JPH10510932A - フォトリソグラフィ法及びその装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 以下の工程を含むフォトリソグラフィ法。第１平面光モジュレータ（３０２ａ）上に第１パターンを作る工程、第１平面光モジュレータ（３０２ａ）は複数の画素を有し、第１パターン（１００）は予め規定された数のアドレスされた画素により形成される；第２平面光モジュレータ（３０２ｂ）上に第２パターン（１０２）を作る工程、第２平面光モジュレータ（３０２ｂ）は複数の画素を有し、第２パターン（１０２）は第１パターン（１００）又はその一部に対応するアドレスされた画素からなる第１領域（１０２ａ）と、この第１領域（１００ａ）に隣接するアドレスされた画素からなる第２領域（１０２ｂ）とを含む；第１及び第２パターン（１００，１０２）を基板（３１６）の露光領域（３１４）上に投影する工程。

Description

【発明の詳細な説明】 フォトリソグラフィ法及びその装置 本発明は、フォトリソグラフィ法及びその装置に関し、詳しくは、マイクロエ レクトロニクス、マイクロシステム技術、薄膜技術、平面スクリーン製造、半導 体製造中の半導体ウェハの直接露光、マイクロ製版用マスク及び焦点版に関する 。 感光層を直接露光するための露光装置は従来から周知である。 国際特許出願ＷＯ９３／０９４７２号は、光源とパターン発生装置を含む露光 装置を開示している。パターン発生装置は、光学シュリーレンシステムとマトリ クス−アドレサブル平面光モジュレータを含む。さらに、この周知の露光装置は 、露光される基板が取り付け可能な可動位置決めテーブルを含む。ここで使用さ れている光源は、単一画像の露光中、基板を保持する位置決めテーブルが継続的 に移動しているときに、画像の質に影響を与える画像退色が起こらない短いパル ス幅のパルスレーザーである。この方法であると、比較的速い書込みスピードを 得ることができる。 国際特許出願ＷＯ９１／１７４８３号及びＷＯ９３／０９４９号は、感光層を 直接露光するための前記従来装置と類似した露光装置を開示しており、この露光 もまた平面光モジュレータを用いて速い書込みスピードを得ている。 この露光装置の短所は、画素（ピクセル）のサイズ、特に平面光モジュレータ 上の画素の幅と投影光学システムの画像投影スケールにより、像インクリメント が前もって固定され、勝手に減少しないことである。像インクリメントは、照射 される基板上の像の拡大、縮小が可能なため、 最少量である。 特に、ほとんど全ての半導体製造技術は、１：１０以下の最小像サイズに対す る像インクリメントの比率に基づいているため、１又は２ピクセルのマトリック ス・アドレスド・平面光モジュレータの理論上の像形成と１ピクセルの像インク リメントの間には矛盾がある。 これまでの露光装置では、像インクリメントは、技術的に限定されたフレーム ワークで投影光学システムの画像投影スケールを拡大、又は平面光モジュレータ 上の画素の幅を縮小することによってのみ、減少させることができた。 いずれの露光装置も、これにより書込スピードが相当短縮される。これは平面 光モジュレータ上の画素幅の２乗と画像投影スケールに比例する。 さらに、これら周知の装置の短所は感度の不足である。使用されている平面光 モジュレータのサイズが原因となり、通常、平面光モジュレータの欠点を排除す ることは不可能である。これは、画素数がアドレスされない、または完全にアド レスされないためである。 前記ＷＯ ９３／０９４７２号は、全ての欠点のある画素を確かめ、これらの 画素が光を反射しないように処理することにより、この問題を解決した。この装 置では、像は部分像を互いに重ねることにより構成されている。そのため、露光 される像の各部分は少なくとも一回は確実に露光されるようになっている。この 基板上で隣り合う二つの単独の画像とさらに他の二つの要素により、この装置の 書込スピードは短縮される。 従来例との関連からすると、本発明は、平面光モジュレータの画素幅及び投影 する対象の画像投影スケールによる像インクリメントのサイズの制限を、書込み スピードを損なわずに取り除くことのできるフォトリソグラフィ法及びその装置 を提供することを目的としている。 この目的は請求項１に基づく方法と請求項８に基づく装置により達成される。 本発明は以下の工程を含むフォトリソグラフィ法を提供する： ａ） 第１平面光モジュレータ上に第１パターンを作る工程、第１平面光モジュ レータは複数の画素を有し、第１パターンは予め規定された数のアドレスされた 画素により形成される； ｂ） 第２平面光モジュレータ上に第２パターンを作る工程、第２平面光モジュ レータは複数の画素を有し、第２パターンは第１パターン又はその一部に対応す るアドレスされた画素からなる第１領域と、この第１領域に隣接するアドレスさ れた画素からなる第２領域とを含む； ｃ） 第１及び第２パターンを基板の露光領域上に投影する工程。 本発明は以下のものを含むフォトリソグラフィ装置を提供する： − 第１パターンを作るための複数の画素を有する第１平面光モジュレータ、 第１パターンは予め規定された数のアドレスされた画素により形成される； − 第２パターンを作るための複数の画素を有する第２平面光モジュレータ、 第２パターンは第１パターン又はその一部に対応するアドレスされた画素からな る第１領域と、この第１領域に隣接するアドレスされた画素からなる第２領域と を含む； − 第１パターンと第２パターンを基板の露光領域上に投影する画像投影装置 。 本発明は次のような知見に基づいている。光学画像投影装置の所定形状のアパ ーチャにより像の境界で光度の減少が生じる。そのため、投影された像のエッジ が消えてしまう。使用されているレジストのコントラスト、つまり光量が変化し たときのレジスト除去量とレジストに与えら れる光量に関連して、作られたレジスト像の幅は投影される像のエッジにおける 輝度カーブの峻度の変化に影響される。高コントラストのレジストの理想的な規 定としては、いわゆるレジストのオペレーティング強度が存在する。この場合、 像エッジは輝度カーブの交点とレジストのオペレーティング強度により定められ る。 第１パターンと、第１パターンに対応する第１領域及び第１領域に隣接する第 ２領域を有する第２パターンとの画像投影により、像の境界領域における輝度の カーブを定めることが可能となる。その結果、像のエッジのコントロールされた シフトに影響を与えることができる。これは、使用されているレジストのコント ラストと絶対値とエッジ峻度と照射光度により決定される。この方法により、露 光される基板上の到達可能な像インクリメントを、平面光モジュレータ上の画素 の幅を変えたり、光学画像投影装置の画像投影スケールを変えることなく減少さ せることができる。 本発明の他の利点としては、平面光モジュレータ上の欠陥のある画素も許容さ れることがある。そのため、書込みスピードを減少させることなく、本発明に係 る装置の総許容量が保証される。 本発明のその他の展開については従属請求項で定義されている。 本発明に係るフォトリソグラフィ法及びその装置の実施形態について、以下の 添付図面を参照して説明する。 図１は本発明に係る方法の基本を示す説明図。 図２は本発明に係る方法の基本を示す他の説明図。 図３は本発明に係る装置の第１実施形態を示す概略構成図。 図４は本発明に係る装置の第２実施形態を示す概略構成図。 図５は本発明に係る装置の第３実施形態を示す概略構成図。 図１は、第１パターン１００と第２パターン１０２を表している。第 １パターン１００は、この実施形態では、平面光モジュレータ上に作られ、３× ５のアドレスされた画素で構成されている。第２パターン１０２もまた平面光モ ジュレータ上に作られ、４×５のアドレスされた画素で構成されている。第２パ ターン１０２は領域１００ａに対応した３×５のアドレスされた画素からなる第 １領域１０２ａを有する。第２パターン１０２の第１領域１０２ａに近接して、 １×５のアドレスされた画素からなる第２領域１０２ｂが存在する。 図１において、基板上の露光領域は１０４として示されている。これにより明 確なように、第１パターン１００と第２パターン１０２の重ね合わせが露光領域 １０４となる。この露光領域１０４は、第１パターン１００に対応した第１セク ション１０４ａを含み、加えて、平面光モジュレータの画素の半分の幅の第２セ クション１０４ｂが存在する。 この第２セクション１０４ｂが形成されることは、図１の下段の輝度カーブに よってさらに詳しく説明される。 即ち、第１輝度カーブは、第１又は第２パターン１００，１０２によって平面 光モジュレータから反射した光の輝度を表す。第１又は第２パターン１００，１ ０２を定める平面光モジュレータの画素間、又はパターンのどの部分も定めない 平面光モジュレータの画素間の急な転移は明らかである。 既に説明したように、画像形成投影システムは所定形状のアパーチャを備えて いる。これにより、平面光モジュレータで反射された光の光量の急な転移は消滅 する。 図１では、像エッジの輝度カーブの影響を説明することにより、無限の高いコ ントラストの理想的レジストが想定されてきた。その結果、像エッジは輝度カー ブとオペレーティング輝度の交点により定められた。 画像形成投影システムを透過した後の光の輝度カーブは、図１の下段 に示されている。Ｉ₁は露光領域を第１パターン１００の３×５のアドレスされ た全ての画素を露光するのに必要な光量を表している。Ｉ₂は露光領域を第２パ ターン１０２の４×５のアドレスされた全ての画素を露光するのに必要な光量を 表している。 第１パターン１００のエッジ１００ｃにおけるコントロールされたシフトに影 響を与えるため、パターン１００，１０２はパターンを完全に形成するのに必要 な輝度Ｉ₁，Ｉ₂では露光されず、それ以下の低い輝度で露光される。対応する輝 度は使用されるレジストによる。 図１に示されている例では、これらの低い輝度はそれぞれＩ₁／２とＩ₂／２で ある。 もし、低い輝度のときにそれぞれのパターン１００，１０２が独立したもので あるとされた場合、輝度はレジストのオペレーティング輝度以下に急速に低下す る。例えば、パターンの狭い部分（３×５又は４×５）だけが画像形成される。 二つのパターンを重ね合わせる場合、また、さらに正確に言えば、Ｉ₁／２と Ｉ₂／２用の対応する輝度カーブが重ね合わされた場合、輝度カーブ（Ｉ₁＋Ｉ₂ ）／２は図１の下段右に表されている露光領域となる。 これは輝度カーブと輝度制限値の交点のシフトになる。 これは第１及び第２セクション１０４ａ，１０４ｂと共に露光領域１０４とな る。第２セクション１０４ｂは平面光モジュレータの画素幅の半分である。 他の例が図２に示されており、図２では図１と同じ符号が用いられている。 図２に示されているように、第１パターン１００は二つの部分パターン１００ ａから構成されており、それに対応して第２パターン１０２は二つの部分パター ン１０２ａを有している。結果としての露光領域１０ ４も同様に二つの部分パターン１０４ａ、１０４ｂを有している。露光領域１０ ４の結果より、プラスサインは二つのパターン1００，１０２の重ね合いを示し ており、これはイコールサインにより示されている。 図３に基づいて、本発明の第１実施形態の詳細を説明する。 本発明に係る装置は符号３００で示されている。装置３００は複数の画素を有 する平面光モジュレータ３０２を備えている。パターンはこの平面光モジュレー タ３０２上に、平面光モジュレータ３０２に接続されたコントローラ３０４によ って生成される。 光源３０６から発せられた光は(光源は本実施形態の場合、パルスレーザ光源 でも可)、ビーム形成移行ユニット３０８ａ〜３０８ｅとビーム分割立方体３１ ０を通して平面光モジュレータ３０２上に投影される。 平面光モジュレータ３０２から反射された光はビーム分割立方体３１０を通っ て、いわゆる投影系、即ち、画像形成投影システム３１２ａ，３１２ｂ，３１２ ｃを透過し、最終的に基板３１６の露光領域３１４上を照射する。 本実施形態では、基板３１６は可動位置決めテーブル３１８上に設置されてい る。 以下、本発明に係る方法を詳しく説明する。 第１のステップとして、第１パターン（例えば、図１及び２参照）は平面光モ ジュレータ３０２上に形成され、第１パターンは予め規定された数のアドレスさ れた画素により決定される。次に、このパターンは画像形成投影システム３１２ ａ〜３１２ｃを透過して基板３１６の露光領域３１４上に画像形成される。その 後、第２パターン（図１及び２参照）が平面光モジュレータ３０２上に作られる 。第２パターンは、第１パターン又はその部分に対応するアドレスされた画素か らなる第１領域と、この第１領域に隣接するアドレスされた画素からなる第２領 域とを含ん でいる。最後に、この第２パターンが基板３１６の既に露光されている領域３１ ４上に画像形成される。 本実施形態では、第２パターンの第２領域は、第２パターンの第１領域の拡張 方向に直角になっているアドレスされた画素を含んでもよい。 前述した、平面光モジュレータのピクセル寸法以下の像インクリメントで構成 要素をつくる方法においては、いわゆる非干渉性重ね合わせにより構成されるこ とになる。 これまで説明してきたように、非干渉性重ね合わせの手法では、平面光モジュ レータ上で作られる又はプログラムされるパターンは、基板の露光領域上に時間 経過と共に画像形成される。 時間経過により基板上に画像を露光することとは別に、光源（例：レーザ）か ら平面光モジュレータを通って基板までの光路間の差が、光源から発せられる光 の干渉長さよりも大きい場合、非干渉性重ね合いが発生する。 前述の二つの必要条件以外でも、互いに干渉しない別々の光源から光が照射さ れた場合は、非干渉性重ね合いが発生する。 この非干渉性重ね合いは、レーザ走査でも有効である。 本実施形態では、平面光モジュレータ３０２は同じサイズの４つの準領域に再 分割されている。これらの各準領域はフル・ピクチャーのサイズに対応している 。即ち、像はいくつかのフル・ピクチャーの連続露光により形成される。これら の準領域では、部分ピクチャーは隣接する異なるフル・ピクチャーに属するよう に作られる。換言すれば、露光のために、フル・ピクチャーの部分ピクチャー４ が準領域１で作られ、フル・ピクチャーの部分ピクチャー３は準領域２で作られ 、フル・ピクチャーの部分ピクチャー２は準領域３で作られ、フル・ピクチャー の部分ピクチャー１は準領域４で作られる。二つの露光間で、平面光モジュレー タ ３０２のサイズの１／４分だけ位置決めテーブル３１８を動かすことにより、ま たは、換言すると、準領域のサイズ分だけ動かすことにより、フル・ピクチャー は正確に平面光モジュレータ３０２の準領域の四つの重畳露光の結果となる。 位置決めテーブル３１８の連続した動作により、次の部分ピクチャーが二つの 光フラッシュ間で平面光モジュレータ３０２において形成される。フル・ピクチ ャーに属する部分ピクチャーは、平面光モジュレータ３０２の独立した準領域を 位置決めテーブル３１８の動作と反対の方向に透過する。４回以下露光される、 像の境界におけるフル・ピクチャーでは、関係のある部分ピクチャーは形成され ず、そのため、基板に光が照射せず、感光体層はこれらの領域で感光しない。 本発明の他の実施形態を図４に基づいて詳しく説明する。図４では、図３と同 じ要素に対しては同じ符号が付けられている。これらの要素に関しては再度説明 されることはない。 本発明に係る装置は符号４００で示される。 本実施形態は、一つの平面光モジュレータを使用する代わりに、二つの平面光 モジュレータ３０２ａ，３０２ｂを使用する点で、図３において説明されている 実施形態とは異なる。光源３０６からのビームを二つのサブビームに分け、各平 面光モジュレータ３０２ａ，３０２ｂに導くために、ビーム分配立方体３１０が 使用される。 平面光モジュレータ３０２ａ，３０２ｂから反射した光がビーム分配立方体３ １０を再び照射し、これにより光は基板３１６の方向に導かれる。 本実施形態では、ビーム分配立方体３１０は光源３０６（レーザ光源でも可） からの光を同じ輝度の二つのサブビームに分ける。 本実施形態では、本発明に係る方法は以下の工程を含む。 第１の工程では、第１パターンは第１平面光モジュレータ３０２ａ上に作られ る。このパターンは予め規定された数のアドレスされた画素からなる。第２の工 程では、第２パターンが第２平面光モジュレータ３０２ｂ上に同時に作られる。 この第２パターンは第１パターンに対応するアドレスされた画素からなる第１領 域と、第１領域のすぐ横に隣接したアドレスされた画素からなる第２領域を含む 。その後、第１及び第２パターンは基板３１６の露光領域３１４上に画像投影さ れる。 本実施形態では、第２パターンの第２領域は、第２パターンの第１領域の延長 方向に直角であるアドレスされた画素を含んでいてもよい。 サイズが平面光モジュレータ３０２ａ，３０２ｂ上の画素サイズの倍数と等し くない、露光領域３１４で像を形成するために、ｉアドレスされた画素の幅の第 １パターンを平面光モジュレータ３０２ａ上に作り、ｉ＋１アドレスされた画素 の幅の第２パターンを第２平面光モジュレータ３０２ｂ上に作る。部分ピクチャ ーの重ね合いは、露光領域３１４にｉ＋０．５画素サイズの像を形成する。 このような像を形成する方法は、既に図１及び２に基づいて説明されている。 もし、図４の装置で説明した方法において干渉状態があった場合は、それは完 全な像を形成するための個別の部分ピクチャーの非干渉性重ね合いである。 これらの非干渉性状態に対応するために、平面光モジュレータ上に作られる、 またはプログラムされるパターンは同時に露光される基板上に画像形成されなく てはならない。光源からの、または、独立した平面光モジュレータに設けられた 別の光源から、平面光モジュレータを通って基板までの光路長の差は、使用され る光の干渉長さよりも短くなくてはならない。そして、光は光源か、または互い に干渉することのできる別 の光源から発せられていなければならない。 そのため、画像形成原理は、正確な振幅と位相における平面光モジュレータ上 の個別のパターンの発光の重ね合わせにより、基板上に仮想パターンが形成され るという事実に基づいている。境界領域では、このパターンは、位相変調に加え て、像のエッジが動かされた結果として、輝度変調を示す（図１参照）。これは 前に説明された異なってプログラムされたパターンを持つ、プログラムされた平 面光モジュレータにより実現される。 干渉状態がない場合は、図１で説明したように、個別の部分ピクチャーの非干 渉性重ね合いを通して完全な像が得られる。 個別の平面光モジュレータの構造は、基板上でｘ，ｙ方向に一つの部分ピクチ ャーが同時にそして個別に露光されることが可能となっている。 注目すべきは、図４で説明された実施形態は、一つの光源の使用に限定される ものではなく、平面光モジュレータ３０２ａ，３０２ｂ用の一つの光源３０６の 代わりに、二つの光源を使用することも可能なことである。二つの光源のうち一 つは平面光モジュレータ３０２ａを、もう一つの光源は平面光モジュレータ３０ ２ｂに割り当てられている。 この場合、平面光モジュレータから反射したビームを同時に重ねるために適切 な投影光学システムが必要である。 本発明に係る装置の第３実施形態を図５に基づいてさらに詳細を説明する。図 ５では、図２、図３と同じ要素に関しては同じ符号を用いている。 本発明に係る装置は符号５００で表されている。 この装置５００は、二つの平面光モジュレータの代わりに、四つの平面光モジ ュレータ３０２ａ〜３０２ｄが使用されているという点で、図４で説明されてい る装置とは異なる。その結果、光源３０６から個別の 平面光モジュレータ３０２ａ〜３０２ｄへ光を照射して、露光領域３１４上にお ける画像形成のため再結合するために、三つのビーム配分立方体３１０ａ〜３１ ０ｃが使用されている。 以下、必要とされる０．０５μｍの画素要素で０．５μｍを形成するためのア ドレスの生成を図５を参照してさらに詳しく説明する。 平面光モジュレータ３０２ａ〜３０２ｄ用のピクチャー要素の幅は、例えば２ ０μｍで、画像形成投影システム３１２ａ〜３１２ｃの画像投影スケールは１０ ０：１である。像インクリメントの幅はそのため０．２μｍとなる。この像イン クリメントから始めると、必要とされる０．０５μｍへの要素４による減少は、 本発明によって達成される。これにより、０．５０μｍ、０．５５μｍ、０．０ ６μｍその他の幅の露光が可能になる。 ０．５５μｍの像は以下の方法で作られる： Ｎ−１＝３ビーム・スプリッタ （Ｎ＝平面光モジュレータの数）はレーザビームをＮ＝４の等しい輝度のサブビ ームに分配する。各サブビームはそれぞれ振り分けられた平面光モジュレータ３ ０２ａ〜３０２ｄを照射する。形成される像は画素幅の整数の倍数ｉ×ｐとリマ インダー・デルタｐの合計に再分割される： ０．５５μｍ＝ｉ×ｐ＋デルタｐ＝２×０．２０μｍ＋０．１５μｍ数ｊは以 下のように計算される： ｊ＝Ｎ×（デルタｐ／ｐ）＝４×（０．１５μｍ／０．２０μｍ） ＝３ ｉ＝２画素は全てのＮ＝４平面光モジュレータ用にアドレスされ、像の画素ｉ ＋１＝３は、同じようにｊ＝３平面光モジュレータ用にアドレスされ、リマイン ディングＮ−ｊ＝１平面光モジュレータ用にはアドレスされない。 Ｎ＝４平面光モジュレータのこのアドレスを通して、幅０．５５μｍの領域は 基板３１６上に露光される。 既に説明した干渉性重なり合いは、干渉状態があった場合、図５に基づいて説 明されている実施形態でも起こる。 もし干渉状態が起こらなければ、個別部分ピクチャーは非干渉に重なり合う。 図４及び図５に基づいて説明された装置、即ち、様々な平面光モジュレータを 使用して同時に基板上に画像投影する装置は、以下に説明されるモードにて動作 する。 第１の動作モードでは、全ての平面光モジュレータ（二つ以上）は同一である が、異なるプログラムをされているか、異なるパターンを持つている。 前述したように、この動作モードは、画像形成投影システムの画像投影スケー ルを乗じた、平面光モジュレータ上のピクセル寸法に以下の画像の像インクリメ ントを減少させるために使用される。 第２動作モードでは、全ての平面光モジュレータは同一であるが、同じ方法で プログラムされているか、同じパターンを持っている。 この動作モードは、平面光モジュレータを照射する目的で、光源のエネルギー を完全に利用するために使用される。そのため、従来の装置に比べて二つの要素 により小さい光のエネルギーによる基板の露光が可能となった。 第３の動作モードでは、平面光モジュレータは同一ではない。 この動作モードは、特定のアプリケーション用に、厳密に刻まれたパターン（ 受動素子）を備えた平面光モジュレータを使用するのが好ましい場合に、例えば 、像反復の度合いの高いパターンをつくる場合に使用される。シャッターは任意 に個別の平面光モジュレータ（アクティブ・ マトリックス−アドレサブル・モジュレータ又は受動素子を備えたモジュレータ ）を照射から防止するためにここで使用される。このため、画像形成には役に立 たない。

【手続補正書】 【提出日】１９９８年２月２４日 【補正内容】 (1)明細書全文を別紙のとおり補正します。 (2)図３、図４を別紙のとおり補正し、図５を削除します。 明細書 フォトリソグラフィ法及びその装置 本発明は、フォトリソグラフィ法及びその装置に関し、詳しくは、マイクロエ レクトロニクス、マイクロシステム技術、薄膜技術、平面スクリーン製造、半導 体製造中の半導体ウェハの直接露光、マイクロ製版用マスク及び焦点版に関する 。 感光層を直接露光するための露光装置は従来から周知である。 国際特許出願ＷＯ９３／０９４７２号は、光源とパターン発生装置を含む露光 装置を開示している。パターン発生装置は、光学シュリーレンシステムとマトリ クス−アドレサブル平面光モジュレータを含む。さらに、この周知の露光装置は 、露光される基板が取り付け可能な可動位置決めテーブルを含む。ここで使用さ れている光源は、単一画像の露光中、基板を保持する位置決めテーブルが継続的 に移動しているときに、画像の質に影響を与える画像退色が起こらない短いパル ス幅のパルスレーザーである。この方法であると、比較的速い書込みスピードを 得ることができる。 国際特許出願ＷＯ９１／１７４８３号及びＷＯ９３／０９４６９号は、感光層 を直接露光するための前記従来装置と類似した露光装置を開示しており、この露 光もまた平面光モジュレータを用いて速い書込みスピードを得ている。 この露光装置の短所は、画素（ピクセル）のサイズ、特に平面光モジュレータ 上の画素の幅と投影光学システムの画像投影スケールにより、像インクリメント が前もって固定され、勝手に減少しないことである。像インクリメントは、照射 される基板上の像の拡大、縮小が可能なため、 最少量である。 特に、ほとんど全ての半導体製造技術は、１：１０以下の最小像サイズに対す る像インクリメントの比率に基づいているため、１又は２ピクセルのマトリック ス・アドレスド・平面光モジュレータの理論上の像形成と１ピクセルの像インク リメントの間には矛盾がある。 これまでの露光装置では、像インクリメントは、技術的に限定されたフレーム ワークで投影光学システムの画像投影スケールを拡大、又は平面光モジュレータ 上の画素の幅を縮小することによってのみ、減少させることができた。 いずれの露光装置も、これにより書込スピードが相当短縮される。これは平面 光モジュレータ上の画素幅の２乗と画像投影スケールに比例する。 さらに、これら周知の装置の短所は感度の不足である。使用されている平面光 モジュレータのサイズが原因となり、通常、平面光モジュレータの欠点を排除す ることは不可能である。これは、画素数がアドレスされない、または完全にアド レスされないためである。 前記ＷＯ９３／０９４７２号は、全ての欠点のある画素を確かめ、これらの画 素が光を反射しないように処理することにより、この問題を解決した。この装置 では、像は部分像を互いに重ねることにより構成されている。そのため、露光さ れる像の各部分は少なくとも一回は確実に露光されるようになっている。この基 板上で隣り合う二つの単独の画像とさらに他の二つの要素により、この装置の書 込スピードは短縮される。 従来例との関連からすると、本発明は、平面光モジュレータの画素幅及び投影 する対象の画像投影スケールによる像インクリメントのサイズの制限を、書込み スピードを損なわずに取り除くことのできるフォトリソグラフィ法及びその装置 を提供することを目的としている。 この目的は請求項１に基づく方法と請求項７に基づく装置により達成される。 本発明は次のような知見に基づいている。光学画像投影装置の所定形状のアパ ーチャにより像の境界で光度の減少が生じる。そのため、投影された像のエッジ が消えてしまう。使用されているレジストのコントラスト、つまり光量が変化し たときのレジスト除去量とレジストに与えられる光量に関連して、作られたレジ スト像の幅は投影される像のエッジにおける輝度カーブの峻度の変化に影響され る。高コントラストのレジストの理想的な規定としては、いわゆるレジストのオ ペレーティング強度が存在する。この場合、像エッジは輝度カーブの交点とレジ ストのオペレーティング強度により定められる。 第１パターンと、第１パターンに対応する第１領域及び第１領域に隣接する第 ２領域を有する第２パターンとの画像投影により、像の境界領域における輝度の カーブを定めることが可能となる。その結果、像のエッジのコントロールされた シフトに影響を与えることができる。これは、使用されているレジストのコント ラストと絶対値とエッジ峻度と照射光度により決定される。この方法により、露 光される基板上の到達可能な像インクリメントを、平面光モジュレータ上の画素 の幅を変えたり、光学画像投影装置の画像投影スケールを変えることなく減少さ せることができる。 本発明の他の利点としては、平面光モジュレータ上の欠陥のある画素も許容さ れることがある。そのため、書込みスピードを減少させることなく、本発明に係 る装置の総許容量が保証される。 本発明のその他の展開については従属請求項で定義されている。 本発明に係るフォトリソグラフィ法及びその装置の実施形態について、以下の 添付図面を参照して説明する。 図１は本発明に係る方法の基本を示す説明図。 図２は本発明に係る方法の基本を示す他の説明図。 図３は本発明に係る装置の第１実施形態を示す概略構成図。 図４は本発明に係る装置の第２実施形態を示す概略構成図。 図１は、第１パターン１００と第２パターン１０２を表している。第１パター ン１００は、この実施形態では、平面光モジュレータ上に作られ、３ラ５のアド レスされた画素で構成されている。第２パターン１０２もまた平面光モジュレー タ上に作られ、４ラ５のアドレスされた画素で構成されている。第２パターン１ ０２は領域１００ａに対応した３ラ５のアドレスされた画素からなる第１領域１ ０２ａを有する。第２パターン１０２の第１領域１０２ａに近接して、１ラ５の アドレスされた画素からなる第２領域１０２ｂが存在する。 図１において、基板上の露光領域は１０４として示されている。これにより明 確なように、第１パターン１００と第２パターン１０２の重ね合わせが露光領域 １０４となる。この露光領域１０４は、第１パターン１００に対応した第１セク ション１０４ａを含み、加えて、平面光モジュレータの画素の半分の幅の第２セ クション１０４ｂが存在する。 この第２セクション１０４ｂが形成されることは、図１の下段の輝度カーブに よってさらに詳しく説明される。 即ち、第１輝度カーブは、第１又は第２パターン１００，１０２によって平面 光モジュレータから反射した光の輝度を表す。第１又は第２パターン１００，１ ０２を定める平面光モジュレータの画素間、又はパターンのどの部分も定めない 平面光モジュレータの画素間の急な転移は明らかである。 既に説明したように、画像形成投影システムは所定形状のアパーチャを備えて いる。これにより、平面光モジュレータで反射された光の光量 の急な転移は消滅する。 図１では、像エッジの輝度カーブの影響を説明することにより、無限の高いコ ントラストの理想的レジストが想定されてきた。その結果、像エッジは輝度カー ブとオペレーティング輝度の交点により定められた。 画像形成投影システムを透過した後の光の輝度カーブは、図１の下段に示され ている。Ｉ₁は露光領域を第１パターン１００の３ラ５のアドレスされた全ての 画素を露光するのに必要な光量を表している。Ｉ₂は露光領域を第２パターン１ ０２の４ラ５のアドレスされた全ての画素を露光するのに必要な光量を表してい る。 第１パターン１００のエッジ１００ｃにおけるコントロールされたシフトに影 響を与えるため、パターン１００，１０２はパターンを完全に形成するのに必要 な輝度Ｉ₁，１₂では露光されず、それ以下の低い輝度で露光される。対応する輝 度は使用されるレジストによる。 図１に示されている例では、これらの低い輝度はそれぞれＩ₁／２とＩ₂／２で ある。 もし、低い輝度のときにそれぞれのパターン１００，１０２が独立したもので あるとされた場合、輝度はレジストのオペレーティング輝度以下に急速に低下す る。例えば、パターンの狭い部分（３ラ５又は４ラ５）だけが画像形成される。 二つのパターンを重ね合わせる場合、また、さらに正確に言えば、Ｉ₁／２と Ｉ₂／２用の対応する輝度カーブが重ね合わされた場合、輝度カーブ（Ｉ₁＋Ｉ₂ ）／２は図１の下段右に表されている露光領域となる。 これは輝度カーブと輝度制限値の交点のシフトになる。 これは第１及び第２セクション１０４ａ，１０４ｂと共に露光領域１０４とな る。第２セクション１０４ｂは平面光モジュレータの画素幅の半分である。 他の例が図２に示されており、図２では図１と同じ符号が用いられている。 図２に示されているように、第１パターン１００は二つの部分パターン１００ ａから構成されており、それに対応して第２パターン１０２は二つの部分パター ン１０２ａを有している。結果としての露光領域１０４も同様に二つの部分パタ ーン１０４ａ，１０４ｂを有している。露光領域１０４の結果より、プラスサイ ンは二つのパターン１００，１０２の重ね合いを示しており、これはイコールサ インにより示されている。 図３に基づいて、本発明の第１実施形態の詳細を説明する。 本発明に係る装置は符号３００で示されている。装置３００はそれぞれ複数の 画素を有する二つの平面光モジュレータ３０２ａ，３０２ｂを備えている。パタ ーンは各平面光モジュレータ３０２ａ，３０２ｂ上に、平面光モジュレータ３０ ２ａ，３０２ｂに接続されたコントローラ３０４によって生成される。 光源３０６から発せられた光は（光源は本実施形態の場合、パルスレーザ光源 でも可）、ビーム形成移行ユニット３０８ａ〜３０８ｅとビーム分割立方体３１ ０を通して平面光モジュレータ３０２ａ，３０２ｂ上に投影される。 平面光モジュレータ３０２ａ，３０２ｂで反射された光はビーム分割立方体３ １０を通って、いわゆる投影系、即ち、画像形成投影システム３１２ａ，３１２ ｂ，３１２ｃを透過し、最終的に基板３１６の露光領域３１４上を照射する。 本実施形態では、基板３１６は可動位置決めテーブル３１８上に設置されてい る。 ビーム分配立方体３１０は、光源３０６からのビームを二つのサブビームに分 け、各平面光モジュレータ３０２ａ，３０２ｂに導くために使 用されている。 本実施形態において、ビーム分配立方体３１０は光源３０６（レーザパルス光 源でも可）からの光を同じ輝度の二つのサブビームに分ける。 本実施形態では、本発明に係る方法は以下の工程を含む。 第１の工程では、第１パターンは第１平面光モジュレータ３０２ａ上に作られ る。このパターンは予め規定された数のアドレスされた画素からなる。第２の工 程では、第２パターンが第２平面光モジュレータ３０２ｂ上に同時に作られる。 この第２パターンは第１パターンに対応するアドレスされた画素からなる第１領 域と、第１領域のすぐ横に隣接したアドレスされた画素からなる第２領域を含む 。その後、第１及び第２パターンは基板３１６の露光領域３１４上に画像投影さ れる。 本実施形態では、第２パターンの第２領域は、第２パターンの第１領域の延長 方向に直角であるアドレスされた画素を含んでいてもよい。 サイズが平面光モジュレータ３０２ａ，３０２ｂ上の画素サイズの倍数と等し くない、露光領域３１４で像を形成するために、ｉアドレスされた画素の幅の第 １パターンを平面光モジュレータ３０２ａ上に作り、ｉ＋１アドレスされた画素 の幅の第２パターンを第２平面光モジュレータ３０２ｂ上に作る。部分ピクチャ ーの重ね合いは、露光領域３１４にｉ＋０．５画素サイズの像を形成する。 このような像を形成する方法は、既に図１及び２に基づいて説明されている。 もし、図３の装置で説明した方法において干渉状態があった場合は、それは完 全な像を形成するための個別の部分ピクチャーの非干渉性重ね合いである。 これらの非干渉性状態に対応するために、平面光モジュレータ上に作られる、 またはプログラムされるパターンは同時に露光される基板上に 画像形成されなくてはならない。光源からの、または、独立した平面光モジュレ ータに設けられた別の光源から、平面光モジュレータを通って基板までの光路長 の差は、使用される光の干渉長さよりも短くなくてはならない。そして、光は光 源か、または互いに干渉することのできる別の光源から発せられていなければな らない。 そのため、画像形成原理は、正確な振幅と位相における平面光モジュレータ上 の個別のパターンの発光の重ね合わせにより、基板上に仮想パターンが形成され るという事実に基づいている。境界領域では、このパターンは、位相変調に加え て、像のエッジが動かされた結果として、輝度変調を示す（図１参照）。これは 前に説明された異なってプログラムされたパターンを持つ、プログラムされた平 面光モジュレータにより実現される。 干渉状態がない場合は、図１で説明したように、個別の部分ピクチャーの非干 渉性重ね合いを通して完全な像が得られる。 個別の平面光モジュレータの構造は、基板上でｘ，ｙ方向に一つの部分ピクチ ャーが同時にそして個別に露光されることが可能となっている。 注目すべきは、図３で説明された実施形態は、一つの光源の使用に限定される ものではなく、平面光モジュレータ３０２ａ，３０２ｂ用の一つの光源３０６の 代わりに、二つの光源を使用することも可能なことである。二つの光源のうち一 つは平面光モジュレータ３０２ａに、もう一つの光源は平面光モジュレータ３０ ２ｂに割り当てられる。 この場合、平面光モジュレータから反射したビームを同時に重ねるために適切 な投影光学システムが必要である。 本発明に係る装置の第２実施形態を図４に基づいてさらに詳細を説明する。図 ４では図３と同じ要素に関しては同じ符号を用いている。 本発明に係る装置は符号４００で表されている。 この装置４００は、二つの平面光モジュレータの代わりに、四つの平面光モジ ュレータ３０２ａ〜３０２ｄが使用されているという点で、図３で説明されてい る装置とは異なる。その結果、光源３０６から個別の平面光モジュレータ３０２ ａ〜３０２ｄへ光を照射して、露光領域３１４上における画像形成のため再結合 するために、三つのビーム配分立方体３１０ａ〜３１０ｃが使用されている。 以下、必要とされる０．０５μｍの画素要素で０．５μｍを形成するためのア ドレスの生成を図４を参照してさらに詳しく説明する。 平面光モジュレータ３０２ａ〜３０２ｄ用のピクチャー要素の幅は、例えば２ ０μｍで、画像形成投影システム３１２ａ〜３１２ｃの画像投影スケールは１０ ０：１である。像インクリメントの幅はそのため０．２μｍとなる。この像イン クリメントから始めると、必要とされる０．０５μｍへの要素４による減少は、 本発明によって達成される。これにより、０．５０μｍ，０．５５μｍ、０．０ ６μｍその他の幅の露光が可能になる。 ０．５５μｍの像は以下の方法で作られる： Ｎ−１＝３ビーム・スプリッタ （Ｎ＝平面光モジュレータの数）はレーザビームをＮ＝４の等しい輝度のサブビ ームに分配する。各サブビームはそれぞれ振り分けられた平面光モジュレータ３ ０２ａ〜３０２ｄを照射する。形成される像は画素幅の整数の倍数ｉ×ｐと剰余 Δｐの合計に再分割される： ０．５５μｍ＝ｉ×ｐ＋Δｐ＝２×０．２０μｍ＋０．１５μｍ 数ｊは以下のように計算される： ｊ＝Ｎ×（Δｐ／ｐ）＝４×（０．１５μｍ／０．２０μｍ）＝３ ｉ＝２画素は全てのＮ＝４平面光モジュレータ用にアドレスされ、像の画素ｉ ＋１＝３は、同じようにｊ＝３平面光モジュレータ用にアドレスされ、余りＮ− ｊ＝１平面光モジュレータ用にはアドレスされない。 Ｎ＝４平面光モジュレータのこのアドレスを通して、幅０．５５μｍの領域は 基板３１６上に露光される。 既に説明した干渉性重なり合いは、干渉状態があった場合、図４に基づいて説 明されている実施形態でも起こる。 もし干渉状態が起こらなければ、個別部分ピクチャーは非干渉に重なり合う。 図３及び図４に基づいて説明された装置、即ち、様々な平面光モジュレータを 使用して同時に基板上に画像投影する装置は、以下に説明されるモードにて動作 する。 第１の動作モードでは、全ての平面光モジュレータ（二つ以上）は同一である が、異なるプログラムをされているか、異なるパターンを持っている。 前述したように、この動作モードは、画像形成投影システムの画像投影スケー ルを乗じた、平面光モジュレータ上のピクセル寸法に以下の画像の像インクリメ ントを減少させるために使用される。 第２動作モードでは、全ての平面光モジュレータは同一であるが、同じ方法で プログラムされているか、同じパターンを持っている。 この動作モードは、平面光モジュレータを照射する目的で、光源のエネルギー を完全に利用するために使用される。そのため、従来の装置に比べて二つの要素 により小さい光のエネルギーによる基板の露光が可能となった。 第３の動作モードでは、平面光モジュレータは同一ではない。 この動作モードは、特定のアプリケーション用に、厳密に刻まれたパターン（ 受動素子）を備えた平面光モジュレータを使用するのが好ましい場合に、例えば 、像反復の度合いの高いパターンをつくる場合に使用される。シャッターは任意 に個別の平面光モジュレータ（アクティブ・ マトリックス−アドレサブル・モジュレータ又は受動素子を備えたモジュレータ ）を照射から防止するためにここで使用される。このため、画像形成には役に立 たない。 請求の範囲 １．以下の工程を備えているフォトリソグラフィ法において： ａ） 第１平面光モジュレータ（３０２ａ）上に第１パターン（１００） を作る工程、第１平面光モジュレータ（３０２ａ）は複数の画素を有し、第１パ ターン（１００）は予め規定された数のアドレスされた画素により形成される； ｂ） 第１パターン（１００）を基板（３１６）の露光領域（３１４）上 に投影する工程； 以下の工程を備え； ｃ） 第２平面光モジュレータ（３０２ｂ）上に第２パターン（１０２） を作る工程、第２平面光モジュレータ（３０２ｂ）は複数の画素を有し、第２パ ターン（１０２）は第１パターン（１００）又はその一部に対応するアドレスさ れた画素からなる第１領域（１０２ａ）と、この第１領域（１０２ａ）に隣接す るアドレスされた画素からなる第２領域（１０２ｂ）とを含む； ｄ） 第２パターン（１０２）を基板（３１６）の露光領域（３１４）上 に投影する工程； 前記第１及び第２パターン（１００，１０２）は基板（３１６）の露光領 域（３１４）上に同時に投影されること； を特徴とするフォトリソグラフィ法。 ２．第２パターンの第２領域（１０２ｂ）は第２パターンの第１領域（１０２ａ ）の延長方向に直角なアドレスされた画素であることを特徴とす る請求項１記載のフォトリソグラフィ法。 ３．第１及び第２平面光モジュレータ（３０２ａ，３０２ｂ）が光源（３０６） により照射されることを特徴とする請求項１又は請求項２記載のフォトリソグラ フィ法。 ４．光源（３０６）から第１及び第２平面光モジュレータ（３０２ａ，３０２ｂ ）を介して基板（３１６）までの光路の差は、光源（３０６）の光の干渉性長さ よりも小さいことを特徴とする請求項３記載のフォトリソグラフィ法。 ５．第１及び第２平面光モジュレータ（３０２ａ，３０２ｂ）が第１及び第２光 源により照射され、第１及び第２光源は互いに干渉することを特徴とする請求項 １又は請求項２記載のフォトリソグラフィ法。 ６．第１光源から第１平面光モジュレータ（３０２ａ）を介して基板（３１６） までの光路と、第２光源から第２平面光モジュレータ（３０２ｂ）を介して基板 （３１６）までの光路の差は、光源の光の干渉性長さよりも小さいことを特徴と する請求項５記載のフォトリソグラフィ法。７． 以下のものを備えているフォトリソグラフィ装置において： − 第１パターン（１００）を作るための複数の画素を有する第１平面 光モジュレータ（３０２ａ）、第１パターン（１００）は予め規定された数のア ドレスされた画素により形成される； − 第１パターン（１００）を基板（３１６）の露光領域（３ １４）上に投影する画像投影装置（３１２ａ〜３１２ｃ）； 以下のものを備え； − 第２パターン（１０２）を作るための複数の画素を有する第２平面 光モジュレータ（３０２ｂ）、第２パターン（１０２）は第１パターン（１００ ）又はその一部に対応するアドレスされた画素からなる第１領域（１０２ａ）と 、この第１領域（１０２ａ）に隣接するアドレスされた画素からなる第２領域（ １０２ｂ）とを含む； 前記画像投影装置（３１２ａ〜３１２ｃ）は第２パターン（１０２）を 基板（３１６）の露光領域（３１４）上に投影し、さらに、前記画像投影装置（ ３１２ａ〜３１２ｃ）は第１パターン及び第２パターン（１００，１０２）を基 板（３１６）の露光領域（３１４）上に同時に投影すること、 を特徴とするフォトリソグラフィ装置。 ８． 第２パターンの第２領域（１０２ｂ）は第２パターンの第１領域（１０２ａ ）の延長方向に直角であるアドレスされた画素であることを特徴とする請求項７ 記載のフォトリソグラフィ装置。９． さらに、以下のものを含むことを特徴とする請求項７又は請求項８記載のフ ォトリソグラフィ装置： 第１平面光モジュレータに割り当てられた第１光源； 第２平面光モジュレータに割り当てられた第２光源、第２光源の光は第１ 光源の光に干渉することができる。１０． 第１光源から第１平面光モジュレータ（３０２ａ）を介して基板 （３１６）までの光路と、第２光源から第２平面光モジュレータ（３０２ｂ）を 介して基板（３１６）までの光路の差は、光源の光の干渉性長さよりも小さいこ とを特徴とする請求項９記載のフォトリソグラフィ装置。１１． さらに、以下のものを含むことを特徴とする請求項７又は請求項８記載の フォトリソグラフィ装置： 光源（３０６）； 光源（３０６）より光ビームを第１及び第２平面光モジュレータ（３０２ ａ、３０２ｂ）上に導くビーム分配部材（３１０）。１２． 光源（３０６）から第１及び第２平面光モジュレータ（３０２ａ，３０２ ｂ）を介して基板（３１６）までの光路の差は、光源（３０６）の光の干渉性長 さよりも小さいことを特徴とする請求項１１記載のフォトリソグラフィ装置。１３． ビーム分割部材（３１０）が光源（３０６）からの光ビームを二つの均等 な輝度の光ビームに分割することを特徴とする請求項１１又は請求項１２記載の フォトリソグラフィ装置。１４． 光源（３０６）がパルス・レーザ光源であることを特徴とする請求項９、 請求項１０、請求項１１、請求項１２又は請求項１３ 記載のフォトリソグラフィ 装置。１５． 基板（３１６）を設置可能な可動位置決めテーブル（３１８）を備えてい ることを特徴とする請求項７、請求項８、請求項９、請求項１ ０、請求項１１、請求項１２、請求項１３又は請求項１４ 記載のフォトリソグラ フィ装置。 【図３】 【図４】

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 クック ハインツ ドイツ連邦共和国 01465 ランゲブルッ ク ドレスデナー ストラッセ 28

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １．以下の工程を備えていることを特徴とするフォトリソグラフィ法： ａ） 第１平面光モジュレータ（３０２ａ）上に第１パターン（１００） を作る工程、第１平面光モジュレータ（３０２ａ） は複数の画素を有し、第１ パターン（１００）は予め規定された数のアドレスされた画素により形成される ； ｂ） 第２平面光モジュレータ（３０２ｂ）上に第２パターン（１０２） を作る工程、第２平面光モジュレータ（３０２ｂ）は複数の画素を有し、第２パ ターン（１０２）は第１パターン（１００）又はその一部に対応するアドレスさ れた画素からなる第１領域（１０２ａ）と、この第１領域（１００ａ）に隣接す るアドレスされた画素からなる第２領域（１０２ｂ）とを含む； ｃ） 第１及び第２パターン（１００，１０２）を基板の露光領域（３１ ４）上に投影する工程。 ２．第２パターンの第２領域（１０２ｂ）は第２パターンの第１領域（１０２ａ ）の延長方向に直角なアドレスされた画素であることを特徴とする請求項１記載 のフォトリソグラフィ法。 ３．第１及び第２平面光モジュレータ（３０２ａ，３０２ｂ）が光源（３０６） により照射されることを特徴とする請求項１又は請求項２記載のフォトリソグラ フィ法。 ４．光源（３０６）から第１及び第２平面光モジュレータ（３０２ａ，３０２ｂ ）を介して基板（３１６）までの光路の差は、光源（３０６）の光の干渉性長さ よりも小さいことを特徴とする請求項３記載のフォトリソグラフィ法。 ５．第１及び第２平面光モジュレータ（３０２ａ，３０２ｂ）が第１及び第２光 源により照射され、第１及び第２光源は互いに干渉することを特徴とする請求項 １又は請求項２記載のフォトリソグラフィ法。 ６．第１光源から第１平面光モジュレータ（３０２ａ）を介して基板（３１６） までの光路と、第２光源から第２平面光モジュレータ（３０２ｂ）を介して基板 （３１６）までの光路の差は、光源の光の干渉性長さよりも小さいことを特徴と する請求項５記載のフォトリソグラフィ法。 ７．第１及び第２パターン（１００，１０２）は基板（３１６）の露光領域（３ １４）上に同時に投影されることを特徴とする請求項１、請求項２、請求項３、 請求項４、請求項５又は請求項６記載のフォトリソグラフィ法。 ８．以下のものを備えていることを特徴とするフォトリソグラフィ装置： − 第１パターン（１００）を作るための複数の画素を有する第１平面 光モジュレータ（３０２ａ）、第１パターン（１００）は予め規定された数のア ドレスされた画素により形成される； − 第２パターン（１０２）を作るための複数の画素を有す る第２平面光モジュレータ（３０２ｂ）、第２パターン（１０２）は第１パター ン（１００）又はその一部に対応するアドレスされた画素からなる第１領域（１ ０２ａ）と、この第１領域（１００ａ）に隣接するアドレスされた画素からなる 第２領域（１０２ｂ）とを含む； − 第１パターンと第２パターンを基板（３１６）の露光領域（３１４ ）上に投影する画像投影装置（３１２ａ〜３１２ｃ）。 ９．第２パターンの第２領域（１０２ｂ）は第２パターンの第１領域（１０２ａ ）の延長方向に直角であるアドレスされた画素であることを特徴とする請求項８ 記載のフォトリソグラフィ装置。 １０．さらに、以下のものを含むことを特徴とする請求項８又は請求項９記載の フォトリソグラフィ装置： 第１平面光モジュレータに割り当てられた第１光源； 第２平面光モジュレータに割り当てられた第２光源、第２光源の光は第１ 光源の光に干渉することができる。 １１．第１光源から第１平面光モジュレータ（３０２ａ）を介して基板（３１６ ）までの光路と、第２光源から第２平面光モジュレータ（３０２ｂ）を介して基 板（３１６）までの光路の差は、光源の光の干渉性長さよりも小さいことを特徴 とする請求項１０記載のフォトリソグラフィ装置。 １２．さらに、以下のものを含むことを特徴とする請求項８又は請求項 ９記載のフォトリソグラフィ装置： 光源（３０６）； 光源（３０６）より光ビームを第１及び第２平面光モジュレータ（３０２ ａ、３０２ｂ）上に導くビーム分配部材（３１０）。 １３．光源（３０６）から第１及び第２平面光モジュレータ（３０２ａ，３０２ ｂ）を介して基板（３１６）までの光路の差は、光源（３０６）の光の干渉性長 さよりも小さいことを特徴とする請求項１２記載のフォトリソグラフィ装置。 １４．第１及び第２パターン（１００，１０２）は基板（３１６）の露光領域（ ３１４）上に同時に投影されることを特徴とする請求項８、請求項９、請求項１ ０、請求項１１、請求項１２又は請求項１３記載のフォトリソグラフィ装置。 １５．ビーム分割部材（３１０）が光源（３０６）からの光ビームを二つの均等 な輝度の光ビームに分割することを特徴とする請求項１２、請求項１３又は請求 項１４記載のフォトリソグラフィ装置。 １６．光源（３０６）がパルス・レーザ光源であることを特徴とする請求項１０ 、請求項１１、請求項１２、請求項１３、請求項１４又は請求項１５記載のフォ トリソグラフィ装置。 １７．基板（３１６）を設置可能な可動位置決めテーブル（３１８）を備えてい ることを特徴とする請求項８、請求項９、請求項１０、請求項１１、請求項１２ 、請求項１３、請求項１４又は請求項１５記載のフォ トリソグラフィ装置。