JPH1050241A - 電界放出デバイス収納真空容器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 特に高電圧で駆動される電界放出素子を使用
したデバイスに好適な真空容器を提供する。 【解決手段】 電界放出素子によって形成されるカソー
ド基板103 を配置している第１のガラス基板100 と、透
明電極201 上に陽極材料を積層した陽極基板202 を設け
ている第２のガラス基板200 を、側壁101 を介して所定
の間隙を有するように対向して溶着し、第１、第２のガ
ラス基板に対して衝合するように第３のガラス容器300
を真空容器の一端に溶着する。第３のガラス容器の内部
空間にはゲッタ室305 を形成し、その空間に真空容器内
の不純物を吸着するためのゲッタ306 を配置する。ま
た、第３のガラス容器の排気孔301 を挿通するアノード
引出線203 によって陽極電極の引き出しをを行う。排気
孔301 を封着する金属性の蓋体302 が陽極電圧を印加す
る端子となる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電界によって電子
を放出する電界放出素子を真空容器内に配置した種種の
デバイスに対して有効な真空容器に係わり、特に半導体
加工技術によって構成されている面放出型の冷陰極線管
であるＦＥＤ（Field Emission Device)を使用した光電
変換素子や、表示装置の真空容器に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体技術を駆使して構成される電界放
出素子として実用段階に達しているものとして、例えば
図１１に示すようなスピント型のＦＥＣ（電界放出カソ
ード）がよく知られている。

【０００３】図１１に、その一例であるスピント（Spin
dt）型と呼ばれる電界放出カソードの概略構造を示す。
この図は半導体微細加工技術を用いて作成したＦＥＣの
斜視図を示すものである。この図において、基板Ｓ上に
カソードＫが蒸着等により設けられており、このカソー
ドＫ上にコーン状のエミッタＥが形成されている。カソ
ードＫ上には、さらに二酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）から
なる絶縁層Ｉを介してゲ−トＧＴが設けられており、ゲ
ートＧＴにあけられた丸い穴の中に上記コーン状のエミ
ッタＥが位置している。すなわち、このコーン状のエミ
ッタＥの先端部分がゲートＧＴにあけられた穴から臨ん
でいる。

【０００４】このコーン状のエミッタのエミッタＥ間の
ピッチは微細加工技術を利用して１０ミクロン以下で作
製することが出来、数万から数１０万個のＦＥＣを１枚
の基板Ｓ上に設けることが出来る。また、ゲートＧＴと
エミッタＥのコーンの先端との距離をサブミクロンとす
ることが出来るため、ゲートＧＴとカソードＫ間とに僅
か数１０ボルトの電圧Ｖgkを印加することにより、電子
をエミッタＥから電界放出することが出来る。さらに、
ゲートＧＴと所定間隔離隔されてアノードＡが配置され
ており、このアノードＡにアノード電圧Ｖａを印加する
ことにより、エミッタＥから放出された電子を捕集して
いる。このアノードＡには図示していないが蛍光体が被
着されていると、捕集された電子により蛍光体が励起さ
れて発光される表示装置とすることができる。また、こ
のアノードＡに光電変換膜が積層されているときは、外
部から入力された光量に応じてアノード電流が変化し、
このアノード電流を検出することにより撮像装置とする
ことができる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところで、図１１に示
す従来の電界放出表示装置においては、ゲートＧＴとア
ノードＡとの間隔が２００μｍ程度であり、このため耐
圧の点からアノード電圧Ｖａは数百Ｖ程度とされてい
た。しかしながら、数百Ｖ程度のアノード電圧Ｖａでは
蛍光体の発光効率が低すぎ、輝度を向上することが困難
であるという問題点があった。さらに、このような構造
の電界放出素子の陽極として光電変換素子を使用し、後
で述べるようにイメージ撮像デバイスを構築するときで
も、アノード電圧を数千ボルトに高くして撮像デバイス
として高感度のものが要求されているが、この場合に陽
極に対して高い電圧を印加することが要求される。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明は上記したような
目的を達成するために、電界放出素子、及び陽極電極が
対向するような状態で真空容器中に配置されるようなデ
バイスにおいて電界放出素子を配置した第１のガラス基
板と、前記第１のガラス基板に対して対向配置される陽
極電極を備えた第２のガラス基板を構成材料とし、前記
第１のガラス基板と前記第２のガラス基板の一端にゲッ
タ室を構成する第３のガラス容器を溶着し、前記第３の
ガラス容器に形成されている排気孔から前記陽極電極に
接続される引出線が導出されるように構成するものであ
る。

【０００７】また、前記排気孔を封着する蓋体を金属性
にすると共に、この蓋体に対して前記引出線が溶着され
るように構成し、陽極に対して高電圧を供給することが
できるようにする。さらに 前記蓋体は前記第２のガラ
ス基板の熱膨張係数と略同一の導電性金属、例えば４２
６合金（４２％Ｎｉ、６％Ｃｒ）とする。

【０００８】また、電界放出カソードを使用するデバイ
スとしては、陽極電極として第２のガラス基板の表面に
入射した光に感応してアノード電流を変調する光電変換
材料を使用してイメージ撮像装置とするか、前記陽極電
極を前記電界放出素子より照射された電子ビームによっ
て発光する蛍光材として表示装置として使用可能となる
ようにしている。

【０００９】なお、陽極電極が複数の領域に分割されて
いるときは、電界放出素子を配置し該電界放出素子のカ
ソード選択電極を一方の端面に形成した第１のガラス基
板と、前記第１のガラス基板に対して対向するように複
数の陽極電極を配置し、前記複数の陽極の選択電極が他
方の端面に形成されている第２のガラス基板を両端縁が
ずれた状態で重ね合わせ、互いに対向していない両端面
に対して陽極電極の引出線と、カソード電極に引出線を
配置すると共に、前記第２のガラス基板の前記選択電極
が形成されている一端に側に、ゲッタ室を構成する第３
のガラス容器を溶着し、前記第３のガラス容器に形成さ
れている排気孔を金属性の蓋によって封着するようにす
ることもできる。

【００１０】

【発明の実施の形態】本発明の電界放出デバイス収納真
空容器の外観の形態を図１に示す斜視図を用いて説明す
る。図１において、１００は前記した図１１で示すよう
に電界放出素子としコーン状のエミッタ電極が形成され
ているカソード基板が設けられている第１のガラス基板
である。またこの第１のガラス基板に対して対向されて
いる第２のガラス基板２００が０．２〜１．２ｍｍの微
少な間隙を介して内部に空間が残るように側壁１０１で
封着して設けられており、この第２のガラス基板２００
の上面、すなわちカソード基板に対向する面にはカソー
ド基板上に配列されているエミッタ電極から放出された
電子が衝突する陽極が透明電極等によって形成されてい
る。

【００１１】さらに、前記第１、及び第２のガラス基板
１００、２００の一端には側面がＬ字状に形成され、内
部にゲッタ室を構成するための第３のガラス容器３００
がその側面で封着されており、このゲッタ室と前記第１
及び第２のガラス基板１００、２００で構成されている
内部空間が導通するようになされている。この第３のガ
ラス容器３００の上面には内部空間を真空に引くための
排気孔３０１が設けられ、後で述べるようにこの排気孔
３０１を介して内部の空気を吸引排除すると共に、この
排気孔３０１を蓋体３０２、または、この排気孔３０１
に連通している排気管（ガラス管）で封着することによ
りデバイスの内部空間を１０−６Torr以上の真空度に保
つようにしている。

【００１２】図２は前記真空容器の側面から見た断面
図、図３は真空容器の上面から見た構造図を示しており
同一の符号は同一の個所を示す。第１のガラス基板１０
０の下面には前記したカソード電極となるエミッタコー
ンとゲート電極からなるカソード基板１０３が構築され
ており、このカソード基板１０３に対向する側の第２の
ガラス基板２００の上面にはその表面に透明電極２０１
と、陽極材料からな陽極基板２０２が積層される。陽極
材料は撮像デバイスとする時は光電変換材料が、また表
示デバイスとする時は蛍光材料が陽極電極を構成するよ
うに積層されている。透明電極を含む陽極基板２０２は
電子ビームの照射面全部を陽極とするようにベターで構
成することもできるが、この部分を適当な領域で分割さ
れた状態で複数の陽極電極となるように形成されるよう
することもできる。そして、ベターの単一の陽極電極と
する時は透明電極２０１の引出し線の部分に、後で述べ
るように排気孔３０１を封着している金属性の蓋体３０
２に接合されているアノード引出線２０３が接触するよ
うに配置されている。

【００１３】第３のガラス容器３００と第１のガラス基
板１００の対向する空間に形成されるゲッタ室３０５に
は真空容器中に発生する不純物質を吸着するためのゲッ
タ材料３０６が設けられており、真空容器内に浮遊する
不純物を吸着することにより真空度が低下しないようし
ている。ゲッタ室に配置されるゲッタ材料は良く知られ
ているようにＢａを含む蒸発ゲッタ、またはＺｃ、Ｔ
ｉ、Ｔａ、Ｃ、Ｖ、Ｆｅ等を含む非蒸発性のゲッタ材
料、またはこれらを適当に組み合わせたものであればよ
い。

【００１４】前記第１のガラス基板１００、第２のガラ
ス基板２００の接合面は側壁１０１を介して相互にフリ
ットガラス１２０によって機密に溶着封止され、さらに
第３のガラス容器３００と第１のガラス基板１００及び
第２のガラス基板２００の接合部もフリットガラス２３
０によって溶着封止され、第１のガラス基板１００を介
して連通する上下の空間が外部から遮断されている状態
に形成される。また前記アノード引出線２０３はその下
面がバネ構造の接触片２０５を有しており、蓋体３０２
で押圧されることにより前記透明電極２０１と電気的に
導通するように構成されている。

【００１５】図３は上記図２の真空容器を上面から見た
ものであって斜線部分がフリットガラス１２０、２３０
によって封着される部分を示す。第１のガラス基板１０
０の両側面からは前記したカソード基板上１０３に配置
されているエミッタの放出電子を制御する複数の制御電
極を選択する複数本の引出線Ｇ(1) ．Ｇ(2) が導出され
ており、この基板のアノード側と対向する側端からはエ
ミッタアレイを選択するための複数の引出線Ｋが導出さ
れるように形成したものである。したがって、図２に示
したように高圧の電圧が印加されるアノード電極の引出
線２０３とカソード電極の引出線Ｋはおおきく離間させ
ることができると共に、ほぼ反対方向に導出されるので
電界放出素子を高電圧で駆動する時の真空容器のデバイ
スとして有効になる

【００１６】上記したような真空容器を備えている電界
放出デバイスの一例として、陽極に光電変換材料を配置
した高感度の撮像カメラを構成する場合について述べ
る。電子ビームが照射されるターゲット膜としてアモル
フア スセレンを主成分とする陽極材料を透明電極に積層
して陽極電極を形成し、この陽極電極に高電圧を印加し
た状態で電子ビームを照射すると、このターゲットに対
して光が照射されたときにアバランシェ（電子なだれ）
増倍現象が生じ高感度ＨＡＲＰ（High gainAvalanche R
ushing Amorphous Photococductor) 方式の撮像管を形
成することができる。

【００１７】そこで、図１１に示したような電界放出素
子を第１のガラス基板１００上に配置すると共に、この
ガラス基板１００と対向して上記したような材料からな
る光電変換素膜を第２のガラス基板の透明電極上に積層
し、アノードに高電圧を印加して電界放出素子から照射
される電ビームで該光電変換膜の表面を走査すると、走
査電子ビームが到達するとその走査面の電位が低下しカ
ソード側の電位とほぼ同程度になる。（光電変換膜は２
次電子が放出しにくい材料とされている） そのため、光電変換膜の基板側が正、走査面側が負とな
るような電界が印加され、この状態で外部から光が入射
するとその入射量に応じて電子正孔対が光電変換膜中で
発生する。この電子正孔対は膜の電界によって電子が基
板側に、正孔が走査面側に走行し走査面の電位が上昇す
るが、次に走査電子ビームが到達すると走査面の電位は
再びカソード電位にリセットされ、その際に当該個所の
入射光量に応じた蓄積信号電荷がアノード信号として流
れ図示されていない負荷抵抗の端子電圧として検出され
る。したがって、陽極電極を電界放出素子の電子ビーム
によってラスタスキャンをすると、陽極電極に照射され
ている入射光量の空間的な分布に対応した時系列的な電
気信号が光電変換膜により映像信号として得ることがで
きる。

【００１８】上記したように陽極電極に対して電子ビー
ムを走査させる技術は、図１１の電界放出型のカソード
を形成するエミッタコーンと、その制御電極を画素単位
で駆動することによって達成されるが、このようなラス
タスキャンの各種の方式は、例えば電界放出素子を使用
した表示装置において種種提案されており、ある程度確
立した技術として知られている。しかしながら、撮像素
子として感度を高くすると共に解像度を向上させるため
には、画素単位のエミッタから放出される電子ビームの
量を多くすると共に、その指向性を鋭くすることが要請
される。以下、本出願人が先に（特願平８−１４６４９
５号）して提案した電子ビームの収束度を高くする方法
につてその一例を簡単に述べる。

【００１９】図４において、１は図示されていない隔壁
によって支持されているガラス等からなるアノード基
板、２はアノード基板１に薄膜状に形成されているアノ
ード電極、３はアノード電極２上に被着された光電変換
膜層、４は電界放出された電子ビームを集束する集束穴
４−３が形成されている集束電極、５は絶縁層６上に形
成されたゲート電極、６はカソード電極７上に形成され
た絶縁層、７はカソード基板８上に薄膜状に形成されて
いるカソード電極、８はガラス等からなるカソード基
板、９はゲート電極５および絶縁層６に形成されたゲー
ト穴内に形成されているコーン状のエミッタである。

【００２０】また、図４においては１表示ピクセル（画
素）の構成を示しており、各ピクセルにおいては、複数
のエミッタ９が形成されている。すなわち、ゲート電極
５、絶縁層６、カソード電極７および複数のエミッタ９
からなるスピント型の電界放出カソードアレーが各ピク
セルに形成されている。なお、各ピクセルの電界放出カ
ソードアレーの斜視図は、前記図１１に示すようにな
る。この電界放出カソードアレーのサイズはｄ１とされ
ており、例えば、その形状はエミッタ数が５×５とされ
た一辺が約２４μｍの正方形とされている。この場合、
例えばゲート穴径が約１．２μｍ、エミッタ９のピッチ
が約４μｍとされている。また、集束電極４に形成され
ている集束穴４−３は、例えば円形状とされてその径が
ｄ２とされ、例えばその径ｄ２は約１００μｍとされて
いる。なお、電界放出カソードアレーの形状を円形状と
することもできる。さらに、ゲート電極５と集束電極４
との間隔がＬ１とされ、集束電極４とアノード電極２と
の間隔がＬ２とされている。そして、間隔Ｌ１は５０μ
ｍ、間隔Ｌ２は約５００μｍとされる。

【００２１】さらにまた、カソード電極７とゲート電極
５間には、例えば約５０Ｖとされるゲート・カソード間
電圧Ｖｇ１が印加され、カソード電極７と集束電極４間
には、５０〜１５０Ｖの集束電極・カソード間電圧Ｖｇ
２が印加されている。また、アノード電極２には２〜５
ｋＶのアノード電圧Ｖａが印加されている。次に、図４
に示す電界放出型表示装置の動作を説明するが、カソー
ド基板８とアノード基板１の間は図示していないが真空
排気されている。ゲート・カソード間電圧Ｖｇ１が印加
されることにより、電界放出カソードアレーの複数のエ
ミッタ９から電子が電界放出される。この電子は約６０
度の広がりを持って電子ビームとして放出されるが、ゲ
ート電極５上に位置している集束電極４により、電子ビ
ームが集束されるようになる。そして、集束された電子
ビームがアノード電極２に捕集されるようになるが、こ
の時に電子ビームは光電変換膜層３に衝突して、ガラス
基板上に構成されていアノード基板に外部から入力され
た光量によって時系列的に電気信号をアノード電流変化
として導出することができるようになる。

【００２２】このような電界放出カソードアレーは、例
えばｍ行ｎ列のマトリクス状に設けられているｍ×ｎ個
の多数のピクセルごとに設けられており、各ピクセルの
電界放出カソードアレーにおけるゲート・カソード間電
圧Ｖｇ１、すなわちゲート選択引出線とカソード選択引
出線をマトリックス状に走査することによって、アノー
ド基板１に照射した電子ビームをスキャンさせることが
でき画像信号を得ることができるようになる。図４に示
す電界放出型デバイスにおいて、電界放出された電子ビ
ームが集束される様子（シュミレーション）を図５に示
す。図５における条件は、集束電極４の集束穴４−３の
径ｄ２＝１００μｍ、間隔Ｌ１＝５０μｍ、間隔Ｌ２＝
５００μｍ、アノード電圧Ｖａ＝２ｋＶ、集束電極・カ
ソード電極間電圧Ｖｇ２＝５０Ｖ、集束電圧４の厚さｔ
＝５０μｍとしている。また、ＦＥＣは前記した電界放
出カソードアレーを示している。

【００２３】この図５に示すように、電界放出カソード
アレー（ＦＥＣ）から放出された電子は約６０度で広が
るようになるが、正電圧の印加されている集束電極４の
作用により、図示するように集束されてアノード電極２
に向かって進行していくようになる。これにより、電子
ビームを細く絞ることができるので、高精細の表示装置
とすることが可能となる。なお、間隔Ｌ１はＦＥＣに近
い方がよいように思われるが、近くし過ぎると電子線が
クロスオーバするようになり集束性が損なわれるように
なる。すなわち、間隔Ｌ１は約５０μｍ程度とするのが
よい。図４の電界放出デバイスにおいて光電変換膜３を
蛍光材の膜とすると、高輝度の表示装置として利用でき
る。

【００２４】図６は本発明の電界放出デバイスの真空容
器の他の実施例を示す側面図であって図２の部分と同一
部分は同一記号とされている。この実施例の場合はアノ
ードの引出線２０３が容器内を真空に引いた後に封着さ
れた排気管３０３に結合されており、この排気管３０３
に挿通されているされているアノード引出線３０２の下
端にバネ部材３０５を付け、このバネ部材が第２のガラ
ス基板２００の表面に形成されている透明電極２０１に
接合するように構成されている。

【００２５】図７は電界放出デバイスの陽極電極が複数
のスリット状に分割されている場合に適合される真空容
器の実施例を示したものであって、前記アノード引出線
は使用されていない。そのかわり、図８の平面図に示さ
れているように第２のガラス基板２００の他方が第３の
ガラス容器３００から突出するように構成されており、
この突出部分２０２の部分に陽極を分割したときの多数
の引出線Ａが導出するように構成されている。この真空
容器の場合は、アノード電極を例えばカソード基板上に
形成されている制御電極に対して、直交する方向に分割
して陽極面を走査する際に使用されるものであって、ア
ノード電極に垂直方向の走査パルスを供給し、制御電極
に対して水平方向の走査パルスを供給して陽極面に照射
するビームを走査させることができるようにする。陽極
電極を分割すると一般にカラー画面に対応するように構
成することが容易になり、光学フイルタを適応すること
によりデバイスの性能を多様化することができる。

【００２６】図９は図３に示した真空容器の平面を少し
変形した他の実施例を示すものであり、真空容器をさら
に小型化する際に好適な実施例を示す。この図では第１
のガラス基板１００の２辺からマトリックス状に分割さ
れたカソード電極引出線１２０（Ｋ）及び制御電極引出
線１３０（Ｇ）が引き出されるように構成されている。
なお、この引き出し方向は相互に交換することも可能で
ある。

【００２７】図１０は本発明の実施例図２に示すように
電界放出素子デバイスの真空容器内を排気し、金属性の
蓋体で真空状態を維持するように蓋体を溶着封止するた
めの説明図であって、前記した第１及び第２のガラス基
板及び、第３のガラス容器を組立てた真空容器を封止室
１０に移送する。この封止室１０内には、図示しない機
構によって上昇するように配置されている筒体２０、こ
の筒体２０の下方から排気するための排気室３０が接続
されている。

【００２８】４０は前記筒体３０の中をさらに上昇する
ように配置されている押上棒であり、この押上棒４０の
上端には加熱用の排気ヘッド４３が設けてある。そして
この排気ヘッドの４３の上端に前記した真空容器を封止
するための蓋体４２が搭載され、押上棒の下方はシリン
ダ４４によって上方に押し上げられるようになされてい
る。なお、２１は弾性リングを示し筒体２０を真空容器
の排気孔に圧接させるように衝合させているものであ
る。

【００２９】この排気封止装置は封止室内の移送された
真空容器を所定の個所に固定した後に不活性ガス雰囲気
中でヒータによって加熱し、酸化物ソルダーを溶融する
ことにより容器の封着を行う。次に、容器の排気孔に排
気ヘッド４３が当接するように筒体２０またはこの筒体
２０に連接している排気室３０を上昇し、点線で示すよ
うに容器内の空間と排気室が連通する状態にする。そし
て排気ポンプ５０により容器内を高い真空度となるよう
に排気し、その後押上棒２０を上昇してその先端に取り
付けられている蓋体４２を容器の排気孔に衝合する。

【００３０】蓋体の表面には予め酸化物ソルダーが付着
しているからこの位置で排気ヘッド内に設けられている
加熱装置によって蓋体を加熱すると、真空に引かれた容
器の排気孔は蓋体によって封着され加熱装置の通電を停
止して酸化物ソルダーが固相状態になるのを待つ。そし
て、固相状態になると容器内を真空に保つための封着が
完了するから、筒体２０及び押上棒３０を下降して封止
作業を終了する。なお、４４は押上棒３０を上下動する
ためのシリンダとピストンである。

【００３１】

【発明の効果】本発明は以上のように電界放出デバイス
の真空容器として、第１のガラス基板と第２のガラス基
板を使用して電界放出デバイスから照射される電子ビー
ムの空間部分を形成するともに、第３のガラス容器にゲ
ッタ室を形成し、このゲッタ室の排気口を利用して高電
圧が負荷されるアノード電極に対して電圧を供給するよ
うにしているから、アノード電極によって光電変換され
る信号出力、またはアノードで電極に積層された表示用
の蛍光材の発光量を増加させることができるという効果
がある。

【００３２】また、全体的に真空容器を薄型にし小型化
することが可能であるから、電界放出型の各種デバイス
（撮像装置、表示装置、Ｘ線イメージセンサ）に適合さ
せることが容易になるとともに、高い電流密度の極細ビ
ームを発生する際に適しているため、高解像度、高ダイ
ナミックレンジが要求されるデバイスとして使用するこ
とできる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の電界放出デバイス収納真空容器の外観
を示す斜視図である。

【図２】本発明の電界放出デバイス収納真空容器の断面
構造を示す説明図である。

【図３】本発明の電界放出デバイス収納真空容器の平面
構造を示す説明図である。

【図４】電界放出デバイス収納真空容器を構成するため
のカソード構造の一例を示す概要図である。

【図５】図４に示したカソードから放出される電子ビー
ムのシュミレーションを示す図である。

【図６】本発明の他の実施例を示す真空容器の断面図を
示す。

【図７】本発明の他の実施例を示す真空容器の平面図で
ある。

【図８】本発明のさらに他の実施例を示す真空容器の平
面図である。

【図９】陽極分割型の電界放出デバイス収納真空容器に
適合する真空容器の平面図である。

【図１０】真空容器内を排気するための装置の説明図で
ある。

【図１１】スピント型のカソード構造を説明する斜視図
である。

【符号の説明】

１００ 第１のガラス基板 ２００ 第２のガラス基板 ３００ 第３のガラス容器 ３０１ 排気孔 ３０２ 蓋体 ３０５ ゲッタ室 ３０６ ゲッタ ２０３ アノード電極の引出線 １０３カソード基板 ２０２ 陽極基板

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】電界放出素子を配置した第１のガラス基板
   と、前記第１のガラス基板に対して対向配置される陽極
   電極を備えた第２のガラス基板を構成材料とする電界放
   出デバイス収納真空容器において、前記第１のガラス基
   板と前記第２のガラス基板の一端にゲッタ室を構成する
   第３のガラス容器を溶着し、前記第３のガラス容器に形
   成されている排気孔から前記陽極電極に接続される引出
   線が導出されるように構成したことを特徴とする電界放
   出デバイス収納真空容器。
2. 【請求項２】前記排気孔を封着する蓋体と、前記引出線
   が接合されていることを特徴とする請求項１に記載の電
   界放出デバイス収納真空容器。
3. 【請求項３】前記蓋体は前記第１のガラス基板の熱膨張
   係数と略同一の導電性金属とされていることを特徴とす
   る請求項１または２に記載の電界放出デバイス収納真空
   容器。
4. 【請求項４】前記第２のガラス基板は前記第１のガラス
   基板に対して少なくともその一辺が突出した領域を有す
   るように構成され、該領域に対して前記電界放出素子の
   引き出し電極が形成されていることを特徴とする請求項
   １、２または３に記載の電界放出デバイス収納真空容
   器。
5. 【請求項５】前記陽極電極は第２のガラス基板を透過し
   た光量に感応してアノード電流が変化する光電変換材料
   膜を構成要素としていることを特徴とする請求項１、
   ２、３または４に記載の電界放出デバイス収納真空容器
6. 【請求項６】前記陽極電極は前記電界放出素子より照射
   された電子ビームによって発光する蛍光材を構成要素と
   していることを特徴とする請求項１、２、３、または４
   に記載の電界放出デバイス収納真空容器。
7. 【請求項７】電界放出素子を配置し該電界放出素子のカ
   ソード選択電極引出線を一方の端面に形成した第１のガ
   ラス基板と、前記第１のガラス基板に対して対向するよ
   うに複数の陽極電極を配置し、前記複数の陽極の選択電
   極引出線が他方の端面に形成されている第２のガラス基
   板を構成材料として電界放出デバイス収納真空容器を構
   成し、 前記第２のガラス基板の前記選択電極引出線が形成され
   ている側にゲッタ室を構成する第３のガラス容器を溶着
   し、前記第３のガラス容器に形成されている排気孔を金
   属性の蓋によって封着したことを特徴とする電界放出デ
   バイス収納真空容器。