JPH1050669A - 平行平板型ｒｉｅ装置 - Google Patents
平行平板型ｒｉｅ装置Info
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- JPH1050669A JPH1050669A JP20177596A JP20177596A JPH1050669A JP H1050669 A JPH1050669 A JP H1050669A JP 20177596 A JP20177596 A JP 20177596A JP 20177596 A JP20177596 A JP 20177596A JP H1050669 A JPH1050669 A JP H1050669A
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- Japan
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Abstract
(57)【要約】
【課題】被エッチング体を均一にエッチングすることが
できる平行平板型ＲＩＥ装置を提供すること。 【解決手段】処理室１内に上下に対向して一対の電極
２，３が設けられている。これら電極間には、下部電極
３上の半導体ウエハ１０に対しエッチングを行うための
反応性ガスが、ガス供給源５から供給される。上部電極
２および下部電極３には高周波電源４から高周波電力が
供給され、これらの間に反応性ガスのプラズマが形成さ
れる。上部電極２は、ガス導入管６に連続する内部空間
と、下面に形成された多数のガス吐出孔２ａと、内部空
間に設けられ、多数のガス通流孔９ａを有するガス分散
板９とを有し、ガス分散板９は、半導体ウエハ１０が均
一にエッチングされるガス流が形成されるようなガス通
流孔９ａの分布を有している。
できる平行平板型ＲＩＥ装置を提供すること。 【解決手段】処理室１内に上下に対向して一対の電極
２，３が設けられている。これら電極間には、下部電極
３上の半導体ウエハ１０に対しエッチングを行うための
反応性ガスが、ガス供給源５から供給される。上部電極
２および下部電極３には高周波電源４から高周波電力が
供給され、これらの間に反応性ガスのプラズマが形成さ
れる。上部電極２は、ガス導入管６に連続する内部空間
と、下面に形成された多数のガス吐出孔２ａと、内部空
間に設けられ、多数のガス通流孔９ａを有するガス分散
板９とを有し、ガス分散板９は、半導体ウエハ１０が均
一にエッチングされるガス流が形成されるようなガス通
流孔９ａの分布を有している。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハなど
の被エッチング体に反応性ガスを供給し、そのプラズマ
により被エッチング体を微細加工する平行平板型ＲＩＥ
装置に関する。
の被エッチング体に反応性ガスを供給し、そのプラズマ
により被エッチング体を微細加工する平行平板型ＲＩＥ
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】平行平板型ＲＩＥ（Reactive Ion Etchi
ng）装置は、高密度半導体デバイスの微細加工に用いら
れるものであり、一対の円盤状の電極を上下に平行に配
してなり、それらの間にハロゲン元素を含む反応性ガス
のプラズマを形成して、そのプラズマにより半導体ウエ
ハなどの被エッチング体をエッチングするものである。
ng）装置は、高密度半導体デバイスの微細加工に用いら
れるものであり、一対の円盤状の電極を上下に平行に配
してなり、それらの間にハロゲン元素を含む反応性ガス
のプラズマを形成して、そのプラズマにより半導体ウエ
ハなどの被エッチング体をエッチングするものである。
【０００３】この種のＲＩＥ装置においては、通常、ガ
ス供給源が上部電極に接続されており、上部電極の下面
に形成された多数のガス吐出孔から反応性ガスが下部電
極に向けて吐出される。そして、両電極またはいずれか
一方の電極に接続された高周波電源から高周波電力が印
加され、反応性ガスがプラズマ化される。このプラズマ
により下部電極に載置された被エッチング体がエッチン
グされる。
ス供給源が上部電極に接続されており、上部電極の下面
に形成された多数のガス吐出孔から反応性ガスが下部電
極に向けて吐出される。そして、両電極またはいずれか
一方の電極に接続された高周波電源から高周波電力が印
加され、反応性ガスがプラズマ化される。このプラズマ
により下部電極に載置された被エッチング体がエッチン
グされる。
【０００４】そして、この装置においては、反応性ガス
を均一分散させてエッチングの均一性を良好にするため
に、上部電極の内部に多数の孔が均一に形成されたガス
分散板を配している。
を均一分散させてエッチングの均一性を良好にするため
に、上部電極の内部に多数の孔が均一に形成されたガス
分散板を配している。
【０００５】しかしながら、このような分散板を用い、
エッチングレシピを調整しても、エッチングの均一性が
未だ十分とはいえない。
エッチングレシピを調整しても、エッチングの均一性が
未だ十分とはいえない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明はかかる事情に
鑑みてなされたものであって、被エッチング体を均一に
エッチングすることができる平行平板型ＲＩＥ装置を提
供することを目的とする。
鑑みてなされたものであって、被エッチング体を均一に
エッチングすることができる平行平板型ＲＩＥ装置を提
供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者らが従来のガス
分散板を用いてエッチングした場合の被エッチング体と
しての半導体ウエハのエッチング状況を詳細に検討した
結果、ウエハの中心部のエッチングレートが遅く周辺部
が速い分布を有していることが判明した。
分散板を用いてエッチングした場合の被エッチング体と
しての半導体ウエハのエッチング状況を詳細に検討した
結果、ウエハの中心部のエッチングレートが遅く周辺部
が速い分布を有していることが判明した。
【０００８】本発明者らは、さらに検討を重ねた結果、
このようなエッチングの不均一は上部電極に設けられた
ガス分散板の孔分布が略均一であることに起因している
ことを見出し、本発明を完成するに至った。
このようなエッチングの不均一は上部電極に設けられた
ガス分散板の孔分布が略均一であることに起因している
ことを見出し、本発明を完成するに至った。
【０００９】本発明はこのような知見に基づいてなされ
たものであって、処理室と、処理室内に上下に対向して
設けられた一対の電極と、該電極間にエッチングを行う
ための反応性ガスを供給するガス供給手段と、前記上部
電極および下部電極の間に反応性ガスのプラズマを形成
するためのプラズマ形成手段とを排気する排気手段とを
具備し、前記下部電極上に載置された被エッチング体を
反応性ガスのプラズマによりエッチングする平行平板型
ＲＩＥ装置であって、前記ガス供給手段は、ガス供給源
と、前記上部電極に連結するガス導入管とを有し、前記
上部電極は、ガス導入管に連続する内部空間と、下面に
形成された多数のガス吐出孔と、前記内部空間に設けら
れ、多数のガス通流孔を有するガス分散板とを有し、前
記ガス分散板は、前記被エッチング体が均一にエッチン
グされるガス流が形成されるようなガス通流孔の分布を
有していることを特徴とする平行平板型ＲＩＥ装置を提
供するものである。
たものであって、処理室と、処理室内に上下に対向して
設けられた一対の電極と、該電極間にエッチングを行う
ための反応性ガスを供給するガス供給手段と、前記上部
電極および下部電極の間に反応性ガスのプラズマを形成
するためのプラズマ形成手段とを排気する排気手段とを
具備し、前記下部電極上に載置された被エッチング体を
反応性ガスのプラズマによりエッチングする平行平板型
ＲＩＥ装置であって、前記ガス供給手段は、ガス供給源
と、前記上部電極に連結するガス導入管とを有し、前記
上部電極は、ガス導入管に連続する内部空間と、下面に
形成された多数のガス吐出孔と、前記内部空間に設けら
れ、多数のガス通流孔を有するガス分散板とを有し、前
記ガス分散板は、前記被エッチング体が均一にエッチン
グされるガス流が形成されるようなガス通流孔の分布を
有していることを特徴とする平行平板型ＲＩＥ装置を提
供するものである。
【００１０】また、処理室と、処理室内に上下に対向し
て設けられた一対の電極と、該電極間にエッチングを行
うための反応性ガスを供給するガス供給手段と、前記上
部電極および下部電極の間に反応性ガスのプラズマを形
成するためのプラズマ形成手段とを具備し、前記下部電
極上に載置された被エッチング体を反応性ガスのプラズ
マによりエッチングする平行平板型ＲＩＥ装置であっ
て、前記ガス供給手段は、ガス供給源と、前記上部電極
に連結するガス導入管とを有し、前記上部電極は、ガス
導入管に連続する内部空間と、下面に形成された多数の
ガス吐出孔と、前記内部空間に設けられ、多数のガス通
流孔を有するガス分散板とを有し、前記ガス通流孔は、
分散板の中央部においてその密度が相対的に高くなるよ
うに分布していることを特徴とする平行平板型ＲＩＥ装
置を提供するものである。
て設けられた一対の電極と、該電極間にエッチングを行
うための反応性ガスを供給するガス供給手段と、前記上
部電極および下部電極の間に反応性ガスのプラズマを形
成するためのプラズマ形成手段とを具備し、前記下部電
極上に載置された被エッチング体を反応性ガスのプラズ
マによりエッチングする平行平板型ＲＩＥ装置であっ
て、前記ガス供給手段は、ガス供給源と、前記上部電極
に連結するガス導入管とを有し、前記上部電極は、ガス
導入管に連続する内部空間と、下面に形成された多数の
ガス吐出孔と、前記内部空間に設けられ、多数のガス通
流孔を有するガス分散板とを有し、前記ガス通流孔は、
分散板の中央部においてその密度が相対的に高くなるよ
うに分布していることを特徴とする平行平板型ＲＩＥ装
置を提供するものである。
【００１１】プラズマ形成手段としては、上部電極およ
び／または下部電極に高周波電力を印加する高周波電源
が用いられる。
び／または下部電極に高周波電力を印加する高周波電源
が用いられる。
【００１２】本発明においては、ガス分散板のガス通流
孔の分布を適切に調整するので、反応性ガスのガス流
を、被エッチング体を均一にエッチングするものとする
ことができる。
孔の分布を適切に調整するので、反応性ガスのガス流
を、被エッチング体を均一にエッチングするものとする
ことができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て具体的に説明する。
て具体的に説明する。
【００１４】図１は、本発明の一実施形態に係る平行平
板型ＲＩＥ装置を示す断面図である。処理室１内には、
上下に対向する上部電極２および下部電極３が設けられ
ており、これらの対向面は水平に維持されている。これ
ら上部電極２および下部電極３には配線を介して高周波
電源４が接続されている。
板型ＲＩＥ装置を示す断面図である。処理室１内には、
上下に対向する上部電極２および下部電極３が設けられ
ており、これらの対向面は水平に維持されている。これ
ら上部電極２および下部電極３には配線を介して高周波
電源４が接続されている。
【００１５】処理室１の上面にはガス導入管６が接続さ
れており、このガス導入管６には配管を介してガス供給
源５が接続されている。ガス供給源５からは、ＣＦ4 、
ＣＨＦ3 などのハロゲン含有ガスおよび必要に応じて添
加されるＡｒなどの希釈ガスを含む反応性ガスがガス導
入管６を介して上部電極２内に導入され、上部電極２か
ら両電極間の処理空間に供給される。
れており、このガス導入管６には配管を介してガス供給
源５が接続されている。ガス供給源５からは、ＣＦ4 、
ＣＨＦ3 などのハロゲン含有ガスおよび必要に応じて添
加されるＡｒなどの希釈ガスを含む反応性ガスがガス導
入管６を介して上部電極２内に導入され、上部電極２か
ら両電極間の処理空間に供給される。
【００１６】処理室１の側面下部には、ガス排気管７が
接続されており、このガス排気管７には図示しない排気
装置が接続されており、その排気装置によりガス排気管
７を介して処理室１内が排気される。
接続されており、このガス排気管７には図示しない排気
装置が接続されており、その排気装置によりガス排気管
７を介して処理室１内が排気される。
【００１７】上部電極２は、内部に空間を有する中空円
筒状をなし、その下面すなわち下部電極３に対向する面
には多数のガス吐出孔２ａが形成されている。また、そ
の内部の空間には２枚のガス分散板８および９が設けら
れており、これらにはそれぞれ多数のガス通流孔８ａお
よび９ａが形成されている。そして、これら分散板８，
９によりガスを分散させることにより、ガス吐出孔２ａ
から反応性ガスが略均一に吐出される。
筒状をなし、その下面すなわち下部電極３に対向する面
には多数のガス吐出孔２ａが形成されている。また、そ
の内部の空間には２枚のガス分散板８および９が設けら
れており、これらにはそれぞれ多数のガス通流孔８ａお
よび９ａが形成されている。そして、これら分散板８，
９によりガスを分散させることにより、ガス吐出孔２ａ
から反応性ガスが略均一に吐出される。
【００１８】これらのうち、ガス吐出孔２ａおよびガス
通流孔８ａは、それぞれ上部電極の下面およびガス分散
板８に対して略均一に形成されているが、ガス通流孔９
ａは、後述するようにエッチングの均一性を考慮して、
図２に示すようにガス分散板９の中心部において密度が
高く、反応性ガスが中心部から多く吐出されるような分
布を有している。
通流孔８ａは、それぞれ上部電極の下面およびガス分散
板８に対して略均一に形成されているが、ガス通流孔９
ａは、後述するようにエッチングの均一性を考慮して、
図２に示すようにガス分散板９の中心部において密度が
高く、反応性ガスが中心部から多く吐出されるような分
布を有している。
【００１９】なお、上部電極２と処理室１との間には、
絶縁部材１１が介在されており、これにより処理室１に
高周波電流が流れることが防止される。
絶縁部材１１が介在されており、これにより処理室１に
高周波電流が流れることが防止される。
【００２０】下部電極３は円板状をなし、その上面に被
エッチング体としての半導体ウエハ１０が載置されてい
る。この半導体ウエハ１０は、上部電極２のガス吐出孔
２ａから吐出され、高周波電力によりプラズマ化された
反応性ガスにより所定のパターンにエッチングされる。
なお、下部電極３も図示しない絶縁部材で処理室１と電
気的に絶縁されている。また、上部電極２および下部電
極３の間隔は１ｃｍ程度に設定される。
エッチング体としての半導体ウエハ１０が載置されてい
る。この半導体ウエハ１０は、上部電極２のガス吐出孔
２ａから吐出され、高周波電力によりプラズマ化された
反応性ガスにより所定のパターンにエッチングされる。
なお、下部電極３も図示しない絶縁部材で処理室１と電
気的に絶縁されている。また、上部電極２および下部電
極３の間隔は１ｃｍ程度に設定される。
【００２１】このように構成された装置においては、ま
ず、図示しない搬送装置により半導体ウエハ１０が下部
電極３の上面に載置される。次に、図示しない排気装置
により処理室１内を排気して１０-6Torrオーダーまで減
圧し、引き続きガス供給源５から反応性ガスをガス導入
管６および上部電極２を介して電極間の処理空間に供給
し、処理室１内を１０-1Torrオーダーの圧力に維持す
る。この状態で、高周波電源４をＯＮにし、上下電極２
および３に高周波電力を印加する。これにより、反応性
ガスのプラズマが形成され、プラズマ中のイオンおよび
活性種の物理的作用および反応性ガスの化学的作用によ
り、半導体ウエハ１０が所定のパターンにエッチングさ
れる。
ず、図示しない搬送装置により半導体ウエハ１０が下部
電極３の上面に載置される。次に、図示しない排気装置
により処理室１内を排気して１０-6Torrオーダーまで減
圧し、引き続きガス供給源５から反応性ガスをガス導入
管６および上部電極２を介して電極間の処理空間に供給
し、処理室１内を１０-1Torrオーダーの圧力に維持す
る。この状態で、高周波電源４をＯＮにし、上下電極２
および３に高周波電力を印加する。これにより、反応性
ガスのプラズマが形成され、プラズマ中のイオンおよび
活性種の物理的作用および反応性ガスの化学的作用によ
り、半導体ウエハ１０が所定のパターンにエッチングさ
れる。
【００２２】この場合に、ガス導入管６から上部電極２
の内部空間に導入された反応性ガスは、分散板８のガス
通流孔８ａにより分散され、さらに分散板９のガス通流
孔９ａにより分散されて上部電極２の下面のガス吐出孔
２ａから吐出される。
の内部空間に導入された反応性ガスは、分散板８のガス
通流孔８ａにより分散され、さらに分散板９のガス通流
孔９ａにより分散されて上部電極２の下面のガス吐出孔
２ａから吐出される。
【００２３】従来は、ガス分散板９のガス通流孔９ａ
は、図３に示すように、略均一に形成されていた。この
ように均一に孔を形成することにより、吐出孔２ａから
反応性ガスが均一に吐出し、これにより均一なエッチン
グが行えると考えられていた。しかし、実際には、この
ようにガスを供給すると、中心部のエッチングレートが
外側部分よりも小さくなる。このため、従来はオーバー
エッチ量を多くすることにより対応しており、極めて効
率が悪かった。特にＣＶＤ装置による成膜において、中
心部の膜厚が厚く周辺部が薄く成膜される場合には、こ
のような不都合が顕著である。
は、図３に示すように、略均一に形成されていた。この
ように均一に孔を形成することにより、吐出孔２ａから
反応性ガスが均一に吐出し、これにより均一なエッチン
グが行えると考えられていた。しかし、実際には、この
ようにガスを供給すると、中心部のエッチングレートが
外側部分よりも小さくなる。このため、従来はオーバー
エッチ量を多くすることにより対応しており、極めて効
率が悪かった。特にＣＶＤ装置による成膜において、中
心部の膜厚が厚く周辺部が薄く成膜される場合には、こ
のような不都合が顕著である。
【００２４】このため、本発明では、図２に示すよう
に、上部電極２でのガス吐出面に隣接するガス分散板９
において、ガス通流孔９ａを、中心部の密度が高く、反
応性ガスが中心部から多く吐出されるように分布させ
る。このようにガス通流孔９ａの分布を調整することに
より、ガス吐出量を調整することができ、エッチングレ
ートを均一にすることができる。
に、上部電極２でのガス吐出面に隣接するガス分散板９
において、ガス通流孔９ａを、中心部の密度が高く、反
応性ガスが中心部から多く吐出されるように分布させ
る。このようにガス通流孔９ａの分布を調整することに
より、ガス吐出量を調整することができ、エッチングレ
ートを均一にすることができる。
【００２５】次に、このような本発明の効果を確認する
ための実験を行った結果について説明する。
ための実験を行った結果について説明する。
【００２６】ここでは、上記図１と同様の構成を有する
８インチウエハ用のＲＩＥ装置を用いた。ガス分散板９
としては、図３に示すような従来のもの、および図２に
示すように中心部の孔の数を増加させたものを用いた。
具体的には、図２のガス分散板には、中心から３０ｍｍ
以内の孔の数を増加させ、中心から５４ｍｍの部分の穴
を塞いだものを用いた。
８インチウエハ用のＲＩＥ装置を用いた。ガス分散板９
としては、図３に示すような従来のもの、および図２に
示すように中心部の孔の数を増加させたものを用いた。
具体的には、図２のガス分散板には、中心から３０ｍｍ
以内の孔の数を増加させ、中心から５４ｍｍの部分の穴
を塞いだものを用いた。
【００２７】この分散板を用い、反応性ガスとしてＣＦ
4 、ＣＨＦ3 を用いて、上述した手順でエッチングを行
った。
4 、ＣＨＦ3 を用いて、上述した手順でエッチングを行
った。
【００２８】その際のエッチング量の面内分布を図４、
図５に示す。図４は従来のガス分散板を使用した場合の
エッチング量の面内分布を示す図であり、図５は本発明
のガス分散板を使用した場合のエッチング量の面内分布
を示す図である。
図５に示す。図４は従来のガス分散板を使用した場合の
エッチング量の面内分布を示す図であり、図５は本発明
のガス分散板を使用した場合のエッチング量の面内分布
を示す図である。
【００２９】この図に示すように、本発明のガス分散板
を用いた場合には、従来のガス分散板を用いた場合より
もエッチング量がより均一であることが確認された。
を用いた場合には、従来のガス分散板を用いた場合より
もエッチング量がより均一であることが確認された。
【００３０】なお、本発明は上記実施の形態に限定され
ることなく、種々変形可能である。例えば、被エッチン
グ体として半導体ウエハを用いたが、これに限らず他の
ものを用いてもよい。また、ガス分散板のガス通流孔の
分布もエッチングレートが均一になるように適宜設定す
ればよい。さらに、高周波電力の供給方法についても、
上記形態に限定されず、例えばいずれかの電極一方に供
給するようにしてもよい。
ることなく、種々変形可能である。例えば、被エッチン
グ体として半導体ウエハを用いたが、これに限らず他の
ものを用いてもよい。また、ガス分散板のガス通流孔の
分布もエッチングレートが均一になるように適宜設定す
ればよい。さらに、高周波電力の供給方法についても、
上記形態に限定されず、例えばいずれかの電極一方に供
給するようにしてもよい。
【００３１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
被エッチング体を均一にエッチングすることができる平
行平板型ＲＩＥ装置が提供される。
被エッチング体を均一にエッチングすることができる平
行平板型ＲＩＥ装置が提供される。
【図１】本発明の一実施形態に係る平行平板型ＲＩＥ装
置を示す断面図。
置を示す断面図。
【図２】図１の装置に用いらているガス分散板を示す平
面図。
面図。
【図３】従来のガス分散板を示す平面図。
【図４】従来のガス分散板を用いた場合のエッチング量
の面内分布を示すグラフ。
の面内分布を示すグラフ。
【図５】本発明のガス分散板を用いた場合のエッチング
量の面内分布を示すグラフ。
量の面内分布を示すグラフ。
１……処理室、２……上部電極、２ａ……ガス吐出孔、
３……下部電極、４……高周波電源、５…ガス供給源、
６……ガス導入管、７……ガス排気管、８，９……ガス
分散板、８ａ，９ａ……ガス通流孔、１０……半導体ウ
エハ（被エッチング体）
３……下部電極、４……高周波電源、５…ガス供給源、
６……ガス導入管、７……ガス排気管、８，９……ガス
分散板、８ａ，９ａ……ガス通流孔、１０……半導体ウ
エハ（被エッチング体）
Claims (3)
- 【請求項１】 処理室と、処理室内に上下に対向して設
けられた一対の電極と、該電極間にエッチングを行うた
めの反応性ガスを供給するガス供給手段と、 前記上部電極および下部電極の間に反応性ガスのプラズ
マを形成するためのプラズマ形成手段とを具備し、前記
下部電極上に載置された被エッチング体を反応性ガスの
プラズマによりエッチングする平行平板型ＲＩＥ装置で
あって、 前記ガス供給手段は、ガス供給源と、前記上部電極に連
結するガス導入管とを有し、 前記上部電極は、ガス導入管に連続する内部空間と、下
面に形成された多数のガス吐出孔と、前記内部空間に設
けられ、多数のガス通流孔を有するガス分散板とを有
し、 前記ガス分散板は、前記被エッチング体が均一にエッチ
ングされるガス流が形成されるようなガス通流孔の分布
を有していることを特徴とする平行平板型ＲＩＥ装置。 - 【請求項２】 処理室と、処理室内に上下に対向して設
けられた一対の電極と、該電極間にエッチングを行うた
めの反応性ガスを供給するガス供給手段と、前記上部電
極および下部電極の間に反応性ガスのプラズマを形成す
るためのプラズマ形成手段とを具備し、前記下部電極上
に載置された被エッチング体を反応性ガスのプラズマに
よりエッチングする平行平板型ＲＩＥ装置であって、 前記ガス供給手段は、ガス供給源と、前記上部電極に連
結するガス導入管とを有し、 前記上部電極は、ガス導入管に連続する内部空間と、下
面に形成された多数のガス吐出孔と、前記内部空間に設
けられ、多数のガス通流孔を有するガス分散板とを有
し、 前記ガス通流孔は、分散板の中央部においてその密度が
相対的に高くなるように分布していることを特徴とする
平行平板型ＲＩＥ装置。 - 【請求項３】 前記プラズマ形成手段は、前記上部電極
および／または下部電極に高周波電力を印加する高周波
電源を含むことを特徴とする請求項１または請求項２に
記載の平行平板型ＲＩＥ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20177596A JPH1050669A (ja) | 1996-07-31 | 1996-07-31 | 平行平板型ｒｉｅ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20177596A JPH1050669A (ja) | 1996-07-31 | 1996-07-31 | 平行平板型ｒｉｅ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1050669A true JPH1050669A (ja) | 1998-02-20 |
Family
ID=16446740
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20177596A Pending JPH1050669A (ja) | 1996-07-31 | 1996-07-31 | 平行平板型ｒｉｅ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1050669A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101108775B1 (ko) * | 2005-06-30 | 2012-02-24 | 엘지디스플레이 주식회사 | 드라이 에칭 장비 |
-
1996
- 1996-07-31 JP JP20177596A patent/JPH1050669A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101108775B1 (ko) * | 2005-06-30 | 2012-02-24 | 엘지디스플레이 주식회사 | 드라이 에칭 장비 |
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