール基板の使用温度等もより過酷なものとな
っており、信頼性や耐久性もモジュール基板の性能を決
定する重要な因子となっている。これらの課題を解決し
て高性能モジュール基板を実現するために、モジュール
基板を構成する材料に対して要求されることは、絶縁体
が低誘電率であること、内部配線が高誘電性であるこ
と、そしてこれらの物理的相性が良いこと（例：熱膨張
係数が近い値を持つ）かつ化学的相性が良いこと（例：
両者の結合力が強い）等が挙げられる。

【０００３】図４に電子回路基板の一例としてよく用い
られる厚膜・薄膜混成電子回路基板の断面図を示す。こ
れは絶縁体１及び金属体２からなる基板１１の上に、ポ
リイミド絶縁膜４からなる薄膜絶縁層１２，１４及び金
属薄膜５からなる薄膜配線層１３，１５を形成したもの
である。薄膜配線層１５は、はんだ接続電極３３となっ
ており、この上層にはんだを介してＬＳＩ素子を接続す
ることによりモジュール基板が形成される。このモジュ
ール基板について先に述べた条件を満たす材料を用いる
ことによって、理想的な電子回路基板を実現することが
できる。

【０００４】電子回路基板に適した材料を具体的に述べ
ると、絶縁材料はポリイミド誘電体膜が、また、金属材
料はＣｕやＡｇがそれぞれ挙げられる。特にＣｕは電気
抵抗が低いだけでなくエレクトロマイグレーション耐性
も強いことから、高電流密度の信号を伝送する高性能電
子回路基板では、多くの場合配線材料としてＣｕを用い
ている。また、薄膜の絶縁材料に関しても、低誘電率性
や熱的・化学的安定性からポリイミドを用いるのが一般
的となっている。

【０００５】しかし、ＣＵとポリイミドという組み合わ
せる場合、Ｃｕとポリイミドの前駆体であるポリアミッ
ク酸とが化学反応を起こす。ポリアミック酸はＣｕと反
応して酸化銅Ｃｕ₂Ｏを生成し、このＣｕ₂Ｏがポリイミ
ド内に拡散する。この現象により、Ｃｕ配線の電気抵抗
の上昇、ポリイミドの誘電率の上昇、Ｃｕ／ポリイミド
間の接着性の低下等の弊害が発生する。ポリイミドの形
成はワニス状のポリイミド前駆体をスピン塗布機によっ
て基板上全体に均一に塗膜し、これを熱処理してイミド
化させることによって行われる。従って、下地表面にＣ
ｕが露出していると、ポリアミック酸が接することにな
り、化学反応が発生する。図３に示す電子回路基板の場
合、基板１１上に薄膜絶縁層１２を形成する際に、厚膜
パッド３１としてのＣｕと薄膜絶縁層１２となるポリア
ミック酸とが接触する機会を得て、上述した不良を引き
起こす恐れがある。

【０００６】この問題に対する対策の一例は、ＣｒやＮ
ｉ等のポリイミドと反応を起こさない金属薄膜をＣｕと
ポリイミドの界面に設け、反応バリア層とする方法があ
る。薄膜Ｃｕ配線に対しては、例えば、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃ
ｒのような積層膜にして、少なくとも基板に対して水平
な面、（配線の側壁を除いた部分）をバリア金属で覆い
隠すという方法がよく用いられる。文献（Ｊｏｕｒｎａ
ｌｏｆＶａｃｕｕｍＳｃｉｅｎｃｅａｎｄＴ
ｅｃｈｎｏｌｏｇｙＡ９（６）（１９９１）に記載の
“Ｏｘｙｇｅｎｉｎｄｕｃｅｄａｄｈｅｓｉｏｎ
ｄｅｇｒａｄａｔｉｏｎａｔｍｅｔａｌ／ｐｏｌｙ
ｉｍｉｄｅｉｎｔｅｒｆａｃｅ”）には、Ｃｕ上に直
接ポリイミドを形成した場合、ピール強度は１４ｇ／ｍ
ｍという値を示すが、Ｃｕとポリイミドとの界面にＣｒ
あるいはＮｉを形成すると、Ｃｕ／ポリイミド間反応に
よる劣化層の形成が回避されるため、ピール強度はＣｒ
の場合は２４ｇ／ｍｍ、Ｎｉの場合は４７ｇ／ｍｍまで
向上すると報告されている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかし、図４に示す電
子回路基板に対してバリア金属を設ける方法を用いた場
合、深刻な問題が生じる。以下、図５、図６を用いてそ
の問題点を述べる。

【０００８】まず、基板１１の金属体２としてのＣｕパ
ッド３１に反応バリア金属を設ける方法では、図５
（ｂ）のように薄膜金属６を基板全面に成膜した後、図
５（ｃ）に示すように薄膜のパタニングを行い、それぞ
れの電極を電気的に分離しなければならない。このと
き、図６のように薄膜のパタンとＣｕ電極の位置のずれ
によるＣｕ表面の露出２１が発生すると、その上層に形
成するポリイミドとＣｕ電極とが接触することになり、
Ｃｕ／ポリイミド間の反応が起こる。また、同じく図６
に示すような、パタンずれによるＣｕパッド間のショー
ト２２も発生する可能性がある。以上のことから、薄膜
パタンの位置合わせには、かなりの高精度が要求される
ことになる。また、仮に薄膜パタンの位置合わせ精度を
向上することができたとしても、基板１１側のＣｕパッ
ド３１の位置精度が悪い場合、同様のパタンずれを起こ
してしまう。つまり、基板１１表面上の多数ある電極パ
ッドに対して反応バリア金属を全てずれなく覆うことは
非常に困難な作業であり、微細な配線パタンを有する電
子回路基板に関しては実質的に適用不可能な技術であ
る。

【０００９】本発明の目的は、Ｃｕとポリイミドとの反
応を起因とする各種不良を確実にしかも容易に回避する
ことができる電子回路基板及びその製造方法を提供する
ことにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、絶縁体および金属体からなり、その表面
に金属体の少なくとも一部が露出する基板上に、ポリイ
ミド絶縁層と金属配線層を順に積層する電子回路基板
で、基板表面上に無機絶縁膜を形成し、その上層にポリ
イミド絶縁膜を形成し、さらにその上に金属配線層を順
に積層したことを特徴とする電子回路基板である。

【００１１】また本発明は、絶縁体および金属体からな
り、その表面に金属体の少なくとも一部が露出する基板
上に、ポリイミド絶縁層と金属配線層を順に積層する電
子回路基板で、基板表面上及び金属配線層の直上に無機
絶縁膜を形成し、その上層にポリイミド絶縁膜を形成し
たことを特徴とする電子回路基板である。

【００１２】また本発明は、ポリイミド絶縁層と金属配
線からなる電子回路基板で、ポリイミド絶縁層と金属配
線との境界面に無機絶縁膜が存在することを特徴とする
電子回路基板である。

【００１３】また本発明は、金属体がＣｕであることを
特徴とする電子回路基板である。

【００１４】また本発明は、金属配線がＣｕであること
を特徴とする電子回路基板である。

【００１５】また本発明は、絶縁体がＳiＯ₂，Ｂ₂Ｏ₃，
Ｋ₂Ｏ，Ａl₂Ｏ₃を主成分とするガラスマトリックスとム
ライトを主成分とする分散粒子からなるガラスセラミッ
クであることを特徴とする電子回路基板である。

【００１６】また本発明は、無機絶縁膜がアルミナ、チ
タニアのいずれかであることを特徴とする電子回路基板
である。

【００１７】また本発明は、絶縁体および金属体からな
り、その表面に金属体の少なくとも一部が露出する基板
上に、ポリイミド絶縁層と金属配線層を順に積層する電
子回路基板で、基板表面上に無機絶縁膜を形成し、その
上層にポリイミド絶縁膜を形成し、さらにその上に金属
配線層を順に積層したことを特徴とする電子回路基板の
製造方法である。

【００１８】また本発明は、絶縁体および金属体からな
り、その表面に金属体の少なくとも一部が露出する基板
上に、ポリイミド絶縁層と金属配線層を順に積層する電
子回路基板で、基板表面上及び金属配線層の直上に無機
絶縁膜を形成し、その上層にポリイミド絶縁膜を形成し
たことを特徴とする電子回路基板の製造方法である。ま
た本発明は、ポリイミド絶縁層と金属配線からなる電子
回路基板で、ポリイミド絶縁層と金属配線との境界面に
無機絶縁膜を形成したことを特徴とする電子回路基板の
製造方法である。

【００１９】また本発明は、金属体がＣｕであることを
特徴とする電子回路基板の製造方法である。

【００２０】また本発明は、金属配線がＣｕであること
を特徴とする電子回路基板の製造方法である。

【００２１】また本発明は、絶縁体がＳiＯ₂，Ｂ₂Ｏ₃，
Ｋ₂Ｏ，Ａl₂Ｏ₃を主成分とするガラスマトリックスとム
ライトを主成分とする分散粒子からなるガラスセラミッ
クであることを特徴とする電子回路基板の製造方法であ
る。

【００２２】また本発明は、無機絶縁膜がアルミナ、チ
タニアのいずれかであることを特徴とする電子回路基板
の製造方法である。

【００２３】

【発明の実施の形態】発明の実施の形態の第１例とし
て、図２を用いてその製造工程を説明する。

【００２４】まず、基板１１には、ＳiＯ₂，Ｂ₂Ｏ₃，Ｋ
₂Ｏ，Ａl₂Ｏ₃を主成分とするガラスマトリックスとムラ
イトを主成分とする分散粒子により構成されるガラスセ
ラミックからなる絶縁体１と、Ｃｕからなる金属体２に
より構成されるものを用いた。基板１１の表面の薄膜配
線層を形成する側には厚膜Ｃｕのパッド３１が形成され
ている。

【００２５】まず、この基板１１上に無機酸化物薄膜３
を形成する。本発明に適した無機絶縁膜の条件は、高絶
縁性を有すること、Ｃｕ、セラミック、並びにポリイミ
ドとの接着性が良好なこと、熱的・化学的に安定である
こと等が挙げられ、具体的にはアルミナ（Ａl₂Ｏ₃）や
チタニア（ＴiＯ₂）が適当である。本実施例では、無機
酸化物薄膜３としてアルミナを用いた。アルミナは、絶
縁体１であるガラスセラミックを構成する成分の一つで
あるため、セラミックとの接着性は良好で、熱膨張係数
の差を起因とする加熱時の剥がれや割れ等を起こす危険
性が少ない。また、Ｃｕポリイミドとの接着性が良いこ
とも確認されている。

【００２６】無機酸化物薄膜３としてのアルミナの膜厚
は１０ｎｍとした。この１０ｎｍという値は、アルミナ
によるＣｕ／ポリイミドの反応バリア性及びＣｕ／アル
ミナ／ポリイミド積層膜の接着性により決定した。ま
ず、アルミナによるＣｕとポリイミドとの反応バリア性
は、ＳＩＭＳ（ＳｅｃｏｎｄａｒｙＩｏｎＭａｓｓ
Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）により評価した。図７にそ
の結果を示す。本図は、Ｃｕ／アルミナ／ポリイミドか
らなる積層膜における、ポリイミド中のＣｕ粒子の深さ
方向の濃度分布を測定したもので、横軸はＣｕ／ポリイ
ミド界面を基準とした積層膜の深さ、縦軸はＣｕの濃度
を表している。試料は３種類あり、それぞれＣｕ／ポリ
イミド（アルミナなし）、Ｃｕ／アルミナ（膜厚１０ｎ
ｍ）／ポリイミド、Ｃｕ／アルミナ（膜厚１００ｎｍ）
／ポリイミドという膜構成になっている。図を見ると、
アルミナの存在しないＣｕ／ポリイミドからなる試料に
関しては、ポリイミド中のＣｕ濃度がおよそ１０¹⁹ａｔ
ｏｍ／ｃｍ³であるのに対し、膜厚１０ｎｍのアルミナ
をＣｕ／ポリイミド界面に設けた試料については、約１
０¹⁷ａｔｏｍ／ｃｍ³とＣｕの濃度は約１／１００に低
減しており、アルミナがＣｕのポリイミド中への拡散を
抑止していることが分かる。アルミナの膜厚をさらに増
して１００ｎｍとすれば、ポリイミド中のＣｕ濃度はさ
らに低減し、ＳＩＭＳの計測限界付近の濃度である約１
０¹⁶ａｔｏｍ／ｃｍ³までに下がっている。この結果か
ら、アルミナの膜厚は厚いほどＣｕ／ポリイミド反応抑
止効果は大きくなるが、１０ｎｍ程度厚さでも充分に抑
止効果はあると判断できる。

【００２７】次に、Ｃｕ／アルミナ／ポリイミド積層膜
の接着性を垂直引っ張り試験により評価した結果を図８
に示す。本試験を行った試料は、ＳＩＭＳ分析と同一の
膜構成を持つ三試料である。各試料とも引っ張り強度値
には大差は見られなかったが、剥離箇所に違いが見られ
た。アルミナのない試料に関しては、約２／３の試料が
Ｃｕ／ポリイミド界面で剥離を起こしたのに対し、アル
ミナ１０ｎｍが存在する試料は、Ｃｕ／ポリイミド間剥
離は全く起こさなかった。同様に、アルミナが１００ｎ
ｍ形成されている試料についてもＣｕ／ポリイミド間剥
離は見られなかった。これは、アルミナの存在によりＣ
ｕ／ポリイミド界面の劣化が回避できたこと、並びにア
ルミナのＣｕ及びポリイミドに対する接着性が良好なこ
とに起因する結果であり、従来技術で述べたＣｒやＮｉ
膜と同様の効果が得られていると言える。また、本試験
の結果からも、アルミナの膜厚は１０ｎｍで充分Ｃｕ／
ポリイミド間反応を抑止する効果が得られるということ
が分かる。

【００２８】アルミナの形成方法にはスパッタリングを
用いた。ターゲットには純度９９．９％のアルミナを使
用した。成膜前には真空室内にて１５０℃、６０分の条
件で基板加熱し、ＲＦ電力１ｋＷ、Ａｒガス流量９０Ｓ
ＣＣＭ、酸素ガス流量１０ＳＣＣＭ、成膜室内ガス圧力
０．２Ｐａの条件で成膜を行った。成膜雰囲気に酸素を
導入したのは、Ａｒのみで成膜すると、ターゲットがア
ルミナ(Ａl₂Ｏ₃）であっても、形成される薄膜は、酸素
が不足してＯ／Ａｌ組成比がアルミナの値である１．５
を下回ってしまうためで、酸素を導入することによって
反応性スパッタリングを起こし、所望のＯ／Ａｌ組成比
を得ている。成膜方法に関しては、例えばエレクトロン
・ビーム蒸着等でも構わない。成膜方法に要求されるこ
とは、膜質や膜厚の基板内でのばらつきが小さいこと、
また、品質の安定した膜を再現良く形成できること等で
ある。

【００２９】さらに、無機酸化物薄膜３が有する利点と
して、従来の技術の項にて述べた、金属薄膜を形成した
ときのようなパタニングを行う必要がないことが挙げら
れる。従って、工程はより簡略なものとなり、また、フ
ォトリソ工程時の位置合わせ精度の問題がなくなるた
め、より微細なパタンの電子回路基板の形成が可能とな
る。

【００３０】アルミナの形成が完了した後に、この上層
にポリイミド絶縁膜４からなる薄膜絶縁層１２を形成す
る。ポリイミドには、日立化成製のＰＩＱ(R)を用い
た。まず、ワニス状態のポリイミド前駆体を基板状に滴
下し、これをスピン回転機により基板上に均一に塗膜す
る。スピン回転機の条件は、１０００ｒｐｍ×６０秒
で、室温にて行う。次に、９０℃、窒素雰囲気のベーク
炉にて３０分間プリベークを行う。この後、フォトリソ
グラフィによりポリイミドにスルーホール３２を形成す
る。レジストにはポジ型レジストを用い、ポリイミドの
エッチング液には東京応化工業製のＮＭＤ−３と呼ばれ
るアルカリ現像液を用いた。ポリイミドのエッチング後
レジストを剥離し、さらに加熱処理することによって膜
を硬化させる。加熱条件は、まず１４０℃のベーク炉
に、次に２００℃のベーク炉に、最後に３５０℃のベー
ク炉に、それぞれ６０分間投入する。加熱雰囲気はいず
れも窒素雰囲気とする。このようにして、図２ｃに示す
ような形状の薄膜絶縁層１２を得る。

【００３１】次に、この上層に薄膜配線層１３を形成す
る。薄膜配線層１３にはＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒ積層膜を用い
た。成膜方法にはスパッタリングを用いた。膜厚はそれ
ぞれ０．０７５μ，３μ，０．０５μとした。下層Ｃｒ
は、Ｃｕと下地基板との接着性を確保するための接着層
の役割を果たしている。また上層のＣｒは、Ｃｕとその
上に形成するポリイミドとの反応を抑止する反応バリア
層の役割を坦っている。

【００３２】ここで、図２（ｃ）の薄膜絶縁層１２の形
成が完了した時点では、スルーホール底部には無機酸化
物３としてのアルミナが残っており、この状態で直接金
属薄膜５を形成すると、アルミナのために下部のＣｕパ
ッド３１と電気的な接触を取ることができない。スルー
ホール底部のアルミナの除去には、スパッタリング装置
に備わっているスパッタエッチング機構を用いた。そも
そも、金属薄膜を成膜する際には、形成面に付着した異
物を取り除き、接着性を確保することを目的としてスパ
ッタエッチングを用いるのが一般的である。従って、厚
さ１０ｎｍのアルミナがスパッタエッチングにより除去
されることを確認すれば、特に工数が増えるというもの
ではない。図９にスパッタエッチング時間とアルミナの
エッチング量との関係を表したグラフを示す。本図か
ら、スパッタエッチングを３分行えば１０ｎｍのアルミ
ナはほぼ除去されることが分かる。本実施例では、マー
ジンを考えて、スパッタエッチング時間を６分とした。

【００３３】Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ積層膜として基板全面に
成膜された金属薄膜５は、フォトリソグラフィ工程によ
りパタニングし、薄膜配線層１３となる。以降、上述の
方法を繰り返すことによって薄膜絶縁層と薄膜配線層を
交互に形成し、電子回路基板を形成する。本実施例で
は、薄膜絶縁層１４及び薄膜配線層１５を形成し、薄膜
絶縁層と薄膜配線層をそれぞれ２層ずつ形成することに
よって完成とした。

【００３４】発明の実施の形態の第２例として、厚膜Ｃ
ｕに加えて薄膜Ｃｕとポリイミドとの反応についてもこ
れを抑止することを目的とした場合の製造工程を、図３
を用いて説明する。

【００３５】基板１１は、例１と同一のものを用いてい
る。また、基板１１上の無機酸化物薄膜３の形成方法、
並びに薄膜絶縁層１２としてのポリイミド膜４の形成方
法に関しても、例１に示したものと同一である。

【００３６】次に、薄膜配線層１３を形成する。薄膜配
線層１３にはＣｒ／Ｃｕ積層膜を用いる。Ｃｒの膜厚
は、０．０７５μで、Ｃｕ膜厚は３μである。この基板
面全面に亘って形成されたＣｒ／Ｃｕ薄膜をフォトリソ
グラフィにより加工し、薄膜配線層１３を完成する。

【００３７】次に、薄膜配線層１３の上層に再び無機酸
化物薄膜３としてのアルミナをスパッタリングにより基
板全面に形成する。形成条件は例１に記載のものと同一
である。さらにこの上に第２絶縁層１４としてのポリイ
ミド膜４を塗膜し、スルーホールを形成する。形成条件
は例１に記したものと同一の内容である。最後にこの上
層に薄膜配線層１５を形成して完成する。薄膜配線層１
３と薄膜配線層１５間の導通は、例１と同様に、スパッ
タエッチングにより確保する。

【００３８】

【発明の効果】本発明はＣｕとポリイミドとの反応を起
因とする配線抵抗の増大、絶縁層の誘電率の上昇、並び
に配線層と絶縁層との接着性の低下といった各種不良
を、確実にしかも容易に抑止する効果を奏する。

【００３９】また本発明は、パタニング工程を用いない
ため、工数の増大や、位置合わせ精度の限界による配線
密度の低下といった弊害を防ぐ効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の電子回路基板の一実施例を示す断面
図。

【図２】本発明の電子回路基板の一実施例の製造工程を
示す説明図。

【図３】本発明の電子回路基板の第二実施例の製造工程
を示す説明図。

【図４】従来の電子回路基板の断面図。

【図５】従来の電子回路基板の製造工程を示す説明図。

【図６】従来の電子回路基板の各種不良を示す断面図。

【図７】Ｃｕ／アルミナ／ポリイミドからなる試料の、
ポリイミド中のＣｕの濃度を示す特性図。

【図８】Ｃｕ／アルミナ／ポリイミドからなる試料の、
引っ張り試験による接着強度を示す特性図。

【図９】スパッタエッチング時間とアルミナのエッチン
グ量との関係を示す特性図。

【符号の説明】

１…絶縁体、２…金属体、３…無機酸化物薄膜、４…ポリイミド絶縁膜、５…金属薄膜、１１…基板、１２…薄膜絶縁層、１３…薄膜配線層、１４…薄膜絶縁層、１５…薄膜配線層、３１…厚膜パッド、３３…はんだ接続電極。

フロントページの続き (72)発明者志儀英孝神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式会社日立製作所生産技術研究所内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】絶縁体および金属体からなり、その表面に
上記金属体の少なくとも一部が露出する基板上に、ポリ
イミド絶縁層と金属配線層を順に積層する電子回路基板
において、上記基板表面上に無機絶縁膜を形成し、その
上層に上記ポリイミド絶縁膜を形成し、さらにその上に
上記金属配線層を順に積層したことを特徴とする電子回
路基板。
【請求項２】絶縁体および金属体からなり、その表面に
上記金属体の少なくとも一部が露出する基板上に、ポリ
イミド絶縁層と金属配線層を順に積層する電子回路基板
において、上記基板表面上及び上記金属配線層の直上に
無機絶縁膜を形成し、その上層に上記ポリイミド絶縁膜
を形成したことを特徴とする電子回路基板。
【請求項３】ポリイミド絶縁層と金属配線層からなる電
子回路基板において、上記ポリイミド絶縁層と上記金属
配線層との境界面に無機絶縁膜が存在することを特徴と
する電子回路基板。
【請求項４】請求項１または２において、上記金属体が
Ｃｕである電子回路基板。
【請求項５】請求項１，２または３において、上記金属
配線層がＣｕである電子回路基板。
【請求項６】請求項１または２において、上記絶縁体が
ＳiＯ₂，Ｂ₂Ｏ₃，Ｋ₂Ｏ，Ａl₂Ｏ₃を主成分とするガラス
マトリックスとムライトを主成分とする分散粒子からな
るガラスセラミックである電子回路基板。
【請求項７】請求項１，２または３において、上記無機
絶縁膜がアルミナ、チタニアのいずれかである電子回路
基板。
【請求項８】絶縁体および金属体からなり、その表面に
上記金属体の少なくとも一部が露出する基板上に、ポリ
イミド絶縁層と金属配線層を順に積層する電子回路基板
において、上記基板の表面上に無機絶縁膜を形成し、そ
の上層に上記ポリイミド絶縁膜を形成し、さらにその上
に上記金属配線層を順に積層したことを特徴とする電子
回路基板の製造方法。
【請求項９】絶縁体および金属体からなり、その表面に
上記金属体の少なくとも一部が露出する基板上に、ポリ
イミド絶縁層と金属配線層を順に積層する電子回路基板
において、上記基板の表面上及び上記金属配線層の直上
に無機絶縁膜を形成し、その上層に上記ポリイミド絶縁
膜を形成したことを特徴とする電子回路基板の製造方
法。
【請求項１０】ポリイミド絶縁層と金属配線層からなる
電子回路基板において、上記ポリイミド絶縁層と上記金
属配線層との境界面に無機絶縁膜を形成したことを特徴
とする電子回路基板の製造方法。
【請求項１１】請求項１または２において、上記金属体
がＣｕである電子回路基板の製造方法。
【請求項１２】請求項１，２または３において、上記金
属配線層がＣｕである電子回路基板の製造方法。
【請求項１３】請求項１または２において、上記絶縁体
がＳiＯ₂，Ｂ₂Ｏ₃，Ｋ₂Ｏ，Ａl₂Ｏ₃を主成分とするガラ
スマトリックスとムライトを主成分とする分散粒子から
なるガラスセラミックである電子回路基板の製造方法。
【請求項１４】請求項１，２または３において、上記無
機絶縁膜がアルミナ、チタニアのいずれかである電子回
路基板の製造方法。