JPH1048609A - 液晶素子の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板に形成された上下電極間におけるショー
トを防止することができる液晶素子の製造方法を提供す
る。 【解決手段】 液晶９を挟持する一対の基板１ａ，１ｂ
に設けられた電極パターン４ａ，４ｂの上に絶縁層５
ａ，５ｂと透明な微粒子を含有する膜６ａ，６ｂとを印
刷塗布・焼成により形成する一方、これら絶縁層５ａ，
５ｂと透明微粒子含有膜６ａ，６ｂの上に絶縁膜７ａ，
７ｂを真空成膜することにより、絶縁層５ａ，５ｂと透
明微粒子含有膜６ａ，６ｂとを絶縁膜成膜時の高真空状
態に置くことができ、これにより絶縁層５ａ，５ｂと透
明微粒子含有膜６ａ，６ｂとに含まれている水分を除去
することができる。そして、このように水分を除去する
ことにより、電極間におけるショートを防止することが
できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶素子の製造方
法に関し、特に電極パターン間の絶縁を得るために形成
される絶縁膜に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来の液晶素子において、液晶を挟持す
る一対の基板に設けられた電極パターンの上には、上下
電極間の絶縁を得るために絶縁膜が形成されている。そ
して、この絶縁膜としては、スパッタリング法によって
形成されるＳｉＯ₂ 膜が一般的であるが、強誘電性液晶
（ＦＬＣ）を用いる液晶素子においては誘電率の大きい
Ｔａ₂ Ｏ₅ 膜が用いられる。

【０００３】一方、このようなスパッタリング成膜によ
る無機酸化膜の代わりに珪素、チタン、タンタル、ジル
コニウム等の水素化物又はオルガノオキシドなどの混合
溶液をフレキソ印刷法により印刷塗布、焼成した膜がＦ
ＬＣに対しては良好な配向性を示すことが報告されてい
る。（特開昭６１−１８３６２号公報） さらに、このような印刷塗布・焼成により形成される無
機酸化膜中に、透明な微粒子を含有させた膜（以下微粒
子分散膜という）を設けることにより、配向制御膜の表
面に凹凸を形成し、強誘電性液晶分子の移動により生じ
るセル厚の変化を防ぐと共に配向欠陥を防止することが
可能である（特開昭５−２７３５３７号）。

【０００４】しかし、このような印刷塗布・焼成タイプ
の無機酸化物膜においては、焼成条件はＦＬＣの構成材
料の制約から２７０℃以下、望ましくは２５０℃以下で
あることが必要であり、この焼成条件から得られる無機
酸化物膜はスパッタリング成膜に比べて膜の硬度が小さ
いという欠点がある。

【０００５】さらに、印刷面に突起状の異物があった場
合には、印刷液がはじかれてその異物をカバーできなく
なり、これによりピンホールが発生するようになる。そ
して、このように絶縁膜にピンホールが形成されると、
電極間の上下ショートが発生しやすくなる。また、導電
性の異物が混入した場合には、硬度の小さな印刷絶縁膜
は破壊されやすく、上下ショートの原因となる。

【０００６】そこで、このような印刷法の欠点を補う方
法としては、電極パターン上にまずスパッタリング法に
より絶縁膜を形成し、次にこの絶縁膜の表面に印刷塗布
法により絶縁膜を形成し、最後に印刷塗布法によりこの
絶縁膜の表面に微粒子分散膜を形成して３層構造を有す
る絶縁膜を形成する方法が提案されている。そして、こ
のような３層構造を有する絶縁膜を形成することによ
り、上下電極間のショートの発生を防止すると共に、良
好な液晶分子の配向性の得ることができる。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】ところで、このような
層構造の絶縁膜を有する液晶素子を製造する従来の液晶
素子の製造方法において、絶縁膜のうちの２層を構成す
る印刷塗布・焼成によって得られる無機酸化物は、一般
に吸湿性を有しており、成形後から配向膜形成までの
間、例えば室内等に放置されたりすると空気中の水分を
多量に吸収するようになる。そして、このように水分を
吸収すると、絶縁膜の電気的絶縁耐圧が著しく低下し、
その結果上下電極間のショートを招く結果となる。

【０００８】従って、このように絶縁膜を３層構造にす
るようにしても、絶縁膜を形成した後、配向膜形成まで
は無機酸化物が水分を吸収しないよう工程内の環境及び
形成時間に関して厳しく管理する必要があり、装置、装
置内の設備に大きな負担を要することになる。

【０００９】そこで、本発明はこのような従来技術の欠
点を改善するためになされたものであり、基板に形成さ
れた上下電極間におけるショートを防止することができ
る液晶素子の製造方法を提供することを目的とするもの
である。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明は、液晶を挟持す
る一対の基板に設けられた電極パターンの上にそれぞれ
第１の絶縁膜と、透明な微粒子を含有する膜と、第２の
絶縁膜とを形成するようにした液晶素子の製造方法にお
いて、前記第１の絶縁膜を印刷塗布、焼成により形成す
る工程と、前記透明な微粒子を含有する膜を印刷塗布、
焼成により形成する工程と、前記第１の絶縁膜と透明微
粒子含有膜の上に前記第２の絶縁膜を真空成膜すると共
に絶縁膜成膜時の高真空状態により該第１の絶縁膜と透
明微粒子含有膜に含まれている水分を除去する工程と、
を有してなることを特徴とするものである。

【００１１】また本発明は、前記第２の絶縁膜は、スパ
ッタリング法によって形成されることを特徴とするもの
である。

【００１２】また本発明は、前記第２の絶縁膜を形成す
る前に前記第１の絶縁膜、又は前記第１の絶縁膜と透明
微粒子含有膜に対して予備加熱を行うことを特徴とする
ものである。

【００１３】また本発明は、前記液晶は強誘電性液晶で
あることを特徴とするものである。

【００１４】また、本発明のように液晶を挟持する一対
の基板に設けられた電極パターンの上に第１の絶縁膜を
印刷塗布、焼成により形成した後、透明な微粒子を含有
する膜を印刷塗布、焼成により形成する。そして、これ
ら第１の絶縁膜と透明微粒子含有膜の上に第２の絶縁膜
を真空成膜することにより、第１の絶縁膜と透明微粒子
含有膜とを絶縁膜成膜時の高真空状態に置くことがで
き、これにより第１の絶縁膜と透明微粒子含有膜とに含
まれている水分を除去することができる。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を用いて説明する。

【００１６】図１は本発明の実施の形態に係る液晶素子
の製造方法にて製造された液晶素子の模式的部分断面図
であり、同図において、１Ａは液晶素子である液晶パネ
ル、１ａ，１ｂはガラス基板、２は一方のガラス基板１
ａに形成されたカラーフィルター、３は平坦化膜、４ａ
はこの平坦化膜３の上面に形成された透明電極パターン
（以下透明電極という）であり、４ｂは他方のガラス基
板１ｂに形成された透明電極である。

【００１７】また、５ａ，５ｂは透明電極４ａ，４ｂの
上にそれぞれ形成された第１の絶縁膜である下部絶縁
膜、６ａ，６ｂは下部絶縁膜５ａ，５ｂの表面にそれぞ
れ形成され、透明な微粒子を含有する膜である微粒子分
散膜、７ａ，７ｂは微粒子分散膜６ａ，６ｂの表面にそ
れぞれ形成された第２の絶縁膜である上部絶縁膜であ
る。なお、８ａ，８ｂは配向制御膜、９は強誘電性液
晶、１０はスぺーサであるここで、この下部絶縁膜５
ａ，５ｂは、Ｓｉｏ₂ ・ＴｉＯ₂ の１：１混合組成膜を
透明電極４ａ，４ｂの上に印刷塗布した後、焼成処理し
て形成したものである。なお、この膜厚は２５〜５００
ｎｍ、より好ましくは５０〜３００ｎｍの範囲に設定す
るものであり、本実施の形態の第１実施例においては６
０ｎｍで形成している。

【００１８】また、この下部絶縁膜５ａ，５ｂを形成す
るための材料は、ＭＯＦ（東京応化工業（株）製）で、
粘度３０ｍＰａｓ、有機チタン化合物と有機珪素化合物
の固形分は８ｗｔ％のものを使用している。さらに、印
刷はスピナーによりガラス上にＭＯＦをコーティングし
（展色）、この後これを印刷版に転写し、印刷版から例
えば、図２に示すようにガラス基板１ａの透明電極４ａ
の上面に印刷するようにしている。なお、印刷版の材質
はサイレルである。

【００１９】そして、このようにして印刷が終了した
後、乾燥、焼成を行うが、この乾燥、焼成の条件は、ま
ずガラス基板１ａをホットプレート上で８０℃、６０ｓ
で乾燥させた後、有機物脱離促進として低圧水銀灯によ
り３．６Ｊの紫外線を照射し、最後にオーブンにより
３．６Ｋｓの焼成を行うようにしている。なお、この焼
成温度範囲は、１５０〜６００℃、より好ましくは２０
０〜３５０℃であり、本実施例においては２７０℃で焼
成を行うようにしている。

【００２０】一方、このような第１絶縁膜形成工程が終
了した後、微粒子分散膜６ａ，６ｂも、印刷塗布、焼成
法にて、例えば図３に示すように下部絶縁膜５ａの上面
に形成するようにしている。なお、この膜厚は５〜１０
０ｎｍの範囲が好ましく、本実施例においては１７ｎｍ
に形成している。また、この微粒子分散膜６ａ，６ｂを
形成するための材料は、セラメート“ＲＴＺ−６（触媒
化成、Ｔｉ，Ｓｉ，Ｚｒ系）”に平均粒径が４５ｎｍの
ＳｉＯ₂ 微粒子（図示せず）を２０ｗｔ％だけ分散安定
化させたものである。なお、印刷塗布、焼成の条件は、
下部絶縁膜５ａ、５ｂと同じである。

【００２１】さらに、このような透明微粒子含有膜形成
工程が終了した後、上部絶縁膜７ａ，７ｂは、例えば図
４に示すように微粒子分散膜６ａの上にＴａ₂ Ｏ₅ をス
パッタリング法により成膜したものであり、この時のス
パッタリング条件はパワー２ｋＷ、酸素分圧Ａｒ／Ｏ₂
＝１９０／１０、圧力０．４Ｐａである。ここで、この
上部絶縁膜７ａ，７ｂの膜厚は２５〜５００ｎｍ、より
好ましくは５０〜３００ｎｍの範囲に設定するものであ
り、本実施例においては９０ｎｍに形成している。

【００２２】なお、この上部絶縁膜７ａ，７ｂを形成す
る前に、基板１ａ，１ｂに対し１５０℃で予備加熱を行
い、下部絶縁膜５ａ及び微粒子分散膜６ａの水分を除去
するようにしている。

【００２３】ところで、上部絶縁膜７ａ，７ｂを形成す
る場合には、基板１ａ，１ｂを図示しないスパッタリン
グ装置内に収納した後、高真空状態の下でスパッタリン
グを行うようにしているが、このようにスパッタリング
装置内が減圧されて高真空状態となると、下部絶縁膜５
ａ，５ｂ及び微粒子分散膜６ａ，６ｂに吸収されていた
水分が膜内に滞在することがなくなり、脱水されるよう
になる。

【００２４】そして、この工程にて下部絶縁膜５ａ，５
ｂ及び微粒子分散膜６ａ，６ｂが脱水されることによ
り、下部絶縁膜５ａ，５ｂ及び微粒子分散膜６ａ，６ｂ
の電気的絶縁耐圧の低下を防ぐことができる。また、ス
パッタリングで形成された上部絶縁膜７ａ，７ｂは吸湿
性はほとんどないことから、下部絶縁膜５ａ，５ｂ及び
微粒子分散膜６ａ，６ｂの上に上部絶縁膜７ａ，７ｂを
形成しても上下透明電極４ａ，４ｂ間のショートを防ぐ
ことができるようになる。

【００２５】なお、このように上部絶縁膜７ａ，７ｂを
形成した後、この上部絶縁膜７ａ，７ｂの上に図５に示
すようにポリイミド配向膜８ａを１０ｎｍの膜厚で形成
し、さらにラビング処理を施した後、通常の液晶素子の
製造プロセスを経て図１に示すようなＦＬＣの液晶パネ
ル１Ａを完成する。

【００２６】そして、このような構成の液晶パネル１Ａ
において、液晶９の配向状態は良好なものであり、また
上下の透明電極４ａ，４ｂ間のショートは全く発生しな
かった。

【００２７】このように、脱水された状態の下部絶縁膜
５ａ，５ｂ及び微粒子分散膜６ａ，６ｂに上部絶縁膜７
ａ，７ｂを成膜することにより、下部絶縁膜５ａ，５
ｂ、微粒子分散膜６ａ，６ｂはきわめて信頼性の高い絶
縁膜となる。なお、上部絶縁膜７ａ，７ｂ形成後に大気
に曝されても下部絶縁膜５ａ，５ｂ、微粒子分散膜６
ａ，６ｂの表面は直接室内環境には触れないために水分
の吸収はなくなる。

【００２８】次に、既述した本実施の形態の第１の実施
例に係る形成順序と逆の形成順序により成膜するものに
ついて述べる。

【００２９】この場合は、下部絶縁膜５ａ，５ｂとして
膜厚９０ｎｍのＴａ₂ Ｏ₅ をスパッタリング法により成
膜した後、上部絶縁膜７ａ，７ｂ及び微粒子分散膜６
ａ，６ｂを印刷塗布、焼成によりそれぞれ膜厚６０ｎ
ｍ、１７ｎｍに形成した。これら絶縁膜の形成条件は既
述した実施例１に示すものと同様であった。

【００３０】そして、このようにして得られた絶縁膜の
上にポリイミド系配向膜を１０ｎｍの膜厚で形成し、ラ
ビング、セル組立、液晶の注入と通常の液晶素子の製造
方法を経て液晶パネルを得たが、この液晶パネルの一部
（６パネル中２パネル）では上下の透明電極４ａ，４ｂ
間のショートが発生したことが確認された。

【００３１】これは、絶縁膜の３層の上下関係を変えた
だけで液晶パネル１Ａの上下ショートの発生を招く原因
となることを示している。すなわち、印刷・焼成型絶縁
膜であるＭＯＦは水分を吸収しやすく膜を形成した後、
この比較例のように何も脱水処理を施していない場合
は、膜中に水分が入り込み絶縁膜全体の電気的耐圧が低
下するためであり、これはパネル全体の製造歩留まりを
低下させる一要因となるものである。

【００３２】したがって、既述したようにまず印刷塗布
及び焼成で下部絶縁膜５ａ，５ｂ及び微粒子分散膜６
ａ，６ｂを形成し、次にスパッタリング法により上部絶
縁膜７ａ，７ｂを形成することにより、上部絶縁膜７
ａ，７ｂ形成の際に下部絶縁膜５ａ，５ｂ及び微粒子分
散膜６ａ，６ｂが吸着していた水分の脱水を行うことが
でき、絶縁耐圧の優れた安定した絶縁膜を形成すること
ができる。

【００３３】なお、下部絶縁膜５ａ，５ｂと微粒子分散
膜６ａ，６ｂを形成する材料としては、具体的には、一
酸化珪素、二酸化珪素、酸化アルミニウム、ジルコニ
ア、酸化セリウム、五酸化二タンタル、二酸化チタン等
の中から選ばれる一つまたは複数の材料を用いることが
できる。

【００３４】また、塗布用の材料として用いるインクに
おいて用いる有機金属化合物としては、オルガノメトキ
シシラン、オルガノエトキシシラン、などのオルガノア
ルコキシシラン、テトライソプロピルチタネート、ブチ
ルチタネートダイマー等のチタンオルソエステル、チタ
ンアセチルアセトネート、ポリチタンアセチルアセトネ
ート等のチタンキレート等があり、必要とする絶縁膜５
ａ，５ｂ，６ａ，６ｂの組成比に応じてこれらを混合し
て用いることができる。

【００３５】さらに、上部絶縁膜７ａ，７ｂを形成する
材料としては、具体的には一酸化珪素、二酸化珪素、酸
化アルミニウム、ジルコニア、酸化セリウム、五酸化二
タンタル、二酸化チタン等を用いることができる。

【００３６】次に、本実施の形態の第２の実施例を説明
する。

【００３７】この第２の実施例では、微粒子分散膜６
ａ，６ｂを形成するための溶液として平均粒径が４５ｎ
ｍのＳｉＯ₂ 微粒子を無機コーティング剤“ＡＴ−７
（日産化学製、Ｔｉ，Ｓｉ，Ａｌ系）”に２０ｗｔ％だ
け分散安定化させたコーティング液を用いるようにし
た。なお、溶液を変更した以外は、実施例１と同様にし
てパネル１Ａを作製した。

【００３８】この場合、液晶９の配向状態は良好なもの
であり、また、上下の電極４ａ，４ｂ間のショートは全
く発生しなかった。

【００３９】一方、このような平均粒径が４５ｎｍのＳ
ｉＯ₂ 微粒子を無機コーティング剤“ＡＴ−７（日産化
学製、Ｔｉ，Ｓｉ，Ａｌ系）”２０ｗｔ％だけ分散安定
化させたコーティング液を用い、既述した第２の実施例
に係る形成順序と逆の形成順序により表示素子を作製し
た。この場合、６パネル中２パネルに上下の透明電極４
ａ，４ｂ間のショートが発生した。

【００４０】次に、本実施の形態の第３の実施例を説明
する。

【００４１】この第３の実施例では、微粒子分散膜６
ａ，６ｂを形成するための溶液として、平均粒径が１０
０ｎｍのＴｉＯ₂ 微粒子をＰＺＴ系強誘電体薄膜形成剤
“ＰＺＴ−７（三菱マテリアル製、Ｐｂ，Ｚｒ，Ｔｉ
系）”に１０ｗｔ％だけ分散安定化させたコーティング
液を用いるようにした。なお、溶液を変更した以外は、
実施例１と同様にしてパネル１Ａを作製した。

【００４２】この場合、液晶９の配向状態は良好なもの
であり、また、上下の透明電極４ａ，４ｂ間のショート
は全く発生しなかった。

【００４３】一方、このような平均粒径が１００ｎｍの
ＴｉＯ₂ 微粒子をＰＺＴ系強誘電体薄膜形成剤“ＰＺＴ
−７（三菱マテリアル製、Ｐｂ，Ｚｒ，Ｔｉ系）”に１
０ｗｔ％だけ分散安定化させたコーティング液を用い、
既述した第３の実施例に係る形成順序と逆の形成順序に
よりパネル１Ａを作製した。この場合、６パネル中２パ
ネルに上下の透明電極４ａ，４ｂ間のショートが発生し
た。

【００４４】次に、本実施の形態の第４の実施例を説明
する。

【００４５】この第４の実施例では、微粒子分散膜６
ａ，６ｂを形成するための溶液として、平均粒径が８０
ｎｍのＳｉＯ₂ 微粒子を“ＣＯＤ（東京応化製、Ｓｉ
系）”に１０ｗｔ％だけ分散安定化させたコーティング
液を用いるようにした。なお、溶液を変更した以外は、
実施例１と同様にしてパネル１Ａを作製した。

【００４６】この場合、液晶９の配向状態は良好なもの
であり、また、上下の透明電極４ａ，４ｂ間のショート
は全く発生しなかった。

【００４７】一方、このような平均粒径が８０ｎｍのＳ
ｉＯ₂ 微粒子を“ＣＯＤ（東京応化製、Ｓｉ系）”に１
０ｗｔ％だけ分散安定化させたコーティング液を用い、
既述した第４の実施例に係る形成順序と逆の形成順序に
よりパネル１Ａを作製した。この場合、６パネル中２パ
ネルに上下の透明電極４ａ，４ｂ間のショートが発生し
た。

【００４８】次に、本実施の形態の第５の実施例を説明
する。

【００４９】この第５の実施例では、微粒子分散膜６
ａ，６ｂを形成するための溶液として平均粒径が３０ｎ
ｍのＡｌ₂ Ｏ₃ 微粒子をアトロン“ＮＴａ−７５０（日
本曹達製、Ｔａ系）”に３０ｗｔ％だけ分散安定化させ
たコーティング液を用いるようにした。なお、溶液を変
更した以外は、実施例１と同様にしてパネル１Ａを作製
した。この場合、液晶９の配向状態は良好なものであ
り、また、上下の透明電極４ａ，４ｂ間のショートは全
く発生しなかった。

【００５０】一方、このような平均粒径が３０ｎｍのＡ
ｌ₂ Ｏ₃ 微粒子をアトロン“ＮＴａ−７５０（日本曹達
製、Ｔａ系）”に３０ｗｔ％だけ分散安定化させたコー
ティング液を用い、既述した第４の実施例に係る形成順
序と逆の形成順序によりパネル１Ａを作製した。この場
合、６パネル中２パネルに上下の透明電極４ａ，４ｂ間
のショートが発生した。

【００５１】このように、印刷塗布及び焼成で形成した
下部絶縁膜５ａ，５ｂ及び微粒子分散膜６ａ，６ｂの上
にスパッタリング法により上部絶縁膜７ａ，７ｂを形成
することにより、絶縁耐圧の優れた安定した絶縁膜を形
成することができる。

【００５２】なお、これまでの説明においては、強誘電
性液晶９を用いた液晶パネル１Ａについて述べてきた
が、本発明はこれに限らずＳＴＮ液晶等を用いた液晶パ
ネルにも適用できる。そして、このような液晶を用いる
際、微粒子分散膜６ａ，６ｂを形成する必要がない場合
があり、この場合には下部絶縁膜５ａ，５ｂを印刷塗布
及び焼成で形成した後、スパッタリング法により上部絶
縁膜７ａ，７ｂを形成するようにすることにより、同様
の作用が得られる。

【００５３】ところで、最後にこのようなパネル１Ａを
備えた情報伝達装置における液晶パネル１Ａの駆動構成
について、図６を用いて簡単に説明する。

【００５４】本発明に係る液晶パネル１Ａを備えたプリ
ンター、カラーディスプレー等の情報伝達装置において
は、同図に示すようにパネル１Ａには走査信号印加回路
４０２及び情報信号印加回路４０３が接続されており、
これらの走査信号印加回路４０２及び情報信号印加回路
４０３には駆動制御回路４０４及びグラフィックコント
ローラ４０５が順に接続されている。そして、グラフィ
ックコントローラ４０５からはデータと走査方式信号と
が、駆動制御回路４０４を介して走査信号制御回路４０
６及び情報信号制御回路４０７へ送信されるようになっ
ている。

【００５５】このうちのデータは、これらの走査信号制
御回路４０６及び情報信号制御回路４０７によって走査
線アドレスデータと表示データに変換され、また他方の
走査方式信号は、そのまま走査信号印加回路４０２及び
情報信号印加回路４０３に送られるようになっている。

【００５６】さらに、走査信号印加回路４０２は、走査
線アドレスデータによって決まる走査電極に走査方式信
号によって決まる波形の走査信号を印加し、また情報信
号印加回路４０３は、表示データによって送られる白又
は黒の表示内容と走査方式信号の２つによって決まる波
形の情報信号を印加するように構成されている。

【００５７】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、電
極パターンの上に印刷塗布・焼成により形成された絶縁
膜と透明微粒子含有膜の上に絶縁膜を真空成膜すること
により、絶縁膜と透明微粒子含有膜とに含まれている水
分を除去することができ、絶縁耐圧の優れた安定した絶
縁膜を形成することができる。また、このようにして水
分を除去することにより、液晶素子の生産性、歩留まり
の向上した優れたパネルを供給することができ、コスト
ダウンにも大きく貢献することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態に係る液晶素子の製造方法
にて製造された液晶素子の模式的部分断面図。

【図２】上記液晶素子の基板に設けられた透明電極の上
面に下部絶縁膜を形成した様子を示す模式的部分断面
図。

【図３】上記下部絶縁膜の上面に微粒子分散膜を形成し
た様子を示す模式的部分断面図。

【図４】上記微粒子分散膜の上面に上部絶縁膜を形成し
た様子を示す模式的部分断面図。

【図５】上記上部絶縁膜の上面にポリイミド配向膜を形
成した様子を示す模式的部分断面図。

【図６】上記液晶素子を備えた情報伝達装置のブロック
構成図。

【符号の説明】

１ａ、１ｂ ガラス基板 ４ａ、４ｂ 透明電極 ５ａ、５ｂ 下部絶縁膜 ６ａ、６ｂ 微粒子分散膜 ７ａ、７ｂ 上部絶縁膜 ８ａ、８ｂ 配向制御膜 ９ 強誘電性液晶

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 液晶を挟持する一対の基板に設けられた
   電極パターンの上にそれぞれ第１の絶縁膜と、透明な微
   粒子を含有する膜と、第２の絶縁膜とを形成するように
   した液晶素子の製造方法において、 前記第１の絶縁膜を印刷塗布、焼成により形成する工程
   と、 前記透明な微粒子を含有する膜を印刷塗布、焼成により
   形成する工程と、 前記第１の絶縁膜と透明微粒子含有膜の上に前記第２の
   絶縁膜を真空成膜すると共に絶縁膜成膜時の高真空状態
   により該第１の絶縁膜と透明微粒子含有膜に含まれてい
   る水分を除去する工程と、を有してなることを特徴とす
   る液晶素子の製造方法。
2. 【請求項２】 前記第２の絶縁膜は、スパッタリング法
   によって形成されることを特徴とする請求項１記載の液
   晶素子の製造方法。
3. 【請求項３】 前記第２の絶縁膜を形成する前に前記第
   １の絶縁膜、又は前記第１の絶縁膜と透明微粒子含有膜
   に対して予備加熱を行うことを特徴とする請求項１記載
   の液晶素子の製造方法。
4. 【請求項４】前記液晶は強誘電性液晶であることを特徴
   とする請求項１記載の液晶素子の製造方法。