JPH10512513A - エンボス基板及びそれを有する光受容体装置及び方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 エンボス面（２１）がプラスチック材料の基板（２２）からなり、そして面と、基板の面によって支持されたエンボス面（６２）とを有する。エンボス面（６２）は１００ナノメートル乃至３００ナノメートルの平均荒さをもったパターンを有し、荒さが面（６２）にわたって実質的に一様に分布され、パターンは峰と谷を有し、隣接した峰及び又は谷間の水平距離が峰と谷との間の深さよりも大きい。ピーク及び谷は、薄い平らな有機層で被覆されたエンボス面（６２）が光に曝されるとき干渉効果を最小にし或いは除去するために、そこに当たった光の拡散を生じさせるように周期性なしに無秩序に配置されている。

Description

【発明の詳細な説明】 エンボス基板及びそれを有する光受容体装置及び方法 本発明はエンボス基板及びそれを有する光受容体装置及びその製造方法に関す る。 複写機に利用される光受容体ベルトでは、かかるベルトの製造に種々の薄い層 が利用されてきた。それらのベルトの感度を増すために、それらのベルトを形成 する薄い層を依然としてより薄くし、且つより平らにすることが望ましいことが 分かった。これらの層をより薄くし或いはもっと平らにすると、光干渉（モアレ 効果）が薄い平面化被覆内に起こることが分かった。換言すれば、モアレ効果は 、印刷される像と干渉する建設的及び又は破壊的干渉を作るので、レーザプリン ターに特に望ましくない色又は木目効果をもたらす。従って、かかる光干渉を最 小にし或いは除去した光受容体基板及びかかる光受容体基板の製造を可能にする 製造方法の要望がある。 一般に、本発明の目的は、エンボス基板及び該エンボス基板を有する光受容体 装置並びにかかる光干渉効果を最小にし或いは除去する製造方法を提供すること にある。 本発明の他の目的は、光干渉効果を除去する、周期性のない無秩序な表面形状 を有するパターンを持った面をもたらす、上記特徴の基板、装置及び方法を提供 することにある。 本発明の他の目的は、エンボス面の荒さを所定限度内に制御した、上記特徴の 基板、装置及び方法を提供することにある。 本発明の他の目的は、荒さが１００乃至３００ナノメートルの範囲の平均荒さ を有する、上記特徴の基板、装置及び方法を提供することにある。 本発明の他の目的は、荒さが３５０乃至１０５０ナノメートルの範囲のレーザ 波長について使用することができる、上記特徴の基板、装置及び方法を提供する ことにある。 本発明の他の目的は、パターンがピークと谷を有し、隣接したピーク及び又は 谷間の距離がピークの頂から隣接した谷の底までの深さよりも大きい、上記特徴 の基板、装置及び方法を提供することにある。 本発明の他の目的は、大量生産技術について使用するのに適した、上記特徴の 基板、装置及び方法を提供することにある。 本発明の他の目的は、光受容体ベルトを生産するのに利用することができる、 上記特徴の基板、装置及び方法を提供することにある。 本発明の追加の目的及び特徴は、好ましい実施の形態を添付図面について記載 する以下の説明から明らかであろう。 図１は本発明について使用される典型的な基板の断面図である。 図２は、本発明の方法で面を複製するエッチガラス（蝕刻ガラス）の断面図で ある。 図３は図２のエッチガラスにフォトレジスト層を被覆して、図２に示すエッチ ガラスの面のネガティブとしたことを示す断面図である。 図４はエッチガラスの面から取り外された後のフォトレジスト層を示す断面図 である。 図５は図４に示すフォトレジスト層ネガティブを使用して金皮膜に形成された 、エッチガラスの面のポジティブを示す断面図である。 図６は図５に示す段階で作られた金皮膜マスターを示す断面図である。 図７は金皮膜マスターを利用して金属シムを作って図２に示すエッチガラスの 面のネガティブ像を有するシムとした方法を示す断面図である。 図８は図７に示す段階で作られたタイプの複数の金属シムで覆われたマット形 円周面を有するエンボス用ローラを示す概略図である。 図９は図８に示すエンボス用ローラの金属シムによって支持されたパターンを 写してエンボス皮膜とした方法を示す装置の概略図である。 図１０は図１に示す基板に接着され、図９で作られたエンボス皮膜を示し、エ ンボス皮膜の上面に真空蒸着接地平面を設けたものの断面図である。 図１１は図１０に示すエンボス基板を有する光受容体装置の断面図である。 一般に、本発明のエンボス基板はエンボス面を有する基板からなる。エンボス 面の特徴は、エンボス面が１００ナノメートル乃至３００ナノメートルの平均荒 さをもったパターンを有し、荒さがパターンに渡って実質的に均一に分布されて いることである。パターンは峰と谷を有し、隣接した峰間の距離は隣接したピー クと谷との間の深さよりも大きい。ピークと谷はパターンに周期性なく無秩序に 配置されて、それに当たる光を拡散させ、基板に平らな皮膜が被覆され、そして 基板が光に曝されるときに干渉効果を最小にし或いは除去する。 特に、図面の図１乃至１１に示すように、本発明を有するエンボス基板２１は 図１０に示され、図１に示す基板２２を図２乃至９に示す段階と関連して利用し て作られる。基板２２は上面２３及び下面２４を有する。基板２２は任意適当な 材料で形成することができるが、好ましくは、１ミル乃至１０ミルの範囲の厚さ 、好ましくは、２−３ミルの厚さを有し、面２３又は２４が本発明の実施に必要 な所望の荒さを有していない、例えばＰＥＴのようなプラスチックの如き可撓性 材料で形成される。かくして、例えば、面２３は平滑過ぎる７８ナノメートル又 はそれ以下の平均荒さＲ_aを有するのが良く、逆に、面２３が４００ナノメート ルの平均荒さＲ_aを有する場合には、それは荒過ぎる。本発明によれば、１００ 乃至３００ナノメートル、好ましくは、１２０愛し２５０ナノメートルの範囲の 平均荒さＲ_aを有する面を持つことが望ましい。 後述するように、面２３と２４のうちの一方を直接エンボスして所望な荒さを 作る。この方法を利用するときには、基板２２はその面２３にアクリル樹脂のよ うな適当な材料で形成された硬質コートを備えることが望ましい。このような出 発基板は商業的に入手でき、テクラ（ＴＥＫＲＡ）によって供給されるテクラマ ルノット（ＴＥＫＲＡ Ｍａｒｎｏｔ）II、即ちエンボス可能なアクリル樹脂の 硬質コートをもったＰＥＴ基板と特定することができる。 エンボス基板２１を製造するための後述の方法では、かかる硬質コートをもた ない基板２２が利用される。本発明によれば、基板２２をエンボスすることがで きるパターンを見つけるために、かかるエンボス面を作るべく複写又は複製する ための種々の面を調査した。所望なパターンを示した１つの物品が９０°光沢エ ッチガラスと特定される、エッチ面２７を有するガラス片２６に見られた。本発 明と関連して、９０°光沢が好ましいけれども、６０°乃至９０°光沢の範囲の 光沢を利用してもよいものと考えられる。かかるガラスの表面形状２７は、ガラ スの面の複製を論ずる以下に記載のごとき多数の方法で特徴付けることができる 。典型的には、９０°光沢エッチガラスはほぼ１５０ナノメートルの平均表面荒 さＲ_aをもったパターンを有し、１１０ナノメートルと１５０ナノメートルとの 間の範囲がかかるエッチガラス面に起こる。１４０乃至２００ナノメートルのＲ ＭＳ平均値及び深さについて４３０乃至４１０ナノメートルのＺ平均値が測定さ れた。図２に示すエッチガラスのスキャン輪郭サンプルエッチ面のスキャン輪郭 は４００マイクロメートルに及んだ。隣接した谷及び又はピーク間の距離はほぼ １０マイクロメートルであり、ピークの頂から底までの深さはほぼ４００ナノメ ートルであった。かくして、隣接した谷及び又はピーク間の幅はピークと隣接し た谷との間の深さよりも大きく、好ましくは、それよりも例えば、２０又はそれ 以上のファクター大きくなければならない。かかる９０°光沢エッチガラスの面 によって作られるパターンはマイクロスケールで周期性なしに無秩序であった。 以下に記載の如くエンボスするための所望な表面特性をもたらすためにガラス が利用されたけれども、他の材料も例えば、プラスチックシート及び金属シート のような所望な面をもたらすことができる。 物理的物品の面によってもたらされるパターンを複写又は複製するのではなく 、高い振幅ピークが面にわたって無秩序に間隔を隔てるような三次元減衰シヌソ イド波の形態のような類似の表面形状をもたらすコンピュータの使用によって類 似のパターンを作ることが出来る。例示として、隣接したピーク間の幅又は間隔 はほぼ１０ミクロンであり、ピークの頂から谷の底までの深さはほぼ０．１ミク ロンである。回析格子の形成を防止するのに減衰が要求される。換言すれば、形 成されたパターンは、面上の周期性を回避し、且つ又回析効果を回避するように 、拡散して無秩序であるべきである。 本発明により複製することが望まれる所望面が選ばれていると仮定すると、図 ３に示すガラス基板２６はほぼ０．１ミクロン又はそれ以下の厚さまで、シリコ ン油のような適当な材料で形成された剥離皮膜３１で被覆された面２７を有する 。フォトレジスト３２を適当な方法で、例えば、イーストマンコダックのフォト レジストのような感光性ポリマーの形態の液体ネガティブフォトレジストを供給 し、それを剥離皮膜３１の面へスピニングし、そしてそれを在来の方法で乾燥す るこ とによって、剥離皮膜３１の上に堆積させる。 フォトレジスト層３２が乾燥し、即ち硬化した後、フォトレジスト層３２をエ ッチガラス基板２６の面２７から剥がして図４に示すようにエッチガラス２６の 面のネガティブの複製を作る。所望なエンボス面がコンピュータによって作られ る場合には、コンピュータで発生したパターンを利用するイービーム（ｅ−ｂｅ ａｍ）リトグラフ技術を使ってフォトレジストマスター３２を作ることが出来る 。フォトレジスト層３２は複製するように望まれる面２７のネガティブである面 ３３を有する。この面を利用してガラス基板２６のエッチ面２７のポジティブの 複製を作る面３７を有するポジティブの複製マスターシム３６を作る。逆に、所 望ならば、エッチ面のネガティブ複製を作るネガティブ複製マスターシムを作っ てもよい。このシム３６はガラス基材２６の面２７のポジティブの複製である面 ３７を有する金マスターシム３６を作るために、在来の無電解メッキ法で金のよ うな適当な材料で形成されるのがよい。金皮膜マスター３６が形成されるやいな や、フォトレジスト層３２を在来の方法で溶解し、或いは洗い流し、その結果、 図６に示すように面３７を有する金皮膜マスターシム３６が残る。例示として、 シム３６は例えば１／２インチ×１／２インチのような適当な大きさのものでよ い。 次いで、複数のタイルシム４１を金皮膜マスターシム３６から形成してガラス 基板２６の面２７のネガティブであるシム４１の面４２及び面４３を作る。これ を行うために、シリコン油又は塩化ナトリウムのような適当な材料で形成された 剥離層４４をマスターシム３６の面３７に置き、しかる後、ニッケルのような金 属を無電解メッキ技術で面３７に例えば１０ミクロンのような適当な厚さに電気 メッキする。メッキが仕上がった後、剥離層４４を溶解し、その結果、ガラス２ ６のエッチ面２７の第２のネガティブの像を備えた面４２が残る。ニッケルシム は、例えば、金皮膜マスターシム３６と同じ１／２インチ×１／２インチの寸法 形状のような適当な寸法形状を有することができる。 本発明と関連して、面のネガティブの複製を利用することが可能であることが 分かった。面のネガティブの複製を作るために、ネガティブからポジティブにタ イルシムをシフトする、エンボス用シムのもう一世代を作る事だけが必要である 。 本発明によれば、円筒面４７を有するエンボス用ローラ４６にタイル張りする ことが望まれるものと仮定する。ローラ４６はステンレススチール又はアルミニ ウムのような適当な材料で形成されるのがよい。例えば、６インチの直径及び３ ６インチの幅を有する円筒面を利用し、１／２インチ平方のタイルシムを利用す ると、その面を覆うのに２０００個以上のシムが必要とされる。次いで、ニッケ ルタイルシムを取り、それらの面４３を接着剤（図示せず）のような適当な手段 で円筒面４７に接着することによって面４３を円筒面４７に固着し、シム４６を 並べて且つ端と端を突き合わせてマット状態に置いて円筒面４７から外方且つ半 径方向に面するシム４１の面４２に対応するパターンを作り、エンボス用円筒面 を提供する。シム４１を面４７にマット状にタイル張りした後、ローラ４６、そ れによって支持されたパターンを、例えばアクリル樹脂の硬質コートを支持して いるＰＥＴ基板のような可撓性基板の硬質被覆面に直接エンボスするのに使用し てもよい。これは例えば、１５０℃の温度及び平方インチ当たり８０ポンドのよ うな適当な温度と圧力の使用によって、且つ基板をエンボス用シリンダと平滑な スチールローラとの間に走らせることによって行うことが出来る。 別の例として、エンボス用ローラ又はシリンダ４６を図９に示すような装置及 び方式に利用することができる。ＰＥＴ基板２２は供給リール５１で支持され、 エンボス用ローラ４６と中に紫外線源５３を有するガラスローラ５２との間を移 動し、次いで、巻き取りリール５４によって巻き取られる。図９にも示すように 、エンボス用ローラ４６は頂き開放タンク５７内に配置された紫外線硬化性ポリ マー浴の形態の液体の中を移動する。硬化性ポリマー浴はＩＲ熱源を使用する速 硬熱硬化性ポリマー装置内の紫外線硬化性アクリルポリマー又はエポキシポリマ ーの形態のものがよい。図９に示す装置の作動中、エンボス用ローラ４６は浴５ ６から紫外線硬化性ポリマーの薄い層を取り上げて基板２２の他の下側即ち下面 ２４に係合し、浴からのポリマーをエンボス用ローラ４６によって支持されたシ ム４１のパターンへ圧入する。ポリマーが可撓性基板２２の下側に達する前に、 エンボス用ローラから余分のポリマーを除去するのにドクターブレード６４を利 用することができる。エンボス用ローラ４６と接触しているポリマーは紫外線源 ５３によって硬化されて基板２２の面２４に付着した注型エンボス皮膜６１を作 り、層６１を例えば２ミクロンのような適当な厚さに形成させ、エンボス用ロー ラが回転し続けるとエンボス用ローラ６１から分離させる。次いで、硬化したポ リマー層６１は基板２２と一緒にエンボス基板２１として巻き取りリール５４へ 移動する。図９に示す装置の作動の完了後、巻き取りリール５４を、前に説明し たタイプの光受容体装置を作るのにそれを利用する顧客に出荷することができる 。層６１は、複製することが望まれたガラス基板２６のエッチ面２７によって作 られたパターンのポジティブ又はネガティブである基材２２のためのエンボス面 ６２をもたらす。 変形例として、リール５４を顧客に出荷する前に、面６２は金属のような適当 な材料で形成された真空蒸着接地平面６６を備えてもよい。これは、巻き取りリ ール５４によって支持されたエンボス基板２１を通し、エンボス基板を在来の真 空室の中を進めて面６２を金属化し、真空室内でアルミニウム又は他の適当な金 属材料を蒸発させることによって接地平面として役立つ等写被覆を作ることによ って容易になし遂げられる。金属化接地平面６６がこの面６２に作られた後、エ ンボス及び金属化基板を他の巻き取りリール（図示せず）に巻き取り、しかる後 、光受容体装置への製造のために顧客に出荷することができる。 真空蒸着接地平面６６のある又はないエンボス基板２１を、例えば図１１に示 す装置６９のような光受容体装置を作るのに利用することができる。ここに示す ように、エンボス面６２は前に説明したように接地平面６６を備え、それに続い て当業者に周知のタイプの一連の有機被覆が設けられる。かくして、接地平面６ ６の上に位置する下塗り接着層／電荷阻止層７１を設けることができる。これに 続いて、電荷発生層７２及び電荷移動層７３が設けられて仕上げ製品６９になる 。例示として、ＰＥＴ基板２２は例えば７５ミクロンのような適当な厚さを有す る。注型エンボス皮膜又は層は例えば２ミクロンのような適当な厚さを有する。 接地平面は０．１ミクロンより小さい厚さを有する。典型的には、下塗り接着層 又は／電荷阻止層７１は１ミクロンより大きい厚さを有し、電荷発生層７２は０ ．１乃至１ミクロンの範囲の厚さを有し、電荷移動層７３は２０ミクロンの厚さ を有する。 図１１に示す構造では、光受容体装置６９は、基板２２の上に位置しかつ光受 容体装置６９の光拡散能力をもたらすエンボス面６２を備え、これは、接地平面 ６６の上に位置する薄い平らな有機層を利用する事が出来るとしても、電荷移動 層７３を通して放出される像の色又は木目のような光干渉（モアレ）効果を最小 にし或いは除去する。ガラス２６の面２７と関連して説明したようにエンボス面 ６２は、設けられた峰と谷が無秩序の非周期的パターンをなし、且つ光を拡散さ せ、且つコヒーレントな干渉効果を有しない微小規模の表面形状をもたらすため に、峰と谷がピークと谷との間の垂直距離よりも広く互いに間隔をへだてられて いる表面形状を有する。平均荒さＲ_aは３００ナノメートルより小さく、１００ ナノメートルより大きくなければならない。かかる表面形状では、光受容体装置 は、典型的には、７８０乃至９５０ナノメートルの範囲の波長を有する光源用の 赤外線レーザダイオードを使用するレーザプリンターについて利用することがで きる。かくして、本発明は赤外線レーザ複写機及びプリンターに特に適用できる 。しかしながら、本発明において説明したのと同じタイプの光受容体装置を白色 光複写機械に利用することができる。 本発明を主として可撓性プラスチック皮膜について説明したけれども、同じ原 理を平らなプラスチックプレートに設けられる平らな面のような平らな面につい て利用することができることを理解すべきである。上記の説明から、光受容体装 置を作っている層をより薄くしそしてより平らにするときに光干渉効果を最小に し或いは除去するために光受容体装置に利用することが出来るエンボス基板を提 供していることが分かる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 ＦＩ Ｃ０９Ｄ 7/12 Ｃ０９Ｄ 7/12 Ｚ 11/02 11/02 201/00 201/00 Ｇ０２Ｂ 1/10 Ｇ０２Ｂ 5/02 Ｂ 5/02 Ｇ０３Ｇ 5/10 Ｚ Ｇ０３Ｇ 5/10 Ｇ０２Ｂ 1/10 Ｚ (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＤＥ， ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，ＩＴ，Ｌ Ｕ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ，ＣＦ ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＭＬ，ＭＲ，ＮＥ， ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＫＥ，ＬＳ，ＭＷ，ＳＤ，Ｓ Ｚ，ＵＧ)，ＵＡ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ ，ＲＵ，ＴＪ，ＴＭ)，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ ，ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ， ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，Ｇ Ｅ，ＨＵ，ＩＬ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ ，ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ， ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ，ＮＯ，ＮＺ，Ｐ Ｌ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＺ，ＶＮ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １．プラスチック材料の基板からなり、そして面と、基板の面によって支持され たエンボス面とを有するエンボス基板において、１００ナノメートル乃至３００ ナノメートルの平均荒さをもったパターンを有し、荒さが面にわたって実質的に 一様に分布され、前記パターンは峰と谷を有し、隣接した峰及び又は谷間の距離 がピークと谷との間の深さよりも大きく、ピーク及び谷は、エンボス面が光に曝 されるとき干渉効果を最小にし或いは除去するために、そこに当たった光の拡散 を生じさせるように周期性なしに無秩序に配置されていることを特徴とするエン ボス基板。 ２．エンボス面は基板の面である、請求の範囲１に記載の基板。 ３．基板の前記面に硬質コートをさらに有する、請求の範囲２に記載の装置。 ４．前記基板はＰＥＴであり、前記硬質コートはアクリル樹脂である、請求の範 囲３に記載の装置。 ５．第１の面と第２の面とを有するプラスチックの別の層を更に有し、前記第１ の面は明の他の目的は、大量生産技術について使用するのに適した、前記層の前 記第１の面は、基板の前記面に接着され、前記層の第２の面に前記エンボス面が 形成される、請求の範囲１に記載の基板。 ６．前記層は紫外線硬化性ポリマーで形成される、請求の範囲５に記載の基板。 ７．前記基板はＰＥＴで形成される、請求の範囲６に記載の基板。 ８．エンボス面に形成された真空蒸着金属を更に有する、請求の範囲７に記載の 基板。 ９．シムの形態を有する、請求の範囲１に記載の基板。 10．エンボス面を支持するプラスチック基板を有し、前記エンボス面は１００ナ ノメートル乃至３００ナノメートルの平均荒さをもったパターンを有し、荒さが エンボス面にわたって実質的に一様に分布され、前記パターンは峰と谷を有し、 隣接した峰及び又は谷間の距離がピークの頂と谷の底との間の深さよりも大きく 、ピーク及び谷はパターン内に周期性なしに無秩序に配置され、更に、エンボス 面に付着した接地平面層と、接地平面層に付着した電荷阻止層と、電荷阻止層に 接着された電荷発生層と、電荷発生層に付着した電荷移動層と、を 有し、前記エンボス面はそれに当たる光の拡散を生じさせるのに役立ち、且つ光 に曝されたとき光干渉効果を最小にし或いは除去するのに役立つ、光受容体装置 。 11．前記基板は硬質アクリル樹脂コートが形成された面を備え、前記パターンが 前記硬質アクリル樹脂コートにエンボスされる、請求の範囲１０に記載の装置。 12．前記エンボス面はプラスチック層に形成される、請求の範囲１０に記載の装 置。 13．前記エンボス面は層に注型される、請求の範囲１２に記載の装置。 14．前記基板はＰＥＴで形成される、請求の範囲１０に記載の装置。 15．１００ナノメートル乃至３００ナノメートルの平均荒さをもった面を有し、 荒さが面にわたって実質的に一様に分布され、前記面が峰と谷を有するパターン を備え、隣接した峰及び又は谷間の水平距離が峰の頂と谷の底との間の垂直距離 よりも大きく、ピーク及び谷が周期性なしにパターンに無秩序に配置されている 、シムを作る方法であって、像の複製を作り、複製した像に対応するシムの面に エンボス面を作ることからなる、方法。 16．複製したシムは基板の面を直接エンボスするのに使用される、請求の範囲１ ５に記載の方法。 17．複製したシムは基板の面に付着した別のプラスチック層の面をエンボスする のに利用される、請求の範囲１５に記載の方法。 18．面の像は所望面のパターンからネガティブ表面形状を形成し、ネガティブ表 面形状の複製によってポジティブ表面形状を形成し、ポジティブ表面形状の複製 によって他のネガティブ表面形状を形成し、最後に、ネガティブ表面形状をエン ボスされるプラスチック基板へ転写し、プラスチック基板に所望面のポジティブ 複製を作ることによって作られる、請求の範囲１５に記載の方法。 19．ポジティブ表面形状は金属層に形成され、他のネガティブ表面形状は追加の 金属層に形成される、請求の範囲１８に記載の方法。 20．ネガティブ表面形状は円筒面を有するエンボス用ローラと一緒に複数のシム に形成され、複数のシムをエンボス用ローラの円筒面にマット状に固着し、エン ボス用ローラを、紫外線硬化性ポリマー浴の中を移動させ、紫外線硬化性ポ リマーを基板の片側に転写するとともに紫外線硬化性ポリマーが紫外線硬化光を 受けて、紫外線硬化性ポリマーを硬化させ、且つ固体化させ、エンボス用ローラ から基板へ移させ、基板が所望面の像を支持するエンボス面を備える、請求の範 囲１９に記載の方法。 21．エンボス面に真空蒸着接地平面層を付与する段階を有する、請求の範囲２０ に記載の方法。 22．接地平面層の上に位置する複数の有機層を堆積させる段階を有する請求の範 囲２１に記載の方法。