JPH1050670A - 有機物除去方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】ステージの下降時に周りの気体を巻き込み、異
物の付着の恐れがある。 【解決手段】ステージ４の下降時にステージ４の下降に
見合ったガスを処理室１外より供給する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は基板上の有機物を除
去する方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】枚葉式の有機物除去装置は公知例（日立
評論Ｖｏｌ．７１ Ｎo.５ Ｐ４３１９８９年５月）に
示すような処理室構造をしており、レジスト（有機物）
を塗布した基板をステージ上に載せ、ヒータにより加熱
しながらオゾンガスを供給して有機物を酸化し、分解揮
発させる。これをアッシングと言い半導体製造工程では
繰返し行われる工程である。

【０００３】この装置でアッシング中はレジスト除去能
力を高めるため、ステージを石英板で作られた仕切板に
近接させ、通常１mm以下のギャップとしている。アッシ
ング終了後にステージを下降させ、ロボットにより基板
を搬出する。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ここで、従来装置では
ステージが下降するときステージと仕切板との狭いギャ
ップ空間が負圧となり、ステージ下部機構部や排気ダク
ト部の異物を巻き込み基板上に付着する恐れがあった。

【０００５】本発明の目的は、ステージ下降時に異物の
巻き込みを防止することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明の方法では、ステ
ージ下降時にステージ上に発生する容積増加に見合うガ
スを処理室外から供給することにより、前記汚染物の巻
き込みを防止する。

【０００７】

【発明の実施の形態】本発明の一実施例を図１を用いて
説明する。

【０００８】処理室１には基板の出入口２があり、ここ
から基板３がステージ４の上に搬入され真空吸着され、
加熱される。ステージは上昇し、仕切板５に近接し、基
板表面と仕切板表面とのギャップは０.３mm に保たれ
る。仕切板にはノズル６がついており、アッシング中は
オゾンガスを供給する。そして廃ガスは排気口７より排
出される。アッシング終了後ステージが下降する時にノ
ズルより窒素ガスを供給する。窒素ガスの流量はステー
ジ面積とステージ下降速度の積以上とする。

【０００９】

【発明の効果】本発明によればステージ下降時にステー
ジ面積とステージ下降速度の積以上の流量で窒素ガスを
流入させることにより、処理室内の気体の巻き込みが防
止でき、これに伴う異物の基板上への付着を防止でき
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例の処理室構造の説明図。

【符号の説明】

１…処理室、２…出入口、３…基板、４…ステージ、５
…仕切板、６…ノズル、７…排気口、８…切替え弁。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】枚葉式で略１気圧のガスを流して基板上の
   有機物を除去し、前記基板と上部の仕切板との処理中の
   ギャップが１mm以下で、処理終了時に前記基板を載せた
   ステージを下降させる有機物除去装置において、前記ス
   テージの下降時に前記基板と前記仕切板との間のギャッ
   プに処理室外よりガスを供給することを特徴とする有機
   物除去方法。
2. 【請求項２】請求項１において、前記ガスの供給量をス
   テージ面積とステージ下降速度の積以上とした有機物除
   去方法。