JPH1048831A

JPH1048831A - レジスト・パターン形成方法

Info

Publication number: JPH1048831A
Application number: JP8208301A
Authority: JP
Inventors: Junichi Sato; 淳一佐藤
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1996-08-07
Filing date: 1996-08-07
Publication date: 1998-02-20

Abstract

(57)【要約】【課題】化学増幅系レジスト材料からなるレジスト・
パターンの形状の下地依存性を解消する。【解決手段】ポジ型化学増幅系レジスト膜４の下地が
ＳｉＮ膜２のようにＮ原子上の孤立電子対に由来して塩
基性を呈する膜である場合、両膜の間にセレン（Ｓｅ）
またはテルル（Ｔｅ）からなる保護膜３を介在させ、レ
ジスト膜内にレジスト可溶化反応の酸触媒として発生す
るプロトンＨ⁺のＳｉＮ膜２への拡散を防止する。レジ
スト膜厚方向での酸濃度が一定となるため、良好な矩形
のレジスト・パターン４ｐが形成できる。保護膜３は、
ＳｅＦ₄またはＴｅＦ₄を用いたプラズマＣＶＤ法で堆
積させる。また、レジスト・パターン４ｐ形成後の保護
膜３の露出部は、レジスト・パターン４ｐの耐熱温度範
囲内で基板を加熱して昇華除去する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体デバイス製
造等の微細加工分野で行われるレジスト・パターンの形
成方法に関し、特に化学増幅系レジスト膜を用いる場合
のパターン形状の下地依存性を解消する方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置の製造分野では、デザイン・
ルールの縮小が加速度的に進行しており、次世代の６４
ＭＤＲＡＭでは０．３５μｍ前後、次々世代の２５６Ｍ
ＤＲＡＭでは０．２５μｍ前後の最小加工寸法を達成し
得る微細加工技術が要求されている。この微細加工実現
の鍵となる技術はフォトリソグラフィであり、そのひと
つの選択肢としてＫｒＦエキシマ・レーザ光（λ＝２４
８ｎｍ）等の遠紫外光源と化学増幅系レジストを用いた
遠紫外線リソグラフィに関する研究が盛んに行われてい
る。

【０００３】化学増幅系レジストは、露光によりレジス
ト膜内に発生した活性種が、続く露光後ベーク（ＰＥ
Ｂ）工程でベース樹脂の架橋，重合，官能基変換等のレ
ジスト反応の触媒として働くことにより、現像液に対す
る局部的な溶解度変化を生じさせるタイプのフォトレジ
スト材料である。ここで、１個の活性種はレジスト膜中
で複数個の化学反応を誘起するので、見掛け上の量子収
率は活性種発生の量子収率と活性種の拡散によって引き
起こされる反応数の積によって決まる。したがって、化
学増幅系レジストの量子収率は、せいぜい０．２〜０．
３止まりであった従来型のノボラック系レジストの量子
収率に比べて格段に高い。

【０００４】活性種としては酸と塩基の両方が知られて
いるが、最初に提案され、研究も進んでいるのは酸であ
る。この酸としては、オニウム塩やスルホン酸エステル
等の光酸発生剤（ＰＡＧ＝Photo Acid Generator）から
分解生成するＨ⁺（プロトン）が最も一般的である。ポ
ジ型の化学増幅系レジストでは、アルカリ可溶性樹脂の
極性基を溶解抑止基でブロックしたベース樹脂にＰＡＧ
が混合されており、露光部においてこのＰＡＧから発生
したＨ⁺が溶解抑止基の極性を変化させたり脱離させる
ことにより、溶解度変化が生ずるようになされている。
たとえば、極性基であるフェノール性水酸基をｔ−ＢＯ
Ｃ（ターシャリ・ブトキシカルボニル）基でブロックし
たレジストでは、Ｈ⁺の攻撃によりフェノール性水酸基
が再生されてベース樹脂が可溶化し、イソブテンとＣＯ
₂が放出される。

【０００５】一方、ネガ型の化学増幅系レジストには、
（ａ）ｔ−ＢＯＣ基でブロックされたベース樹脂とＰＡ
Ｇの２成分系からなり、ｔ−ＢＯＣ基の脱離によりベー
ス樹脂の極性変化を生じさせるタイプ、（ｂ）ベース樹
脂，ＰＡＧ，ピナコール誘導体の３成分系からなり、ピ
ナコール転移反応による極性変化を生じさせるタイプ、
（ｃ）架橋性基を導入したベース樹脂とＰＡＧの２成分
系からなり、露光で発生した酸によりベース樹脂の分子
内架橋が進行するタイプ、および（ｄ）ベース樹脂，Ｐ
ＡＧ，架橋剤の３成分系からなり、露光で発生した酸に
よりベース樹脂と架橋剤との分子間架橋が進行するタイ
プ、がある。これらポジ型，ネガ型のいずれのタイプ
も、ＰＡＧから発生する酸としてＨ⁺を利用し、また反
応の結果、Ｈ⁺が再生させる点で共通している。つま
り、Ｈ⁺は触媒作用を果たしているのである。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところで、化学増幅系
レジストの反応は上述のように触媒反応であるから、微
量の活性種でも十分に反応を促進でき、高感度であるこ
とが重要なメリットとなっている。しかしその反面、活
性種が微量であるがゆえに、ｇ線レジスト，ｉ線レジス
トといった従来型のレジストに比べ、下地膜である被加
工膜の表面の化学的性状にレジスト反応が極めて影響を
受け易く、線幅安定性に劣るという問題を抱えている。
以下、ポジ型化学増幅系レジストを用いた場合の問題点
について図７ないし図９を、またネガ型化学増幅系レジ
ストを用いた場合の問題点については図１０および図１
１を参照しながら、それぞれ説明する。

【０００７】図７は、基板２１の上に絶縁膜であるＳｉ
Ｎ膜２２が形成され、さらにこの膜の上にポジ型化学増
幅系レジスト膜２３が形成された基体（ウェハ）に対
し、フォトマスク３０を介して選択露光を行っている状
態を示したものである。なお、この露光を通常のステッ
パ（縮小投影露光装置）を用いて行う場合、フォトマス
ク３０上のパターンはウェハ上では５分の１に縮小され
るが、ここでは簡単のために両者を等倍で示す。

【０００８】上記フォトマスク３０は、露光光に対して
透明なフォトマスク基板３１上に所定パターンを有する
Ｃｒ膜からなる遮光膜パターン３２が形成されたもので
あり、この遮光膜パターン３２の開口部を透過した露光
光ｈνがポジ型化学増幅系レジスト膜２３を照射する。
この露光により、ポジ型化学増幅系レジスト膜２３には
露光部２３ｅと未露光部２３ｕの区別が生じ、露光部２
３ｅではＰＡＧの分解によりプロトンＨ⁺が発生する。
上記プロトンＨ⁺は本来、べース樹脂に結合されている
溶解抑止基の極性を変化させたり脱離させる働きをすべ
き活性種であるが、ＳｉＮ膜２２との界面付近に存在す
るＨ⁺はＳｉＮ膜２２中へ拡散し、そこでトラップされ
てしまう。これは、ＳｉＮ膜２２を構成するＳｉＮ結晶
のＮ原子上の孤立電子対がブレンステッド塩基、すなわ
ちプロトン受容体として作用するためである。このた
め、ＳｉＮ膜２２との界面近傍ではプロトンＨ⁺の濃度
が低下し、ベース樹脂の可溶化が十分に進行しなくな
る。

【０００９】このようなポジ型化学増幅系レジスト膜２
３をＰＥＢを経て現像すると、図８に示されるように、
ＳｉＮ膜２２との界面付近で裾引き形状を有するレジス
ト・パターン２３ｐが形成されてしまう。このようなレ
ジスト・パターン２３ｐをマスクとしてＳｉＮ膜２２の
異方性ドライエッチングを行うと、図９に示されるよう
に、形成されるＳｉＮ膜パターン２２ｐの線幅は設計寸
法に対して正の寸法変換差を生じたものとなる。これ
は、プラズマ中からのイオンの入射方向がウェハに対し
てほぼ垂直に制御されている異方性エッチング条件下で
は、ＳｉＮ膜パターン２２ｐの線幅がレジスト・パター
ン２３ｐの裾幅でほぼ規定されてしまうからである。な
お、上述のプロトンＨ⁺濃度がより著しく低下すると、
現像後にＳｉＮ膜２２を全く露出させることができず、
したがって異方性エッチングそのものが不可能となる場
合もある。

【００１０】上述のようなポジ型化学増幅系レジスト膜
のパターンの裾引き形状は、ＳｉＮ膜上のみならず、Ｔ
ｉＮ膜やＢＰＳＧ膜上でも生ずることが知られている。
ＴｉＮ膜の影響は、上述と同じく窒素原子上の孤立電子
対によるものと考えられるが、ＢＰＳＧ膜の影響につい
ては、その表面に吸着されたアンモニアによる中和作用
によるものとの報告がある。かかる裾引き形状は、活性
種を失活させる虞れがない単結晶Ｓｉ基板上では発生し
ない。

【００１１】一方、レジスト・パターンの形状異常は、
ネガ型化学増幅系レジスト膜を用いた場合にも生ずる。
図１０は、前掲の図７に示したポジ型化学増幅系レジス
ト膜２３に替えて、ネガ型化学増幅系レジスト膜２４を
形成したウェハに対し、同じフォトマスク３０を介して
選択露光を行っている状態を示したものである。この露
光により、ネガ型化学増幅系レジスト膜２４には露光部
２４ｅと未露光部２４ｕの区別が生じ、露光部２４ｅで
はＰＡＧの分解によりプロトンＨ⁺が発生する。

【００１２】上記プロトンＨ⁺は本来、べース樹脂の難
溶化または架橋を促進すべき活性種であるが、ＳｉＮ膜
２２との界面付近に存在するＨ⁺はＳｉＮ膜２２中へ拡
散し、前述の理由によりトラップされてしまう。このた
め、ＳｉＮ膜２２との界面近傍ではプロトンＨ⁺の濃度
が低下し、ベース樹脂の難溶化または架橋が進行しなく
なる。このようなネガ型化学増幅系レジスト膜２４をＰ
ＥＢを経て現像すると、図１１に示されるように、Ｓｉ
Ｎ膜２２との界面付近でノッチ（切欠き）形状を有する
レジスト・パターン２４ｐが形成されてしまう。

【００１３】上述のようなネガ型化学増幅系レジスト膜
のパターンのノッチ形状は、ＳｉＮ膜上のみならず、Ｓ
ＯＧ（スピン・オン・グラス）膜上でも生ずることが知
られている。これは、ＳＯＧの膜質が粗であり、活性種
の拡散を促進させ易いことが原因であると考えられてい
る。なお、かかるノッチ形状は、単結晶Ｓｉ基板上では
やはり発生しない。

【００１４】このように、従来の化学増幅系レジストを
用いたレジスト・パターニングには、レジスト・パター
ンの形状が下地である被加工膜の表面の化学的性状に依
存するという問題があった。この問題を解決するための
被加工膜表面の前処理として、酸性溶液処理や酸素プラ
ズマ処理も提案されている。しかし、前者にはクリーン
・ルーム内で装置の占有面積が大きくなり、またドライ
処理に比べてスループットが低下すること、後者には耐
酸化性を持たない被加工膜上では適用できないこと、と
いう問題が個々に存在し、所望の効果を得るには至って
いないのが現状である。そこで、本発明はこの問題を解
決し、いかなる被加工膜の上であっても高い形状安定性
と寸法安定性をもってレジスト・パターンを形成するこ
とが可能な方法を提供することを目的とする。

【００１５】

【課題を解決するための手段】本発明のレジスト・パタ
ーン形成方法は、被加工膜上に直接に化学増幅系レジス
ト膜を成膜するのではなく、この被加工膜の表面を予め
イオウ以外のカルコゲンからなる保護膜でパッシベート
し、活性種を失活させる虞れのある該表面との接触を遮
断した状態で露光から現像までの一連の工程を行うこと
により、上述の目的を達成しようとするものである。こ
の保護膜の露出部は、レジスト・パターンが完成された
後に該パターンに悪影響を与えない手段により選択的に
除去する。

【００１６】

【発明の実施の形態】本発明の基本的な考え方は、化学
増幅系レジスト膜とその下地である被加工膜との間に活
性種の拡散を遮断することが可能な保護膜をイオウ以外
のカルコゲンを用いて形成し、これにより被加工膜との
界面近傍における活性種の濃度低下を防止し、得られる
レジスト・パターンの形状異常を防止することにある。
レジスト膜がポジ型であれば裾引き形状が、ネガ型であ
ればノッチ形状がそれぞれ防止され、垂直壁を有するレ
ジスト・パターンを形成することができる。

【００１７】特に、上記の活性種がＰＡＧから生成する
プロトンＨ⁺のような酸である場合、少なくとも表面が
塩基性を呈する被加工膜はこの酸を失活させる虞れが大
きいので、上記の保護膜が効果を発揮する。ここで、被
加工膜の表面の塩基性は、塩基性の外来物質の吸着によ
りもたらされるものであっても、被加工膜の材料そのも
のの性質に由来するものであっても良い。吸着される外
来物質としては、クリーンルーム内に残留するアンモニ
アやＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）等の蒸気が考
えられる。また、被加工膜がＳｉＮ，ＳｉＯＮ，Ｔｉ
Ｎ，ＴｉＯＮ等のように、結晶構造中に孤立電子対を有
する窒素原子を含む場合には、この孤立電子対がプロト
ン受容体あるいは電子供与体として働くので、被加工膜
自身が塩基性を呈することになる。ただし、ＴｉＮ膜，
ＴｉＯＮ膜を金属配線膜の反射防止膜として用いるプロ
セスでは、この上に保護膜を成膜してしまうと反射防止
効果が損なわれるので、本発明を適用することはできな
い。

【００１８】前記保護膜は、プラズマＣＶＤ法により成
膜することができ、特にフッ化カルコゲンからプラズマ
中に解離生成するカルコゲンを堆積させることにより形
成することが好適である。安定なフッ化物が存在するカ
ルコゲンとしては、セレン（Ｓｅ）あるいはテルル（Ｔ
ｅ）があり、それぞれＳｅＦ₄，ＴｅＦ₄が入手でき
る。

【００１９】ところで、上記カルコゲンの堆積は、基体
（ウェハ）がこれらの昇華温度よりも低い温度域に維持
されている場合に可能である。このことは逆に、基体上
に堆積しているカルコゲンを、その昇華温度あるいは分
解温度以上に加熱すれば、基体上にパーティクル汚染を
残すことなく、容易に除去できることをも意味してい
る。このときの加熱温度は、減圧下では一般的なレジス
ト材料のＰＥＢ温度域と同程度とすることができる。し
たがって、レジスト・パターンを形成した後に保護膜の
露出部を選択的に除去する際に基体の加熱を行ったとし
ても、レジスト・パターンの形状に悪影響が及ぼされる
懸念はない。

【００２０】

【実施例】以下、本発明の具体的な実施例について説明
する。

【００２１】実施例１本実施例では、ＳｉＮ膜上でのポジ型化学増幅系レジス
ト膜のパターニング・プロセスについて、図１ないし図
６を参照しながら説明する。図１は、基板１の上に絶縁
膜としてたとえば厚さ約５００ｎｍのＳｉＮ膜２を成膜
し、さらにこの表面をたとえば厚さ約２０ｎｍの保護膜
３で被覆した状態を示している。ここで、上記ＳｉＮ膜
２の成膜はたとえばＬＰＣＶＤ法により行うことがで
き、その条件はたとえば、ＳｉＨ₂Ｃｌ₂流量５０ＳＣＣＭＮＨ₃流量２００ＳＣＣＭＮ₂流量２０００ＳＣＣＭ圧力７０Ｐａ基板温度７６０ ℃ とした。

【００２２】また、上記保護膜３としては、ここではプ
ラズマＣＶＤ法によりＴｅを堆積させた。その堆積条件
はたとえば、ＴｅＦ₄流量５０ＳＣＣＭ圧力１０〜１００ＰａＲＦパワー密度０．０８Ｗ／ｃｍ²（１３．５６ＭＨｚ）基板温度７０ ℃ とした。

【００２３】次に、図２に示されるように、上記保護膜
３の上にポジ型化学増幅系レジスト材料（和光純薬社
製；ＷＫＲ−ＰＴ１）をスピンコートし、ホットプレー
ト上で９０℃，９０秒間の露光前ベークを行い、厚さ約
１μｍのポジ型化学増幅系レジスト膜４を形成した。こ
の状態のウェハを縮小比５：１のＫｒＦエキシマ・レー
ザ・ステッパにセットし、フォトマスク１０を介して選
択露光を行った。このフォトマスク１０は、フォトマス
ク基板１１上にＣｒ膜からなる遮光膜パターン１２が
１．７５μｍ幅のライン・アンド・スペース状に形成さ
れたものである。この露光により、ウェハ上には０．３
５μｍ幅のライン・アンド・スペースの潜像が形成され
るが、図では簡単のためにフォトマスク上のパターンと
ウェハ上のパターンを等倍で示す。

【００２４】この選択露光では、遮光膜パターン１２の
開口部を透過した露光光ｈνがポジ型化学増幅系レジス
ト膜４を照射する。この露光により、ポジ型化学増幅系
レジスト膜４には露光部４ｅと未露光部４ｕの区別が生
じ、露光部４ｅではＰＡＧの分解によりプロトンＨ⁺が
発生した。しかし、本発明ではＳｉＮ膜２の表面が保護
膜３で被覆されているために、このプロトンＨ⁺がＳｉ
Ｎ膜２側へ拡散してそこにトラップされてしまうことは
なく、プロトンＨ⁺濃度はポジ型化学増幅系レジスト膜
４の膜厚方向の全体にわたって均一に保たれた。

【００２５】露光終了後、１００℃，９０秒間のＰＥＢ
を経て、アルカリ現像液（東京応化工業社製，ＮＭＤ−
Ｗ）を用いた６０秒間のパドル現像を行った。この結
果、図３に示されるように、ほぼ矩形の断面形状を有す
る良好なレジスト・パターン４ｐが形成された。この時
点で、各パターン間のスペースには保護膜３が露出し
た。

【００２６】そこで次に、減圧チャンバ内でウェハを１
１０℃に加熱し、図４に示されるように保護膜３の露出
部を除去した。この除去のメカニズムは昇華である。昇
華したＴｅの粒子は減圧チャンバに接続される排気系統
を通じて除去された。したがって、ウェハ上に何らパー
ティクル汚染は発生しなかった。また、上記の加熱温度
はレジスト材料の耐熱温度よりも低いので、すでに形成
されているレジスト・パターン４ｐの形状を何ら劣化さ
せることもなかった。この結果、保護膜３は、レジスト
・パターン４ｐに遮蔽された部分のみが保護膜パターン
３ｐとして残存することになる。

【００２７】このようにして形成されたレジスト・パタ
ーン４ｐをマスクとして、ＳｉＮ膜２のドライエッチン
グを行った。このエッチングは、たとえば有磁場マイク
ロ波プラズマ・エッチング装置を用い、次のような条件ＣＨＦ₃流量５０ＳＣＣＭマイクロ波パワー１２００Ｗ（２．４５ＧＨｚ）ＲＦバイアス・パワー１８０Ｗ（８００ｋＨｚ）ウェハ温度２０ ℃ で行った。本発明ではレジスト・パターン４ｐが設計寸
法どおりに形成されているため、形成されたＳｉＮ膜パ
ターン２ｐの寸法変換差も許容範囲内であった。

【００２８】エッチング終了後、通常のＯ₂プラズマ・
アッシングを行ってレジスト・パターン４ｐを除去し
た。このとき、このレジスト・パターン４ｐの下側の保
護膜３ｐも同時に除去された。この除去のメカニズムは
燃焼であり、ウェハ上には最終的に何ら汚染が生じなか
った。

【００２９】実施例２本実施例では、保護膜３としてＳｅを堆積させた。堆積
条件はたとえば、ＳｅＦ₄流量５０ＳＣＣＭ圧力１０〜１００ＰａＲＦパワー密度０．０８Ｗ／ｃｍ²（１３．５６ＭＨｚ）基板温度７０ ℃ とした。また、現像によりレジスト・パターン４ｐを形
成した後の保護膜３の露出部は、基体を１１０℃に加熱
することで昇華除去させることができた。この他のプロ
セス条件は、実施例１と同じである。本実施例によって
も、良好な形状を有するレジスト・パターン４ｐを形成
することができた。

【００３０】以上、本発明の具体的な実施例を２例挙げ
たが、本発明はこれらの実施例に何ら限定されるもので
はない。たとえば、上述のポジ型化学増幅系レジスト材
料に替えてネガ型化学増幅系レジスト材料（シプレイ社
製，ＳＡＬ−６０１）を使用した場合には、ノッチ形状
の無い良好な矩形パターンを得ることができた。また、
本発明によるレジスト・パターン形成を、ＳｉＮ膜に替
えてＳｉＯＮ膜，ＴｉＮ膜，ＴｉＯＮ膜のように結晶構
造そのものに起因して塩基性を呈する膜の上、あるいは
ＳＯＧやＢＰＳＧ膜のように塩基性物質の表面吸着によ
り塩基性を呈する膜の上で行った場合にも、保護膜が良
好な活性種の遮断効果を発揮し、同様に良好なレジスト
・パターンを形成することができた。この他、保護膜を
堆積させるためのガス組成、デザイン・ルール、各プロ
セスに使用する装置の種類、各プロセス条件等の細部に
ついては、適宜変更や選択が可能である。

【００３１】

【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明によれば化学増幅系レジストに関して従来より問題と
なっていたパターン形状の下地依存性を、既存の装置を
用いた簡便かつ比較的低コストな方法で解決することが
できる。したがって本発明は、化学増幅系レジスト材料
の実用化を促進し、これにより半導体デバイスの微細化
や高集積化に大きく貢献するものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明をＳｉＮ膜上でのレジスト・パターニン
グに適用したプロセス例において、ＳｉＮ膜を保護膜で
被覆した状態を示す模式的断面図である。

【図２】図１の保護膜の上にポジ型化学増幅系レジスト
膜を成膜し、フォトマスクを介して選択露光を行ってい
る状態を示す模式的断面図である。

【図３】図２のポジ型化学増幅系レジスト膜のＰＥＢお
よび現像を経てレジスト・パターンを形成した状態を示
す模式的断面図である。

【図４】加熱により図３の保護膜の露出部を選択的に除
去している状態を示す模式的断面図である。

【図５】図４のレジスト・パターンをマスクとしてＳｉ
Ｎ膜のドライエッチングを行った状態を示す模式的断面
図である。

【図６】図５のレジスト・パターンおよび保護膜パター
ンを除去した状態を示す模式的断面図である。

【図７】ＳｉＮ膜上でレジスト・パターニングを行う従
来のプロセス例において、ポジ型化学増幅系レジスト膜
に対して選択露光を行っている状態を示す模式的断面図
である。

【図８】図７のポジ型化学増幅系レジスト膜のＰＥＢお
よび現像を経て、裾引き形状を有するレジスト・パター
ンが形成された状態を示す模式的断面図である。

【図９】図８のレジスト・パターンをマスクとするドラ
イエッチングにより、設計寸法より線幅の広いＳｉＮ膜
パターンが形成された状態を示す模式的断面図である。

【図１０】ＳｉＮ膜上でレジスト・パターニングを行う
従来のプロセス例において、ネガ型化学増幅系レジスト
膜に対して選択露光を行っている状態を示す模式的断面
図である。

【図１１】図１０のネガ型化学増幅系レジスト膜のＰＥ
Ｂおよび現像を経て、ノッチ形状を有するレジスト・パ
ターンが形成された状態を示す模式的断面図である。

【符号の説明】

１…基板２…ＳｉＮ膜２ｐ…ＳｉＮ膜パターン３
…保護膜３ｐ…保護膜パターン４…ポジ型化学増幅
系レジスト膜４ｅ…露光部４ｕ…未露光部４ｐ…レジスト・パターン１０…フォトマスク

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】被加工膜上で化学増幅系レジスト膜のパ
ターニングを行うレジスト・パターン形成方法であっ
て、前記被加工膜をイオウ以外のカルコゲンからなる保護膜
で被覆する第１工程と、前記保護膜の上に化学増幅系レジスト膜を成膜する第２
工程と、前記化学増幅系レジスト膜に対して選択露光と露光後ベ
ークと現像とを行うことにより、レジスト・パターンを
形成する第３工程と、前記保護膜の露出部を選択的に除去する第４工程とを有
するレジスト・パターン形成方法。
【請求項２】前記化学増幅系レジスト膜が光化学反応
により活性種として酸を発生させ、被加工膜の少なくと
も表面が塩基性を呈することを特徴とする請求項１記載
のレジスト・パターン形成方法。
【請求項３】前記被加工膜が、その結晶構造中に孤立
電子対を有する窒素原子を含むことを特徴とする請求項
２記載のレジスト・パターン形成方法。
【請求項４】前記保護膜を、プラズマＣＶＤ法により
成膜することを特徴とする請求項１記載のレジスト・パ
ターン形成方法。
【請求項５】前記プラズマＣＶＤの原料ガスとしてフ
ッ化カルコゲンを用いることを特徴とする請求項４記載
のレジスト・パターン形成方法。
【請求項６】前記カルコゲンがセレンまたはテルルで
あることを特徴とする請求項１記載のレジスト・パター
ン形成方法。
【請求項７】前記保護膜の除去は、前記レジスト・パ
ターンの耐熱温度以下の温度域で基体を加熱してカルコ
ゲンを昇華させることにより行うことを特徴とする請求
項１記載のレジスト・パターン形成方法。