JPH1050671A - 有機物除去方法 - Google Patents
有機物除去方法Info
- Publication number
- JPH1050671A JPH1050671A JP8203405A JP20340596A JPH1050671A JP H1050671 A JPH1050671 A JP H1050671A JP 8203405 A JP8203405 A JP 8203405A JP 20340596 A JP20340596 A JP 20340596A JP H1050671 A JPH1050671 A JP H1050671A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist mask
- mask
- resist
- specified
- shorter
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- Pending
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】イオン打ち込み後のレジストマスクを残渣なく
除去する。 【解決手段】レジストマスクの底部断面水平寸法を上部
の水平寸法より小さくすることにより、レジストマスク
の表面層でイオン打ち込み時の表面変質層と基板との間
に非変質層を形成する。
除去する。 【解決手段】レジストマスクの底部断面水平寸法を上部
の水平寸法より小さくすることにより、レジストマスク
の表面層でイオン打ち込み時の表面変質層と基板との間
に非変質層を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体の製造工程
で、イオン打ち込み後のレジストマスクを除去する方法
に関する。
で、イオン打ち込み後のレジストマスクを除去する方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】イオン打ち込み工程で、一般に打ち込む
領域以外はレジストによりマスクし、イオンが打ち込ま
れることを防止する。イオン打ち込み後、不要となった
レジストマスクはアッシングされ除去される。レジスト
マスクはリソグラフィ技術により形成され、レジストマ
スクの断面水平寸法は上部，底部ともに同等の寸法にな
っている。そして１５０℃程度でレジストマスクはベー
キングされ、イオン打ち込み時の形状変化を防止する処
理が施される。次にイオン打ち込みされ、その後、不要
となったレジストマスクは除去される。この除去には公
知例（日立評論Ｖｏｌ．７３ Ｎo.９ Ｐ３７ １９９
１年９月）に示されるようなアッシング装置が使用さ
れ、レジストマスクは２５０〜３００℃の温度でオゾン
ガスにより酸化され分解除去される。この作業をアッシ
ングという。
領域以外はレジストによりマスクし、イオンが打ち込ま
れることを防止する。イオン打ち込み後、不要となった
レジストマスクはアッシングされ除去される。レジスト
マスクはリソグラフィ技術により形成され、レジストマ
スクの断面水平寸法は上部，底部ともに同等の寸法にな
っている。そして１５０℃程度でレジストマスクはベー
キングされ、イオン打ち込み時の形状変化を防止する処
理が施される。次にイオン打ち込みされ、その後、不要
となったレジストマスクは除去される。この除去には公
知例（日立評論Ｖｏｌ．７３ Ｎo.９ Ｐ３７ １９９
１年９月）に示されるようなアッシング装置が使用さ
れ、レジストマスクは２５０〜３００℃の温度でオゾン
ガスにより酸化され分解除去される。この作業をアッシ
ングという。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】イオン打ち込み時にレ
ジストマスクの表面は打ち込まれたイオンとレジスト成
分が結合し変質する。図１に変質の状況を示す。この変
質物質は無機成分が多くアッシングにより除去しにく
く、通常の湿式洗浄工程を通しても残渣として残る。こ
れはプラズマ方式のアッシング装置でも同様に残渣が発
生する。
ジストマスクの表面は打ち込まれたイオンとレジスト成
分が結合し変質する。図１に変質の状況を示す。この変
質物質は無機成分が多くアッシングにより除去しにく
く、通常の湿式洗浄工程を通しても残渣として残る。こ
れはプラズマ方式のアッシング装置でも同様に残渣が発
生する。
【０００４】この様子を詳しく説明すると次のとおりで
ある。従来技術でイオンを打ち込むと図１に示すとおり
その表面層が変質する。アッシング装置に入れると２５
０〜３００℃に加熱され、ベーキング温度よりも高いた
め、レジスト中に含まれている感光物質などから窒素ガ
スなどが大量に放出される。このため変質して固くなっ
ている表面層を吹き飛ばし、基板に接触しているレジス
トマスクの外周部のみが基板に強固にくっついている。
この現象で露出したレジストマスクの内部層は変質して
いないため容易にアッシング装置によりアッシングされ
る。しかしレジストマスクの外周部は完全にはアッシン
グされず残渣として残る。一方吹き飛ばされた表面層は
基板上に乗っているが、その後の湿式洗浄により容易に
除去される。しかし、レジストマスクの外周部は完全に
は除去されず残渣として残る。
ある。従来技術でイオンを打ち込むと図１に示すとおり
その表面層が変質する。アッシング装置に入れると２５
０〜３００℃に加熱され、ベーキング温度よりも高いた
め、レジスト中に含まれている感光物質などから窒素ガ
スなどが大量に放出される。このため変質して固くなっ
ている表面層を吹き飛ばし、基板に接触しているレジス
トマスクの外周部のみが基板に強固にくっついている。
この現象で露出したレジストマスクの内部層は変質して
いないため容易にアッシング装置によりアッシングされ
る。しかしレジストマスクの外周部は完全にはアッシン
グされず残渣として残る。一方吹き飛ばされた表面層は
基板上に乗っているが、その後の湿式洗浄により容易に
除去される。しかし、レジストマスクの外周部は完全に
は除去されず残渣として残る。
【０００５】本発明の目的は、アッシングと通常の洗浄
工程によりイオン打ち込み後のレジストマスクを除去す
ることにある。
工程によりイオン打ち込み後のレジストマスクを除去す
ることにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】レジストマスクの断面水
平寸法を所定の上部寸法に比較して、底部水平寸法を短
く形成する。これによりイオン打ち込み時に底部側面の
レジストマスクは変質を防止できる。アッシング工程で
変質層が吹き飛ぶことにより、基板には変質していない
内部層のみが残り、アッシングにより容易に除去でき
る。その後、通常の湿式洗浄工程により吹き飛ばされた
変質層などが除去されレジストマスクの除去を残渣なく
完了することができる。
平寸法を所定の上部寸法に比較して、底部水平寸法を短
く形成する。これによりイオン打ち込み時に底部側面の
レジストマスクは変質を防止できる。アッシング工程で
変質層が吹き飛ぶことにより、基板には変質していない
内部層のみが残り、アッシングにより容易に除去でき
る。その後、通常の湿式洗浄工程により吹き飛ばされた
変質層などが除去されレジストマスクの除去を残渣なく
完了することができる。
【０００７】
【発明の実施の形態】図２を使用して本発明の一実施例
を説明する。まず図２（ａ）のように、リソグラフィ工
程で０.１μｍ の厚さでポジレジストを塗布し、レジス
トマスク部が所定の断面水平寸法より２０％短くなるよ
うに露光する。次に図２（ｂ）のように１μｍの厚さで
レジストを塗布し、所定の断面寸法になるように露光す
る。その後、図２（ｃ）のように現像することにより露
光部分を除去し、底部断面寸法が短いレジストマスクを
形成した。
を説明する。まず図２（ａ）のように、リソグラフィ工
程で０.１μｍ の厚さでポジレジストを塗布し、レジス
トマスク部が所定の断面水平寸法より２０％短くなるよ
うに露光する。次に図２（ｂ）のように１μｍの厚さで
レジストを塗布し、所定の断面寸法になるように露光す
る。その後、図２（ｃ）のように現像することにより露
光部分を除去し、底部断面寸法が短いレジストマスクを
形成した。
【０００８】このレジストマスク（図３（ａ））を用
い、イオン打ち込み工程でリン原子を平方センチメート
ルあたり５×１０15個打ち込んだ（図３（ｂ））。そし
てアッシング装置で５体積％濃度のオゾンガスを２０リ
ットル／min 流し、３００℃で加熱してアッシングした
（図３（ｃ)，(ｄ））。その後、硫酸と過酸化水素水の
混合溶液で湿式洗浄した（図３（ｅ））ところ、残渣な
くレジストマスクを除去することができた。
い、イオン打ち込み工程でリン原子を平方センチメート
ルあたり５×１０15個打ち込んだ（図３（ｂ））。そし
てアッシング装置で５体積％濃度のオゾンガスを２０リ
ットル／min 流し、３００℃で加熱してアッシングした
（図３（ｃ)，(ｄ））。その後、硫酸と過酸化水素水の
混合溶液で湿式洗浄した（図３（ｅ））ところ、残渣な
くレジストマスクを除去することができた。
【０００９】
【発明の効果】本発明によりイオン打ち込み後、不要と
なったレジストマスクを残渣なく除去することができ
る。
なったレジストマスクを残渣なく除去することができ
る。
【図１】従来技術によるイオン打ち込み後のレジストマ
スクの除去の説明図。
スクの除去の説明図。
【図２】本発明の実施に用いるレジストマスクの作製方
法の一例を示す説明図。
法の一例を示す説明図。
【図３】本発明によるイオン打ち込み後のレジストマス
クの除去の説明図。
クの除去の説明図。
１…レジストマスク、２…非変質層、３…表面変質層。
Claims (1)
- 【請求項１】イオン打ち込み用レジストマスクを、基板
に接触している部分の前記基板に水平な断面寸法のほう
が上部の前記基板に水平な断面寸法よりも小さくなるよ
うに形成し、イオン打ち込み後、レジストベーク温度よ
りも高い温度でアッシングすることを特徴とする有機物
除去方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8203405A JPH1050671A (ja) | 1996-08-01 | 1996-08-01 | 有機物除去方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8203405A JPH1050671A (ja) | 1996-08-01 | 1996-08-01 | 有機物除去方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1050671A true JPH1050671A (ja) | 1998-02-20 |
Family
ID=16473522
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8203405A Pending JPH1050671A (ja) | 1996-08-01 | 1996-08-01 | 有機物除去方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1050671A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004335698A (ja) * | 2003-05-07 | 2004-11-25 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1996
- 1996-08-01 JP JP8203405A patent/JPH1050671A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004335698A (ja) * | 2003-05-07 | 2004-11-25 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
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