JPH1050695A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH1050695A JPH1050695A JP20400496A JP20400496A JPH1050695A JP H1050695 A JPH1050695 A JP H1050695A JP 20400496 A JP20400496 A JP 20400496A JP 20400496 A JP20400496 A JP 20400496A JP H1050695 A JPH1050695 A JP H1050695A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】
【課題】ＬＯＣＯＳ素子分離において、微細化が可能
で、かつ、バーズビークを抑えると同時に、フィールド
酸化膜形成時の基板へのストレスを軽減すること。 【解決手段】シリコン基板１０１上に、パッド酸化膜１
０２、シリコン窒化膜１０３を形成し、その後フィール
ド酸化膜の形成予定領域を選択的に開口する。次にＮＨ
3、Ｎ2Ｏ、ジクロールシランガスを用いたＣＶＤ法によ
りオキシナイトライド膜１０６を堆積する。ＣＨＦ3の
エッチングガスを用いてオキシナイトライド膜をエッチ
ングし、シリコン窒化膜１０３の端に側壁１０７を形成
する。シリコン窒化膜と側壁をマスクとして、フィール
ド酸化膜として厚い酸化膜１０８を形成する。最後にシ
リコン窒化膜１０３と側壁１０７をエッチングする。 【効果】側壁にオキシナイトライド膜を用いた為、酸化
剤の酸素の進入が抑えられ、バーズビークは短くなり、
同時に基板にかかるストレスは小さなる。
で、かつ、バーズビークを抑えると同時に、フィールド
酸化膜形成時の基板へのストレスを軽減すること。 【解決手段】シリコン基板１０１上に、パッド酸化膜１
０２、シリコン窒化膜１０３を形成し、その後フィール
ド酸化膜の形成予定領域を選択的に開口する。次にＮＨ
3、Ｎ2Ｏ、ジクロールシランガスを用いたＣＶＤ法によ
りオキシナイトライド膜１０６を堆積する。ＣＨＦ3の
エッチングガスを用いてオキシナイトライド膜をエッチ
ングし、シリコン窒化膜１０３の端に側壁１０７を形成
する。シリコン窒化膜と側壁をマスクとして、フィール
ド酸化膜として厚い酸化膜１０８を形成する。最後にシ
リコン窒化膜１０３と側壁１０７をエッチングする。 【効果】側壁にオキシナイトライド膜を用いた為、酸化
剤の酸素の進入が抑えられ、バーズビークは短くなり、
同時に基板にかかるストレスは小さなる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
方法に関し、特に素子分離形成工程に関する。
方法に関し、特に素子分離形成工程に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造方法において、特に素
子分離形成工程に関しては公知方法としてパッド酸化膜
上の選択的に形成された酸化防止膜（シリコン窒化膜）
をマスクとして酸化処理を行い、素子分離膜としてフィ
ールド酸化膜（厚いシリコン酸化膜）を得る。
子分離形成工程に関しては公知方法としてパッド酸化膜
上の選択的に形成された酸化防止膜（シリコン窒化膜）
をマスクとして酸化処理を行い、素子分離膜としてフィ
ールド酸化膜（厚いシリコン酸化膜）を得る。
【０００３】それから、平坦化のために、特開昭５９−
０９２５４７、特開昭６２−０７１２４７、特開平６−
２５２２５７のようにフィールド酸化形成予定領域のシ
リコン基板をエッチングして凹部を形成した後、酸化防
止マスクと溝にシリコン窒化膜の側壁を設けてフィール
ド酸化を行うするという技術があった。
０９２５４７、特開昭６２−０７１２４７、特開平６−
２５２２５７のようにフィールド酸化形成予定領域のシ
リコン基板をエッチングして凹部を形成した後、酸化防
止マスクと溝にシリコン窒化膜の側壁を設けてフィール
ド酸化を行うするという技術があった。
【０００４】また、同様に特開昭５９−０６５４４５の
ようにフィールド酸化形成予定領域をのシリコン基板を
エッチングして凹部を形成した後、酸化防止マスクと溝
にシリコン酸化膜の側壁を設けてフィールド酸化を行う
するという技術があった。
ようにフィールド酸化形成予定領域をのシリコン基板を
エッチングして凹部を形成した後、酸化防止マスクと溝
にシリコン酸化膜の側壁を設けてフィールド酸化を行う
するという技術があった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の素子分
離形成工程に関しては微細化を可能にし、かつ、バーズ
ビークを抑えることと同時には、基板へのストレスを軽
減することが困難であるという問題がある。
離形成工程に関しては微細化を可能にし、かつ、バーズ
ビークを抑えることと同時には、基板へのストレスを軽
減することが困難であるという問題がある。
【０００６】そこで本発明は上記問題点を解決するもの
であり、微細化が可能で、かつ、バーズビークを抑える
と同時に、基板へのストレスを軽減することが可能な半
導体装置の製造方法を提供することにある。
であり、微細化が可能で、かつ、バーズビークを抑える
と同時に、基板へのストレスを軽減することが可能な半
導体装置の製造方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、フィールド酸
化膜を形成する工程において酸化防止膜をパッド酸化膜
を介し、シリコン基板上に選択的に設ける工程、前記開
口された領域のパッド酸化膜を除去する工程、さらにシ
リコン基板をエッチングし、溝を形成する工程、シリコ
ン基板上にオキシナイトライド膜を堆積する工程、オキ
シナイトライド膜を異方性エッチにより前記酸化防止膜
および前記溝にオキシナイトライド膜の側壁形成する工
程、前記溝の側側壁と前記酸化防止膜をマスクとして酸
化を行う工程を含むことを特徴とする。
化膜を形成する工程において酸化防止膜をパッド酸化膜
を介し、シリコン基板上に選択的に設ける工程、前記開
口された領域のパッド酸化膜を除去する工程、さらにシ
リコン基板をエッチングし、溝を形成する工程、シリコ
ン基板上にオキシナイトライド膜を堆積する工程、オキ
シナイトライド膜を異方性エッチにより前記酸化防止膜
および前記溝にオキシナイトライド膜の側壁形成する工
程、前記溝の側側壁と前記酸化防止膜をマスクとして酸
化を行う工程を含むことを特徴とする。
【０００８】また、前記酸化防止膜および前記溝に側壁
を設ける工程において、オキシナイトライド膜を異方性
エッチにより側壁を形成した後に更にシリコン基板をエ
ッチングすることを特徴とする。
を設ける工程において、オキシナイトライド膜を異方性
エッチにより側壁を形成した後に更にシリコン基板をエ
ッチングすることを特徴とする。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態においては実
施例をもとに以下に詳細に説明する。図１および図２は
本発明の半導体装置の製造方法の工程順に沿ったウェー
ハの断面図であり、図３は従来の半導体装置の製造方法
の工程順に沿ったウェーハの断面図である。
施例をもとに以下に詳細に説明する。図１および図２は
本発明の半導体装置の製造方法の工程順に沿ったウェー
ハの断面図であり、図３は従来の半導体装置の製造方法
の工程順に沿ったウェーハの断面図である。
【００１０】図中の１０１、２０１、３０１、はシリコ
ン基板である。１０２、２０２、３０２はシリコン酸化
膜である。１０３、２０３、３０３はシリコン窒化膜で
ある。１０４、２０４、３０４はレジストである。１０
５、２０５、３０５はフィールド酸化形成予定領域の溝
である。１０６、２０６はオキシナイトライド膜であ
る。３０６はＣＶＤシリコン窒化膜またはシリコン酸化
膜である。１０７、２０７はオキシナイトライド膜の側
壁である。３０７はＣＶＤシリコン窒化膜またはシリコ
ン酸化膜の側壁である。２０８は側壁間のシリコン基板
をエッチングしてできた溝である。１０８、２０９、３
０８はフィールド酸化膜である。
ン基板である。１０２、２０２、３０２はシリコン酸化
膜である。１０３、２０３、３０３はシリコン窒化膜で
ある。１０４、２０４、３０４はレジストである。１０
５、２０５、３０５はフィールド酸化形成予定領域の溝
である。１０６、２０６はオキシナイトライド膜であ
る。３０６はＣＶＤシリコン窒化膜またはシリコン酸化
膜である。１０７、２０７はオキシナイトライド膜の側
壁である。３０７はＣＶＤシリコン窒化膜またはシリコ
ン酸化膜の側壁である。２０８は側壁間のシリコン基板
をエッチングしてできた溝である。１０８、２０９、３
０８はフィールド酸化膜である。
【００１１】まずは、従来技術を簡単に説明する。図３
（ａ）に示すように、シリコン基板３０１のウェーハ上
にストレス緩和用のパッド酸化膜３０２を形成する。
（ａ）に示すように、シリコン基板３０１のウェーハ上
にストレス緩和用のパッド酸化膜３０２を形成する。
【００１２】次に、ＣＶＤ法によりシリコン窒化膜３０
３を堆積した後、レジスト３０４を塗布し、素子分離領
域を形成する領域をフォトリソグラフィー技術を使って
開口する。
３を堆積した後、レジスト３０４を塗布し、素子分離領
域を形成する領域をフォトリソグラフィー技術を使って
開口する。
【００１３】そして、図３（ｂ）に示すように開口され
た領域の前記シリコン窒化膜３０３および、前記パッド
酸化膜３０２をドライエッチングする。
た領域の前記シリコン窒化膜３０３および、前記パッド
酸化膜３０２をドライエッチングする。
【００１４】更に、図３（ｃ）に示すように開口された
領域の前記シリコン基板をドライエッチングし、浅い溝
３０５を形成する。
領域の前記シリコン基板をドライエッチングし、浅い溝
３０５を形成する。
【００１５】ついで、図３（ｄ）に示すようにシリコン
基板上にシリコン窒化膜または、シリコン酸化膜３０６
を堆積して異方性エッチングにより図３（ｅ）に示すよ
うに酸化防止膜３０３および前記溝３０５に側壁３０７
を形成する。
基板上にシリコン窒化膜または、シリコン酸化膜３０６
を堆積して異方性エッチングにより図３（ｅ）に示すよ
うに酸化防止膜３０３および前記溝３０５に側壁３０７
を形成する。
【００１６】そして、図３（ｆ）に示すように前記側壁
３０７および前記酸化防止膜をマスクとして、熱酸化を
行うことによりフィールド酸化膜として厚い酸化膜３０
８を形成する。そして、前記シリコン窒化膜３０３上に
薄く付いたシリコン酸化膜をエッチング後、前記シリコ
ン窒化膜３０３を熱リン酸でエッチングして図３（ｇ）
の構造を得る。
３０７および前記酸化防止膜をマスクとして、熱酸化を
行うことによりフィールド酸化膜として厚い酸化膜３０
８を形成する。そして、前記シリコン窒化膜３０３上に
薄く付いたシリコン酸化膜をエッチング後、前記シリコ
ン窒化膜３０３を熱リン酸でエッチングして図３（ｇ）
の構造を得る。
【００１７】これから、本発明の実施例について説明す
る。まず、図１について説明する。図１（ａ）に示すよ
うに素子分離領域を形成するためにシリコン基板１０１
のウェーハ上にストレス緩和のためのパッド酸化膜を８
００℃〜１１００℃の酸素雰囲気中または、水蒸気雰囲
気中で熱酸化することにより数十Åから３００Åの厚さ
のシリコン酸化膜１０２を成長させる。
る。まず、図１について説明する。図１（ａ）に示すよ
うに素子分離領域を形成するためにシリコン基板１０１
のウェーハ上にストレス緩和のためのパッド酸化膜を８
００℃〜１１００℃の酸素雰囲気中または、水蒸気雰囲
気中で熱酸化することにより数十Åから３００Åの厚さ
のシリコン酸化膜１０２を成長させる。
【００１８】次にウェーハ全面にＣＶＤ法により８００
Åから２０００Åの厚さのシリコン窒化膜１０３を堆積
する。それから、レジスト膜１０４をウェーハ全面に塗
布した後、フォトリソグラフィー技術によりフィールド
酸化膜の形成予定領域を選択的に開口する。
Åから２０００Åの厚さのシリコン窒化膜１０３を堆積
する。それから、レジスト膜１０４をウェーハ全面に塗
布した後、フォトリソグラフィー技術によりフィールド
酸化膜の形成予定領域を選択的に開口する。
【００１９】次に図１（ｂ）に示すようにドライエッチ
ング法により圧力数百ｍＴｏｒｒ下でＣＨ4またはＣＨ4
Ｏ2のエッチングガスを用いてレジスト開口部のシリコ
ン窒化膜をエッチングする。
ング法により圧力数百ｍＴｏｒｒ下でＣＨ4またはＣＨ4
Ｏ2のエッチングガスを用いてレジスト開口部のシリコ
ン窒化膜をエッチングする。
【００２０】さらに、図１（ｃ）に示すようにドライエ
ッチング法により圧力数Ｔｏｒｒ下でＣＨＦ3のエッチ
ングガスを用いてシリコン酸化膜をエッチングした後、
ドライエッチング法により、圧力数百ｍＴｏｒｒ下でＣ
Ｆ4のエッチングガスを数１０ｃｃ／分の流量、ＲＦパ
ワー２００〜３００Ｗでプラズマを発生させ、レジスト
開口部のシリコン基板をエッチングし、浅い溝１０５を
形成する。この溝の深さはシリコン基板表面から５００
Å〜１０００Åとする。
ッチング法により圧力数Ｔｏｒｒ下でＣＨＦ3のエッチ
ングガスを用いてシリコン酸化膜をエッチングした後、
ドライエッチング法により、圧力数百ｍＴｏｒｒ下でＣ
Ｆ4のエッチングガスを数１０ｃｃ／分の流量、ＲＦパ
ワー２００〜３００Ｗでプラズマを発生させ、レジスト
開口部のシリコン基板をエッチングし、浅い溝１０５を
形成する。この溝の深さはシリコン基板表面から５００
Å〜１０００Åとする。
【００２１】それから、図１（ｄ）に示すようにＮＨ3
（アンモニアガス）、Ｎ2Ｏ、ジクロールシランガスを
用いたＣＶＤ法によりオキシナイトライド膜１０６を堆
積する。
（アンモニアガス）、Ｎ2Ｏ、ジクロールシランガスを
用いたＣＶＤ法によりオキシナイトライド膜１０６を堆
積する。
【００２２】その後、図１（ｅ）に示すようにドライエ
ッチング法により圧力数Ｔｏｒｒ下でＣＨＦ3のエッチ
ングガスを用いてオキシナイトライド膜をエッチング
し、シリコン窒化膜１０３の端に側壁１０７を形成す
る。
ッチング法により圧力数Ｔｏｒｒ下でＣＨＦ3のエッチ
ングガスを用いてオキシナイトライド膜をエッチング
し、シリコン窒化膜１０３の端に側壁１０７を形成す
る。
【００２３】次に図１（ｆ）に示すように前記シリコン
窒化膜１０３と側壁１０７をマスクとして、１０００℃
〜１１５０℃の条件下でウェット酸化、ドライ酸化、ま
たはウェット酸化とドライ酸化を併用することによりフ
ィールド酸化膜として厚い酸化膜１０８を形成する。
窒化膜１０３と側壁１０７をマスクとして、１０００℃
〜１１５０℃の条件下でウェット酸化、ドライ酸化、ま
たはウェット酸化とドライ酸化を併用することによりフ
ィールド酸化膜として厚い酸化膜１０８を形成する。
【００２４】続いて、図１（ｇ）に示すようにシリコン
窒化膜を除去する前にシリコン窒化膜上に形成された薄
いシリコン酸化膜、フィールド酸化膜の上部と側壁１０
７をフッ酸を含む溶液にてエッチングする。エッチング
量は側壁１０７を完全に取り除く程度に行う。そして、
１００数十℃程度の熱リン酸にてシリコン窒化膜１０３
と側壁１０７をエッチングする。
窒化膜を除去する前にシリコン窒化膜上に形成された薄
いシリコン酸化膜、フィールド酸化膜の上部と側壁１０
７をフッ酸を含む溶液にてエッチングする。エッチング
量は側壁１０７を完全に取り除く程度に行う。そして、
１００数十℃程度の熱リン酸にてシリコン窒化膜１０３
と側壁１０７をエッチングする。
【００２５】それから後は通常の工程を行い、ＭＩＳト
ランジスタを形成する。
ランジスタを形成する。
【００２６】このように形成された素子分離領域は側壁
幅だけフォトリソグラフィー技術の限界以上のより狭い
領域を形成することができ、より微細化が可能となる。
幅だけフォトリソグラフィー技術の限界以上のより狭い
領域を形成することができ、より微細化が可能となる。
【００２７】先程述べた従来例において側壁としてシリ
コン窒化膜を用いたものとシリコン酸化膜を用いたもの
を挙げたが、ここでその効果を比較する。
コン窒化膜を用いたものとシリコン酸化膜を用いたもの
を挙げたが、ここでその効果を比較する。
【００２８】側壁にシリコン窒化膜を用いたものは、バ
ーズビークの伸びをよく抑えられる。 しかし、フィー
ルド酸化膜形成時にシリコン基板にかかるストレスは大
きくなり、結晶欠陥を生じやすくなる。
ーズビークの伸びをよく抑えられる。 しかし、フィー
ルド酸化膜形成時にシリコン基板にかかるストレスは大
きくなり、結晶欠陥を生じやすくなる。
【００２９】また、側壁にシリコン酸化膜を用いたもの
は、バーズビークの伸びを抑えることが困難であるもの
のフィールド酸化膜形成時にシリコン基板にかかるスト
レスは小さくなる。
は、バーズビークの伸びを抑えることが困難であるもの
のフィールド酸化膜形成時にシリコン基板にかかるスト
レスは小さくなる。
【００３０】これに対し、側壁にオキシナイトライド膜
を用いたものは、酸化剤の酸素の進入が抑えられるた
め、バーズビークは短くなる。これと同時にフィールド
酸化膜形成時にシリコン基板にかかるストレスは小さな
る。
を用いたものは、酸化剤の酸素の進入が抑えられるた
め、バーズビークは短くなる。これと同時にフィールド
酸化膜形成時にシリコン基板にかかるストレスは小さな
る。
【００３１】次に、図２について説明する。図２（ａ）
〜図２（ｅ）は、図１（ａ）〜図１（ｅ）と全く同様に
形成するため、それ以降について説明する。
〜図２（ｅ）は、図１（ａ）〜図１（ｅ）と全く同様に
形成するため、それ以降について説明する。
【００３２】側壁２０７を形成したのち、図２（ｆ）に
示すようにドライエッチング法により、圧力数百ｍＴｏ
ｒｒ下でＣＦ4のエッチングガスを数１０ｃｃ／分の流
量、ＲＦパワー２００〜３００Ｗでプラズマを発生さ
せ、レジスト開口部のシリコン基板をエッチングし、浅
い溝２０８を形成する。この溝の深さはシリコン基板表
面から２００Å〜５００Åとする。
示すようにドライエッチング法により、圧力数百ｍＴｏ
ｒｒ下でＣＦ4のエッチングガスを数１０ｃｃ／分の流
量、ＲＦパワー２００〜３００Ｗでプラズマを発生さ
せ、レジスト開口部のシリコン基板をエッチングし、浅
い溝２０８を形成する。この溝の深さはシリコン基板表
面から２００Å〜５００Åとする。
【００３３】ついで図２（ｇ）に示すように前記シリコ
ン窒化膜２０３と側壁２０７をマスクとして、１０００
℃〜１１５０℃の条件下でウェット酸化、ドライ酸化、
またはウェット酸化とドライ酸化を併用することにより
フィールド酸化膜として厚い酸化膜２０９を形成する。
ン窒化膜２０３と側壁２０７をマスクとして、１０００
℃〜１１５０℃の条件下でウェット酸化、ドライ酸化、
またはウェット酸化とドライ酸化を併用することにより
フィールド酸化膜として厚い酸化膜２０９を形成する。
【００３４】続いて、図２（ｈ）に示すようにシリコン
窒化膜を除去する前にシリコン窒化膜上に形成された薄
いシリコン酸化膜、フィールド酸化膜の上部と側壁２０
７をフッ酸を含む溶液にてエッチングする。エッチング
量は側壁２０７を完全に取り除く程度に行う。そして、
１００数十℃程度の熱リン酸にてシリコン窒化膜２０３
と側壁２０７をエッチングする。
窒化膜を除去する前にシリコン窒化膜上に形成された薄
いシリコン酸化膜、フィールド酸化膜の上部と側壁２０
７をフッ酸を含む溶液にてエッチングする。エッチング
量は側壁２０７を完全に取り除く程度に行う。そして、
１００数十℃程度の熱リン酸にてシリコン窒化膜２０３
と側壁２０７をエッチングする。
【００３５】それから後は通常の工程を行い、ＭＩＳト
ランジスタを形成する。
ランジスタを形成する。
【００３６】前述の実施例と同様の効果と更に平坦化が
可能となる。
可能となる。
【００３７】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば以下
の効果を有する。
の効果を有する。
【００３８】このように形成された素子分離領域は酸化
剤の酸素の進入が抑えられるため、バーズビークは短く
できる。これと同時にフィールド酸化膜形成時にシリコ
ン基板にかかるストレスは小さなる。そのため、素子分
離領域と素子形成領域との境界に結晶欠陥は生じにくい
デバイスを提供することができる。
剤の酸素の進入が抑えられるため、バーズビークは短く
できる。これと同時にフィールド酸化膜形成時にシリコ
ン基板にかかるストレスは小さなる。そのため、素子分
離領域と素子形成領域との境界に結晶欠陥は生じにくい
デバイスを提供することができる。
【００３９】したがって、上記の技術によれば、バーズ
ビークの伸びを抑えること同時にシリコン基板にかかる
ストレスも少ないという効果を両立できる。
ビークの伸びを抑えること同時にシリコン基板にかかる
ストレスも少ないという効果を両立できる。
【００４０】よって、半導体装置の製造において精度が
高く、高品質かつ微細化が可能な半導体装置の製造方法
を提供することができる。
高く、高品質かつ微細化が可能な半導体装置の製造方法
を提供することができる。
【図１】本発明による半導体装置の製造方法の工程順に
沿ったウェーハの断面図である。
沿ったウェーハの断面図である。
【図２】本発明による半導体装置の製造方法の工程順に
沿ったウェーハの断面図である。
沿ったウェーハの断面図である。
【図３】従来の半導体装置の製造方法の工程順に沿った
ウェーハの断面図である。
ウェーハの断面図である。
１０１、２０１、３０１ シリコン基板 １０２、２０２、３０２ シリコン酸化膜 １０３、２０３、３０３ シリコン窒化膜 １０４、２０４、３０４ レジスト １０５、２０５、３０５ フィールド酸化形成予定領
域の溝 １０６、２０６ オキシナイトライド膜 １０７、２０７ オキシナイトライド膜の側
壁 ３０６ ＣＶＤシリコン窒化膜または、ＣＶＤシ
リコン酸化膜 ３０７ ＣＶＤシリコン窒化膜または、ＣＶＤシ
リコン酸化膜の側壁 ２０８ 側壁間のシリコン基板をエッチングして
できた溝 １０８、２０９、３０８ フィールド酸化膜
域の溝 １０６、２０６ オキシナイトライド膜 １０７、２０７ オキシナイトライド膜の側
壁 ３０６ ＣＶＤシリコン窒化膜または、ＣＶＤシ
リコン酸化膜 ３０７ ＣＶＤシリコン窒化膜または、ＣＶＤシ
リコン酸化膜の側壁 ２０８ 側壁間のシリコン基板をエッチングして
できた溝 １０８、２０９、３０８ フィールド酸化膜
Claims (2)
- 【請求項１】フィールド酸化膜を形成する工程において
酸化防止膜をパッド酸化膜を介し、シリコン基板上に選
択的に設ける工程、前記開口された領域のパッド酸化膜
を除去する工程、さらにシリコン基板をエッチングし、
溝を形成する工程、シリコン基板上にオキシナイトライ
ド膜を堆積する工程、オキシナイトライド膜を異方性エ
ッチにより前記酸化防止膜および前記溝にオキシナイト
ライド膜の側壁形成する工程、前記溝の側壁と前記酸化
防止膜をマスクとして酸化を行う工程を含むことを特徴
とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】前記酸化防止膜および前記溝に側壁を設け
る工程において、オキシナイトライド膜を異方性エッチ
により側壁を形成した後に更にシリコン基板をエッチン
グすることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20400496A JPH1050695A (ja) | 1996-08-01 | 1996-08-01 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20400496A JPH1050695A (ja) | 1996-08-01 | 1996-08-01 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1050695A true JPH1050695A (ja) | 1998-02-20 |
Family
ID=16483186
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20400496A Withdrawn JPH1050695A (ja) | 1996-08-01 | 1996-08-01 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1050695A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100408862B1 (ko) * | 2001-06-29 | 2003-12-06 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 소자 분리막 형성 방법 |
| CN100372079C (zh) * | 2003-05-21 | 2008-02-27 | 尔必达存储器株式会社 | 制造具有绝缘性能提高的氮化膜的半导体器件的方法 |
-
1996
- 1996-08-01 JP JP20400496A patent/JPH1050695A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100408862B1 (ko) * | 2001-06-29 | 2003-12-06 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 소자 분리막 형성 방법 |
| CN100372079C (zh) * | 2003-05-21 | 2008-02-27 | 尔必达存储器株式会社 | 制造具有绝缘性能提高的氮化膜的半导体器件的方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20031007 |