JPH1051065A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
- Publication number
- JPH1051065A JPH1051065A JP8204570A JP20457096A JPH1051065A JP H1051065 A JPH1051065 A JP H1051065A JP 8204570 A JP8204570 A JP 8204570A JP 20457096 A JP20457096 A JP 20457096A JP H1051065 A JPH1051065 A JP H1051065A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- laser device
- substrate
- mount
- thermal conductivity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0233—Mounting configuration of laser chips
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0235—Method for mounting laser chips
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/024—Arrangements for thermal management
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/024—Arrangements for thermal management
- H01S5/02469—Passive cooling, e.g. where heat is removed by the housing as a whole or by a heat pipe without any active cooling element like a TEC
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/0014—Measuring characteristics or properties thereof
- H01S5/0021—Degradation or life time measurements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/0206—Substrates, e.g. growth, shape, material, removal or bonding
- H01S5/021—Silicon based substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0225—Out-coupling of light
- H01S5/02255—Out-coupling of light using beam deflecting elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/024—Arrangements for thermal management
- H01S5/02476—Heat spreaders, i.e. improving heat flow between laser chip and heat dissipating elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体レーザチップにかかる応力を十分に抑
え、製造が容易で、かつ放熱性の高い半導体レーザ装置
を提供する。 【解決手段】 レーザマウント２上に半導体レーザチッ
プ１を設け、レーザマウント２に、開口が半導体レーザ
チップ１の反対側に位置するように凹部２ａを設け、凹
部２ａに前記レーザマウント２の熱伝導率よりも高い熱
伝導率を有する放熱体４を充填する。
え、製造が容易で、かつ放熱性の高い半導体レーザ装置
を提供する。 【解決手段】 レーザマウント２上に半導体レーザチッ
プ１を設け、レーザマウント２に、開口が半導体レーザ
チップ１の反対側に位置するように凹部２ａを設け、凹
部２ａに前記レーザマウント２の熱伝導率よりも高い熱
伝導率を有する放熱体４を充填する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光情報処理、光計
測、光通信等の分野に利用される半導体レーザ装置に関
するものである。
測、光通信等の分野に利用される半導体レーザ装置に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体レーザ装置Ａおよび半導体
レーザ装置Ｂについて図１３および図１４を用いて説明
する。
レーザ装置Ｂについて図１３および図１４を用いて説明
する。
【０００３】図１３において、ＧａＡｓ等の化合物半導
体により形成された半導体レーザチップ１と、半導体レ
ーザチップ１を搭載したレーザマウント２と、レーザマ
ウント２を搭載したヒートシンク３とは、半田ソルダー
等を用いた熱間圧着によりそれぞれ固着されている。半
導体レーザチップ１において発生した熱は、レーザマウ
ント２を経由して、ヒートシンク３へ放熱される。この
とき、半導体レーザチップ１と、レーザマウント２との
熱膨張率差に起因する半導体レーザチップ１への応力を
軽減するために、レーザマウント２には、通常、半導体
レーザチップ１との熱膨張率差が小さいＳｉ等の材料が
用いられる。
体により形成された半導体レーザチップ１と、半導体レ
ーザチップ１を搭載したレーザマウント２と、レーザマ
ウント２を搭載したヒートシンク３とは、半田ソルダー
等を用いた熱間圧着によりそれぞれ固着されている。半
導体レーザチップ１において発生した熱は、レーザマウ
ント２を経由して、ヒートシンク３へ放熱される。この
とき、半導体レーザチップ１と、レーザマウント２との
熱膨張率差に起因する半導体レーザチップ１への応力を
軽減するために、レーザマウント２には、通常、半導体
レーザチップ１との熱膨張率差が小さいＳｉ等の材料が
用いられる。
【０００４】次に、基板上に半導体レーザチップ１およ
び、検出器や信号処理回路等の回路素子を形成した半導
体レーザ装置Ｂ（特開平６−２０３４０３号公報）の断
面図を図１４に示す。
び、検出器や信号処理回路等の回路素子を形成した半導
体レーザ装置Ｂ（特開平６−２０３４０３号公報）の断
面図を図１４に示す。
【０００５】図１４において、半導体レーザチップ１、
半導体で構成された基板２２、およびヒートシンク３
は、半田ソルダー等を用いた熱間圧着によりそれぞれ固
着されている。
半導体で構成された基板２２、およびヒートシンク３
は、半田ソルダー等を用いた熱間圧着によりそれぞれ固
着されている。
【０００６】基板２２上には、半導体レーザチップ１か
ら出射されるレーザ光８を検出するレーザ光検出器９、
外部から入射してくる光を検出する光検出器１０、レー
ザ光８を反射する反射鏡１１がそれぞれ設けられてい
る。反射鏡１１で反射されたレーザ光８の出射方向と、
外部から光検出器１０へ入射してくる光の入射方向を、
基板２２の表面の法線方向に対してほぼ平行にすること
により、外部の光学系（図示せず）と効率良く結合する
ことができる。
ら出射されるレーザ光８を検出するレーザ光検出器９、
外部から入射してくる光を検出する光検出器１０、レー
ザ光８を反射する反射鏡１１がそれぞれ設けられてい
る。反射鏡１１で反射されたレーザ光８の出射方向と、
外部から光検出器１０へ入射してくる光の入射方向を、
基板２２の表面の法線方向に対してほぼ平行にすること
により、外部の光学系（図示せず）と効率良く結合する
ことができる。
【０００７】また、図１４には示されていないが、基板
２２上には、光検出器１０から出力される信号を増幅す
る増幅回路、増幅回路から出力される信号に演算を行う
演算回路、半導体レーザチップ１の駆動回路等の回路が
設けられている。
２２上には、光検出器１０から出力される信号を増幅す
る増幅回路、増幅回路から出力される信号に演算を行う
演算回路、半導体レーザチップ１の駆動回路等の回路が
設けられている。
【０００８】上記半導体レーザ装置Ａおよび半導体レー
ザ装置Ｂは、レーザマウント２または基板２２を構成す
る材料がＳｉであり、半導体レーザチップ１との熱膨張
率の差が小さいために、半導体レーザチップ１にかかる
応力は小さい。
ザ装置Ｂは、レーザマウント２または基板２２を構成す
る材料がＳｉであり、半導体レーザチップ１との熱膨張
率の差が小さいために、半導体レーザチップ１にかかる
応力は小さい。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
半導体レーザ装置Ａにおいてはレーザマウント２、従来
の半導体レーザ装置Ｂにおいては基板２２が、放熱性の
不十分なＳｉでそれぞれ構成されているために、半導体
レーザチップ１に劣化が生じ、半導体レーザチップ１の
所望の寿命を確保することができないという問題があっ
た。
半導体レーザ装置Ａにおいてはレーザマウント２、従来
の半導体レーザ装置Ｂにおいては基板２２が、放熱性の
不十分なＳｉでそれぞれ構成されているために、半導体
レーザチップ１に劣化が生じ、半導体レーザチップ１の
所望の寿命を確保することができないという問題があっ
た。
【００１０】そこで、従来の半導体レーザ装置Ａにおい
ては、レーザマウント２を構成する材料として、Ｓｉで
はなく、ＳｉＣ、ＡｌＮ、ダイヤモンド等、半導体レー
ザチップ１との熱膨張率の差が小さく、かつＳｉよりも
熱伝導率の高い材料を用いて、放熱性を向上する方法が
提案されている（特開平２−１３８７８５号公報）もの
の、これらは非常に堅い材料であるため、加工が困難で
あり、それに伴い加工コストが高いという問題があっ
た。
ては、レーザマウント２を構成する材料として、Ｓｉで
はなく、ＳｉＣ、ＡｌＮ、ダイヤモンド等、半導体レー
ザチップ１との熱膨張率の差が小さく、かつＳｉよりも
熱伝導率の高い材料を用いて、放熱性を向上する方法が
提案されている（特開平２−１３８７８５号公報）もの
の、これらは非常に堅い材料であるため、加工が困難で
あり、それに伴い加工コストが高いという問題があっ
た。
【００１１】また、半導体レーザ装置Ｂにおいては、基
板２２の放熱性を向上させるための発明は、まだなされ
ておらず、半導体レーザチップ１の所望の寿命は確保さ
れていない。
板２２の放熱性を向上させるための発明は、まだなされ
ておらず、半導体レーザチップ１の所望の寿命は確保さ
れていない。
【００１２】本発明は、半導体レーザチップにかかる応
力を十分に抑え、製造が容易で、かつ放熱性の高い半導
体レーザ装置を提供することを目的とする。
力を十分に抑え、製造が容易で、かつ放熱性の高い半導
体レーザ装置を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体レーザ装
置は、レーザマウント上に半導体レーザチップを設け、
前記レーザマウントに、開口が前記半導体レーザチップ
の反対側に位置するように凹部を設け、前記凹部に前記
レーザマウントの熱伝導率よりも高い熱伝導率を有する
放熱体を充填するものである。この構成では、放熱体の
熱伝導率がレーザマウントの熱伝導率よりも高いため、
半導体レーザ装置の放熱性が向上する。
置は、レーザマウント上に半導体レーザチップを設け、
前記レーザマウントに、開口が前記半導体レーザチップ
の反対側に位置するように凹部を設け、前記凹部に前記
レーザマウントの熱伝導率よりも高い熱伝導率を有する
放熱体を充填するものである。この構成では、放熱体の
熱伝導率がレーザマウントの熱伝導率よりも高いため、
半導体レーザ装置の放熱性が向上する。
【００１４】また、本発明の半導体レーザ装置は、レー
ザマウント上にレーザマウントの熱伝導率よりも高い熱
伝導率を有する放熱体層を設け、前記放熱体層上に半導
体レーザチップを設けたものである。この構成では、半
導体レーザチップで発生した熱が放熱体層に吸収された
後、放熱体層の主平面に平行な方向に広く拡散されるの
で、半導体レーザ装置の放熱性が向上する。
ザマウント上にレーザマウントの熱伝導率よりも高い熱
伝導率を有する放熱体層を設け、前記放熱体層上に半導
体レーザチップを設けたものである。この構成では、半
導体レーザチップで発生した熱が放熱体層に吸収された
後、放熱体層の主平面に平行な方向に広く拡散されるの
で、半導体レーザ装置の放熱性が向上する。
【００１５】また、前記放熱体を用いる構成と前記放熱
体層を用いる構成とを併用した半導体レーザ装置を構成
すれば、放熱性がさらに向上することはいうまでもな
い。
体層を用いる構成とを併用した半導体レーザ装置を構成
すれば、放熱性がさらに向上することはいうまでもな
い。
【００１６】さらに、基板上に半導体レーザチップを搭
載し、前記基板上に半導体レーザチップから出射される
レーザ光を検出するレーザ光検出器、外部から入射して
くる光を検出する光検出器、前記光検出器から出力され
る信号を増幅する増幅回路、前記増幅回路から出力され
る信号を演算する演算回路、および前記半導体レーザチ
ップの駆動回路のうち、少なくとも一つの検出器または
回路を有する半導体レーザ装置においても、前記基板と
半導体レーザチップとの間に前記放熱体層を介する構
成、または、前記基板に前記放熱体を充填する構成を用
いることによって、半導体レーザ装置の放熱性を向上さ
せることができる。
載し、前記基板上に半導体レーザチップから出射される
レーザ光を検出するレーザ光検出器、外部から入射して
くる光を検出する光検出器、前記光検出器から出力され
る信号を増幅する増幅回路、前記増幅回路から出力され
る信号を演算する演算回路、および前記半導体レーザチ
ップの駆動回路のうち、少なくとも一つの検出器または
回路を有する半導体レーザ装置においても、前記基板と
半導体レーザチップとの間に前記放熱体層を介する構
成、または、前記基板に前記放熱体を充填する構成を用
いることによって、半導体レーザ装置の放熱性を向上さ
せることができる。
【００１７】また、前記放熱体を用いる構成と前記放熱
体層を用いる構成とを併用した半導体レーザ装置を構成
すれば、放熱性がさらに向上することはいうまでもな
い。
体層を用いる構成とを併用した半導体レーザ装置を構成
すれば、放熱性がさらに向上することはいうまでもな
い。
【００１８】
【発明の実施の形態】発明者は、種々の検討の結果、次
のような知見を得ている。すなわち、レーザマウント
や、光検出器などの回路素子を形成した基板において、
半導体レーザチップを搭載する側の材料と半導体レーザ
チップとの熱膨張率差が４×１０-6／Ｋ程度以下の場合
には、半導体レーザチップにかかる応力は十分に抑えら
れること、また、半導体レーザチップを搭載する側の材
料と、半導体レーザチップとの熱膨張率差が１２×１０
-6／Ｋ程度と大きな場合では、その材料の厚さを５０μ
ｍ以下とすることにより、熱膨張率差に起因する半導体
レーザチップにかかる応力を低減することができる。
のような知見を得ている。すなわち、レーザマウント
や、光検出器などの回路素子を形成した基板において、
半導体レーザチップを搭載する側の材料と半導体レーザ
チップとの熱膨張率差が４×１０-6／Ｋ程度以下の場合
には、半導体レーザチップにかかる応力は十分に抑えら
れること、また、半導体レーザチップを搭載する側の材
料と、半導体レーザチップとの熱膨張率差が１２×１０
-6／Ｋ程度と大きな場合では、その材料の厚さを５０μ
ｍ以下とすることにより、熱膨張率差に起因する半導体
レーザチップにかかる応力を低減することができる。
【００１９】次に、本発明の実施の形態について図１な
いし図１２を用いて説明する。 （実施の形態１）図１は本発明の実施の形態１における
半導体レーザ装置の断面を示す図である。図１におい
て、ＧａＡｓ等の化合物半導体により形成された半導体
レーザチップ１、電極層１２、Ｓｉ基板で作製したレー
ザマウント２、およびヒートシンク３は、半田ソルダー
等を用いた熱間圧着等によりそれぞれ固定されている。
レーザマウント２の凹部２ａには、シリコン（Ｓｉ）よ
りも熱伝導率の高い銅（Ｃｕ）で構成された放熱体４が
充填されており、また凹部２ａの内面には放熱体４を電
解メッキするための電極として金属膜１３が設けられて
いる。なお、図１に示すように、凹部２ａにおけるレー
ザマウント２の厚さｔ2は８０μｍである。
いし図１２を用いて説明する。 （実施の形態１）図１は本発明の実施の形態１における
半導体レーザ装置の断面を示す図である。図１におい
て、ＧａＡｓ等の化合物半導体により形成された半導体
レーザチップ１、電極層１２、Ｓｉ基板で作製したレー
ザマウント２、およびヒートシンク３は、半田ソルダー
等を用いた熱間圧着等によりそれぞれ固定されている。
レーザマウント２の凹部２ａには、シリコン（Ｓｉ）よ
りも熱伝導率の高い銅（Ｃｕ）で構成された放熱体４が
充填されており、また凹部２ａの内面には放熱体４を電
解メッキするための電極として金属膜１３が設けられて
いる。なお、図１に示すように、凹部２ａにおけるレー
ザマウント２の厚さｔ2は８０μｍである。
【００２０】次に、上記半導体レーザ装置の製造方法に
ついて、図２を用いて説明する。まず、図２（ａ）に示
すように、Ｓｉ基板５にフォトリソグラフィ技術により
パターンを形成し、エッチングにより凹部２ａを形成す
る。次に、図２（ｂ）に示すように、真空蒸着によりＳ
ｉ基板５の凹部２ａの開口が存在する面に金属膜１３を
形成し、その上からＣｕをメッキする。さらに、図２
（ｃ）に示すように、凹部２ａ以外の部分にメッキされ
たＣｕおよび凹部２ａ以外の部分の金属膜１３を研磨に
より除去する。このように、Ｓｉ基板５の凹部２ａの内
部にだけＣｕを残し、他の領域においては、延伸性の高
いＣｕを研磨によりあらかじめ除去することにより、後
の工程でＳｉ基板５からレーザマウント２を切り出す時
の、ばりの発生を防止している。
ついて、図２を用いて説明する。まず、図２（ａ）に示
すように、Ｓｉ基板５にフォトリソグラフィ技術により
パターンを形成し、エッチングにより凹部２ａを形成す
る。次に、図２（ｂ）に示すように、真空蒸着によりＳ
ｉ基板５の凹部２ａの開口が存在する面に金属膜１３を
形成し、その上からＣｕをメッキする。さらに、図２
（ｃ）に示すように、凹部２ａ以外の部分にメッキされ
たＣｕおよび凹部２ａ以外の部分の金属膜１３を研磨に
より除去する。このように、Ｓｉ基板５の凹部２ａの内
部にだけＣｕを残し、他の領域においては、延伸性の高
いＣｕを研磨によりあらかじめ除去することにより、後
の工程でＳｉ基板５からレーザマウント２を切り出す時
の、ばりの発生を防止している。
【００２１】次に、真空蒸着により電極層１２を形成し
た後、図２（ｄ）に示すように、Ｓｉ基板５からレーザ
マウント２を切り出す。最後に、半導体レーザチップ１
と、放熱体４と一体形成されたレーザマウント２と、ヒ
ートシンク３とを熱圧着し、半導体レーザ装置を完成さ
せる。
た後、図２（ｄ）に示すように、Ｓｉ基板５からレーザ
マウント２を切り出す。最後に、半導体レーザチップ１
と、放熱体４と一体形成されたレーザマウント２と、ヒ
ートシンク３とを熱圧着し、半導体レーザ装置を完成さ
せる。
【００２２】以上のようにして得られた半導体レーザ装
置は、レーザマウント２の凹部２ａに充填された放熱体
４の熱伝導率が、レーザマウント２の熱伝導率よりも高
いために、図１３に示した従来の半導体レーザ装置Ａに
比して放熱性が向上する。
置は、レーザマウント２の凹部２ａに充填された放熱体
４の熱伝導率が、レーザマウント２の熱伝導率よりも高
いために、図１３に示した従来の半導体レーザ装置Ａに
比して放熱性が向上する。
【００２３】また、ＧａＡｓ等の化合物半導体により形
成された半導体レーザチップ１と、Ｓｉより形成したレ
ーザマウント２とは、互いに熱膨張率の差が小さいため
に、半導体レーザチップ１にかかる応力は十分小さい。
成された半導体レーザチップ１と、Ｓｉより形成したレ
ーザマウント２とは、互いに熱膨張率の差が小さいため
に、半導体レーザチップ１にかかる応力は十分小さい。
【００２４】次に、ＧａＡｌＡｓ系材料からなる半導体
レーザチップ１を備えた半導体レーザ装置におけるレー
ザマウント２の凹部２ａにおける厚さｔ2と、半導体レ
ーザ装置の熱抵抗Ｒｔｈとの関係を調べた実験（実験
１）の結果について、図３を用いて説明する。
レーザチップ１を備えた半導体レーザ装置におけるレー
ザマウント２の凹部２ａにおける厚さｔ2と、半導体レ
ーザ装置の熱抵抗Ｒｔｈとの関係を調べた実験（実験
１）の結果について、図３を用いて説明する。
【００２５】図３に示すグラフは、レーザマウント２の
凹部２ａにおける厚さｔ2と、半導体レーザ装置の熱抵
抗Ｒｔｈ（熱伝導率に反比例）との関係を示している。
凹部２ａにおける厚さｔ2と、半導体レーザ装置の熱抵
抗Ｒｔｈ（熱伝導率に反比例）との関係を示している。
【００２６】図３から明らかなように、凹部２ａにおけ
るレーザマウント２の厚さが薄いほど、半導体レーザ装
置の熱抵抗は低くなることがわかる。これは放熱体４の
熱伝導率がレーザマウント２の熱伝導率よりも大きいた
めである。特に、凹部２ａにおけるレーザマウント２の
厚さが１００μｍ以下のとき、半導体レーザ装置の熱抵
抗が急激に低くなっていることがわかる。図１３に示す
従来の半導体レーザ装置Ａの熱抵抗が約８０℃／Ｗであ
るのに対し、実施の形態１の半導体レーザ装置は、凹部
２ａにおける厚さが１００μｍ以下のとき、熱抵抗が７
０℃／Ｗ以下であり、レーザマウント２の放熱性が向上
している。
るレーザマウント２の厚さが薄いほど、半導体レーザ装
置の熱抵抗は低くなることがわかる。これは放熱体４の
熱伝導率がレーザマウント２の熱伝導率よりも大きいた
めである。特に、凹部２ａにおけるレーザマウント２の
厚さが１００μｍ以下のとき、半導体レーザ装置の熱抵
抗が急激に低くなっていることがわかる。図１３に示す
従来の半導体レーザ装置Ａの熱抵抗が約８０℃／Ｗであ
るのに対し、実施の形態１の半導体レーザ装置は、凹部
２ａにおける厚さが１００μｍ以下のとき、熱抵抗が７
０℃／Ｗ以下であり、レーザマウント２の放熱性が向上
している。
【００２７】一方、ｔ2が２０μｍ未満のときは、レー
ザマウント２と放熱体４の熱膨張率差から生じる応力に
より、レーザマウント２の反りや割れが発生する。した
がって、ｔ2は２０μｍ〜１００μｍの範囲であること
が望ましい。
ザマウント２と放熱体４の熱膨張率差から生じる応力に
より、レーザマウント２の反りや割れが発生する。した
がって、ｔ2は２０μｍ〜１００μｍの範囲であること
が望ましい。
【００２８】次に、従来の半導体レーザ装置Ａ、および
実施の形態１の半導体レーザ装置を７０℃、出力８０ｍ
Ｗで動作させたときの動作電流を測定する実験（実験
２）を行った結果について、図４を用いて説明する。
実施の形態１の半導体レーザ装置を７０℃、出力８０ｍ
Ｗで動作させたときの動作電流を測定する実験（実験
２）を行った結果について、図４を用いて説明する。
【００２９】図４から明らかなように、図１３に示す従
来の半導体レーザ装置Ａでは、動作時間が１５００時間
を越えると動作電流が急激に増加し（線ｂ）、半導体レ
ーザチップ１の劣化が認められたのに対して、実施の形
態１の半導体レーザ装置では、２０００時間以上の連続
安定動作を実現しており（線ａ）、放熱体４による放熱
性向上の効果が現れていることがわかる。
来の半導体レーザ装置Ａでは、動作時間が１５００時間
を越えると動作電流が急激に増加し（線ｂ）、半導体レ
ーザチップ１の劣化が認められたのに対して、実施の形
態１の半導体レーザ装置では、２０００時間以上の連続
安定動作を実現しており（線ａ）、放熱体４による放熱
性向上の効果が現れていることがわかる。
【００３０】なお、実施の形態１の半導体レーザ装置に
類似する、図１５に示す半導体レーザ装置Ｃが既に知ら
れている。半導体レーザ装置Ｃでは、レーザマウント２
の下に、Ｓｉよりも熱伝導率の高いダイヤモンドで構成
されるダイヤモンド板１５を配することにより、半導体
レーザ装置の放熱性の向上が図られている。
類似する、図１５に示す半導体レーザ装置Ｃが既に知ら
れている。半導体レーザ装置Ｃでは、レーザマウント２
の下に、Ｓｉよりも熱伝導率の高いダイヤモンドで構成
されるダイヤモンド板１５を配することにより、半導体
レーザ装置の放熱性の向上が図られている。
【００３１】しかしながら、半導体レーザ装置Ｃにおい
ては、ダイヤモンド板１５とレーザマウント２とが、一
面でしか固着されていないために、ダイヤモンド板１５
とレーザマウント２との熱膨張率の差に起因する応力に
より、ダイヤモンド板１５とレーザマウント２とが剥が
れ、半導体レーザチップ１とヒートシンク３との間の熱
抵抗が増加し、半導体レーザチップ１の放熱が不十分と
なり、半導体レーザチップ１の動作に悪影響を及ぼすと
いう重大な問題がある。
ては、ダイヤモンド板１５とレーザマウント２とが、一
面でしか固着されていないために、ダイヤモンド板１５
とレーザマウント２との熱膨張率の差に起因する応力に
より、ダイヤモンド板１５とレーザマウント２とが剥が
れ、半導体レーザチップ１とヒートシンク３との間の熱
抵抗が増加し、半導体レーザチップ１の放熱が不十分と
なり、半導体レーザチップ１の動作に悪影響を及ぼすと
いう重大な問題がある。
【００３２】さらに、半導体レーザ装置Ｃにおいては、
レーザマウント２とダイヤモンド板１５とを別々に製造
して組み立てるため、部品の製造コストが高くなり、か
つ部品点数が多いために、組立コストも高くなるという
問題がある。
レーザマウント２とダイヤモンド板１５とを別々に製造
して組み立てるため、部品の製造コストが高くなり、か
つ部品点数が多いために、組立コストも高くなるという
問題がある。
【００３３】これに対して、本発明の実施の形態１で示
した半導体レーザ装置は、放熱体４が、ヒートシンク３
と接する面以外の全ての面においてレーザマウント２に
固着されているために、例えば、レーザマウント２と放
熱体４とが、ある一面において剥がれたとしても、他面
では固着されており、また、その構造上からも両者が剥
離してしまうことを防止できる効果がある。
した半導体レーザ装置は、放熱体４が、ヒートシンク３
と接する面以外の全ての面においてレーザマウント２に
固着されているために、例えば、レーザマウント２と放
熱体４とが、ある一面において剥がれたとしても、他面
では固着されており、また、その構造上からも両者が剥
離してしまうことを防止できる効果がある。
【００３４】さらに、本発明の実施の形態１で示した半
導体レーザ装置においては、レーザマウント２と放熱体
４（従来の半導体レーザ装置Ｃのダイヤモンド板１５に
相当）とは、図２に示すように一体形成されているの
で、組立部品点数が少なく、部品コストおよび組立コス
トを低減することができる。
導体レーザ装置においては、レーザマウント２と放熱体
４（従来の半導体レーザ装置Ｃのダイヤモンド板１５に
相当）とは、図２に示すように一体形成されているの
で、組立部品点数が少なく、部品コストおよび組立コス
トを低減することができる。
【００３５】（実施の形態２）図５は本発明の実施の形
態２における半導体レーザ装置の断面を示す図である。
図５において、ＧａＡｓ等の化合物半導体により形成さ
れた半導体レーザチップ１、電極層１２、Ｃｕで構成さ
れ、厚さが５０μｍの放熱体層７、Ｓｉで構成されるレ
ーザマウント２、およびヒートシンク３は、半田ソルダ
ー等を用いた熱間圧着等によりそれぞれ固着されてい
る。
態２における半導体レーザ装置の断面を示す図である。
図５において、ＧａＡｓ等の化合物半導体により形成さ
れた半導体レーザチップ１、電極層１２、Ｃｕで構成さ
れ、厚さが５０μｍの放熱体層７、Ｓｉで構成されるレ
ーザマウント２、およびヒートシンク３は、半田ソルダ
ー等を用いた熱間圧着等によりそれぞれ固着されてい
る。
【００３６】実施の形態２においては、Ｓｉよりも熱伝
導率の大きいＣｕで構成される放熱体層７が発熱源であ
る半導体レーザチップ１に直に接しているために、半導
体レーザチップ１がＳｉで構成されるレーザマウント２
に接している従来の半導体レーザ装置Ａに比して、レー
ザマウント２の放熱性が向上する。これは、図５の実線
矢印に示すように、半導体レーザチップ１で発生した熱
が放熱体層７に吸収された後、放熱体層７の主平面に平
行な方向に広く拡散され、その結果、レーザマウント２
のより広い範囲にわたって放熱が行われるためである。
導率の大きいＣｕで構成される放熱体層７が発熱源であ
る半導体レーザチップ１に直に接しているために、半導
体レーザチップ１がＳｉで構成されるレーザマウント２
に接している従来の半導体レーザ装置Ａに比して、レー
ザマウント２の放熱性が向上する。これは、図５の実線
矢印に示すように、半導体レーザチップ１で発生した熱
が放熱体層７に吸収された後、放熱体層７の主平面に平
行な方向に広く拡散され、その結果、レーザマウント２
のより広い範囲にわたって放熱が行われるためである。
【００３７】また、放熱体層７を構成する材料として加
工の容易な金属材料であるＣｕを用いることにより、メ
ッキ処理により放熱体層７を形成することが可能とな
る。これにより、レーザマウント２にかかる加工コスト
を低減し、安価で半導体レーザ装置を作製することがで
きる。
工の容易な金属材料であるＣｕを用いることにより、メ
ッキ処理により放熱体層７を形成することが可能とな
る。これにより、レーザマウント２にかかる加工コスト
を低減し、安価で半導体レーザ装置を作製することがで
きる。
【００３８】ところで、Ｃｕで構成される放熱体層７と
ＧａＡｓで構成される半導体レーザチップ１との熱膨張
率の差は、Ｓｉ基板５で作製したレーザマウント２と半
導体レーザチップ１との熱膨張率の差よりも大きいため
に、半導体レーザチップ１とＳiで構成されるレーザマ
ウント２とが接している従来の構成に比して、半導体レ
ーザチップ１にかかる応力は若干大きいと考えられる
が、放熱体層７の厚さｔ 2が５０μｍと薄いために、半
導体レーザチップ１にかかる応力は十分小さい。
ＧａＡｓで構成される半導体レーザチップ１との熱膨張
率の差は、Ｓｉ基板５で作製したレーザマウント２と半
導体レーザチップ１との熱膨張率の差よりも大きいため
に、半導体レーザチップ１とＳiで構成されるレーザマ
ウント２とが接している従来の構成に比して、半導体レ
ーザチップ１にかかる応力は若干大きいと考えられる
が、放熱体層７の厚さｔ 2が５０μｍと薄いために、半
導体レーザチップ１にかかる応力は十分小さい。
【００３９】次に、実施の形態２の半導体レーザ装置の
製造方法を図６に示す。まず、図６（ａ）に示すよう
に、Ｓｉ基板５上に真空蒸着により金属膜１３を形成
し、さらにその上にメッキ処理によりＣｕからなる放熱
体層７を形成する。次に、図６（ｂ）に示すように、真
空蒸着により電極層１２を形成した後、Ｓｉ基板５から
レーザマウント２を切り出す際に切りしろ部分１６とな
る電極層１２および放熱体層７をエッチングにより除去
する。延伸性が高いＣｕからなる放熱体層７をあらかじ
め除去することにより、Ｓｉ基板５からレーザマウント
２を切り出す工程において、ばりの発生を防止すること
ができる。実際、この切りしろ部分１６を除去しない場
合に比べて、レーザマウント２の加工歩留まりは約３０
％高くなった。
製造方法を図６に示す。まず、図６（ａ）に示すよう
に、Ｓｉ基板５上に真空蒸着により金属膜１３を形成
し、さらにその上にメッキ処理によりＣｕからなる放熱
体層７を形成する。次に、図６（ｂ）に示すように、真
空蒸着により電極層１２を形成した後、Ｓｉ基板５から
レーザマウント２を切り出す際に切りしろ部分１６とな
る電極層１２および放熱体層７をエッチングにより除去
する。延伸性が高いＣｕからなる放熱体層７をあらかじ
め除去することにより、Ｓｉ基板５からレーザマウント
２を切り出す工程において、ばりの発生を防止すること
ができる。実際、この切りしろ部分１６を除去しない場
合に比べて、レーザマウント２の加工歩留まりは約３０
％高くなった。
【００４０】最後に、図６（ｃ）に示すように、Ｓｉ基
板５から切り出したレーザマウント２を介して、半導体
レーザチップ１をヒートシンク３に搭載し、半導体レー
ザ装置を完成させる。
板５から切り出したレーザマウント２を介して、半導体
レーザチップ１をヒートシンク３に搭載し、半導体レー
ザ装置を完成させる。
【００４１】次に、ＧａＡｌＡｓ系材料からなる半導体
レーザチップ１を備えた半導体レーザ装置を用いて、放
熱体層７の厚さｔ1と、半導体レーザ装置の熱抵抗Rthと
の関係を調べた実験（実験３）の結果について、図７を
用いて説明する。
レーザチップ１を備えた半導体レーザ装置を用いて、放
熱体層７の厚さｔ1と、半導体レーザ装置の熱抵抗Rthと
の関係を調べた実験（実験３）の結果について、図７を
用いて説明する。
【００４２】図７から明らかなように、放熱体層７を厚
くするほど半導体レーザ装置の熱抵抗が低くなることが
わかる。また、図１３に示した従来の半導体装置Ａの熱
伝導率が８０℃／Ｗであることから、放熱体層７が薄い
場合においても、半導体レーザ装置の熱抵抗が低くな
り、放熱性向上の効果が現れていることがわかる。
くするほど半導体レーザ装置の熱抵抗が低くなることが
わかる。また、図１３に示した従来の半導体装置Ａの熱
伝導率が８０℃／Ｗであることから、放熱体層７が薄い
場合においても、半導体レーザ装置の熱抵抗が低くな
り、放熱性向上の効果が現れていることがわかる。
【００４３】次に、図１３に示した従来の半導体レーザ
装置Ａ、放熱体層７の厚さを５０μｍとした場合の実施
の形態２の半導体レーザ装置、および放熱体層７の厚さ
を８０μｍとした場合の実施の形態２の半導体レーザ装
置を、それぞれ７０℃、出力８０ｍＷで動作させたとき
の動作電流を測定した実験（実験４）の結果を、図８を
用いて説明する。
装置Ａ、放熱体層７の厚さを５０μｍとした場合の実施
の形態２の半導体レーザ装置、および放熱体層７の厚さ
を８０μｍとした場合の実施の形態２の半導体レーザ装
置を、それぞれ７０℃、出力８０ｍＷで動作させたとき
の動作電流を測定した実験（実験４）の結果を、図８を
用いて説明する。
【００４４】図８から明らかなように、従来の半導体レ
ーザ装置Ａ（線ａ）は、動作時間が１５００時間を越え
ると動作電流が急激に増加し、半導体レーザチップ１の
劣化が認められるのに対して、放熱体層７の厚さが５０
μｍである場合の実施の形態２の半導体レーザ装置（線
ｃ）は、２０００時間以上の連続安定動作を実現してい
ることがわかる。一方、放熱体層７の厚さを８０μｍと
した構成（線ｂ）では、安定に動作しているものの、動
作電流の増加率が大きい。これは、放熱体層７の厚さが
５０μｍを越えると、放熱体層７と半導体レーザチップ
１との熱膨張率差に起因する応力が大きくなり、半導体
レーザチップ１を劣化させているためである。
ーザ装置Ａ（線ａ）は、動作時間が１５００時間を越え
ると動作電流が急激に増加し、半導体レーザチップ１の
劣化が認められるのに対して、放熱体層７の厚さが５０
μｍである場合の実施の形態２の半導体レーザ装置（線
ｃ）は、２０００時間以上の連続安定動作を実現してい
ることがわかる。一方、放熱体層７の厚さを８０μｍと
した構成（線ｂ）では、安定に動作しているものの、動
作電流の増加率が大きい。これは、放熱体層７の厚さが
５０μｍを越えると、放熱体層７と半導体レーザチップ
１との熱膨張率差に起因する応力が大きくなり、半導体
レーザチップ１を劣化させているためである。
【００４５】なお、放熱体層７と電極層１２との間にバ
リア層（図示せず）を形成すると、半導体レーザチップ
１とレーザマウント２との接着強度が向上するため、接
着界面における接触熱抵抗を軽減することができる。
リア層（図示せず）を形成すると、半導体レーザチップ
１とレーザマウント２との接着強度が向上するため、接
着界面における接触熱抵抗を軽減することができる。
【００４６】その他、図９に示すように、上記実施の形
態１で用いた放熱体４および実施の形態２において用い
た放熱体層７の両方を有する半導体レーザ装置を構成す
れば、半導体レーザ装置の放熱性がさらに向上すること
はいうまでもない。
態１で用いた放熱体４および実施の形態２において用い
た放熱体層７の両方を有する半導体レーザ装置を構成す
れば、半導体レーザ装置の放熱性がさらに向上すること
はいうまでもない。
【００４７】（実施の形態３）図１０は本発明の実施の
形態３の半導体レーザ装置の断面を示す図である。
形態３の半導体レーザ装置の断面を示す図である。
【００４８】図１０において、半導体レーザチップ１、
Ｓｉで構成される基板２２、およびヒートシンク３は、
半田ソルダー等を用いた熱間圧着によりそれぞれ固定さ
れている。基板２２の凹部２２ａには、Ｓｉよりも熱伝
導率の高い放熱体４であるＣｕが充填されている。基板
２２の凹部２２ａの厚さは８０μｍである。
Ｓｉで構成される基板２２、およびヒートシンク３は、
半田ソルダー等を用いた熱間圧着によりそれぞれ固定さ
れている。基板２２の凹部２２ａには、Ｓｉよりも熱伝
導率の高い放熱体４であるＣｕが充填されている。基板
２２の凹部２２ａの厚さは８０μｍである。
【００４９】基板２２上には、半導体レーザチップ１か
ら出射されるレーザ光８を検出するレーザ光検出器９、
外部から入射してくる光を検出する光検出器１０、レー
ザ光８を反射する反射鏡１１がそれぞれ設けられてい
る。反射鏡１１は、反射鏡１１で反射されたレーザ光８
の出射方向と、外部から光検出器１０へ入射してくる光
の入射方向を、基板２２の主平面の法線方向に対してほ
ぼ平行となるように配されている。
ら出射されるレーザ光８を検出するレーザ光検出器９、
外部から入射してくる光を検出する光検出器１０、レー
ザ光８を反射する反射鏡１１がそれぞれ設けられてい
る。反射鏡１１は、反射鏡１１で反射されたレーザ光８
の出射方向と、外部から光検出器１０へ入射してくる光
の入射方向を、基板２２の主平面の法線方向に対してほ
ぼ平行となるように配されている。
【００５０】また、図１０には示されていないが、基板
２２上に、光検出器１０から出力される信号を増幅する
増幅回路、この増幅回路から出力された信号に演算を行
う演算回路、半導体レーザチップ１の駆動回路等の回路
が設けられている。
２２上に、光検出器１０から出力される信号を増幅する
増幅回路、この増幅回路から出力された信号に演算を行
う演算回路、半導体レーザチップ１の駆動回路等の回路
が設けられている。
【００５１】実施の形態３における半導体レーザ装置
は、実施の形態１において奏する効果に加えて、半導体
レーザチップ１と、光検出器１０等の回路素子を基板２
２上に集積化することにより、半導体レーザ装置の小型
化が可能である。これにより、半導体レーザ装置を用い
る光ピックアップ等の機器の小型化を図ることができ
る。
は、実施の形態１において奏する効果に加えて、半導体
レーザチップ１と、光検出器１０等の回路素子を基板２
２上に集積化することにより、半導体レーザ装置の小型
化が可能である。これにより、半導体レーザ装置を用い
る光ピックアップ等の機器の小型化を図ることができ
る。
【００５２】さらに、半導体レーザチップ１から出射さ
れるレーザ光８を、基板２２を構成する半導体基板表面
の法線方向に対してほぼ平行に反射する反射鏡１１を設
け、この反射鏡１１で反射されたレーザ光８の出射方向
と、外部から光検出器１０に入射してくる光の入射方向
とをほぼ平行にすることにより、外部の光学系（図示せ
ず）と容易に効率良く結合することができる。
れるレーザ光８を、基板２２を構成する半導体基板表面
の法線方向に対してほぼ平行に反射する反射鏡１１を設
け、この反射鏡１１で反射されたレーザ光８の出射方向
と、外部から光検出器１０に入射してくる光の入射方向
とをほぼ平行にすることにより、外部の光学系（図示せ
ず）と容易に効率良く結合することができる。
【００５３】（実施の形態４）図１１は本発明の実施の
形態４の半導体レーザ装置の断面を示す図である。
形態４の半導体レーザ装置の断面を示す図である。
【００５４】図１１において、半導体レーザチップ１、
Ｃｕで構成され、厚さが５０μｍの放熱体層７、Ｓｉで
構成される基板２２、およびヒートシンク３は、半田ソ
ルダー等を用いた熱間圧着によりそれぞれ固定されてい
る。
Ｃｕで構成され、厚さが５０μｍの放熱体層７、Ｓｉで
構成される基板２２、およびヒートシンク３は、半田ソ
ルダー等を用いた熱間圧着によりそれぞれ固定されてい
る。
【００５５】基板２２上には、半導体レーザチップ１か
ら出射されるレーザ光８を検出するレーザ光検出器９、
外部から入射してくる光を検出する光検出器１０、レー
ザ光８を反射する反射鏡１１がそれぞれ設けられてい
る。反射鏡１１は、この反射鏡１１で反射されたレーザ
光８の出射方向と、外部から光検出器１０へ入射してく
る光の入射方向を、基板２２の主平面の法線方向に対し
てほぼ平行となるように配されている。
ら出射されるレーザ光８を検出するレーザ光検出器９、
外部から入射してくる光を検出する光検出器１０、レー
ザ光８を反射する反射鏡１１がそれぞれ設けられてい
る。反射鏡１１は、この反射鏡１１で反射されたレーザ
光８の出射方向と、外部から光検出器１０へ入射してく
る光の入射方向を、基板２２の主平面の法線方向に対し
てほぼ平行となるように配されている。
【００５６】また、図１１には示されていないが、基板
２２上に、光検出器１０から出力される信号を増幅する
増幅回路、この増幅回路から出力される信号に演算を行
う演算回路、半導体レーザチップ１の駆動回路等の回路
が設けられている。
２２上に、光検出器１０から出力される信号を増幅する
増幅回路、この増幅回路から出力される信号に演算を行
う演算回路、半導体レーザチップ１の駆動回路等の回路
が設けられている。
【００５７】実施の形態４における半導体レーザ装置
は、実施の形態２において奏する効果に加えて、半導体
レーザチップ１と、光検出器１０等の回路素子を基板２
２上に集積化することにより、半導体レーザ装置の小型
化が可能である。これにより、半導体レーザ装置を用い
る光ピックアップ等の機器の小型化を図ることができ
る。
は、実施の形態２において奏する効果に加えて、半導体
レーザチップ１と、光検出器１０等の回路素子を基板２
２上に集積化することにより、半導体レーザ装置の小型
化が可能である。これにより、半導体レーザ装置を用い
る光ピックアップ等の機器の小型化を図ることができ
る。
【００５８】さらに、半導体レーザチップ１から出射さ
れるレーザ光８を、基板２２を構成する半導体基板表面
の法線方向に対してほぼ平行に反射する反射鏡１１を設
け、この反射鏡１１で反射されたレーザ光８の出射方向
と、外部から光検出器１０に入射してくる光の入射方向
とをほぼ平行にすることにより、外部の光学系（図示せ
ず）と容易に効率良く結合することができる。
れるレーザ光８を、基板２２を構成する半導体基板表面
の法線方向に対してほぼ平行に反射する反射鏡１１を設
け、この反射鏡１１で反射されたレーザ光８の出射方向
と、外部から光検出器１０に入射してくる光の入射方向
とをほぼ平行にすることにより、外部の光学系（図示せ
ず）と容易に効率良く結合することができる。
【００５９】その他、図１２に示すように、上記実施の
形態３で用いた放熱体４および実施の形態４において用
いた放熱体層７の両方を有する半導体レーザ装置を構成
すれば、半導体レーザ装置の放熱性がさらに向上するこ
とはいうまでもない。
形態３で用いた放熱体４および実施の形態４において用
いた放熱体層７の両方を有する半導体レーザ装置を構成
すれば、半導体レーザ装置の放熱性がさらに向上するこ
とはいうまでもない。
【００６０】以上、上記４つの各実施の形態において
は、ヒートシンク３となるパッケージの形状としては、
キャンタイプやリードフレームタイプ等の形状が考えら
れ、またパッケージを構成する材料には特に制限はな
い。
は、ヒートシンク３となるパッケージの形状としては、
キャンタイプやリードフレームタイプ等の形状が考えら
れ、またパッケージを構成する材料には特に制限はな
い。
【００６１】また、半導体レーザチップ１に用いる材料
系として、例えば、ＧａＡｌＡｓ系、ＩｎＧａＡｌＰ
系、ＩｎＰ系、ＩｎＧａＡｓＰ系、ＺｎＳｅ系、ＺｎＣ
ｄＳＳｅ系、ＺｎＭｇＳＳｅ系、ＧａＮ系、ＩｎＧａＮ
系、ＡｌＧａＮ系等が挙げられる。
系として、例えば、ＧａＡｌＡｓ系、ＩｎＧａＡｌＰ
系、ＩｎＰ系、ＩｎＧａＡｓＰ系、ＺｎＳｅ系、ＺｎＣ
ｄＳＳｅ系、ＺｎＭｇＳＳｅ系、ＧａＮ系、ＩｎＧａＮ
系、ＡｌＧａＮ系等が挙げられる。
【００６２】実施の形態１および実施の形態３の半導体
レーザ装置においては、凹部２ａまたは凹部２２ａに充
填する材料をＣｕとしたが、ダイヤモンド等のＣを構成
元素とする材料を、選択的に成長させて放熱体４を形成
すると、熱伝導率の非常に大きな放熱体４を形成できる
ので、半導体レーザ装置の放熱性が大きく向上する。ま
た、Ａｕ、Ａｇ等の材料を用いてもよく、これらを含む
複数の材料を用いてもよい。この場合、Ｃｕと同様にＡ
ｕ、Ａｇ等、加工性に富む金属材料を用いることによ
り、メッキ処理、溶射、真空蒸着等の方法で、凹部２ａ
または凹部２２ａを充填することが可能となるので、レ
ーザマウント２または基板２２にかかる加工コストを低
減することができる。
レーザ装置においては、凹部２ａまたは凹部２２ａに充
填する材料をＣｕとしたが、ダイヤモンド等のＣを構成
元素とする材料を、選択的に成長させて放熱体４を形成
すると、熱伝導率の非常に大きな放熱体４を形成できる
ので、半導体レーザ装置の放熱性が大きく向上する。ま
た、Ａｕ、Ａｇ等の材料を用いてもよく、これらを含む
複数の材料を用いてもよい。この場合、Ｃｕと同様にＡ
ｕ、Ａｇ等、加工性に富む金属材料を用いることによ
り、メッキ処理、溶射、真空蒸着等の方法で、凹部２ａ
または凹部２２ａを充填することが可能となるので、レ
ーザマウント２または基板２２にかかる加工コストを低
減することができる。
【００６３】実施の形態２および実施の形態４の半導体
レーザ装置においては、放熱体層７をＣｕにより形成す
る構成としたが、ダイヤモンド等、Ｃを構成元素とする
材料を、選択的に成長させて放熱体層７を形成すると、
熱伝導率の非常に大きな放熱体層７を形成できるので、
半導体レーザ装置の放熱性が大きく向上する。また、放
熱体層７には、Ａｕ、Ａｇ等の材料を用いても良く、ダ
イヤモンド、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ等を含む複数の材料を用
いても良い。Ａｕ、Ａｇ等加工性に富む金属材料を用い
た場合、Ｃｕと同様にメッキ処理、溶射、真空蒸着等の
方法により、レーザマウント２または基板２２上に放熱
体層７を形成できるので、レーザマウント２または基板
２２にかかる加工コストを低減することができる。
レーザ装置においては、放熱体層７をＣｕにより形成す
る構成としたが、ダイヤモンド等、Ｃを構成元素とする
材料を、選択的に成長させて放熱体層７を形成すると、
熱伝導率の非常に大きな放熱体層７を形成できるので、
半導体レーザ装置の放熱性が大きく向上する。また、放
熱体層７には、Ａｕ、Ａｇ等の材料を用いても良く、ダ
イヤモンド、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ等を含む複数の材料を用
いても良い。Ａｕ、Ａｇ等加工性に富む金属材料を用い
た場合、Ｃｕと同様にメッキ処理、溶射、真空蒸着等の
方法により、レーザマウント２または基板２２上に放熱
体層７を形成できるので、レーザマウント２または基板
２２にかかる加工コストを低減することができる。
【００６４】次に、実施の形態１および実施の形態２に
おいては、レーザマウント２を構成する材料をＳｉとし
ているが、ＳｉＣ、ＡｌＮ等の材料を用いることによっ
て、半導体レーザ装置の放熱性がより向上する。
おいては、レーザマウント２を構成する材料をＳｉとし
ているが、ＳｉＣ、ＡｌＮ等の材料を用いることによっ
て、半導体レーザ装置の放熱性がより向上する。
【００６５】また、実施の形態１および実施の形態２に
おいては、半導体レーザチップ１、レーザマウント２、
ヒートシンク３等からなる構成を例に述べたが、これら
に加えて、半導体レーザチップ１の前方または後方から
出射されるレーザ光を検出するレーザ光検出器、外部か
ら入射してくる光を検出する光検出器、光検出器からの
信号を増幅する増幅回路、増幅回路からの信号を演算す
る演算回路、半導体レーザの駆動回路等を形成した半導
体装置を、ヒートシンクとなるパッケージに一緒に搭載
する構成としても良い。
おいては、半導体レーザチップ１、レーザマウント２、
ヒートシンク３等からなる構成を例に述べたが、これら
に加えて、半導体レーザチップ１の前方または後方から
出射されるレーザ光を検出するレーザ光検出器、外部か
ら入射してくる光を検出する光検出器、光検出器からの
信号を増幅する増幅回路、増幅回路からの信号を演算す
る演算回路、半導体レーザの駆動回路等を形成した半導
体装置を、ヒートシンクとなるパッケージに一緒に搭載
する構成としても良い。
【００６６】さらに、実施の形態３および実施の形態４
においては、基板２２を構成する材料をＳｉとしている
が、ＳｉＣ等の材料を用いることによって、半導体レー
ザ装置の放熱性がより向上する。
においては、基板２２を構成する材料をＳｉとしている
が、ＳｉＣ等の材料を用いることによって、半導体レー
ザ装置の放熱性がより向上する。
【００６７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体レ
ーザ装置は、レーザマウント上に半導体レーザチップを
有し、前記レーザマウントに、開口が前記半導体レーザ
チップの反対側に位置するように凹部を設け、凹部にレ
ーザマウントよりも熱伝導率が大きい放熱体を充填する
ことにより、半導体レーザチップで発生した熱をレーザ
マウントに効率よく吸収することができ、またレーザマ
ウントと放熱体とを一体形成することができるため、組
立が容易でかつ、レーザマウントと放熱体とが剥がれる
のを防止することができ、ひいては半導体レーザ装置の
放熱性を向上させることができる。
ーザ装置は、レーザマウント上に半導体レーザチップを
有し、前記レーザマウントに、開口が前記半導体レーザ
チップの反対側に位置するように凹部を設け、凹部にレ
ーザマウントよりも熱伝導率が大きい放熱体を充填する
ことにより、半導体レーザチップで発生した熱をレーザ
マウントに効率よく吸収することができ、またレーザマ
ウントと放熱体とを一体形成することができるため、組
立が容易でかつ、レーザマウントと放熱体とが剥がれる
のを防止することができ、ひいては半導体レーザ装置の
放熱性を向上させることができる。
【００６８】また、レーザマウントと、レーザマウント
上に設けられた放熱体層と、放熱体層上に設けられた半
導体レーザチップとを有する半導体レーザ装置におい
て、放熱体層の熱伝導率をレーザマウントの熱伝導率よ
り大きくすることにより、半導体レーザチップで発生し
た熱を放熱体層の主平面に平行な方向に広く拡散させる
ことができ、半導体レーザチップへの応力を増加させる
ことなく、半導体レーザ装置の放熱性を向上させること
ができる。
上に設けられた放熱体層と、放熱体層上に設けられた半
導体レーザチップとを有する半導体レーザ装置におい
て、放熱体層の熱伝導率をレーザマウントの熱伝導率よ
り大きくすることにより、半導体レーザチップで発生し
た熱を放熱体層の主平面に平行な方向に広く拡散させる
ことができ、半導体レーザチップへの応力を増加させる
ことなく、半導体レーザ装置の放熱性を向上させること
ができる。
【００６９】また、前記放熱体を用いる構成と前記放熱
体層を用いる構成とを併用した半導体レーザ装置におい
ては、放熱性をさらに向上させることができる。
体層を用いる構成とを併用した半導体レーザ装置におい
ては、放熱性をさらに向上させることができる。
【００７０】また、基板上に半導体レーザチップを有
し、前記基板上に前記半導体レーザチップから出射され
るレーザ光を検出するレーザ光検出器、外部から入射し
てくる光を検出する光検出器、前記光検出器から出力さ
れる信号を増幅する増幅回路、前記増幅回路から出力さ
れる信号を演算する演算回路、および前記半導体レーザ
チップの駆動回路のうち、少なくとも一つの検出器また
は回路を有する半導体レーザ装置の基板に、前記放熱体
または前記放熱体層もしくは双方を併用して設けた構成
においても、同様の効果が得られる。
し、前記基板上に前記半導体レーザチップから出射され
るレーザ光を検出するレーザ光検出器、外部から入射し
てくる光を検出する光検出器、前記光検出器から出力さ
れる信号を増幅する増幅回路、前記増幅回路から出力さ
れる信号を演算する演算回路、および前記半導体レーザ
チップの駆動回路のうち、少なくとも一つの検出器また
は回路を有する半導体レーザ装置の基板に、前記放熱体
または前記放熱体層もしくは双方を併用して設けた構成
においても、同様の効果が得られる。
【図１】本発明の実施の形態１の半導体レーザ装置の断
面図
面図
【図２】本発明の実施の形態１の半導体レーザ装置の製
造方法を説明するための図
造方法を説明するための図
【図３】同半導体レーザ装置における凹部のレーザマウ
ントの厚さと、半導体レーザ装置の熱抵抗との関係を示
す図
ントの厚さと、半導体レーザ装置の熱抵抗との関係を示
す図
【図４】同半導体レーザ装置における動作時間と動作電
流との関係を示す図
流との関係を示す図
【図５】本発明の実施の形態２の半導体レーザ装置の断
面図
面図
【図６】本発明の実施の形態２の半導体レーザ装置の製
造方法を説明するための図
造方法を説明するための図
【図７】同半導体レーザ装置における放熱体層の厚さ
と、半導体レーザ装置の熱抵抗との関係を示す図
と、半導体レーザ装置の熱抵抗との関係を示す図
【図８】同半導体レーザ装置における動作時間と動作電
流との関係を示す図
流との関係を示す図
【図９】本発明の実施の形態２の他の半導体レーザ装置
の断面図
の断面図
【図１０】本発明の実施の形態３の半導体レーザ装置の
断面図
断面図
【図１１】本発明の実施の形態４の半導体レーザ装置の
断面図
断面図
【図１２】本発明の実施の形態４の他の半導体レーザ装
置の断面図
置の断面図
【図１３】従来の半導体レーザ装置Ａの断面図
【図１４】従来の半導体レーザ装置Ｂの断面図
【図１５】従来の半導体レーザ装置Ｃの断面図
１ 半導体レーザチップ ２ レーザマウント ２ａ、２２ａ 凹部 ３ ヒートシンク ４ 放熱体 ５ Ｓｉ基板 ７ 放熱体層 ８ レーザ光 ９ レーザ光検出器 １０ 光検出器 １１ 反射鏡 １２ 電極層 １３ 金属膜 １５ ダイヤモンド板 １６ 切りしろ部分 ２２ 基板
フロントページの続き (72)発明者 吉村 明夫 大阪府高槻市幸町１番１号 松下電子工業 株式会社内
Claims (21)
- 【請求項１】 レーザマウント上に半導体レーザチップ
を有し、前記レーザマウントには、開口が前記半導体レ
ーザチップの反対側に位置するように凹部が設けられ、
前記凹部には、前記レーザマウントの熱伝導率よりも高
い熱伝導率を有する放熱体が充填されていることを特徴
とする半導体レーザ装置。 - 【請求項２】 前記凹部における前記レーザマウントの
厚さを２０μｍ以上１００μｍ以下としたことを特徴と
する請求項１記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項３】 基板上に半導体レーザチップを有し、前
記基板上に前記半導体レーザチップから出射されるレー
ザ光を検出するレーザ光検出器、外部から入射してくる
光を検出する光検出器、前記光検出器から出力される信
号を増幅する増幅回路、前記増幅回路から出力される信
号を演算する演算回路、および前記半導体レーザチップ
の駆動回路のうち、少なくとも一つの検出器または回路
を有し、前記基板には、開口が前記半導体レーザチップ
の反対側に位置するように凹部が設けられ、前記凹部に
は、前記基板の熱伝導率よりも高い熱伝導率を有する放
熱体が充填されていることを特徴とする半導体レーザ装
置。 - 【請求項４】 前記半導体レーザチップから出射される
レーザ光を、前記基板の主平面の法線方向に対してほぼ
平行に反射させる反射鏡を、前記基板上に設けたことを
特徴とする請求項３記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項５】 前記凹部における前記基板の厚さを２０
μｍ以上１００μｍ以下としたことを特徴とする請求項
３または請求項４に記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項６】 前記放熱体を金属で構成したことを特徴
とする請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の半導
体レーザ装置。 - 【請求項７】 レーザマウントと、前記レーザマウント
上に設けられた放熱体層と、前記放熱体層上に設けられ
た半導体レーザチップとを有する半導体レーザ装置であ
って、前記放熱体層の熱伝導率は前記レーザマウントの
熱伝導率よりも高いことを特徴とする半導体レーザ装
置。 - 【請求項８】 放熱体層を介して基板上に設けられた半
導体レーザチップを有し、前記基板上に前記半導体レー
ザチップから出射されるレーザ光を検出するレーザ光検
出器、外部から入射してくる光を検出する光検出器、前
記光検出器から出力される信号を増幅する増幅回路、前
記増幅回路から出力される信号を演算する演算回路、お
よび前記半導体レーザチップの駆動回路のうち、少なく
とも一つの検出器または回路を有し、前記放熱体層の熱
伝導率は前記基板の熱伝導率よりも高いことを特徴とす
る半導体レーザ装置。 - 【請求項９】 前記半導体レーザチップから出射される
レーザ光を、前記基板の主平面の法線方向に対してほぼ
平行に反射させる反射鏡を、前記基板上に設けたことを
特徴とする請求項８記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項１０】 前記放熱体層の構成元素を炭素とする
ことを特徴とする請求項７ないし請求項９のいずれかに
記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項１１】 前記放熱体層を金属で構成したことを
特徴とする請求項７ないし請求項９のいずれかに記載の
半導体レーザ装置。 - 【請求項１２】 前記放熱体層の厚さを５０μｍ以下と
したことを特徴とする請求項７ないし請求項１１のいず
れかに記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項１３】 レーザマウントと、前記レーザマウン
ト上に設けられた放熱体層と、前記放熱体層上に設けら
れた半導体レーザチップとを有し、前記レーザマウント
には、開口が前記放熱体層の反対側に位置するように凹
部が設けられ、前記凹部には、前記レーザマウントの熱
伝導率よりも高い熱伝導率を有する放熱体が充填された
半導体レーザ装置であって、前記放熱体層の熱伝導率は
前記レーザマウントの熱伝導率よりも高いことを特徴と
する半導体レーザ装置。 - 【請求項１４】 前記凹部における前記レーザマウント
の厚さを２０μｍ以上１００μｍ以下としたことを特徴
とする請求項１３記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項１５】 放熱体層を介して基板上に設けられた
半導体レーザチップを有し、前記基板上に前記半導体レ
ーザチップから出射されるレーザ光を検出するレーザ光
検出器、外部から入射してくる光を検出する光検出器、
前記光検出器から出力される信号を増幅する増幅回路、
前記増幅回路から出力される信号を演算する演算回路、
および前記半導体レーザチップの駆動回路のうち、少な
くとも一つの検出器または回路を有し、前記基板には、
開口が前記放熱体層の反対側に位置する凹部が設けら
れ、前記凹部には、前記基板の熱伝導率よりも高い熱伝
導率を有する放熱体が充填されており、前記放熱体層の
熱伝導率は前記基板の熱伝導率よりも高いことを特徴と
する半導体レーザ装置。 - 【請求項１６】 前記半導体レーザチップから出射され
るレーザ光を、前記基板の主平面の法線方向に対してほ
ぼ平行に反射させる反射鏡を、前記基板上に設けたこと
を特徴とする請求項１５記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項１７】 前記凹部における前記基板の厚さを２
０μｍ以上１００μｍ以下としたことを特徴とする請求
項１５または請求項１６に記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項１８】 前記放熱体を金属で構成したことを特
徴とする請求項１３ないし請求項１７のいずれかに記載
の半導体レーザ装置。 - 【請求項１９】 前記放熱体層の構成元素を炭素とする
ことを特徴とする請求項１３ないし請求項１８のいずれ
かに記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項２０】 前記放熱体層を金属で構成したことを
特徴とする請求項１３ないし請求項１８のいずれかに記
載の半導体レーザ装置。 - 【請求項２１】 前記放熱体層の厚さを５０μｍ以下と
したことを特徴とする請求項１３ないし請求項２０のい
ずれかに記載の半導体レーザ装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8204570A JPH1051065A (ja) | 1996-08-02 | 1996-08-02 | 半導体レーザ装置 |
| US08/904,304 US6084895A (en) | 1996-08-02 | 1997-07-31 | Semiconductor laser apparatus |
| TW086110940A TW445689B (en) | 1996-08-02 | 1997-07-31 | Semiconductor laser apparatus |
| CN97115312A CN1101987C (zh) | 1996-08-02 | 1997-08-01 | 半导体激光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8204570A JPH1051065A (ja) | 1996-08-02 | 1996-08-02 | 半導体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1051065A true JPH1051065A (ja) | 1998-02-20 |
Family
ID=16492666
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8204570A Pending JPH1051065A (ja) | 1996-08-02 | 1996-08-02 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6084895A (ja) |
| JP (1) | JPH1051065A (ja) |
| CN (1) | CN1101987C (ja) |
| TW (1) | TW445689B (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6647039B2 (en) | 2002-02-27 | 2003-11-11 | Jds Uniphase Corporation | Reconfigurable laser header |
| US6646777B2 (en) | 2002-02-27 | 2003-11-11 | Jds Uniphase Corporation | Optical isolator with improved mounting characteristics |
| US6773532B2 (en) | 2002-02-27 | 2004-08-10 | Jds Uniphase Corporation | Method for improving heat dissipation in optical transmitter |
| JP2006049057A (ja) * | 2004-08-04 | 2006-02-16 | Hitachi Displays Ltd | 有機ｅｌ表示装置 |
| US7075960B2 (en) | 2003-01-10 | 2006-07-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor laser apparatus and production method thereof |
| JP2007142479A (ja) * | 2003-03-14 | 2007-06-07 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体装置 |
| JP2007220830A (ja) * | 2006-02-15 | 2007-08-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光モジュールとこれを用いた表示装置及び照明装置 |
| JP2017502512A (ja) * | 2013-12-17 | 2017-01-19 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＯｓｒａｍ Ｏｐｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ＧｍｂＨ | 半導体レーザ・ダイオード、半導体レーザ・ダイオードを製造するための方法および半導体レーザ・ダイオード装置 |
| JP2018510499A (ja) * | 2015-02-05 | 2018-04-12 | トゥー‐シックス・インコーポレイテッド | ダイヤモンドと金属又は金属合金との交互パターンを有する複合基板 |
| US10700023B2 (en) | 2016-05-18 | 2020-06-30 | Macom Technology Solutions Holdings, Inc. | High-power amplifier package |
| US11367674B2 (en) | 2016-08-10 | 2022-06-21 | Macom Technology Solutions Holdings, Inc. | High power transistors |
Families Citing this family (35)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6161028A (en) * | 1999-03-10 | 2000-12-12 | Optiscan Biomedical Corporation | Method for determining analyte concentration using periodic temperature modulation and phase detection |
| JP3869575B2 (ja) * | 1999-03-02 | 2007-01-17 | ローム株式会社 | 半導体レーザ |
| US6674775B1 (en) * | 2000-02-18 | 2004-01-06 | Jds Uniphase Corporation | Contact structure for semiconductor lasers |
| US20040120371A1 (en) * | 2000-02-18 | 2004-06-24 | Jds Uniphase Corporation | Contact structure for a semiconductor component |
| JP4060511B2 (ja) * | 2000-03-28 | 2008-03-12 | パイオニア株式会社 | 窒化物半導体素子の分離方法 |
| US6611001B2 (en) | 2001-02-06 | 2003-08-26 | Lucent Technologies Inc. | Laser package |
| US6956250B2 (en) * | 2001-02-23 | 2005-10-18 | Nitronex Corporation | Gallium nitride materials including thermally conductive regions |
| US7119400B2 (en) * | 2001-07-05 | 2006-10-10 | Isonics Corporation | Isotopically pure silicon-on-insulator wafers and method of making same |
| US20040171226A1 (en) * | 2001-07-05 | 2004-09-02 | Burden Stephen J. | Isotopically pure silicon-on-insulator wafers and method of making same |
| US6867459B2 (en) * | 2001-07-05 | 2005-03-15 | Isonics Corporation | Isotopically pure silicon-on-insulator wafers and method of making same |
| US6653658B2 (en) * | 2001-07-05 | 2003-11-25 | Isonics Corporation | Semiconductor wafers with integrated heat spreading layer |
| JP2003324238A (ja) * | 2002-05-02 | 2003-11-14 | Sumitomo Electric Ind Ltd | レーザモジュールおよび光ネットワーク |
| CN100420048C (zh) * | 2003-03-14 | 2008-09-17 | 住友电气工业株式会社 | 半导体器件 |
| EP1544966B1 (en) * | 2003-12-16 | 2006-11-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical semiconductor device and method for fabricating the same |
| DE102004015446B4 (de) * | 2003-12-30 | 2010-08-05 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Wärmesenke für ein diskretes Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung sowie elektronische Komponente |
| CN101023568A (zh) * | 2004-09-22 | 2007-08-22 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 | 表面发射的半导体激光器装置以及用于制造表面发射的半导体激光器装置的方法 |
| US7288840B2 (en) * | 2005-01-18 | 2007-10-30 | International Business Machines Corporation | Structure for cooling a surface |
| US20080008216A1 (en) * | 2006-07-07 | 2008-01-10 | Newport Corporation | Laser device including heat sink with insert to provide a tailored coefficient of thermal expansion |
| US20080008217A1 (en) * | 2006-07-07 | 2008-01-10 | Newport Corporation | Laser device including heat sink with a tailored coefficient of thermal expansion |
| JP2008198759A (ja) * | 2007-02-13 | 2008-08-28 | Seiko Epson Corp | レーザ光源、レーザ光源装置、照明装置、モニタ装置、及び画像表示装置 |
| CN101933202B (zh) | 2007-12-17 | 2013-05-29 | 奥兰若光电公司 | 激光发射器模块及装配的方法 |
| CN102089943B (zh) * | 2008-05-08 | 2017-05-03 | 奥兰若光子公司 | 高亮度二极管输出方法和装置 |
| AT11107U1 (de) * | 2008-11-20 | 2010-04-15 | Plansee Se | Wärmesenke sowie verfahren zu deren herstellung |
| US20100177796A1 (en) * | 2009-01-09 | 2010-07-15 | Newport Corporation | Laser device and heat sink with core to manage stress due to thermal expansion |
| EP2529452B1 (en) | 2010-01-22 | 2018-05-23 | II-VI Laser Enterprise GmbH | Homogenization of far field fiber coupled radiation |
| JP5441813B2 (ja) * | 2010-05-14 | 2014-03-12 | パナソニック株式会社 | 接合方法および接合装置 |
| US8644357B2 (en) | 2011-01-11 | 2014-02-04 | Ii-Vi Incorporated | High reliability laser emitter modules |
| CN102684066A (zh) * | 2012-05-29 | 2012-09-19 | 西安炬光科技有限公司 | 双通道液体制冷多量子阱半导体激光器及其制备方法 |
| WO2015116130A1 (en) | 2014-01-31 | 2015-08-06 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Interposer |
| US11411370B2 (en) * | 2015-03-24 | 2022-08-09 | Lawrence Livermore National Security, Llc | Si-based CTE-matched substrate for laser diode packaging |
| US10381322B1 (en) | 2018-04-23 | 2019-08-13 | Sandisk Technologies Llc | Three-dimensional memory device containing self-aligned interlocking bonded structure and method of making the same |
| DE112019003830T5 (de) * | 2018-07-30 | 2021-04-15 | Panasonic Corporation | Lichtemittierende Halbleitervorrichtung und Laservorrichtung vom externen Resonanztyp |
| US10879260B2 (en) | 2019-02-28 | 2020-12-29 | Sandisk Technologies Llc | Bonded assembly of a support die and plural memory dies containing laterally shifted vertical interconnections and methods for making the same |
| CN113328335A (zh) * | 2020-02-28 | 2021-08-31 | 福州高意光学有限公司 | 一种高功率激光应用的散热基座 |
| JP2022180123A (ja) * | 2021-05-24 | 2022-12-06 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置および発光装置の製造方法 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5228550B2 (ja) * | 1972-10-04 | 1977-07-27 | ||
| US5270253A (en) * | 1986-01-27 | 1993-12-14 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of producing semiconductor device |
| JPH02138785A (ja) * | 1988-11-18 | 1990-05-28 | Sanyo Electric Co Ltd | ヒートシンク |
| JPH04286178A (ja) * | 1991-03-14 | 1992-10-12 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体レーザ用ヒートシンク |
| JP2869279B2 (ja) * | 1992-09-16 | 1999-03-10 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザダイオード及びその製造方法並びに半導体レーザダイオードアレイ |
| JPH06203403A (ja) * | 1992-10-22 | 1994-07-22 | Matsushita Electron Corp | 半導体レーザ装置および光ピックアップ装置 |
| US5479426A (en) * | 1994-03-04 | 1995-12-26 | Matsushita Electronics Corporation | Semiconductor laser device with integrated reflector on a (511) tilted lattice plane silicon substrate |
| JP3461632B2 (ja) * | 1995-08-28 | 2003-10-27 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザ装置 |
-
1996
- 1996-08-02 JP JP8204570A patent/JPH1051065A/ja active Pending
-
1997
- 1997-07-31 US US08/904,304 patent/US6084895A/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-07-31 TW TW086110940A patent/TW445689B/zh not_active IP Right Cessation
- 1997-08-01 CN CN97115312A patent/CN1101987C/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6646777B2 (en) | 2002-02-27 | 2003-11-11 | Jds Uniphase Corporation | Optical isolator with improved mounting characteristics |
| US6773532B2 (en) | 2002-02-27 | 2004-08-10 | Jds Uniphase Corporation | Method for improving heat dissipation in optical transmitter |
| US6647039B2 (en) | 2002-02-27 | 2003-11-11 | Jds Uniphase Corporation | Reconfigurable laser header |
| US7362785B2 (en) | 2003-01-10 | 2008-04-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor laser apparatus and production method thereof |
| US7075960B2 (en) | 2003-01-10 | 2006-07-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor laser apparatus and production method thereof |
| JP2007142479A (ja) * | 2003-03-14 | 2007-06-07 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体装置 |
| JP2006049057A (ja) * | 2004-08-04 | 2006-02-16 | Hitachi Displays Ltd | 有機ｅｌ表示装置 |
| JP2007220830A (ja) * | 2006-02-15 | 2007-08-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光モジュールとこれを用いた表示装置及び照明装置 |
| JP2017502512A (ja) * | 2013-12-17 | 2017-01-19 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＯｓｒａｍ Ｏｐｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ＧｍｂＨ | 半導体レーザ・ダイオード、半導体レーザ・ダイオードを製造するための方法および半導体レーザ・ダイオード装置 |
| JP2018101794A (ja) * | 2013-12-17 | 2018-06-28 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＯｓｒａｍ Ｏｐｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ＧｍｂＨ | 半導体レーザ・ダイオード、半導体レーザ・ダイオードを製造するための方法および半導体レーザ・ダイオード装置 |
| US10193303B2 (en) | 2013-12-17 | 2019-01-29 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Semiconductor laser diode, method for producing a semiconductor laser diode and semiconductor laser diode arrangement |
| JP2018510499A (ja) * | 2015-02-05 | 2018-04-12 | トゥー‐シックス・インコーポレイテッド | ダイヤモンドと金属又は金属合金との交互パターンを有する複合基板 |
| US10700023B2 (en) | 2016-05-18 | 2020-06-30 | Macom Technology Solutions Holdings, Inc. | High-power amplifier package |
| US11367674B2 (en) | 2016-08-10 | 2022-06-21 | Macom Technology Solutions Holdings, Inc. | High power transistors |
| US11862536B2 (en) | 2016-08-10 | 2024-01-02 | Macom Technology Solutions Holdings, Inc. | High power transistors |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW445689B (en) | 2001-07-11 |
| CN1173058A (zh) | 1998-02-11 |
| CN1101987C (zh) | 2003-02-19 |
| US6084895A (en) | 2000-07-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH1051065A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| EP1705764B1 (en) | Semiconductor light-emitting device and its manufacturing method | |
| KR100688317B1 (ko) | 반도체 발광소자, 그 제조방법 및 탑재기판 | |
| JP3386963B2 (ja) | レーザダイオードデバイスの製造方法 | |
| US8048700B2 (en) | Semiconductor light emitting element and manufacturing method thereof | |
| US6345917B2 (en) | Hermetically sealed optical-semiconductor container and optical-semiconductor module | |
| US7298049B2 (en) | Submount for mounting semiconductor device | |
| US20070237197A1 (en) | Semiconductor light emitting device | |
| WO2002007275A1 (en) | Semiconductor laser device | |
| KR20010061973A (ko) | 반도체 레이저 소자의 제조 방법, 마운팅 기판 및 지지 기판 | |
| EP1211765B1 (en) | Hermetic sealing package for optical semiconductor module and optical fiber amplifier | |
| US6920164B2 (en) | Semiconductor laser device | |
| US7817695B2 (en) | Lateral optically pumped surface-emitting semiconductor laser on a heat sink | |
| JP3129249B2 (ja) | 光半導体気密封止容器及び光半導体モジュール | |
| US20210242162A1 (en) | Method of manufacturing semiconductor device | |
| US20050286592A1 (en) | Semiconductor laser array device | |
| JPH09181394A (ja) | 窒化物半導体レーザダイオード | |
| US6268653B1 (en) | Semiconductor laser diode multi-chip module | |
| KR0138846B1 (ko) | 초고속 레이저 다이오드 전송 모듈의 구조 및 제조방법 | |
| JPH07105576B2 (ja) | 光半導体装置 | |
| JP2004186322A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JP2002232051A (ja) | 光送信器及びその製造方法 | |
| JP2001244509A (ja) | 光素子実装用基板及びそれを用いた光モジュール | |
| JPH0964470A (ja) | 半導体レーザユニット |